JPH10186635A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH10186635A JPH10186635A JP34068696A JP34068696A JPH10186635A JP H10186635 A JPH10186635 A JP H10186635A JP 34068696 A JP34068696 A JP 34068696A JP 34068696 A JP34068696 A JP 34068696A JP H10186635 A JPH10186635 A JP H10186635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- mask
- pinhole
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 白欠陥の修正にはＦＩＢを用いて、カーボン
を付着させる工程が入るため、修正工程のコストが高く
なるという問題点がある。 【解決手段】 レジストに存在するピンホール欠陥とク
ロム膜に存在するピンホール欠陥とを検出する。次に、
全ての上記ピンホール欠陥の位置及び大きさの座標を記
録する。記録したピンホール欠陥の座標をパターン描画
装置の描画データのマスクパターンの座標と照合させ
る。次に、全てのピンホール欠陥が描画データのマスク
パターンと全く重ならないようにブランクマスク上の座
標に対してパターン描画装置の描画データの座標を相対
的に平行移動させる。平行移動させた状態を維持したま
まブランクマスクを描画装置に設置し、上記レジストを
描画し、該レジストをパターニングし、該レジストパタ
ーンをマスクとして透明基板上の上記パターン形成用膜
をエッチングし、マスクパターンを形成する。
を付着させる工程が入るため、修正工程のコストが高く
なるという問題点がある。 【解決手段】 レジストに存在するピンホール欠陥とク
ロム膜に存在するピンホール欠陥とを検出する。次に、
全ての上記ピンホール欠陥の位置及び大きさの座標を記
録する。記録したピンホール欠陥の座標をパターン描画
装置の描画データのマスクパターンの座標と照合させ
る。次に、全てのピンホール欠陥が描画データのマスク
パターンと全く重ならないようにブランクマスク上の座
標に対してパターン描画装置の描画データの座標を相対
的に平行移動させる。平行移動させた状態を維持したま
まブランクマスクを描画装置に設置し、上記レジストを
描画し、該レジストをパターニングし、該レジストパタ
ーンをマスクとして透明基板上の上記パターン形成用膜
をエッチングし、マスクパターンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク、特
にブランクマスクの遮光膜又は半透明膜或いは位相シフ
ト膜等のパターン形成用膜に欠陥が存在しないマスクパ
ターンを形成する方法に関するものである。
にブランクマスクの遮光膜又は半透明膜或いは位相シフ
ト膜等のパターン形成用膜に欠陥が存在しないマスクパ
ターンを形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクに使用される透明基板材料
には、主に石英が用いられており、パターン形成用の遮
光膜材料には主にクロムが用いられている。フォトマス
クを形成する前のブランクマスクのクロム膜厚は約１１
０ｎｍであり、真空蒸着法やスパッタリング法により形
成されている。その他、パターン形成用膜の一種である
半透明膜や位相シフト膜としてＭｏＳｉの酸窒化膜とク
ロム膜との積層膜や他の金属膜（合金膜）をスパッタリ
ングにより形成する場合もある。
には、主に石英が用いられており、パターン形成用の遮
光膜材料には主にクロムが用いられている。フォトマス
クを形成する前のブランクマスクのクロム膜厚は約１１
０ｎｍであり、真空蒸着法やスパッタリング法により形
成されている。その他、パターン形成用膜の一種である
半透明膜や位相シフト膜としてＭｏＳｉの酸窒化膜とク
ロム膜との積層膜や他の金属膜（合金膜）をスパッタリ
ングにより形成する場合もある。
【０００３】フォトマスクの加工に必要な保護膜材料に
は主にＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｎ Ｂｅａｍ）レジストが
用いられている。ＥＢレジストの膜厚は約３００〜５０
０ｎｍであり、スピン・オン法により塗布される。この
ＥＢレジストはＥＢ描画と現像によりパターニングされ
る。透明基板上の遮光膜や半透明膜又は位相シフト膜等
は、ウエットエッチング法またはドライエッチング法に
よりパターニングされる。このパターニングされたマス
クがフォトマスクとして半導体装置の加工等のフォトリ
ソグラフィ工程に用いられる。
は主にＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｎ Ｂｅａｍ）レジストが
用いられている。ＥＢレジストの膜厚は約３００〜５０
０ｎｍであり、スピン・オン法により塗布される。この
ＥＢレジストはＥＢ描画と現像によりパターニングされ
る。透明基板上の遮光膜や半透明膜又は位相シフト膜等
は、ウエットエッチング法またはドライエッチング法に
よりパターニングされる。このパターニングされたマス
クがフォトマスクとして半導体装置の加工等のフォトリ
ソグラフィ工程に用いられる。
【０００４】具体的な例として、クロムから成る遮光膜
だけを有するフォトマスクの製造工程を説明する。
だけを有するフォトマスクの製造工程を説明する。
【０００５】まず、透明基板上にスパッタ、真空蒸着等
により約１１０ｎｍのクロム膜を成膜したブランクマス
クを作製する。続いて、レジストを約５００ｎｍ塗布す
る。尚、レジストとしてはクロム膜のエッチングの際、
エッチング耐性に優れたものでなければならない。ＥＢ
描画工程において、遮光領域は未描画、透過領域は完全
にレジストを除去し得る必要電荷量に設定し、電子ビー
