JPH10188669A - 導電材料およびそれを用いたセラミック電子部品 - Google Patents
導電材料およびそれを用いたセラミック電子部品Info
- Publication number
- JPH10188669A JPH10188669A JP8341008A JP34100896A JPH10188669A JP H10188669 A JPH10188669 A JP H10188669A JP 8341008 A JP8341008 A JP 8341008A JP 34100896 A JP34100896 A JP 34100896A JP H10188669 A JPH10188669 A JP H10188669A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- electronic component
- conductive material
- ceramic
- nio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はセラミック電子部品の外部電極とし
て有用な導電材料を提供することを目的とする。 【解決手段】 主成分である平均粒径２〜３μｍのＡｇ
粉末に平均粒径３μｍ以下のＮｉＯ粉末を有機溶剤で混
合してＮｉＯ粉末をＡｇ粉末で被覆した構成とする。
て有用な導電材料を提供することを目的とする。 【解決手段】 主成分である平均粒径２〜３μｍのＡｇ
粉末に平均粒径３μｍ以下のＮｉＯ粉末を有機溶剤で混
合してＮｉＯ粉末をＡｇ粉末で被覆した構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は積層セラミックコン
デンサや積層セラミックバリスタなどに用いられる外部
電極用としての導電材料およびそれを用いたセラミック
電子部品に関するものである。
デンサや積層セラミックバリスタなどに用いられる外部
電極用としての導電材料およびそれを用いたセラミック
電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に積層セラミックコンデンサや積層
セラミックバリスタは、ＮｉＯ内部電極を印刷した複数
枚のセラミックグリーンシートを積層し、端部に外部電
極となるＮｉＯの導電材料を塗布し還元焼成し、Ａｇを
焼付けることにより製造されている。
セラミックバリスタは、ＮｉＯ内部電極を印刷した複数
枚のセラミックグリーンシートを積層し、端部に外部電
極となるＮｉＯの導電材料を塗布し還元焼成し、Ａｇを
焼付けることにより製造されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ＮｉとＡｇとの二
重電極とした場合の加熱温度は、Ｎｉ電極のみの場合よ
り高温にできるためＮｉ電極の粒子成長が十分に行われ
て硬度が高められるとともに、セラミック素体との接着
性が高められ、かつＡｇはその一部がＮｉに固溶してそ
の熱膨張率を減少させ、セラミック素体の熱膨張率に近
づけるという作用をなし、経時変化に対して重要な役割
を果している。また、ＡｇはＮｉ外部電極の面方向の抵
抗を減少させるという役割をも果している。
重電極とした場合の加熱温度は、Ｎｉ電極のみの場合よ
り高温にできるためＮｉ電極の粒子成長が十分に行われ
て硬度が高められるとともに、セラミック素体との接着
性が高められ、かつＡｇはその一部がＮｉに固溶してそ
の熱膨張率を減少させ、セラミック素体の熱膨張率に近
づけるという作用をなし、経時変化に対して重要な役割
を果している。また、ＡｇはＮｉ外部電極の面方向の抵
抗を減少させるという役割をも果している。
【０００４】しかし、Ｎｉ外部電極を空気中で放置する
と、ＮｉがＮｉＯに変化してＮｉとＡｇの境界部分にＮ
ｉの酸化膜が形成され、高温加熱によりＮｉの酸化膜は
強化され導電性および強度に著しい劣化がみられ、工法
上でも問題を有するものであった。
と、ＮｉがＮｉＯに変化してＮｉとＡｇの境界部分にＮ
ｉの酸化膜が形成され、高温加熱によりＮｉの酸化膜は
強化され導電性および強度に著しい劣化がみられ、工法
上でも問題を有するものであった。
【０００５】本発明は以上のような従来の欠点を除去す
るものであり、ＮｉとＡｇとの間の酸化膜を減少させ、
外部電極の形成時の工数削減が可能な導電材料およびそ
れを用いたセラミック電子部品を提供することを目的と
するものである。
るものであり、ＮｉとＡｇとの間の酸化膜を減少させ、
外部電極の形成時の工数削減が可能な導電材料およびそ
れを用いたセラミック電子部品を提供することを目的と
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の導電材料は、主成分である平均粒径２〜３μ
ｍのＡｇ粉末に平均粒径３μｍ以下のＮｉＯ粉末を有機
溶剤を介して混合することによりＮｉＯ粉末をＡｇ粉末
で被覆した構成である。この構成により外部電極として
使用した際にＮｉとＡｇの間の酸化膜を減少させ、外部
電極形成の工数低減が図れることになる。
に本発明の導電材料は、主成分である平均粒径２〜３μ
ｍのＡｇ粉末に平均粒径３μｍ以下のＮｉＯ粉末を有機
溶剤を介して混合することによりＮｉＯ粉末をＡｇ粉末
で被覆した構成である。この構成により外部電極として
使用した際にＮｉとＡｇの間の酸化膜を減少させ、外部
