JPH10188231A - 不整合の異方性軸を持つ低バイアス電流の対磁気抵抗ヘッド - Google Patents
不整合の異方性軸を持つ低バイアス電流の対磁気抵抗ヘッドInfo
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- JPH10188231A JPH10188231A JP9341631A JP34163197A JPH10188231A JP H10188231 A JPH10188231 A JP H10188231A JP 9341631 A JP9341631 A JP 9341631A JP 34163197 A JP34163197 A JP 34163197A JP H10188231 A JPH10188231 A JP H10188231A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
- G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力とバイアス電流消費の最小化された自己
バイアス動作のために特に設計された対磁気抵抗素子
（ＰＭＲ）ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気抵抗ヘッド組立品は、第一及び第二
の磁気抵抗素子を含み、該素子の間に配置された第一の
電気的に絶縁するスペーサを持つ対磁気抵抗ヘッドと；
電気的な接触を形成し、両方のＭＲ素子を通って実質的
に等しい大きさの平行バイアス電流を供給する手段と；
第一及び第二のＭＲ素子にかかる電圧における差異を検
出する手段と；からなり、上記第一及び第二の磁気抵抗
素子は、第一のＭＲ素子の一軸異方性（形状の異方性を
除く）の容易軸はＭＲ素子の幾何学的に決められた縦軸
に関して第一の実質的にゼロでない角で方位を定めら
れ、第二のＭＲ素子の一軸異方性（形状の異方性を除
く）の容易軸に対して実質的に非平行であり、該第二の
ＭＲ素子の一軸異方性の該容易軸はＭＲ素子の幾何学的
に決められた縦軸に関して第二の実質的にゼロでない角
で方位を定められることを除いては、実質上同一の厚
さ、幾何学的形状、磁気及び電気的性質を有する。
バイアス動作のために特に設計された対磁気抵抗素子
（ＰＭＲ）ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気抵抗ヘッド組立品は、第一及び第二
の磁気抵抗素子を含み、該素子の間に配置された第一の
電気的に絶縁するスペーサを持つ対磁気抵抗ヘッドと；
電気的な接触を形成し、両方のＭＲ素子を通って実質的
に等しい大きさの平行バイアス電流を供給する手段と；
第一及び第二のＭＲ素子にかかる電圧における差異を検
出する手段と；からなり、上記第一及び第二の磁気抵抗
素子は、第一のＭＲ素子の一軸異方性（形状の異方性を
除く）の容易軸はＭＲ素子の幾何学的に決められた縦軸
に関して第一の実質的にゼロでない角で方位を定めら
れ、第二のＭＲ素子の一軸異方性（形状の異方性を除
く）の容易軸に対して実質的に非平行であり、該第二の
ＭＲ素子の一軸異方性の該容易軸はＭＲ素子の幾何学的
に決められた縦軸に関して第二の実質的にゼロでない角
で方位を定められることを除いては、実質上同一の厚
さ、幾何学的形状、磁気及び電気的性質を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に磁場を検出
するためのヘッドに関し、特に電力とバイアス電流消費
の最小化された自己バイアス動作のために特に設計され
た対磁気抵抗素子（ＰＭＲ）ヘッドに関する。
するためのヘッドに関し、特に電力とバイアス電流消費
の最小化された自己バイアス動作のために特に設計され
た対磁気抵抗素子（ＰＭＲ）ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１（Ａ）及び１（Ｂ）中に示されるよ
うに、従来の対磁気抵抗素子（ＰＭＲ）ヘッド（アメリ
カ特許第３，８６０，９６５号に開示されている如き）
は、基板１３上で互いに隣接して隣同士に堆積された一
対の整合された磁気抵抗（ＭＲ）素子（例えば、ＮｉＦ
ｅ）を含み、薄い絶縁気体スペーサー材１４により分離
される。ＰＭＲヘッドは磁気媒体１５とインターフェー
スする。各ＭＲヘッド１０，１２の一方の端は他の素子
と電気的に短絡されてよく（図１（Ｂ））、両方のＭＲ
素子１０，１２に共通する一つの端子１６と電流Ｉ／２
が供給される素子１０，１２の他の端にある他の二つの
端子１８，２０とを持つ３端子装置を形成する。このＰ
ＭＲセンサのために、素子１０，１２中の検出電流は、
共通端子１６から又はそこに向かい平行に流れる。かか
るＰＭＲセンサは自己バイアスされ、各ＭＲ素子１０，
１２中の電流からの磁場が他の素子上に横方向のバイア
ス場を提供する。これらの電場及び得られたＰＭＲバイ
アスは非対称であり、即ち、二つのＭＲ素子１０，１２
において同じ大きさであるが逆の極性である。従って、
共通モード（均一）の信号場に応じた抵抗の個々の変化
は逆極性である。
うに、従来の対磁気抵抗素子（ＰＭＲ）ヘッド（アメリ
カ特許第３，８６０，９６５号に開示されている如き）
は、基板１３上で互いに隣接して隣同士に堆積された一
対の整合された磁気抵抗（ＭＲ）素子（例えば、ＮｉＦ
ｅ）を含み、薄い絶縁気体スペーサー材１４により分離
される。ＰＭＲヘッドは磁気媒体１５とインターフェー
スする。各ＭＲヘッド１０，１２の一方の端は他の素子
と電気的に短絡されてよく（図１（Ｂ））、両方のＭＲ
素子１０，１２に共通する一つの端子１６と電流Ｉ／２
が供給される素子１０，１２の他の端にある他の二つの
