JPH10172960A - アッシング方法 - Google Patents
アッシング方法Info
- Publication number
- JPH10172960A JPH10172960A JP8332014A JP33201496A JPH10172960A JP H10172960 A JPH10172960 A JP H10172960A JP 8332014 A JP8332014 A JP 8332014A JP 33201496 A JP33201496 A JP 33201496A JP H10172960 A JPH10172960 A JP H10172960A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ashing
- electrode
- gas containing
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト膜現像後のスカム５等の有機物残渣
を、被処理基板上から均一性よく除去するアッシング方
法を提供する。 【解決手段】 平行平板型プラズマアッシング装置の電
極間距離Ｇｐ、ガスの処理圧力を所定範囲内に設定して
アッシングを施す。 【効果】 低エッチングレートでの高均一性アッシング
が可能となる。このため、レジストパターン４の膜減り
がなくなり、下地の被エッチング層１のエッチングにお
けるパターン変換差が防止される。
を、被処理基板上から均一性よく除去するアッシング方
法を提供する。 【解決手段】 平行平板型プラズマアッシング装置の電
極間距離Ｇｐ、ガスの処理圧力を所定範囲内に設定して
アッシングを施す。 【効果】 低エッチングレートでの高均一性アッシング
が可能となる。このため、レジストパターン４の膜減り
がなくなり、下地の被エッチング層１のエッチングにお
けるパターン変換差が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程等に用いられるアッシング方法に関し、さらに詳し
くは、レジストマスク等の有機物層を現像処理等により
パターニングした後の有機物残渣、いわゆるスカムを高
精度に除去するアッシング方法に関する。
工程等に用いられるアッシング方法に関し、さらに詳し
くは、レジストマスク等の有機物層を現像処理等により
パターニングした後の有機物残渣、いわゆるスカムを高
精度に除去するアッシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の製造工程におい
ては、電極配線材料や層間絶縁膜等のエッチングに際し
て、これらの被エッチング層上にレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをエッチングマスクとし
て、下地の被エッチング層をエッチングすることがおこ
なわれる。レジストパターンの形成は、通常被エッチン
グ層上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜に選択的
にＵＶ光等を照射して露光し、現像液によりパターニン
グする。露光部分のレジスト膜が除去されるのがポジ型
レジスト、非露光部分のレジスト膜が除去されるのがネ
ガ型レジストである。
ては、電極配線材料や層間絶縁膜等のエッチングに際し
て、これらの被エッチング層上にレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをエッチングマスクとし
て、下地の被エッチング層をエッチングすることがおこ
なわれる。レジストパターンの形成は、通常被エッチン
グ層上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜に選択的
にＵＶ光等を照射して露光し、現像液によりパターニン
グする。露光部分のレジスト膜が除去されるのがポジ型
レジスト、非露光部分のレジスト膜が除去されるのがネ
ガ型レジストである。
【０００３】レジスト膜の現像にあたっては、選択的に
露光された形状にしたがって、忠実にパターニングされ
るのが望ましいが、現実にはレジスト膜が除去された抜
き部には、スカム（ｓｃｕｍ）と称されるレジスト残渣
が残る場合が多い。スカムの原因は、露光強度のアンバ
ラアンスや、下地の被エッチング層とレジスト膜との相
互作用等が指摘されている。このスカムにもとづく問題
点を図５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
露光された形状にしたがって、忠実にパターニングされ
るのが望ましいが、現実にはレジスト膜が除去された抜
き部には、スカム（ｓｃｕｍ）と称されるレジスト残渣
が残る場合が多い。スカムの原因は、露光強度のアンバ
ラアンスや、下地の被エッチング層とレジスト膜との相
互作用等が指摘されている。このスカムにもとづく問題
点を図５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【０００４】被エッチング層１上に例えばポジ型のレジ
スト膜２を塗布形成し、ステッパ等により露光光３を選
択的に照射する（図５（ａ））。現像液により現像し、
露光光３の照射部分を溶出して開口幅ａのレジストパタ
ーン４を形成する。レジストパターン４間には現像残渣
であるスカム５が残存する（図５（ｂ））。このレジス
トパターン４をエッチングマスクとして被エッチング層
１をエッチングすると、被エッチング層の特に底部のス