電極形成の工数低減が図れることになる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、主成分である平均粒径２〜３μｍのＡｇ粉末に平均
粒径３μｍ以下のＮｉＯ粉末を有機溶剤を介して混合す
ることによりＮｉＯ粉末をＡｇ粉末で被覆した構成であ
り、外部電極に使用したときにＮｉとＡｇとの間に発生
する酸化膜を少なくして導電性、強度の劣化を防ぎ、外
部電極の形成工程の工数削減を図ることができる。
は、主成分である平均粒径２〜３μｍのＡｇ粉末に平均
粒径３μｍ以下のＮｉＯ粉末を有機溶剤を介して混合す
ることによりＮｉＯ粉末をＡｇ粉末で被覆した構成であ
り、外部電極に使用したときにＮｉとＡｇとの間に発生
する酸化膜を少なくして導電性、強度の劣化を防ぎ、外
部電極の形成工程の工数削減を図ることができる。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の導電材料に珪化物粉末を含有させたものであり、セラ
ミック電子部品の外部電極として利用したときセラミッ
クの焼結における熱膨張率に近づけクラックの発生を防
止できる。
の導電材料に珪化物粉末を含有させたものであり、セラ
ミック電子部品の外部電極として利用したときセラミッ
クの焼結における熱膨張率に近づけクラックの発生を防
止できる。
【０００９】請求項３に記載の発明は、ＮｉＯ内部電極
を形成したセラミックグリーンシートを積層した電子部
品素子の端部に請求項２に記載の導電材料を塗布し還元
焼成してＮｉ−Ａｇ外部電極を形成した構成であり、信
頼性に優れたセラミック電子部品とすることができる。
を形成したセラミックグリーンシートを積層した電子部
品素子の端部に請求項２に記載の導電材料を塗布し還元
焼成してＮｉ−Ａｇ外部電極を形成した構成であり、信
頼性に優れたセラミック電子部品とすることができる。
【００１０】以下、本発明の実施の形態を具体的に説明
する。すなわち、本発明はＮｉＯ粉末の実効表面積をＡ
ｇ粉末の実効表面積より大きくしてボールミルで混合を
行うとＮｉＯ粉末の周囲にＡｇ粉末で完全に被覆され
る。
する。すなわち、本発明はＮｉＯ粉末の実効表面積をＡ
ｇ粉末の実効表面積より大きくしてボールミルで混合を
行うとＮｉＯ粉末の周囲にＡｇ粉末で完全に被覆され
る。
【００１１】ボールミルの混合に際しては、不純物が混
合されないように十分に注意し、ジルコニアボールを使
用する。この時、所望の効果を得るためには、Ａｇ粉末
およびＮｉＯ粉末の粉末粒径を適当に選択する必要があ
るが、ＮｉＯ粉末としての粒径を３μｍ、Ａｇ粉末とし
ての粒径を３μｍのものを用いた。これらの混合比は、
ＮｉＯ：Ａｇ＝４：６とした。
合されないように十分に注意し、ジルコニアボールを使
用する。この時、所望の効果を得るためには、Ａｇ粉末
およびＮｉＯ粉末の粉末粒径を適当に選択する必要があ
るが、ＮｉＯ粉末としての粒径を３μｍ、Ａｇ粉末とし
ての粒径を３μｍのものを用いた。これらの混合比は、
ＮｉＯ：Ａｇ＝４：６とした。
【００１２】これにメチルエチルケトンとセラミック材
料および珪化物粉末として平均粒径０．５μｍ、純度９
９．９％の（表１）に示すものを入れ２４時間ボールミ
ルで混合して外部電極用の導電材料を作成した。
料および珪化物粉末として平均粒径０．５μｍ、純度９
９．９％の（表１）に示すものを入れ２４時間ボールミ
ルで混合して外部電極用の導電材料を作成した。
【００１３】
【表１】
【００１４】次に、ＳｒＴｉＯ3を主原料とする高誘電
率セラミックペーストを作成し、それに有機バインダー
を混入させ厚さ１０μｍのセラミックグリーンシートを
作り、これにＮｉＯ粉末を含む内部電極を印刷し乾燥し
た。
率セラミックペーストを作成し、それに有機バインダー
を混入させ厚さ１０μｍのセラミックグリーンシートを
作り、これにＮｉＯ粉末を含む内部電極を印刷し乾燥し
た。
【００１５】次に、上記セラミックグリーンシートの印
刷面を上にして同様のセラミックグリーンシートを内部
電極が交互にずれるように合計３０層積層し、さらにこ
の積層物の上下両面に各々厚さ１０μｍのセラミックグ
リーンシートを２０枚ずつ積層して圧着した後、これを
個々のチップ毎に裁断し、交互に対向して２組の内部電
極にそれぞれ接続できるように積層セラミック電子部品
の電子部品素子の両端面に上記外部電極用の導電材料を
約５０μｍの厚みで均一に塗布し乾燥した。
刷面を上にして同様のセラミックグリーンシートを内部
電極が交互にずれるように合計３０層積層し、さらにこ
の積層物の上下両面に各々厚さ１０μｍのセラミックグ
リーンシートを２０枚ずつ積層して圧着した後、これを
個々のチップ毎に裁断し、交互に対向して２組の内部電
極にそれぞれ接続できるように積層セラミック電子部品
の電子部品素子の両端面に上記外部電極用の導電材料を
約５０μｍの厚みで均一に塗布し乾燥した。
【００１６】続いて、この電子部品素子を２％Ｈガスを
含むＮ2ガス雰囲気中で１２５０℃で４時間還元焼成し
た。
含むＮ2ガス雰囲気中で１２５０℃で４時間還元焼成し
た。
【００１７】このときの外部電極内のＮｉとＡｇの挙動
は次の通りである。ＮｉはＡｇを外部に押し出し、Ｎｉ
は内部電極であるＮｉと良好に接合し、セラミック端部
にＮｉがＮｉ内部電極部分を中心に接合しそれを覆うよ
うにＡｇがセラミック側面に存在する。また、珪化物は
外部電極とセラミックとの良好な接合に寄与する。
は次の通りである。ＮｉはＡｇを外部に押し出し、Ｎｉ
