JPH10172776A - 低圧放電ランプの点灯回路 - Google Patents
低圧放電ランプの点灯回路Info
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- JPH10172776A JPH10172776A JP9344464A JP34446497A JPH10172776A JP H10172776 A JPH10172776 A JP H10172776A JP 9344464 A JP9344464 A JP 9344464A JP 34446497 A JP34446497 A JP 34446497A JP H10172776 A JPH10172776 A JP H10172776A
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
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- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 自由振動にて共振近辺で動作する回路システ
ムを備えた無電極式低圧放電ランプの点灯回路を提供す
る。 【解決手段】 低圧放電ランプＥの点灯回路は、ランプ
に高周波電力を与える負荷回路ＣＫ、ＣＲ、Ｌ１、Ｌ２
と、この負荷回路を作動するための周波数発生器Ｃ０、
ＴＯ、ＴＵと、この周波数発生器を駆動するための駆動
回路Ｃｉ、ＣＰ、ＣＳ、ＬＰ、ＬＳ、ＴＲとを備えてお
り、無電極式低圧放電ランプＥを点灯するために設計さ
れ、ランプを備えた負荷回路と駆動回路とを含み自由振
動にて共振近辺で動作する回路シスシムを有する。
ムを備えた無電極式低圧放電ランプの点灯回路を提供す
る。 【解決手段】 低圧放電ランプＥの点灯回路は、ランプ
に高周波電力を与える負荷回路ＣＫ、ＣＲ、Ｌ１、Ｌ２
と、この負荷回路を作動するための周波数発生器Ｃ０、
ＴＯ、ＴＵと、この周波数発生器を駆動するための駆動
回路Ｃｉ、ＣＰ、ＣＳ、ＬＰ、ＬＳ、ＴＲとを備えてお
り、無電極式低圧放電ランプＥを点灯するために設計さ
れ、ランプを備えた負荷回路と駆動回路とを含み自由振
動にて共振近辺で動作する回路シスシムを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ランプに高周波電
力を与える負荷回路と、この負荷回路を作動するための
周波数発生器と、この周波数発生器を駆動するための駆
動回路とを備えた低圧放電ランプの点灯回路に関する。
力を与える負荷回路と、この負荷回路を作動するための
周波数発生器と、この周波数発生器を駆動するための駆
動回路とを備えた低圧放電ランプの点灯回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】低圧放電ランプは数十年前から広く普及
しており、このランプのために相応する多数の点灯回路
が知られている。本発明は、ランプに高周波電力を与え
る負荷回路と、この負荷回路を作動するための周波数発
生器と、この周波数発生器を駆動するための駆動回路と
を備えた低圧放電ランプの公知の点灯回路から出発して
いる。
しており、このランプのために相応する多数の点灯回路
が知られている。本発明は、ランプに高周波電力を与え
る負荷回路と、この負荷回路を作動するための周波数発
生器と、この周波数発生器を駆動するための駆動回路と
を備えた低圧放電ランプの公知の点灯回路から出発して
いる。
【０００３】最近の重要な技術的開発は無電極式低圧放
電ランプである。この放電ランプでは放電プラズマの点
弧及び維持のために必要な電圧もしくは電力は電極がガ
ラス球内に設置されていなくても放電ガスに与えられ
る。このことはガラス球の一部分を包囲しそれによって
放電ガスに誘導電圧を与える特に閉ループのコイル鉄心
によって行うことができる。無電極式低圧放電ランプの
ための他の技術的な細部は国際特許出願第ＰＣＴ／ＥＰ
９６／０３１８０号明細書に記載されており、その開示
内容は本件出願に十分取入れられるものとする。
電ランプである。この放電ランプでは放電プラズマの点
弧及び維持のために必要な電圧もしくは電力は電極がガ
ラス球内に設置されていなくても放電ガスに与えられ
る。このことはガラス球の一部分を包囲しそれによって
放電ガスに誘導電圧を与える特に閉ループのコイル鉄心
によって行うことができる。無電極式低圧放電ランプの
ための他の技術的な細部は国際特許出願第ＰＣＴ／ＥＰ
９６／０３１８０号明細書に記載されており、その開示
内容は本件出願に十分取入れられるものとする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新しい無電
極式低圧放電ランプを公知の点灯回路では点灯すること
ができないという技術的な問題から出発している。
極式低圧放電ランプを公知の点灯回路では点灯すること
ができないという技術的な問題から出発している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による点灯回路
は、回路が無電極式低圧放電ランプを点灯するために設
計され、ランプを備えた負荷回路と駆動回路とを含み自
由振動にて共振近辺で動作する回路シスシムを有するこ
とを特徴とする。
は、回路が無電極式低圧放電ランプを点灯するために設
計され、ランプを備えた負荷回路と駆動回路とを含み自
由振動にて共振近辺で動作する回路シスシムを有するこ
とを特徴とする。
【０００６】自由振動にて共振周波数の近辺で動作する
回路は、従来回路特に周波数発生器のＩＣ駆動部を備え
た従来回路に比較して著しく“ソフトな”点灯方式を可
能にする。このことは特に、駆動回路の電圧及び電流の
時間変化が動作周波数の基本振動の正弦波形に極めて近
似していることを意味する。
回路は、従来回路特に周波数発生器のＩＣ駆動部を備え
た従来回路に比較して著しく“ソフトな”点灯方式を可
