JPH1017860A - シクロペンタジエン誘導体を用いることを特徴とする電界発光素子 - Google Patents
シクロペンタジエン誘導体を用いることを特徴とする電界発光素子Info
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- JPH1017860A JPH1017860A JP8188653A JP18865396A JPH1017860A JP H1017860 A JPH1017860 A JP H1017860A JP 8188653 A JP8188653 A JP 8188653A JP 18865396 A JP18865396 A JP 18865396A JP H1017860 A JPH1017860 A JP H1017860A
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- electroluminescent device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低電圧で高輝度な発光が得られる有機電界発光
素子を提供すること。 【解決手段】スタナシクロペンタジエン環誘導体あるい
はゲルマシクロペンタジエン環誘導体を用いた有機ＥＬ
素子を提供すること。
素子を提供すること。 【解決手段】スタナシクロペンタジエン環誘導体あるい
はゲルマシクロペンタジエン環誘導体を用いた有機ＥＬ
素子を提供すること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界発光（ELECTR
OLUMINESCENCE、以下ＥＬと略記する。）素子に関し、
さらに詳しくはシクロペンタジエン誘導体を用いた有機
ＥＬ素子に関する。
OLUMINESCENCE、以下ＥＬと略記する。）素子に関し、
さらに詳しくはシクロペンタジエン誘導体を用いた有機
ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、これまでにない高輝度な平面ディ
スプレイの候補として有機ＥＬ素子が注目され、その研
究開発が活発化している。有機ＥＬ素子は有機発光層を
２つの電極で挟んだ構造であり、陽極から注入された正
孔と陰極から注入された電子とが発光層中で再結合して
光を発する。用いられる有機材料には低分子材料と高分
子材料があり、共に高輝度の有機ＥＬ素子を与えること
が知らされている。
スプレイの候補として有機ＥＬ素子が注目され、その研
究開発が活発化している。有機ＥＬ素子は有機発光層を
２つの電極で挟んだ構造であり、陽極から注入された正
孔と陰極から注入された電子とが発光層中で再結合して
光を発する。用いられる有機材料には低分子材料と高分
子材料があり、共に高輝度の有機ＥＬ素子を与えること
が知らされている。
【０００３】このような有機ＥＬ素子には２つのタイプ
がある。１つは、タン（C.W.Tang）らによって発表され
た蛍光色素を電荷輸送層中に添加したもの（ジャーナル
オブ ジ アプライド フィジックス(J.Appl.Phy
s.),65,3610(1989)）、もう１つは、蛍光色素を単独に
用いたものである（例えば、ジャパニーズ ジャーナル
オブ ジ アプライド フィジックス(Jpn.J.Appl.Phy
s.),27,L269(1988）に記載されている素子である。）。
後者の素子では、蛍光色素が電荷の１つである正孔のみ
を輸送する正孔輸送層および／または電子のみを輸送す
る電子輸送層と積層しているような場合に発光効率が向
上することが示されている。
がある。１つは、タン（C.W.Tang）らによって発表され
た蛍光色素を電荷輸送層中に添加したもの（ジャーナル
オブ ジ アプライド フィジックス(J.Appl.Phy
s.),65,3610(1989)）、もう１つは、蛍光色素を単独に
用いたものである（例えば、ジャパニーズ ジャーナル
オブ ジ アプライド フィジックス(Jpn.J.Appl.Phy
s.),27,L269(1988）に記載されている素子である。）。
後者の素子では、蛍光色素が電荷の１つである正孔のみ
を輸送する正孔輸送層および／または電子のみを輸送す
る電子輸送層と積層しているような場合に発光効率が向
上することが示されている。
【０００４】有機ＥＬ素子に使用される正孔輸送材料に
ついては、トリフェニルアミン誘導体を中心にして多種
多様の材料が知られているにもかかわらず、電子輸送材
料について知られているものは少ない。また、既存の電
子輸送材料は、既存の正孔輸送材料、例えば、Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−
４，４’−ジアミノビフェニル（以下ＴＰＤと略記す
る。）に比べ電荷の輸送能力が低く、有機ＥＬ素子に使
用した場合、性能が用いた電子輸送材料により制限され
十分な素子の特性を引き出すことができなかった。
ついては、トリフェニルアミン誘導体を中心にして多種
多様の材料が知られているにもかかわらず、電子輸送材
料について知られているものは少ない。また、既存の電
子輸送材料は、既存の正孔輸送材料、例えば、Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−
４，４’−ジアミノビフェニル（以下ＴＰＤと略記す
る。）に比べ電荷の輸送能力が低く、有機ＥＬ素子に使
用した場合、性能が用いた電子輸送材料により制限され
十分な素子の特性を引き出すことができなかった。
【０００５】従来の電子輸送材料の具体例としてオキシ
ン誘導体の金属錯体（特開昭５９−１９４３９３などに
記載のもの。）、２−（４−ビフェニルイル）−５−
（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジ
アゾール（以下ＰＢＤと略記する。）などが知られてい
る。前者は、比較的低電圧で有機ＥＬ素子を駆動させる
ことができるが、まだ十分ではなく、また、自身の発光
が緑色であるためフルカラーデスプレ−用としては実用
的ではない。後者を電子輸送層として用いた例としてジ
ャパニーズジャーナルオブジアプライドフィジックス
（Jpn.J.Appl.Phys.),27,L269(1988)に記載の有機ＥＬ
素子をあげることができるが、結晶化を起こしやすいな
ど、薄膜の安定性に乏しいことが指摘されていた。
ン誘導体の金属錯体（特開昭５９−１９４３９３などに
記載のもの。）、２−（４−ビフェニルイル）−５−
（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジ
アゾール（以下ＰＢＤと略記する。）などが知られてい
る。前者は、比較的低電圧で有機ＥＬ素子を駆動させる
ことができるが、まだ十分ではなく、また、自身の発光
が緑色であるためフルカラーデスプレ−用としては実用
的ではない。後者を電子輸送層として用いた例としてジ
ャパニーズジャーナルオブジアプライドフィジックス
（Jpn.J.Appl.Phys.),27,L269(1988)に記載の有機ＥＬ
素子をあげることができるが、結晶化を起こしやすいな
ど、薄膜の安定性に乏しいことが指摘されていた。
【０００６】この問題を解決するためにオキサジアゾー
ル環を複数持つ化合物（日本化学会誌,11,1540(1991)、
特開平６ー１４５６５８、特開平６ー９２９４７、特開
平５ー１５２０７２、特開平５ー２０２０１１および特
開平６ー１３６３５９などに記載のもの。）が開発され
たが、これらにおいても駆動電圧が高いなど実用上充分
な性質を有していなかった。また、キノキサリン誘導体
（特開平６−２０７１６９）を２量化させることにより
分子量を増大させ薄膜の安定性を向上させることができ
ることが報告されているが駆動電圧は依然として高く実
用には十分ではなかった。
ル環を複数持つ化合物（日本化学会誌,11,1540(1991)、
特開平６ー１４５６５８、特開平６ー９２９４７、特開
平５ー１５２０７２、特開平５ー２０２０１１および特
開平６ー１３６３５９などに記載のもの。）が開発され
たが、これらにおいても駆動電圧が高いなど実用上充分
な性質を有していなかった。また、キノキサリン誘導体
（特開平６−２０７１６９）を２量化させることにより
分子量を増大させ薄膜の安定性を向上させることができ
ることが報告されているが駆動電圧は依然として高く実
用には十分ではなかった。
【０００７】シクロペンタジエン誘導体（アプライド
フィジックス レター（Appl.Phys.Lett.）,56,799(199
0）、１，２，３，４，５−ペンタシクロペンタジエ
ン）を用いた例も報告されているが、高効率、高発光な
素子は得られていない。
フィジックス レター（Appl.Phys.Lett.）,56,799(199
0）、１，２，３，４，５−ペンタシクロペンタジエ
ン）を用いた例も報告されているが、高効率、高発光な
素子は得られていない。
【０００８】このように、従来の有機ＥＬ素子に用いら
れる電子輸送材料は、電子輸送能に劣る上、フルカラー
表示、薄膜の安定性、駆動電圧、発光効率等が不十分な
ものであった。優れた材料を使用することにより有機Ｅ
Ｌ素子の効率を高める必要があり、何よりもまず電子輸
送能に優れていることが必要であると考えられている。
れる電子輸送材料は、電子輸送能に劣る上、フルカラー
表示、薄膜の安定性、駆動電圧、発光効率等が不十分な
ものであった。優れた材料を使用することにより有機Ｅ
Ｌ素子の効率を高める必要があり、何よりもまず電子輸
送能に優れていることが必要であると考えられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低電
圧、高発光効率な有機ＥＬ素子を提供することである。
圧、高発光効率な有機ＥＬ素子を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の有
機ＥＬ素子が抱えている前記の問題を解決する為に、鋭
意検討した結果、スタナシクロペンタジエン環あるいは
ゲルマシクロペンタジエン環誘導体を用いることによ
り、低電圧、高発光効率であることを見出し本発明を完
成した。
機ＥＬ素子が抱えている前記の問題を解決する為に、鋭
意検討した結果、スタナシクロペンタジエン環あるいは
ゲルマシクロペンタジエン環誘導体を用いることによ
り、低電圧、高発光効率であることを見出し本発明を完
成した。
【００１１】スタナシクロペンタジエン環あるいはゲル
マシクロペンタジエン環が有機ＥＬ素子として好適であ
る理由について本発明者らが種々研究した結果、対応す
るシクロペンタジエン環、チオフェン環、ピロール環あ
るいはフラン環に比べて、最低非占有分子軌道が低く、
電子を受け取りやすい構造であることが半経験的分子軌
道法計算により判明した。しかしながら、その他にも、
スタナシクロペンタジエン環あるいはゲルマシクロペン
タジエン環の構造等が電子輸送性に効果を与えていると
考えている。
マシクロペンタジエン環が有機ＥＬ素子として好適であ
る理由について本発明者らが種々研究した結果、対応す
るシクロペンタジエン環、チオフェン環、ピロール環あ
るいはフラン環に比べて、最低非占有分子軌道が低く、
電子を受け取りやすい構造であることが半経験的分子軌
道法計算により判明した。しかしながら、その他にも、
スタナシクロペンタジエン環あるいはゲルマシクロペン
タジエン環の構造等が電子輸送性に効果を与えていると
考えている。
【００１２】本発明は、下記（１）、（２）、（３）、
ないし（４）の各構成を有する。 （１）下記化３で表されるシクロペンタジエン誘導体を
用いた電界発光素子。
ないし（４）の各構成を有する。 （１）下記化３で表されるシクロペンタジエン誘導体を
用いた電界発光素子。
【００１３】
【化３】
【００１４】［式中、ＡはＧｅもしくはＳｎであり、Ｘ
及びＹは、それぞれ独立に炭素数１から６までの飽和若
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニル
オキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若
しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテ
ロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成し
た構造であり、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に水素、ハロ
ゲン、置換もしくは無置換の炭素数１から６までのアル
キル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオ
ロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、
アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ
基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニル
オキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオ
キシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニ
ル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、ア
リール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、
ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ
基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、
チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシア
ノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮
合した構造である。］
及びＹは、それぞれ独立に炭素数１から６までの飽和若
