JPH10166738A - 光記録材料および光記録媒体 - Google Patents
光記録材料および光記録媒体Info
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- JPH10166738A JPH10166738A JP8346749A JP34674996A JPH10166738A JP H10166738 A JPH10166738 A JP H10166738A JP 8346749 A JP8346749 A JP 8346749A JP 34674996 A JP34674996 A JP 34674996A JP H10166738 A JPH10166738 A JP H10166738A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 第１に、変調度および記録感度が高い相変化
型光記録媒体を実現する。第２に、変調度が高く、ま
た、初回の書き換えから安定した記録再生特性が得られ
る相変化型光記録媒体を実現する。 【解決手段】 Ｉｎ、Ａｇ、ＴｅおよびＳｂを所定量含
有する光記録材料であり、第１の態様では、ラマンスペ
クトルにおいて、ラマンシフトが１１３〜１１７cm-1の
範囲にある散乱ピークＩ−１と、ラマンシフトが１２３
〜１２７cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−２とが存在
し、前記散乱ピークＩ−２の半値幅が前記散乱ピークＩ
−１の半値幅よりも大きい。第２の態様では、ラマンス
ペクトルにおいて、ラマンシフトが１０５〜１２５cm-1
の範囲にある散乱ピークII−１と、ラマンシフトが１４
０〜１６０cm-1の範囲にある散乱ピークII−２とが存在
し、散乱ピークII−１の強度が散乱ピークII−２の強度
よりも大きい。
型光記録媒体を実現する。第２に、変調度が高く、ま
た、初回の書き換えから安定した記録再生特性が得られ
る相変化型光記録媒体を実現する。 【解決手段】 Ｉｎ、Ａｇ、ＴｅおよびＳｂを所定量含
有する光記録材料であり、第１の態様では、ラマンスペ
クトルにおいて、ラマンシフトが１１３〜１１７cm-1の
範囲にある散乱ピークＩ−１と、ラマンシフトが１２３
〜１２７cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−２とが存在
し、前記散乱ピークＩ−２の半値幅が前記散乱ピークＩ
−１の半値幅よりも大きい。第２の態様では、ラマンス
ペクトルにおいて、ラマンシフトが１０５〜１２５cm-1
の範囲にある散乱ピークII−１と、ラマンシフトが１４
０〜１６０cm-1の範囲にある散乱ピークII−２とが存在
し、散乱ピークII−１の強度が散乱ピークII−２の強度
よりも大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
材料と、これを用いた光記録媒体とに関する。
材料と、これを用いた光記録媒体とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一の光
ビームの強度を変調することによりオーバーライトが可
能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体の
それに比べて単純であるため、注目されている。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一の光
ビームの強度を変調することによりオーバーライトが可
能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体の
それに比べて単純であるため、注目されている。
【０００３】相変化型の光記録媒体には、結晶質状態と
非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の
安定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系材料が
用いられることが多いが、最近、カルコパイライトと呼
ばれる化合物を応用することが提案されている。
非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の
安定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系材料が
用いられることが多いが、最近、カルコパイライトと呼
ばれる化合物を応用することが提案されている。
【０００４】カルコパイライト型化合物は化合物半導体
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2 で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228 などに記載されてい
る。
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2 で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228 などに記載されてい
る。
【０００５】これらのカルコパイライト型化合物の中で
特にＡｇＩｎＴｅ2 は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１
２８６号公報等）。
特にＡｇＩｎＴｅ2 は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１
２８６号公報等）。
【０００６】このようなカルコパイライト型化合物を用
いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２
号公報や特開平４−２３２７７９号公報、特開平６−１
６６２６８号公報には、記録層が結晶化する際にＡｇＳ
ｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体が開示されて
いる。
いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２
号公報や特開平４−２３２７７９号公報、特開平６−１
６６２６８号公報には、記録層が結晶化する際にＡｇＳ
ｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体が開示されて
いる。
【０００７】相変化型光記録媒体では、通常、真空成膜
装置などを用いて記録層を形成しているため、形成直後
の記録層は非晶質状である。これを書き換え型の媒体と
して利用する場合には、一般に初期化と呼ばれる操作に
より、記録層を結晶化する。初期化操作では、記録層を
加熱・徐冷することにより、結晶化する。初期化後、書
き換え（オーバーライト）用レーザー光を照射すると、
記録パワーを加えた領域では記録層が溶融し、続く急冷
により非晶質ないし微結晶となって反射率が低下し、記
録マークとなる。一方、消去パワーを加えた領域では変
化は生じず、初期化後の反射率が維持される。これ以降
の書き換えの際にも、新たに記録マークとする部位で記
録パワーを加え、その他の部位では消去パワーを加え
る。照射前の状態が結晶質であっても非晶質ないし微結
晶であっても、記録パワーを加えた部位は全て非晶質な
いし微結晶の記録マークとなり、また、消去パワーを加
えた部位は全て結晶質となり、オーバーライト記録が可
能となる。
装置などを用いて記録層を形成しているため、形成直後
の記録層は非晶質状である。これを書き換え型の媒体と
して利用する場合には、一般に初期化と呼ばれる操作に
より、記録層を結晶化する。初期化操作では、記録層を
加熱・徐冷することにより、結晶化する。初期化後、書
き換え（オーバーライト）用レーザー光を照射すると、
記録パワーを加えた領域では記録層が溶融し、続く急冷
により非晶質ないし微結晶となって反射率が低下し、記
録マークとなる。一方、消去パワーを加えた領域では変
化は生じず、初期化後の反射率が維持される。これ以降
の書き換えの際にも、新たに記録マークとする部位で記
録パワーを加え、その他の部位では消去パワーを加え
る。照射前の状態が結晶質であっても非晶質ないし微結
晶であっても、記録パワーを加えた部位は全て非晶質な
いし微結晶の記録マークとなり、また、消去パワーを加
えた部位は全て結晶質となり、オーバーライト記録が可
能となる。
【０００８】相変化型光記録媒体に要求される基本的な
特性としては、変調度、記録感度などが挙げられる。し
かし、ＡｇＳｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体
においては、これらの諸特性が良好となる記録層の結晶
構造については知られておらず、これらの特性の良好な
光記録媒体を確実に得ることは難しかった。
特性としては、変調度、記録感度などが挙げられる。し
かし、ＡｇＳｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体
においては、これらの諸特性が良好となる記録層の結晶
構造については知られておらず、これらの特性の良好な
光記録媒体を確実に得ることは難しかった。
【０００９】また、従来の相変化型記録媒体では、初期
化後、安定した消去率を得るまでには書き換えを何回か
繰り返す必要があった。このため、一般に、１０回程度
書き換えを繰り返してから特性評価を行っていた。Ａｇ
ＳｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体において消
去率が不安定となるのは、初期化処理直後の書き換え時
にはＡｇＳｂＴｅ2 結晶相やＩｎ−Ｔｅ結晶相の生成が
完全ではないからと考えられるが、その詳細は不明であ
った。
化後、安定した消去率を得るまでには書き換えを何回か
繰り返す必要があった。このため、一般に、１０回程度
書き換えを繰り返してから特性評価を行っていた。Ａｇ
ＳｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体において消
去率が不安定となるのは、初期化処理直後の書き換え時
にはＡｇＳｂＴｅ2 結晶相やＩｎ−Ｔｅ結晶相の生成が
完全ではないからと考えられるが、その詳細は不明であ
った。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、変調
度および記録感度が高い相変化型光記録媒体を実現する
ことである。本発明の他の目的は、変調度が高く、ま
た、初回の書き換えから安定した記録再生特性が得られ
る相変化型光記録媒体を実現することである。
度および記録感度が高い相変化型光記録媒体を実現する
ことである。本発明の他の目的は、変調度が高く、ま
た、初回の書き換えから安定した記録再生特性が得られ
る相変化型光記録媒体を実現することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（４）のいずれかの構成により達成される。 （１） 式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓｂc ｝1-d Ｍ
d （上記式において、Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔ
ａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選択される少
なくとも１種の元素であり、 ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ である）で表される組成（原子比）を有し、ラマンスペ
クトルにおいて、ラマンシフトが１１３〜１１７cm-1の
範囲にある散乱ピークＩ−１と、ラマンシフトが１２３
〜１２７cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−２とが存在
し、前記散乱ピークＩ−２の半値幅が前記散乱ピークＩ
−１の半値幅よりも大きいものである光記録材料。 （２）ラマンスペクトルにおいて、ラマンシフトが１７
０〜１８５cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−３が存在
し、この散乱ピークＩ−３の強度が前記散乱ピークＩ−
１の強度および前記散乱ピークＩ−２の強度の０．２５
倍以下である上記（１）の光記録材料。 （３） 式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓｂc ｝1-d Ｍ
d （上記式において、Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔ
ａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選択される少
なくとも１種の元素であり、 ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ である）で表される組成（原子比）を有し、ラマンスペ
クトルにおいて、ラマンシフトが１０５〜１２５cm-1の
範囲にある散乱ピークII−１と、ラマンシフトが１４０
〜１６０cm-1の範囲にある散乱ピークII−２とが存在
し、散乱ピークII−１の強度が散乱ピークII−２の強度
よりも大きいものである光記録材料。 （４）上記（１）〜（３）のいずれかの光記録材料から
なる記録層を有する光記録媒体。
（１）〜（４）のいずれかの構成により達成される。 （１） 式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓｂc ｝1-d Ｍ
d （上記式において、Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔ
ａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選択される少
なくとも１種の元素であり、 ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ である）で表される組成（原子比）を有し、ラマンスペ
クトルにおいて、ラマンシフトが１１３〜１１７cm-1の
範囲にある散乱ピークＩ−１と、ラマンシフトが１２３
〜１２７cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−２とが存在
し、前記散乱ピークＩ−２の半値幅が前記散乱ピークＩ
−１の半値幅よりも大きいものである光記録材料。 （２）ラマンスペクトルにおいて、ラマンシフトが１７
０〜１８５cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−３が存在
し、この散乱ピークＩ−３の強度が前記散乱ピークＩ−
１の強度および前記散乱ピークＩ−２の強度の０．２５
倍以下である上記（１）の光記録材料。 （３） 式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓｂc ｝1-d Ｍ
d （上記式において、Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔ
ａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選択される少
なくとも１種の元素であり、 ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ である）で表される組成（原子比）を有し、ラマンスペ
クトルにおいて、ラマンシフトが１０５〜１２５cm-1の
範囲にある散乱ピークII−１と、ラマンシフトが１４０
〜１６０cm-1の範囲にある散乱ピークII−２とが存在
し、散乱ピークII−１の強度が散乱ピークII−２の強度
よりも大きいものである光記録材料。 （４）上記（１）〜（３）のいずれかの光記録材料から
なる記録層を有する光記録媒体。
【００１２】
【作用および効果】本発明では、ラマンスペクトルに上
記したような所定の散乱ピークが存在する光記録材料を
用いることにより、上記目的を達成した。具体的には、
第１の態様では、ＡｇＳｂＴｅ2 由来の上記散乱ピーク
Ｉ−２の半値幅を、Ｓｂ2 Ｔｅ3 由来の上記散乱ピーク
Ｉ−１のそれよりも大きくすることにより、変調度およ
び記録感度が高い光記録媒体が実現する。一方、第２の
態様では、ラマンスペクトルにＳｂ−Ｓｂ由来の２種の
散乱ピーク（上記したII−１およびII−２）しか実質的
に存在しないものとし、かつ、散乱ピークII−１の強度
を散乱ピークII−２の強度よりも大きくすることによ
り、変調度が高く、また、初回の書き換えから安定した
記録再生特性を示す光記録媒体が実現する。
記したような所定の散乱ピークが存在する光記録材料を
用いることにより、上記目的を達成した。具体的には、
第１の態様では、ＡｇＳｂＴｅ2 由来の上記散乱ピーク
Ｉ−２の半値幅を、Ｓｂ2 Ｔｅ3 由来の上記散乱ピーク
Ｉ−１のそれよりも大きくすることにより、変調度およ
び記録感度が高い光記録媒体が実現する。一方、第２の
態様では、ラマンスペクトルにＳｂ−Ｓｂ由来の２種の
散乱ピーク（上記したII−１およびII−２）しか実質的
に存在しないものとし、かつ、散乱ピークII−１の強度
を散乱ピークII−２の強度よりも大きくすることによ
り、変調度が高く、また、初回の書き換えから安定した
記録再生特性を示す光記録媒体が実現する。
【００１３】第２の態様から、初回の書き換え時から安
定した記録再生特性を得るためにはＳｂの十分な結晶化
が必要であることがわかるが、このことは本発明におい
て初めて提案されたことである。上記したように、従来
は、ＡｇＳｂＴｅ2 結晶相やＩｎ−Ｔｅ結晶相が十分に
存在すればよいと考えられていた。
定した記録再生特性を得るためにはＳｂの十分な結晶化
が必要であることがわかるが、このことは本発明におい
て初めて提案されたことである。上記したように、従来
は、ＡｇＳｂＴｅ2 結晶相やＩｎ−Ｔｅ結晶相が十分に
存在すればよいと考えられていた。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１５】記録層 本発明の光記録媒体の記録層は、下記の光記録材料から
構成される。
構成される。
【００１６】光記録材料の構成元素の原子比を 式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓｂc ｝1-d Ｍ
d で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．６５、 ｄ＝０．００５〜０．０５ である。
d で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．６５、 ｄ＝０．００５〜０．０５ である。
【００１７】ａが小さすぎると、記録材料中のＩｎ含有
率が相対的に低くなりすぎる。このため、記録マークの
非晶質化が不十分となって変調度が低下し、また、信頼
性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎると、記録
材料中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎる。このた
め、記録マーク以外の反射率が低くなって変調度が低下
してしまう。
率が相対的に低くなりすぎる。このため、記録マークの
非晶質化が不十分となって変調度が低下し、また、信頼
性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎると、記録
材料中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎる。このた
め、記録マーク以外の反射率が低くなって変調度が低下
してしまう。
