JPH10180480A - 無鉛半田材料及びそれを用いた電子部品 - Google Patents
無鉛半田材料及びそれを用いた電子部品Info
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- JPH10180480A JPH10180480A JP8310692A JP31069296A JPH10180480A JP H10180480 A JPH10180480 A JP H10180480A JP 8310692 A JP8310692 A JP 8310692A JP 31069296 A JP31069296 A JP 31069296A JP H10180480 A JPH10180480 A JP H10180480A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｓｎ基であって、Ｎｉ被膜を介在させて電子部
材と基板を半田付けする際の接合性を向上し得る無鉛半
田材料と、これを用いた電子部品を提供する。 【解決手段】Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種を０．０
１〜５．０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純物から
なる組成の無鉛半田材料とすることで、Ｎｉ被膜を介在
させた半田付けに際して、半田付け性劣化度を向上させ
る事が出来た。
材と基板を半田付けする際の接合性を向上し得る無鉛半
田材料と、これを用いた電子部品を提供する。 【解決手段】Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種を０．０
１〜５．０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純物から
なる組成の無鉛半田材料とすることで、Ｎｉ被膜を介在
させた半田付けに際して、半田付け性劣化度を向上させ
る事が出来た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、鉛を使用しない半
田材料でＮｉ膜の損傷を防止する性能に優れた無鉛半田
材料に関し、詳しくは、ＩＣチップやコンデンサと基板
を、Ｎｉ被膜を介して接合する際に用いて好適な無鉛半
田材料、及びその半田材料を用いた電子部品に関する。
田材料でＮｉ膜の損傷を防止する性能に優れた無鉛半田
材料に関し、詳しくは、ＩＣチップやコンデンサと基板
を、Ｎｉ被膜を介して接合する際に用いて好適な無鉛半
田材料、及びその半田材料を用いた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体装置やハイブリッドＩＣ等
を実装する際にＩＣチップやコンデンサ等と基板を接合
する場合、５重量％Ｓｎ−９５重量％Ｐｂ組成に代表さ
れる鉛（Ｐｂ）基半田材料を用いて接合が行われてい
る。一方、最近は電子機器等の廃棄処理等の課題や環境
対策の推進により、鉛を使用しない無鉛半田材料に関す
る要求が高まってきた。この為、前記ＩＣチップやコン
デンサ等の半田付け材と基板を接合するに適した無鉛半
田材料が要求されるが、融点、濡れ性、コストを考慮す
るとＳｎ基無鉛半田材料が最も適している。
を実装する際にＩＣチップやコンデンサ等と基板を接合
する場合、５重量％Ｓｎ−９５重量％Ｐｂ組成に代表さ
れる鉛（Ｐｂ）基半田材料を用いて接合が行われてい
る。一方、最近は電子機器等の廃棄処理等の課題や環境
対策の推進により、鉛を使用しない無鉛半田材料に関す
る要求が高まってきた。この為、前記ＩＣチップやコン
デンサ等の半田付け材と基板を接合するに適した無鉛半
田材料が要求されるが、融点、濡れ性、コストを考慮す
るとＳｎ基無鉛半田材料が最も適している。
【０００３】ここで、本発明に於いて電子部材とは、電
子部品を実装するに際して基板と接合される半田付け材
をいい、ＩＣチップ等の電子素子、コンデンサ、抵抗等
のチップ部品等があげられる。また電子部品とは、半田
付けして実装された半導体装置、コンデンサ等のような
機能部品や該機能部品等を搭載した配線基板をいう。
子部品を実装するに際して基板と接合される半田付け材
をいい、ＩＣチップ等の電子素子、コンデンサ、抵抗等
のチップ部品等があげられる。また電子部品とは、半田
付けして実装された半導体装置、コンデンサ等のような
機能部品や該機能部品等を搭載した配線基板をいう。
【０００４】上記電子部材と基板を接合するに適した無
鉛半田材料として、前述の事情から最近いろいろな提案
がなされている。例えば特開平８−１３２２７７号には
電子機器などの回路基板上に小型のチップ部品などを精
度良く実装するに適したＳｎ基無鉛半田材料が提案され
ている。
鉛半田材料として、前述の事情から最近いろいろな提案
がなされている。例えば特開平８−１３２２７７号には
電子機器などの回路基板上に小型のチップ部品などを精
度良く実装するに適したＳｎ基無鉛半田材料が提案され
ている。
【０００５】一方、電子部材と基板を半田付けする際に
Ｐｂ基半田材料を用いる場合、その接合性を向上させる
ためにＮｉ、Ｃｕ等の被膜を介在させて半田付けするこ
とが通常行われている。しかしながら、前記Ｓｎ基無鉛
半田材料を用い、Ｎｉ被膜を介在させて半田付けを行っ
た場合、Ｐｂ基半田材料を用いた時に得られたような接
合性の向上が得られないという問題が生じてきた。
Ｐｂ基半田材料を用いる場合、その接合性を向上させる
ためにＮｉ、Ｃｕ等の被膜を介在させて半田付けするこ
とが通常行われている。しかしながら、前記Ｓｎ基無鉛
半田材料を用い、Ｎｉ被膜を介在させて半田付けを行っ
た場合、Ｐｂ基半田材料を用いた時に得られたような接
合性の向上が得られないという問題が生じてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来事情に鑑
み、本発明では組成が無鉛であり、Ｓｎ基であって、Ｎ
ｉ被膜を介在させて半田付けすることによる接合性（以
下Ｎｉ介在接合性という）を向上させる事が出来るＳｎ
基無鉛半田材料及びこれを用いてなる電子部品を提供す
ることを目的とする。
み、本発明では組成が無鉛であり、Ｓｎ基であって、Ｎ
ｉ被膜を介在させて半田付けすることによる接合性（以
下Ｎｉ介在接合性という）を向上させる事が出来るＳｎ
基無鉛半田材料及びこれを用いてなる電子部品を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等が鋭意検討を
重ねた結果、半田材料の組成を、Ｓｎの中に、Ｆｅ及び
Ｎｉのうち少なくとも１種を所定量含有させることによ
