JPH1018027A - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

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JPH1018027A
JPH1018027A JP17123596A JP17123596A JPH1018027A JP H1018027 A JPH1018027 A JP H1018027A JP 17123596 A JP17123596 A JP 17123596A JP 17123596 A JP17123596 A JP 17123596A JP H1018027 A JPH1018027 A JP H1018027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
electron beam
insulator
metal base
filament
Prior art date
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Pending
Application number
JP17123596A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Suzuki
俊明 鈴木
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH1018027A publication Critical patent/JPH1018027A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空蒸着装置の電子ビーム発生装置での異常
放電の発生を効果的の回避し、安定した電子ビームの発
生、したがって安定した蒸着膜の形成を行うことができ
るようにする。 【解決手段】 アノード保持部と、カソード保持部とを
有し、カソード保持部内に、カソードを加熱するフィラ
メントが、カソードに対向して支持されてなる電子ビー
ム発生装置を具備し、電子ビーム発生装置のフィラメン
トFの通電電極ピン26が筒状の絶縁碍子25内に挿通
され、この絶縁碍子25が金属ベース24を介してカソ
ード保持部内に取着された構成とし、金属ベース24
は、絶縁碍子25をその外周から挟持するように分割さ
れた構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば金属薄膜型
磁気記録媒体の製造装置に適用して好適な真空蒸着装置
に係わる。
【0002】
【従来の技術】例えばビデオテープレコーダ(VTR)
においては、高密度記録化による画質の向上が進められ
ており、これに対応すべく例えば8ミリVTR等の磁気
記録媒体として磁性層の充填密度の高い金属薄膜型磁気
記録媒体が実用化されている。
【0003】この金属薄膜型磁気記録媒体は、その磁性
層が磁性金属薄膜によって構成されるものであり、その
製造における磁性層の形成は、真空蒸着装置よってなさ
れる。
【0004】この真空蒸着装置は、図1にその概略構成
図を示すように、真空室3に、配置された冷却キャン4
の外周をめぐって金属薄膜型磁気記録媒体を構成する非
磁性支持体5が移行するようになされ、この冷却キャン
4をめぐって移行する非磁性支持体5と対向するよう
に、金属磁性材料8が収容されるルツボ9が配置され
る。
【0005】一方、電子ビーム発生装置10が設けら
れ、これより発射させた電子ビームBを、ルツボ9内の
金属磁性材料8に照射してこの金属磁性材料をを蒸発さ
せ、冷却キャン4の外周の非磁性支持体5に斜め蒸着す
るようになされている。
【0006】ところで、この種の真空蒸着装置において
は、その電子ビーム発生装置10における異常放電がし
ばしば発生し、これが安定した電子ビームの発生を阻害
し、蒸着膜に欠陥を発生させるなどの不都合を生じ、金
属薄膜型磁気記録媒体の製造において、特性の低下を来
すなどの問題を生じる。
【0007】この電子ビーム発生装置10は、図2にそ
の断面図を示すように、アノードAを保持するアノード
保持部21と、カソードKを保持するカソード保持部2
2とを有し、カソード保持部22内に、カソードKを加
熱するフィラメントFが、カソードKに対向して支持さ
れて成る。
【0008】カソード保持部22は、カソード電圧が印
加される導電性筒状部23の先端部にカソードKが機械
的に保持されると共にこれにカソード電圧が供給される
ようになされている。そして、また、導電性筒状部23
内に、例えば円板状の金属ベース24が取付られ、これ
に対の絶縁碍子25によってそれぞれ支持された対の電
極ピン26にフィラメントFの両端が電気的および機械
的に連結されて、フィラメントFが、カソードKに対向
した状態で支持され、かつこれに対する通電がなされ
る。
【0009】絶縁碍子25は、図5にその分解斜視図を
示し、図6にその一部の断面図を示すように、金属ベー
ス24に穿設した対の透孔27に貫通して取り付けられ
る。絶縁碍子25は、中心孔25aが穿設され、一端に
大径頭部25Hを有する断面T字型の筒状部25Aを有