ムを照射する。レジストには、ネガ形とポジ形とがあ
り、ポジ形レジストを用いた場合、電子ビームが当たら
なかった部分が次の現像工程で、レジストパターンとし
て残り、電子ビームの当たった部分は現像液に溶解し、
クロム膜が部分的に露出される。
により約１１０ｎｍのクロム膜を成膜したブランクマス
クを作製する。続いて、レジストを約５００ｎｍ塗布す
る。尚、レジストとしてはクロム膜のエッチングの際、
エッチング耐性に優れたものでなければならない。ＥＢ
描画工程において、遮光領域は未描画、透過領域は完全
にレジストを除去し得る必要電荷量に設定し、電子ビー
ムを照射する。レジストには、ネガ形とポジ形とがあ
り、ポジ形レジストを用いた場合、電子ビームが当たら
なかった部分が次の現像工程で、レジストパターンとし
て残り、電子ビームの当たった部分は現像液に溶解し、
クロム膜が部分的に露出される。
【０００６】現像した後、露出したクロム膜のドライエ
ッチングを行う。レジストはエッチングに対する保護膜
として働き、レジストに覆われていない部分のクロム膜
のみが除去され、透明基板が部分的に露出する。クロム
膜のドライエッチングに塩素系ガスを用いた場合、レジ
ストのドライエッチング耐性は十分である。クロム膜を
エッチングした後、レジストの全面除去を行う。レジス
トの剥離には、アセトン、硫酸過水等の薬液を用いる。
この場合、薬液に対する透明基板とクロム膜の耐性は十
分である。
ッチングを行う。レジストはエッチングに対する保護膜
として働き、レジストに覆われていない部分のクロム膜
のみが除去され、透明基板が部分的に露出する。クロム
膜のドライエッチングに塩素系ガスを用いた場合、レジ
ストのドライエッチング耐性は十分である。クロム膜を
エッチングした後、レジストの全面除去を行う。レジス
トの剥離には、アセトン、硫酸過水等の薬液を用いる。
この場合、薬液に対する透明基板とクロム膜の耐性は十
分である。
【０００７】一般に知られているフォトマスクの欠陥
は、エッチングされてマスクパターンのない石英の露出
された透過面上にパターン形成用膜のエッチング残りや
異物がある等の黒欠陥と、マスクパターン内部に存在し
ていたか、或いは上層のレジストのピンホールがエッチ
ングにより、下層のパターン形成用膜に転写されて形成
されたか、いずれかの原因によるピンホール等の白欠陥
とがある。該フォトマスクのピンホールを検査する方法
としては、光学的に検査する方法が知られている。欠陥
検査の後、これらの欠陥を修正する方法として、前者の
黒欠陥は集束イオンビーム法（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ
Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）若しくはレーザによりエッチング
残りや異物を飛ばす方法が知られ、後者の白欠陥は、パ
ターンにカーボンを付着させてピンホールを埋める方法
が知られている。
は、エッチングされてマスクパターンのない石英の露出
された透過面上にパターン形成用膜のエッチング残りや
異物がある等の黒欠陥と、マスクパターン内部に存在し
ていたか、或いは上層のレジストのピンホールがエッチ
ングにより、下層のパターン形成用膜に転写されて形成
されたか、いずれかの原因によるピンホール等の白欠陥
とがある。該フォトマスクのピンホールを検査する方法
としては、光学的に検査する方法が知られている。欠陥
検査の後、これらの欠陥を修正する方法として、前者の
黒欠陥は集束イオンビーム法（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ
Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）若しくはレーザによりエッチング
残りや異物を飛ばす方法が知られ、後者の白欠陥は、パ
ターンにカーボンを付着させてピンホールを埋める方法
が知られている。
【０００８】本発明に関係する欠陥は後者の白欠陥（以
下、「ピンホール」という。）であ。形成された遮光用
マスクパターンにピンホールがあると、半導体装置や印
刷等へのフォトリソグラフィに使用する際、所望のパタ
ーンに欠陥が入ることになり問題となる。そこで、一般
的に知られている効果的な方法として、ＦＩＢによるピ
ンホール埋め込み法について図４（ａ）〜図４（ｅ）に
基づいて説明する。
下、「ピンホール」という。）であ。形成された遮光用
マスクパターンにピンホールがあると、半導体装置や印
刷等へのフォトリソグラフィに使用する際、所望のパタ
ーンに欠陥が入ることになり問題となる。そこで、一般
的に知られている効果的な方法として、ＦＩＢによるピ
ンホール埋め込み法について図４（ａ）〜図４（ｅ）に
基づいて説明する。
【０００９】まず、図４（ａ）に示すように、フォトマ
スクを形成する前のレジスト付きブランクマスクは低頻
度ながらも既にピンホールが存在している。レジスト付
ブランクマスクの構成は透明基板２１上に遮光膜２２、
その上にＥＢレジストがあり、ＥＢ（電子ビームの略）
により、露光された領域２４、露光されずパターンとし
て残る領域２３が形成される。
スクを形成する前のレジスト付きブランクマスクは低頻
度ながらも既にピンホールが存在している。レジスト付
ブランクマスクの構成は透明基板２１上に遮光膜２２、
その上にＥＢレジストがあり、ＥＢ（電子ビームの略）
により、露光された領域２４、露光されずパターンとし
て残る領域２３が形成される。
【００１０】次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト
を現像した後、レジストパターン２５が残るが、この段
階でレジスト内にピンホールの存在していた領域が取り
除かれる場合もあるが、そのままレジストパターンにピ
ンホール２６が残るものもある。そのため、図４（ｃ）
に示すように、該レジストパターンにてエッチングされ
たフォトマスクの遮光パターンにはピンホール２６が現