り前述の目的を達成し得る事を知見し、本発明を完成す
るに至った。
重ねた結果、半田材料の組成を、Ｓｎの中に、Ｆｅ及び
Ｎｉのうち少なくとも１種を所定量含有させることによ
り前述の目的を達成し得る事を知見し、本発明を完成す
るに至った。
【０００８】すなわち本発明の無鉛半田材料は請求項１
記載のように、Ｆｅ及びＮｉのうち少なくとも１種を
０．０１〜５．０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純
物からなることを特徴とする。
記載のように、Ｆｅ及びＮｉのうち少なくとも１種を
０．０１〜５．０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純
物からなることを特徴とする。
【０００９】また本発明の無鉛半田材料は請求項２記載
のように、Ｆｅ：０．０１〜４．９９重量％、Ｎｉ：
０．０１〜４．９９重量％でその合計量が０．０２〜
５．０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる
ことを特徴とする。
のように、Ｆｅ：０．０１〜４．９９重量％、Ｎｉ：
０．０１〜４．９９重量％でその合計量が０．０２〜
５．０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる
ことを特徴とする。
【００１０】本発明の電子部品は請求項３記載のよう
に、Ｆｅ及びＮｉのうち少なくとも１種を０．０１〜
５．０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる
無鉛半田材料を用いて、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を
介して接合したことを特徴とする。
に、Ｆｅ及びＮｉのうち少なくとも１種を０．０１〜
５．０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる
無鉛半田材料を用いて、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を
介して接合したことを特徴とする。
【００１１】また本発明の電子部品は請求項４記載のよ
うに、Ｆｅ：０．０１〜４．９９重量％、Ｎｉ：０．０
１〜４．９９重量％でその合計量が０．０２〜５．０重
量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる無鉛半田
材料を用いて、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を介して接
合したことを特徴とする。
うに、Ｆｅ：０．０１〜４．９９重量％、Ｎｉ：０．０
１〜４．９９重量％でその合計量が０．０２〜５．０重
量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる無鉛半田
材料を用いて、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を介して接
合したことを特徴とする。
【００１２】また本発明の電子部品は請求項５記載のよ
うに、Ｆｅ及びＮｉのうち少なくとも１種を０．０１〜
４．９９重量％、Ｆｅ，Ｎｉ以外の選択成分が０．０１
〜４．９９重量％で、その合計量が０．０２〜５．０重
量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる無鉛半田
材料を用いて、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を介して接
合したことを特徴とする。
うに、Ｆｅ及びＮｉのうち少なくとも１種を０．０１〜
４．９９重量％、Ｆｅ，Ｎｉ以外の選択成分が０．０１
〜４．９９重量％で、その合計量が０．０２〜５．０重
量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる無鉛半田
材料を用いて、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を介して接
合したことを特徴とする。
【００１３】また本発明の電子部品は請求項６記載のよ
うに、Ｆｅ：０．０１〜４．９８重量％、Ｎｉ：０．０
１〜４．９８重量％、Ｆｅ，Ｎｉ以外の選択成分：０．
０１〜４．９８重量％で、その合計量が０．０３〜５．
０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる無鉛
半田材料を用いて、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を介し
て接合したことを特徴とする。
うに、Ｆｅ：０．０１〜４．９８重量％、Ｎｉ：０．０
１〜４．９８重量％、Ｆｅ，Ｎｉ以外の選択成分：０．
０１〜４．９８重量％で、その合計量が０．０３〜５．
０重量％、及び残部がＳｎと不可避不純物からなる無鉛
半田材料を用いて、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を介し
て接合したことを特徴とする。
【００１４】本発明の電子部品は請求項７記載のよう
に、上記電子部材がＩＣチップ又はコンデンサであるこ
とを特徴とする。
に、上記電子部材がＩＣチップ又はコンデンサであるこ
とを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてさらに詳し
く説明する。
く説明する。
【００１６】本発明になる半田材料の組成は、無鉛であ
ることが必要である。本発明に於ける無鉛とは、Ｐｂ含
有量を環境対策上好ましい量まで低減したものであり、
好ましくは不可避不純物中に含まれる微量な程度にまで
低減した鉛無添加のものである。
ることが必要である。本発明に於ける無鉛とは、Ｐｂ含
有量を環境対策上好ましい量まで低減したものであり、
好ましくは不可避不純物中に含まれる微量な程度にまで
低減した鉛無添加のものである。
【００１７】また本発明の半田材料は融点、濡れ性、コ
スト等を考慮してＳｎ基である。本発明に於けるＳｎ原
料は、９９．９重量％以上の高純度Ｓｎを用いることが
好ましい。更に好ましくは９９．９９重量％以上であ
る。Ｓｎ原料が高純度である程、不可避不純物中にＰｂ
の混入を避ける事が出来て好ましい。
スト等を考慮してＳｎ基である。本発明に於けるＳｎ原
料は、９９．９重量％以上の高純度Ｓｎを用いることが
好ましい。更に好ましくは９９．９９重量％以上であ
る。Ｓｎ原料が高純度である程、不可避不純物中にＰｂ
の混入を避ける事が出来て好ましい。
【００１８】本発明に於いては、所定量のＦｅ，Ｎｉの
うち少なくとも１種及び残部がＳｎと不可避不純物から
