JPH10167996A - トルエンの不均化によるキシレン類の製造方法 - Google Patents
トルエンの不均化によるキシレン類の製造方法Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C6/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a different number of carbon atoms by redistribution reactions
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 トルエンの不均化反応によりトルエン転化率
が高く、キシレン類とくにp−キシレン濃度が高いキシ
レン混合物が得られ、工業的に有利な製造方法を提供す
る。 【解決手段】 触媒としてジグリコールアミン(DG
A)をテンプレートとして用い、水熱合成後の脱水され
た形態で表して、(0.01〜1.0)Na・(0.5〜4.0)RN・
[Al2O3:(10〜50)SiO2] [Naはナトリウムイオン、RNはDGAカチオン]の
化学組成を有し、全重量に対するN分1〜2重量%であ
る結晶性アルミノシリケートゼオライトを焼成したもの
を使用する。このゼオライトに金属酸化物、リン化合
物、シリコン化合物または炭素析出物の1種以上を含有
させた触媒を使用するとトルエン転化率がいっそう高ま
る。反応は温度200〜600℃、圧力1〜50気圧、
液空間速度(LHSV)0.2〜15/h、水素/トル
エンモル比0.5〜10で行なう。
が高く、キシレン類とくにp−キシレン濃度が高いキシ
レン混合物が得られ、工業的に有利な製造方法を提供す
る。 【解決手段】 触媒としてジグリコールアミン(DG
A)をテンプレートとして用い、水熱合成後の脱水され
た形態で表して、(0.01〜1.0)Na・(0.5〜4.0)RN・
[Al2O3:(10〜50)SiO2] [Naはナトリウムイオン、RNはDGAカチオン]の
化学組成を有し、全重量に対するN分1〜2重量%であ
る結晶性アルミノシリケートゼオライトを焼成したもの
を使用する。このゼオライトに金属酸化物、リン化合
物、シリコン化合物または炭素析出物の1種以上を含有
させた触媒を使用するとトルエン転化率がいっそう高ま
る。反応は温度200〜600℃、圧力1〜50気圧、
液空間速度(LHSV)0.2〜15/h、水素/トル
エンモル比0.5〜10で行なう。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、トルエンの不均化反応
によりキシレン類とくにp−キシレンを得るキシレン類
の製造方法に関する。
によりキシレン類とくにp−キシレンを得るキシレン類
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】キシレン類、とくにp−キシレンは、ポ
リエステルの原料であるテレフタル酸またはテレフタル
酸ジメチルエステルへ誘導することができる化合物であ
って、工業的にきわめて有用な原料である。
リエステルの原料であるテレフタル酸またはテレフタル
酸ジメチルエステルへ誘導することができる化合物であ
って、工業的にきわめて有用な原料である。
【0003】従来、p−キシレンは、石油化学誘導品で
ある炭素数8の芳香族炭化水素留分から、分離および異
性化を経て得る方法が知られており、この方法により工
業的に大量に製造されている。
ある炭素数8の芳香族炭化水素留分から、分離および異
性化を経て得る方法が知られており、この方法により工
業的に大量に製造されている。
【0004】一方、p−キシレンのようなジアルキル置
換芳香族炭化水素の製造法として、ZSM−5系の結晶
性アルミノシリケートゼオライトを触媒として用いトル
エンの不均化反応を行ない、p−キシレンを含むキシレ
ン混合物を製造する方法(特開昭50ー96532号公
報)が知られている。 さらにはp−キシレンの選択率
を高めるため、上記の触媒をリン化合物で変性する(ア
メリカ特許第4,016,219号明細書)、リンの酸
化物と酸化マグネシウムで変性する(アメリカ特許第
4,011,276号)、ニッケル置換する(アメリカ
特許第4,097,543号)などの後処理を施して不
均化反応を行なう方法がある。 これらの方法は、原料
トルエンのキシレンへの転化率が比較的高く、また得ら
れる反応混合物に含まれるジアルキルベンゼン中のp−
ジアルキルベンゼンの割合が比較的高い点では優れてい
るが、まだ工業的に満足すべき程度に高いトルエン転化
率とp−キシレン濃度は得られていない。
換芳香族炭化水素の製造法として、ZSM−5系の結晶
性アルミノシリケートゼオライトを触媒として用いトル
エンの不均化反応を行ない、p−キシレンを含むキシレ
ン混合物を製造する方法(特開昭50ー96532号公
報)が知られている。 さらにはp−キシレンの選択率
を高めるため、上記の触媒をリン化合物で変性する(ア
メリカ特許第4,016,219号明細書)、リンの酸
化物と酸化マグネシウムで変性する(アメリカ特許第
4,011,276号)、ニッケル置換する(アメリカ
特許第4,097,543号)などの後処理を施して不
均化反応を行なう方法がある。 これらの方法は、原料
トルエンのキシレンへの転化率が比較的高く、また得ら
れる反応混合物に含まれるジアルキルベンゼン中のp−
ジアルキルベンゼンの割合が比較的高い点では優れてい
るが、まだ工業的に満足すべき程度に高いトルエン転化
率とp−キシレン濃度は得られていない。
【0005】一方、アメリカ特許第5,498,814
号の記載によれば、ZSM−5ゼオライトをポリシラン
等で修飾することによって、かなり高いp−キシレン選
択率が得られるとのことであるが、そのかわりトルエン
転化率が低く、この点は工業的実施にとっては不利であ
る。
号の記載によれば、ZSM−5ゼオライトをポリシラン
等で修飾することによって、かなり高いp−キシレン選
択率が得られるとのことであるが、そのかわりトルエン
転化率が低く、この点は工業的実施にとっては不利であ
る。
【0006】トルエンの不均化によるp−キシレンの合
成においては、反応生成物であるキシレン中のp−キシ
レン濃度ができるだけ高いこと、具体的には90%以
上、できれば95%以上であることが望ましく、かつト
ルエン転化率ができるだけ高いこと、具体的には25%
以上、できれば30%以上であることが望ましい。 こ
の要求を満たせるか否かが、プロセスの工業的価値を大
きく左右する。
成においては、反応生成物であるキシレン中のp−キシ
レン濃度ができるだけ高いこと、具体的には90%以
上、できれば95%以上であることが望ましく、かつト
ルエン転化率ができるだけ高いこと、具体的には25%
以上、できれば30%以上であることが望ましい。 こ
の要求を満たせるか否かが、プロセスの工業的価値を大
きく左右する。
【0007】このようなわけで、トルエン転化率および