れるし、ものもとのレジストパターン２５に覆われた遮
光膜２２のピンホールも存在するため、通常のマスク形
成プロセスでピンホールを発生しないようにするのは難
しい。
を現像した後、レジストパターン２５が残るが、この段
階でレジスト内にピンホールの存在していた領域が取り
除かれる場合もあるが、そのままレジストパターンにピ
ンホール２６が残るものもある。そのため、図４（ｃ）
に示すように、該レジストパターンにてエッチングされ
たフォトマスクの遮光パターンにはピンホール２６が現
れるし、ものもとのレジストパターン２５に覆われた遮
光膜２２のピンホールも存在するため、通常のマスク形
成プロセスでピンホールを発生しないようにするのは難
しい。
【００１１】そこで、図４（ｄ）に示すように、マスク
上にピンホール欠陥のあるパターンを狙って、ノズル２
８からカーボン系ガス２９を吹き付けてやり、それと同
時にパターンのピンホール欠陥部に絞ってＦＩＢ３０を
照射することにより、図４（ｅ）のように、ピンホール
にカーボン３１が入り込み、埋め込まれる。
上にピンホール欠陥のあるパターンを狙って、ノズル２
８からカーボン系ガス２９を吹き付けてやり、それと同
時にパターンのピンホール欠陥部に絞ってＦＩＢ３０を
照射することにより、図４（ｅ）のように、ピンホール
にカーボン３１が入り込み、埋め込まれる。
【００１２】このカーボン３１はクロムと同様に光を透
過させないように働くため、ピンホールは遮光部で塞が
ったことになる。特に、微細なピンホール欠陥に有効な
手法である。この他、特開平６−７５３６３号公報に記
載のように、広い遮光パターンの大きな欠落部をＦＩＢ
によるカーボンの埋め込みだけでは時間がかかりすぎ
る、或いは埋め切れない、マスクの洗浄でカーボンが剥
がれる等の問題があるため、隙間のあるカーボン膜パタ
ーンをＦＩＢにて欠落部に形成させた後、更にレーザ照
射法にて欠落部にクロムを蒸着させることで、欠落部を
完全に塞ぎ遮光する方法が開示されている。この方法
は、大きい欠落部の遮光に有効である。
過させないように働くため、ピンホールは遮光部で塞が
ったことになる。特に、微細なピンホール欠陥に有効な
手法である。この他、特開平６−７５３６３号公報に記
載のように、広い遮光パターンの大きな欠落部をＦＩＢ
によるカーボンの埋め込みだけでは時間がかかりすぎ
る、或いは埋め切れない、マスクの洗浄でカーボンが剥
がれる等の問題があるため、隙間のあるカーボン膜パタ
ーンをＦＩＢにて欠落部に形成させた後、更にレーザ照
射法にて欠落部にクロムを蒸着させることで、欠落部を
完全に塞ぎ遮光する方法が開示されている。この方法
は、大きい欠落部の遮光に有効である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、フォトマスク
製造後のマスクパターン中のピンホール等の白欠陥は、
マスクパターン形成後の光学的手段ではマスクパターン
と識別が難しく見つかりにくい。そのため、検査に時間
を要するだけでなく、確実に白欠陥を拾い出すというわ
けには行かなくなってきている。また、白欠陥の修正に
はＦＩＢを用いて、カーボンを付着させる工程が入るた
め、修正工程のコストが高くなるという問題点がある。
製造後のマスクパターン中のピンホール等の白欠陥は、
マスクパターン形成後の光学的手段ではマスクパターン
と識別が難しく見つかりにくい。そのため、検査に時間
を要するだけでなく、確実に白欠陥を拾い出すというわ
けには行かなくなってきている。また、白欠陥の修正に
はＦＩＢを用いて、カーボンを付着させる工程が入るた
め、修正工程のコストが高くなるという問題点がある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
フォトマスクの製造方法は、透明基板上にパターン形成
用膜が堆積されているブランクマスクにレジストを塗布
した後、上記レジストに存在するピンホール欠陥と上記
透明基板のパターン形成用膜に存在するピンホール欠陥
とを検出する第１工程と、上記第１工程で検出された上
記レジストを有するブランクマスク上での全ての上記ピ
ンホール欠陥の位置及び大きさの座標を記録する第２工
程と、上記第２工程で記録した該ピンホール欠陥の位置
及び大きさの座標をパターン描画装置の描画データのマ
スクパターンの位置及び大きさの座標と照合させる第３
工程と、上記全てのピンホール欠陥が上記パターン描画
装置の描画データのマスクパターンと全く重ならないよ
うにブランクマスク上の座標に対してパターン描画装置
の描画データの座標を相対的に平行移動させる第４工程
と、上記平行移動させた状態を維持したままブランクマ
スクを描画装置に設置し、上記レジストを描画し、該レ
ジストをパターニングし、該レジストパターンをマスク
として透明基板上の上記パターン形成用膜をエッチング
し、マスクパターンを形成する第５工程とを有すること
を特徴とするものである。
フォトマスクの製造方法は、透明基板上にパターン形成
用膜が堆積されているブランクマスクにレジストを塗布
した後、上記レジストに存在するピンホール欠陥と上記
透明基板のパターン形成用膜に存在するピンホール欠陥
とを検出する第１工程と、上記第１工程で検出された上
記レジストを有するブランクマスク上での全ての上記ピ
ンホール欠陥の位置及び大きさの座標を記録する第２工
程と、上記第２工程で記録した該ピンホール欠陥の位置
及び大きさの座標をパターン描画装置の描画データのマ
スクパターンの位置及び大きさの座標と照合させる第３
工程と、上記全てのピンホール欠陥が上記パターン描画
装置の描画データのマスクパターンと全く重ならないよ
うにブランクマスク上の座標に対してパターン描画装置
の描画データの座標を相対的に平行移動させる第４工程
と、上記平行移動させた状態を維持したままブランクマ
スクを描画装置に設置し、上記レジストを描画し、該レ
ジストをパターニングし、該レジストパターンをマスク
として透明基板上の上記パターン形成用膜をエッチング