なる無鉛半田材料とすることにより、Ｆｅ，Ｎｉのうち
少なくとも１種とＳｎとの相乗効果によって、組成がＳ
ｎ基無鉛半田材料でありながら、Ｎｉ介在接合性を向上
させる事が出来る。
うち少なくとも１種及び残部がＳｎと不可避不純物から
なる無鉛半田材料とすることにより、Ｆｅ，Ｎｉのうち
少なくとも１種とＳｎとの相乗効果によって、組成がＳ
ｎ基無鉛半田材料でありながら、Ｎｉ介在接合性を向上
させる事が出来る。
【００１９】Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種を含有す
るＳｎ基無鉛半田材料に於いて、Ｆｅ，Ｎｉのうち少な
くとも１種の含有量が０．０１重量％以上の時、０．０
１重量％未満と対比してＮｉ介在接合性を大きく向上さ
せることが出来る。この為、Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくと
も１種の含有量は０．０１重量％以上である事が必要で
ある。この中でもＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種の含
有量が０．１重量％以上の時Ｎｉ介在接合性は一段と向
上してくる為、好ましくは０．１重量％以上である。
るＳｎ基無鉛半田材料に於いて、Ｆｅ，Ｎｉのうち少な
くとも１種の含有量が０．０１重量％以上の時、０．０
１重量％未満と対比してＮｉ介在接合性を大きく向上さ
せることが出来る。この為、Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくと
も１種の含有量は０．０１重量％以上である事が必要で
ある。この中でもＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種の含
有量が０．１重量％以上の時Ｎｉ介在接合性は一段と向
上してくる為、好ましくは０．１重量％以上である。
【００２０】Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種の含有量
が５重量％を超える時、５重量％以下と対比してＮｉ介
在接合性は低下してくる。この為、Ｆｅ，Ｎｉのうち少
なくとも１種の含有量は５重量％以下であることが必要
である。
が５重量％を超える時、５重量％以下と対比してＮｉ介
在接合性は低下してくる。この為、Ｆｅ，Ｎｉのうち少
なくとも１種の含有量は５重量％以下であることが必要
である。
【００２１】所定量のＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種
の中で、Ｆｅを０．０１〜４．９９重量％及びＮｉを
０．０１〜４．９９重量％であって、その合計量を０．
０２〜５重量％とすることによりＮｉ介在接合性は一段
と向上し、さらに好ましく用いられる。またその合計量
を０．１〜５重量％とすることが最も好ましい。
の中で、Ｆｅを０．０１〜４．９９重量％及びＮｉを
０．０１〜４．９９重量％であって、その合計量を０．
０２〜５重量％とすることによりＮｉ介在接合性は一段
と向上し、さらに好ましく用いられる。またその合計量
を０．１〜５重量％とすることが最も好ましい。
【００２２】このため、Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも１
種及び残部がＳｎと不可避不純物からなる無鉛半田材料
に於いて、Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種の含有量は
０．０１〜５重量％と定めた。好ましくは０．１〜５重
量％である。更に好ましくは、Ｆｅを０．０１〜４．９
９重量％及びＮｉを０．０１〜４．９９重量％であっ
て、その合計量を０．０２〜５重量％とすることであ
り、最も好ましくはその合計量が０．１〜５重量％であ
る。
種及び残部がＳｎと不可避不純物からなる無鉛半田材料
に於いて、Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種の含有量は
０．０１〜５重量％と定めた。好ましくは０．１〜５重
量％である。更に好ましくは、Ｆｅを０．０１〜４．９
９重量％及びＮｉを０．０１〜４．９９重量％であっ
て、その合計量を０．０２〜５重量％とすることであ
り、最も好ましくはその合計量が０．１〜５重量％であ
る。
【００２３】本発明の無鉛半田材料に於いては、Ｓｎの
中に、Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種を０．０１〜４
／９９重量％含有する限り、Ｆｅ，Ｎｉ以外の選択成分
を０．０１〜４．９９重量％含有し、その合計量が０．
０２〜５重量％であれば、Ｎｉ介在接合性を向上させる
事が出来る。また、Ｓｎの中に、Ｆｅを０．０１〜４．
９８重量％、Ｎｉを０．０１〜４．９８重量％含有する
限り、Ｆｅ，Ｎｉ以外の選択成分を０．０１〜４．９８
重量％含有し、その合計量が０．０３〜５．０重量％で
あれば、Ｎｉ介在接合性を向上させる事が出来る。
中に、Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種を０．０１〜４
／９９重量％含有する限り、Ｆｅ，Ｎｉ以外の選択成分
を０．０１〜４．９９重量％含有し、その合計量が０．
０２〜５重量％であれば、Ｎｉ介在接合性を向上させる
事が出来る。また、Ｓｎの中に、Ｆｅを０．０１〜４．
９８重量％、Ｎｉを０．０１〜４．９８重量％含有する
限り、Ｆｅ，Ｎｉ以外の選択成分を０．０１〜４．９８
重量％含有し、その合計量が０．０３〜５．０重量％で
あれば、Ｎｉ介在接合性を向上させる事が出来る。
【００２４】本発明において選択成分とは、Ｓｎの中に
所定量のＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種を含有するこ
とで得られる効果（Ｎｉ介在接合性の向上）を失わせな
い機能を有する添加元素で、任意に含有させることがで
きるいわゆる随伴元素(incidental elements) である。
本発明に係る選択成分としては、Ｚｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，
Ｐ，Ａｇ，Ｓｂ等が例示出来る。しかしＦｅ，Ｎｉ以外
の選択成分を含有しない方が、Ｎｉ介在接合性を向上さ
せる為に好ましい。
所定量のＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種を含有するこ
とで得られる効果（Ｎｉ介在接合性の向上）を失わせな
い機能を有する添加元素で、任意に含有させることがで
きるいわゆる随伴元素(incidental elements) である。