【００１８】ｂが小さすぎると、記録材料中のＡｇ含有
率が相対的に低くなりすぎる。このため、記録マークの
再結晶化が困難となって、繰り返しオーバーライトが困
難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録材料中のＡｇ
含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録および消
去の際に単独でＳｂ相中に拡散することになる。このた
め、書き換え耐久性が低下すると共に、記録マークの安
定性および結晶質部の安定性がいずれも低くなってしま
い、信頼性が低下する。すなわち、高温で保存したとき
に記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変調度が劣化
しやすくなる。また、繰り返して記録を行なったときの
Ｃ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくなる。
率が相対的に低くなりすぎる。このため、記録マークの
再結晶化が困難となって、繰り返しオーバーライトが困
難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録材料中のＡｇ
含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録および消
去の際に単独でＳｂ相中に拡散することになる。このた
め、書き換え耐久性が低下すると共に、記録マークの安
定性および結晶質部の安定性がいずれも低くなってしま
い、信頼性が低下する。すなわち、高温で保存したとき
に記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変調度が劣化
しやすくなる。また、繰り返して記録を行なったときの
Ｃ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくなる。
【００１９】また、ａ＋ｂが小さすぎるとＴｅが過剰と
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
【００２０】ｃが小さすぎると、相変化に伴なう反射率
差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅くなって消去
が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、相変化に伴な
う反射率差が小さくなって変調度が小さくなる。
差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅くなって消去
が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、相変化に伴な
う反射率差が小さくなって変調度が小さくなる。
【００２１】上記式における元素Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選
択される少なくとも１種の元素である。元素Ｍは、書き
換え耐久性を向上させる効果、具体的には、書き換えの
繰り返しによる消去率の低下を抑える効果を示す。ま
た、高温・高湿などの悪条件下での信頼性を向上させ
る。このような効果が強力であることから、元素Ｍのう
ちＶ、Ｔａ、ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好まし
く、ＶおよびＴａの少なくとも１種がより好ましく、Ｖ
が特に好ましい。
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選
択される少なくとも１種の元素である。元素Ｍは、書き
換え耐久性を向上させる効果、具体的には、書き換えの
繰り返しによる消去率の低下を抑える効果を示す。ま
た、高温・高湿などの悪条件下での信頼性を向上させ
る。このような効果が強力であることから、元素Ｍのう
ちＶ、Ｔａ、ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好まし
く、ＶおよびＴａの少なくとも１種がより好ましく、Ｖ
が特に好ましい。
【００２２】元素Ｍの含有率を表すｄが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。
【００２３】記録材料にはＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎおよ
び必要に応じて添加されるＭだけを用いることが好まし
いが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよく、Ｓｂの一部
をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部をＳｅで置換して
もよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／またはＰで置換して
もよい。
び必要に応じて添加されるＭだけを用いることが好まし
いが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよく、Ｓｂの一部
をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部をＳｅで置換して
もよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／またはＰで置換して
もよい。
【００２４】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
【００２５】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
【００２６】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
【００２７】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
【００２８】なお、繰り返し書き換え後の記録材料の吸
収係数ｋは、結晶状態のときが３．３程度、微結晶ない
し非晶質のときが２．２程度である。
収係数ｋは、結晶状態のときが３．３程度、微結晶ない
し非晶質のときが２．２程度である。
【００２９】記録材料中には、微量不純物としてＣｕ、
Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｏ、Ｎ、Ｃ等の他の元素が含まれて
いてもよいが、これらの元素の含有率の合計は、０．０
５原子％以下であることが好ましい。
Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｏ、Ｎ、Ｃ等の他の元素が含まれて
いてもよいが、これらの元素の含有率の合計は、０．０
５原子％以下であることが好ましい。
【００３０】記録材料の組成は、電子線プローブマイク
ロアナリシス（ＥＰＭＡ）やＸ線マイクロアナリシス、
ＩＣＰなどにより測定することができる。
ロアナリシス（ＥＰＭＡ）やＸ線マイクロアナリシス、
ＩＣＰなどにより測定することができる。
【００３１】記録層の厚さは、好ましくは９５〜５００
A、より好ましくは１３０〜３００Aとする。記録層が
薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう
反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎる
と、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇが多量
に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率が小さ
くなってしまうため、記録層の信頼性が低くなってしま
う。また、記録層が厚すぎると、前述したように反射率
および変調度が低くなってしまう。
A、より好ましくは１３０〜３００Aとする。記録層が
薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう
反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎる
と、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇが多量
に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率が小さ
くなってしまうため、記録層の信頼性が低くなってしま
う。また、記録層が厚すぎると、前述したように反射率
および変調度が低くなってしまう。
【００３２】記録材料のラマン分光分析 以下、ラマン分光分析の原理の概略を説明する。
【００３３】試料にレーザー光などの単色光を照射した
ときの散乱光には、入射光と同じ振動数ν0 の光以外
に、振動数ν0 ±νi の光が含まれる。入射光と同じ振
動数の散乱光は、レイリー散乱によるものであり、異な
る振動数の散乱光はラマン効果によるものである。ラマ
ン効果は、光子のエネルギーの一部が試料物質に吸収さ
れるか、試料物質のエネルギーが光子に加わって生じる
ものであり、このエネルギーは、原子または分子の回
転、振動準位等の情報を含む。ラマン効果による散乱光
のスペクトルをラマンスペクトルという。振動数ν0 −
νi のラマン線をストークス線、振動数ν0 ＋νi のラ
マン線を反ストークス線と呼び、一般に、反ストークス
線よりもストークス線のほうが強度が大きくなる。ラマ
ンスペクトルの横軸は、ラマン散乱光の振動数と入射光
の振動数との差νi を波数に換算して表したものであ
り、ラマンシフトと呼ばれる。
ときの散乱光には、入射光と同じ振動数ν0 の光以外
に、振動数ν0 ±νi の光が含まれる。入射光と同じ振
動数の散乱光は、レイリー散乱によるものであり、異な