ペース幅ｂは所望とするスペース幅ａより狭くなり、ス
カム５に起因する負のパターン変換差ｂ−ａが発生する
（図５（ｃ））。
スト膜２を塗布形成し、ステッパ等により露光光３を選
択的に照射する（図５（ａ））。現像液により現像し、
露光光３の照射部分を溶出して開口幅ａのレジストパタ
ーン４を形成する。レジストパターン４間には現像残渣
であるスカム５が残存する（図５（ｂ））。このレジス
トパターン４をエッチングマスクとして被エッチング層
１をエッチングすると、被エッチング層の特に底部のス
ペース幅ｂは所望とするスペース幅ａより狭くなり、ス
カム５に起因する負のパターン変換差ｂ−ａが発生する
（図５（ｃ））。
【０００５】かかるパターン変換差を避けるため、デス
カム（ｄｅｓｃｕｍ）と呼ばれるステップが挿入される
場合がある。このデスカムにおける問題点を図６（ａ）
〜（ｃ）を参照して説明する。図６（ａ）に示すレジス
ト膜現像後のスカム５を除去する場合、普通ダウンフロ
ー方式のマイクロ波プラズマアッシング装置により施さ
れる。しかし、通常のアッシング条件ではアッシングレ
ートが１０００ｎｍ〜５０００ｎｍ／分と高く、デスカ
ム時間の設定が困難で、スカム５と同時にレジストパタ
ーン４も膜減り、あるいは後退して、所望とした開口幅
ａは開口幅ｃと広くなる（図６（ｂ）。このレジストパ
ターン４をエッチングマスクとして被エッチング層１を
エッチングすると、被エッチング層１のスペース幅ｃは
所望とするスペース幅ａより広くなり、パターン変換差
ｃ−ａが発生する（図６（ｃ））。
カム（ｄｅｓｃｕｍ）と呼ばれるステップが挿入される
場合がある。このデスカムにおける問題点を図６（ａ）
〜（ｃ）を参照して説明する。図６（ａ）に示すレジス
ト膜現像後のスカム５を除去する場合、普通ダウンフロ
ー方式のマイクロ波プラズマアッシング装置により施さ
れる。しかし、通常のアッシング条件ではアッシングレ
ートが１０００ｎｍ〜５０００ｎｍ／分と高く、デスカ
ム時間の設定が困難で、スカム５と同時にレジストパタ
ーン４も膜減り、あるいは後退して、所望とした開口幅
ａは開口幅ｃと広くなる（図６（ｂ）。このレジストパ
ターン４をエッチングマスクとして被エッチング層１を
エッチングすると、被エッチング層１のスペース幅ｃは
所望とするスペース幅ａより広くなり、パターン変換差
ｃ−ａが発生する（図６（ｃ））。
【０００６】このため、マイクロ波プラズマアッシング
装置のアッシングレートを抑えたアッシング条件でデス
カムをおこなうが、この場合にもアッシングレートの均
一性は±４．５〜６．０％程度と良くなく、改善が望ま
れる。マイクロ波プラズマアッシング装置による従来の
デスカム条件の一例を下記に示す。 Ｏ2 ４０〜６０ ｓｃｃｍ 圧力 １００〜２００ Ｐａ マイクロ波パワー４００〜１０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 １１０〜１３０ ℃ アッシングレート ６０〜９０ ｎｍ／分 アッシングレートの被処理基板面内均一性 ±４〜６ ％
装置のアッシングレートを抑えたアッシング条件でデス
カムをおこなうが、この場合にもアッシングレートの均
一性は±４．５〜６．０％程度と良くなく、改善が望ま
れる。マイクロ波プラズマアッシング装置による従来の
デスカム条件の一例を下記に示す。 Ｏ2 ４０〜６０ ｓｃｃｍ 圧力 １００〜２００ Ｐａ マイクロ波パワー４００〜１０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 １１０〜１３０ ℃ アッシングレート ６０〜９０ ｎｍ／分 アッシングレートの被処理基板面内均一性 ±４〜６ ％
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した従来
技術の諸問題点に鑑みて提案するものである。すなわち
本発明の課題は、レジスト膜現像後のスカム等の有機物
残渣を、パターン変換差等を発生することなく、均一性
よく除去するアッシング方法を提供することである。
技術の諸問題点に鑑みて提案するものである。すなわち
本発明の課題は、レジスト膜現像後のスカム等の有機物
残渣を、パターン変換差等を発生することなく、均一性
よく除去するアッシング方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のアッシング方法
は上述の課題を解決するために提案するものであり、表
面に有機物残渣を有する被処理基板のアッシング方法に
おいて、前記被処理基板を、電極間距離が７ｍｍ以上１
３ｍｍ以下の平行平板型プラズマアッシング装置の基板
ステージ上にセッティングし、酸素を含むガスによりプ
ラズマアッシングすることを特徴とする。
は上述の課題を解決するために提案するものであり、表
面に有機物残渣を有する被処理基板のアッシング方法に
おいて、前記被処理基板を、電極間距離が７ｍｍ以上１
３ｍｍ以下の平行平板型プラズマアッシング装置の基板
ステージ上にセッティングし、酸素を含むガスによりプ
ラズマアッシングすることを特徴とする。
【０００９】このとき、酸素を含むガスの圧力を１５０
Ｐａ以上２５０Ｐａ以下に制御することが望ましい。有
機物残渣としては、レジストパターンを現像処理後に、
このレジストパターン間に残存するスカム等を除去する
際に好適に適用することができる。本発明のアッシング
方法においては、有機物残渣を除去するとともに、下地
の被処理基板表面の親水性処理を施すことができる。