p−キシレン濃度がともに工業的に満足すべき程度に高
い値をもってトルエンからp−キシレンを製造すること
ができれば、工業的実施にきわめて有利であることは自
明であり、そのようなキシレン類の製造方法の開発が要
望されている。
p−キシレン濃度がともに工業的に満足すべき程度に高
い値をもってトルエンからp−キシレンを製造すること
ができれば、工業的実施にきわめて有利であることは自
明であり、そのようなキシレン類の製造方法の開発が要
望されている。
【0008】本発明者らは、キシレン類とくにp−キシ
レンの製造方法に関して鋭意研究を重ねた結果、触媒と
して特定の結晶性アルミノシリケート触媒を用いること
により、またとくに一定の反応条件下で反応を行わせる
ことにより、高い割合でキシレン類とくにp−キシレン
を効率よく製造できることを見出した。 この結晶性ア
ルミノシリケート触媒は、出願人がさきに、キシレンま
たはプソイドキュメンからポリアルキルベンゼンを製造
する反応に活性を有することを見出し、開示したもので
ある(特公平7−29949号)。
レンの製造方法に関して鋭意研究を重ねた結果、触媒と
して特定の結晶性アルミノシリケート触媒を用いること
により、またとくに一定の反応条件下で反応を行わせる
ことにより、高い割合でキシレン類とくにp−キシレン
を効率よく製造できることを見出した。 この結晶性ア
ルミノシリケート触媒は、出願人がさきに、キシレンま
たはプソイドキュメンからポリアルキルベンゼンを製造
する反応に活性を有することを見出し、開示したもので
ある(特公平7−29949号)。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、トル
エンの不均化によるキシレン類を製造する方法におい
て、上記の新しい知見を生かして、トルエン転化率が高
く、かつp−キシレン濃度が高いキシレン混合物が得ら
れ、工業的に有利に実施できる方法を提供することにあ
る。
エンの不均化によるキシレン類を製造する方法におい
て、上記の新しい知見を生かして、トルエン転化率が高
く、かつp−キシレン濃度が高いキシレン混合物が得ら
れ、工業的に有利に実施できる方法を提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する本
発明のトルエンの不均化によるキシレン類の製造方法
は、トルエンの不均化反応により、キシレン類とくにp
−キシレンを製造する方法において、触媒として、ジグ
リコールアミンをテンプレートとして用い、水熱合成後
の脱水された形態で表して、式 (0.01〜1.0)Na・(0.5〜4.0)RN・[Al2O3:(10〜
50)SiO2] [上記式中、Naはナトリウムイオン、RNはジグリコ
ールアミンカチオン]の化学組成を有し、かつ全重量に
対する窒素含有量が1〜2重量%である結晶性アルミノ
シリケートゼオライト(以下「DGAゼオライト」とい
う)を焼成したものを使用することを特徴とする。
発明のトルエンの不均化によるキシレン類の製造方法
は、トルエンの不均化反応により、キシレン類とくにp
−キシレンを製造する方法において、触媒として、ジグ
リコールアミンをテンプレートとして用い、水熱合成後
の脱水された形態で表して、式 (0.01〜1.0)Na・(0.5〜4.0)RN・[Al2O3:(10〜
50)SiO2] [上記式中、Naはナトリウムイオン、RNはジグリコ
ールアミンカチオン]の化学組成を有し、かつ全重量に
対する窒素含有量が1〜2重量%である結晶性アルミノ
シリケートゼオライト(以下「DGAゼオライト」とい
う)を焼成したものを使用することを特徴とする。
【0011】触媒として、上記のゼオライトに、金属酸
化物、リン化合物、シリコン化合物および炭素析出物か
らえらんだ少なくとも1種を含有させたものを使用し、
上記反応条件下に不均化反応をさせることからなるキシ
レン類の製造方法も、本発明に含まれる。
化物、リン化合物、シリコン化合物および炭素析出物か
らえらんだ少なくとも1種を含有させたものを使用し、
上記反応条件下に不均化反応をさせることからなるキシ
レン類の製造方法も、本発明に含まれる。
【0012】本発明の不均化反応は、温度200〜60
0℃、圧力1〜50気圧、液空間速度(LHSV)0.
2〜15/hおよび水素/トルエン比0.5〜10(モ
ル比)の条件下に反応を行なうことが好ましい。
0℃、圧力1〜50気圧、液空間速度(LHSV)0.
2〜15/hおよび水素/トルエン比0.5〜10(モ
ル比)の条件下に反応を行なうことが好ましい。
【0013】以下、本発明を詳細に説明する。
【0014】本発明のキシレン類の製造方法に使用する
触媒は、シリカ源、アルミナ源およびアルカリ金属源に
加えて、水およびジグリコールアミン、代表的には2−
(2−アミノエトキシ)エタノールを含む原料混合物か
ら水熱合成を行なって得られ、窒素含有量が1〜2重量
%である前記DGAゼオライトを主成分とするものであ
る。
触媒は、シリカ源、アルミナ源およびアルカリ金属源に
加えて、水およびジグリコールアミン、代表的には2−
(2−アミノエトキシ)エタノールを含む原料混合物か
ら水熱合成を行なって得られ、窒素含有量が1〜2重量
%である前記DGAゼオライトを主成分とするものであ
る。
【0015】本発明の触媒に用いるゼオライトの原料の
うち、シリカ源としては、シリカ、シリカゾル、シリカ
ゲル、珪酸ナトリウムおよび珪酸など、ゼオライトの合
成に常用されているものが使用でき、とくにコロイド状
のシリカが好ましい。 アルミナ源としては、アルミナ
ゲル、アルミナゾル、アルミナ、アルミン酸ナトリウ
ム、硫酸アルミニウムなどが使用できるが、水溶性のア
ルミン酸ナトリウムが取り扱い上好都合である。
うち、シリカ源としては、シリカ、シリカゾル、シリカ
ゲル、珪酸ナトリウムおよび珪酸など、ゼオライトの合
成に常用されているものが使用でき、とくにコロイド状
のシリカが好ましい。 アルミナ源としては、アルミナ
ゲル、アルミナゾル、アルミナ、アルミン酸ナトリウ
ム、硫酸アルミニウムなどが使用できるが、水溶性のア
ルミン酸ナトリウムが取り扱い上好都合である。
【0016】テンプレートとして用いる有機化合物ジグ
リコールアミンは、正式には、2−(2−アミノエトキ
シ)エタノールすなわち下記の分子式 H2NCH2CH2OCH2CH2OH を有する第1級アミンであり、エーテル構造を有するこ
とから、アルコールアミンとは区別される化合物であ
る。 このほか当然のことながら、ジグリコールアミン
を生成する前駆体も、テンプレートとして使用できる。
リコールアミンは、正式には、2−(2−アミノエトキ
シ)エタノールすなわち下記の分子式 H2NCH2CH2OCH2CH2OH を有する第1級アミンであり、エーテル構造を有するこ
とから、アルコールアミンとは区別される化合物であ
る。 このほか当然のことながら、ジグリコールアミン
を生成する前駆体も、テンプレートとして使用できる。