本発明に係る選択成分としては、Ｚｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，
Ｐ，Ａｇ，Ｓｂ等が例示出来る。しかしＦｅ，Ｎｉ以外
の選択成分を含有しない方が、Ｎｉ介在接合性を向上さ
せる為に好ましい。
【００２５】本発明の無鉛半田材料に於いては、Ｓｎ及
び不可避不純物の合計含有量は９５重量％以上であるこ
とが必要である。この時、Ｎｉ介在接合性を向上させる
事が出来る。
び不可避不純物の合計含有量は９５重量％以上であるこ
とが必要である。この時、Ｎｉ介在接合性を向上させる
事が出来る。
【００２６】本発明の無鉛半田材料に於いて、所定量の
Ｓｎの中に所定量のＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種を
含有させることにより、Ｎｉ介在接合性を向上させる事
が出来る理由は明らかではないが、Ｎｉ被膜の損傷の程
度が小さい為と考えられる。Ｎｉ被膜上に半田接合した
後、半田をリフローしてＮｉ被膜の損傷の程度を観察す
ると、従来のＳｎ基無鉛半田材料の場合はＮｉ被膜の損
傷が大きい事に対して、本発明になるＳｎ基無鉛半田材
料の場合はＮｉ被膜の損傷が微量であることからいえる
事である。
Ｓｎの中に所定量のＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも１種を
含有させることにより、Ｎｉ介在接合性を向上させる事
が出来る理由は明らかではないが、Ｎｉ被膜の損傷の程
度が小さい為と考えられる。Ｎｉ被膜上に半田接合した
後、半田をリフローしてＮｉ被膜の損傷の程度を観察す
ると、従来のＳｎ基無鉛半田材料の場合はＮｉ被膜の損
傷が大きい事に対して、本発明になるＳｎ基無鉛半田材
料の場合はＮｉ被膜の損傷が微量であることからいえる
事である。
【００２７】本発明に用いるＳｎ基無鉛半田材料は、テ
ープ、ワイヤ、ペレット、ボール状に加工して用いた
り、浸せき浴や蒸着用の材料として用いることが出来
る。また、高融点粒子を混入させた複合材料として使用
することも出来る。
ープ、ワイヤ、ペレット、ボール状に加工して用いた
り、浸せき浴や蒸着用の材料として用いることが出来
る。また、高融点粒子を混入させた複合材料として使用
することも出来る。
【００２８】テープ、ワイヤ状の加工方法として次の方
法が例示出来る テープの場合は、インゴットに鋳造した後圧延、スリッ
ター加工を施し所定寸法のテープに仕上げる。テープ寸
法としては厚さ０．０５〜０．５ｍｍ、幅０．５〜５．
０ｍｍの範囲が好ましい。ワイヤの場合は、インゴット
の押出し、又は溶湯を水中へ噴出する急冷方法により素
線を得て、伸線加工により所定寸法のワイヤに仕上げ
る。ワイヤ寸法としては直径０．０５〜５．０ｍｍ迄の
範囲が好ましい。
法が例示出来る テープの場合は、インゴットに鋳造した後圧延、スリッ
ター加工を施し所定寸法のテープに仕上げる。テープ寸
法としては厚さ０．０５〜０．５ｍｍ、幅０．５〜５．
０ｍｍの範囲が好ましい。ワイヤの場合は、インゴット
の押出し、又は溶湯を水中へ噴出する急冷方法により素
線を得て、伸線加工により所定寸法のワイヤに仕上げ
る。ワイヤ寸法としては直径０．０５〜５．０ｍｍ迄の
範囲が好ましい。
【００２９】半導体素子を基板に接合するダイボンディ
ングやハイブリッドＩＣ用に本発明になるＳｎ基無鉛半
田材料を用いる際、半導体素子と基板の水平度を保つ為
に、半田材料に高融点粒子を混入させた複合材料として
用いることが出来る。高融点粒子の融点は４００℃以
上、その含有量は０．００１〜０．６重量％、粒子の径
辺寸法は５〜１００μｍである事が好ましい。高融点粒
子の材質としては、Ｃｕ，Ｎｉ等の金属粒子、ＳｉＯ2
等の酸化物、ＳｉＣ等の炭化物が例示出来る。
ングやハイブリッドＩＣ用に本発明になるＳｎ基無鉛半
田材料を用いる際、半導体素子と基板の水平度を保つ為
に、半田材料に高融点粒子を混入させた複合材料として
用いることが出来る。高融点粒子の融点は４００℃以
上、その含有量は０．００１〜０．６重量％、粒子の径
辺寸法は５〜１００μｍである事が好ましい。高融点粒
子の材質としては、Ｃｕ，Ｎｉ等の金属粒子、ＳｉＯ2
等の酸化物、ＳｉＣ等の炭化物が例示出来る。
【００３０】本発明品は、電子部材や基板等の表面にＮ
ｉ被膜が施されている場合に、半田付けすることによる
接合性を向上させる事が出来る。その中でも、アルミナ
等のようなセラミックスにＮｉ被膜を施して半田付けす
る場合に好ましい。Ｎｉ被膜の形成方法はめっき、蒸着
等の方法が用いられる。蒸着によるＮｉ被膜の厚さは１
０００〜３０００オングストロームが好ましい。
ｉ被膜が施されている場合に、半田付けすることによる
接合性を向上させる事が出来る。その中でも、アルミナ
等のようなセラミックスにＮｉ被膜を施して半田付けす
る場合に好ましい。Ｎｉ被膜の形成方法はめっき、蒸着
等の方法が用いられる。蒸着によるＮｉ被膜の厚さは１
０００〜３０００オングストロームが好ましい。
【００３１】次に、図１を参照して本発明になる電子部
品の一例を説明する。図１は樹脂封止する前の半導体装
置の側面図である。基板であるリードフレームのダイ１
表面にＮｉめっき２を設けてある。半導体素子であるＩ
Ｃチップ５の上面にはＡｌ電極６、下面にはメタライズ
層であるＮｉめっき４を設けてある。すなわち半田層３
は、Ｎｉ被膜であるめっき層２，４を介してダイ１とＩ
Ｃチップ５を接続している。ＩＣチップ５の上面のＡｌ
電極６には、金線のワイヤ７がワイヤボンド接続されて
いる。前記半田層３による接続方法は、Ｎｉめっき層２
を有するダイ１表面に半田ペレット、Ｎｉめっき層４を
有するＩＣチップ５を順に積載し、水素雰囲気の加熱炉
中を通過させて半田付けを行う。また、プリント基板上
の配線上の所定箇所に、Ｎｉ被膜を有するＩＣチップや
コンデンサ等の電子部材を半田を介して接続し搭載し、
その後樹脂封止して電子部品である半導体装置とする。
品の一例を説明する。図１は樹脂封止する前の半導体装
置の側面図である。基板であるリードフレームのダイ１
表面にＮｉめっき２を設けてある。半導体素子であるＩ
Ｃチップ５の上面にはＡｌ電極６、下面にはメタライズ
層であるＮｉめっき４を設けてある。すなわち半田層３
は、Ｎｉ被膜であるめっき層２，４を介してダイ１とＩ
Ｃチップ５を接続している。ＩＣチップ５の上面のＡｌ
電極６には、金線のワイヤ７がワイヤボンド接続されて
いる。前記半田層３による接続方法は、Ｎｉめっき層２
を有するダイ１表面に半田ペレット、Ｎｉめっき層４を
有するＩＣチップ５を順に積載し、水素雰囲気の加熱炉
中を通過させて半田付けを行う。また、プリント基板上