し、その小径の筒状部25Aが、透孔27に金属ベース
24の一側面側から挿通され、金属ベース24の他方の
側面側に、筒状部25Aの貫通端を覆うように配置され
た底面に中心孔25bを有するカップ状部25Bよりな
る。そして、これら筒状部25Aおよびカップ状部25
Bの各中心孔25aおよび25bを貫通して例えばフラ
ンジ28を有し、ねじ溝を外周に有する電極ピン26が
挿通され、ナット29によって締めつけ固定するように
なされている。そして、これら電極ピン26に外部電源
が接続されてフィラメントFへの通電がなされる。
【0010】ところが、この構成による電子ビーム発生
装置においては、前述したように異常放電が発生すると
いう問題があるものであり、この異常放電は、絶縁碍子
25の構造に問題があることを究明した。すなわち、上
述の従来構成による絶縁碍子25においては、筒状部2
5Aとカップ状部25Bとの2部分によって構成して、
これらによって金属ベース24を挟み込んで取り付ける
という構成を採っていることから、図6で示すように、
その筒状部25Aの透孔27への貫通先端部の外周面
と、カップ状部25Bの内周部との間に狭小な間隙30
が発生し、この間隙30を通じて、フィラメントFへの
通電がなされる電極ピン26とカソード電位にある金属
ベース24との間に放電が発生し易い状態にあることに
よるものであることを究明した。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明においては、例
えば上述した金属薄膜型磁気記録媒体の製造装置等にお
ける真空蒸着装置においてその電子ビーム発生装置での
異常放電の発生を効果的に回避し、安定した電子ビーム
の発生、したがって安定した蒸着膜の形成を行うことが
できるようにして、信頼性が高い安定した特性を有する
例えば金属薄膜型磁気記録媒体の製造を可能にする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明による真空蒸着装
置は、アノード保持部と、カソード保持部とを有し、カ
ソード保持部内に、カソードを加熱するフィラメント
が、カソードに対向して支持されてなる電子ビーム発生
装置を具備し、電子ビーム発生装置の上記フィラメント
の通電電極ピンが筒状絶縁碍子内に挿通され、筒状絶縁
碍子が金属ベースを介して上記カソード保持部内に取着
された構成とし、金属ベースは、筒状絶縁碍子をその外
周から挟持するように分割された構成とする。
【0013】上述の本発明構成によれば、絶縁碍子を分
割した構成とせずに、金属ベースを分割して絶縁碍子を
挟持する構成としたことから、絶縁碍子を2分割する構
成とする場合における両者間の間隙の発生を回避できる
ことによって、電極ピンとカソード電位が与えられる金
属ベースとの間に放電が発生することが回避され、常に
安定した電子ビームの放出、したがって安定した蒸着を
行うことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明による真空蒸着装置の実施
の形態を説明する。この例においては、図1で示すよう
に、この金属薄膜型磁気記録媒体を製造する真空蒸着装
置に適用した場合で、この真空蒸着装置は、前述したと
ころであるが、さらに説明すると、真空ポンプ(図示せ
ず)によって排気される排気口1および2を有する真空
室3を有して成る。そして、この真空室3内に、冷却キ
ャン4が配置され、この冷却キャン4の外周をめぐって
金属薄膜型磁気記録媒体を構成する非磁性支持体5例え
ばポリエチレンテレフタレート等のシートが巻回されて
いる供給ロール6から巻き取りロール7へと移行するよ
うになされている。
【0015】冷却キャン4の、非磁性支持体5がめぐっ
て移行される位置に対向して金属磁性材料8が収容され
るルツボ9が配置される。一方、電子ビーム発生装置1
0が設けられ、これより発射される電子ビームBが、ル
ツボ9内の金属磁性材料8に照射されて金属磁性材料8
を蒸発させ、この金属磁性材料を、冷却キャン4の外周
の非磁性支持体5に蒸着するようになされる。ルツボ9
と冷却キャン4との間にはシャッター11が設けられ、
非磁性支持体5に対する金属磁性材料の蒸着の入射角の
選定がなされて所要の角度をもって斜め蒸着がなされる
ようにする。
【0016】また、金属磁性材料の非磁性支持体5に対
する蒸着途上に、酸素ガスを供給する酸素ガス導入管1
2が配置されて、非磁性体5上に蒸着されて形成された
磁性層の磁気特性、耐久性、耐候性等の向上が図られる
ようになされている。
【0017】ルツボ9には、金属磁性材料供給手段13
から逐次金属磁性材料8が供給できるようになされてい
る。
【0018】冷却キャン4は、冷却手段(図示せず)に
よって所要の温度に冷却され、非磁性支持体5が、金属
磁性材料の蒸着による温度上昇によって変形することが
ないようになされている。
【0019】この電子ビーム発生装置10は、図2にそ
の断面図を示すように、アノード電位が与えられ、アノ
ードAを保持するアノード保持部21と、カソード電位
が与えられカソードKを保持するカソード保持部22と
を有する。
【0020】カソード保持部22内には、カソードKを