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニル
オキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若
しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテ
ロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成し
た構造であり、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に水素、ハロ
ゲン、置換もしくは無置換の炭素数１から６までのアル
キル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオ
ロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、
アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ
基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニル
オキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオ
キシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニ
ル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、ア
リール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、
ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ
基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、
チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシア
ノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮
合した構造である。］
【００１５】（２）前記（１）項記載のシクロペンタジ
エン誘導体のうち少なくとも１種を電荷輸送層の成分と
して用いたことを特徴とする電界発光素子。 （３）前記（１）項記載のシクロペンタジエン誘導体の
うち少なくとも１種を発光層の成分として用いたことを
特徴とする電界発光素子。 （４）前記（１）項記載のシクロペンタジエン誘導体の
うち少なくとも１種を正孔阻止層の成分として用いたこ
とを特徴とする電界発光素子。
エン誘導体のうち少なくとも１種を電荷輸送層の成分と
して用いたことを特徴とする電界発光素子。 （３）前記（１）項記載のシクロペンタジエン誘導体の
うち少なくとも１種を発光層の成分として用いたことを
特徴とする電界発光素子。 （４）前記（１）項記載のシクロペンタジエン誘導体の
うち少なくとも１種を正孔阻止層の成分として用いたこ
とを特徴とする電界発光素子。
【００１６】本発明について以下に詳述する。本発明で
用いられるシクロペンタジエン誘導体は、例えば、以下
の製造法により得ることができる。すなわち、下記化４
用いられるシクロペンタジエン誘導体は、例えば、以下
の製造法により得ることができる。すなわち、下記化４
【００１７】
【化４】
【００１８】［式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に水
素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数１から６ま
でのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パ
ーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、ア
ミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル
基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール
カルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、
アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、
スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモ
イル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミ
ルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネ
ート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もし
くはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換
の環が縮合した構造である。］で表されるアセチレン誘
導体にアルカリ金属あるいはその錯体を反応させ、続い
て一般式化５
素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数１から６ま
でのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パ
ーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、ア
ミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル
基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール
カルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、
アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、
スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモ
イル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミ
ルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネ
ート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もし
くはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換
の環が縮合した構造である。］で表されるアセチレン誘
導体にアルカリ金属あるいはその錯体を反応させ、続い
て一般式化５
【００１９】
【化５】
【００２０】［式中、Ａは、ゲルマニウム若しくは錫を
示し、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１から６まで
の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは
無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を
示すか、ＸとＹが結合して飽和または不飽和の環を形成
している。］で表される塩化物を作用させることによっ
て、目的のシクロペンタジエン誘導体が得られる。
示し、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１から６まで
の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは
無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を
示すか、ＸとＹが結合して飽和または不飽和の環を形成
している。］で表される塩化物を作用させることによっ
て、目的のシクロペンタジエン誘導体が得られる。
【００２１】ここで用いられるアセチレン誘導体には、
アルカリ金属若しくはその錯体とアセチレンとの反応を
阻害しにくいものを置換基として有するものを好適に用
いることができる。置換基として特に好ましくはアルカ
リ金属若しくはその錯体に対して不活性なものである。
用いられるアルカリ金属若しくはその錯体としては、例
えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、リチウムナフ
タレニド、ナトリウムナフタレニド、カリウムナフタレ
ニド、リチウム４，４’−ジターシャリーブチル−２，
２’−ビフェニリドあるいはリチウム（Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアミノ）ナフタレニドなどがあげられる。用いられる
溶媒としては、アルカリ金属あるいはアルカリ金属錯体
に不活性なものなら特に制限はなく、通常、エーテルあ
るいはテトラヒドロフランなどのエーテル系の溶媒が用
いられる。この一連の反応は、不活性気流中で行うこと
が好ましく、窒素若しくはアルゴンガスが使われる。反
応は、ＮＭＲあるいはクロマトグラフィー等の一般的な
分析手段により反応を追跡し、反応の終点を決定すれば
よい。
アルカリ金属若しくはその錯体とアセチレンとの反応を
阻害しにくいものを置換基として有するものを好適に用
いることができる。置換基として特に好ましくはアルカ
リ金属若しくはその錯体に対して不活性なものである。
用いられるアルカリ金属若しくはその錯体としては、例
えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、リチウムナフ
タレニド、ナトリウムナフタレニド、カリウムナフタレ
ニド、リチウム４，４’−ジターシャリーブチル−２，
２’−ビフェニリドあるいはリチウム（Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアミノ）ナフタレニドなどがあげられる。用いられる
溶媒としては、アルカリ金属あるいはアルカリ金属錯体
に不活性なものなら特に制限はなく、通常、エーテルあ
るいはテトラヒドロフランなどのエーテル系の溶媒が用
いられる。この一連の反応は、不活性気流中で行うこと
が好ましく、窒素若しくはアルゴンガスが使われる。反
応は、ＮＭＲあるいはクロマトグラフィー等の一般的な
分析手段により反応を追跡し、反応の終点を決定すれば
よい。
【００２２】本発明で用いられる化合物において、シク
ロペンタジエン環にベンゼン環が縮合している場合に
は、上記製造法とは異なる方法が用いられる。これまで
に知られている公知の方法を用いることができるが、例
えば以下の方法を例示することができる。すなわち、下
記化６
ロペンタジエン環にベンゼン環が縮合している場合に
は、上記製造法とは異なる方法が用いられる。これまで
に知られている公知の方法を用いることができるが、例
えば以下の方法を例示することができる。すなわち、下
記化６
【００２３】
【化６】
【００２４】［式中、Ｘは、塩素、臭素若しくはヨウ素
を表し、Ｒ1からＲ8は、それぞれ独立に炭素数１から６
までの飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ
基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、フッ
素、水素、置換若しくは無置換のアリール基、置換若し
くは無置換のヘテロ環、シアノ基、隣接している場合に
は、飽和または不飽和の環を形成している。］で表され
る２，２’−ジハロゲノビフェニル誘導体にアルカリ金
属、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属錯体を作用
させ、これに下記化７
を表し、Ｒ1からＲ8は、それぞれ独立に炭素数１から６
までの飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ
基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、フッ
素、水素、置換若しくは無置換のアリール基、置換若し
くは無置換のヘテロ環、シアノ基、隣接している場合に
は、飽和または不飽和の環を形成している。］で表され
る２，２’−ジハロゲノビフェニル誘導体にアルカリ金
属、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属錯体を作用
させ、これに下記化７
【００２５】
【化７】
【００２６】［式中、Ａは、ゲルマニウム若しくは錫を
示し、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１から６まで
の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは
無置換のアリール基、置換あるいは無置換のヘテロ環を
示すか、ＸとＹが結合して飽和または不飽和の環を形成
している。］で表されるジクロロゲルマニウム誘導体若
しくはジクロロスタナン誘導体を反応させることによっ
て、本発明で用いられるシクロペンタジエン誘導体を得
ることができる。ここで用いられる金属としては、リチ
ウム、ナトリウム、マグネシウムあるいはカリウム等が
あげられ、金属錯体としては、ノルマルブチルリチウ
ム、ターシャリーブチルリチウムあるいはフェニルリチ
ウム等があげられる。用いられる２，２’−ジハロゲノ
ビフェニル誘導体の置換基としては、アルカリ金属、ア
ルカリ土類金属あるいはアルカリ金属錯体に、この反応
条件下不活性なものなら特に制限はない。アルカリ金
属、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属錯体を作用
させる時の反応温度についても特に制限はなく、通常、
０℃以下で行われる。ただし、反応性の高いシアノ基な
どの置換基が存在している時には低い温度が好ましく、
通常、−７０℃以下で行われる。用いられる反応溶媒と
しては、アルカリ金属、アルカリ土類金属あるいはアル