能にする。このことは特に、駆動回路の電圧及び電流の
時間変化が動作周波数の基本振動の正弦波形に極めて近
似していることを意味する。
【０００７】この“ソフトな”点灯様式によって回路の
損失は明らかに低くなる。このことは特に周波数発生器
のスイッチング素子のスイッチング損失に該当するが、
しかしながらコイル鉄心の磁化損失等にも該当する。さ
らに高調波成分が少ないことは電磁的適合性に役立ち、
しかも一方では電源供給への高調波成分の侵入に関し
て、他方では遮蔽容器を使用しないならば無線放射に関
しても役立つ。
損失は明らかに低くなる。このことは特に周波数発生器
のスイッチング素子のスイッチング損失に該当するが、
しかしながらコイル鉄心の磁化損失等にも該当する。さ
らに高調波成分が少ないことは電磁的適合性に役立ち、
しかも一方では電源供給への高調波成分の侵入に関し
て、他方では遮蔽容器を使用しないならば無線放射に関
しても役立つ。
【０００８】共振近辺で作動することの上述の利点は、
本発明による回路が従来回路から知られている周波数
（従来では約２０〜５０ｋＨｚ）より著しく高いランプ
の点弧及び連続点灯時の周波数用に特に設計されなけれ
ばならないということを考慮すると一層重要になる。こ
のような高い周波数から、放電に高周波電力を誘導的に
与える際その都度の周波数に比例する誘導電圧が生ず
る。このことは特に重要である。何故ならば、電極を省
略することによって、電子仕事関数を低下させる電極被
膜又は電極予熱によって電子放出による十分な事前のイ
オン化を生ぜしめることが同様に無くなるからである。
この事前のイオン化はプラズマを点弧するための臨界的
な場強度を明らかに低下させる。
本発明による回路が従来回路から知られている周波数
（従来では約２０〜５０ｋＨｚ）より著しく高いランプ
の点弧及び連続点灯時の周波数用に特に設計されなけれ
ばならないということを考慮すると一層重要になる。こ
のような高い周波数から、放電に高周波電力を誘導的に
与える際その都度の周波数に比例する誘導電圧が生ず
る。このことは特に重要である。何故ならば、電極を省
略することによって、電子仕事関数を低下させる電極被
膜又は電極予熱によって電子放出による十分な事前のイ
オン化を生ぜしめることが同様に無くなるからである。
この事前のイオン化はプラズマを点弧するための臨界的
な場強度を明らかに低下させる。
【０００９】高い動作周波数は好ましくは７０ｋＨｚ以
上であり、２００ｋＨｚ以上ならばもっと良い。一般に
一方では点弧作動と通常作動との相違によって、他方で
は温度が変化して放電の外部又は内部パラメータが変化
した際の以下において説明する周波数変化によって動作
周波数が変化し得るので、ここでは多数の動作周波数が
問題となる。
上であり、２００ｋＨｚ以上ならばもっと良い。一般に
一方では点弧作動と通常作動との相違によって、他方で
は温度が変化して放電の外部又は内部パラメータが変化
した際の以下において説明する周波数変化によって動作
周波数が変化し得るので、ここでは多数の動作周波数が
問題となる。
【００１０】高い動作周波数は、周波数発生器のスイッ
チング素子として、従来使用されていたバイポーラパワ
ートランジスタの代わりに、電界効果トランジスタ特に
ＭＯＳ−ＦＥＴのような高速トランジスタを使用するこ
とを必要とする。トランジスタ損失を許容可能な範囲内
に保持するために、バイポーラトランジスタは飽和領域
内で作動させられ、このことから比較的長い再結合相を
持ちバイポーラデバイスの特徴である電荷キャリヤの蓄
積が生じる。このような再結合相又は蓄積時間は周波数
の増大を妨げる。
チング素子として、従来使用されていたバイポーラパワ
ートランジスタの代わりに、電界効果トランジスタ特に
ＭＯＳ−ＦＥＴのような高速トランジスタを使用するこ
とを必要とする。トランジスタ損失を許容可能な範囲内
に保持するために、バイポーラトランジスタは飽和領域
内で作動させられ、このことから比較的長い再結合相を
持ちバイポーラデバイスの特徴である電荷キャリヤの蓄
積が生じる。このような再結合相又は蓄積時間は周波数
の増大を妨げる。
【００１１】このような欠点は電界効果トランジスタに
よって回避されるが、しかしながらこの電界効果トラン
ジスタは駆動のために明らかに高い電圧レベル（シリコ
ンバイポーラトランジスタの場合の０．７Ｖに対してＭ
ＯＳ−ＦＥＴの場合には約４Ｖ）を必要とする。さらに
この電圧レベルはユニポーラトランジスタの感じとれる
くらいの電荷キャリヤ蓄積がないので所望のスイッチオ
ン期間全体に亘って維持されなければならない。本発明
による実施態様によれば、必要なゲート電圧は、振動回
路を共振近辺で励振することによって作られた電圧増大
を電界効果トランジスタの駆動のために使用することに
よって形成される。ゲート電圧以上にならなければなら
ない電圧の必要な時間的長さは共振電圧の振幅によって
調整することができる。何故ならば、正弦波に近い電圧
振動は２つの零点通過の間の相応する比較的長い期間に
わたって振幅が比較的高い場合ゲート電圧の閾値以上に
なるからである。
よって回避されるが、しかしながらこの電界効果トラン
ジスタは駆動のために明らかに高い電圧レベル（シリコ
ンバイポーラトランジスタの場合の０．７Ｖに対してＭ
ＯＳ−ＦＥＴの場合には約４Ｖ）を必要とする。さらに
この電圧レベルはユニポーラトランジスタの感じとれる
くらいの電荷キャリヤ蓄積がないので所望のスイッチオ
ン期間全体に亘って維持されなければならない。本発明
による実施態様によれば、必要なゲート電圧は、振動回
路を共振近辺で励振することによって作られた電圧増大
を電界効果トランジスタの駆動のために使用することに
よって形成される。ゲート電圧以上にならなければなら
ない電圧の必要な時間的長さは共振電圧の振幅によって
調整することができる。何故ならば、正弦波に近い電圧
振動は２つの零点通過の間の相応する比較的長い期間に
わたって振幅が比較的高い場合ゲート電圧の閾値以上に