【0017】アルカリ金属としては通常ナトリウムを用
い、水酸化ナトリウム、珪酸ナトリウムおよびアルミン
酸ナトリウムから選んだ少なくとも1種のナトリウム源
が使用できる。
い、水酸化ナトリウム、珪酸ナトリウムおよびアルミン
酸ナトリウムから選んだ少なくとも1種のナトリウム源
が使用できる。
【0018】これらの出発原料は、下記のような組成
(モル比)で調合する。 この範囲内で調合することに
より、水熱合成後の脱水された形態における窒素含有量
を、全重量の約1〜2重量%とすることができる。
(モル比)で調合する。 この範囲内で調合することに
より、水熱合成後の脱水された形態における窒素含有量
を、全重量の約1〜2重量%とすることができる。
【0019】 SiO2/Al2O3 10〜50 H2O/OH- 50〜200 OH-/SiO2 0.1〜1.0 RN+/(RN++Na+) 0.5〜1.0 (ここでOH-にはジグリコールアミンに由来するOH-
は含まないものとし、RN+はジグリコールアミノカチ
オンを示す。) この混合物を、通常80〜200℃、好ましくは120
〜170℃の温度で約0.5〜30日間、密閉容器内で
加熱する。 水熱合成温度と時間は、ゲル組成中のアミ
ン量とともに、窒素含有量に対して密接な関係があり、
通常初期にDGAカチオンがナトリウムイオンに比べて
優先的に配位し、時間が経過するにつれてDGAカチオ
ンが減少し、ナトリウムイオンが増加する傾向にある。
反応終了後、生成した結晶性の生成物をろ過分離し、
過剰のアルカリを水洗により除去した後、乾燥する。
このようにして得られるゼオライトは、十分に水洗した
後も、反応原料に用いたジグリコールアミンのカチオン
を含有しており、これは、包含されているナトリウムイ
オンと同様に、構造内に配位されて存在するものと考え
られる。 ゼオライトの構造は、ジグリコールアミンを
用い、かつ前述の組成比で合成する限り同一である。
は含まないものとし、RN+はジグリコールアミノカチ
オンを示す。) この混合物を、通常80〜200℃、好ましくは120
〜170℃の温度で約0.5〜30日間、密閉容器内で
加熱する。 水熱合成温度と時間は、ゲル組成中のアミ
ン量とともに、窒素含有量に対して密接な関係があり、
通常初期にDGAカチオンがナトリウムイオンに比べて
優先的に配位し、時間が経過するにつれてDGAカチオ
ンが減少し、ナトリウムイオンが増加する傾向にある。
反応終了後、生成した結晶性の生成物をろ過分離し、
過剰のアルカリを水洗により除去した後、乾燥する。
このようにして得られるゼオライトは、十分に水洗した
後も、反応原料に用いたジグリコールアミンのカチオン
を含有しており、これは、包含されているナトリウムイ
オンと同様に、構造内に配位されて存在するものと考え
られる。 ゼオライトの構造は、ジグリコールアミンを
用い、かつ前述の組成比で合成する限り同一である。
【0020】本発明に用いるDGAゼオライトは、これ
を焼成するだけで、不均化反応に対し十分な触媒活性が
得られる。 この特性は、DGAゼオライトでは水熱合
成時に有機窒素カチオンを優先的にゼオライト結晶格子
に取り込んだことにより得られる最大の特徴であり、在
来のゼオライトでは達成し得なかったことである。
を焼成するだけで、不均化反応に対し十分な触媒活性が
得られる。 この特性は、DGAゼオライトでは水熱合
成時に有機窒素カチオンを優先的にゼオライト結晶格子
に取り込んだことにより得られる最大の特徴であり、在
来のゼオライトでは達成し得なかったことである。
【0021】触媒性能をさらに高めるためには、微量の
アルカリ金属を含む塩化アンモニウム水溶液等で処理し
てアンモニウム型のゼオライトとし、その後に焼成して
プロトン型のゼオライトとしたものを使用することがで
きる。 本発明では、これをそのまま触媒として使用す
ることも可能であるが、これに金属酸化物、リン化合
物、シリコン化合物、炭素析出物からえらんだ少なくと
も1種を含有させて、p−キシレンへの選択性を高めた
ものも本発明に含まれる。
アルカリ金属を含む塩化アンモニウム水溶液等で処理し
てアンモニウム型のゼオライトとし、その後に焼成して
プロトン型のゼオライトとしたものを使用することがで
きる。 本発明では、これをそのまま触媒として使用す
ることも可能であるが、これに金属酸化物、リン化合
物、シリコン化合物、炭素析出物からえらんだ少なくと
も1種を含有させて、p−キシレンへの選択性を高めた
ものも本発明に含まれる。
【0022】金属酸化物の金属種としてはマグネシウ
ム、ベリリウム、カルシウム等のIIa族元素、チタン、
ジルコニウム、ハフニウム等のIVa族元素、バナジウ
ム、ニオブ、タンタル等のVa族元素、クロム、モリブ
デン、タングステン等のVIa族元素、鉄、ルテニウム、
オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケ
ル、パラジウム、白金等のVIII族元素、銅、銀、金、亜
鉛、ガリウム、インジウム、スズ、鉛等が挙げられる。
これらの金属を含有させる方法としては、含浸法、混
練法、イオン交換法が挙げられる。 通常は水溶液を用
いて含有させるが、そのときの金属塩として、硝酸塩、
硫酸塩、酢酸塩、塩酸塩が用いられる。 これら金属の
含有量としては、DGAゼオライトに対して0.1〜2
0重量%の範囲が好適である。
ム、ベリリウム、カルシウム等のIIa族元素、チタン、
ジルコニウム、ハフニウム等のIVa族元素、バナジウ
ム、ニオブ、タンタル等のVa族元素、クロム、モリブ
デン、タングステン等のVIa族元素、鉄、ルテニウム、
オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケ
ル、パラジウム、白金等のVIII族元素、銅、銀、金、亜
鉛、ガリウム、インジウム、スズ、鉛等が挙げられる。
これらの金属を含有させる方法としては、含浸法、混
練法、イオン交換法が挙げられる。 通常は水溶液を用
いて含有させるが、そのときの金属塩として、硝酸塩、
硫酸塩、酢酸塩、塩酸塩が用いられる。 これら金属の
含有量としては、DGAゼオライトに対して0.1〜2
0重量%の範囲が好適である。
【0023】リン化合物を含有させるには、リン酸アン
モニウム、リン酸ナトリウム等のリン酸化合物の水溶液
中にDGAゼオライトを縣濁した後、乾燥し、焼成する
という方法がある。 DGAゼオライトに対するリンの
含有量は、0.1〜20重量%の範囲が好適である。
モニウム、リン酸ナトリウム等のリン酸化合物の水溶液
中にDGAゼオライトを縣濁した後、乾燥し、焼成する
という方法がある。 DGAゼオライトに対するリンの
含有量は、0.1〜20重量%の範囲が好適である。
【0024】炭素析出物をDGAゼオライトに含有させ
ようとする場合は、固定床流通式の反応装置において炭
素化合物とゼオライトとを高温度で接触させて、これを
行なうことができる。 これに用いる炭素化合物として