カリ金属錯体に不活性なものなら特に制限はなく、通
常、エーテルあるいはテトラヒドロフランなどのエーテ
ル系の溶媒が用いられる。
示し、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１から６まで
の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは
無置換のアリール基、置換あるいは無置換のヘテロ環を
示すか、ＸとＹが結合して飽和または不飽和の環を形成
している。］で表されるジクロロゲルマニウム誘導体若
しくはジクロロスタナン誘導体を反応させることによっ
て、本発明で用いられるシクロペンタジエン誘導体を得
ることができる。ここで用いられる金属としては、リチ
ウム、ナトリウム、マグネシウムあるいはカリウム等が
あげられ、金属錯体としては、ノルマルブチルリチウ
ム、ターシャリーブチルリチウムあるいはフェニルリチ
ウム等があげられる。用いられる２，２’−ジハロゲノ
ビフェニル誘導体の置換基としては、アルカリ金属、ア
ルカリ土類金属あるいはアルカリ金属錯体に、この反応
条件下不活性なものなら特に制限はない。アルカリ金
属、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属錯体を作用
させる時の反応温度についても特に制限はなく、通常、
０℃以下で行われる。ただし、反応性の高いシアノ基な
どの置換基が存在している時には低い温度が好ましく、
通常、−７０℃以下で行われる。用いられる反応溶媒と
しては、アルカリ金属、アルカリ土類金属あるいはアル
カリ金属錯体に不活性なものなら特に制限はなく、通
常、エーテルあるいはテトラヒドロフランなどのエーテ
ル系の溶媒が用いられる。
【００２７】このようにして得られた本発明で用いられ
るシクロペンタジエン誘導体のヘテロ元素上に付く置換
基としては、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル
基、イソプロピル基、シクロペンチル基、あるいはター
シャリーブチル基などのアルキル基、ビニル基、アリル
基、ブテニル基あるいはスチリル基などのアルケニル
基、エチニル基、プロパギル基あるいはフェニルアセチ
ニル基などのアルキニル基、メトキシ基、エトキシ基、
イソプロポキシ基あるいはターシャリーブトキシ基など
のアルコキシ基、ビニルオキシ基あるいはアリルオキシ
基などのアルケニルオキシ基、エチニルオキシ基あるい
はフェニルアセチルオキシ基などのアルキニルオキシ
基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフ
ェニル基、トルイル基、ピレニル基、ペリレニル基、ア
ニシル基、ターフェニル基あるいはフェナンスレニル基
等のアリール基、ヒドロフリル基、ヒドロピレニル基、
ジオキサニル基、チエニル基、フリル基、オキサゾリル
基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリ
ル基、アクリジニル基、キノリル基、キノキサロイル
基、フェナンスロリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチ
アゾリル基、インドリル基、ゲルマシクロペンタジエニ
ル基あるいはピリジル基等のヘテロ環等があげられる。
さらに、これらの置換基がお互いに任意の場所で結合し
てスピロ環を形成していても良い。
るシクロペンタジエン誘導体のヘテロ元素上に付く置換
基としては、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル
基、イソプロピル基、シクロペンチル基、あるいはター
シャリーブチル基などのアルキル基、ビニル基、アリル
基、ブテニル基あるいはスチリル基などのアルケニル
基、エチニル基、プロパギル基あるいはフェニルアセチ
ニル基などのアルキニル基、メトキシ基、エトキシ基、
イソプロポキシ基あるいはターシャリーブトキシ基など
のアルコキシ基、ビニルオキシ基あるいはアリルオキシ
基などのアルケニルオキシ基、エチニルオキシ基あるい
はフェニルアセチルオキシ基などのアルキニルオキシ
基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフ
ェニル基、トルイル基、ピレニル基、ペリレニル基、ア
ニシル基、ターフェニル基あるいはフェナンスレニル基
等のアリール基、ヒドロフリル基、ヒドロピレニル基、
ジオキサニル基、チエニル基、フリル基、オキサゾリル
基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリ
ル基、アクリジニル基、キノリル基、キノキサロイル
基、フェナンスロリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチ
アゾリル基、インドリル基、ゲルマシクロペンタジエニ
ル基あるいはピリジル基等のヘテロ環等があげられる。
さらに、これらの置換基がお互いに任意の場所で結合し
てスピロ環を形成していても良い。
【００２８】シクロペンタジエン環の炭素上に付く置換
基としては、水素、フッ素あるいは塩素等のハロゲン、
メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピ
ル基、シクロペンチル基、あるいはターシャリーブチル
基などのアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基
あるいはスチリル基などのアルケニル基、エチニル基、
プロパギル基あるいはフェニルアセチニル基などのアル
キニル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基
あるいはターシャリーブトキシ基などのアルコキシ基、
ビニルオキシ基あるいはアリルオキシ基などのアルケニ
ルオキシ基、エチニルオキシ基あるいはフェニルアセチ
ルオキシ基などのアルキニルオキシ基、フェノキシ基、
ナフトキシ基、ビフェニルオキシ基あるいはピレニルオ
キシ基などのアリールオキシ基、トリフルオロメチル
基、トリフルオロメトキシ基あるいはペンタフルオロエ
トキシ基などのパーフルオロ基、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基あるいはジフェニルアミノ基などのアミ
ノ基、アセチル基あるいはベンゾイル基などのケトン、
アセトキシ基あるいはベンゾイルオキシ基などのエステ
ル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基あ
るいはフェノキシカルボニル基などのエステル基、メチ
ルスルフィニル基あるいはフェニルスルフィニル基など
のスルフィニル基、トリメチルシリル基、ジメチルター
シャリーブチルシリル基、トリメトキシシリル基あるい
はトリフェニルシリル基などのシリル基、フェニル基、
ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラ
セニル基、ピレニル基、トルイル基、アニシル基、フル
オロフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジメチ
ルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基あるい
はフェナンスレニル基などのアリール基、チエニル基、
フリル基、ゲルマシクロペンタジエニル基、オキサゾリ
ル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾ
リル基、アクリジニル基、キノリル基、キノキサロイル
基、フェナンスロリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチ
アゾリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル
基、ピロリル基、ベンゾオキサゾリル基、ピリミジル基
あるいはイミダゾリル基等のヘテロ環、ニトロ基、ホル
ミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ
基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート
基、イソチオシアネート基あるいはシアノ基等があげら
れる。さらに、これらの置換基がお互いに任意の場所で
結合して環を形成していても良い。これらの置換基の導
入方法は、シクロペンタジエン環の形成前に導入しても
良いし、シクロペンタジエン環形成後に導入しても良
い。
基としては、水素、フッ素あるいは塩素等のハロゲン、
メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピ
ル基、シクロペンチル基、あるいはターシャリーブチル
基などのアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基
あるいはスチリル基などのアルケニル基、エチニル基、
プロパギル基あるいはフェニルアセチニル基などのアル
キニル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基
あるいはターシャリーブトキシ基などのアルコキシ基、
ビニルオキシ基あるいはアリルオキシ基などのアルケニ
ルオキシ基、エチニルオキシ基あるいはフェニルアセチ
ルオキシ基などのアルキニルオキシ基、フェノキシ基、
ナフトキシ基、ビフェニルオキシ基あるいはピレニルオ
キシ基などのアリールオキシ基、トリフルオロメチル
基、トリフルオロメトキシ基あるいはペンタフルオロエ
トキシ基などのパーフルオロ基、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基あるいはジフェニルアミノ基などのアミ
ノ基、アセチル基あるいはベンゾイル基などのケトン、
アセトキシ基あるいはベンゾイルオキシ基などのエステ
ル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基あ
るいはフェノキシカルボニル基などのエステル基、メチ
ルスルフィニル基あるいはフェニルスルフィニル基など
のスルフィニル基、トリメチルシリル基、ジメチルター
シャリーブチルシリル基、トリメトキシシリル基あるい
はトリフェニルシリル基などのシリル基、フェニル基、
ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラ
セニル基、ピレニル基、トルイル基、アニシル基、フル
オロフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジメチ
ルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基あるい
はフェナンスレニル基などのアリール基、チエニル基、
フリル基、ゲルマシクロペンタジエニル基、オキサゾリ
ル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾ
リル基、アクリジニル基、キノリル基、キノキサロイル
基、フェナンスロリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチ
アゾリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル
基、ピロリル基、ベンゾオキサゾリル基、ピリミジル基
あるいはイミダゾリル基等のヘテロ環、ニトロ基、ホル
ミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ
基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート
基、イソチオシアネート基あるいはシアノ基等があげら
れる。さらに、これらの置換基がお互いに任意の場所で
結合して環を形成していても良い。これらの置換基の導
入方法は、シクロペンタジエン環の形成前に導入しても
良いし、シクロペンタジエン環形成後に導入しても良
い。
【００２９】本発明で用いられるシクロペンタジエン誘
導体例として以下のものを例示することができる。 １，１ージメチルー２，３，４，５ーテトラフェニルゲ
ルマシクロペンタジエン １，１ージエチルー２，３，４，５ーテトラキス（２ー
メチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン １，１ージイソプロピルー２，３，４，５ーテトラキス
（３ーメチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン １−エチル−１ーメチルー２，３，４，５ーテトラキス
（４ーメチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン １，１ージターシャリーブチルー２，３，４，５ーテト
ラキス（２ーエチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエ
ン １，１ージフェニルー２，３，４，５ーテトラキス（３
ーエチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン １ーメチル−１−フェニルー２，３，４，５ーテトラキ
ス（４ーエチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン
導体例として以下のものを例示することができる。 １，１ージメチルー２，３，４，５ーテトラフェニルゲ
ルマシクロペンタジエン １，１ージエチルー２，３，４，５ーテトラキス（２ー
メチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン １，１ージイソプロピルー２，３，４，５ーテトラキス
（３ーメチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン １−エチル−１ーメチルー２，３，４，５ーテトラキス
（４ーメチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン １，１ージターシャリーブチルー２，３，４，５ーテト