なるからである。
【００１２】本発明の他の実施態様は、例えば上述のゲ
ート駆動電圧を供給する振動回路を励振することのでき
るフェライトコア付き変圧器を駆動回路内で使用するこ
とである。その場合、ゲート正弦波電圧のひずみ及び不
所望な損失を回避するために、変圧器鉄心を非飽和領域
で作動させることが重要であることが判明している。そ
のひずみは本発明による回路システムの“ソフトな”即
ち正弦波に近い動作の妨げになる。その他に、ひずみは
ゲート駆動電圧に有害なひずみをもたらし、これがスイ
ッチオンパルスの持続時間に影響する。特に、飽和に伴
って現れるインダクタンスの減少によって零点通過間に
は不所望な“尖った”電圧波形が現れ、これがゲート駆
動電圧に伝達される。
ート駆動電圧を供給する振動回路を励振することのでき
るフェライトコア付き変圧器を駆動回路内で使用するこ
とである。その場合、ゲート正弦波電圧のひずみ及び不
所望な損失を回避するために、変圧器鉄心を非飽和領域
で作動させることが重要であることが判明している。そ
のひずみは本発明による回路システムの“ソフトな”即
ち正弦波に近い動作の妨げになる。その他に、ひずみは
ゲート駆動電圧に有害なひずみをもたらし、これがスイ
ッチオンパルスの持続時間に影響する。特に、飽和に伴
って現れるインダクタンスの減少によって零点通過間に
は不所望な“尖った”電圧波形が現れ、これがゲート駆
動電圧に伝達される。
【００１３】ゲート正弦波駆動の他の利点は、トランジ
スタのスイッチオフの直前に非常に小さなゲート電荷、
即ち僅かなエネルギーがトランジスタに蓄積され、これ
がドレイン電流を非常に早く減少させ、それによりスイ
ッチオフ損失が非常に小さくなる点である。
スタのスイッチオフの直前に非常に小さなゲート電荷、
即ち僅かなエネルギーがトランジスタに蓄積され、これ
がドレイン電流を非常に早く減少させ、それによりスイ
ッチオフ損失が非常に小さくなる点である。
【００１４】全体的に自由振動する共振近辺の回路シス
テムを得るために、駆動回路用のエネルギーを負荷回路
から取ることは有利である。電界効果トランジスタはバ
イポーラトランジスタに比べてむしろより電力の少ない
電圧駆動を必要とするので、本発明は他の実施態様では
例えばランプ電圧を取出すコンデンサによって電圧を負
荷回路から取出すことを考えている。このことによっ
て、高い動作周波数に起因して大きな負荷を与えられる
変圧器鉄心の重大な損失問題と、全負荷電流が一次コイ
ルに流れる通常の飽和変流器の場合のように大きな負荷
を与えられるので鉄心の寸法を大きくする必要が無くな
るという利点も得られる。
テムを得るために、駆動回路用のエネルギーを負荷回路
から取ることは有利である。電界効果トランジスタはバ
イポーラトランジスタに比べてむしろより電力の少ない
電圧駆動を必要とするので、本発明は他の実施態様では
例えばランプ電圧を取出すコンデンサによって電圧を負
荷回路から取出すことを考えている。このことによっ
て、高い動作周波数に起因して大きな負荷を与えられる
変圧器鉄心の重大な損失問題と、全負荷電流が一次コイ
ルに流れる通常の飽和変流器の場合のように大きな負荷
を与えられるので鉄心の寸法を大きくする必要が無くな
るという利点も得られる。
【００１５】負荷回路自体の配線に関しては、本発明に
よれば“直並列的な”構成を選定することが特に考えら
れる。これによって、直列振動回路は、振動回路の一部
分に並列に位置しランプに高周波電力を与えるコイルが
設けられた枝路と組合わされる。点弧前にこの並列部分
は少し減衰され、直列スイッチング回路は少し減衰した
直列振動回路用に特有に作られた共振電圧増大を必要な
点弧電圧の形成のために提供することができる。この点
弧電圧は並列部分を介して取出され、放電へ誘導的に与
えられる。点弧後、直列振動回路はプラズマ放電の変換
された抵抗によって強く減衰され、ランプ内の電流制限
に有利に役立つ。（このことは低圧放電ランプの負の微
分抵抗のために重要である。）
よれば“直並列的な”構成を選定することが特に考えら
れる。これによって、直列振動回路は、振動回路の一部
分に並列に位置しランプに高周波電力を与えるコイルが
設けられた枝路と組合わされる。点弧前にこの並列部分
は少し減衰され、直列スイッチング回路は少し減衰した
直列振動回路用に特有に作られた共振電圧増大を必要な
点弧電圧の形成のために提供することができる。この点
弧電圧は並列部分を介して取出され、放電へ誘導的に与
えられる。点弧後、直列振動回路はプラズマ放電の変換
された抵抗によって強く減衰され、ランプ内の電流制限
に有利に役立つ。（このことは低圧放電ランプの負の微
分抵抗のために重要である。）
【００１６】直列振動回路内の電流制限コイル（通常ラ
ンプチョークコイルと称される）は作動状態では並列な
ランプコイルに高周波的にほぼ並列接続される。とりわ
け電流制限コイルのインダクタンスがランプコイルのイ
ンダクタンスより小さい場合、上記直並列回路の等価イ
ンダクタンスへの従って直並列装置の共振周波数へのラ
ンプコイルインダクタンスの変動の影響は明らかに減少
する。
ンプチョークコイルと称される）は作動状態では並列な
ランプコイルに高周波的にほぼ並列接続される。とりわ
け電流制限コイルのインダクタンスがランプコイルのイ
ンダクタンスより小さい場合、上記直並列回路の等価イ
ンダクタンスへの従って直並列装置の共振周波数へのラ
ンプコイルインダクタンスの変動の影響は明らかに減少
する。
【００１７】このことは、例えば外気温度変動、ランプ
からの加熱等々によるランプコイル鉄心の温度変動が磁
気特性（初透磁率及び振幅透磁率）、従ってランプコイ
ルのインダクタンスへ非常に強く影響するので、利点と
なる。その結果生じた周波数離調はとりわけ固定周波数
駆動の場合作動上の問題を生じ得る。装置の共振周波数
は発生器の駆動周波数から遠く離れているので、例えば
ランプは特に低い又は特に高い温度の際にはもはや点弧