し、マスクパターンを形成する第５工程とを有すること
を特徴とするものである。
【００１５】具体的には、まず、透明基板上にパターン
形成用膜を有するブランクマスクにレジストを塗布した
後、該レジストを有するブランクマスクに対する光学的
検査にて上記レジストに存在するピンホール欠陥と、上
記透明基板のパターン形成用膜に存在するピンホール欠
陥を検出する。例えば、レジストに存在するピンホール
欠陥は反射光から、パターン形成用膜に存在するピンホ
ール欠陥は透過光から検出する。
形成用膜を有するブランクマスクにレジストを塗布した
後、該レジストを有するブランクマスクに対する光学的
検査にて上記レジストに存在するピンホール欠陥と、上
記透明基板のパターン形成用膜に存在するピンホール欠
陥を検出する。例えば、レジストに存在するピンホール
欠陥は反射光から、パターン形成用膜に存在するピンホ
ール欠陥は透過光から検出する。
【００１６】次に、上記レジストを有するブランクマス
ク上での全てのピンホール欠陥の位置及び大きさの座標
を検査装置に記録し、該ピンホール欠陥の位置及び大き
さの座標をパターン描画装置の描画データ、例えばＥＢ
描画装置の描画用ＣＡＤデータ上での本来形成される予
定のマスクパターンの位置及び大きさの座標と照合させ
る。
ク上での全てのピンホール欠陥の位置及び大きさの座標
を検査装置に記録し、該ピンホール欠陥の位置及び大き
さの座標をパターン描画装置の描画データ、例えばＥＢ
描画装置の描画用ＣＡＤデータ上での本来形成される予
定のマスクパターンの位置及び大きさの座標と照合させ
る。
【００１７】次に、照合の結果、全てのピンホール欠陥
が重ならないならばそのままマスクパターニング形成工
程（ＥＢ描画と現像によるレジストパターン形成及び該
レジストパターンをマスクにエッチングすることによ
り、パターン形成用膜をパターニングする工程）を行
い、問題となる大きさのピンホールが少なくとも一つ以
上重なるならば、一つも重ならなくなるまで、ブランク
マスク上の座標に対してＥＢ描画装置のＣＡＤデータ上
での座標を相対的に平行移動させ（ＥＢ描画装置のＣＡ
Ｄデータ上での座標全てにオフセットを設け）、この状
態を保持したまま、ブランクマスクを描画装置に設定
し、レジストをパターニングし、該レジストマスクにて
透明基板上のパターン形成用膜をエッチングし、パター
ニングする。
が重ならないならばそのままマスクパターニング形成工
程（ＥＢ描画と現像によるレジストパターン形成及び該
レジストパターンをマスクにエッチングすることによ
り、パターン形成用膜をパターニングする工程）を行
い、問題となる大きさのピンホールが少なくとも一つ以
上重なるならば、一つも重ならなくなるまで、ブランク
マスク上の座標に対してＥＢ描画装置のＣＡＤデータ上
での座標を相対的に平行移動させ（ＥＢ描画装置のＣＡ
Ｄデータ上での座標全てにオフセットを設け）、この状
態を保持したまま、ブランクマスクを描画装置に設定
し、レジストをパターニングし、該レジストマスクにて
透明基板上のパターン形成用膜をエッチングし、パター
ニングする。
【００１８】また、オフセットの設け方は、ランダム設
定しても規則的に順次細かく変えても、照合処理で全て
のピンホールがＥＢ描画装置のＣＡＤデータ上でのマス
クパターンの位置データが重ならなくなるまで繰り返し
処理することが望ましい。
定しても規則的に順次細かく変えても、照合処理で全て
のピンホールがＥＢ描画装置のＣＡＤデータ上でのマス
クパターンの位置データが重ならなくなるまで繰り返し
処理することが望ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、一実施の形態に基づいて、
本発明を詳細に説明します。
本発明を詳細に説明します。
【００２０】図１は本発明の一実施の形態のフォトマス
クの製造工程のフォローチャートを示す図であり、図２
は本発明の一実施の形態のフォトマスクの製造工程図で
あり、図３は本発明により形成されたフォトマスクの平
面図である。図１乃至図３において、１、１１は透明基
板、２はクロム膜、３はＥＢレジスト、４は欠陥検出
光、５は欠陥検出光によるレジスト内のピンホール欠陥
の反射光、６、１３はピンホール欠陥、７は欠陥検出光
によるパターン形成用膜内のピンホール欠陥の透過光、
８はレジストの描画領域、９はレジストパターン、１
０、１２は遮光膜パターン、ａはオフセット量を示す。
クの製造工程のフォローチャートを示す図であり、図２
は本発明の一実施の形態のフォトマスクの製造工程図で
あり、図３は本発明により形成されたフォトマスクの平
面図である。図１乃至図３において、１、１１は透明基
板、２はクロム膜、３はＥＢレジスト、４は欠陥検出
光、５は欠陥検出光によるレジスト内のピンホール欠陥
の反射光、６、１３はピンホール欠陥、７は欠陥検出光
によるパターン形成用膜内のピンホール欠陥の透過光、
８はレジストの描画領域、９はレジストパターン、１
０、１２は遮光膜パターン、ａはオフセット量を示す。
【００２１】以下、図２を用いて、本発明の一の実施の
形態のフォトマスクの製造工程を説明する。
形態のフォトマスクの製造工程を説明する。
【００２２】まず、透明基板１上ににスパッタ、真空蒸
着等によりクロム膜２を約１１０ｎｍ成膜したブランク
マスクを作製する。続いて、ＥＢレジスト３を約５００
ｎｍ塗布する。尚、ＥＢレジストとしては、クロム膜の
エッチングの際、エッチング耐性の優れた市販のものを
使用した。
着等によりクロム膜２を約１１０ｎｍ成膜したブランク
マスクを作製する。続いて、ＥＢレジスト３を約５００
ｎｍ塗布する。尚、ＥＢレジストとしては、クロム膜の
エッチングの際、エッチング耐性の優れた市販のものを
使用した。
【００２３】ＥＢ描画工程において、遮光領域は未描
画、透過領域は完全にレジストを除去し得る必要電荷量
に設定し、電子ビームを照射する。ＥＢレジストにはネ
ガ形とポジ形とはあり本実施の形態においては、ポジ形
を用い、電子ビームの当たらなかった部分が次の現像工