Ｐａ以上２５０Ｐａ以下に制御することが望ましい。有
機物残渣としては、レジストパターンを現像処理後に、
このレジストパターン間に残存するスカム等を除去する
際に好適に適用することができる。本発明のアッシング
方法においては、有機物残渣を除去するとともに、下地
の被処理基板表面の親水性処理を施すことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施形態例
につき添付図面を参照して説明する。図１は本発明のア
ッシング方法に適用される平行平板型プラズマアッシン
グ装置の一構成例を示す概略断面図である。被処理基板
１１は基板ステージ１２上に載置され、ヒータ等の加熱
手段１３により所望の温度に加熱制御される。この基板
ステージ１２は接地電位とされている。基板ステージ１
２に対向して、ブロッキングコンデンサを介してＲＦ電
源１５に接続された対向電極１４が配設されており、い
わゆるアノードカップル方式の平行平板型エッチング装
置の構成となっている。対向電極１４はガスシャワーヘ
ッドを兼ねており、被処理基板１１に酸素を含むガスを
均一に供給することができる。酸素を含むガスは別途設
けたガスノズルから供給してもよい。基板ステージ１
２、対向電極１４等はチャンバ１６内に収容され、不図
示の真空ポンプおよび圧力制御手段により所望の圧力に
制御される。
につき添付図面を参照して説明する。図１は本発明のア
ッシング方法に適用される平行平板型プラズマアッシン
グ装置の一構成例を示す概略断面図である。被処理基板
１１は基板ステージ１２上に載置され、ヒータ等の加熱
手段１３により所望の温度に加熱制御される。この基板
ステージ１２は接地電位とされている。基板ステージ１
２に対向して、ブロッキングコンデンサを介してＲＦ電
源１５に接続された対向電極１４が配設されており、い
わゆるアノードカップル方式の平行平板型エッチング装
置の構成となっている。対向電極１４はガスシャワーヘ
ッドを兼ねており、被処理基板１１に酸素を含むガスを
均一に供給することができる。酸素を含むガスは別途設
けたガスノズルから供給してもよい。基板ステージ１
２、対向電極１４等はチャンバ１６内に収容され、不図
示の真空ポンプおよび圧力制御手段により所望の圧力に
制御される。
【００１１】この平行平板型プラズマアッシング装置の
特徴は、基板ステージ１２と対向電極１４との電極間距
離Ｇｐであり、Ｇｐ＝１０±３ｍｍの範囲に固定あるい
は微調整可能になっている。電極間距離Ｇｐの調整手段
は図示を省略するが、油圧、空圧等の流体シリンダや、
ギア等による機械的方法等のいずれであってもよい。な
お図１では被処理基板１１の搬入出手段やガス圧力制御
手段等の装置細部の図示は省略する。
特徴は、基板ステージ１２と対向電極１４との電極間距
離Ｇｐであり、Ｇｐ＝１０±３ｍｍの範囲に固定あるい
は微調整可能になっている。電極間距離Ｇｐの調整手段
は図示を省略するが、油圧、空圧等の流体シリンダや、
ギア等による機械的方法等のいずれであってもよい。な
お図１では被処理基板１１の搬入出手段やガス圧力制御
手段等の装置細部の図示は省略する。
【００１２】つぎに図１に示した平行平板型プラズマア
ッシング装置による、スカムのアッシング方法を図２
（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
ッシング装置による、スカムのアッシング方法を図２
（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００１３】まず図２（ａ）に示すように、被エッチン
グ層１をその表面に有する被処理基板、例えば口径６イ
ンチのウェハ上にポジ型のレジスト膜２を塗布形成し、
露光光３として例えばｉ線（３６５ｎｍ）により選択的
に露光する。被エッチング層１の材料は特に限定されな
いが、例えばＳｉＯ2 や多結晶シリコン等が挙げられ
る。
グ層１をその表面に有する被処理基板、例えば口径６イ
ンチのウェハ上にポジ型のレジスト膜２を塗布形成し、
露光光３として例えばｉ線（３６５ｎｍ）により選択的
に露光する。被エッチング層１の材料は特に限定されな
いが、例えばＳｉＯ2 や多結晶シリコン等が挙げられ
る。
【００１４】ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂ
ａｋｉｎｇ）後、現像液により現像して開口幅ａのレジ
ストパターン４を形成する。レジストパターン４底部の
被エッチング層１表面には、スカム５が残存している
（図２（ｂ））。このステップ迄は常法により施してよ
い。
ａｋｉｎｇ）後、現像液により現像して開口幅ａのレジ
ストパターン４を形成する。レジストパターン４底部の
被エッチング層１表面には、スカム５が残存している
（図２（ｂ））。このステップ迄は常法により施してよ
い。
【００１５】この後、図２（ｂ）に示す被処理基板を、
図１に示す平行平板型プラズマアッシング装置の基板ス
テージ１２上にセッティングし、一例として下記アッシ
ング条件によりスカム５を除去した。 Ｏ2 １０００〜２０００ ｓｃｃｍ 圧力 １５０〜２００ Ｐａ ＲＦパワー ４０〜６０ Ｗ（１３．５６Ｍ
Ｈｚ） 被処理基板温度 １１０〜１３０ ℃ 電極間距離Ｇｐ １０±３ ｍｍ アッシングレート ５０〜７０ ｎｍ／分
図１に示す平行平板型プラズマアッシング装置の基板ス
テージ１２上にセッティングし、一例として下記アッシ