る振動数の散乱光はラマン効果によるものである。ラマ
ン効果は、光子のエネルギーの一部が試料物質に吸収さ
れるか、試料物質のエネルギーが光子に加わって生じる
ものであり、このエネルギーは、原子または分子の回
転、振動準位等の情報を含む。ラマン効果による散乱光
のスペクトルをラマンスペクトルという。振動数ν0 −
νi のラマン線をストークス線、振動数ν0 ＋νi のラ
マン線を反ストークス線と呼び、一般に、反ストークス
線よりもストークス線のほうが強度が大きくなる。ラマ
ンスペクトルの横軸は、ラマン散乱光の振動数と入射光
の振動数との差νi を波数に換算して表したものであ
り、ラマンシフトと呼ばれる。
【００３４】ラマン散乱は、量子力学的には２光子過程
を含むため、ラマン散乱光は入射光に比較して一般に非
常に弱く、測定が極めて困難である。このため、ラマン
分光分析は、これまで相変化記録材料にはほとんど適用
されなかった。ただし、特開平７−１４１６９３号公報
には、ＧｅおよびＴｅを含む合金からなる相変化記録材
料、具体的にはＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｎＴｅ、ＧｅＩｎ
Ｔｅのラマン分光分析の結果が記載されている。しか
し、同公報記載の相変化記録材料は、高速に記録を行っ
たときの消去率が悪く、ジッターも大きい。このため、
本発明者らは上記したＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金に
着目し、ラマン分光分析により得られる知見に基づい
て、より高性能化を目指した。
を含むため、ラマン散乱光は入射光に比較して一般に非
常に弱く、測定が極めて困難である。このため、ラマン
分光分析は、これまで相変化記録材料にはほとんど適用
されなかった。ただし、特開平７−１４１６９３号公報
には、ＧｅおよびＴｅを含む合金からなる相変化記録材
料、具体的にはＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｎＴｅ、ＧｅＩｎ
Ｔｅのラマン分光分析の結果が記載されている。しか
し、同公報記載の相変化記録材料は、高速に記録を行っ
たときの消去率が悪く、ジッターも大きい。このため、
本発明者らは上記したＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金に
着目し、ラマン分光分析により得られる知見に基づい
て、より高性能化を目指した。
【００３５】本発明の第１の態様の光記録材料では、図
４に示すように、ラマンスペクトルにおいて、ラマンシ
フトが１１３〜１１７cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−
１とラマンシフトが１２３〜１２７cm-1の範囲にある散
乱ピークＩ−２とが存在する。
４に示すように、ラマンスペクトルにおいて、ラマンシ
フトが１１３〜１１７cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−
１とラマンシフトが１２３〜１２７cm-1の範囲にある散
乱ピークＩ−２とが存在する。
【００３６】図４には、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｖ系
組成の薄膜のラマンスペクトルのほか、参照用のラマン
スペクトルとして、Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｓｂ、Ｓ
ｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅの各組成のものが示してある。本
発明者らは、これらのほかにも各種組成の薄膜について
ラマン分光分析を行い、本発明のＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓ
ｂ系組成における散乱ピークの同定を行った。その結
果、散乱ピークＩ−１はＳｂ2 Ｔｅ3 に由来するもので
あり、散乱ピークＩ−２はＡｇＳｂＴｅ2 に由来するも
のであることがわかった。
組成の薄膜のラマンスペクトルのほか、参照用のラマン
スペクトルとして、Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｓｂ、Ｓ
ｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅの各組成のものが示してある。本
発明者らは、これらのほかにも各種組成の薄膜について
ラマン分光分析を行い、本発明のＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓ
ｂ系組成における散乱ピークの同定を行った。その結
果、散乱ピークＩ−１はＳｂ2 Ｔｅ3 に由来するもので
あり、散乱ピークＩ−２はＡｇＳｂＴｅ2 に由来するも
のであることがわかった。
【００３７】第１の態様では、散乱ピークＩ−２の半値
幅を、散乱ピークＩ−１のそれよりも大きいものとす
る。上記組成を有し、かつラマンスペクトルがこのよう
なものである光記録材料を用いたとき、記録感度が高
く、変調度が高い光記録媒体が実現する。これらの散乱
ピークにおいて、半値幅の大小関係が逆になると、記録
感度および変調度が低くなってしまう。散乱ピークＩ−
２の半値幅は、散乱ピークＩ−１の半値幅の１．５倍以
上であることが好ましい。なお、半値幅は、ガウス分布
関数を用いて測定データを近似することにより求める。
また、半値幅を求める際には、波数２００cm-1以上にお
けるスペクトルの強度をベースラインとして考える。
幅を、散乱ピークＩ−１のそれよりも大きいものとす
る。上記組成を有し、かつラマンスペクトルがこのよう
なものである光記録材料を用いたとき、記録感度が高
く、変調度が高い光記録媒体が実現する。これらの散乱
ピークにおいて、半値幅の大小関係が逆になると、記録
感度および変調度が低くなってしまう。散乱ピークＩ−
２の半値幅は、散乱ピークＩ−１の半値幅の１．５倍以
上であることが好ましい。なお、半値幅は、ガウス分布
関数を用いて測定データを近似することにより求める。
また、半値幅を求める際には、波数２００cm-1以上にお
けるスペクトルの強度をベースラインとして考える。
【００３８】第１の態様では、上記２つの散乱ピーク以
外にも、通常、図４に示されるような散乱ピークが現れ
る。図４の各散乱ピークには、それぞれに関係する原
子、分子ないし化合物の名称を付記してある。
外にも、通常、図４に示されるような散乱ピークが現れ
る。図４の各散乱ピークには、それぞれに関係する原
子、分子ないし化合物の名称を付記してある。
【００３９】これらの散乱ピークのうち、１７０〜１８
５cm-1に存在する散乱ピークＩ−３は、ＡｇＩｎＴｅ2
に由来する散乱ピークと考えられる。この散乱ピークＩ
−３の強度は、散乱ピークＩ−１の強度および散乱ピー
クＩ−２の強度のいずれに対しても０．２５倍以下であ
ることが好ましい。散乱ピークＩ−３の強度が大きすぎ
ると、書き換え耐久性が著しく低くなってしまう。
５cm-1に存在する散乱ピークＩ−３は、ＡｇＩｎＴｅ2
に由来する散乱ピークと考えられる。この散乱ピークＩ
−３の強度は、散乱ピークＩ−１の強度および散乱ピー
クＩ−２の強度のいずれに対しても０．２５倍以下であ
ることが好ましい。散乱ピークＩ−３の強度が大きすぎ
ると、書き換え耐久性が著しく低くなってしまう。
【００４０】本発明の第２の態様の光記録材料では、図
５に示すように、ラマンスペクトルにおいて、ラマンシ
フトが１０５〜１２５cm-1の範囲にある散乱ピークII−
１と、ラマンシフトが１４０〜１６０cm-1の範囲にある
散乱ピークII−２とが存在する。この態様のラマンスペ
クトルでは、主要な散乱ピークが実質的にこれら２つだ
けであることが好ましい。ただし、図５に示すように、
散乱ピークII−１より５cm-1程度低周波側に、第３の散
乱ピークが認められることがある。
５に示すように、ラマンスペクトルにおいて、ラマンシ
フトが１０５〜１２５cm-1の範囲にある散乱ピークII−
１と、ラマンシフトが１４０〜１６０cm-1の範囲にある
散乱ピークII−２とが存在する。この態様のラマンスペ
クトルでは、主要な散乱ピークが実質的にこれら２つだ
けであることが好ましい。ただし、図５に示すように、
散乱ピークII−１より５cm-1程度低周波側に、第３の散
乱ピークが認められることがある。
【００４１】図５には、図４と同様に参照用のラマンス
ペクトルが示してある。散乱ピークII−１と散乱ピーク
II−２とは、図５に参照用として示すＳｂ結晶の２つの
散乱ピークに相当するものであり、Ｓｂ−Ｓｂに由来す
る散乱ピークである。また、散乱ピークII−１に隣接す
る第３の散乱ピークは、Ａｇ3 Ｓｂに由来するピークで
ある。この第３の散乱ピークが認められる場合、その強
度は散乱ピークII−１と同程度である。１０５〜１２５
cm-1の範囲に、強度が同程度の２つの散乱ピークが認め
られる場合には、より高周波側に存在する散乱ピーク
が、上記した散乱ピークII−１である。
ペクトルが示してある。散乱ピークII−１と散乱ピーク
II−２とは、図５に参照用として示すＳｂ結晶の２つの
散乱ピークに相当するものであり、Ｓｂ−Ｓｂに由来す
る散乱ピークである。また、散乱ピークII−１に隣接す
る第３の散乱ピークは、Ａｇ3 Ｓｂに由来するピークで
ある。この第３の散乱ピークが認められる場合、その強
度は散乱ピークII−１と同程度である。１０５〜１２５
cm-1の範囲に、強度が同程度の２つの散乱ピークが認め
られる場合には、より高周波側に存在する散乱ピーク
が、上記した散乱ピークII−１である。
【００４２】第２の態様では、散乱ピークII−１の強度
が散乱ピークII−２の強度よりも大きい。上記組成を有
し、かつラマンスペクトルがこのようなものである光記
録材料を用いたとき、初期化直後から、書き換えの際の
反射率変化が安定したものとなる。散乱ピークII−１の