ラキス（２ーエチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエ
ン １，１ージフェニルー２，３，４，５ーテトラキス（３
ーエチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン １ーメチル−１−フェニルー２，３，４，５ーテトラキ
ス（４ーエチルフェニル）ゲルマシクロペンタジエン
【００３０】１−フェニル−１−ターシャリーブチルー
２，３，４，５ーテトラキス（３ーターシャリーブチル
フェニル）ゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３ーメチルフェニ
ル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージ（４−トルイル）ー２，５ービス（４ーメチ
ルフェニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタ
ジエン １ーゲルマシクロヘキサン−１−スピロー２’，５’ー
ジ（２ービフェニル）ー３’，４’ージフェニル−１’
−ゲルマシクロペンタジエン １ーゲルマシクロペンタン−１−スピロー２’，５’ー
ジ（３ービフェニル）ー３’，４’ージフェニル−１’
−ゲルマシクロペンタジエン ９−ゲルマフルオレン−９−スピロ−２’，５’ージ
（４ービフェニル）ー３’，４’ージフェニル−１’−
ゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（２ートリフルオロメ
チルフェニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３ーフルオロフェニ
ル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン
２，３，４，５ーテトラキス（３ーターシャリーブチル
フェニル）ゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３ーメチルフェニ
ル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージ（４−トルイル）ー２，５ービス（４ーメチ
ルフェニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタ
ジエン １ーゲルマシクロヘキサン−１−スピロー２’，５’ー
ジ（２ービフェニル）ー３’，４’ージフェニル−１’
−ゲルマシクロペンタジエン １ーゲルマシクロペンタン−１−スピロー２’，５’ー
ジ（３ービフェニル）ー３’，４’ージフェニル−１’
−ゲルマシクロペンタジエン ９−ゲルマフルオレン−９−スピロ−２’，５’ージ
（４ービフェニル）ー３’，４’ージフェニル−１’−
ゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（２ートリフルオロメ
チルフェニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３ーフルオロフェニ
ル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン
【００３１】１，２ービス（１ーメチルー２，５ービス
（３ーメトキシフェニル）ー３、４ージフェニルゲルマ
シクロペンタジエニル）エタン １，１ージメチルー２，５ービス（４ーシアノフェニ
ル）ー３，４ージフェニルスタナシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛２ー（２ーベンゾオ
キサゾリル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシ
クロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛３ー（２ーベンゾチ
エニル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシクロ
ペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛４ー（２ーベンゾフ
リル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシクロペ
ンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛２ー（２ーベンゾチ
アゾリル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシク
ロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛３ー（２ーベンゾイ
ミダゾリル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシ
クロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛４ー（２ーインドリ
ル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン
（３ーメトキシフェニル）ー３、４ージフェニルゲルマ
シクロペンタジエニル）エタン １，１ージメチルー２，５ービス（４ーシアノフェニ
ル）ー３，４ージフェニルスタナシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛２ー（２ーベンゾオ
キサゾリル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシ
クロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛３ー（２ーベンゾチ
エニル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシクロ
ペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛４ー（２ーベンゾフ
リル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシクロペ
ンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛２ー（２ーベンゾチ
アゾリル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシク
ロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛３ー（２ーベンゾイ
ミダゾリル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシ
クロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス｛４ー（２ーインドリ
ル）フェニル｝ー３，４ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン
【００３２】１，１ージメチルー２，５ービス｛３ー
（５ーメトキシー２ーベンゾチアゾリル）フェニル｝ー
３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（１ーナフチル）ー３，
４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（２ーメチルー１ーナフ
チル）ー３，４ージフェニルスタナシクロペンタジエン １，１ージメトキシー２，５ージ（２ーナフチル）ー
３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（２ーベンゾチエニル）
ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３ーメチルー２ーベ
ンゾチエニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３ーフェニルー２ー
ベンゾチエニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペ
ンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（２ーメチルー３ーベ
ンゾチエニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン １，１ージメチルー２，５ージ（２ーベンゾチアゾリ
ル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（２ーベンゾオキサゾリ
ル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン
（５ーメトキシー２ーベンゾチアゾリル）フェニル｝ー
３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（１ーナフチル）ー３，
４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（２ーメチルー１ーナフ
チル）ー３，４ージフェニルスタナシクロペンタジエン １，１ージメトキシー２，５ージ（２ーナフチル）ー
３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（２ーベンゾチエニル）
ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３ーメチルー２ーベ
ンゾチエニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３ーフェニルー２ー
ベンゾチエニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペ
ンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（２ーメチルー３ーベ
ンゾチエニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン １，１ージメチルー２，５ージ（２ーベンゾチアゾリ
ル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（２ーベンゾオキサゾリ
ル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン
【００３３】１，１ージメチルー２，５ービス（５ーメ
チルー２ーベンゾオキサゾリル）ー３，４ージフェニル
スタナシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（５ーフェニルー２ー
ベンゾチアジアゾリル）ー３，４ージフェニルゲルマシ
クロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（３ーベンゾフラニル）
ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３，４ージフルオロ
フェニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジ
エン １，１ージメチルー２，５ービス（３，４，５ートリフ
ルオロフェニル）ー３，４ージフェニルスタナシクロペ
ンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（２，３，４，５，６
ーペンタフルオロフェニル）ー３，４ージフェニルゲル
マシクロペンタジエン ５，５’−ジブロモ−１，１，１’，１’−テトラエチ
ル−３，３’，４，４’−テトラフェニル−２，２’−
ビゲルモール ５，５’−ジメチル−１，１，１’，１’−テトラエチ
ル−３，３’，４，４’−テトラフェニル−２，２’−
ビスタノール ５，５’’’−ジブロモ−１，１，１’，１’，
１’’，１’’，１’’’，１’’’−オクタエチル−
３，３’，３’’，３’’’，４，４’，４’’，
４’’’−オクタフェニル−２，２’：５’，２’’：
５’’，２’’’−クォーターゲルモール ９，９’−ゲルマスピロビフルオレン ９，９’−スタナスピロビフルオレン ９，９−ジフェニル−９−スタナフルオレン ９，９−ジナフチル−９−ゲルマフルオレン
チルー２ーベンゾオキサゾリル）ー３，４ージフェニル
スタナシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（５ーフェニルー２ー
ベンゾチアジアゾリル）ー３，４ージフェニルゲルマシ
クロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ージ（３ーベンゾフラニル）
ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（３，４ージフルオロ
フェニル）ー３，４ージフェニルゲルマシクロペンタジ
エン １，１ージメチルー２，５ービス（３，４，５ートリフ
ルオロフェニル）ー３，４ージフェニルスタナシクロペ
ンタジエン １，１ージメチルー２，５ービス（２，３，４，５，６
ーペンタフルオロフェニル）ー３，４ージフェニルゲル
マシクロペンタジエン ５，５’−ジブロモ−１，１，１’，１’−テトラエチ
ル−３，３’，４，４’−テトラフェニル−２，２’−
ビゲルモール ５，５’−ジメチル−１，１，１’，１’−テトラエチ
ル−３，３’，４，４’−テトラフェニル−２，２’−
ビスタノール ５，５’’’−ジブロモ−１，１，１’，１’，
１’’，１’’，１’’’，１’’’−オクタエチル−
３，３’，３’’，３’’’，４，４’，４’’，
４’’’−オクタフェニル−２，２’：５’，２’’：
５’’，２’’’−クォーターゲルモール ９，９’−ゲルマスピロビフルオレン ９，９’−スタナスピロビフルオレン ９，９−ジフェニル−９−スタナフルオレン ９，９−ジナフチル−９−ゲルマフルオレン
【００３４】本発明のＥＬ素子の構成は、各種の態様が
あるが、基本的には一対の電極（陽極と陰極）間に、前
記シクロペンタジエン誘導体を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔輸送材料、発光材料および電子輸