ング条件によりスカム５を除去した。 Ｏ2 １０００〜２０００ ｓｃｃｍ 圧力 １５０〜２００ Ｐａ ＲＦパワー ４０〜６０ Ｗ（１３．５６Ｍ
Ｈｚ） 被処理基板温度 １１０〜１３０ ℃ 電極間距離Ｇｐ １０±３ ｍｍ アッシングレート ５０〜７０ ｎｍ／分
【００１６】この結果、図２（ｃ）に示すようにレジス
トパターン４の膜減りを発生することなく、スカム５が
効率よく除去された。この後、図２（ｃ）に示す被処理
基板を平行平板型プラズマアッシング装置から搬出し、
例えばＥＣＲプラズマエッチング装置により被エッチン
グ層１、例えばＳｉＯ2 層をパターニングする。被エッ
チング層１には、レジストパターン４の開口幅ａが忠実
に転写された開口幅ａのパターンが形成された（図２
（ｄ））。被エッチング層１に形成された開口パターン
は、例えば接続孔として利用することができる。
トパターン４の膜減りを発生することなく、スカム５が
効率よく除去された。この後、図２（ｃ）に示す被処理
基板を平行平板型プラズマアッシング装置から搬出し、
例えばＥＣＲプラズマエッチング装置により被エッチン
グ層１、例えばＳｉＯ2 層をパターニングする。被エッ
チング層１には、レジストパターン４の開口幅ａが忠実
に転写された開口幅ａのパターンが形成された（図２
（ｄ））。被エッチング層１に形成された開口パターン
は、例えば接続孔として利用することができる。
【００１７】また、図２（ｃ）に示す被処理基板のＳｉ
Ｏ2 等の被エッチング層１表面は、このプラズマアッシ
ングにより親水性表面に変換される。したがって、次工
程でウェットエッチング処理する場合には、エッチング
溶液との濡れ性に優れ、気泡等の発生を抑制できる。し
たがって、ウェットエッチングの場合にもレジストパタ
ーン４の開口幅に忠実なパターニングが可能となる。
Ｏ2 等の被エッチング層１表面は、このプラズマアッシ
ングにより親水性表面に変換される。したがって、次工
程でウェットエッチング処理する場合には、エッチング
溶液との濡れ性に優れ、気泡等の発生を抑制できる。し
たがって、ウェットエッチングの場合にもレジストパタ
ーン４の開口幅に忠実なパターニングが可能となる。
【００１８】前述のプラズマアッシング条件において、
例えば圧力を１７５Ｐａに固定した場合の電極間距離Ｇ
ｐとアッシングレートの均一性との関係を図３に示す。
同図から明らかなように、電極間距離Ｇｐが１０±３ｍ
ｍの場合にはアッシングレートの被処理基板面内均一性
は±２％以内と良好な値を示すことが判る。一方、電極
間距離Ｇｐが１０±３ｍｍを超えると、アッシングレー
トの均一性は±２％以上となり、スカム５の除去が不充
分であったり、レジストパターン５に膜減りが発生す
る。この結果、エッチング後の被エッチング層１の形状
にパターン変換差が発生する事態が生じる。
例えば圧力を１７５Ｐａに固定した場合の電極間距離Ｇ
ｐとアッシングレートの均一性との関係を図３に示す。
同図から明らかなように、電極間距離Ｇｐが１０±３ｍ
ｍの場合にはアッシングレートの被処理基板面内均一性
は±２％以内と良好な値を示すことが判る。一方、電極
間距離Ｇｐが１０±３ｍｍを超えると、アッシングレー
トの均一性は±２％以上となり、スカム５の除去が不充
分であったり、レジストパターン５に膜減りが発生す
る。この結果、エッチング後の被エッチング層１の形状
にパターン変換差が発生する事態が生じる。
【００１９】また前述のプラズマアッシング条件におい
て、一例として電極間距離を１０ｍｍに固定した場合の
ガスの処理圧力とアッシングレートの均一性との関係を
図４に示す。同図から明らかなように、処理圧力が１５
０〜２５０Ｐａの場合にはアッシングレートの被処理基
板面内均一性は±２％以内と良好な値を示すことが判
る。一方、圧力が１５０〜２５０Ｐａの範囲を超える
と、アッシングレートの均一性は±２％以上となり、ス
カム５の除去が不充分であったり、レジストパターン５
に膜減りが発生する。この結果、やはりエッチング後の
被エッチング層１の形状にパターン変換差が発生する事
態となる。この傾向は、電極間距離Ｇｐが１０±３ｍｍ
の範囲内においても同様の結果であった。
て、一例として電極間距離を１０ｍｍに固定した場合の
ガスの処理圧力とアッシングレートの均一性との関係を
図４に示す。同図から明らかなように、処理圧力が１５
０〜２５０Ｐａの場合にはアッシングレートの被処理基
板面内均一性は±２％以内と良好な値を示すことが判
る。一方、圧力が１５０〜２５０Ｐａの範囲を超える
と、アッシングレートの均一性は±２％以上となり、ス
カム５の除去が不充分であったり、レジストパターン５
に膜減りが発生する。この結果、やはりエッチング後の
被エッチング層１の形状にパターン変換差が発生する事
態となる。この傾向は、電極間距離Ｇｐが１０±３ｍｍ
の範囲内においても同様の結果であった。
【００２０】以上、本発明のアッシング方法につき詳細
な説明を加えたが、本発明はこの実施形態例に限定され
ることなく、各種の実施態様が可能である。例えば、レ
ジスト膜としてｉ線対応のポジ型レジストを例示した
が、ｇ線対応、エキシマレーザ対応、あるいは電子線露
光対応の各種ポジ型およびネガ型レジストの現像後のス
カム除去に適用することが可能である。また感光性レジ
スト以外にも、ポリイミド膜や、多層レジストにおける
下層平坦化膜のエッチング残渣の除去に好適に用いるこ
ともできる。有機物残渣として、スカムやエッチング残
渣以外にも、表面に各種有機物汚染を有する被処理基板
のクリーニング等に用いてもよい。
な説明を加えたが、本発明はこの実施形態例に限定され