端子１８，２０とを持つ３端子装置を形成する。このＰ
ＭＲセンサのために、素子１０，１２中の検出電流は、
共通端子１６から又はそこに向かい平行に流れる。かか
るＰＭＲセンサは自己バイアスされ、各ＭＲ素子１０，
１２中の電流からの磁場が他の素子上に横方向のバイア
ス場を提供する。これらの電場及び得られたＰＭＲバイ
アスは非対称であり、即ち、二つのＭＲ素子１０，１２
において同じ大きさであるが逆の極性である。従って、
共通モード（均一）の信号場に応じた抵抗の個々の変化
は逆極性である。
【０００３】ＰＭＲセンサの二つの非接続の端子１８，
２０の電圧が異なって感知された場合、磁気信号による
独立の電圧変化が互いに加わる。反対に、リードバック
信号中の偶数次非線形歪みは、素子１０，１２の共通の
温度の変動から生じる抵抗変化から発生される誤った信
号と同様に、差分検波により相殺される。かかる温度変
動は断続的なヘッド−媒体接触及び／又は媒体中の凹凸
からの摩擦熱から発生しうる。熱的に誘導された抵抗変
化は、内部接触記録（例えば、テープ又はデビットカー
ドの読み取りヘッド）の場合に特に大きく、ＰＭＲ設計
がこれらの応用に対し多分最も適当であるからである。
例えば、研磨媒体に対する内部接触摩擦からの機械的な
損傷及び／又はヘッド−媒体インターフェースでの電気
化学的な過程による、腐食及び起きうる電気的な短絡か
らＰＭＲ素子を保護するため、ＰＭＲをヘッド−媒体イ
ンターフェースから引っ込めることができ、そして媒体
から現在環境から保護されているＰＭＲヘッドに向かい
及びそれを通って信号フラックスを伝導するためのフラ
ックスガイドとして作用するため、その内の少なくとも
一つが磁気記録媒体と密接に接触しうる高透磁性材の追
加的磁性層を使用できる。
２０の電圧が異なって感知された場合、磁気信号による
独立の電圧変化が互いに加わる。反対に、リードバック
信号中の偶数次非線形歪みは、素子１０，１２の共通の
温度の変動から生じる抵抗変化から発生される誤った信
号と同様に、差分検波により相殺される。かかる温度変
動は断続的なヘッド−媒体接触及び／又は媒体中の凹凸
からの摩擦熱から発生しうる。熱的に誘導された抵抗変
化は、内部接触記録（例えば、テープ又はデビットカー
ドの読み取りヘッド）の場合に特に大きく、ＰＭＲ設計
がこれらの応用に対し多分最も適当であるからである。
例えば、研磨媒体に対する内部接触摩擦からの機械的な
損傷及び／又はヘッド−媒体インターフェースでの電気
化学的な過程による、腐食及び起きうる電気的な短絡か
らＰＭＲ素子を保護するため、ＰＭＲをヘッド−媒体イ
ンターフェースから引っ込めることができ、そして媒体
から現在環境から保護されているＰＭＲヘッドに向かい
及びそれを通って信号フラックスを伝導するためのフラ
ックスガイドとして作用するため、その内の少なくとも
一つが磁気記録媒体と密接に接触しうる高透磁性材の追
加的磁性層を使用できる。
【０００４】通常のＰＭＲに対するバイアス過程の磁気
は、構成要素をなすＭＲ素子の一つを表す図２に図示さ
れる。ここで、ｘ及びｙ軸はそれぞれ、ＭＲ素子の幾何
学的形状に関して縦及び横の方向を表す。従来技術で良
く知られるように、磁場の存在下でのＮｉＦｅＭＲフィ
ルムの堆積は、堆積場のそれと平行な磁化の容易軸を伴
い、フィルム中に固有の、一軸性の、”誘導された”異
方性をもたらす。技術的に知られた従来のＰＭＲ設計に
対し、誘導された容易軸は、ＭＲ素子に対して縦方向に
意図的に配列される。ＮｉＦｅに対し、誘導異方性場強
度Ｈk は典型的には３−５Ｏｅである。ＰＭＲ素子の場
合、幾何学的に依存する、結合された二つのＭＲ素子の
消磁場から物理的に発生する、縦方向の容易軸を持つ付
加的な”形状”異方性がある。ＰＭＲの非対称な、自己
バイアス状態のために、これらの消磁場は殆どキャンセ
ルする。しかし、ＢS ＝飽和磁束密度、ｔ＝ＭＲ素子の
厚み、ｇ＝絶縁スペーサの厚み、Ｌ＝ＭＲ素子の横幅で
あるとすると、（消磁）場強度ＨD ≒（４ｔｇ／Ｌ2 ）
ＢS の残留形状異方性が残ったままである。従来のＰＭ
Ｒに対して、正味の異方性場ＨａはＨA ＝Ｈk ＋ＨD で
ある。横方向の、検出電流バイアス場強度ＨI は、Ｉが
両方の素子の検出電流合計である場合、ＨI≒（π／１
０）Ｉ／Ｌ（Ｉはアンペアで、Ｌはセンチメートルで、
ＨI はエルステッド）である。電流場ＨI はＭＲ素子を
磁化して、ｓｉｎθ＝ＨI ／ＨA である場合に、ｘ軸に
関して角±θだけ回転させる。（より正確には、θはＭ
Ｒ素子の幅の中心又はその近傍での最大磁化角であ
る。）ＰＭＲの最適な特性は、高い、小さな信号の感応
を良好な線形ダイナミックレンジと結合する公称バイア
ス角θb ≒６０°でおおむね達成される。最適なバイア
ス電流はおよそＩD ≒（５√３／π）Ｌ（Ｈk ＋４ｔｇ
ＢS ／Ｌ2 ）である。
は、構成要素をなすＭＲ素子の一つを表す図２に図示さ
れる。ここで、ｘ及びｙ軸はそれぞれ、ＭＲ素子の幾何
学的形状に関して縦及び横の方向を表す。従来技術で良
く知られるように、磁場の存在下でのＮｉＦｅＭＲフィ
ルムの堆積は、堆積場のそれと平行な磁化の容易軸を伴
い、フィルム中に固有の、一軸性の、”誘導された”異
方性をもたらす。技術的に知られた従来のＰＭＲ設計に
対し、誘導された容易軸は、ＭＲ素子に対して縦方向に
意図的に配列される。ＮｉＦｅに対し、誘導異方性場強
度Ｈk は典型的には３−５Ｏｅである。ＰＭＲ素子の場
合、幾何学的に依存する、結合された二つのＭＲ素子の
消磁場から物理的に発生する、縦方向の容易軸を持つ付
加的な”形状”異方性がある。ＰＭＲの非対称な、自己
バイアス状態のために、これらの消磁場は殆どキャンセ
ルする。しかし、ＢS ＝飽和磁束密度、ｔ＝ＭＲ素子の