できないということが起こり得る。小さなインダクタン
スを有する電流制限コイルを直列振動回路に備えた上述
の並列回路効果によってそのことが防がれる。ランプコ
イル鉄心内の温度変動の影響は、このランプコイル鉄心
では結合係数のためにランプチョークコイルとは反対に
空隙のないフェライトコア、即ちマイクロメータ範囲の
出来るだけ小さな空隙を有する鉄心を使用しなければな
らないので、重要である。
からの加熱等々によるランプコイル鉄心の温度変動が磁
気特性（初透磁率及び振幅透磁率）、従ってランプコイ
ルのインダクタンスへ非常に強く影響するので、利点と
なる。その結果生じた周波数離調はとりわけ固定周波数
駆動の場合作動上の問題を生じ得る。装置の共振周波数
は発生器の駆動周波数から遠く離れているので、例えば
ランプは特に低い又は特に高い温度の際にはもはや点弧
できないということが起こり得る。小さなインダクタン
スを有する電流制限コイルを直列振動回路に備えた上述
の並列回路効果によってそのことが防がれる。ランプコ
イル鉄心内の温度変動の影響は、このランプコイル鉄心
では結合係数のためにランプチョークコイルとは反対に
空隙のないフェライトコア、即ちマイクロメータ範囲の
出来るだけ小さな空隙を有する鉄心を使用しなければな
らないので、重要である。
【００１８】さらに負荷回路、駆動回路及び周波数発生
器から成る装置全体は、この“フィードバックループ”
内への負荷回路内の周波数のずれを自動的に妨げるよう
に設計することができる。例えば異常に低いランプコイ
ル鉄心温度、従って非常に低いインダクタンスによっ
て、負荷回路の共振周波数が高くなる、即ち本発明によ
る自由振動回路システムの作動周波数全体が高くなる。
それに結びついた低圧放電ランプ内の高い誘導電圧によ
って、この種のランプの特徴である電力減少及び相応す
る高さの放電電圧が生じる。この高い放電電圧に相応し
て電力発生器のスイッチング変圧器のゲート制御電圧振
幅が直線的に増大し、この増大がスイッチングトランジ
スタの比較的長いスイッチオン時間を生ぜしめる。この
比較的長いスイッチオン時間は電力発生器の動作周波数
を低下させ、従ってランプ電力を相応して増大させる。
本発明による自由振動共振駆動の特徴であるシステム全
体の自己安定化作用が全体的に生じる。
器から成る装置全体は、この“フィードバックループ”
内への負荷回路内の周波数のずれを自動的に妨げるよう
に設計することができる。例えば異常に低いランプコイ
ル鉄心温度、従って非常に低いインダクタンスによっ
て、負荷回路の共振周波数が高くなる、即ち本発明によ
る自由振動回路システムの作動周波数全体が高くなる。
それに結びついた低圧放電ランプ内の高い誘導電圧によ
って、この種のランプの特徴である電力減少及び相応す
る高さの放電電圧が生じる。この高い放電電圧に相応し
て電力発生器のスイッチング変圧器のゲート制御電圧振
幅が直線的に増大し、この増大がスイッチングトランジ
スタの比較的長いスイッチオン時間を生ぜしめる。この
比較的長いスイッチオン時間は電力発生器の動作周波数
を低下させ、従ってランプ電力を相応して増大させる。
本発明による自由振動共振駆動の特徴であるシステム全
体の自己安定化作用が全体的に生じる。
【００１９】本発明の利点はパラメータ変動に対する回
路の大きな信頼性及び僅かな感応性だけにあるのではな
い。その他に大きな部品公差を許容することができ、こ
のことによって特にランプコイルの鉄心におけるコスト
上の利点が生ずる。
路の大きな信頼性及び僅かな感応性だけにあるのではな
い。その他に大きな部品公差を許容することができ、こ
のことによって特にランプコイルの鉄心におけるコスト
上の利点が生ずる。
【００２０】
【実施例】次に本発明を実施例に基づいて説明する。そ
の際付加的に説明する技術的に細かい点は個々にも又は
任意の組み合わせにおいても本発明とって重要である。
の際付加的に説明する技術的に細かい点は個々にも又は
任意の組み合わせにおいても本発明とって重要である。
【００２１】図１は無電極式低圧放電ランプの電子安定
器の一部分としての本発明による点灯回路を示す。左側
からこの回路の入力端に整流された供給電圧Ｕ0 が印加
され、この供給電圧Ｕ0 によって蓄積電解コンデンサＣ
０が充電される。この電解コンデンサから２つのＭＯＳ
−ＦＥＴスイッチング素子ＴＯ、ＴＵ及び中間接続点Ｍ
Ｐを備えた“Ｄ級”ハーフブリッジ式周波数発生器が給
電される。このハーフブリッジ式周波数発生器は、その
中間接続点と負の給電枝路（アース）との間に位置する
直流分離ないし高周波結合コンデンサＣＫ、電流制限及
び直列振動回路コイル（ランプチョークコイル）Ｌ２、
直列回路共振コンデンサＣＲ、このコンデンサに並列に
位置する結合コア付きランプコイルＬ１、回路の電力出
力部としてその結合コアに接続された無電極式低圧放電
ランプＥ等の順番に挙げた要素を備えた直並列負荷回路
を作動する。
器の一部分としての本発明による点灯回路を示す。左側
からこの回路の入力端に整流された供給電圧Ｕ0 が印加
され、この供給電圧Ｕ0 によって蓄積電解コンデンサＣ
０が充電される。この電解コンデンサから２つのＭＯＳ
−ＦＥＴスイッチング素子ＴＯ、ＴＵ及び中間接続点Ｍ
Ｐを備えた“Ｄ級”ハーフブリッジ式周波数発生器が給
電される。このハーフブリッジ式周波数発生器は、その
中間接続点と負の給電枝路（アース）との間に位置する
直流分離ないし高周波結合コンデンサＣＫ、電流制限及
び直列振動回路コイル（ランプチョークコイル）Ｌ２、
直列回路共振コンデンサＣＲ、このコンデンサに並列に
位置する結合コア付きランプコイルＬ１、回路の電力出
力部としてその結合コアに接続された無電極式低圧放電
ランプＥ等の順番に挙げた要素を備えた直並列負荷回路
を作動する。
【００２２】ランプコイル電圧ないし共振コンデンサ電
圧Ｕ1 （アースされた負の給電枝路）は“Ｄ級”ハーフ
ブリッジ式周波数発生器のための駆動回路の取出コンデ
ンサＣi によって取出され、フェライトコアＴＲ、一次