は、ベンゼン、トルエン等の芳香族化合物が適切であ
る。 接触温度は300〜800℃、好ましくは400
〜650℃である。 炭素の含有量としては、DGAゼ
オライトに対して0.1〜20重量%の範囲が好適であ
る。
ようとする場合は、固定床流通式の反応装置において炭
素化合物とゼオライトとを高温度で接触させて、これを
行なうことができる。 これに用いる炭素化合物として
は、ベンゼン、トルエン等の芳香族化合物が適切であ
る。 接触温度は300〜800℃、好ましくは400
〜650℃である。 炭素の含有量としては、DGAゼ
オライトに対して0.1〜20重量%の範囲が好適であ
る。
【0025】シリコン化合物をDGAゼオライトに含有
させる場合、固定床流通式の反応装置を用いてもよい
し、バッチ式の反応装置を用いてもよい。 固定床流通
式で行なう場合、シリコン化合物とDGAゼオライトと
を高温度で接触させる。 接触温度は、ここでも300
〜800℃、好ましくは400〜650℃である。 バ
ッチ式の場合、DGAゼオライトとシリコン化合物とを
室温で混合した後、400〜700℃で焼成する。 シ
リコン化合物の分子量は、一般に80〜20,000、
好ましくは150〜10,000である。 代表的なシ
リコン化合物として、テトラメチルオルソシリケート、
テトラエチルオルソシリケート、テトラ−(n−ブチル)
−オルソシリケート、四塩化ケイ素、ヘキサフェニルシ
クロトリシロキサン、オクタフェニルシクロテトラシロ
キサン、ジフェニルシラン、ジメチルシラン、ジエチル
シラン、フェニルトリメチルシラン、トリエチルシラ
ン、ヘキサメチルジシラン、メチルヒドロシクロシロキ
サン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、1,3,5
−トリメチル−1,3,5−トリフェニルシクロトリシ
ロキサン、オクタメチルシクロシロキサン、デカメチル
シクロペンタシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン等
が挙げられる。 ケイ素の含有量としては、DGAゼオ
ライトに対して0.1〜20重量%の範囲が好適であ
る。
させる場合、固定床流通式の反応装置を用いてもよい
し、バッチ式の反応装置を用いてもよい。 固定床流通
式で行なう場合、シリコン化合物とDGAゼオライトと
を高温度で接触させる。 接触温度は、ここでも300
〜800℃、好ましくは400〜650℃である。 バ
ッチ式の場合、DGAゼオライトとシリコン化合物とを
室温で混合した後、400〜700℃で焼成する。 シ
リコン化合物の分子量は、一般に80〜20,000、
好ましくは150〜10,000である。 代表的なシ
リコン化合物として、テトラメチルオルソシリケート、
テトラエチルオルソシリケート、テトラ−(n−ブチル)
−オルソシリケート、四塩化ケイ素、ヘキサフェニルシ
クロトリシロキサン、オクタフェニルシクロテトラシロ
キサン、ジフェニルシラン、ジメチルシラン、ジエチル
シラン、フェニルトリメチルシラン、トリエチルシラ
ン、ヘキサメチルジシラン、メチルヒドロシクロシロキ
サン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、1,3,5
−トリメチル−1,3,5−トリフェニルシクロトリシ
ロキサン、オクタメチルシクロシロキサン、デカメチル
シクロペンタシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン等
が挙げられる。 ケイ素の含有量としては、DGAゼオ
ライトに対して0.1〜20重量%の範囲が好適であ
る。
【0026】本発明のキシレン類の製造方法において実
施するトルエンの不均化反応は、気相および液相のいず
れにおいても可能であり、反応方式も、固定床流通方
式、流動床方式あるいは液相加圧攪拌方式など、任意の
方式が実施可能である。 従って、触媒の形状はその反
応形式により決定されるものであって、それ以外の制限
はなく、一般に粉末または粉末成形体が用いられる。
施するトルエンの不均化反応は、気相および液相のいず
れにおいても可能であり、反応方式も、固定床流通方
式、流動床方式あるいは液相加圧攪拌方式など、任意の
方式が実施可能である。 従って、触媒の形状はその反
応形式により決定されるものであって、それ以外の制限
はなく、一般に粉末または粉末成形体が用いられる。
【0027】この触媒の特性をさらに効果的なものにす
るためには、アルミナ、シリカ、シリカアルミナ、粘
土、活性白土などを添加することが好ましい。 これ
は、DGAゼオライトをマトリックス中に高分散させた
ことの効果のほか、両者の相乗作用により触媒の活性・
選択性が高まるという効果が得られるためであり、加え
て触媒成形体の機械的強度を向上させることができる。
その中で、とくにアルミナとの複合が好ましい。 D
GAゼオライトに複合するアルミナの量は、約20〜4
0%が好ましい。 このようにして得られた成形体を約
500〜600℃の温度で焼成した後、触媒として使用
する。
るためには、アルミナ、シリカ、シリカアルミナ、粘
土、活性白土などを添加することが好ましい。 これ
は、DGAゼオライトをマトリックス中に高分散させた
ことの効果のほか、両者の相乗作用により触媒の活性・
選択性が高まるという効果が得られるためであり、加え
て触媒成形体の機械的強度を向上させることができる。
その中で、とくにアルミナとの複合が好ましい。 D
GAゼオライトに複合するアルミナの量は、約20〜4
0%が好ましい。 このようにして得られた成形体を約
500〜600℃の温度で焼成した後、触媒として使用
する。
【0028】本発明のキシレン類の製造方法において、
触媒として用いるDGAゼオライトのシリカ/アルミナ
比および窒素含有量は広範囲にわたって変化させること
ができるが、活性面から、とくに前記したように、約1
0〜50(SiO2/Al2O3のモル比)の低シリカ/ア
ルミナ比、および窒素含有量が約1〜2重量%のものを
使用する。 本発明で用いるDGAゼオライトは、とく
に低シリカ/アルミナ比の結晶物を高結晶化率で得るこ
とが可能であり、また水熱合成時にジグリコールアミン
を多量に取り込めることが特徴であり、これらが結果と
して、反応活性点と考えられる触媒の酸性質に有効に作
用するものと推測される。 ジグリコールアミンはカチ
オンとしてナトリウムイオンと同様な役割を果たすほ
か、DGAゼオライト細孔内にあって型材としての役割
も併せて果たす。 この活性を発揮させるためには、窒
素含有量を約1重量%以上とする必要があり、また、約
2重量%以上ではその効果はほぼ平衡に達する。
触媒として用いるDGAゼオライトのシリカ/アルミナ
比および窒素含有量は広範囲にわたって変化させること
ができるが、活性面から、とくに前記したように、約1
0〜50(SiO2/Al2O3のモル比)の低シリカ/ア
ルミナ比、および窒素含有量が約1〜2重量%のものを