の配線上の所定箇所に、Ｎｉ被膜を有するＩＣチップや
コンデンサ等の電子部材を半田を介して接続し搭載し、
その後樹脂封止して電子部品である半導体装置とする。
【００３２】
（実施例１）図２に示す試験装置と測定方法に関する概
要図を参照して説明する。純度が９９．９９重量％Ｓｎ
地金とＦｅを所定量配合し、真空溶解した後、鋳造して
表１に示す組成のインゴットを得た。該インゴットを圧
延して厚さ０．１ｍｍ×幅１０．０ｍｍテープを得た。
さらに前記テープを素材としてプレス加工を行い、厚さ
０．１ｍｍ×直径１．８ｍｍの半田ペレットに仕上げ
た。アルミナ基板１１，１１’上に蒸着により形成した
２０００オングストロームのＮｉ被膜１２，１２’を形
成し、図示のようにＮｉ被膜１２，１２’を介して、フ
ラックス（日本アルファメタル製Ｒ５００３）を塗布し
た前記半田ペレット１３を３箇所載置し、Ｎｉ被膜１
２，１２’を図示のようにリード１４で配線した。次い
で、該試験装置を水素雰囲気の加熱炉中で加熱した後、
炉外に取り出して冷却することによりアルミナ基板１
１，１１’同士をＮｉ被膜１２，１２’を介して３箇所
で半田付け接合した。次いで図示のように、１ｍＡの一
定電流を流して半田ペレット間の電圧Ｖ1 ，Ｖ2 を測定
し、Ｒ＝（Ｖ1 ＋Ｖ2 ）／Ｉから抵抗値を測定した。図
２と同一の試験装置を、前記した半田付け方法により１
０回繰り返して半田付けすることによる劣化性能を試験
した。前記した半田付け方法による半田付けを１回行っ
た時の抵抗値ＲをＲ1 とし、１０回行った時の抵抗値Ｒ
をＲ10とし、（Ｒ10／Ｒ1 ）を半田付け性劣化度とし
た。試験装置５個の平均値を半田付け性劣化度の測定結
果として表２に示す。
要図を参照して説明する。純度が９９．９９重量％Ｓｎ
地金とＦｅを所定量配合し、真空溶解した後、鋳造して
表１に示す組成のインゴットを得た。該インゴットを圧
延して厚さ０．１ｍｍ×幅１０．０ｍｍテープを得た。
さらに前記テープを素材としてプレス加工を行い、厚さ
０．１ｍｍ×直径１．８ｍｍの半田ペレットに仕上げ
た。アルミナ基板１１，１１’上に蒸着により形成した
２０００オングストロームのＮｉ被膜１２，１２’を形
成し、図示のようにＮｉ被膜１２，１２’を介して、フ
ラックス（日本アルファメタル製Ｒ５００３）を塗布し
た前記半田ペレット１３を３箇所載置し、Ｎｉ被膜１
２，１２’を図示のようにリード１４で配線した。次い
で、該試験装置を水素雰囲気の加熱炉中で加熱した後、
炉外に取り出して冷却することによりアルミナ基板１
１，１１’同士をＮｉ被膜１２，１２’を介して３箇所
で半田付け接合した。次いで図示のように、１ｍＡの一
定電流を流して半田ペレット間の電圧Ｖ1 ，Ｖ2 を測定
し、Ｒ＝（Ｖ1 ＋Ｖ2 ）／Ｉから抵抗値を測定した。図
２と同一の試験装置を、前記した半田付け方法により１
０回繰り返して半田付けすることによる劣化性能を試験
した。前記した半田付け方法による半田付けを１回行っ
た時の抵抗値ＲをＲ1 とし、１０回行った時の抵抗値Ｒ
をＲ10とし、（Ｒ10／Ｒ1 ）を半田付け性劣化度とし
た。試験装置５個の平均値を半田付け性劣化度の測定結
果として表２に示す。
【００３３】（実施例２〜２０／比較例１〜６）実施例
１で説明したインゴットの組成を表１中に記載のように
したこと以外は、実施例１と同様にして半田ペレットを
得た後、試験装置を作成して、半田付け性劣化試験を行
った。試験装置５個の平均値を半田付け性劣化度の測定
結果として表２に示す。
１で説明したインゴットの組成を表１中に記載のように
したこと以外は、実施例１と同様にして半田ペレットを
得た後、試験装置を作成して、半田付け性劣化試験を行
った。試験装置５個の平均値を半田付け性劣化度の測定
結果として表２に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【表２】
【００３６】以上の測定結果によれば、半田付け性が悪
いアルミナ表面にＮｉ被膜を形成して半田付け試験を行
ったところ、本発明になるＳｎ基無鉛半田材料を用いる
と、Ｐｂ基半田材料を用いた時に得られたような接合性
の向上が得られた。従来のＳｎ基無鉛半田材料を用いる
と、十分な接合性の向上が得られていないが、この理由
はＮｉ被膜が溶解、損傷し非接合面が出来ている事が判
った。該非接合面が出来ると電気抵抗が増大することに
着目し、本試験では前述した（Ｒ10／Ｒ1 ）を半田付け
性劣化度として半田付け性の評価基準とした。
いアルミナ表面にＮｉ被膜を形成して半田付け試験を行
ったところ、本発明になるＳｎ基無鉛半田材料を用いる
と、Ｐｂ基半田材料を用いた時に得られたような接合性
の向上が得られた。従来のＳｎ基無鉛半田材料を用いる
と、十分な接合性の向上が得られていないが、この理由
はＮｉ被膜が溶解、損傷し非接合面が出来ている事が判
った。該非接合面が出来ると電気抵抗が増大することに
着目し、本試験では前述した（Ｒ10／Ｒ1 ）を半田付け
性劣化度として半田付け性の評価基準とした。
【００３７】すなわち、０．０１〜５．０重量％のＦｅ
及び残部が不可避不純物とＳｎである実施例１〜４は、
半田付け性劣化度が１．６〜２．０と優れた効果を示し
た。この中でも、Ｆｅの含有量が０．１〜５．０重量％
のものは、半田付け性劣化度１．６〜１．８と更に優れ
た効果を示した。
及び残部が不可避不純物とＳｎである実施例１〜４は、
半田付け性劣化度が１．６〜２．０と優れた効果を示し
た。この中でも、Ｆｅの含有量が０．１〜５．０重量％
のものは、半田付け性劣化度１．６〜１．８と更に優れ
た効果を示した。
【００３８】０．０１〜５．０重量％のＮｉ及び残部が
不可避不純物とＳｎである実施例５〜８は、半田付け性
劣化度が１．６〜２．０と優れた効果を示した。この中
でも、Ｎｉの含有量が０．１〜５．０重量％のものは、
半田付け性劣化度１．６〜１．８と更に優れた効果を示
した。
不可避不純物とＳｎである実施例５〜８は、半田付け性
劣化度が１．６〜２．０と優れた効果を示した。この中
でも、Ｎｉの含有量が０．１〜５．０重量％のものは、
半田付け性劣化度１．６〜１．８と更に優れた効果を示
した。
【００３９】０．０１〜４．０重量％のＦｅと０．０１
〜４．０重量％のＮｉを、その合計量が０．２〜５．０
重量％とし、残部が不可避不純物とＳｎである実施例９
〜１６は、半田付け性劣化度が１．１〜１．４と更に優
れた効果を示した。
〜４．０重量％のＮｉを、その合計量が０．２〜５．０
重量％とし、残部が不可避不純物とＳｎである実施例９
〜１６は、半田付け性劣化度が１．１〜１．４と更に優
れた効果を示した。
【００４０】所定量のＦｅ及びＮｉのうち少なくとも１