巻線ＬＰ及び２つの二次巻線ＬＳを備え直線的なＢ−Ｈ
磁界で、即ち飽和領域から遠く離れたところで動作する
変圧器に供給される。回路図における黒い点は変圧器Ｔ
Ｒの巻線の各巻線始端を表している。二次巻線は逆向き
に接続されている。変圧器は二次巻線ＬＳとＭＯＳ−Ｆ
ＥＴスイッチング素子ＴＯ又はＴＵの全ゲート容量ＣＧ
とからそれぞれ構成された２つの共振回路を励振する。
ゲート容量はトランジスタ固有のものであり、工学的・
物理的効果を減少させ、主として静的入力容量Ｃiss な
らびにゲート−ドレイン間の動的に変わるミラー容量を
含んでいる。
圧Ｕ1 （アースされた負の給電枝路）は“Ｄ級”ハーフ
ブリッジ式周波数発生器のための駆動回路の取出コンデ
ンサＣi によって取出され、フェライトコアＴＲ、一次
巻線ＬＰ及び２つの二次巻線ＬＳを備え直線的なＢ−Ｈ
磁界で、即ち飽和領域から遠く離れたところで動作する
変圧器に供給される。回路図における黒い点は変圧器Ｔ
Ｒの巻線の各巻線始端を表している。二次巻線は逆向き
に接続されている。変圧器は二次巻線ＬＳとＭＯＳ−Ｆ
ＥＴスイッチング素子ＴＯ又はＴＵの全ゲート容量ＣＧ
とからそれぞれ構成された２つの共振回路を励振する。
ゲート容量はトランジスタ固有のものであり、工学的・
物理的効果を減少させ、主として静的入力容量Ｃiss な
らびにゲート−ドレイン間の動的に変わるミラー容量を
含んでいる。
【００２３】取出コンデンサＣi 及び一次巻線ＬＰを備
えた駆動回路の取出枝路の同調のために、一次巻線ＬＰ
に並列に同調コンデンサＣＰが設けられている。同様に
振動回路はＭＯＳ−ＦＥＴゲート駆動のために二次巻線
ＬＳに並列に同調コンデンサＣＳを含んでいる。これら
の同調コンデンサはゲート容量より小さく、ゲート共振
周波数の微同調のためだけに使われる。これは上述した
他の容量及びインダクタンスの尺度となるように予め定
められる。
えた駆動回路の取出枝路の同調のために、一次巻線ＬＰ
に並列に同調コンデンサＣＰが設けられている。同様に
振動回路はＭＯＳ−ＦＥＴゲート駆動のために二次巻線
ＬＳに並列に同調コンデンサＣＳを含んでいる。これら
の同調コンデンサはゲート容量より小さく、ゲート共振
周波数の微同調のためだけに使われる。これは上述した
他の容量及びインダクタンスの尺度となるように予め定
められる。
【００２４】スイッチング特性、特にスイッチオフ損失
を改善するために、抵抗ＲＧ、ディプレッション形トラ
ンジスタＴ１及びダイオードＤ３が使われる。逆直列に
接続された保護用ツェナーダイオードＺはランプの点弧
中ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート電圧を制限する。さらにこの
回路は抵抗Ｒ１、コンデンサＣ１、ダイオードＤ２及び
ダイアックＤ１から形成された鋸歯状波発生器の形態で
周波数発生器のための通常の始動回路を含んでおり、こ
の鋸歯状波発生器は動作周波数で始動後ダイオードＤ２
によって消弧される。抵抗ＲＳはその鋸歯状波発生器に
よって電力発生器を始動する前に中間接続点ＭＰに規定
電位（正の供給電位）を予め与えるために使われる。
を改善するために、抵抗ＲＧ、ディプレッション形トラ
ンジスタＴ１及びダイオードＤ３が使われる。逆直列に
接続された保護用ツェナーダイオードＺはランプの点弧
中ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート電圧を制限する。さらにこの
回路は抵抗Ｒ１、コンデンサＣ１、ダイオードＤ２及び
ダイアックＤ１から形成された鋸歯状波発生器の形態で
周波数発生器のための通常の始動回路を含んでおり、こ
の鋸歯状波発生器は動作周波数で始動後ダイオードＤ２
によって消弧される。抵抗ＲＳはその鋸歯状波発生器に
よって電力発生器を始動する前に中間接続点ＭＰに規定
電位（正の供給電位）を予め与えるために使われる。
【００２５】コンデンサＣＴは“台形コンデンサ”とし
て知られており、ＭＯＳ−ＦＥＴスイッチング素子Ｔ
Ｏ、ＴＵのスイッチング状態が変化した際の中間接続点
ＭＰの電位跳躍の急峻度を制限する。
て知られており、ＭＯＳ−ＦＥＴスイッチング素子Ｔ
Ｏ、ＴＵのスイッチング状態が変化した際の中間接続点
ＭＰの電位跳躍の急峻度を制限する。
【００２６】この回路を設計するために重要なことは共
振周波数、従って点灯周波数の正しい同調である。負荷
回路では容量ＣＫ、ＣＲ及びインダクタンスＬ２、Ｌ１
が非減衰共振周波数ｆR を決定し、それに対して駆動回
路の容量ＣＰ、Ｃi 、ＣＳならびに動的ゲート容量ＣＧ
（図示されていない）及びインダクタンスＬＰ、ＬＳが
全共振周波数ｆD を決める。点灯周波数ｆO （ランプ放
電による減衰を持つ場合も持たない場合も同じ）は振動
系の結合によって減衰によりずらされて点灯中の周波数
ｆD とｆR との中間値として作られる。回路の作動及び
ランプの点灯のためにはランプを誘導性負荷として、即
ち電流が遅れるように点灯することが必要であるので、
周波数ｆD は周波数ｆR より大きく選定され、それによ
り動作周波数ｆO は如何なる場合でも負荷回路の共振周
波数以上になる。このことは負荷を与えられていない
（点弧前の）負荷回路に対してもまた負荷を与えられた
負荷回路に対しても同様に当てはまる。
振周波数、従って点灯周波数の正しい同調である。負荷
回路では容量ＣＫ、ＣＲ及びインダクタンスＬ２、Ｌ１
が非減衰共振周波数ｆR を決定し、それに対して駆動回
路の容量ＣＰ、Ｃi 、ＣＳならびに動的ゲート容量ＣＧ
（図示されていない）及びインダクタンスＬＰ、ＬＳが
全共振周波数ｆD を決める。点灯周波数ｆO （ランプ放
電による減衰を持つ場合も持たない場合も同じ）は振動
系の結合によって減衰によりずらされて点灯中の周波数
ｆD とｆR との中間値として作られる。回路の作動及び
ランプの点灯のためにはランプを誘導性負荷として、即
ち電流が遅れるように点灯することが必要であるので、