強度は、散乱ピークII−２の強度の１．３倍以上である
ことが好ましい。なお、散乱ピークの強度を測定する際
には、波数２００cm-1以上におけるスペクトルの強度を
ベースラインとして考える。
が散乱ピークII−２の強度よりも大きい。上記組成を有
し、かつラマンスペクトルがこのようなものである光記
録材料を用いたとき、初期化直後から、書き換えの際の
反射率変化が安定したものとなる。散乱ピークII−１の
強度は、散乱ピークII−２の強度の１．３倍以上である
ことが好ましい。なお、散乱ピークの強度を測定する際
には、波数２００cm-1以上におけるスペクトルの強度を
ベースラインとして考える。
【００４３】参照用のＳｂ結晶の散乱ピークは、高周波
側のもの（II−２に相当）のほうが低周波側のもの（II
−１に相当）よりも強度が大きくなっているが、本発明
の光記録材料では、この大小関係が逆転している。これ
は、本発明の光記録材料ではＳｂが他の原子の影響を受
けているためと考えられ、このことは第２の態様の特徴
である。
側のもの（II−２に相当）のほうが低周波側のもの（II
−１に相当）よりも強度が大きくなっているが、本発明
の光記録材料では、この大小関係が逆転している。これ
は、本発明の光記録材料ではＳｂが他の原子の影響を受
けているためと考えられ、このことは第２の態様の特徴
である。
【００４４】第２の態様では、上記元素Ｍの１種である
Ｖの添加により、散乱ピークII−１が高周波側に移動
し、Ｖの添加量が多くなるほど移動量が大きくなる現象
がみられる。
Ｖの添加により、散乱ピークII−１が高周波側に移動
し、Ｖの添加量が多くなるほど移動量が大きくなる現象
がみられる。
【００４５】記録層の形成方法
【００４６】本発明では、まず、気相成長法、好ましく
はスパッタ法により上記組成の光記録材料からなる記録
層を形成する。この記録層は上述したように非晶質であ
るため、初期化（結晶化）のための熱処理を施す。上記
したラマンスペクトルは、初期化のための熱処理後のも
のであり、本発明では、上記したラマンスペクトルを得
られるような条件で初期化のための熱処理を施す。スパ
ッタは、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で行う。また、初
期化のための熱処理は、フラッシュ光照射や全体加熱に
より行えばよいが、レーザー光照射により行うこともで
きる。
はスパッタ法により上記組成の光記録材料からなる記録
層を形成する。この記録層は上述したように非晶質であ
るため、初期化（結晶化）のための熱処理を施す。上記
したラマンスペクトルは、初期化のための熱処理後のも
のであり、本発明では、上記したラマンスペクトルを得
られるような条件で初期化のための熱処理を施す。スパ
ッタは、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で行う。また、初
期化のための熱処理は、フラッシュ光照射や全体加熱に
より行えばよいが、レーザー光照射により行うこともで
きる。
【００４７】書き換え 本発明の光記録媒体に対する書き換えは、前述した従来
の相変化型光記録媒体と同様に行われる。記録パワー
は、パルス状に加えてもよい。一つの信号を少なくとも
２回の照射で記録することにより記録マークでの蓄熱が
抑制され、記録マーク後端部の膨れ（ティアドロップ現
象）を抑えることができるので、Ｃ／Ｎが向上する。ま
た、パルス状照射により消去率も向上する。記録パワー
および消去パワーの具体的値は、実験的に決定すること
ができる。なお、再生用レーザー光には、記録層の結晶
状態に影響を与えない低パワーのものを用いる。
の相変化型光記録媒体と同様に行われる。記録パワー
は、パルス状に加えてもよい。一つの信号を少なくとも
２回の照射で記録することにより記録マークでの蓄熱が
抑制され、記録マーク後端部の膨れ（ティアドロップ現
象）を抑えることができるので、Ｃ／Ｎが向上する。ま
た、パルス状照射により消去率も向上する。記録パワー
および消去パワーの具体的値は、実験的に決定すること
ができる。なお、再生用レーザー光には、記録層の結晶
状態に影響を与えない低パワーのものを用いる。
【００４８】本発明の光記録媒体への記録に際し、レー
ザー光に対する記録層の線速度は、通常、０．８〜２０
m/s 程度、好ましくは１．２〜１６m/s である。
ザー光に対する記録層の線速度は、通常、０．８〜２０
m/s 程度、好ましくは１．２〜１６m/s である。
【００４９】本発明の光記録媒体は、書き換えおよび再
生に用いる光を、広い波長域、例えば１００〜５０００
nmの範囲から自在に選択できる。
生に用いる光を、広い波長域、例えば１００〜５０００
nmの範囲から自在に選択できる。
【００５０】媒体構造 本発明の光記録媒体の具体的な構成例を図１に示す。同
図において光記録媒体１は、基板２上に下部誘電体層
３、記録層４、上部誘電体層５、反射層６および保護層
７を有する。
図において光記録媒体１は、基板２上に下部誘電体層
３、記録層４、上部誘電体層５、反射層６および保護層
７を有する。
【００５１】この構成の光記録媒体では基板２を通して
記録層４に光ビームが照射されるので、基板２は、用い
る光ビームに対して実質的に透明である材質、例えば、
樹脂やガラスなどから構成されることが好ましい。樹脂
としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ
樹脂、ポリオレフィン等を用いればよい。基板の形状お
よび寸法は特に限定されないが、通常、ディスク状と
し、厚さは０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程
度とする。基板の表面には、トラッキング用やアドレス
用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要に応
じて設けられる。
記録層４に光ビームが照射されるので、基板２は、用い
る光ビームに対して実質的に透明である材質、例えば、
樹脂やガラスなどから構成されることが好ましい。樹脂
としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ
樹脂、ポリオレフィン等を用いればよい。基板の形状お
よび寸法は特に限定されないが、通常、ディスク状と
し、厚さは０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程
度とする。基板の表面には、トラッキング用やアドレス
用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要に応
じて設けられる。
【００５２】下部誘電体層３は、記録層の酸化を防ぎ、
また、記録時に記録層から基板に伝わる熱を遮断して基
板を保護する。上部誘電体層５は、記録層を保護すると
共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により放出す
るために設けられる。また、両誘電体層を設けることに
より、変調度を向上させることができる。各誘電体層に
用いる誘電体は特に限定されず、例えば、ＳｉＯ2 等の
酸化ケイ素やＳｉ3 Ｎ4 等の窒化ケイ素、ＺｎＳ等の硫
化亜鉛、あるいはこれらの混合物など、透明な各種セラ
ミックスを用いればよく、また、各種ガラスなどを用い
てもよい。また、例えば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含
有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有す
る所謂SiAlON、あるいはＹを含有するSiAlON等も好まし
く用いることができる。これらの中では、例えば波長４
００〜８５０nmの範囲での屈折率が１．４以上であるも
のが好ましく、特に屈折率が１．８以上であるものが好
ましい。なお、上記波長範囲は、現在のＣＤプレーヤの
使用波長である７８０nmや、次世代の記録波長として実
用化が進められている６３０〜６８０nmを含むものであ
り、本発明の光記録媒体に対し好ましく使用される波長
範囲である。使用する誘電体材料は、具体的にはＳｉ3
Ｎ4 、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物、ＺｎＳとＳｉ3 Ｎ
4 との混合物、ＺｎＳとＴａ2 Ｏ5 との混合物などが好
ましい。下部誘電体層３の厚さは、好ましくは５００〜
３０００ A、より好ましくは１０００〜２５００ Aとす
る。下部誘電体層をこのような厚さとすることにより、
記録に際しての基板損傷を効果的に防ぐことができ、し
かも変調度も高くなる。上部誘電体層５の厚さは、好ま
しくは１００〜３００ A、より好ましくは１５０〜２０
０ Aとする。上部誘電体層をこのような厚さとすること
により冷却速度が速くなるので、記録マークのエッジが
明瞭となってジッターが低くなる。また、このような厚
さとすることにより、変調度を高くすることができる。
また、記録時に記録層から基板に伝わる熱を遮断して基
板を保護する。上部誘電体層５は、記録層を保護すると
共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により放出す
るために設けられる。また、両誘電体層を設けることに
より、変調度を向上させることができる。各誘電体層に
用いる誘電体は特に限定されず、例えば、ＳｉＯ2 等の
酸化ケイ素やＳｉ3 Ｎ4 等の窒化ケイ素、ＺｎＳ等の硫
化亜鉛、あるいはこれらの混合物など、透明な各種セラ
ミックスを用いればよく、また、各種ガラスなどを用い
てもよい。また、例えば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含
有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有す
る所謂SiAlON、あるいはＹを含有するSiAlON等も好まし