ることなく、各種の実施態様が可能である。例えば、レ
ジスト膜としてｉ線対応のポジ型レジストを例示した
が、ｇ線対応、エキシマレーザ対応、あるいは電子線露
光対応の各種ポジ型およびネガ型レジストの現像後のス
カム除去に適用することが可能である。また感光性レジ
スト以外にも、ポリイミド膜や、多層レジストにおける
下層平坦化膜のエッチング残渣の除去に好適に用いるこ
ともできる。有機物残渣として、スカムやエッチング残
渣以外にも、表面に各種有機物汚染を有する被処理基板
のクリーニング等に用いてもよい。
【００２１】またアッシングガスとして酸素単独の他
に、Ｏ3 、ＮＨ3 、ＣＯあるいは希ガス等の各種添加ガ
スを混合して用いてもよい。他のエッチング条件、例え
ばガス流量、ＲＦパワー等は、使用する被処理基板の口
径やエッチング装置のチャンバ内容積等に応じて最適値
に決定されるべき設計事項である。
に、Ｏ3 、ＮＨ3 、ＣＯあるいは希ガス等の各種添加ガ
スを混合して用いてもよい。他のエッチング条件、例え
ばガス流量、ＲＦパワー等は、使用する被処理基板の口
径やエッチング装置のチャンバ内容積等に応じて最適値
に決定されるべき設計事項である。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のアッシング方法によれば、レジスト膜現像後のスカム
等の有機物残渣を、パターン変換差を発生することな
く、均一性よく除去することが可能である。
のアッシング方法によれば、レジスト膜現像後のスカム
等の有機物残渣を、パターン変換差を発生することな
く、均一性よく除去することが可能である。
【図１】本発明のアッシング方法で採用する平行平板型
プラズマアッシング装置の一構成例を示す概略断面図で
ある。
プラズマアッシング装置の一構成例を示す概略断面図で
ある。
【図２】本発明のアッシング方法を、その工程順に示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】電極間距離とアッシングレートの均一性を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】ガスの処理圧力とアッシングレートの均一性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図５】従来のアッシング方法の問題点を、その工程順
に示す概略断面図である。
に示す概略断面図である。
【図６】従来のアッシング方法の別の問題点を、その工
程順に示す概略断面図である。
程順に示す概略断面図である。
１…被エッチング層、２…レジスト膜、３…露光光、４
…レジストパターン、５…スカム、１１…被処理基板、
１２…基板ステージ、１３…加熱手段、１４…対向電
極、１５…ＲＦ電源、１６…チャンバ
…レジストパターン、５…スカム、１１…被処理基板、
１２…基板ステージ、１３…加熱手段、１４…対向電
極、１５…ＲＦ電源、１６…チャンバ
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に有機物残渣を有する被処理基板の
アッシング方法において、 前記被処理基板を、電極間距離が７ｍｍ以上１３ｍｍ以
下の平行平板型プラズマアッシング装置の基板ステージ
上にセッティングし、 酸素を含むガスによりプラズマアッシングすることを特
徴とするアッシング方法。 - 【請求項２】 前記酸素を含むガスの圧力を１５０Ｐａ
以上２５０Ｐａ以下に制御することを特徴とする請求項
１記載のアッシング方法。 - 【請求項３】 前記有機物残渣は、レジストパターンを
現像処理後に、前記レジストパターン間に残存するスカ
ムであることを特徴とする請求項１記載のアッシング方
法。 - 【請求項４】 プラズマアッシングにより前記有機物残
渣を除去するとともに、前記被処理基板表面の親水性処
理を施すことを特徴とする請求項１記載のアッシング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8332014A JPH10172960A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | アッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8332014A JPH10172960A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | アッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172960A true JPH10172960A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18250184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8332014A Pending JPH10172960A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | アッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10172960A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607986B2 (en) | 1999-12-28 | 2003-08-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dry etching method and semiconductor device manufacturing method |