周波数ｆD は周波数ｆR より大きく選定され、それによ
り動作周波数ｆO は如何なる場合でも負荷回路の共振周
波数以上になる。このことは負荷を与えられていない
（点弧前の）負荷回路に対してもまた負荷を与えられた
負荷回路に対しても同様に当てはまる。
【００２７】９５％以上の最適効率を可能にするような
回路システムの出来るだけ正弦波に近い（“ソフト
な”）全振動を達成するために、周波数ｆD 、ｆO 、ｆ
R をそれぞれ数パーセントだけ異ならせることが望まれ
ている。しかしながら、相違が小さすぎると特に電力発
生器の始動中ハーフブリッジを容量性作動（このことは
本来望まれていない）する危険が含まれる。
回路システムの出来るだけ正弦波に近い（“ソフト
な”）全振動を達成するために、周波数ｆD 、ｆO 、ｆ
R をそれぞれ数パーセントだけ異ならせることが望まれ
ている。しかしながら、相違が小さすぎると特に電力発
生器の始動中ハーフブリッジを容量性作動（このことは
本来望まれていない）する危険が含まれる。
【００２８】所望の動作周波数に応じて、変圧器ＴＲの
環状鉄心（トロイド）は、変圧器が非飽和領域で動作す
ることができしかも約０．３Ｗ／ｃｍ3 の鉄心損失限界
を出来るだけ越えないように横断面を設計しなければな
らない。
環状鉄心（トロイド）は、変圧器が非飽和領域で動作す
ることができしかも約０．３Ｗ／ｃｍ3 の鉄心損失限界
を出来るだけ越えないように横断面を設計しなければな
らない。
【００２９】負荷回路の直並列構成（装置）は主として
次の特色を有する。点弧前に直並列構成が主としてラン
プコイルＬ１の鉄心損失のみによって減衰され、それゆ
え僅かに負荷を与えられた共振回路は点弧のために増大
させた高い共振近辺の電圧を提供する。その際、電圧の
約２．５乗で上昇するランプコイルＬ１内の鉄心磁気損
失が基本的に制限的に作用する。発生器は制御された電
圧源として振る舞う。ランプの点弧電圧を上回ると、
（Ｌ１を持つ）負荷回路の並列部分はランプコイルＬ１
の巻線によって変換されたプラズマ放電の実効抵抗を負
荷として与えられ（Ｒ１＝Ｎ2 ・ＲＥ）、点灯周波数が
高くなり、インダクタンスＬ２は電流制限ランプチョー
クコイルとして働き、それにより発生器は再び制御され
た電流源として振る舞う。その際安定な点灯は、発生器
電流源の全交流電流抵抗が（Ｌ２によって決定されて）
ランプ特性線の負の微分抵抗より常に大きいことを前提
とする。
次の特色を有する。点弧前に直並列構成が主としてラン
プコイルＬ１の鉄心損失のみによって減衰され、それゆ
え僅かに負荷を与えられた共振回路は点弧のために増大
させた高い共振近辺の電圧を提供する。その際、電圧の
約２．５乗で上昇するランプコイルＬ１内の鉄心磁気損
失が基本的に制限的に作用する。発生器は制御された電
圧源として振る舞う。ランプの点弧電圧を上回ると、
（Ｌ１を持つ）負荷回路の並列部分はランプコイルＬ１
の巻線によって変換されたプラズマ放電の実効抵抗を負
荷として与えられ（Ｒ１＝Ｎ2 ・ＲＥ）、点灯周波数が
高くなり、インダクタンスＬ２は電流制限ランプチョー
クコイルとして働き、それにより発生器は再び制御され
た電流源として振る舞う。その際安定な点灯は、発生器
電流源の全交流電流抵抗が（Ｌ２によって決定されて）
ランプ特性線の負の微分抵抗より常に大きいことを前提
とする。
【００３０】図２は周波数発生器の中間接続点での電圧
ＵMP、負荷回路電流ＩL2及び下側（ｎチャネル）ＭＯＳ
−ＦＥＴＴＵのゲート電圧ＵGateの時間特性線を概略的
に示す。中間接続点ＭＰの電位は正の給電枝路の電位と
負の給電枝路の電位とに交互になる。その際、両ＭＯＳ
−ＦＥＴに並列に接続された台形コンデンサＣＴによっ
て決定された移行時間ｔT が尺度として発生する。この
移行時間は知られているように一方では電磁的適合性を
改善するために設けられ、他方ではスイッチング損失を
最少にするために設けられている。過度に高速に増大す
るドレイン−ソース間電圧は任意に高速に減少しないド
レイン電流と強くオーバーラップし（“クロスオーバ
ー”）、これからスイッチオフ電力損失が生ずる。台形
コンデンサの両機能は、同じ働きをする他の回路要素に
よって置換することもできるが、本発明による回路の動
作周波数を高める際非常に重要である。
ＵMP、負荷回路電流ＩL2及び下側（ｎチャネル）ＭＯＳ
−ＦＥＴＴＵのゲート電圧ＵGateの時間特性線を概略的
に示す。中間接続点ＭＰの電位は正の給電枝路の電位と
負の給電枝路の電位とに交互になる。その際、両ＭＯＳ
−ＦＥＴに並列に接続された台形コンデンサＣＴによっ
て決定された移行時間ｔT が尺度として発生する。この
移行時間は知られているように一方では電磁的適合性を
改善するために設けられ、他方ではスイッチング損失を
最少にするために設けられている。過度に高速に増大す
るドレイン−ソース間電圧は任意に高速に減少しないド
レイン電流と強くオーバーラップし（“クロスオーバ
ー”）、これからスイッチオフ電力損失が生ずる。台形
コンデンサの両機能は、同じ働きをする他の回路要素に
よって置換することもできるが、本発明による回路の動
作周波数を高める際非常に重要である。
【００３１】内在ボディダイオードを含むＭＯＳ−ＦＥ
Ｔの導通状態は、一方では一番下の特性線においてゲー
ト電圧がＭＯＳ−ＦＥＴの閾値電圧Ｕthr の下に位置す
る位相から構成され、他方では閾値電圧Ｕthr の上に位
置してトランジスタが導通する位相から構成される。こ
の時間範囲では負荷回路電流ＩL2は（負荷回路インピー
ダンスによって与えられた時定数でもって）単調に増大
しながら流れる。しかしながら、装置の共振フィルタ作
用によって、その装置内に含まれた高調波振動は主とし
て図２に示された電流正弦波の基本波が支配的になるよ
うな強さの相対的減衰を生ずる。
Ｔの導通状態は、一方では一番下の特性線においてゲー
ト電圧がＭＯＳ−ＦＥＴの閾値電圧Ｕthr の下に位置す