く用いることができる。これらの中では、例えば波長４
００〜８５０nmの範囲での屈折率が１．４以上であるも
のが好ましく、特に屈折率が１．８以上であるものが好
ましい。なお、上記波長範囲は、現在のＣＤプレーヤの
使用波長である７８０nmや、次世代の記録波長として実
用化が進められている６３０〜６８０nmを含むものであ
り、本発明の光記録媒体に対し好ましく使用される波長
範囲である。使用する誘電体材料は、具体的にはＳｉ3
Ｎ4 、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物、ＺｎＳとＳｉ3 Ｎ
4 との混合物、ＺｎＳとＴａ2 Ｏ5 との混合物などが好
ましい。下部誘電体層３の厚さは、好ましくは５００〜
３０００ A、より好ましくは１０００〜２５００ Aとす
る。下部誘電体層をこのような厚さとすることにより、
記録に際しての基板損傷を効果的に防ぐことができ、し
かも変調度も高くなる。上部誘電体層５の厚さは、好ま
しくは１００〜３００ A、より好ましくは１５０〜２０
０ Aとする。上部誘電体層をこのような厚さとすること
により冷却速度が速くなるので、記録マークのエッジが
明瞭となってジッターが低くなる。また、このような厚
さとすることにより、変調度を高くすることができる。
【００５３】なお、例えば後述するように、下部誘電体
層３および／または上部誘電体層５を、組成の異なる２
層以上の誘電体層から構成してもよい。
層３および／または上部誘電体層５を、組成の異なる２
層以上の誘電体層から構成してもよい。
【００５４】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。
相成長法により形成することが好ましい。
【００５５】反射層６の材質は特に限定されないが、通
常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこ
れらの１種以上を含む合金などの高反射率金属から構成
すればよい。反射層の厚さは、３００〜２０００ Aとす
ることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分な
反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反射
率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層は、
スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成すること
が好ましい。
常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこ
れらの１種以上を含む合金などの高反射率金属から構成
すればよい。反射層の厚さは、３００〜２０００ Aとす
ることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分な
反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反射
率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層は、
スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成すること
が好ましい。
【００５６】保護層７は、耐擦傷性や耐食性の向上のた
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm 程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm 程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
【００５７】媒体からの反射率を高くするためには、下
部誘電体層が屈折率の相異なる２層の誘電体層からなる
積層体を少なくとも１つ含み、前記積層体において屈折
率のより高い誘電体層が基板側に存在する構成とするこ
とが好ましい。この構成における好ましい例を図２に示
す。図２において光記録媒体１は、基板２上に高屈折率
層３１、低屈折率層３２、記録層４、上部誘電体層５、
反射層６および保護層７を有する。この構成では、高屈
折率層３１および低屈折率層３２が上記積層体となる。
部誘電体層が屈折率の相異なる２層の誘電体層からなる
積層体を少なくとも１つ含み、前記積層体において屈折
率のより高い誘電体層が基板側に存在する構成とするこ
とが好ましい。この構成における好ましい例を図２に示
す。図２において光記録媒体１は、基板２上に高屈折率
層３１、低屈折率層３２、記録層４、上部誘電体層５、
反射層６および保護層７を有する。この構成では、高屈
折率層３１および低屈折率層３２が上記積層体となる。
【００５８】高屈折率層３１を構成する誘電体材料は、
上記した誘電体材料のうち比較的高屈折率のもの、例え
ば、波長４００〜８５０nmでの屈折率が２以上であるも
のが好ましい。
上記した誘電体材料のうち比較的高屈折率のもの、例え
ば、波長４００〜８５０nmでの屈折率が２以上であるも
のが好ましい。
【００５９】低屈折率層３２を構成する誘電体材料は、
比較的低屈折率のもの、例えば、波長４００〜８５０nm
での屈折率が２未満のものが好ましい。このような誘電
体材料としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ｌｉ
Ｆ2 やこれらの混合物などが好ましい。なお、このよう
な積層体を２以上重ねればさらに反射率が向上するが、
積層体数が多すぎると変調度の低下が著しくなるため、
積層体の数は１〜２とすることが好ましい。
比較的低屈折率のもの、例えば、波長４００〜８５０nm
での屈折率が２未満のものが好ましい。このような誘電
体材料としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ｌｉ
Ｆ2 やこれらの混合物などが好ましい。なお、このよう
な積層体を２以上重ねればさらに反射率が向上するが、
積層体数が多すぎると変調度の低下が著しくなるため、
積層体の数は１〜２とすることが好ましい。
【００６０】高屈折率層３１の厚さは５００〜１５００
Aとすることが好ましく、低屈折率層３２の厚さは３０
０〜１５００ Aとすることが好ましい。また、積層体を
２つ設ける場合には、基板側の積層体では、高屈折率層
が好ましくは７５０〜９００A、より好ましくは８００
〜８５０ A、低屈折率層が好ましくは４００〜５００A
であり、記録層側の積層体では、高屈折率層が好ましく
は７５０〜９００ A、より好ましくは８００〜８５０
A、低屈折率層が好ましくは１０００〜１４００A、より
好ましくは１２００〜１３００ Aである。
Aとすることが好ましく、低屈折率層３２の厚さは３０
０〜１５００ Aとすることが好ましい。また、積層体を
２つ設ける場合には、基板側の積層体では、高屈折率層
が好ましくは７５０〜９００A、より好ましくは８００
〜８５０ A、低屈折率層が好ましくは４００〜５００A
であり、記録層側の積層体では、高屈折率層が好ましく
は７５０〜９００ A、より好ましくは８００〜８５０
A、低屈折率層が好ましくは１０００〜１４００A、より
好ましくは１２００〜１３００ Aである。
【００６１】基板２、記録層４、上部誘電体層５、反射
層６および保護層７については、図１に示す構成例と同
様である。
層６および保護層７については、図１に示す構成例と同
様である。
【００６２】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００６３】実施例１（第１の態様） ガラス基板上に、厚さ５００nmの光記録材料からなる試
料薄膜１をスパッタ法により形成した。ターゲットに
は、Ｓｂターゲット上にＩｎ、Ａｇ、Ｔｅ、Ｖの各チッ
プを貼り付けたものを用いた。試料薄膜１の組成（原子
比）をＩＣＰにより測定したところ、 Ｉｎ4．44Ａｇ6．19Ｔｅ27．98Ｓｂ60．42Ｖ0．96 であった。なお、この組成は、 式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓｂc ｝1-d Ｍ
d において ａ＝０．１１、 ｂ＝０．１６、 ｃ＝０．６１、 ｄ＝０．０１ に相当するものである。
料薄膜１をスパッタ法により形成した。ターゲットに
は、Ｓｂターゲット上にＩｎ、Ａｇ、Ｔｅ、Ｖの各チッ
プを貼り付けたものを用いた。試料薄膜１の組成（原子
比）をＩＣＰにより測定したところ、 Ｉｎ4．44Ａｇ6．19Ｔｅ27．98Ｓｂ60．42Ｖ0．96 であった。なお、この組成は、 式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓｂc ｝1-d Ｍ
d において ａ＝０．１１、 ｂ＝０．１６、 ｃ＝０．６１、 ｄ＝０．０１ に相当するものである。
【００６４】次に、試料薄膜１に、窒素雰囲気中におい
て２５０℃で３０分間熱処理を施した。
て２５０℃で３０分間熱処理を施した。
【００６５】熱処理後の試料薄膜１の結晶状態を電子線
回折により調べたところ、Ｓｂ微細結晶とＡｇＳｂＴｅ
2 の微細結晶との存在が確認された。電子線回折像を図
３に示す。
回折により調べたところ、Ｓｂ微細結晶とＡｇＳｂＴｅ
2 の微細結晶との存在が確認された。電子線回折像を図
３に示す。
【００６６】熱処理後の試料薄膜１について、波長５１
４．５nmのアルゴンレーザー（出力２０mW）を用いて、
ラマン分光分析を行った。ラマンスペクトルを図４に示
す。
４．５nmのアルゴンレーザー（出力２０mW）を用いて、
ラマン分光分析を行った。ラマンスペクトルを図４に示
す。
【００６７】なお、図４には、散乱ピークの同定のため
に、Ａｇ、ＳｂおよびＴｅの少なくとも１種からなる参
照薄膜のラマンスペクトルも併記してある。これらの参