程でレジストパターン９として残り、電子ビームの当た
った部分８は溶解し、クロム膜２が部分的に露出され
る。
画、透過領域は完全にレジストを除去し得る必要電荷量
に設定し、電子ビームを照射する。ＥＢレジストにはネ
ガ形とポジ形とはあり本実施の形態においては、ポジ形
を用い、電子ビームの当たらなかった部分が次の現像工
程でレジストパターン９として残り、電子ビームの当た
った部分８は溶解し、クロム膜２が部分的に露出され
る。
【００２４】現像後、露出したクロム膜２のドライエッ
チングを行う。レジストパターン９はエッチングに対す
る保護膜として働き、レジストに覆われていない部分の
クロム膜のみが除去され、透明基板１が部分的に露出さ
れるクロム膜２のドライエッチングに塩素系ガスを用い
た場合、レジストのドライエッチング耐性は十分であ
る。クロム膜２をエッチングした後、レジストパターン
９の全面除去を行う。レジスト剥離には、アセトン、硫
酸過水等の薬液を用いる。この場合、薬液に対する透明
基板及びクロム膜の耐性は十分である。
チングを行う。レジストパターン９はエッチングに対す
る保護膜として働き、レジストに覆われていない部分の
クロム膜のみが除去され、透明基板１が部分的に露出さ
れるクロム膜２のドライエッチングに塩素系ガスを用い
た場合、レジストのドライエッチング耐性は十分であ
る。クロム膜２をエッチングした後、レジストパターン
９の全面除去を行う。レジスト剥離には、アセトン、硫
酸過水等の薬液を用いる。この場合、薬液に対する透明
基板及びクロム膜の耐性は十分である。
【００２５】次に、図１を用いて、本発明の一実施の形
態である、フォトマスクの製造工程における、欠陥修正
工程を説明する。
態である、フォトマスクの製造工程における、欠陥修正
工程を説明する。
【００２６】まず、上述のブランクマスクを形成した
（Ｓ１）後、欠陥検査を行う（Ｓ２）。主として、マス
クパターンが形成されるクロム膜に存在するピンホール
欠陥を光学的な検査装置を用いて検査して見つけ出す。
具体的には、ＥＢレジストに存在するピンホール欠陥は
反射光５から、パターン形成用膜に存在するピンホール
欠陥は透過光７から検出する。ピンホールが無ければ、
無欠陥で、Ａ＝１の認識番号が与えられブランクセッテ
ィングへ行く（Ｓ７）。ここでは、ブランクマスクを描
画装置にセットする工程であり、このマスクがＡ＝１な
のでステージ移動なしで描画され（Ｓ９）、続けて製造
工程に入る。
（Ｓ１）後、欠陥検査を行う（Ｓ２）。主として、マス
クパターンが形成されるクロム膜に存在するピンホール
欠陥を光学的な検査装置を用いて検査して見つけ出す。
具体的には、ＥＢレジストに存在するピンホール欠陥は
反射光５から、パターン形成用膜に存在するピンホール
欠陥は透過光７から検出する。ピンホールが無ければ、
無欠陥で、Ａ＝１の認識番号が与えられブランクセッテ
ィングへ行く（Ｓ７）。ここでは、ブランクマスクを描
画装置にセットする工程であり、このマスクがＡ＝１な
のでステージ移動なしで描画され（Ｓ９）、続けて製造
工程に入る。
【００２７】また、ピンホール欠陥が見つかった場合、
その位置と大きさを欠陥座標データとして検査装置に記
録して行く（Ｓ５）。本発明の欠陥検査装置に接続され
たＥＢ露光装置に付設されたＣＡＤに記録されている、
予め作成されているマスクの実パターン座標データを読
みだし（Ｓ３）、該欠陥座標データと照合させる（Ｓ
６）。
その位置と大きさを欠陥座標データとして検査装置に記
録して行く（Ｓ５）。本発明の欠陥検査装置に接続され
たＥＢ露光装置に付設されたＣＡＤに記録されている、
予め作成されているマスクの実パターン座標データを読
みだし（Ｓ３）、該欠陥座標データと照合させる（Ｓ
６）。
【００２８】この場合、照合して、欠陥座標データがす
べて実パターン座標データに重ならなければＡ＝１と認
識され、ブランクセッティングへ行く（Ｓ７）。
べて実パターン座標データに重ならなければＡ＝１と認
識され、ブランクセッティングへ行く（Ｓ７）。
【００２９】しかし、図３（ａ）に示すように、少なく
とも１つ以上の欠陥座標データが実パターン座標データ
に重なった場合、全ての欠陥座標データが全て実座標デ
ータに重ならなくなるまで相対座標位置をずらすこと
で、いずれ重ならないオフセットの解が求まる（オフセ
ット特性）。
とも１つ以上の欠陥座標データが実パターン座標データ
に重なった場合、全ての欠陥座標データが全て実座標デ
ータに重ならなくなるまで相対座標位置をずらすこと
で、いずれ重ならないオフセットの解が求まる（オフセ
ット特性）。
【００３０】原理的には位置データの最小ピッチで規則
的にずらして行けばいずれ重ならなくなるのだが、本実
施の形態では、ピンホール欠陥の最大大きさを抽出し、
それを元にそれ以上の大きさのオフセット値のピッチを
必ず設けるように設定し、この条件を満たすようにオフ
セットのＸ座標及びＹ座標の値の与え方をランダムにし
て試行錯誤を繰り返し処理するプログラムにてデータを
照合させるようにした。
的にずらして行けばいずれ重ならなくなるのだが、本実
施の形態では、ピンホール欠陥の最大大きさを抽出し、
それを元にそれ以上の大きさのオフセット値のピッチを
必ず設けるように設定し、この条件を満たすようにオフ
セットのＸ座標及びＹ座標の値の与え方をランダムにし
て試行錯誤を繰り返し処理するプログラムにてデータを
照合させるようにした。
【００３１】本来、本実施の形態で得られたオフセット
の解は一意的なものではなく、数多く存在し得るもので
あり、本実施の形態の上記照合プログラムの内容自体も
問題を解決する唯一の手段ではない。また、このオフセ
ットはマスクサイズをはみ出さないように設定される。
このオフセットを対応する描画装置のＣＡＤのマスクデ
ータ座標全てに設定する。
の解は一意的なものではなく、数多く存在し得るもので
あり、本実施の形態の上記照合プログラムの内容自体も
問題を解決する唯一の手段ではない。また、このオフセ
ットはマスクサイズをはみ出さないように設定される。