使用する。 本発明で用いるDGAゼオライトは、とく
に低シリカ/アルミナ比の結晶物を高結晶化率で得るこ
とが可能であり、また水熱合成時にジグリコールアミン
を多量に取り込めることが特徴であり、これらが結果と
して、反応活性点と考えられる触媒の酸性質に有効に作
用するものと推測される。 ジグリコールアミンはカチ
オンとしてナトリウムイオンと同様な役割を果たすほ
か、DGAゼオライト細孔内にあって型材としての役割
も併せて果たす。 この活性を発揮させるためには、窒
素含有量を約1重量%以上とする必要があり、また、約
2重量%以上ではその効果はほぼ平衡に達する。
【0029】本発明のキシレン類の製造方法では、原料
化合物としてトルエンを用い、これを上記触媒の存在下
で不均化し、キシレン類とくにp−キシレンを製造す
る。ここで使用する原料化合物の組成や純度はとくに限
定されるものではなく、他の化合物、たとえばベンゼ
ン、エチルベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、
メチルエチルベンゼンなどが混在しても、触媒活性が損
なわれることはない。
化合物としてトルエンを用い、これを上記触媒の存在下
で不均化し、キシレン類とくにp−キシレンを製造す
る。ここで使用する原料化合物の組成や純度はとくに限
定されるものではなく、他の化合物、たとえばベンゼ
ン、エチルベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、
メチルエチルベンゼンなどが混在しても、触媒活性が損
なわれることはない。
【0030】本発明のキシレン類の製造方法にとって有
利に採用される反応条件は、温度約200〜600℃、
好ましくは300〜550℃、圧力1〜50気圧、好ま
しくは10〜40気圧であり、液空間速度(LHSV)
0.2〜15/h、好ましくは1.0〜10/h、水素
/トルエン比0.5〜10(モル比)の範囲である。こ
の条件で反応を行わせることにより、高収率でキシレン
類とくにp−キシレンを得ることができ、同時に触媒の
活性低下が少なく、触媒寿命を長く維持することができ
る。
利に採用される反応条件は、温度約200〜600℃、
好ましくは300〜550℃、圧力1〜50気圧、好ま
しくは10〜40気圧であり、液空間速度(LHSV)
0.2〜15/h、好ましくは1.0〜10/h、水素
/トルエン比0.5〜10(モル比)の範囲である。こ
の条件で反応を行わせることにより、高収率でキシレン
類とくにp−キシレンを得ることができ、同時に触媒の
活性低下が少なく、触媒寿命を長く維持することができ
る。
【0031】本発明の製造方法は、共存ガスとして水
素、または生成物分離槽から分離された水素と軽質炭化
水素との混合ガスが存在する条件下において、好適に反
応を行なうことができる。 原料に対するこれら共存ガ
スのモル比は、通常0.5〜10が最適である。
素、または生成物分離槽から分離された水素と軽質炭化
水素との混合ガスが存在する条件下において、好適に反
応を行なうことができる。 原料に対するこれら共存ガ
スのモル比は、通常0.5〜10が最適である。
【0032】
【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明する。 ただし、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
説明する。 ただし、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
【0033】以下の実施例において、トルエン転化率、
p−キシレン選択性およびキシレン収率は、それぞれ下
記の式により定義される値である。
p−キシレン選択性およびキシレン収率は、それぞれ下
記の式により定義される値である。
【0034】トルエン転化率(%)= (転化したトルエ
ンのモル数/供給したトルエンのモル数)×100 p-キシレン選択性(%)=(生成したp-キシレンのモル数
/生成したキシレンのモル数)×100 キシレン収率(%)= (生成したキシレンのモル数/
転化したトルエンのモル数)×100 [実施例1]アルミン酸ナトリウム(含有量84.8
%)532g,苛性ソーダ659gを水8リットルに溶
解し、これを、水20.8リットルにコロイダルシリカ
(シリカ含有量20.36%)32472gを溶解した
のちジグリコールアミン9831gを加えて用意した溶
液に、十分に攪拌しながら添加した。
ンのモル数/供給したトルエンのモル数)×100 p-キシレン選択性(%)=(生成したp-キシレンのモル数
/生成したキシレンのモル数)×100 キシレン収率(%)= (生成したキシレンのモル数/
転化したトルエンのモル数)×100 [実施例1]アルミン酸ナトリウム(含有量84.8
%)532g,苛性ソーダ659gを水8リットルに溶
解し、これを、水20.8リットルにコロイダルシリカ
(シリカ含有量20.36%)32472gを溶解した
のちジグリコールアミン9831gを加えて用意した溶
液に、十分に攪拌しながら添加した。
【0035】このようにして得た、シリカ/アルミナ比
を40に調合したゲル混合物を、内容積100リットル
のステンレス製オートクレーブに入れて、160℃で3
日間、加熱攪拌した。 反応温度が約160〜170℃
の高温域ではナトリウムイオンの取り込み量が増加する
ので、この実施例では、取り込み量が適切になるよう
に、3日間の加熱を行なったわけである。
を40に調合したゲル混合物を、内容積100リットル
のステンレス製オートクレーブに入れて、160℃で3
日間、加熱攪拌した。 反応温度が約160〜170℃
の高温域ではナトリウムイオンの取り込み量が増加する
ので、この実施例では、取り込み量が適切になるよう
に、3日間の加熱を行なったわけである。
【0036】得られた結晶性の生成物は、ろ過したのち
100リットルの水で洗浄し、120℃、24時間乾燥
器により乾燥させた後、窒素含有量を測定したところ
1.49重量%であった。 次いで、5N塩化アンモニ
ウム水溶液を加えて100℃に3時間、フラスコ内で加
熱攪拌し、冷却後ろ過したら、再び塩化アンモニウム水
溶液を加える同じ操作を、3回行った。 この後、乾
燥、550℃で3時間焼成してプロトン型DGAゼオラ
イトを得た。
100リットルの水で洗浄し、120℃、24時間乾燥
器により乾燥させた後、窒素含有量を測定したところ
1.49重量%であった。 次いで、5N塩化アンモニ
ウム水溶液を加えて100℃に3時間、フラスコ内で加
熱攪拌し、冷却後ろ過したら、再び塩化アンモニウム水
溶液を加える同じ操作を、3回行った。 この後、乾
燥、550℃で3時間焼成してプロトン型DGAゼオラ
イトを得た。
【0037】このプロトン型DGAゼオライト700g
をコンデア社のベーマイトアルミナ粉末300gと混合
し、4%硝酸水溶液でゲル化した後、5.6%アンモニ
ア水溶液で中和した。 これを充分混練した後、押し出