種と、選択成分としてＺｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｐを０．２〜
３．０重量％、及び残部が不可避不純物とＳｎである実
施例１７〜２０の半田付け性劣化度は、２．３〜２．７
と一応の成果が得られている。
種と、選択成分としてＺｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｐを０．２〜
３．０重量％、及び残部が不可避不純物とＳｎである実
施例１７〜２０の半田付け性劣化度は、２．３〜２．７
と一応の成果が得られている。
【００４１】一方、不可避不純物とＳｎのみからなる比
較例１は、半田付け性劣化度が３．９と悪いものであっ
た。所定量のＦｅ及びＮｉの双方を含有せず、選択成分
としてＳｉを０．２重量％、及び残部が不可避不純物と
Ｓｎである比較例２の半田付け性劣化度は、３．８と悪
いものであった。Ｆｅ又はＮｉを７．０重量％、及び残
部が不可避不純物とＳｎである比較例３〜４の半田付け
性劣化度は、３．５〜３．６と悪いものであった。Ｆｅ
及びＮｉをその合計量として７．０重量％、及び残部が
不可避不純物とＳｎである比較例５の半田付け性劣化度
は、３．２と悪いものであった。所定量のＦｅ及びＮｉ
のうち少なくとも１種を含有しているものの、選択成分
として８．０重量％Ｚｎ、及び残部が不可避不純物とＳ
ｎである比較例６の半田付け性劣化度は、３．１と悪い
ものであった。
較例１は、半田付け性劣化度が３．９と悪いものであっ
た。所定量のＦｅ及びＮｉの双方を含有せず、選択成分
としてＳｉを０．２重量％、及び残部が不可避不純物と
Ｓｎである比較例２の半田付け性劣化度は、３．８と悪
いものであった。Ｆｅ又はＮｉを７．０重量％、及び残
部が不可避不純物とＳｎである比較例３〜４の半田付け
性劣化度は、３．５〜３．６と悪いものであった。Ｆｅ
及びＮｉをその合計量として７．０重量％、及び残部が
不可避不純物とＳｎである比較例５の半田付け性劣化度
は、３．２と悪いものであった。所定量のＦｅ及びＮｉ
のうち少なくとも１種を含有しているものの、選択成分
として８．０重量％Ｚｎ、及び残部が不可避不純物とＳ
ｎである比較例６の半田付け性劣化度は、３．１と悪い
ものであった。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、Ｎｉ被膜を介在させた半
田付けに際して、本発明の無鉛半田材料によれば、所定
量のＦｅ及びＮｉのうち少なくとも１種をＳｎに含有さ
せることにより半田付け性劣化度を向上させる事が出来
た。従って、無鉛Ｓｎ基であって、Ｎｉ被膜を介在させ
て半田付けする際の接合性を向上させることが出来ると
いう優れた効果を有している。本発明の必須成分である
所定量のＦｅ及びＮｉのうち少なくとも１種を含有する
限り、０．４８重量％迄の選択成分を含んでも良い。し
かし、中でも選択成分を含有せずに所定量のＦｅ及びＮ
ｉのうち少なくとも１種をＳｎに含有させることで、Ｎ
ｉ被膜を介在させて半田付けする際の接合性を向上し得
るより好ましい効果が得られた。さらには、所定量のＦ
ｅ及びＮｉの双方をＳｎに含有させることにより、Ｎｉ
被膜を介在させて半田付けする際の接合性を向上し得る
最も好ましい効果が得られた。
田付けに際して、本発明の無鉛半田材料によれば、所定
量のＦｅ及びＮｉのうち少なくとも１種をＳｎに含有さ
せることにより半田付け性劣化度を向上させる事が出来
た。従って、無鉛Ｓｎ基であって、Ｎｉ被膜を介在させ
て半田付けする際の接合性を向上させることが出来ると
いう優れた効果を有している。本発明の必須成分である
所定量のＦｅ及びＮｉのうち少なくとも１種を含有する
限り、０．４８重量％迄の選択成分を含んでも良い。し
かし、中でも選択成分を含有せずに所定量のＦｅ及びＮ
ｉのうち少なくとも１種をＳｎに含有させることで、Ｎ
ｉ被膜を介在させて半田付けする際の接合性を向上し得
るより好ましい効果が得られた。さらには、所定量のＦ
ｅ及びＮｉの双方をＳｎに含有させることにより、Ｎｉ
被膜を介在させて半田付けする際の接合性を向上し得る
最も好ましい効果が得られた。
【００４３】また本発明に係る電子部品によれば、上記
無鉛半田材料を用いて、Ｎｉ被膜を介在させて電子部材
と基板を半田付けしてなるので、廃棄処理、環境対策等
の課題に対応でき、且つ電子部材と基板の接合性に優れ
た信頼性の高い電子部品を提供できた。この中でも、選
択成分を含有せず所定量のＦｅ，Ｎｉの少なくとも１種
を含有した無鉛半田材料を用いた場合、半田付け接合性
を向上し得、より信頼性の高い電子部品が得られた。ま
た、所定量のＦｅ，Ｎｉの双方を含有した無鉛半田材料
を用いた場合、半田付け接合性をさらに向上し得、最も
信頼性の高い電子部品が得られた。
無鉛半田材料を用いて、Ｎｉ被膜を介在させて電子部材
と基板を半田付けしてなるので、廃棄処理、環境対策等
の課題に対応でき、且つ電子部材と基板の接合性に優れ
た信頼性の高い電子部品を提供できた。この中でも、選
択成分を含有せず所定量のＦｅ，Ｎｉの少なくとも１種
を含有した無鉛半田材料を用いた場合、半田付け接合性
を向上し得、より信頼性の高い電子部品が得られた。ま
た、所定量のＦｅ，Ｎｉの双方を含有した無鉛半田材料
を用いた場合、半田付け接合性をさらに向上し得、最も
信頼性の高い電子部品が得られた。
【図１】電子部品の一例を示す半導体装置の側面図。
【図２】試験装置と測定方法に関する概要図。
１：リードフレームのダイ ２，４：Ｎｉめっき（Ｎｉ被膜） ３：半田層（無鉛半田材料） ５：ＩＣチップ ６：Ａｌ電極 ７：ワイヤ １１，１１’：アルミナ基板 １２，１２’：Ｎｉ被膜 １３：半田ペレット（無鉛半田材料） １４：リード １５：電源 １６：電圧計 １７：電流計
Claims (7)
- 【請求項１】 鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）のうち
少なくとも１種を０．０１〜５．０重量％、及び残部が
錫（Ｓｎ）と不可避不純物からなる無鉛半田材料。 - 【請求項２】 鉄（Ｆｅ）を０．０１〜４．９９重量
％、ニッケル（Ｎｉ）を０．０１〜４．９９重量％であ
って、その合計量が０．０２〜５．０重量％、及び残部
が錫（Ｓｎ）と不可避不純物からなる無鉛半田材料。 - 【請求項３】 鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）のうち
少なくとも１種を０．０１〜５．０重量％、及び残部が
錫（Ｓｎ）と不可避不純物からなる無鉛半田材料を用い
て、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を介して接合した電子
部品。 - 【請求項４】 鉄（Ｆｅ）を０．０１〜４．９９重量