| KR20030096669A (ko) * | 2002-06-17 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 게이트 제조방법 |
| JP4755380B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2011-08-24 | スパンション エルエルシー | 半導体構造の形成方法 |
| US20130272930A1 (en) * | 2009-02-17 | 2013-10-17 | Mcalister Technologies, Llc | Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods |
| US8911703B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-12-16 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US8926719B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Method and apparatus for generating hydrogen from metal |
| US8926908B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with pressure and heat transfer features for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US9188086B2 (en) | 2008-01-07 | 2015-11-17 | Mcalister Technologies, Llc | Coupled thermochemical reactors and engines, and associated systems and methods |
| US9206045B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-12-08 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with transmissive surfaces for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US9302681B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-05 | Mcalister Technologies, Llc | Mobile transport platforms for producing hydrogen and structural materials, and associated systems and methods |
| US9309473B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-12 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for extracting and processing gases from submerged sources |
| US9522379B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-12-20 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US9617983B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-04-11 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
| US11081349B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming film on substrate and method of manufacturing liquid ejection head |
-
1996
- 1996-12-12 JP JP8332014A patent/JPH10172960A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607986B2 (en) | 1999-12-28 | 2003-08-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dry etching method and semiconductor device manufacturing method |
| US6987066B2 (en) | 1999-12-28 | 2006-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dry etching method and semiconductor device manufacturing method |