し成形機で粒状に成形後、550℃で3時間の空気焼成
をした後、12〜32メッシュに粒度をそろえ、「触媒
A」とした。
をコンデア社のベーマイトアルミナ粉末300gと混合
し、4%硝酸水溶液でゲル化した後、5.6%アンモニ
ア水溶液で中和した。 これを充分混練した後、押し出
し成形機で粒状に成形後、550℃で3時間の空気焼成
をした後、12〜32メッシュに粒度をそろえ、「触媒
A」とした。
【0038】上記で得られた触媒Aを用いて、トルエン
を原料とし、固定床流通下で温度450℃、圧力30Kg
/cm2G、LHSV2.0h−1で、水素/トルエン比を2
(モル比)の条件で反応を行なった。 結果は、表1に
示すとおりであった。 生成物の分析は、反応開始後2
時間目のサンプルをとり、ガスクロマトグラフィーを使
用して行なった。
を原料とし、固定床流通下で温度450℃、圧力30Kg
/cm2G、LHSV2.0h−1で、水素/トルエン比を2
(モル比)の条件で反応を行なった。 結果は、表1に
示すとおりであった。 生成物の分析は、反応開始後2
時間目のサンプルをとり、ガスクロマトグラフィーを使
用して行なった。
【0039】反応生成物はo−キシレンが高濃度で生成
しており、本発明で使用する触媒の高い反応活性が示さ
れている。
しており、本発明で使用する触媒の高い反応活性が示さ
れている。
【0040】[実施例2,3および4]実施例1で得ら
れたプロトン型DGAゼオライト25gを、テトラエチ
ルオルソシリケート(TEOS)とトルエンとの混合溶液
(TEOS濃度1、3または5重量%)50g中に浸漬
し、約5時間攪拌したのち取り出して、電気炉で空気流
通下に540℃に加熱する焼成を4時間行なった。 焼
成物を32〜64メッシュの粒子に成形して、シリコン
含有DGAゼオライトを得た。 浸漬した混合溶液のT
EOS濃度の高い順に、それぞれ「触媒B」、「触媒C」
および「触媒D」とした。
れたプロトン型DGAゼオライト25gを、テトラエチ
ルオルソシリケート(TEOS)とトルエンとの混合溶液
(TEOS濃度1、3または5重量%)50g中に浸漬
し、約5時間攪拌したのち取り出して、電気炉で空気流
通下に540℃に加熱する焼成を4時間行なった。 焼
成物を32〜64メッシュの粒子に成形して、シリコン
含有DGAゼオライトを得た。 浸漬した混合溶液のT
EOS濃度の高い順に、それぞれ「触媒B」、「触媒C」
および「触媒D」とした。
【0041】上記のようにして製造した触媒Bを用いた
反応(実施例2)、触媒Cを用いた反応(実施例3)、
および触媒Dを用いた反応(実施例4)を行なった。
原料および反応条件は実施例1と同様である。
反応(実施例2)、触媒Cを用いた反応(実施例3)、
および触媒Dを用いた反応(実施例4)を行なった。
原料および反応条件は実施例1と同様である。
【0042】[実施例5,6および7]実施例1で得た
プロトン型DGAゼオライト25gをテトラメチルオル
ソシリケート(TMOS)とトルエンとの混合溶液(T
MOS濃度1、3または5重量%)50g中に浸漬し、
約5時間攪拌したのち取り出して、電気炉で空気流通下
に540℃に加熱する焼成を4時間行なった。 焼成物
を32〜64メッシュの粒子に成形して、シリコン含有
DGAゼオライトを得た。 浸漬した混合溶液のTMO
S濃度の高い順に、それぞれ「触媒E」、「触媒F」お
よび「触媒G」とした。
プロトン型DGAゼオライト25gをテトラメチルオル
ソシリケート(TMOS)とトルエンとの混合溶液(T
MOS濃度1、3または5重量%)50g中に浸漬し、
約5時間攪拌したのち取り出して、電気炉で空気流通下
に540℃に加熱する焼成を4時間行なった。 焼成物
を32〜64メッシュの粒子に成形して、シリコン含有
DGAゼオライトを得た。 浸漬した混合溶液のTMO
S濃度の高い順に、それぞれ「触媒E」、「触媒F」お
よび「触媒G」とした。
【0043】このようにして製造した触媒Eを用いた反
応(実施例5)、触媒Fを用いた反応(実施例6)およ
び触媒Gを用いた反応(実施例7)を行なった。 原料
および反応条件は、実施例1と同様である。
応(実施例5)、触媒Fを用いた反応(実施例6)およ
び触媒Gを用いた反応(実施例7)を行なった。 原料
および反応条件は、実施例1と同様である。
【0044】[実施例8]実施例1で得たプロトン型D
GAゼオライト25gを固定床流通式反応器に充填し、
トルエンを原料として圧力10気圧の水素気流下、温度
500℃、LHSV2h−1の条件で130時間流通さ
せて処理することにより、炭素析出物含有DGAゼオラ
イトを得た。 これを32〜64メッシュの粒子に成形
し、「触媒H」とした。 触媒中の炭素含有量を炭素分
析計により分析した結果、5%であった。
GAゼオライト25gを固定床流通式反応器に充填し、
トルエンを原料として圧力10気圧の水素気流下、温度
500℃、LHSV2h−1の条件で130時間流通さ
せて処理することにより、炭素析出物含有DGAゼオラ
イトを得た。 これを32〜64メッシュの粒子に成形
し、「触媒H」とした。 触媒中の炭素含有量を炭素分
析計により分析した結果、5%であった。
【0045】このようにして製造した触媒Hを用いて、
不均化反応を行なった(実施例8)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
不均化反応を行なった(実施例8)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
【0046】[実施例9]水500mlに硫酸マグネシウ
ム六水和物8gを入れた溶液に、実施例1で得たプロト
ン型DGAゼオライト25gを縣濁した。 室温で一晩
放置したのち、水分を蒸発させた。 続いて空気中で5
00℃において16時間焼成し、マグネシウム含有DG
Aゼオライトを得た。 これを32〜64メッシュの粒
子に成形し、「触媒I」とした。
ム六水和物8gを入れた溶液に、実施例1で得たプロト
ン型DGAゼオライト25gを縣濁した。 室温で一晩
放置したのち、水分を蒸発させた。 続いて空気中で5
00℃において16時間焼成し、マグネシウム含有DG
Aゼオライトを得た。 これを32〜64メッシュの粒
子に成形し、「触媒I」とした。
【0047】このようにして製造した触媒Iを用いて、
不均化反応を行なった(実施例9)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
不均化反応を行なった(実施例9)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
【0048】[実施例10]水250mlにリン酸アンモ
ニウム5.22gを入れた溶液に、実施例1で得たプロ
トン型DGAゼオライト25gを縣濁した。 室温で一
晩放置したのち、水分を蒸発させた。 続いて、空気中
で500℃において16時間焼成し、リン含有DGAゼ