る位相から構成され、他方では閾値電圧Ｕthr の上に位
置してトランジスタが導通する位相から構成される。こ
の時間範囲では負荷回路電流ＩL2は（負荷回路インピー
ダンスによって与えられた時定数でもって）単調に増大
しながら流れる。しかしながら、装置の共振フィルタ作
用によって、その装置内に含まれた高調波振動は主とし
て図２に示された電流正弦波の基本波が支配的になるよ
うな強さの相対的減衰を生ずる。
【００３２】ＭＯＳ−ＦＥＴを通る電流の流れは今述べ
た位相の前に、即ち閾値電圧Ｕthrに到達する前にＭＯ
Ｓ−ＦＥＴのいわゆる“ボディダイオード”を通る逆向
きの電流の流れによって始まる。これによって中央の特
性線に記入された時間的に前に位置する逆向き電流が流
れる。この電流は下側トランジスタに対してはＩDU、上
側トランジスタに対してはＩDOを付されている。チャネ
ルが導通した際の本来のトランジスタ電流はＩTU、ＩTO
を付されている。
た位相の前に、即ち閾値電圧Ｕthrに到達する前にＭＯ
Ｓ−ＦＥＴのいわゆる“ボディダイオード”を通る逆向
きの電流の流れによって始まる。これによって中央の特
性線に記入された時間的に前に位置する逆向き電流が流
れる。この電流は下側トランジスタに対してはＩDU、上
側トランジスタに対してはＩDOを付されている。チャネ
ルが導通した際の本来のトランジスタ電流はＩTU、ＩTO
を付されている。
【００３３】切換位相ｔT の期間中、全部を合わせて正
弦波に近くなる電流の“不足分”は台形コンデンサ及び
トランジスタの出力容量ＣOSS 内へ流れる。
弦波に近くなる電流の“不足分”は台形コンデンサ及び
トランジスタの出力容量ＣOSS 内へ流れる。
【００３４】回路の機能を果たすために重要なことはト
ランジスタのチャネルが導通すること、即ち負荷電流Ｉ
L2が符号を変える前に閾値電圧Ｕthr に到達することで
ある。何故ならば、ボディダイオードは零点通過後の符
号反転した電流を阻止するからである。
ランジスタのチャネルが導通すること、即ち負荷電流Ｉ
L2が符号を変える前に閾値電圧Ｕthr に到達することで
ある。何故ならば、ボディダイオードは零点通過後の符
号反転した電流を阻止するからである。
【００３５】回路は上手く設計されている場合−３５℃
〜＋５０℃の外気温度、−３５℃〜＋１２５℃の部品温
度に適し、５０〜４５０Ｖの整流された供給電圧で作動
することができ、２０〜１０００Ｗの電力用に設計する
ことができる。動作周波数は１００ｋＨｚ〜３ＭＨＺで
ある。上記の値は一時的な実験による結果を示し、決し
てこの値に制限されるものではないと理解するべきであ
る。
〜＋５０℃の外気温度、−３５℃〜＋１２５℃の部品温
度に適し、５０〜４５０Ｖの整流された供給電圧で作動
することができ、２０〜１０００Ｗの電力用に設計する
ことができる。動作周波数は１００ｋＨｚ〜３ＭＨＺで
ある。上記の値は一時的な実験による結果を示し、決し
てこの値に制限されるものではないと理解するべきであ
る。
【００３６】図示の例ではランプコイルＬ1 とランプＥ
との間には１つのフェライトカプラ（コイル環状鉄心）
しか示されていない。ランプの電力が非常に高い場合
（５００〜１０００Ｗ）点弧の問題が発生し、放電幾何
形状が大きいか又はその他の点で問題がある場合均一性
の問題が起こる。このような場合複数のフェライトカプ
ラ、即ち複数のランプコイルが有効である。勿論、１つ
の電力発生器から給電される複数のランプも考えられ
る。
との間には１つのフェライトカプラ（コイル環状鉄心）
しか示されていない。ランプの電力が非常に高い場合
（５００〜１０００Ｗ）点弧の問題が発生し、放電幾何
形状が大きいか又はその他の点で問題がある場合均一性
の問題が起こる。このような場合複数のフェライトカプ
ラ、即ち複数のランプコイルが有効である。勿論、１つ
の電力発生器から給電される複数のランプも考えられ
る。
【００３７】複数のランプコイル及びフェライトカプラ
の場合原理的に直列接続又は並列接続が可能である。し
かしながら、特に高電力の場合には並列接続が好まし
い。インダクタンス、電流、電圧には公知の計算法則が
当てはまる。カプラのインダクタンスは出来るだけ等し
くなければならない。
の場合原理的に直列接続又は並列接続が可能である。し
かしながら、特に高電力の場合には並列接続が好まし
い。インダクタンス、電流、電圧には公知の計算法則が
当てはまる。カプラのインダクタンスは出来るだけ等し
くなければならない。
【００３８】磁化電流を減少させるためにはランプコイ
ルＬ１のインダクタンスを出来るだけ高くすることも重
要である。このためには高透磁率を有しかつ初透磁率な
らびに振幅透磁率の変化の少ないフェライト材料が使用
されなければならず、しかも最小空隙及び高いパーミア
ンス係数を有するフェライト材料が適用されなければな
らない（冒頭で述べた負荷回路離調を惹き起こし得る透
磁率の温度依存性がとりわけ重要である）。
ルＬ１のインダクタンスを出来るだけ高くすることも重
要である。このためには高透磁率を有しかつ初透磁率な
らびに振幅透磁率の変化の少ないフェライト材料が使用
されなければならず、しかも最小空隙及び高いパーミア
ンス係数を有するフェライト材料が適用されなければな
らない（冒頭で述べた負荷回路離調を惹き起こし得る透
磁率の温度依存性がとりわけ重要である）。
【００３９】フェライトカプラＬ１の磁化電流の減少は
図１に記入されているようにカプラ電圧Ｕ1 とカプラ電
流Ｉ1 との間の位相角φに非常に有利に作用する。この
位相角φが小さい場合ｃｏｓφが大きくなり、放電に与
えられる有効電力Ｐ1 ＝Ｕ1Ｉ1 ｃｏｓφが高くなる。
φが１０〜１５°であり、その結果ｃｏｓφが０．９５
以上になる場合、或る一定の電力Ｐ1 の際には電流Ｉ1
を減少させることができることは明らかである。この小
さな電流Ｉ1 は負荷電流ＩL2を小さくし、電力発生器全
体内にこれによって生ぜしめられた小さな電流はシステ
ム全体の損失を小さくしかつ効率を高くする。