加熱するフィラメントFが、カソードKに対向して支持
される。
【0021】カソード保持部22は、導電性筒状部23
を有し、その先端にカソードKが架張され、底面に電子
透過孔31が穿設された導電性のカソード保持キャップ
32が螺合等によって取付られるようになされている。
また、導電性筒状部23の、カソード保持キャップ32
が配置される側とは反対側に、導電性筒状部23と一体
に基板部33が設けられる。この基板部33には、カソ
ード電源が接続されるカソード電源端子34が配設され
て、基板部33−導電性筒状部23−カソード保持キャ
ップ32を通じてカソードKに所定の電圧が印加される
ようになされている。
【0022】カソード保持部22の導電性筒状部23内
には、金属ベース24が取り付けられ、この金属ベース
24に、対の絶縁碍子25を介して対の電極ピン26
が、固定され、これら電極ピン26にフィラメントFの
両端が、直接的もしくは間接的に電気的および機械的に
連結されてこのフィラメントFが、カソードKに対向し
た状態で支持され、かつこれに対する通電がなされる。
【0023】金属ベース24は、図3にその分解斜視図
を示し、図4に一部の断面図を示すように、例えば円板
状の金属板を、その中心軸を通る位置で2分した形状の
対の半体241および242よりなる。これら半体24
1および242は、これらを合致させて全体として例え
ば円板状としたときに、対の透孔27が形成されるよう
に、互いの突き合わせ面にそれぞれ対の切欠271およ
び272が形成される。
【0024】一方、絶縁碍子25は、セラミック等の絶
縁体によって構成され、電極ピン26を貫通する中心孔
25aが穿設され、両端に例えば円板状の大径のフラン
ジ部25dが外周に突設形成された筒状例えば円筒状を
なし、全体が一体構造とされる。フランジ部25dの輪
郭形状の大きさ例えば外径は、金属ベース24の透孔2
7の内部輪郭例えば内径より大に選定し、両フランジ部
25d間の筒状部の外周形状大きさは金属ベース24の
透孔27の内周形状大きさに対応して互いにできるだけ
一致するように形成される。また、各絶縁碍子25の両
フランジ部25dの間隔と、金属ベース24の厚さは、
互いに対応する寸法に選定され、両フランジ部25d間
に金属ベース24を挟み込める厚さに選定する。
【0025】そして、金属ベース24に対する絶縁碍子
25を介しての電極ピン26の取付は、図4に示すよう
に、絶縁碍子25を金属ベース24の両半体241およ
び242間に挟み込んで固定される。この場合、各対の
切欠271および272間において、それぞれ対の絶縁
碍子25を、その各フランジ部25d間に切欠271お
よび272の周縁部が食い込むように両半体241およ
び242を合致させる。一方、それぞれフランジ28を
有する対の電極ピン26を各絶縁碍子25の中心孔25
aに挿通し、各フランジ28を、絶縁碍子25の各一端
面に衝合させ、絶縁碍子25からの電極ピン26の突出
端にナット29を螺合して締めつけることによって電極
ピン26を絶縁碍子25に取り付ける。
【0026】各電極ピン26の、フィラメントFの端部
が接続される側とは反対側においては、基板部33に端
子挿通絶縁碍子36を介して取付られたフィラメント電
源端子37に、導電性ワイヤ等によって電気的に連結さ
れて端子37ー電極ピン26を介してフィラメントFへ
の通電加熱がなされる。
【0027】金属ベース24は、導電性筒状部23の内
面に突設した例えばリング状支持枠35にとめねじ等に
よって取り付けられる。
【0028】アノード保持部21は、図2に示すよう
に、例えばフランジ部40を有するカップ状をなす金属
等の導電体よりなり、その底面に中心孔42が穿設され
た電子ビーム出射孔42が形成されたアノードAが配置
されて成る。
【0029】アノード保持部21とカソード保持部22
とは、アノード保持部21のフランジ部40と、カソー
ド保持部22の基板部33との間に介在させたセラミッ
ク等の絶縁筒体41によって電気的に絶縁して機械的に
連結する。
【0030】上述の本発明構成によれば、真空蒸着装置
の電子ビーム発生装置において、そのフィラメントFの
電極ピン26をカソード電位が印加されている金属ベー
ス24に絶縁碍子25を介して取り付けられた構造を有
するが、本発明においてはその絶縁碍子25を分割した
構成とせずに、金属ベース24を分割して絶縁碍子25
を挟持する構成としたことから、絶縁碍子25を2分割
する構成とする場合における両者間の間隙の発生を回避
できることによって、電極ピン26とカソード電位が与
えられる金属ベース24との間に放電が発生することが
回避され、常に安定した電子ビームの放出を行うことが
できる。
【0031】尚、本発明による真空蒸着装置は、図示の
例に限られるものではなく、その蒸着材料を電子ビーム
衝撃によって蒸発させる各種真空蒸着装置に適用するこ
とができ、またその電子ビーム発生装置においても、例
えば金属ベース24は、全体として円板状をなす形状と
するに限られるのではなく、楕円形、多角形等に形成す
ることができるし、絶縁碍子25の筒状も円筒に限られ
るものではなく多角筒状等種々の変形変更を行うことが