オライトを得た。 これを32〜64メッシュの粒子に
成形し、「触媒J」とした。
ニウム5.22gを入れた溶液に、実施例1で得たプロ
トン型DGAゼオライト25gを縣濁した。 室温で一
晩放置したのち、水分を蒸発させた。 続いて、空気中
で500℃において16時間焼成し、リン含有DGAゼ
オライトを得た。 これを32〜64メッシュの粒子に
成形し、「触媒J」とした。
【0049】このようにして製造した触媒Jを用いて、
不均化反応を行なった(実施例10)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
不均化反応を行なった(実施例10)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
【0050】[実施例11]水500mlにオキシ塩化ジ
ルコニウム4gを入れた溶液に、実施例1で得たプロト
ン型DGAゼオライト25gを縣濁した。 室温で一晩
放置したのち、水分を蒸発させた。 続いて空気中で5
00℃において16時間焼成し、ジルコニウム含有DG
Aゼオライトを得た。 これを32〜64メッシュの粒
子に成形し、「触媒K」とした。
ルコニウム4gを入れた溶液に、実施例1で得たプロト
ン型DGAゼオライト25gを縣濁した。 室温で一晩
放置したのち、水分を蒸発させた。 続いて空気中で5
00℃において16時間焼成し、ジルコニウム含有DG
Aゼオライトを得た。 これを32〜64メッシュの粒
子に成形し、「触媒K」とした。
【0051】このようにして製造した触媒Kを用いて、
不均化反応を行なった(実施例11)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
不均化反応を行なった(実施例11)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
【0052】[実施例12]水500mlに四塩化チタン
5.5gを入れた溶液に、実施例1で得たプロトン型D
GAゼオライト25gを縣濁した。 室温で一晩放置し
たのち、水分を蒸発させた。 続いて空気中で500℃
において16時間焼成し、チタン含有DGAゼオライト
を得た。 これを32〜64メッシュの粒子に成形し、
「触媒L」とした。
5.5gを入れた溶液に、実施例1で得たプロトン型D
GAゼオライト25gを縣濁した。 室温で一晩放置し
たのち、水分を蒸発させた。 続いて空気中で500℃
において16時間焼成し、チタン含有DGAゼオライト
を得た。 これを32〜64メッシュの粒子に成形し、
「触媒L」とした。
【0053】このようにして製造した触媒Lを用いて、
不均化反応を行なった(実施例12)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
不均化反応を行なった(実施例12)。原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
【0054】[比較例1]アメリカ特許3,965,2
07号明細書に開示されているところに従って、有機ア
ミンとしてn−トリプロピルアミンおよびn−プロピル
ブロマイドを使用して、オートクレーブ中でゼオライト
の水熱合成を行なった。 この合成物を500℃で16
時間焼成した後、5重量%の塩化アンモニウム水溶液2
00mlと、80℃において24時間、イオン交換を行な
った。 その後十分水洗し、100℃で乾燥し、さらに
500℃で16時間焼成して、プロトン型のZSM−5
を得た。 このゼオライト700gをコンデア社のベー
マイトアルミナ粉末300gと混合し、4%硝酸水溶液
でゲル化した後、5.6%アンモニア水溶液で中和し
た。 充分混練したものを押し出し成形機で粒状に成形
後、550℃で3時間の空気焼成した。 粒度を12〜
32メッシュにそろえ、「触媒M」を得た。
07号明細書に開示されているところに従って、有機ア
ミンとしてn−トリプロピルアミンおよびn−プロピル
ブロマイドを使用して、オートクレーブ中でゼオライト
の水熱合成を行なった。 この合成物を500℃で16
時間焼成した後、5重量%の塩化アンモニウム水溶液2
00mlと、80℃において24時間、イオン交換を行な
った。 その後十分水洗し、100℃で乾燥し、さらに
500℃で16時間焼成して、プロトン型のZSM−5
を得た。 このゼオライト700gをコンデア社のベー
マイトアルミナ粉末300gと混合し、4%硝酸水溶液
でゲル化した後、5.6%アンモニア水溶液で中和し
た。 充分混練したものを押し出し成形機で粒状に成形
後、550℃で3時間の空気焼成した。 粒度を12〜
32メッシュにそろえ、「触媒M」を得た。
【0055】このようにして得た触媒Mを用いて、不均
化反応を行なった(比較例1)。 原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
化反応を行なった(比較例1)。 原料および反応条件
は、実施例1と同様である。
【0056】[比較例2〜4]比較例1で得た触媒M2
5gをテトラエチルオルソシリケート(TEOS)とトル
エンとの混合溶液(TEOS濃度1、3または5重量%)
50g中に浸漬し、約5時間攪拌したのち取り出して、
電気炉で空気流通下に540℃に加熱して4時間焼成し
た。 これを32〜64メッシュの粒子に成形して、シ
リコン含有ZSM−5を得た。 浸漬した溶液のTEO
S濃度の高い順に、それぞれ「触媒N」、「触媒O」およ
び「触媒P」とした。 これら触媒N、OおよびPを用
いて、不均化反応を行なった(それぞれ比較例2,3,
4とする)。 原料および反応条件は、実施例1と同様
である。
5gをテトラエチルオルソシリケート(TEOS)とトル
エンとの混合溶液(TEOS濃度1、3または5重量%)
50g中に浸漬し、約5時間攪拌したのち取り出して、
電気炉で空気流通下に540℃に加熱して4時間焼成し
た。 これを32〜64メッシュの粒子に成形して、シ
リコン含有ZSM−5を得た。 浸漬した溶液のTEO
S濃度の高い順に、それぞれ「触媒N」、「触媒O」およ
び「触媒P」とした。 これら触媒N、OおよびPを用
いて、不均化反応を行なった(それぞれ比較例2,3,
4とする)。 原料および反応条件は、実施例1と同様
である。
【0057】[比較例5]比較例1で得た触媒M25g
を固定床流通式反応器に充填し、トルエンを原料として
圧力10気圧の水素気流下、温度500℃、LHSV2
/hの条件下に130時間処理することにより、炭素析
出物含有ZSM−5を得た。 これを32〜64メッシ
ュの粒子に成形し、「触媒Q」とした。 この触媒Qを
用いて、不均化反応を行なった(比較例5)。 原料お
よび反応条件は、実施例1と同様である。
を固定床流通式反応器に充填し、トルエンを原料として
圧力10気圧の水素気流下、温度500℃、LHSV2
/hの条件下に130時間処理することにより、炭素析
出物含有ZSM−5を得た。 これを32〜64メッシ