| JP4755380B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2011-08-24 | スパンション エルエルシー | 半導体構造の形成方法 |
| KR20030096669A (ko) * | 2002-06-17 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 게이트 제조방법 |
| US9188086B2 (en) | 2008-01-07 | 2015-11-17 | Mcalister Technologies, Llc | Coupled thermochemical reactors and engines, and associated systems and methods |
| US20130272930A1 (en) * | 2009-02-17 | 2013-10-17 | Mcalister Technologies, Llc | Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods |
| US9103548B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-08-11 | Mcalister Technologies, Llc | Reactors for conducting thermochemical processes with solar heat input, and associated systems and methods |
| US8926908B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with pressure and heat transfer features for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US9206045B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-12-08 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with transmissive surfaces for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US9541284B2 (en) | 2010-02-13 | 2017-01-10 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical reactors with annularly positioned delivery and removal devices, and associated systems and methods |
| US8911703B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-12-16 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US9302681B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-05 | Mcalister Technologies, Llc | Mobile transport platforms for producing hydrogen and structural materials, and associated systems and methods |
| US9309473B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-12 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for extracting and processing gases from submerged sources |
| US9522379B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-12-20 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US9617983B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-04-11 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
| US8926719B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Method and apparatus for generating hydrogen from metal |
| US11081349B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming film on substrate and method of manufacturing liquid ejection head |
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