厚み、ｇ＝絶縁スペーサの厚み、Ｌ＝ＭＲ素子の横幅で
あるとすると、（消磁）場強度ＨD ≒（４ｔｇ／Ｌ2 ）
ＢS の残留形状異方性が残ったままである。従来のＰＭ
Ｒに対して、正味の異方性場ＨａはＨA ＝Ｈk ＋ＨD で
ある。横方向の、検出電流バイアス場強度ＨI は、Ｉが
両方の素子の検出電流合計である場合、ＨI≒（π／１
０）Ｉ／Ｌ（Ｉはアンペアで、Ｌはセンチメートルで、
ＨI はエルステッド）である。電流場ＨI はＭＲ素子を
磁化して、ｓｉｎθ＝ＨI ／ＨA である場合に、ｘ軸に
関して角±θだけ回転させる。（より正確には、θはＭ
Ｒ素子の幅の中心又はその近傍での最大磁化角であ
る。）ＰＭＲの最適な特性は、高い、小さな信号の感応
を良好な線形ダイナミックレンジと結合する公称バイア
ス角θb ≒６０°でおおむね達成される。最適なバイア
ス電流はおよそＩD ≒（５√３／π）Ｌ（Ｈk ＋４ｔｇ
ＢS ／Ｌ2 ）である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】低電流消費での低電圧
動作が重要であるＰＭＲヘッドに対する多様な応用が存
在する。一つの特定例は低コスト電源動作であり、ＰＭ
Ｒヘッドに対して用いられる供給電圧が実際にわずか数
（２−３）ボルトに制限される全ての電子機器を含む。
ＰＭＲの設計に対し、ＭＲ及び絶縁の厚さｔ及びｇは高
い収率、しっかりした素子−素子の厚み整合及び絶縁信
頼性の限度内で可能な限り小さくされるように選択され
ることが一般に望ましい。典型的な値はｔ＝０．０２５
μｍ及びｇ＝０．１５μｍである。低電流消費のために
最適化されるべき残りのパラメータは素子の幅Ｌであ
る。検出電流Ｉb の極小化は、ＨD ＝Ｈk に対応して、
最適のＬOP＝（４ｔｇＢs ／Ｈk ）1/2 をもたらす。典
型的なＮｉＦｅの値ＢS ＝１０ｋＧ，Ｈk ＝４Ｏｅ，及
びｔ及びｇに対する前記の値を利用すると、Ｌop≒６μ
ｍと見積もられる。Ｌopに対するこの値は、フラックス
ガイドされたＰＭＲ設計への組み込みに対するのと同様
に、直接のフォトリソグラフィックな組立に対し、物理
的に十分に大きいが、ＰＭＲの信号解像度及び／又は感
応が適当に低いリニヤーな記録密度の用途（例えば、デ
ビットカードの読み取り機）において非常に負の影響を
受ける場合、極端に大きいわけではない。Ｌop＝６μｍ
に対し、Ｉ b-min ≒１３ｍＡと見積もられる。長い期間
の電源動作の間に、ＰＭＲヘッドに対するこの検出電流
のレベルは多分受容可能であるが、しかし満足なほどに
小さい訳ではない。しかし、マルチトラックのヘッドの
場合、検出電流のコストは同様に増加される。
動作が重要であるＰＭＲヘッドに対する多様な応用が存
在する。一つの特定例は低コスト電源動作であり、ＰＭ
Ｒヘッドに対して用いられる供給電圧が実際にわずか数
（２−３）ボルトに制限される全ての電子機器を含む。
ＰＭＲの設計に対し、ＭＲ及び絶縁の厚さｔ及びｇは高
い収率、しっかりした素子−素子の厚み整合及び絶縁信
頼性の限度内で可能な限り小さくされるように選択され
ることが一般に望ましい。典型的な値はｔ＝０．０２５
μｍ及びｇ＝０．１５μｍである。低電流消費のために
最適化されるべき残りのパラメータは素子の幅Ｌであ
る。検出電流Ｉb の極小化は、ＨD ＝Ｈk に対応して、
最適のＬOP＝（４ｔｇＢs ／Ｈk ）1/2 をもたらす。典
型的なＮｉＦｅの値ＢS ＝１０ｋＧ，Ｈk ＝４Ｏｅ，及
びｔ及びｇに対する前記の値を利用すると、Ｌop≒６μ
ｍと見積もられる。Ｌopに対するこの値は、フラックス
ガイドされたＰＭＲ設計への組み込みに対するのと同様
に、直接のフォトリソグラフィックな組立に対し、物理
的に十分に大きいが、ＰＭＲの信号解像度及び／又は感
応が適当に低いリニヤーな記録密度の用途（例えば、デ
ビットカードの読み取り機）において非常に負の影響を
受ける場合、極端に大きいわけではない。Ｌop＝６μｍ
に対し、Ｉ b-min ≒１３ｍＡと見積もられる。長い期間
の電源動作の間に、ＰＭＲヘッドに対するこの検出電流
のレベルは多分受容可能であるが、しかし満足なほどに
小さい訳ではない。しかし、マルチトラックのヘッドの
場合、検出電流のコストは同様に増加される。
【０００６】別の潜在的な重大な困難さは十分に広いト
ラック幅Ｗを持つ応用における検出電圧の抑制であろ
う。典型的な薄膜ＮｉＦｅの抵抗はρ＝２５μΩ−ｃｍ
であり、トラック幅に対する素子の抵抗はＲ／Ｗ＝ρ／
（ｔＬOP）≒１７ｋΩ／ｃｍで、1/2 Ｉb-min Ｒ／Ｗ≒
１１０Ｖ／ｃｍの検出電圧を必要とする。０．１ｃｍの
典型的な読み取りトラック幅を持つデビットカード読み
取り機の場合、低コストの電源−動作の電子機器におい
て利用できる４から５倍の値のＶb ≒１１ＶのＰＭＲバ
イアス電圧を必要とする。Ｖb ∝Ｉb ／Ｌ∝（Ｈk ＋４
ｔｇＢS ／Ｌ2 ）であるので、Ｌ＞＞Ｌopに増加するこ
とはＩb が使用できない程大きくなるが、わずか二つの
ファクターにより、必要とされたＶb を最も減少しう
る。他の場合、サブバイアス電圧Ｖ＜＜Ｖb
ラック幅Ｗを持つ応用における検出電圧の抑制であろ
う。典型的な薄膜ＮｉＦｅの抵抗はρ＝２５μΩ−ｃｍ
であり、トラック幅に対する素子の抵抗はＲ／Ｗ＝ρ／
（ｔＬOP）≒１７ｋΩ／ｃｍで、1/2 Ｉb-min Ｒ／Ｗ≒
１１０Ｖ／ｃｍの検出電圧を必要とする。０．１ｃｍの
典型的な読み取りトラック幅を持つデビットカード読み
取り機の場合、低コストの電源−動作の電子機器におい
て利用できる４から５倍の値のＶb ≒１１ＶのＰＭＲバ
イアス電圧を必要とする。Ｖb ∝Ｉb ／Ｌ∝（Ｈk ＋４
ｔｇＢS ／Ｌ2 ）であるので、Ｌ＞＞Ｌopに増加するこ
とはＩb が使用できない程大きくなるが、わずか二つの
ファクターにより、必要とされたＶb を最も減少しう
る。他の場合、サブバイアス電圧Ｖ＜＜Ｖb
【０００７】
【数１】
【０００８】での動作は、（Ｖ／Ｖb ）2 に従い２次的
に相対的ＰＭＲ出力信号を減少させ、多くの応用におい
て受け入れられる妥協はない。
に相対的ＰＭＲ出力信号を減少させ、多くの応用におい
て受け入れられる妥協はない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に従い、従来技術
の前述の問題の解決が提供される。本発明の一つの特徴
に従い、第一及び第二の磁気抵抗素子を含み、該素子の
間に配置された第一の電気的に絶縁するスペーサを持つ
対磁気抵抗ヘッドと；電気的な接触を形成し、両方のＭ
Ｒ素子を通って実質的に等しい大きさの平行バイアス電
流を供給する手段と；第一及び第二のＭＲ素子にかかる
電圧における差異を検出する手段と；からなり、上記第
一及び第二の磁気抵抗素子は、第一のＭＲ素子の一軸異
方性（形状の異方性を除く）の容易軸はＭＲ素子の幾何
学的に決められた縦軸に関して第一の実質的にゼロでな
い角で方位を定められ、第二のＭＲ素子の一軸異方性
（形状の異方性を除く）の容易軸に対して実質的に非平
行であり、該第二のＭＲ素子の一軸異方性の該容易軸は
ＭＲ素子の幾何学的に決められた縦軸に関して第二の実
質的にゼロでない角で方位を定められることを除いて
は、実質上同一の厚さ、幾何学的形状、磁気及び電気的
性質を有する磁気抵抗ヘッド組立品が提供される。
の前述の問題の解決が提供される。本発明の一つの特徴
に従い、第一及び第二の磁気抵抗素子を含み、該素子の
間に配置された第一の電気的に絶縁するスペーサを持つ
対磁気抵抗ヘッドと；電気的な接触を形成し、両方のＭ
Ｒ素子を通って実質的に等しい大きさの平行バイアス電
流を供給する手段と；第一及び第二のＭＲ素子にかかる
電圧における差異を検出する手段と；からなり、上記第
一及び第二の磁気抵抗素子は、第一のＭＲ素子の一軸異
方性（形状の異方性を除く）の容易軸はＭＲ素子の幾何
学的に決められた縦軸に関して第一の実質的にゼロでな
い角で方位を定められ、第二のＭＲ素子の一軸異方性
（形状の異方性を除く）の容易軸に対して実質的に非平
行であり、該第二のＭＲ素子の一軸異方性の該容易軸は
ＭＲ素子の幾何学的に決められた縦軸に関して第二の実
質的にゼロでない角で方位を定められることを除いて
は、実質上同一の厚さ、幾何学的形状、磁気及び電気的
性質を有する磁気抵抗ヘッド組立品が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】図３は本発明を具体化するＰＭＲ
素子を模式的に示す。図示のように、ＰＭＲヘッド２８
は絶縁するスペーサ３４によって分離されるＭＲ素子３
０及び３２を含む。素子３０及び３２は図１中に示され
るように電気的に接続されている。図１のＰＭＲヘッド
から図３の発明を区別する特徴は、ＭＲ素子３０及び３
２の誘導された縦方向の一軸異方性の容易軸１００，１
０２に関する角φ1 ＞０及びφ 2 ＜０による、意図的な
不整合である。これは以下のように達成されうる。：Ｍ
Ｒフィルム３０及び絶縁スペーサ３４の堆積の後、装置
ウエハは堆積システムから除去され、ＭＲフィルム３０
の堆積の間に存在するのと平行な磁場中で、例えば数時
間の間の２５０−３００°Ｃの少なくとも一回の熱焼成
サイクルを受ける。これは、ＭＲフィルム３２の引続き
の堆積の間に生じうる再配向からＭＲフィルム３０の誘
導された異方性の大きさと方向を安定化するために行な
われる。絶縁層３４はこの熱焼成の間にＭＲフィルム３
０を静めるのにも役立つ。素子ウエハはその後、ＭＲフ
ィルム３２の堆積のために、堆積場源に関して相対角φ
1 −φ2 により今再方向付けされた堆積システムに戻さ
れる。図３に示されたＭＲ素子３０及び３２に従うそれ
らの最終的な幾何学的形状にＭＲフィルム３０及び３２
をフォトリソグラフィによりパターニングする前に、同
様の熱焼成サイクルを経てＭＲフィルム３２の誘導され
た異方性を付加的に安定化させる。ＭＲフィルム３０の
容易軸の再配向に対する予防として、ＭＲフィルム３０
の場合と比較してＭＲフィルム３２の焼成の時間及び／
若しくは温度を減じ、又はゼロ磁場中でＭＲフィルム３
２の焼成を実施する。
素子を模式的に示す。図示のように、ＰＭＲヘッド２８
は絶縁するスペーサ３４によって分離されるＭＲ素子３
０及び３２を含む。素子３０及び３２は図１中に示され
るように電気的に接続されている。図１のＰＭＲヘッド
から図３の発明を区別する特徴は、ＭＲ素子３０及び３
２の誘導された縦方向の一軸異方性の容易軸１００，１
０２に関する角φ1 ＞０及びφ 2 ＜０による、意図的な
不整合である。これは以下のように達成されうる。：Ｍ
Ｒフィルム３０及び絶縁スペーサ３４の堆積の後、装置
ウエハは堆積システムから除去され、ＭＲフィルム３０
の堆積の間に存在するのと平行な磁場中で、例えば数時
間の間の２５０−３００°Ｃの少なくとも一回の熱焼成
サイクルを受ける。これは、ＭＲフィルム３２の引続き
の堆積の間に生じうる再配向からＭＲフィルム３０の誘
導された異方性の大きさと方向を安定化するために行な
われる。絶縁層３４はこの熱焼成の間にＭＲフィルム３
０を静めるのにも役立つ。素子ウエハはその後、ＭＲフ
ィルム３２の堆積のために、堆積場源に関して相対角φ
1 −φ2 により今再方向付けされた堆積システムに戻さ
れる。図３に示されたＭＲ素子３０及び３２に従うそれ
らの最終的な幾何学的形状にＭＲフィルム３０及び３２
をフォトリソグラフィによりパターニングする前に、同
様の熱焼成サイクルを経てＭＲフィルム３２の誘導され