ュの粒子に成形し、「触媒Q」とした。 この触媒Qを
用いて、不均化反応を行なった(比較例5)。 原料お
よび反応条件は、実施例1と同様である。
【0058】上記実施例1〜12の結果を表1に、比較
例1〜5の結果を表2に、それぞれ示す。
例1〜5の結果を表2に、それぞれ示す。
【0059】 表 1 触媒 触 媒 組 成 トルエン p−キシレン キシレン 転化率(%) 選択性(%) 収率(%) 実施例1 A HDGA 62 27 32 実施例2 B SiO2(1%)/HDGA 41 90 37 実施例3 C SiO2(3%)/HDGA 32 96 39 実施例4 D SiO2(5%)/HDGA 29 97 40 実施例5 E SiO2(1%)/HDGA 38 93 36 実施例6 F SiO2(3%)/HDGA 31 96 38 実施例7 G SiO2(5%)/HDGA 26 99 42 実施例8 H 炭素析出/HDGA 30 96 41 実施例9 I MgO/HDGA 29 94 38 実施例10 J P/DGA 31 94 37 実施例11 K ZrO2/HDGA 27 91 39 実施例12 L TiO2/HDGA 25 92 39 表 2 触媒 触 媒 組 成 トルエン p−キシレン キシレン 転化率(%) 選択性(%) 収率(%) 比較例1 M HZSM-5 56 23 28 比較例2 N SiO2(1%)/HZSM-5 39 75 30 比較例3 O SiO2(3%)/HZSM-5 30 89 33 比較例4 P SiO2(5%)/HZSM-5 18 96 37 比較例5 Q 炭素析出/HZSM-5 27 84 36
【0060】
【発明の効果】上記の結果から、本発明に従ってジグリ
コールアミンをテンプレートとして水熱合成されたゼオ
ライトを触媒として使用し、トルエンの不均化反応を行
なうことにより、従来の触媒より優れた反応活性が得ら
れる。 さらに、このゼオライトに金属酸化物、リン化
合物、シリコン化合物および炭素析出物からえらんだ少
なくとも1種を含有させたものを触媒として使用する
と、p−キシレンへの選択性を高く維持しながら、トル
エンの転化率が飛躍的に向上する。
コールアミンをテンプレートとして水熱合成されたゼオ
ライトを触媒として使用し、トルエンの不均化反応を行
なうことにより、従来の触媒より優れた反応活性が得ら
れる。 さらに、このゼオライトに金属酸化物、リン化
合物、シリコン化合物および炭素析出物からえらんだ少
なくとも1種を含有させたものを触媒として使用する
と、p−キシレンへの選択性を高く維持しながら、トル
エンの転化率が飛躍的に向上する。
【0061】このように本発明は、トルエンからキシレ
ン類とくにp−キシレンを製造する方法として、その工
業的意義が高い。
ン類とくにp−キシレンを製造する方法として、その工
業的意義が高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 孝夫 埼玉県幸手市権現堂1134−2 株式会社コ スモ総合研究所研究開発センター内
Claims (3)
- 【請求項1】 トルエンの不均化反応により、キシレン
類を製造する方法において、触媒として、ジグリコール
アミンをテンプレートとして用い、水熱合成後の脱水さ
れた形態で表して、式 (0.01〜1.0)Na・(0.5〜4.0)RN・[Al2O3:(10〜
50)SiO2] [上記式中、Naはナトリウムイオン、RNはジグリコ
ールアミンカチオン]の化学組成を有し、かつ全重量に
対する窒素含有量が1〜2重量%である結晶性アルミノ
シリケートゼオライトを焼成したものを使用することを
特徴とするトルエンの不均化によるキシレン類の製造方
法。 - 【請求項2】 触媒として、請求項1に記載のゼオライ
トに金属酸化物、リン化合物、シリコン化合物および炭
素析出物からえらんだ少なくとも1種を含有させたもの
を使用することを特徴とする請求項1のキシレン類の製
造方法。 - 【請求項3】 不均化反応を、温度200〜600℃、
圧力1〜50気圧、液空間速度(LHSV)0.2〜1
5/hであって、水素/トルエン比0.5〜10(モル
比)の反応条件下に行なうことを特徴とする請求項1ま
たは2のキシレン類の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8325669A JPH10167996A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | トルエンの不均化によるキシレン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8325669A JPH10167996A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | トルエンの不均化によるキシレン類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10167996A true JPH10167996A (ja) | 1998-06-23 |
Family
ID=18179400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8325669A Pending JPH10167996A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | トルエンの不均化によるキシレン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10167996A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106582801A (zh) * | 2015-10-19 | 2017-04-26 | 中国石油化工股份有限公司 | 甲苯歧化与烷基转移催化剂及其开工方法 |
-
1996
- 1996-12-05 JP JP8325669A patent/JPH10167996A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106582801A (zh) * | 2015-10-19 | 2017-04-26 | 中国石油化工股份有限公司 | 甲苯歧化与烷基转移催化剂及其开工方法 |
| CN106582801B (zh) * | 2015-10-19 | 2019-10-11 | 中国石油化工股份有限公司 | 甲苯歧化与烷基转移催化剂及其开工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060329 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060613 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061128 |