このオフセットを対応する描画装置のＣＡＤのマスクデ
ータ座標全てに設定する。
【００３２】次に、ブランクマスクをセッティングし、
次にＡ＝１か否かの識別工程で、Ａ＝１の認識番号が付
与されていない場合、オフセットを考慮した相対座標に
て図２（ｃ）や図３（ａ）の符号ａの距離だけ平面上を
平行にステージ移動し、電子ビームにて描画する。この
場合、欠陥検査装置と描画装置のステージは共有である
ことが必要である。
次にＡ＝１か否かの識別工程で、Ａ＝１の認識番号が付
与されていない場合、オフセットを考慮した相対座標に
て図２（ｃ）や図３（ａ）の符号ａの距離だけ平面上を
平行にステージ移動し、電子ビームにて描画する。この
場合、欠陥検査装置と描画装置のステージは共有である
ことが必要である。
【００３３】更に、欠陥検査装置と描画装置が一体化さ
れ、ステージによる搬送が無い方がステージ移動による
マスクの描画アライメントズレが起こりにくくなり望ま
しい。
れ、ステージによる搬送が無い方がステージ移動による
マスクの描画アライメントズレが起こりにくくなり望ま
しい。
【００３４】以下、上記欠陥修正後のフォトマスクの製
造工程を説明する。
造工程を説明する。
【００３５】上述のＥＢ描画を行って得られたパターン
を図２（ｃ）に示す。描画領域８にレジストの全てのピ
ンホールが含まれる。そのため、現像処理にて図２
（ｄ）のように、レジスト内の全てのピンホールが不要
レジストと共に除去される。更に、ピンホールの無いレ
ジストパターン９をマスクにエッチングすることで、図
２（ｅ）に示すように、透明基板１上のクロム膜２のピ
ンホール６を有する領域が除去され、しかもピンホール
欠陥の無いフォトマスクが得られた。
を図２（ｃ）に示す。描画領域８にレジストの全てのピ
ンホールが含まれる。そのため、現像処理にて図２
（ｄ）のように、レジスト内の全てのピンホールが不要
レジストと共に除去される。更に、ピンホールの無いレ
ジストパターン９をマスクにエッチングすることで、図
２（ｅ）に示すように、透明基板１上のクロム膜２のピ
ンホール６を有する領域が除去され、しかもピンホール
欠陥の無いフォトマスクが得られた。
【００３６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明を
用いることにより、短時間にフォトマスクの欠陥検査が
でき、従来のマスク欠陥修正を省略でき、特殊な修正法
（ＦＩＢ等）を用いることなく、ピンホール等の白欠陥
を高精度に拾い出し除去することが可能となり、ピンホ
ール欠陥の無いフォトマスクを得ることができる。
用いることにより、短時間にフォトマスクの欠陥検査が
でき、従来のマスク欠陥修正を省略でき、特殊な修正法
（ＦＩＢ等）を用いることなく、ピンホール等の白欠陥
を高精度に拾い出し除去することが可能となり、ピンホ
ール欠陥の無いフォトマスクを得ることができる。
【図１】本発明の一の実施の形態のフォトマスクの製造
工程における、欠陥修正方法に関するフローチャートを
示す図である。
工程における、欠陥修正方法に関するフローチャートを
示す図である。
【図２】本発明の一の実施の形態のフォトマスクの製造
工程図である。
工程図である。
【図３】本発明の一の実施の形態のフォトマスクの製造
工程における、欠陥修正方法に関する一部工程図であ
る。
工程における、欠陥修正方法に関する一部工程図であ
る。
【図４】従来のフォトマスクの製造工程図である。
１、１１ 透明基板 ２ クロム膜 ３ ＥＢレジスト ４ 欠陥検出光 ５ 欠陥検出光によるレジスト内のピンホール欠陥の反
射光 ６、１３ ピンホール欠陥 ７ 欠陥検出光によるパターン形成用膜内のピンホール
欠陥の透過光 ８ レジストの描画領域 ９ レジストパターン １０、１２ 遮光膜パターン ａ オフセット量
射光 ６、１３ ピンホール欠陥 ７ 欠陥検出光によるパターン形成用膜内のピンホール
欠陥の透過光 ８ レジストの描画領域 ９ レジストパターン １０、１２ 遮光膜パターン ａ オフセット量
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｖ ５０２Ｗ
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上にパターン形成用膜が堆積さ
れているブランクマスクにレジストを塗布した後、上記
レジストに存在するピンホール欠陥と上記透明基板のパ
ターン形成用膜に存在するピンホール欠陥とを検出する
第１工程と、 上記第１工程で検出された上記レジストを有するブラン
クマスク上での全ての上記ピンホール欠陥の位置及び大
きさの座標を記録する第２工程と、 上記第２工程で記録した該ピンホール欠陥の位置及び大
きさの座標をパターン描画装置の描画データのマスクパ
ターンの位置及び大きさの座標と照合させる第３工程
と、 上記全てのピンホール欠陥が上記パターン描画装置の描
画データのマスクパターンと全く重ならないようにブラ
ンクマスク上の座標に対してパターン描画装置の描画デ
ータの座標を相対的に平行移動させる第４工程と、 上記平行移動させた状態を維持したままブランクマスク
を描画装置に設置し、上記レジストを描画し、該レジス
トをパターニングし、該レジストパターンをマスクとし
て透明基板上の上記パターン形成用膜をエッチングし、
マスクパターンを形成する第５工程とを有することを特
徴とする、フォトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 上記レジストに存在するピンホール欠陥
を欠陥検出光がパターン形成用膜から反射することから
検出し、上記透明基板上のパターン形成用膜に存在する
ピンホール欠陥を欠陥検出光が該レジストを有するブラ
ンクマスクの透明基板裏面から透過することから光学的