た異方性を付加的に安定化させる。ＭＲフィルム３０の
容易軸の再配向に対する予防として、ＭＲフィルム３０
の場合と比較してＭＲフィルム３２の焼成の時間及び／
若しくは温度を減じ、又はゼロ磁場中でＭＲフィルム３
２の焼成を実施する。
【００１１】技術的に知られた手段を使用し、ＭＲ素子
３０及び３２の縦方向の磁化は、横方向の電流場ＨI が
磁化ベクトルＭ1 及びＭ2 の両方をそれらの最も近い誘
導された容易軸の方に回転させるようなやり方で、検出
電流の方向及び誘導された容易軸の方位と共に、最初に
配列される必要がある。得られたバイアス状態は何時も
本質的に自己安定的である。図３に示される幾何学的形
状に対し、Ｍ1 及びＭ 2 は検出電流の方向に平行に初期
設定され、この特定例においては全て＋ｘ方向にある。
３０及び３２の縦方向の磁化は、横方向の電流場ＨI が
磁化ベクトルＭ1 及びＭ2 の両方をそれらの最も近い誘
導された容易軸の方に回転させるようなやり方で、検出
電流の方向及び誘導された容易軸の方位と共に、最初に
配列される必要がある。得られたバイアス状態は何時も
本質的に自己安定的である。図３に示される幾何学的形
状に対し、Ｍ1 及びＭ 2 は検出電流の方向に平行に初期
設定され、この特定例においては全て＋ｘ方向にある。
【００１２】図４は、誘導された容易軸の不整合が非対
称、即ちφ1 ＝−φ2 ＝φである、特定の実施例に対す
るバイアス過程をグラフで示す。バイアス磁化Ｍb1＝Ｍ
b のみが示され；Ｍb2に対する結果は、全ての角におけ
るマイナス符号を除いては同一である。同一線上にない
異方性に対する公知の法則を使用して、正確な容易軸
が、正確な異方性場Ｈa ＝ＨD ｃｏｓ（２Ψ）＋Ｈk ｃ
ｏｓ（２φ−２Ψ）を伴い、角Ψ＝1 /2ｔａｎ-1｛Ｈk
ｓｉｎ（２φ）／（ＨD ＋Ｈk ｃｏｓ（２φ）｝で方向
付けられる。平衡バイアス角θb は式Ｈa ｓｉｎ（２θ
b −２Ψ）＝２Ｈ I ｃｏｓθb を満足するように示され
うる。
称、即ちφ1 ＝−φ2 ＝φである、特定の実施例に対す
るバイアス過程をグラフで示す。バイアス磁化Ｍb1＝Ｍ
b のみが示され；Ｍb2に対する結果は、全ての角におけ
るマイナス符号を除いては同一である。同一線上にない
異方性に対する公知の法則を使用して、正確な容易軸
が、正確な異方性場Ｈa ＝ＨD ｃｏｓ（２Ψ）＋Ｈk ｃ
ｏｓ（２φ−２Ψ）を伴い、角Ψ＝1 /2ｔａｎ-1｛Ｈk
ｓｉｎ（２φ）／（ＨD ＋Ｈk ｃｏｓ（２φ）｝で方向
付けられる。平衡バイアス角θb は式Ｈa ｓｉｎ（２θ
b −２Ψ）＝２Ｈ I ｃｏｓθb を満足するように示され
うる。
【００１３】前記のパラメータ値を使用し、Ｌに対する
Ｉb により表現されたこの式の解が、φ＝７０°及び５
５°≦θb ≦６５°の場合に対し、図５に示され；従来
のＰＭＲの場合（φ＝０）もまた比較のために示され
る。θb の範囲は、現実的な（控え目でなければ）許容
範囲を反映し、θb ＝６０°までの範囲が適当であり、
約６０°であるθb におけるかかる小さな変化は、最初
の指示の通り、ＰＭＲ特性において変化を生じない。一
例として、図５は本発明の非対称な、φ＝７０°の実施
例に対し、Ｉb ≒３ｍＡでのθb ≒６０°のバイアスは
Ｌ≒７±１μｍの容易な組立可能な許容範囲上で達成可
能であり、又は、固定のＬ＝７μｍ、θb≒６０°のバ
イアスはフレキシブルな範囲Ｉb ＝３±１．５ｍＡ上で
達成可能であることを示す。Ｗ＝１ｍｍのトラック幅の
ヘッドに対し、Ｒ＝ρＷ／ｔＬ≒１３３０Ωであり、Ｉ
b ＝３ｍＡに対し、低コストの電源動作のために望まれ
る範囲内でＶb ＝1/2 Ｉb Ｒ≒２Ｖを必要とするのみで
ある。
Ｉb により表現されたこの式の解が、φ＝７０°及び５
５°≦θb ≦６５°の場合に対し、図５に示され；従来
のＰＭＲの場合（φ＝０）もまた比較のために示され
る。θb の範囲は、現実的な（控え目でなければ）許容
範囲を反映し、θb ＝６０°までの範囲が適当であり、
約６０°であるθb におけるかかる小さな変化は、最初
の指示の通り、ＰＭＲ特性において変化を生じない。一
例として、図５は本発明の非対称な、φ＝７０°の実施
例に対し、Ｉb ≒３ｍＡでのθb ≒６０°のバイアスは
Ｌ≒７±１μｍの容易な組立可能な許容範囲上で達成可
能であり、又は、固定のＬ＝７μｍ、θb≒６０°のバ
イアスはフレキシブルな範囲Ｉb ＝３±１．５ｍＡ上で
達成可能であることを示す。Ｗ＝１ｍｍのトラック幅の
ヘッドに対し、Ｒ＝ρＷ／ｔＬ≒１３３０Ωであり、Ｉ
b ＝３ｍＡに対し、低コストの電源動作のために望まれ
る範囲内でＶb ＝1/2 Ｉb Ｒ≒２Ｖを必要とするのみで
ある。
【００１４】本発明の非対称の実施例（φ1 ＝−φ2 ＝
φ）は、誘導された磁化回転Δθ＝θ−θb が決して横
方向の磁化Ｍy ∝ｓｉｎθの極性をバイアス状態のそれ
から変化させないように横方向の信号場Ｈs が十分に小
さい場合の応用に対して特に良く適合する。図６（Ｂ）
は、これが例えば、ＨS ＞＞ＨI ，Ｈa であるＰＭＲの
下を直接に通過する十分に高いモーメントの記録媒体に
おける遷移による場合でない場合の状態を示す。ＭＲ素
子の磁化状態の図示は、素子幅を通る中央と端の領域の
間の磁化方向の変化を正確に反映する。図６（Ａ）はバ
イアス状態ＨS＝０を示す。図６（Ｂ）中、大きな正の
ＨS は、十分な角度までθ2 ＞０で回転し、それにより
中央の素子におけるＭＲ素子３２の縦方向の磁化Ｍ2x∝
ｃｏｓ（θ2 ）は、低角度の磁区壁の対を形成しなが
ら、最も近い誘導された容易軸を伴ってより近くに配列
するために極性を切り換える。
φ）は、誘導された磁化回転Δθ＝θ−θb が決して横
方向の磁化Ｍy ∝ｓｉｎθの極性をバイアス状態のそれ