％、ニッケル（Ｎｉ）を０．０１〜４．９９重量％であ
って、その合計量が０．０２〜５．０重量％、及び残部
が錫（Ｓｎ）と不可避不純物からなる無鉛半田材料を用
いて、電子部材と基板を、Ｎｉ被膜を介して接合した電
子部品。 - 【請求項５】 鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）のうち
少なくとも１種を０．０１〜４．９９重量％、選択成分
が０．０１〜４．９９重量％であって、その合計量が
０．０２〜５．０重量％、及び残部が錫（Ｓｎ）と不可
避不純物からなる無鉛半田材料を用いて、電子部材と基
板を、Ｎｉ被膜を介して接合した電子部品。 - 【請求項６】 鉄（Ｆｅ）を０．０１〜４．９８重量
％、ニッケル（Ｎｉ）を０．０１〜４．９８重量％、選
択成分が０．０１〜４．９８重量％であって、その合計
量が０．０３〜５．０重量％、及び残部が錫（Ｓｎ）と
不可避不純物からなる無鉛半田材料を用いて、電子部材
と基板を、Ｎｉ被膜を介して接合した電子部品。 - 【請求項７】 上記電子部材がＩＣチップ又はコンデン
サであることを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項
に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31069296A JP3754152B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-21 | 無鉛半田材料及びそれを用いた電子部品 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-296549 | 1996-11-08 | ||
| JP29654996 | 1996-11-08 | ||
| JP31069296A JP3754152B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-21 | 無鉛半田材料及びそれを用いた電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10180480A true JPH10180480A (ja) | 1998-07-07 |
| JP3754152B2 JP3754152B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=26560722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31069296A Expired - Lifetime JP3754152B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-21 | 無鉛半田材料及びそれを用いた電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3754152B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1004683A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-31 | Dana Corporation | Bearing material |
| JP2001334384A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-12-04 | Murata Mfg Co Ltd | はんだ組成物およびはんだ付け物品 |
| JP2002307187A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-10-22 | Taiho Kogyo Co Ltd | 鉛フリーはんだ及びはんだ継手 |
| JP2005040847A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi Metals Ltd | はんだボールの製造方法 |
| JP2006021205A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 鉛フリーはんだ合金 |
| US7022282B2 (en) | 2000-08-07 | 2006-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Lead-free solder and soldered article |
| DE102009054068A1 (de) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Epcos Ag | Lotmaterial zur Befestigung einer Außenelektrode bei einem piezoelektrischen Bauelement und piezoelektrisches Bauelement mit einem Lotmaterial |
| EP2261964A4 (en) * | 2008-03-05 | 2011-12-07 | Senju Metal Industry Co | Lead-free solder joint structure and solder ball |
| WO2022172904A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 日東電工株式会社 | 合金触媒および電極 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2764394T3 (es) * | 2014-12-15 | 2020-06-03 | Senju Metal Industry Co | Aleación de soldadura para galvanización y componentes electrónicos |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0234295A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-02-05 | Jw Harris Co Inc | ソルダーコンポジション及びその使用方法 |
| JPH0397888A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 銅合金用錫めっき品 |