できる。
【0032】
【発明の効果】上述したように、本発明構成において
は、真空蒸着装置の電子ビーム発生装置において、その
フィラメントFの電極ピン26をカソード電位が印加さ
れている金属ベース24に絶縁碍子25を介して取り付
けられた構造を有するが、本発明においては、その絶縁
碍子25を分割した構成とせずに、金属ベース24を分
割して絶縁碍子25を挟持する構成としたことから、絶
縁碍子25を2分割する構成とする場合における両者間
の間隙の発生を回避できることによって、電極ピン26
とカソード電位が与えられる金属ベース24との間に放
電が発生することが回避され、常に安定した電子ビーム
の放出を行うことができ、これによって安定した蒸着を
行うことができ、例えば金属薄膜型磁気記録媒体の磁性
層の蒸着に用いて、成膜特性にすぐれ、したがって磁気
的特性に優れた信頼性の高い磁性層を形成することがで
きる。したがって、歩留りの向上、これに伴うコストの
低下を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用する真空蒸着装置の一例の構成図
である。
【図2】本発明による真空蒸着装置の電子ビーム発生装
置の一例の断面図である。
【図3】本発明による真空蒸着装置の電子ビーム発生装
置の一例の分解斜視図である。
【図4】本発明による真空蒸着装置の電子ビーム発生装
置の一例の要部の断面図である。
【図5】従来の真空蒸着装置の電子ビーム発生装置の一
例の分解斜視図である。
【図6】従来の真空蒸着装置の電子ビーム発生装置の要
部の断面図である。
【符号の説明】
1,2 排気口、3 真空室、4 冷却キャン、5 非
磁性支持体、6 供給ロール、7 巻き取りロール、8
金属磁性材料、9 ルツボ、10 電子ビーム発生装
置、B 電子ビーム、A アノード、K カソード、F
フィラメント、21 アノード保持部、22 カソー
ド保持部、23 導電性筒状部、24金属ベース、24
1,242 金属ベースの半体、26 電極ピン、27
透孔、28 フランジ、29 ナット、42 電子ビ
ーム出射孔

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アノード保持部と、カソード保持部とを
    有し、 該カソード保持部内に、上記カソードを加熱するフィラ
    メントが、上記カソードに対向して支持されてなる電子
    ビーム発生装置を具備し、 該電子ビーム発生装置の上記フィラメントの通電電極ピ
    ンが筒状の絶縁碍子内に挿通され、該絶縁碍子が金属ベ
    ースを介して上記カソード保持部内に取着され、 上記金属ベースは、上記絶縁碍子をその外周から挟持す
    るように分割された構成とされたことを特徴とする真空
    蒸着装置。
  2. 【請求項2】上記絶縁碍子は、上記金属ベースによって
    挟み込まれた状態で上記金属ベースの両面に衝合する少
    なくとも対のフランジ部が設けられてなることを特徴と
    する請求項1に記載の真空蒸着装置。
JP17123596A 1996-07-01 1996-07-01 真空蒸着装置 Pending JPH1018027A (ja)

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JP17123596A JPH1018027A (ja) 1996-07-01 1996-07-01 真空蒸着装置

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JP17123596A Pending JPH1018027A (ja) 1996-07-01 1996-07-01 真空蒸着装置

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JP (1) JPH1018027A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7652264B2 (en) 2005-10-07 2010-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Filament member, ion source, and ion implantation apparatus
US8028653B2 (en) 2007-12-06 2011-10-04 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. System, method and apparatus for filament and support used in plasma-enhanced chemical vapor deposition for reducing carbon voids on media disks in disk drives

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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