送材料を加えるか、別の層として積層すればよい。
あるが、基本的には一対の電極（陽極と陰極）間に、前
記シクロペンタジエン誘導体を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔輸送材料、発光材料および電子輸
送材料を加えるか、別の層として積層すればよい。
【００３５】具体例としては、陽極／シクロペンタジエ
ン誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送層／シクロペンタジ
エン誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送層／発光層／シク
ロペンタジエン誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送材料＋
発光材料＋シクロペンタジエン誘導体層／陰極などが挙
げられる。他のシクロペンタジエン誘導体の特殊な使用
法として、正孔阻止材料への適用がある。正孔阻止材料
とは、電子と正孔の２つの電荷のうち電子のみを輸送
し、正孔を伝達しない若しくは伝達し難い材料のことで
ある。本発明で用いられるシクロペンタジエン誘導体
は、電子を優先的若しくは選択的に輸送するので、本発
明の有機ＥＬ素子の他の具体例として、陽極／正孔輸送
層／シクロペンタジエン誘導体層／電子輸送層／陰極等
があげられる。この場合、発光するのは、正孔輸送層あ
るいはシクロペンタジエン誘導体層になる。特に、この
ような正孔阻止の効果を出すシクロペンタジエン誘導体
としては、発光波長の短いものがあげられる。例えば、
９，９’−ゲルマスピロビフルオレン等があげられる。
この９，９’−ゲルマスピロビフルオレンを正孔阻止層
に、ＴＰＤを正孔輸送層に、８−ヒドロキシキノリンア
ルミニウム（以下Ａｌｑと略記する。）を電子輸送層に
用いた素子においては、その発光は、ＴＰＤの発光に由
来する紫色のものしか見られず、非常に優れた正孔阻止
能を有する。このようにＴＰＤが発光する素子として
は、キドら（Kido, et. al.Science,267,1332(1995)）
によるトリアゾール誘導体を用いた素子があるが完全で
はなかった。さらに特殊な例として、本発明で用いられ
るシクロペンタジエン誘導体層を発光層若しくは電子輸
送性発光層として使用できる。この場合の素子の構成
は、陽極／正孔輸送層／（シクロペンタジエン誘導体＋
電子輸送材料）層／陰極等があげられる。
ン誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送層／シクロペンタジ
エン誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送層／発光層／シク
ロペンタジエン誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送材料＋
発光材料＋シクロペンタジエン誘導体層／陰極などが挙
げられる。他のシクロペンタジエン誘導体の特殊な使用
法として、正孔阻止材料への適用がある。正孔阻止材料
とは、電子と正孔の２つの電荷のうち電子のみを輸送
し、正孔を伝達しない若しくは伝達し難い材料のことで
ある。本発明で用いられるシクロペンタジエン誘導体
は、電子を優先的若しくは選択的に輸送するので、本発
明の有機ＥＬ素子の他の具体例として、陽極／正孔輸送
層／シクロペンタジエン誘導体層／電子輸送層／陰極等
があげられる。この場合、発光するのは、正孔輸送層あ
るいはシクロペンタジエン誘導体層になる。特に、この
ような正孔阻止の効果を出すシクロペンタジエン誘導体
としては、発光波長の短いものがあげられる。例えば、
９，９’−ゲルマスピロビフルオレン等があげられる。
この９，９’−ゲルマスピロビフルオレンを正孔阻止層
に、ＴＰＤを正孔輸送層に、８−ヒドロキシキノリンア
ルミニウム（以下Ａｌｑと略記する。）を電子輸送層に
用いた素子においては、その発光は、ＴＰＤの発光に由
来する紫色のものしか見られず、非常に優れた正孔阻止
能を有する。このようにＴＰＤが発光する素子として
は、キドら（Kido, et. al.Science,267,1332(1995)）
によるトリアゾール誘導体を用いた素子があるが完全で
はなかった。さらに特殊な例として、本発明で用いられ
るシクロペンタジエン誘導体層を発光層若しくは電子輸
送性発光層として使用できる。この場合の素子の構成
は、陽極／正孔輸送層／（シクロペンタジエン誘導体＋
電子輸送材料）層／陰極等があげられる。
【００３６】本発明の素子は、いずれも基板に支持され
ていることが好ましく、該基板に付いては特に制限はな
く、従来ＥＬ素子に慣用されているもの、例えばガラ
ス、透明プラスチック、導電性高分子あるいは石英など
から成るものを用いることができる。
ていることが好ましく、該基板に付いては特に制限はな
く、従来ＥＬ素子に慣用されているもの、例えばガラ
ス、透明プラスチック、導電性高分子あるいは石英など
から成るものを用いることができる。
【００３７】本発明で使用される各層は、例えば蒸着
法、塗布法等の公知の方法によって、薄膜化する事によ
り形成することができる。このようにして形成された各
層の薄膜の厚みについては特に制限はなく、適宜状況に
応じて選ぶことができるが、通常２ｎｍないし５０００
ｎｍの範囲で選定される。
法、塗布法等の公知の方法によって、薄膜化する事によ
り形成することができる。このようにして形成された各
層の薄膜の厚みについては特に制限はなく、適宜状況に
応じて選ぶことができるが、通常２ｎｍないし５０００
ｎｍの範囲で選定される。
【００３８】本発明のＥＬ素子における陽極として、仕
事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性
化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ま
しく用いられる。このような電極物質の具体例としては
Ａｕなどの金属、ＣｕＩ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＩＴＯ
（酸化インジウム）などの誘電性透明材料が挙げられ
る。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング
などの方法により、薄膜を形成させることにより作製す
ることができる。この電極より発光を取り出す場合に
は、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、ま
た、電極としてのシート抵抗は数百Ω／square以下が好
ましい。膜厚は材料にもよるが、好ましくは１０ｎｍな
いし１μｍ、より好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で
ある。
事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性
化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ま
しく用いられる。このような電極物質の具体例としては
Ａｕなどの金属、ＣｕＩ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＩＴＯ
（酸化インジウム）などの誘電性透明材料が挙げられ
る。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング
などの方法により、薄膜を形成させることにより作製す
ることができる。この電極より発光を取り出す場合に
は、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、ま
た、電極としてのシート抵抗は数百Ω／square以下が好
ましい。膜厚は材料にもよるが、好ましくは１０ｎｍな
いし１μｍ、より好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で
ある。
【００３９】陰極としては、仕事関数の小さい（４．３
ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの
混合物を電極物質とするものが用いられる。このような
電極物質の具体例としては、カルシウム、マグネシウ
ム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム合金、リチ
ウム合金、アルミニウム合金、アルミニウム／リチウム
混合物、マグネシウム／銀混合物、インジウムなどが挙
げられる。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタ
リングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／square以下が好ましく、好ましくは１０
ｎｍないし１μｍ、より好ましくは５０〜２００ｎｍの
範囲である。
ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの
混合物を電極物質とするものが用いられる。このような
電極物質の具体例としては、カルシウム、マグネシウ
ム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム合金、リチ
ウム合金、アルミニウム合金、アルミニウム／リチウム
混合物、マグネシウム／銀混合物、インジウムなどが挙
げられる。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタ
リングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／square以下が好ましく、好ましくは１０
ｎｍないし１μｍ、より好ましくは５０〜２００ｎｍの
範囲である。
【００４０】本発明の有機ＥＬ素子の構成は、前記した
ように各種の態様があるが、正孔輸送層を設けると発光
効率が向上する。正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料
としては、電界を与えられた２個の電極間に配置されて
陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層
へ伝達しうる化合物であって、例えば、１０4〜１０6Ｖ
／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2／Ｖ・
秒以上の正孔移動度をもつものが好適である。正孔輸送
材料として用いる材料はこのような性質を有する物であ
れば特に制限はなく、従来、光導電材料において、正孔
の電荷輸送材として慣用されているものやＥＬ素子の正
孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを
選択して用いることができる。
ように各種の態様があるが、正孔輸送層を設けると発光
効率が向上する。正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料
としては、電界を与えられた２個の電極間に配置されて
陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層
へ伝達しうる化合物であって、例えば、１０4〜１０6Ｖ
／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2／Ｖ・
秒以上の正孔移動度をもつものが好適である。正孔輸送
材料として用いる材料はこのような性質を有する物であ
れば特に制限はなく、従来、光導電材料において、正孔
の電荷輸送材として慣用されているものやＥＬ素子の正
孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを
選択して用いることができる。
【００４１】正孔輸送材料としては、例えばカルバゾー
ル誘導体（Ｎーフェニルカルバゾール、ポリビニルカル
バゾールなど。）、トリアリールアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ、芳香族第３級アミンを主鎖あるいは側鎖に持つポリ
マー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニルな
ど。）、フタロシアニン誘導体（無金属、銅フタロシア
ニンなど）、ポリシランなどがあげられる。本発明の有
機ＥＬ素子における電子を輸送する層において、複数の
電子輸送材料を使用する場合は、ゲルマシクロペンタジ
エン誘導体ばかりでなく、他の電子輸送材料を用いても
良い。このような電子輸送材料について特に制限はな
く、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用
いる事ができる。電子輸送材料の好ましい例としては、
下記化７
ル誘導体（Ｎーフェニルカルバゾール、ポリビニルカル
バゾールなど。）、トリアリールアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ、芳香族第３級アミンを主鎖あるいは側鎖に持つポリ
マー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニルな
ど。）、フタロシアニン誘導体（無金属、銅フタロシア
ニンなど）、ポリシランなどがあげられる。本発明の有
機ＥＬ素子における電子を輸送する層において、複数の
電子輸送材料を使用する場合は、ゲルマシクロペンタジ
エン誘導体ばかりでなく、他の電子輸送材料を用いても
良い。このような電子輸送材料について特に制限はな
く、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用
いる事ができる。電子輸送材料の好ましい例としては、
下記化７
【化７】などのジフェニルキノン誘導体（電子写真学会
誌、30,3(1991)などに記載のもの。）、あるいは下記化
８、化９
誌、30,3(1991)などに記載のもの。）、あるいは下記化
８、化９
【００４２】
【化８】
【００４３】
【化９】
【００４４】などの化合物（ジャーナル・アプライド・