に検出することを特徴とする、請求項１記載のフォトマ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34068696A JPH10186635A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34068696A JPH10186635A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10186635A true JPH10186635A (ja) | 1998-07-14 |
Family
ID=18339346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34068696A Pending JPH10186635A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10186635A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005085951A1 (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Hoya Corporation | マスク作製支援方法、マスクブランク提供方法、マスクブランク取引システム |
| JP2007093305A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 金属箔張り積層板の検査装置 |
| JP2009134095A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Toppan Printing Co Ltd | 不良解析システム及びそれを用いた不良解析方法 |
| JP2009236760A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Daishinku Corp | 画像検出装置および検査装置 |
| JP2010039384A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法および描画装置 |
| CN102169286A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-31 | Hoya株式会社 | 掩模板用基板、掩模板、转印用掩模的制造方法 |
| JP2016167634A (ja) * | 2003-07-03 | 2016-09-15 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム |
| KR20200036754A (ko) | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 기판의 제조 방법, 포토마스크 기판, 포토마스크의 제조 방법, 및 포토마스크 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34068696A patent/JPH10186635A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10713771B2 (en) | 2003-07-03 | 2020-07-14 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
| JP2016167634A (ja) * | 2003-07-03 | 2016-09-15 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム |
| JP2009122708A (ja) * | 2004-03-09 | 2009-06-04 | Hoya Corp | マスクブランク情報取得方法及びシステム、マスクブランク情報提供方法、転写マスク作製支援及び製造方法並びにマスクブランク製造及び提供方法 |
| TWI383247B (zh) * | 2004-03-09 | 2013-01-21 | Ｈｏｙａ股份有限公司 | 轉印光罩之製造方法 |
| WO2005085951A1 (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Hoya Corporation | マスク作製支援方法、マスクブランク提供方法、マスクブランク取引システム |
| KR100911595B1 (ko) * | 2004-03-09 | 2009-08-07 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 정보 취득방법 및 시스템, 마스크 블랭크 정보 제공방법, 전사 마스크 제작지원 및 제조방법, 그리고 마스크 블랭크 제조방법 및 제공방법 |
| JPWO2005085951A1 (ja) * | 2004-03-09 | 2007-08-09 | Hoya株式会社 | マスク作製支援方法、マスクブランク提供方法、マスクブランク取引システム |
| US7660456B2 (en) | 2004-03-09 | 2010-02-09 | Hoya Corporation | Mask fabrication supporting method, mask blank providing method, and mask blank dealing system |
| JP4503015B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-07-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク情報習得方法及びシステム、マスクブランク情報提供方法、転写マスク作製支援及び製造方法並びにマスクブランク製造及び提供方法 |