照薄膜は、試料薄膜１とほぼ同条件でスパッタ法により
形成し、形成後の熱処理も同条件で行った。
に、Ａｇ、ＳｂおよびＴｅの少なくとも１種からなる参
照薄膜のラマンスペクトルも併記してある。これらの参
照薄膜は、試料薄膜１とほぼ同条件でスパッタ法により
形成し、形成後の熱処理も同条件で行った。
【００６８】図４には、１１５cm-1付近に散乱ピークＩ
−１が、１２５cm-1付近に散乱ピークＩ−２が認められ
る。そして、散乱ピークＩ−２の半値幅（約４５cm-1）
は、散乱ピークＩ−１の半値幅（約２０cm-1）の２倍を
超えている。また、１７７cm-1付近にある散乱ピークＩ
−３の強度は、散乱ピークＩ−１および散乱ピークＩ−
２の強度の０．２５倍以下となっている。
−１が、１２５cm-1付近に散乱ピークＩ−２が認められ
る。そして、散乱ピークＩ−２の半値幅（約４５cm-1）
は、散乱ピークＩ−１の半値幅（約２０cm-1）の２倍を
超えている。また、１７７cm-1付近にある散乱ピークＩ
−３の強度は、散乱ピークＩ−１および散乱ピークＩ−
２の強度の０．２５倍以下となっている。
【００６９】実施例２（第２の態様） 薄膜の組成を Ｉｎ5.52Ａｇ7.48Ｔｅ23.29Ｓｂ61.71Ｖ2.00 としたほかは実施例１と同様にして、試料薄膜２を形成
した。この組成は、 式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓｂc ｝1-d Ｍ
d において ａ＝０．１５、 ｂ＝０．２１、 ｃ＝０．６３、 ｄ＝０．０２ に相当するものである。
した。この組成は、 式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓｂc ｝1-d Ｍ
d において ａ＝０．１５、 ｂ＝０．２１、 ｃ＝０．６３、 ｄ＝０．０２ に相当するものである。
【００７０】次に、試料薄膜２に、実施例１と同様にし
て２５０℃で熱処理を施したが、処理時間は実施例１の
２倍の１時間とし、また、熱処理はＡｒ雰囲気中で行っ
た。
て２５０℃で熱処理を施したが、処理時間は実施例１の
２倍の１時間とし、また、熱処理はＡｒ雰囲気中で行っ
た。
【００７１】熱処理後の試料薄膜２の結晶状態を電子線
回折により調べたところ、Ｓｂ微細結晶とＡｇＳｂＴｅ
2 の微細結晶との存在が確認された。そして、試料薄膜
１に比べ結晶化が進んでいることがわかった。
回折により調べたところ、Ｓｂ微細結晶とＡｇＳｂＴｅ
2 の微細結晶との存在が確認された。そして、試料薄膜
１に比べ結晶化が進んでいることがわかった。
【００７２】試料薄膜２について、実施例１と同様にし
てラマン分光分析を行った。試料薄膜２のラマンスペク
トルを図５に示す。また、散乱ピークの同定のために、
図４に示す参照薄膜と同様にして作製した参照薄膜につ
いても、ラマンスペクトルを示した。
てラマン分光分析を行った。試料薄膜２のラマンスペク
トルを図５に示す。また、散乱ピークの同定のために、
図４に示す参照薄膜と同様にして作製した参照薄膜につ
いても、ラマンスペクトルを示した。
【００７３】図５には、１１４cm-1付近に散乱ピークII
−１が、１４７cm-1付近に散乱ピークII−２が認められ
る。そして、散乱ピークII−１の強度は、散乱ピークII
−２の強度の約２倍となっている。
−１が、１４７cm-1付近に散乱ピークII−２が認められ
る。そして、散乱ピークII−１の強度は、散乱ピークII
−２の強度の約２倍となっている。
【００７４】実施例３ Ｖ含有量の異なる光記録材料からなる試料薄膜を作製
し、これらに実施例２と同じ条件で熱処理を施した後、
ラマン分光分析を行った。これらの試料薄膜のラマンス
ペクトルを図６に示す。なお、各薄膜の組成は、図６に
示してある。
し、これらに実施例２と同じ条件で熱処理を施した後、
ラマン分光分析を行った。これらの試料薄膜のラマンス
ペクトルを図６に示す。なお、各薄膜の組成は、図６に
示してある。
【００７５】図６から、波数１１５cm-1付近に存在する
散乱ピークII-１が、Ｖ含有量の増大に伴って高周波側
に移動していることがわかる。
散乱ピークII-１が、Ｖ含有量の増大に伴って高周波側
に移動していることがわかる。
【００７６】実施例４ ディスク状ガラス基板（直径１２０mm、厚さ０．６mm）
２の表面に、フォトレジストを用いて２Ｐ法によりグル
ーブを形成した。この上に、下部誘電体層３、記録層
４、上部誘電体層５、反射層６および保護層７を形成
し、図１の構成を有する光記録ディスクとした。グルー
ブは、幅０．７４μm 、深さ６５０A 、ピッチ１．４８
μm とした。
２の表面に、フォトレジストを用いて２Ｐ法によりグル
ーブを形成した。この上に、下部誘電体層３、記録層
４、上部誘電体層５、反射層６および保護層７を形成
し、図１の構成を有する光記録ディスクとした。グルー
ブは、幅０．７４μm 、深さ６５０A 、ピッチ１．４８
μm とした。
【００７７】下部誘電体層３は、ＺｎＳおよびＳｉＯ2
をターゲットとしてスパッタ法により形成した。ＳｉＯ
2 ／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）は１５モル％とした。下部誘
電体層の波長７８０nmにおける屈折率は、２．３３であ
った。下部誘電体層３の厚さは２０００ Aとした。
をターゲットとしてスパッタ法により形成した。ＳｉＯ
2 ／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）は１５モル％とした。下部誘
電体層の波長７８０nmにおける屈折率は、２．３３であ
った。下部誘電体層３の厚さは２０００ Aとした。
【００７８】次に、実施例１と同様にして光記録材料の
薄膜を形成し、記録層とした。
薄膜を形成し、記録層とした。
【００７９】上部誘電体層５は、下部誘電体層３と同様
にして形成した。上部誘電体層５の厚さは２００ Aとし
た。
にして形成した。上部誘電体層５の厚さは２００ Aとし
た。
【００８０】反射層６はＡｕをターゲットに用いてスパ
ッタ法により形成し、厚さは１５００A とした。保護層
７は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布
後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保護
層厚さは５μm であった。
ッタ法により形成し、厚さは１５００A とした。保護層
７は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布
後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保護
層厚さは５μm であった。
【００８１】このようにして作製した相変化型光記録デ
ィスクを、サンプル１とした。また、光記録材料の薄膜
を実施例２と同様にして形成して記録層としたほかはサ
ンプル１と同様にして、サンプル２を作製した。
ィスクを、サンプル１とした。また、光記録材料の薄膜
を実施例２と同様にして形成して記録層としたほかはサ
ンプル１と同様にして、サンプル２を作製した。
【００８２】次に、各サンプルに初期化処理を施した。
初期化処理の条件は、サンプル１では実施例１の熱処理
と同様に２５０℃で３０分間とし、サンプル２では実施
例２の熱処理と同様に２５０℃で１時間とした。
初期化処理の条件は、サンプル１では実施例１の熱処理
と同様に２５０℃で３０分間とし、サンプル２では実施
例２の熱処理と同様に２５０℃で１時間とした。
【００８３】初期化処理後の反射率は、サンプル１では
２３％、サンプル２では２５％であり、両者とも高い反
射率が得られていた。記録感度はサンプル１のほうがや
や高いことになる。なお、本明細書の実施例における反
射率は基板側から測定した値であり、測定波長は６８０
nmである。
２３％、サンプル２では２５％であり、両者とも高い反
射率が得られていた。記録感度はサンプル１のほうがや
や高いことになる。なお、本明細書の実施例における反
射率は基板側から測定した値であり、測定波長は６８０
nmである。
【００８４】各サンプルの書き換え可能な最適線速度を
測定したところ、サンプル１では５．５m/s であり、サ
ンプル２では６．０m/s であった。なお、本明細書で
は、オーバーライトの際に消去率が−２５ dB 以下とな
る線速度を書き換え可能な線速度とし、消去率が最も良
好となる線速度を書き換え可能な最適線速度と定義す
る。なお、書き換え可能な最適線速度は、書き換えを１
０回行った時点で測定した。
測定したところ、サンプル１では５．５m/s であり、サ
ンプル２では６．０m/s であった。なお、本明細書で
は、オーバーライトの際に消去率が−２５ dB 以下とな
る線速度を書き換え可能な線速度とし、消去率が最も良
好となる線速度を書き換え可能な最適線速度と定義す
る。なお、書き換え可能な最適線速度は、書き換えを１
０回行った時点で測定した。
【００８５】次に、両サンプルについて、記録消去特性
の比較を行った。
の比較を行った。
【００８６】初期化処理直後の各サンプルを、それぞれ
の書き換え可能な最適線速度で回転させながら、記録パ
ワー１０mW、消去パワー５mWで１−７変調の信号を記録
した。この結果、サンプル１の変調度は５５％であり、
サンプル２の変調度は６１％であり、いずれも十分に高
いものであった。
の書き換え可能な最適線速度で回転させながら、記録パ
ワー１０mW、消去パワー５mWで１−７変調の信号を記録
した。この結果、サンプル１の変調度は５５％であり、
サンプル２の変調度は６１％であり、いずれも十分に高
いものであった。
【００８７】各サンプルに対し書き換えを繰り返し行っ
たところ、サンプル１の消去率は書き換え回数３回目ま
で安定しなかった。具体的には、初回の消去率が−２１
dBであり、安定したときの消去率が−３１dBであった。
一方、サンプル２では初回から消去率が−３３dBと安定
していた。これら両サンプルの消去率は、書き換え約１