から変化させないように横方向の信号場Ｈs が十分に小
さい場合の応用に対して特に良く適合する。図６（Ｂ）
は、これが例えば、ＨS ＞＞ＨI ，Ｈa であるＰＭＲの
下を直接に通過する十分に高いモーメントの記録媒体に
おける遷移による場合でない場合の状態を示す。ＭＲ素
子の磁化状態の図示は、素子幅を通る中央と端の領域の
間の磁化方向の変化を正確に反映する。図６（Ａ）はバ
イアス状態ＨS＝０を示す。図６（Ｂ）中、大きな正の
ＨS は、十分な角度までθ2 ＞０で回転し、それにより
中央の素子におけるＭＲ素子３２の縦方向の磁化Ｍ2x∝
ｃｏｓ（θ2 ）は、低角度の磁区壁の対を形成しなが
ら、最も近い誘導された容易軸を伴ってより近くに配列
するために極性を切り換える。
【００１５】ＨS が最終的に減じるのに従い、そのバイ
アス状態（θ2 ＜０）に戻るＭＲ素子３２の回帰は、こ
れがこれらの磁区壁の併合と消滅、そして中央Ｍ2 の
（一時的に）最も近い誘導された容易軸であるものから
の追随する回転を必要とするために、幾分禁止される。
これはある程度のヒステリシスをもたらす可能性があ
る。フラックスガイドを持つ二つの磁区壁の安定化静的
磁気相互作用は適当な位置にこれらの磁区壁を固定する
傾向があるので、本ＰＭＲ発明を二つの高い透磁性のフ
ラックスガイド（図８に示される）と結合する場合に後
者は増加される。あまり重要でない、上部のフラックス
ガイド４０の除去はこの問題の軽減を助ける。
アス状態（θ2 ＜０）に戻るＭＲ素子３２の回帰は、こ
れがこれらの磁区壁の併合と消滅、そして中央Ｍ2 の
（一時的に）最も近い誘導された容易軸であるものから
の追随する回転を必要とするために、幾分禁止される。
これはある程度のヒステリシスをもたらす可能性があ
る。フラックスガイドを持つ二つの磁区壁の安定化静的
磁気相互作用は適当な位置にこれらの磁区壁を固定する
傾向があるので、本ＰＭＲ発明を二つの高い透磁性のフ
ラックスガイド（図８に示される）と結合する場合に後
者は増加される。あまり重要でない、上部のフラックス
ガイド４０の除去はこの問題の軽減を助ける。
【００１６】図６（Ｂ）のシナリオ中のそのバイアス状
態へ回帰するためのＭＲ素子３２の磁化の前記の禁止
（ＭＲ素子３０に対する）は、｜Ｈs12 ｜−｜Ｈs10 ｜
＞＞Ｈ I である状態において実質的に悪化される。この
ことは、図８のフラックスガイド３８及び（付加的な）
４０と組み合わされた場合、低Ｉb （従って低ＨI ）の
ＰＭＲ発明において系統的に発生しうる。最上部上に堆
積されたフラックスガイドは、ＭＲ素子３０に比べＭＲ
素子３２とより近く、そしてより強く磁気的に結合され
る必要がある。要するに、結果は｜Ｈs2｜＞｜Ｈs1｜で
ある。この状況に対し、図６中に示された問題は、｜φ
2 ｜＜φ1 ≒９０°を持つ、ここで開示したような非対
称な不整合容易軸のＰＭＲを使用して殆ど回避されう
る。φ1 ＝９０°の選択は、図６（Ｂ）中に示され、順
々に、ＭＲ素子３２上のＭＲ素子３０からの強い負の消
磁場を経て、Ｈs が減少するにつれそのバイアス状態
（θ2 ＜０）への回帰に向かうＭＲ素子３２の消磁の促
進を助ける、θ1 ≒９０°の飽和状態中に一時的にとど
まるために、ＭＲ素子３０の安定性を極大化する。φ1
＝９０°の選択はまた、前記の大きな負のＨs である逆
のケースでのＭＲ素子３０中の複磁区壁構成を禁止す
る。他の設計の制限の中でＨI ∝Ｉb ／Ｌを極大化する
ＰＭＲの幾何学的形状はまた、この目的のために一般に
有益である。
態へ回帰するためのＭＲ素子３２の磁化の前記の禁止
（ＭＲ素子３０に対する）は、｜Ｈs12 ｜−｜Ｈs10 ｜
＞＞Ｈ I である状態において実質的に悪化される。この
ことは、図８のフラックスガイド３８及び（付加的な）
４０と組み合わされた場合、低Ｉb （従って低ＨI ）の
ＰＭＲ発明において系統的に発生しうる。最上部上に堆
積されたフラックスガイドは、ＭＲ素子３０に比べＭＲ
素子３２とより近く、そしてより強く磁気的に結合され
る必要がある。要するに、結果は｜Ｈs2｜＞｜Ｈs1｜で
ある。この状況に対し、図６中に示された問題は、｜φ
2 ｜＜φ1 ≒９０°を持つ、ここで開示したような非対
称な不整合容易軸のＰＭＲを使用して殆ど回避されう
る。φ1 ＝９０°の選択は、図６（Ｂ）中に示され、順
々に、ＭＲ素子３２上のＭＲ素子３０からの強い負の消
磁場を経て、Ｈs が減少するにつれそのバイアス状態
（θ2 ＜０）への回帰に向かうＭＲ素子３２の消磁の促
進を助ける、θ1 ≒９０°の飽和状態中に一時的にとど
まるために、ＭＲ素子３０の安定性を極大化する。φ1
＝９０°の選択はまた、前記の大きな負のＨs である逆
のケースでのＭＲ素子３０中の複磁区壁構成を禁止す
る。他の設計の制限の中でＨI ∝Ｉb ／Ｌを極大化する
ＰＭＲの幾何学的形状はまた、この目的のために一般に
有益である。
【００１７】φ2 ≠−φ1 である非対称な場合に対し、
二つのＭＲ素子の間の強い磁気結合場Ｈm ≒Ｂs ｔ／Ｌ
＞＞Ｈk ，ＨD ，ＨI は、殆ど消滅するよう即ちθb2≒
−θ b1となるよう、全横方向のバイアス磁化（∝ｓｉｎ
θb1＋ｓｉｎθb2）を含むべきである。この場合、非対
称な場合（φ＝1/2 （φ1 ＋｜φ2 ｜）及びＨk →Ｈ k
ｃｏｓ（1/2 （φ1 ＋｜φ2 ｜））をとる場合、φ1 ＝
−φ2 ＝φがまだ成り立つ）に対する前記のバイアス式
を示しうる。例えば、図５の結果はまた、良い近似のた
め、図６と関連して検討された問題を解決するために適
用できる設計である、φ1 ＝９０°、及びφ2 ＝−５０
°のケースに当てはまる。
二つのＭＲ素子の間の強い磁気結合場Ｈm ≒Ｂs ｔ／Ｌ