フィジックス(J.Apply.Phys.),27,269(1988)などに記載
のもの。）や、オキサジアゾール誘導体（ジャパニーズ
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Jpn.
J.Appl.Phys.）,27,L713(1988)、アプライドフィジック
スレター(Appl.Phys.Lett.),55,1489(1989)に記載のも
の）、チオフェン誘導体（特開平４−２１２２８６号公
報などに記載のもの。）、トリアゾール誘導体（ジャパ
ニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス
（Jpn.J.Appl.Phys.),32,L917(1993)などに記載のも
の。）、チアジアゾール誘導体（第４３回高分子学会予
稿集、IIIＰ１ａ００７などに記載のもの。）、オキシ
ン誘導体の金属錯体（電子情報通信学会技術研究報告、
92(311),43(1992)などに記載のもの）、キノキサリン誘
導体のポリマー（ジャパニーズ ジャーナル オブ ア
プライド フィジックス（Jpn.J.Appl.Phys.）,33,L250
(1994)などに記載のもの。）、フェナントロリン誘導体
（第４３回高分子討論会予稿集、１４Ｊ０７などに記載
のもの）などを挙げることができる。
フィジックス(J.Apply.Phys.),27,269(1988)などに記載
のもの。）や、オキサジアゾール誘導体（ジャパニーズ
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Jpn.
J.Appl.Phys.）,27,L713(1988)、アプライドフィジック
スレター(Appl.Phys.Lett.),55,1489(1989)に記載のも
の）、チオフェン誘導体（特開平４−２１２２８６号公
報などに記載のもの。）、トリアゾール誘導体（ジャパ
ニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス
（Jpn.J.Appl.Phys.),32,L917(1993)などに記載のも
の。）、チアジアゾール誘導体（第４３回高分子学会予
稿集、IIIＰ１ａ００７などに記載のもの。）、オキシ
ン誘導体の金属錯体（電子情報通信学会技術研究報告、
92(311),43(1992)などに記載のもの）、キノキサリン誘
導体のポリマー（ジャパニーズ ジャーナル オブ ア
プライド フィジックス（Jpn.J.Appl.Phys.）,33,L250
(1994)などに記載のもの。）、フェナントロリン誘導体
（第４３回高分子討論会予稿集、１４Ｊ０７などに記載
のもの）などを挙げることができる。
【００４５】本発明に用いる発光材料には、高分子学会
編 高分子機能材料シリーズ”光機能材料”、共立出版
(1991)、P236 に記載されているような昼光蛍光材料、蛍
光増白剤、レーザー色素、有機シンチレータ、各種の蛍
光分析試薬などの公知の発光材料を用いることができる
が、具体的には、アントラセン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、コロネン、ルブレン、キナク
リドンなどの多環縮合化合物、クオーターフェニルなど
のオリゴフェニレン系化合物、１，４−ビス（２−メチ
ルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチ
リル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチル−５−フェ
ニル−２−オキザゾリル）ベンゼン、１，４−ビス（５
−フェニル−２−オキサゾリル）ベンゼン、２，５−ビ
ス（５−タシャリー−ブチル−２−ベンズオキサゾリ
ル）チオフェン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジ
エン、１，６−ジフェニル−１，３，５−ヘキサトリエ
ン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３，−ブタ
ジエンなどの液体シンチレーション用シンチレータ、特
開昭63-264692 号公報記載のオキシン誘導体の金属錯
体、クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染料、ジシ
アノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染料、オキソ
ベンズアントラセン染料、キサンテン染料、カルボスチ
リル染料およびペリレン染料、独国特許2534713 公報に
記載のオキサジン系化合物、第４０回応用物理学関係連
合講演会講演予稿集、1146(1993)に記載のスチルベン誘
導体および特開平4-363891号公報記載のオキサジアゾー
ル系化合物が好ましい。また、本発明のシクロペンタジ
エン誘導体を用いても良い。
編 高分子機能材料シリーズ”光機能材料”、共立出版
(1991)、P236 に記載されているような昼光蛍光材料、蛍
光増白剤、レーザー色素、有機シンチレータ、各種の蛍
光分析試薬などの公知の発光材料を用いることができる
が、具体的には、アントラセン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、コロネン、ルブレン、キナク
リドンなどの多環縮合化合物、クオーターフェニルなど
のオリゴフェニレン系化合物、１，４−ビス（２−メチ
ルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチ
リル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチル−５−フェ
ニル−２−オキザゾリル）ベンゼン、１，４−ビス（５
−フェニル−２−オキサゾリル）ベンゼン、２，５−ビ
ス（５−タシャリー−ブチル−２−ベンズオキサゾリ
ル）チオフェン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジ
エン、１，６−ジフェニル−１，３，５−ヘキサトリエ
ン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３，−ブタ
ジエンなどの液体シンチレーション用シンチレータ、特
開昭63-264692 号公報記載のオキシン誘導体の金属錯
体、クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染料、ジシ
アノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染料、オキソ
ベンズアントラセン染料、キサンテン染料、カルボスチ
リル染料およびペリレン染料、独国特許2534713 公報に
記載のオキサジン系化合物、第４０回応用物理学関係連
合講演会講演予稿集、1146(1993)に記載のスチルベン誘
導体および特開平4-363891号公報記載のオキサジアゾー
ル系化合物が好ましい。また、本発明のシクロペンタジ
エン誘導体を用いても良い。
【００４６】本発明の有機ＥＬ素子は従来行われている
方法により作製することができる。以下に本発明に好適
な方法のを例示する。
方法により作製することができる。以下に本発明に好適
な方法のを例示する。
【００４７】陽極／該シクロペンタジエン誘導体層／陰
極からなるＥＬ素子を以下のようにして作製することが
できる。まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば
陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１
０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパ
ッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作製した
のち、この上にシクロペンタジエン誘導体の薄膜を形成
させる。薄膜化の方法としては、例えば、浸漬塗工法、
スピンコート法、キャスト法、蒸着法等があるが、より
均質な膜が得られやすく、より不純物が混ざり難くかつ
ピンホールが生成しにくいなどの点から蒸着法がより好
ましい。
極からなるＥＬ素子を以下のようにして作製することが
できる。まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば
陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１
０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパ
ッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作製した
のち、この上にシクロペンタジエン誘導体の薄膜を形成
させる。薄膜化の方法としては、例えば、浸漬塗工法、
スピンコート法、キャスト法、蒸着法等があるが、より
均質な膜が得られやすく、より不純物が混ざり難くかつ
ピンホールが生成しにくいなどの点から蒸着法がより好
ましい。
【００４８】次に、このシクロペンタジエン誘導体層の
形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以
下、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成さ
せ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子を得
ることができる。なお、この有機ＥＬ素子の作製におい
ては、作製順序を逆にして、陰極、該シクロペンタジエ
ン誘導体層、陽極の順に作製することも可能である。こ
のようにして得られたＥＬ素子に直流電圧を印加する
と、発光が透明または半透明の電極側より観測できる。
さらに、交流電圧を印加することによっても発光する。
なお印加する交流の波形は任意でよい。
形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以
下、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成さ
せ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子を得
ることができる。なお、この有機ＥＬ素子の作製におい
ては、作製順序を逆にして、陰極、該シクロペンタジエ
ン誘導体層、陽極の順に作製することも可能である。こ
のようにして得られたＥＬ素子に直流電圧を印加する
と、発光が透明または半透明の電極側より観測できる。
さらに、交流電圧を印加することによっても発光する。
なお印加する交流の波形は任意でよい。
【００４９】
【実施例】以下に実施例にて本発明を具体的に説明する
が、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００５０】実施例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤをいれ、さらに
別のるつぼに１，１−ジメチル−２，３，４，５−テト
ラフェニルゲルマシクロペンタジエン（以下ＴＰＧと略
記する。）を入れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧し
た。こののち、ＴＰＤ入りのるつぼを加熱し、膜厚５０
ｎｍになるようにＴＰＤを蒸着したのち、さらにこの上
に、ＴＰＧ入りのるつぼを加熱して、膜厚５０ｎｍにな
るようにＴＰＧを蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２
ｎｍ／秒であった。その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで
減圧たのち、グラファイト性のるつぼを用い、マグネシ
ウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にさ
らに別のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着
速度で蒸着し、発光層の上にマグネシウムと銀の混合金
属電極の対向電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電極を
陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、得ら
れた素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、緑色の
発光を得た。
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤをいれ、さらに
別のるつぼに１，１−ジメチル−２，３，４，５−テト
ラフェニルゲルマシクロペンタジエン（以下ＴＰＧと略
記する。）を入れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧し
た。こののち、ＴＰＤ入りのるつぼを加熱し、膜厚５０
ｎｍになるようにＴＰＤを蒸着したのち、さらにこの上
に、ＴＰＧ入りのるつぼを加熱して、膜厚５０ｎｍにな
るようにＴＰＧを蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２
ｎｍ／秒であった。その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで
減圧たのち、グラファイト性のるつぼを用い、マグネシ
ウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にさ
らに別のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着
速度で蒸着し、発光層の上にマグネシウムと銀の混合金
属電極の対向電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電極を
陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、得ら