図１に記入されているようにカプラ電圧Ｕ1 とカプラ電
流Ｉ1 との間の位相角φに非常に有利に作用する。この
位相角φが小さい場合ｃｏｓφが大きくなり、放電に与
えられる有効電力Ｐ1 ＝Ｕ1Ｉ1 ｃｏｓφが高くなる。
φが１０〜１５°であり、その結果ｃｏｓφが０．９５
以上になる場合、或る一定の電力Ｐ1 の際には電流Ｉ1
を減少させることができることは明らかである。この小
さな電流Ｉ1 は負荷電流ＩL2を小さくし、電力発生器全
体内にこれによって生ぜしめられた小さな電流はシステ
ム全体の損失を小さくしかつ効率を高くする。
【００４０】カプラの磁性材料は所望の周波数範囲にお
いては予想した鉄心温度（約１００〜１２０℃）の際に
６０ｍＷ／ｃｍ3 以上の固有損失を発生しないように選
定されなければならない。高いインダクタンスを有する
が漏れインダクタンスの少ない閉ループ磁気回路は雑音
防止及びシステム皮相電力の減少に役立つ。
いては予想した鉄心温度（約１００〜１２０℃）の際に
６０ｍＷ／ｃｍ3 以上の固有損失を発生しないように選
定されなければならない。高いインダクタンスを有する
が漏れインダクタンスの少ない閉ループ磁気回路は雑音
防止及びシステム皮相電力の減少に役立つ。
【００４１】上記の固有フェライト損失、カプラーコイ
ルの適当な選定、ならびに出力値Ｕ1 、Ｉ1 、ｃｏｓφ
を用いて、９８〜９９％の非常に高いエネルギー伝達効
率が達成され、フェライトカプラー内の損失は全伝送電
力の１〜２％に過ぎない。
ルの適当な選定、ならびに出力値Ｕ1 、Ｉ1 、ｃｏｓφ
を用いて、９８〜９９％の非常に高いエネルギー伝達効
率が達成され、フェライトカプラー内の損失は全伝送電
力の１〜２％に過ぎない。
【図１】本発明の実施例を示す回路図。
【図２】本発明の実施例の動作態様を容易に理解するた
めの時間ダイアグラム。
めの時間ダイアグラム。
ＴＯ、ＴＵ ＭＯＳ−ＦＥＴスイッチング素子 ＭＰ 中間接続点 Ｃ０ 蓄積電解コンデンサ ＣＴ コンデンサ ＣＫ 直流分離もしくは高周波結合コンデンサ ＣＲ 直列回路共振コンデンサ Ｃｉ 取出コンデンサ ＣＰ、ＣＳ 同調コンデンサ Ｌ１ ランプコイル Ｌ２ 電流制限及び直列振動回路コイル（ランプチョー
クコイル） ＴＲ フェライトコア ＬＰ 一次巻線 ＬＳ 二次巻線 Ｔ１ ディプレッション形トランジスタ Ｚ 保護用ツェナーダイオード Ｄ１ ダイアック Ｄ２、Ｄ３ ダイオード Ｒ１、ＲＳ、ＲＧ 抵抗 Ｅ 無電極形低圧放電ランプ
クコイル） ＴＲ フェライトコア ＬＰ 一次巻線 ＬＳ 二次巻線 Ｔ１ ディプレッション形トランジスタ Ｚ 保護用ツェナーダイオード Ｄ１ ダイアック Ｄ２、Ｄ３ ダイオード Ｒ１、ＲＳ、ＲＧ 抵抗 Ｅ 無電極形低圧放電ランプ
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Claims (9)
- 【請求項１】 ランプに高周波電力を与える負荷回路
（ＣＫ、ＣＲ、Ｌ１、Ｌ２）と、この負荷回路を作動す
るための周波数発生器（Ｃ０、ＴＯ、ＴＵ）と、この周
波数発生器を駆動するための駆動回路（Ｃｉ、ＣＰ、Ｃ
Ｓ、ＬＰ、ＬＳ、ＴＲ）とを備えた低圧放電ランプの点
灯回路において、回路は無電極式低圧放電ランプ（Ｅ）
を点灯するために設計され、ランプを備えた負荷回路と
駆動回路とを含み自由振動にて共振近辺で動作する回路
シスシムを有することを特徴とする低圧放電ランプの点
灯回路。 - 【請求項２】 ７０ｋＨｚ以上の動作周波数を持つこと
を特徴とする請求項１記載の回路。 - 【請求項３】 駆動回路（Ｃｉ、ＣＰ、ＣＳ、ＬＰ、Ｌ
Ｓ、ＴＲ）は、周波数発生器（Ｃ０、ＴＯ、ＴＵ）の電
界効果トランジスタ（ＴＯ、ＴＵ）の少なくとも１つの
ゲートを駆動するために必要な電圧を、共振電圧を増大
させることによって形成するように設計されていること
を特徴とする請求項１又は２記載の回路。 - 【請求項４】 駆動回路（Ｃｉ、ＣＰ、ＣＳ、ＬＰ、Ｌ
Ｓ、ＴＲ）は、作動状態では直線的なＢ−Ｈ駆動磁界
で、即ち非飽和領域で動作するように設計されたフェラ
イトコア（ＴＲ）付き変圧器（ＬＰ、ＬＳ、ＴＲ）を有
することを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の回
路。 - 【請求項５】 変圧器（ＬＰ、ＬＳ、ＴＲ）は共振電圧
を増大させるために共振回路（ＬＳ、ＣＳ）に接続され
ていることを特徴とする請求項３又は４記載の回路。 - 【請求項６】 駆動回路（Ｃｉ、ＣＰ、ＣＳ、ＬＰ、Ｌ
Ｓ、ＴＲ）は、負荷回路（ＣＫ、ＣＲ、Ｌ１、Ｌ２）か
ら電圧を取出し駆動回路を電圧によって駆動するように
設計された装置（Ｃｉ）を有することを特徴とする請求
項１乃至５の１つに記載の回路。 - 【請求項７】 負荷回路（ＣＫ、ＣＲ、Ｌ１、Ｌ２）は
直列振動回路（ＣＫ、ＣＲ、Ｌ２）とこの振動回路の一
部（ＣＲ）に並列に位置しランプ（Ｅ）に高周波電力を
与えるコイル（Ｌ１）を備えた枝路とを有し、その場合
共振コンデンサ（ＣＲ）はコイル（Ｌ１）と共に並列振
動回路（Ｌ１、ＣＲ）を形成し、両振動回路に所属する
ことを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の回路。 - 【請求項８】 直列振動回路（ＣＫ、ＣＲ、Ｌ２）は、
作動状態では主としてランプ（Ｅ）に高周波電力を与え
るコイル（Ｌ１）に対して高周波的に並列に接続される
電流制限コイル（Ｌ２）を含み、この電流制限コイル
（Ｌ２）のインダクタンスはランプ（Ｅ）に高周波電力
を与えるコイル（Ｌ１）のインダクタンスより小さいこ
とを特徴とする請求項７記載の回路。 - 【請求項９】 周波数発生器（Ｃ０、ＴＯ、ＴＵ）はハ
ーフブリッジ式、フルブリッジ式又は１トランジスタ式
周波数発生器として構成されていることを特徴とする請
求項１記載の回路。
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