＞＞Ｈk ，ＨD ，ＨI は、殆ど消滅するよう即ちθb2≒
−θ b1となるよう、全横方向のバイアス磁化（∝ｓｉｎ
θb1＋ｓｉｎθb2）を含むべきである。この場合、非対
称な場合（φ＝1/2 （φ1 ＋｜φ2 ｜）及びＨk →Ｈ k
ｃｏｓ（1/2 （φ1 ＋｜φ2 ｜））をとる場合、φ1 ＝
−φ2 ＝φがまだ成り立つ）に対する前記のバイアス式
を示しうる。例えば、図５の結果はまた、良い近似のた
め、図６と関連して検討された問題を解決するために適
用できる設計である、φ1 ＝９０°、及びφ2 ＝−５０
°のケースに当てはまる。
【００１８】図７（Ａ）及び（Ｂ）は、図３のＰＭＲ２
８のための二つの基本的な検出方式の簡略化された電気
回路ダイアグラムを示す。図７（Ａ）に示されるよう
に、ＭＲ素子３０，３２はＭＲ素子３０，３２に対しそ
れぞれ電流Ｉ／２を供給する電流源６０，６２を持つ整
合された電流源回路中にある。素子３０，３２の一端は
グランド６６に接続され、一方素子３０，３２の他端は
Ｖout 端子６４に接続される。ＭＲ素子３０，３２が完
全に整合される場合、この回路は（主として）熱的に誘
導されたノイズ及び偶数次の非線形歪み（ＭＲ素子の磁
気的飽和を考えない）の完全な打ち消しを提供する。
８のための二つの基本的な検出方式の簡略化された電気
回路ダイアグラムを示す。図７（Ａ）に示されるよう
に、ＭＲ素子３０，３２はＭＲ素子３０，３２に対しそ
れぞれ電流Ｉ／２を供給する電流源６０，６２を持つ整
合された電流源回路中にある。素子３０，３２の一端は
グランド６６に接続され、一方素子３０，３２の他端は
Ｖout 端子６４に接続される。ＭＲ素子３０，３２が完
全に整合される場合、この回路は（主として）熱的に誘
導されたノイズ及び偶数次の非線形歪み（ＭＲ素子の磁
気的飽和を考えない）の完全な打ち消しを提供する。
【００１９】図２（Ｂ）に示されるように、ＭＲ素子３
０，３２は整合された抵抗器７０，７２を含むブリッジ
回路中にある。ブリッジ回路はＤＣ電源（Ｖs ）７４と
グランド７８に接続される。ブリッジ回路の出力Ｖout
は端子７６にある。この回路は抵抗変化ΔＲ／Ｒに最初
の指示通りの打ち消しを提供する。しかし、小さなΔＲ
／Ｒ、及び実際の素子における不可避の不整合が与えら
れた場合、ブリッジ検出は全てではないが殆どの応用に
対して十分である。
０，３２は整合された抵抗器７０，７２を含むブリッジ
回路中にある。ブリッジ回路はＤＣ電源（Ｖs ）７４と
グランド７８に接続される。ブリッジ回路の出力Ｖout
は端子７６にある。この回路は抵抗変化ΔＲ／Ｒに最初
の指示通りの打ち消しを提供する。しかし、小さなΔＲ
／Ｒ、及び実際の素子における不可避の不整合が与えら
れた場合、ブリッジ検出は全てではないが殆どの応用に
対して十分である。
【００２０】本発明はその好ましい実施例に対する例示
をもって記載されたが、変形と改良は本発明の概念と範
囲の中で達成されうることが認識されるべきである。
をもって記載されたが、変形と改良は本発明の概念と範
囲の中で達成されうることが認識されるべきである。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、最適な自己バイアスが従来技
術の比較可能なＰＭＲヘッドで必要とされるのに比べ実
質的により低い検出電流及び／又は電圧で達成されうる
ＰＭＲヘッドを提供する。このことは、ヘッドの幾何学
的形状、及び二つの構成要素をなすＭＲ素子における誘
導された異方性軸の方位的な方向付けの両方に関する妥
当な選択により達成される。高い感応、増大された直線
性、及び熱的に誘導されるノイズの除去を含むＰＭＲヘ
ッドの利点は、本発明と共に完全に維持される。
術の比較可能なＰＭＲヘッドで必要とされるのに比べ実
質的により低い検出電流及び／又は電圧で達成されうる
ＰＭＲヘッドを提供する。このことは、ヘッドの幾何学
的形状、及び二つの構成要素をなすＭＲ素子における誘
導された異方性軸の方位的な方向付けの両方に関する妥
当な選択により達成される。高い感応、増大された直線
性、及び熱的に誘導されるノイズの除去を含むＰＭＲヘ
ッドの利点は、本発明と共に完全に維持される。
【図１】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ従来ＰＭＲヘッド
の部分的な側方、及び前方の斜視図である。
の部分的な側方、及び前方の斜視図である。
【図２】従来ＰＭＲヘッドの自己バイアスの磁気をグラ
フで示す図である。
フで示す図である。
【図３】ＭＲ素子、及びバイアス状態を記述する関連の
変数を示す、本発明によるＰＭＲ素子の簡略化して示す
図である。
変数を示す、本発明によるＰＭＲ素子の簡略化して示す
図である。
【図４】本発明によるＰＭＲヘッドの好ましい実施例の
自己バイアスの磁気のグラフ図である。
自己バイアスの磁気のグラフ図である。
【図５】従来ＰＭＲと本発明によるＰＭＲの好ましい実
施例の両方に対する、ＭＲ素子幅に対する最適バイアス
電流のグラフである。
施例の両方に対する、ＭＲ素子幅に対する最適バイアス
電流のグラフである。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は、ゼロ信号場が存在する場
合、及び大きな正の信号場が存在する場合それぞれのＰ
ＭＲヘッドの磁気状態を簡略化して示す図である。
合、及び大きな正の信号場が存在する場合それぞれのＰ
ＭＲヘッドの磁気状態を簡略化して示す図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明のＰＭＲ用の検出
手段の概略図である。
手段の概略図である。
【図８】本発明の別の実施例の断面立面図である。