| KR101032526B1 (ko) * | 2004-03-09 | 2011-05-04 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 정보 취득방법 및 시스템, 마스크 블랭크 정보 제공방법, 전사 마스크 제작지원 및 제조방법, 그리고 마스크 블랭크 제조 및 제공방법 |
| US8627239B2 (en) | 2004-03-09 | 2014-01-07 | Hoya Corporation | Mask fabrication supporting method, mask blank providing method, and mask blank dealing system |
| US8196070B2 (en) | 2004-03-09 | 2012-06-05 | Hoya Corporation | Mask fabrication supporting method, mask blank providing method, and mask blank dealing system |
| JP2007093305A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 金属箔張り積層板の検査装置 |
| JP2009134095A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Toppan Printing Co Ltd | 不良解析システム及びそれを用いた不良解析方法 |
| JP2009236760A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Daishinku Corp | 画像検出装置および検査装置 |
| JP2010039384A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法および描画装置 |
| CN102169286A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-31 | Hoya株式会社 | 掩模板用基板、掩模板、转印用掩模的制造方法 |
| KR20200036754A (ko) | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 기판의 제조 방법, 포토마스크 기판, 포토마스크의 제조 방법, 및 포토마스크 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000267260A (ja) | マスク欠陥修正方法 | |
| US20060051681A1 (en) | Method of repairing a photomask having an internal etch stop layer | |
| US6277526B1 (en) | Method for repairing MoSi attenuated phase shift masks | |
| TW201028789A (en) | Method of manufacturing a photomask and photomask | |
| US6197455B1 (en) | Lithographic mask repair using a scanning tunneling microscope | |
| US6933081B2 (en) | Method for quartz bump defect repair with less substrate damage | |
| TWI258812B (en) | Method for removing opaque defects on a reticle and semiconductor device fabricated utilizing the reticle | |
| US6114073A (en) | Method for repairing phase shifting masks | |
| US20080081267A1 (en) | Defect Repair Method for Photomask and Defect-Free Photomask | |
| JP2014089237A (ja) | フォトマスクの修正方法 | |
| JP2003121989A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP3732118B2 (ja) | 開口部用フォトマスクの不透明欠陥修理方法 | |
| US7348106B2 (en) | Method for repairing a phase shift mask | |
| JP2539945B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH10274839A (ja) | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP5003094B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR100314128B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| JP2000075469A (ja) | フォトマスクの作製方法 | |
| CN106292177B (zh) | 掩模版的修正方法 | |
| JP3070870B2 (ja) | マスク修正方法 | |
| JP2003195472A (ja) | 位相シフトマスクの欠陥修正方法、位相シフトマスク及び露光方法 | |
| KR20040001276A (ko) | 포토마스크의 결함 수정 방법 | |
| JP3761681B2 (ja) | フォトマスク欠損欠陥修正方法 | |
| TWI249647B (en) | Method of repairing mask | |
| JPH08123012A (ja) | マスク欠陥の修正方法 |