０，０００回まで安定していた。
たところ、サンプル１の消去率は書き換え回数３回目ま
で安定しなかった。具体的には、初回の消去率が−２１
dBであり、安定したときの消去率が−３１dBであった。
一方、サンプル２では初回から消去率が−３３dBと安定
していた。これら両サンプルの消去率は、書き換え約１
０，０００回まで安定していた。
【００８８】以上の各実施例の結果から、本発明の効果
が明らかである。
が明らかである。
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図２】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図３】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
の光記録材料の薄膜の電子線回折像である。
の光記録材料の薄膜の電子線回折像である。
【図４】本発明の光記録材料のラマンスペクトルであ
る。
る。
【図５】本発明の光記録材料のラマンスペクトルであ
る。
る。
【図６】本発明の光記録材料のラマンスペクトルであ
る。
る。
１ 光記録媒体 ２ 基板 ３ 下部誘電体層 ３１ 高屈折率層 ３２ 低屈折率層 ４ 記録層 ５ 上部誘電体層 ６ 反射層 ７ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 真 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓ
ｂc ｝1-d Ｍd （上記式において、Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔ
ａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選択される少
なくとも１種の元素であり、 ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ である）で表される組成（原子比）を有し、ラマンスペ
クトルにおいて、ラマンシフトが１１３〜１１７cm-1の
範囲にある散乱ピークＩ−１と、ラマンシフトが１２３
〜１２７cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−２とが存在
し、前記散乱ピークＩ−２の半値幅が前記散乱ピークＩ
−１の半値幅よりも大きいものである光記録材料。 - 【請求項２】 ラマンスペクトルにおいて、ラマンシフ
トが１７０〜１８５cm-1の範囲にある散乱ピークＩ−３
が存在し、この散乱ピークＩ−３の強度が前記散乱ピー
クＩ−１の強度および前記散乱ピークＩ−２の強度の
０．２５倍以下である請求項１の光記録材料。 - 【請求項３】式 ｛（Ｉｎa Ａｇb Ｔｅ1-a-b ）1-c Ｓ
ｂc ｝1-d Ｍd （上記式において、Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔ
ａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選択される少
なくとも１種の元素であり、 ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ である）で表される組成（原子比）を有し、ラマンスペ
クトルにおいて、ラマンシフトが１０５〜１２５cm-1の
範囲にある散乱ピークII−１と、ラマンシフトが１４０
〜１６０cm-1の範囲にある散乱ピークII−２とが存在
し、散乱ピークII−１の強度が散乱ピークII−２の強度
よりも大きいものである光記録材料。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの光記録材料か
らなる記録層を有する光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8346749A JPH10166738A (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 光記録材料および光記録媒体 |
| US08/982,499 US5891542A (en) | 1996-12-10 | 1997-12-02 | Optical recording material, and optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8346749A JPH10166738A (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 光記録材料および光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10166738A true JPH10166738A (ja) | 1998-06-23 |
Family
ID=18385558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8346749A Pending JPH10166738A (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 光記録材料および光記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5891542A (ja) |
| JP (1) | JPH10166738A (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10326438A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Tdk Corp | 光記録媒体の製造方法および光記録媒体 |
| JP3761287B2 (ja) * | 1997-05-29 | 2006-03-29 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| SG72852A1 (en) * | 1997-08-15 | 2000-05-23 | Ricoh Kk | Optical recording medium and recording and reproducing method using the same |
| US6587427B1 (en) * | 1998-06-01 | 2003-07-01 | Terastor Corporation | Magneto-optical recording medium |
| TW408226B (en) * | 1998-11-11 | 2000-10-11 | Ind Tech Res Inst | Optical composite film |
| JP3725412B2 (ja) * | 1999-11-19 | 2005-12-14 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2003162821A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Tdk Corp | 光記録媒体および光記録方法 |
| US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| US7410910B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-08-12 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films |
| US7776765B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates |
| US7759747B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric |
| US7544604B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
| US7432548B2 (en) * | 2006-08-31 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Silicon lanthanide oxynitride films |
| US7563730B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
| US7605030B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1008845B (zh) * | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
| JPH0194545A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録媒体 |
| JPH07141693A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-06-02 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
-
1996
- 1996-12-10 JP JP8346749A patent/JPH10166738A/ja active Pending
-
1997
- 1997-12-02 US US08/982,499 patent/US5891542A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5891542A (en) | 1999-04-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020521 |