| JPH0732188A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-02-03 | Nippon Arumitsuto Kk | 無ないし低含鉛半田合金 |
| JPH08215881A (ja) * | 1995-02-10 | 1996-08-27 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 複合半田材料及びその製造方法 |
| JPH09213719A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Siemens Ag | 半導体基体を支持板上にろう接する方法 |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP31069296A patent/JP3754152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0234295A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-02-05 | Jw Harris Co Inc | ソルダーコンポジション及びその使用方法 |
| JPH0397888A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 銅合金用錫めっき品 |
| JPH0732188A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-02-03 | Nippon Arumitsuto Kk | 無ないし低含鉛半田合金 |
| JPH08215881A (ja) * | 1995-02-10 | 1996-08-27 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 複合半田材料及びその製造方法 |
| JPH09213719A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Siemens Ag | 半導体基体を支持板上にろう接する方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309760B1 (en) | 1998-10-27 | 2001-10-30 | Dana Corporation | Bearing material |
| EP1004683A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-31 | Dana Corporation | Bearing material |
| US6472086B2 (en) | 1998-10-27 | 2002-10-29 | Dana Corporation | Bearing material |
| JP2001334384A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-12-04 | Murata Mfg Co Ltd | はんだ組成物およびはんだ付け物品 |
| US7022282B2 (en) | 2000-08-07 | 2006-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Lead-free solder and soldered article |
| US7488445B2 (en) | 2000-08-07 | 2009-02-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Lead-free solder and soldered article |
| US7422721B2 (en) | 2000-08-07 | 2008-09-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Lead-free solder and soldered article |
| JP2002307187A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-10-22 | Taiho Kogyo Co Ltd | 鉛フリーはんだ及びはんだ継手 |
| JP2005040847A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi Metals Ltd | はんだボールの製造方法 |
| JP2006021205A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 鉛フリーはんだ合金 |
| EP2261964A4 (en) * | 2008-03-05 | 2011-12-07 | Senju Metal Industry Co | Lead-free solder joint structure and solder ball |
| DE102009054068A1 (de) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Epcos Ag | Lotmaterial zur Befestigung einer Außenelektrode bei einem piezoelektrischen Bauelement und piezoelektrisches Bauelement mit einem Lotmaterial |
| US8823245B2 (en) | 2009-11-20 | 2014-09-02 | Epcos Ag | Solder material for fastening an outer electrode on a piezoelectric component and piezoelectric component comprising a solder material |
| WO2022172904A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 日東電工株式会社 | 合金触媒および電極 |
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|---|---|
| JP3754152B2 (ja) | 2006-03-08 |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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