れた素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、緑色の
発光を得た。
【００５１】実施例２ ＴＰＧを９，９’−スタナスピロビフルオレンに代えた
以外は実施例１と同様な方法で素子を作成した。得られ
た素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、青紫色の
発光を得た。
以外は実施例１と同様な方法で素子を作成した。得られ
た素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、青紫色の
発光を得た。
【００５２】実施例３ ＴＰＧを９，９’−ゲルマスピロビフルオレンに代えた
以外は実施例１と同様な方法で素子を作成した。得られ
た素子に、直流電圧１７Ｖを印加すると約５０ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流が流れ、約１００ｃｄ／ｍ2の青色の発光を得
た。
以外は実施例１と同様な方法で素子を作成した。得られ
た素子に、直流電圧１７Ｖを印加すると約５０ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流が流れ、約１００ｃｄ／ｍ2の青色の発光を得
た。
【００５３】実施例４ ＴＰＧを１，１ージエチルー２，３，４，５ーテトラフ
ェニルスタナシクロペンタジエンに代えた以外は実施例
１と同様な方法で素子を作成した。得られた素子に、直
流電圧を印加すると電流が流れ、緑色の発光を得た。
ェニルスタナシクロペンタジエンに代えた以外は実施例
１と同様な方法で素子を作成した。得られた素子に、直
流電圧を印加すると電流が流れ、緑色の発光を得た。
【００５４】実施例５ 実施例１で用いた透明支持基板を蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤ、別のるつぼに
９，９’−ゲルマスピロビフルオレン、さらに別のるつ
ぼに４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフ
ェニル（以下ＤＰＶＢｉと略記する）を入れて真空槽を
１×１０-4Ｐａまで減圧した。まず、ＴＰＤ入りのるつ
ぼを加熱し、膜厚５０ｎｍになるようにＴＰＤを蒸着し
た。この上に、ＤＰＶＢｉ入りのるつぼを加熱して膜厚
２０ｎｍになるようにＤＰＶＢｉを蒸着し、さらに、こ
の上に９，９’−スピロビゲルマフルオレン入りのるつ
ぼを加熱して膜厚３０ｎｍになるように蒸着した。蒸着
速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒であった。その後真空槽
を２×１０-4Ｐａまで減圧したのち、グラファイト性の
るつぼから、マグネシウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の
蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから銀を０．１〜
０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、マグネシウムと銀
の混合金属電極を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着し対
向電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグ
ネシウムと銀の混合電極を陰極として、得られた素子
に、直流電圧を印加すると電流が流れ青色の発光を得
た。発光スペクトルはＤＰＶＢｉの蒸着膜の蛍光スペク
トルと一致した。
ーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤ、別のるつぼに
９，９’−ゲルマスピロビフルオレン、さらに別のるつ
ぼに４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフ
ェニル（以下ＤＰＶＢｉと略記する）を入れて真空槽を
１×１０-4Ｐａまで減圧した。まず、ＴＰＤ入りのるつ
ぼを加熱し、膜厚５０ｎｍになるようにＴＰＤを蒸着し
た。この上に、ＤＰＶＢｉ入りのるつぼを加熱して膜厚
２０ｎｍになるようにＤＰＶＢｉを蒸着し、さらに、こ
の上に９，９’−スピロビゲルマフルオレン入りのるつ
ぼを加熱して膜厚３０ｎｍになるように蒸着した。蒸着
速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒であった。その後真空槽
を２×１０-4Ｐａまで減圧したのち、グラファイト性の
るつぼから、マグネシウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の
蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから銀を０．１〜
０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、マグネシウムと銀
の混合金属電極を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着し対
向電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグ
ネシウムと銀の混合電極を陰極として、得られた素子
に、直流電圧を印加すると電流が流れ青色の発光を得
た。発光スペクトルはＤＰＶＢｉの蒸着膜の蛍光スペク
トルと一致した。
【００５５】実施例６ ＤＰＶＢｉをＡｌｑ代えた以外は実施例５と同様な方法
で素子を作成した。得られた素子に、直流電圧を印加す
ると電流が流れ緑色の発光を得た。
で素子を作成した。得られた素子に、直流電圧を印加す
ると電流が流れ緑色の発光を得た。
【００５６】実施例７ 実施例１で用いた透明支持基板を蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤ、別のるつぼにＴ
ＰＧ、さらにもう１つのるつぼにナイルレッドを入れて
真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧した。ＴＰＤ入りのる
つぼを加熱し、膜厚５０ｎｍになるようにＴＰＤを蒸着
した。この上に、ＴＰＧとナイルレッドのるつぼを共に
加熱して膜厚５０ｎｍになるように蒸着した。ＴＰＧの
蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒であり、ナイルレッ
ドのそれはＴＰＧの１００分の１であった。その後真空
槽を２×１０-4Ｐａまで減圧したのち、グラファイト性
のるつぼから、マグネシウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから銀を０．１
〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、マグネシウムと
銀の混合金属電極を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着
し、対向電極とし素子を作製した。ＩＴＯ電極を陽極、
マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、得られた素
子に、直流電圧印加すると電流が流れの赤橙色の発光を
得た。
ーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤ、別のるつぼにＴ
ＰＧ、さらにもう１つのるつぼにナイルレッドを入れて
真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧した。ＴＰＤ入りのる
つぼを加熱し、膜厚５０ｎｍになるようにＴＰＤを蒸着
した。この上に、ＴＰＧとナイルレッドのるつぼを共に
加熱して膜厚５０ｎｍになるように蒸着した。ＴＰＧの
蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒であり、ナイルレッ
ドのそれはＴＰＧの１００分の１であった。その後真空
槽を２×１０-4Ｐａまで減圧したのち、グラファイト性
のるつぼから、マグネシウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから銀を０．１
〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、マグネシウムと
銀の混合金属電極を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着
し、対向電極とし素子を作製した。ＩＴＯ電極を陽極、
マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、得られた素
子に、直流電圧印加すると電流が流れの赤橙色の発光を
得た。
【００５７】実施例８ 実施例１で用いた透明支持基板を市販のスピンナー（協
栄セミコンダクター（株）製）に固定し、ポリビニルカ
ルバゾール５０重量部、９，９’−ゲルマスピロビフル
オレン５０重量部を１，２−ジクロロエタンに溶解した
ものを５０００ｒｐｍで塗布した。その後、この基板を
１０-1Ｐａの減圧下５０℃にて乾燥後、蒸着装置の基板
ホルダーに固定した。その後真空槽を２×１０-4Ｐａま
で減圧したのち、グラファイト性のるつぼから、マグネ
シウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時に
もう一方のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸
着速度で蒸着し、マグネシウムと銀の混合金属電極を発
光層の上に２００ｎｍ積層蒸着し、対向電極とし、素子
を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀の混
合電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧を印加
すると電流が流れ、紫色の発光を得た。
栄セミコンダクター（株）製）に固定し、ポリビニルカ
ルバゾール５０重量部、９，９’−ゲルマスピロビフル
オレン５０重量部を１，２−ジクロロエタンに溶解した
ものを５０００ｒｐｍで塗布した。その後、この基板を
１０-1Ｐａの減圧下５０℃にて乾燥後、蒸着装置の基板
ホルダーに固定した。その後真空槽を２×１０-4Ｐａま
で減圧したのち、グラファイト性のるつぼから、マグネ
シウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時に
もう一方のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸
着速度で蒸着し、マグネシウムと銀の混合金属電極を発
光層の上に２００ｎｍ積層蒸着し、対向電極とし、素子
を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀の混
合電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧を印加
すると電流が流れ、紫色の発光を得た。
【００５８】実施例９ ポリビニルカルバゾール５０重量部、９，９’−ゲルマ
スピロビフルオレン５０重量部の１，２−ジクロロエタ
ン溶液に代えて、ポリビニルカルバゾール５０重量部、
９，９’−ゲルマスピロビフルオレン５０重量部、クマ
リン６（ＫＯＤＡＫ社製）１重量部の１，２−ジクロロ
エタン溶液を用いた以外は実施例８に同様な方法で素子
を作成した。得られた素子に、直流電圧を印加すると電
流が流れ緑色の発光を得た。
スピロビフルオレン５０重量部の１，２−ジクロロエタ
ン溶液に代えて、ポリビニルカルバゾール５０重量部、
９，９’−ゲルマスピロビフルオレン５０重量部、クマ
リン６（ＫＯＤＡＫ社製）１重量部の１，２−ジクロロ
エタン溶液を用いた以外は実施例８に同様な方法で素子
を作成した。得られた素子に、直流電圧を印加すると電
流が流れ緑色の発光を得た。
【００５９】実施例１０ クマリン６をペリレンに代えた以外は実施例９と同様な
方法で素子を作成した。得られた素子に、直流電圧を印
加すると電流が流れ青色の発光を得た。
方法で素子を作成した。得られた素子に、直流電圧を印
加すると電流が流れ青色の発光を得た。
【００６０】実施例１１ クマリン６をナイルレッドに代えた以外は実施例９と同
様な方法で素子を作成した。得られた素子に、直流電圧
を印加すると電流が流れ橙色の発光を得た。
様な方法で素子を作成した。得られた素子に、直流電圧
を印加すると電流が流れ橙色の発光を得た。
【００６１】実施例１２ ＤＰＶＢｉを９，９’−ゲルマスピロビフルオレンに、
９，９’−ゲルマスピロビフルオレンをＡｌｑに代えた
以外は実施例１４と同様の方法で素子を作成した。得ら
れた素子に、直流電圧を１０Ｖ印加すると約３００ｍＡ
／ｃｍ2の電流が流れ、約１７００ｃｄ／ｍ2の紫色の発
光を得た。発光スペクトルは、ＴＰＤ蒸着膜の蛍光スペ
クトルとほぼ一致し、発光波長は４０５ｎｍであった。
９，９’−ゲルマスピロビフルオレンをＡｌｑに代えた
以外は実施例１４と同様の方法で素子を作成した。得ら
れた素子に、直流電圧を１０Ｖ印加すると約３００ｍＡ
／ｃｍ2の電流が流れ、約１７００ｃｄ／ｍ2の紫色の発
光を得た。発光スペクトルは、ＴＰＤ蒸着膜の蛍光スペ
クトルとほぼ一致し、発光波長は４０５ｎｍであった。
【００６２】実施例１３ 実施例１で用いた透明支持基板を蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤ４０重量部、９，
９’−ゲルマスピロビフルオレン６０重量部及びクマリ
ン６を１重量部入れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧
した。このるつぼを加熱し、膜厚１００ｎｍになるよう
に蒸着した。蒸着速度は１〜１．２ｎｍ／秒であった。
その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、グラ
ファイト性のるつぼから、マグネシウムを１．２〜２．
４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから
銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、マグ
ネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に２００ｎｍ
積層蒸着し、対向電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電
極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、
得られた素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ緑色
の発光を得た。
ーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤ４０重量部、９，
９’−ゲルマスピロビフルオレン６０重量部及びクマリ
ン６を１重量部入れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧
した。このるつぼを加熱し、膜厚１００ｎｍになるよう
に蒸着した。蒸着速度は１〜１．２ｎｍ／秒であった。
その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、グラ
ファイト性のるつぼから、マグネシウムを１．２〜２．
４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから
銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、マグ
ネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に２００ｎｍ
積層蒸着し、対向電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電
極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、
得られた素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ緑色
の発光を得た。
【００６３】
【発明の効果】本発明のシクロペンタジエン誘導体を電
子輸送材料として用いた有機電界発光素子は、従来の電
子輸送材料を使用した素子よりも電子輸送性に優れ、低
電圧で高輝度な発光することができる。これらを用いる
ことにより、フルカラーのフラットパネルディスプレー
等の発光素子が作成できる。
子輸送材料として用いた有機電界発光素子は、従来の電
子輸送材料を使用した素子よりも電子輸送性に優れ、低
電圧で高輝度な発光することができる。これらを用いる
ことにより、フルカラーのフラットパネルディスプレー
等の発光素子が作成できる。
【化７】
【化７】
【化１０】
Claims (8)
- 【請求項１】 下記化１で表されるゲルマシクロペンタ
ジエン誘導体を用ることを特徴とする有機電界発光素
子。 【化１】 ［式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１から６ま
での飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、
アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ
基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無
置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の
環を形成した構造であり、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に
水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数１から６
までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、
アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル
基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール
カルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、
アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、
スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモ
イル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミ
ルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネ
ート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もし
くはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換
の環が縮合した構造である。］ - 【請求項２】 下記化２で表されるスタナシクロペンタ
ジエン誘導体を用ることを特徴とする電界発光素子。 【化２】 ［式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１から６ま
での飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、
アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ
基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無
置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の
環を形成した構造であり、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に
水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数１から６
までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、
アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル
基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール
カルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、
アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、
スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモ
イル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミ
ルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネ
ート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もし
くはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換
の環が縮合した構造である。］ - 【請求項３】 請求項１記載のゲルマシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも１種を電荷輸送層の成分とし
て用いたことを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項４】 請求項１記載のゲルマシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも１種を発光層の成分として用
いたことを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項５】 請求項１記載のゲルマシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも１種を正孔阻止層の成分とし
て用いたことを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項６】 請求項２記載のスタナシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも１種を電荷輸送層の成分とし
て用いたことを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項７】 請求項２記載のスタナシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも１種を発光層の成分として用
いたことを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項８】 請求項２記載のスタナシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも１種を正孔阻止層の成分とし
て用いたことを特徴とする電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18865396A JP3755196B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | シクロペンタジエン誘導体を用いることを特徴とする電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18865396A JP3755196B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | シクロペンタジエン誘導体を用いることを特徴とする電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1017860A true JPH1017860A (ja) | 1998-01-20 |
| JP3755196B2 JP3755196B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=16227493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18865396A Expired - Lifetime JP3755196B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | シクロペンタジエン誘導体を用いることを特徴とする電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3755196B2 (ja) |
Cited By (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100809481B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2008-03-03 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 적색 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광다이오드 |
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| US9627634B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-04-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Heterocyclic compound and organic light-emitting diode including the same |
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| US9825236B2 (en) | 2014-07-17 | 2017-11-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and display device including the same |
| US9831443B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-11-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Condensed cyclic compound and organic light-emitting device comprising the same |
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| US9847492B2 (en) | 2014-07-10 | 2017-12-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic compound and organic light emitting diode device including the same |
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| US9929349B2 (en) | 2014-12-08 | 2018-03-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and display device including the same |
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