は内部電極であるＮｉと良好に接合し、セラミック端部
にＮｉがＮｉ内部電極部分を中心に接合しそれを覆うよ
うにＡｇがセラミック側面に存在する。また、珪化物は
外部電極とセラミックとの良好な接合に寄与する。
【００１８】その後、この還元状態の電子部品素子を空
気中で９００℃で焼成する。このとき、外部電極内のＮ
ｉとＡｇとの間に多量のＮｉＯが存在しなくなる。
気中で９００℃で焼成する。このとき、外部電極内のＮ
ｉとＡｇとの間に多量のＮｉＯが存在しなくなる。
【００１９】このようにして製造された積層セラミック
電子部品の構成を図１に示す。図１において、１はセラ
ミック素体、２はＮｉからなる内部電極、３はＡｇから
なる外部電極、４はＮｉからなる外部電極を示してい
る。
電子部品の構成を図１に示す。図１において、１はセラ
ミック素体、２はＮｉからなる内部電極、３はＡｇから
なる外部電極、４はＮｉからなる外部電極を示してい
る。
【００２０】この積層セラミック電子部品のｔａｎδ、
ＥＳＲの低下が見られた従来の値と本発明の値と比較し
て（表２）に示す。
ＥＳＲの低下が見られた従来の値と本発明の値と比較し
て（表２）に示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】次に上記積層セラミック電子部品における
外部電極３，４とセラミック素体１との強度について説
明する。この強度の測定は図２に示すようにセラミック
素体１の両端の外部電極３，４にＮｉ、半田（Ｓｎ：Ｐ
ｂ＝９：１）メッキをバレルメッキで各々３μｍの厚み
となるように施し、その両端面にスチールからなる金属
線５を半田付けして接続し、金属線５に荷重をかけるこ
とによって電極を引はがし、その時の力と電極欠損面積
を実測することによって引張強度（kg／cm2）を求め
た。その結果を（表３）に示す。
外部電極３，４とセラミック素体１との強度について説
明する。この強度の測定は図２に示すようにセラミック
素体１の両端の外部電極３，４にＮｉ、半田（Ｓｎ：Ｐ
ｂ＝９：１）メッキをバレルメッキで各々３μｍの厚み
となるように施し、その両端面にスチールからなる金属
線５を半田付けして接続し、金属線５に荷重をかけるこ
とによって電極を引はがし、その時の力と電極欠損面積
を実測することによって引張強度（kg／cm2）を求め
た。その結果を（表３）に示す。
【００２３】
【表３】
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明の導電材料は、セラ
ミック電子部品の外部電極に用いることにより、セラミ
ック素体にクラックを発生させることがなく、ヒートシ
ョックにも十分耐えるものとなる。これは、ＮｉとＡｇ
との間に還元焼成しても酸化膜が多く形成されないため
であり、ＮｉＯ粉末をＡｇ粉末で被覆したことに起因す
るものと考えられる。また、このような導電材料を用い
ることによってセラミック電子部品の外部電極を形成す
る工程が一度の塗布焼成で終了することになり工数の削
減に寄与するものとなる。さらにセラミック電子部品と
したとき特性的にも著しく優れたものとすることができ
る。
ミック電子部品の外部電極に用いることにより、セラミ
ック素体にクラックを発生させることがなく、ヒートシ
ョックにも十分耐えるものとなる。これは、ＮｉとＡｇ
との間に還元焼成しても酸化膜が多く形成されないため
であり、ＮｉＯ粉末をＡｇ粉末で被覆したことに起因す
るものと考えられる。また、このような導電材料を用い
ることによってセラミック電子部品の外部電極を形成す
る工程が一度の塗布焼成で終了することになり工数の削
減に寄与するものとなる。さらにセラミック電子部品と
したとき特性的にも著しく優れたものとすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における導電材料を外部電
極に用いた場合のセラミック電子部品の一部切欠斜視図
極に用いた場合のセラミック電子部品の一部切欠斜視図
【図２】同セラミック電子部品の引張強度を測定する説
明図
明図
１ セラミック素体 ２ 内部電極 ３，４ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１ Ｈ０１Ｇ 1/14 Ｆ (72)発明者 若畑 康男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上野 巌 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小林 喜美男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 主成分である平均粒径２〜３μｍのＡｇ
粉末に平均粒径３μｍ以下のＮｉＯ粉末を有機溶剤を介
して混合することによりＮｉＯ粉末をＡｇ粉末で被覆し
た導電材料。 - 【請求項２】 珪化物粉末を含有させた請求項１に記載
の導電材料。 - 【請求項３】 ＮｉＯ内部電極を形成したセラミックグ
リーンシートを積層した電子部品素子の端部に請求項２
に記載の導電材料を塗布し還元焼成してＮｉ−Ａｇ外部