１５ 磁気媒体 ２８ ＰＭＲヘッド ３０，３２ ＭＲ素子 ３４ スペーサ ３８，４０ フラックスガイド ６０，６２ 電流源 ６４，７６ 端子 ６６，７８ グランド ７０、７２ 抵抗器 ７４ ＤＣ電源 １００，１０２ 容易軸
Claims (2)
- 【請求項１】 第一及び第二の磁気抵抗素子を含み、該
素子の間に配置された第一の電気的に絶縁するスペーサ
を持つ対磁気抵抗ヘッドと；電気的な接触を形成し、両
方のＭＲ素子を通って実質的に等しい大きさの平行バイ
アス電流を供給する手段と；第一及び第二のＭＲ素子に
かかる電圧における差異を検出する手段と；からなり、 上記第一及び第二の磁気抵抗素子は、第一のＭＲ素子の
一軸異方性（形状の異方性を除く）の容易軸はＭＲ素子
の幾何学的に決められた縦軸に関して第一の実質的にゼ
ロでない角で方位を定められ、第二のＭＲ素子の一軸異
方性（形状の異方性を除く）の容易軸に対して実質的に
非平行であり、該第二のＭＲ素子の一軸異方性の該容易
軸はＭＲ素子の幾何学的に決められた縦軸に関して第二
の実質的にゼロでない角で方位を定められることを除い
ては、実質上同一の厚さ、幾何学的形状、磁気及び電気
的性質を有する、磁気抵抗ヘッド組立品。 - 【請求項２】 高い透磁性の物質からなり、磁気媒体に
近接して設置された第一の端と該第一の端及び該磁気媒
体から間隔をおいて設けられた第二の端とを有する磁気
フラックスガイドと；該フラックスガイドの該第二の端
と該対磁気抵抗ヘッドとの間に設けられた第二の電気的
絶縁スペーサと；をさらに含み、 該対磁気抵抗ヘッドは該磁気媒体から間隔を置いて設け
られ、該磁気フラックスガイドは磁気フラックスを該媒
体から該対磁気抵抗ヘッドまで及びを通って伝導する、
請求項１記載の磁気抵抗ヘッド組立品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/760,087 US5706151A (en) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | Low bias current paired magnetoresistive head with misaligned anisotropy axes |
| US760087 | 1996-12-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188231A true JPH10188231A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=25058059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9341631A Pending JPH10188231A (ja) | 1996-12-12 | 1997-12-11 | 不整合の異方性軸を持つ低バイアス電流の対磁気抵抗ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5706151A (ja) |
| EP (1) | EP0848375A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10188231A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956215A (en) * | 1997-08-12 | 1999-09-21 | Storage Technology Corporation | High density thin film coupled element read head with support element to prevent damage to magnetoresistive element |
| WO1999059145A1 (en) * | 1998-05-13 | 1999-11-18 | Storage Technology Corporation | Method for reading both high and low density signals with an mr head |
| US6278594B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-08-21 | Storage Technology Corporation | Dual element magnetoresistive read head with integral element stabilization |
| US6128149A (en) * | 1998-10-23 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Method and system for detecting common mode disturbances from a dual stripe magnetoresistive head |
| US6310751B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-10-30 | Headway Technologies, Inc. | Anti-parallel longitudinal patterned exchange biased dual stripe magnetoresistive (DSMR) sensor element and method for fabrication thereof |
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