電極を形成したセラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8341008A JPH10188669A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 導電材料およびそれを用いたセラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8341008A JPH10188669A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 導電材料およびそれを用いたセラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188669A true JPH10188669A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18342364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8341008A Pending JPH10188669A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 導電材料およびそれを用いたセラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10188669A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170345564A1 (en) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP8341008A patent/JPH10188669A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170345564A1 (en) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| US10312020B2 (en) * | 2016-05-24 | 2019-06-04 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4082906A (en) | Low temperature fired ceramic capacitors | |
| CN100527289C (zh) | 叠层陶瓷电子器件及制作该电子器件的方法 | |
| JP4744609B2 (ja) | セラミック部品要素、セラミック部品及びその製造方法 | |
| JP2002270458A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| US20040033629A1 (en) | Method of producing laminated PTC thermistor | |
| WO2003073443A1 (fr) | Procede de fabrication d'un composant electronique multicouche en ceramique | |
| JP3359522B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3514117B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品の製造方法及び内部電極形成用導電ペースト | |
| JP3064659B2 (ja) | 積層型セラミック素子の製造方法 | |
| JPH04320017A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法およびそれに用いる外部電極用ペースト | |
| JPH10144561A (ja) | 端子電極ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JPH11214240A (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2002217055A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH07263272A (ja) | 積層電子部品の製造方法 | |
| JP4144080B2 (ja) | 積層型半導体セラミック素子 | |
| JPH0512997Y2 (ja) | ||
| JPH0348415A (ja) | ペースト組成物および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH07201637A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2773314B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS63219115A (ja) | 積層型半導体磁器電子部品の製造方法 | |
| JP3078375B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS63102218A (ja) | 積層形多端子電子部品 | |
| JP3804135B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2886724B2 (ja) | 積層型電圧非直線抵抗器の製造方法 | |
| JPH07297073A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |