JPH10190155A - オプトエレクトロニクスデバイス - Google Patents

オプトエレクトロニクスデバイス

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JPH10190155A
JPH10190155A JP9362362A JP36236297A JPH10190155A JP H10190155 A JPH10190155 A JP H10190155A JP 9362362 A JP9362362 A JP 9362362A JP 36236297 A JP36236297 A JP 36236297A JP H10190155 A JPH10190155 A JP H10190155A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】異なる機能の複数のＭＱＷ構造を備え、このＭ
ＱＷ構造を形成する多重層４、１４が唯一回のエピタキ
シープロセスで各層面において均質な層から成長されて
いる複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントのモ
ノリシック集積化を提供する。 【解決手段】レーザダイオードと変調器との複合デバイ
スの構成において、レーザのＭＱＷ多重層４が特に変調
器のＭＱＷ多重層１４の中に配置される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、少なくとも２つ
のコンポーネントを備え、そのそれぞれが多重量子ウェ
ル（ＭＱＷ）構造を備えた多重層を有するオプトエレク
トロニクスデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、レーザと変調器との複合デバイ
スにおけるように、２個或いは複数個のオプトエレクト
ロニクス・コンポーネントがモノリシックに集積されて
いるデバイスにおいては、しばしば異なる特性を持つ異
なる多重量子ウェル（ＭＱＷ）構造が必要である。この
ようなＭＱＷ構造は、以下に多重ポテンシャルウエル構
造とも呼ばれるが、この構造はそれぞれポテンシャルウ
エルとして機能する１つの層が２つの障壁層の間に配置
されている多重層の繰り返しによって規定されている。
通常、ポテンシャルウエル層と障壁層とは互いにそれぞ
れ同じように形成されている。即ち、両層はそれぞれ同
一の材料組成と厚さとを持っている。異なる機能の複数
個のオプトエレクトロニクス・コンポーネントを同一の
チップ上に集積する場合、相互に著しく異なる複数個の
ＭＱＷ構造をモノリシックに集積することがしはしば必
要である。
【０００３】例えば、変調器をレーザダイオードと共に
共通に集積することについては、モリト（K.Morito）他
による刊行物「１０Ｇｂ／ｓ伝送用低波長チャープ、低
ドライブ電圧ＭＱＷ変調器集積ＤＦＢレーザ」（A Low-
Wavelength-Chirp, Low-Drive-Voltage MQR Modulator
Integrated DFB Laser for 10 Gb/s Transmossion)」オ
プトエレクトロニクス１０、第８９乃至９６頁（１９９
５年）に記載されている。ここに挙げられているいわゆ
る突き合わせ接続構造は、レーザ及び変調器のＭＱＷ多
重層を別々に多重エピタキシープロセスで成長させるこ
とにより作られる。この刊行物では、例えば、ヤマザキ
（H.YAMAZAKI）他による刊行物「バンドギャップエネル
ギー制御選択性ＭＯＶＰＥによる低ドライブ電圧（１．
５ＶP.P.）及び高電力ＤＦＢ−ＬＤ／変調器集積光源(L
ow Drive Voltage (1.5 V P.P.)and High Power DFB LD
/ModulatorIntegrated Light Sources by Bandgap Ener
gyControlled Selective MOVPE)」光通信についての第
２１回ヨーロッパ会議（ＥＣＯＣ’９５、ブラッセル）
の議事録第８９７乃至９００頁（１９９５年）に記載さ
れているレーザと変調器との複合デバイスを製造する際
に使用されるように、選択エピタキシーにより作られた
層構造との比較も行われている。これらの多重エピタキ
シープロセス或いは選択エピタキシープロセスは時間が
かかり、かつ失敗の原因ともなり得る。ラマダン（A.Ra
madan)他の刊行物「３６Ｇｈｚバンドギャップ及びネガ
ティブチャープを備えた集積ＭＱＷレーザ変調器(Integ
ratedMQR Laser/Modulator with 36 Ghz Bandwidth and
Negative Chirp) 」光通信についての第２１回ヨーロ
ッパ会議の議事録第８９３乃至８９６頁（１９９５年）
においてはただ１回の共通のＭＱＷ構造を持ったレーザ
変調器複合デバイスが提案されている。このデバイスの
製造は従って１つのエピタキシープロセスで行われる。
このＭＱＷ構造はしかし両方の集積コンポーネントに対
して同時に最適化されるものではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、異
なるＭＱＷ構造を備えた複数個のオプトエレクトロニク
スコンポーネントのモノリシック集積化をできるだけ簡
単に行うことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、請求項１の
特徴を備えたデバイスでもって解決される。この発明の
その他の構成例は従属の請求項に記載されている。
【０００６】この発明によるデバイスにおいては互いに
異なるＭＱＷ構造が、１回のエピタキシープロセスで作
られかつ同時に２つの或いは複数個の集積コンポーネン
トに対して最適化を可能とするように集積されている。
ＭＱＷ構造は多重層として１回の共通な従って唯一回の
エピタキシープロセスで作られる多重層に配置されてい
る。それぞれコンポーネントの１つに最適化されている
ＭＱＷ多重層は、好ましくは層の面に対して垂直に互い
にずれて配置されている。しかしこの多重層の１つは、
他のコンポーネントのために設けられるＭＱＷ多重層の
集積構成要素となり得る。レーザダイオードと変調器と
の複合デバイスの場合、レーザダイオードの活性層のた
めに設けられるＭＱＷ構造が変調器の範囲にも設けられ
ると有利である。特に変調器のために設けられる多重層
は、好ましくは、一部はこのレーザダイオードのＭＱＷ
構造の上に、一部はその下に配置されている。特に変調
器のＭＱＷ構造のために設けられる層は、例えば変調器
の範囲にのみ成長させられるか或いはレーザダイオード
の範囲では後からエッチングにより除去することができ
る。集積コンポーネントの別々の機能に対して設けられ
るＭＱＷ多重層は、その中に含まれる層が別の材料組成
を持ち及び／又は層の厚さ及び数が異なることによって
互いに区別することができる。
【０００７】
【実施例】次に、この発明によるデバイスを図１乃至図
５を参照して詳細に説明する。図はそれぞれこの発明に
よるレーザ変調器複合デバイスの１つの構成例を縦断面
で示す。
【０００８】図１には同一の基板１に配置された変調器
２とレーザダイオード３との複合デバイスが示されてい
る。多重量子ウェル（ＭＱＷ）構造４は変調器２及びレ
ーザダイオード３の範囲に配置されている。レーザダイ
オード３の活性層のために設けられているこのＭＱＷ構
造４はＭＱＷ構造として成長させられた層全体の厚さｌ
より小さい厚さｍを持っている。変調器２のために設け
られた多重層１４は変調器２に対して最適化されたＭＱ
Ｗ構造を形成している。レーザダイオード３の範囲では
この多重層にはレーザダイオードのために設けられたＭ
ＱＷ構造４の上に格子５がエッチングにより形成されて
いる。この格子５はここではＤＦＢ（分布帰還）格子と
してレーザの全長にわたって設けられている。しかし格
子５はレーザダイオードの全長にわたって設ける必要は
なく、レーザの一部分或いは複数部分に限定することも
できる。同様にＤＢＲ格子がここにはない鏡端面に対す
る代わりとして設けることができる。そのために設けら
れた金属からなる接点８、９を備え高ドープ半導体材料
からなる接触層６、７は、変調器２及びレーザダイオー
ドの範囲に別々に電流を注入するためのものである。共
通の対向接点は例えば紙面の前後の上面側に、或いは導
電的にドープされた基板１の下面側に設けられる。ＭＱ
Ｗ構造４の厚さｍは、ＭＱＷ構造のために成長させられ
た全体の多重層の厚さｌより小さい。変調器２に対して
最適化された多重層１４はここではレーザダイオード３
のために最適化された構造４よりも厚く示されている。
層の厚さは、しかし、両コンポーネントにおいて同じに
することもでき、そして両ＭＱＷ構造の間の差異は異な
る材料組成によって与えることができる。
【０００９】図２及び図３は、基本的には図１のレーザ
変調器複合デバイスと同一の構造を示す。しかし図１の
実施例とは異なり、レーザダイオード３のために設けら
れた多重層４は図２の実施例においては変調器２のため
に設けられた多重層１４の中央に配置され、図３の実施
例においては多重層１４の上側の範囲に、即ちＤＦＢ格
子５と重なって配置されている。図２及び図３に対応す
る実施例においても格子５はレーザの全長にわたって設
ける必要はない。
【００１０】図４の実施例においては全体の多重層が変
調器及びレーザダイオードの範囲に均一に配置されてい
る。図４の実施例のようにレーザのために設けられたＭ
ＱＷ構造４の構成において、例えば変調器２のための多
重層１４の上側部分がレーザダイオードの範囲におい
て、図５に示すように、除去することができる。その場
合、変調器２のために設けられている多重層１４の端部
にレーザダイオード３に向かって急峻な境界面１１が生
ずる。
【００１１】図示の全ての実施例においてＭＱＷ層の列
の上面に、特に格子５をも充満しているカバー層或いは
被覆層１０が設けられている。ＭＱＷ構造４の上及び下
に、特に光学的及び電気的閉じ込めのために必要とされ
る被覆層を別に設けることができる。図５の実施例の代
りとして、例えば変調器２の範囲において基板１或いは
その上に設けられる下側の被覆層の部分を除去すること
もできる。ＭＱＷ構造４のエピタキシーは、その場合、
先ずエッチングで取り除かれた範囲内においてのみ行わ
れる。半導体表面の残りの部分は好適にはマスクで被覆
される。多数の層が成長して平らな表面が生じた後、そ
れに続く層が両コンポーネントの範囲において等しく成
長させられる。このようにして図５におけるような境界
面１１は、レーザダイオード３のために設けられた構造
４の上でなく、下に生ずる。
【００１２】この発明によるデバイスにおいては特にＭ
ＱＷ構造のために設けられている多重層が中断されるこ
となく１回のエピタキシープロセスで成長させられ、従
ってＭＱＷ構造に属しない層が多重層中に挿入されるこ
とがない。ＭＱＷ構造のために設けられた多重層におい
ては、従って、直接その上に、一方のコンポーネントの
ＭＱＷ構造のために或いは他方のコンポーネントのＭＱ
Ｗ構造のために設けられているか、両方のＭＱＷ構造の
部分を形成する層だけが続く。全体の多重層は上側の被
覆層１０を設ける前に横方向に帯板状にエッチングする
ことができる。上側の被覆層１０は、従って、紙面の前
面もしくは背面に考えられるこの帯板の側縁部をも被覆
する。
【００１３】全ての層が両コンポーネントに共通な図４
の実施例においても、それぞれのＭＱＷ構造４はそれぞ
れのコンポーネントの要求に合わせて最適化することが
可能である。好ましくは、一方のデバイスのＭＱＷ構造
を形成する一方の多重層が他方のデバイスのＭＱＷ構造
のために設けられた多重層１４の内部に配置されてい
る。しかし両ＭＱＷ構造は、互いに別々に層面に対して
垂直方向に互いにずらして配置することもできる。この
場合も、コンポーネントのＭＱＷ構造を形成する両多重
層を直接互いに接して成長させることができる。レーザ
ダイオードのＭＱＷ構造４が変調器のための包括的な多
重層１４の中に挿入されている図示の実施例は、変調器
のＭＱＷ構造のために設けられた層がレーザダイオード
の範囲において導波に利用できるという利点がある。こ
の発明によるデバイスは、個々のコンポーネントに対し
て使用可能ないかなる材料系でも、例えばＩｎＧａＡｓ
Ｐ或いはＩｎＧａＡｌＡｓで製造される。デバイスの水
平方向の、即ち層面における構造は従来の個々のコンポ
ーネントに応じて作られる。例を参照して記載された集
積レーザダイオードとこれに付属する変調器とを備えた
デバイスに代わって、別々のＭＱＷ構造と実際上任意の
機能とを備えた２個或いは複数個のコンポーネントを互
いに集積化することもできる。例えば、１つのレーザダ
イオードを２つの異なる変調器と、或いは２つの互いに
異なるレーザダイオード或いはホトダイオードを互いに
複合することも可能である。このデバイスの特別な利点
は単一のエピタキシープロセスで容易に製造可能である
ことにある。従って、各層面には均質な組成の唯一の層
しか存在しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】同一の基板に変調器とレーザダイオードとを形
成したこの発明による複合デバイスの断面図。
【図２】この発明による異なる複合デバイスの断面図。
【図３】この発明によるさらに異なる複合デバイスの断
面図。
【図４】この発明によるさらに異なる他の複合デバイス
の断面図。
【図５】この発明によるさらに異なるまた別の複合デバ
イスの断面図。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 変調器 ３ レーザダイオード ４ ＭＱＷ構造 ５ 格子 ６ 接触層 ７ 接触層 ８ 金属接点 ９ 金属接点 １０ 被覆層 １１ 境界面 １４ ＭＱＷ構造

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも２つのコンポーネント（２、
    ３）を備え、そのそれぞれが多重量子ウェル（ＭＱＷ）
    構造を持った多重層（４、１４）を有し、 この多重層（４、１４）がその材料組成或いはその中に
    存在する層の厚さ及び数に基づいて互いに異なる多重量
    子ウェル構造を形成し、 これらの多重層が互いに重ねて配置された均質な層の積
    重ね部分であり、 １つの層の各面にこれらの層の唯一の層だけが存在して
    いる、ことを特徴とする半導体材料の多重量子ウェル構
    造を備えたオプトエレクトロニクスデバイス。
  2. 【請求項２】多重量子ウェル構造を備えた多重層の１つ
    に或いはこれらの多重層に属する各２つの層の間に、こ
    れらの多重層の少なくとも１つに属する層のみが存在す
    ることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
  3. 【請求項３】多重量子ウェル構造を備えた多重層の１つ
    が他の多重層の層の間に配置されていることを特徴とす
    る請求項１又は２記載のデバイス。
  4. 【請求項４】コンポーネントがレーザダイオード（３）
    と変調器（２）とであることを特徴とする請求項１乃至
    ３の１つに記載のデバイス。
  5. 【請求項５】レーザダイオードのために設けられている
    多重量子ウェル構造を備えた多重層（４）が変調器のた
    めに設けられている多重層（１４）の中に配置されてい
    ることを特徴とする請求項４記載のデバイス。
  6. 【請求項６】変調器のために設けられている多重量子ウ
    ェル構造を備えた多重層（１４）が変調器の範囲にのみ
    存在している層を含むことを特徴とする請求項４又は５
    記載のデバイス。
  7. 【請求項７】多重量子ウェル構造を備えた多重層（４、
    １４）がレーザダイオードの範囲並びに変調器の範囲に
    存在している層のみを含むことを特徴とする請求項４又
    は５記載のデバイス。
  8. 【請求項８】多重量子ウェル構造を備えた少なくとも１
    つの多重層のレーザダイオードの範囲にＤＦＢ格子或い
    はＤＢＲ格子が形成されていることを特徴とする請求項
    ４乃至７の１つに記載のデバイス。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308451A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Fujitsu Ltd 半導体発光素子
US9740136B2 (en) 2011-12-08 2017-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Optical scanning apparatus and image forming apparatus

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19624514C1 (de) * 1996-06-19 1997-07-17 Siemens Ag Laserdiode-Modulator-Kombination
US6687278B1 (en) * 1999-09-02 2004-02-03 Agility Communications, Inc. Method of generating an optical signal with a tunable laser source with integrated optical amplifier
US6909734B2 (en) * 1999-09-02 2005-06-21 Agility Communications, Inc. High-power, manufacturable sampled grating distributed Bragg reflector lasers
WO2001031756A1 (en) * 1999-10-29 2001-05-03 E20 Communications, Inc. Modulated integrated optically pumped vertical cavity surface emitting lasers
US6424669B1 (en) 1999-10-29 2002-07-23 E20 Communications, Inc. Integrated optically pumped vertical cavity surface emitting laser
JP2002148575A (ja) * 2000-11-15 2002-05-22 Mitsubishi Electric Corp 光変調器および光変調器集積型レーザーダイオード
US6556610B1 (en) 2001-04-12 2003-04-29 E20 Communications, Inc. Semiconductor lasers
US6717964B2 (en) 2001-07-02 2004-04-06 E20 Communications, Inc. Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers
US6526083B1 (en) * 2001-10-09 2003-02-25 Xerox Corporation Two section blue laser diode with reduced output power droop
US9372306B1 (en) 2001-10-09 2016-06-21 Infinera Corporation Method of achieving acceptable performance in and fabrication of a monolithic photonic integrated circuit (PIC) with integrated arrays of laser sources and modulators employing an extended identical active layer (EIAL)
DE10201124A1 (de) * 2002-01-09 2003-07-24 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10201126A1 (de) 2002-01-09 2003-07-24 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US6853761B2 (en) 2002-01-09 2005-02-08 Infineon Technologies Ag Optoelectronic module
DE10203696A1 (de) * 2002-01-09 2003-07-24 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches Bauelement
US20040114642A1 (en) * 2002-03-22 2004-06-17 Bullington Jeff A. Laser diode with output fiber feedback
US7194016B2 (en) * 2002-03-22 2007-03-20 The Research Foundation Of The University Of Central Florida Laser-to-fiber coupling
US10012797B1 (en) 2002-10-08 2018-07-03 Infinera Corporation Monolithic photonic integrated circuit (PIC) with a plurality of integrated arrays of laser sources and modulators employing an extended identical active layer (EIAL)
CN1997924B (zh) * 2004-04-15 2016-05-04 英飞聂拉股份有限公司 用于wdm传输网络的无制冷且波长栅格漂移的集成光路(pic)
CN100384038C (zh) * 2004-09-16 2008-04-23 中国科学院半导体研究所 选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法
US8582618B2 (en) 2011-01-18 2013-11-12 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Surface-emitting semiconductor laser device in which an edge-emitting laser is integrated with a diffractive or refractive lens on the semiconductor laser device
US8315287B1 (en) 2011-05-03 2012-11-20 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd Surface-emitting semiconductor laser device in which an edge-emitting laser is integrated with a diffractive lens, and a method for making the device
CN102332515A (zh) * 2011-09-16 2012-01-25 协鑫光电科技（张家港）有限公司 一种发光二极管及其制造方法
EP2839520B1 (en) 2012-04-16 2018-04-11 Sensor Electronic Technology Inc. Non-uniform multiple quantum well structure
CN110622374B (zh) * 2017-05-19 2022-05-27 三菱电机株式会社 半导体装置、半导体装置的制造方法
CN108899759B (zh) * 2018-08-15 2019-09-17 武汉光迅科技股份有限公司 一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器
CN109167250B (zh) * 2018-08-15 2019-11-12 武汉光迅科技股份有限公司 一种集成混沌激光器芯片及激光器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR578557A (ja) * 1924-09-30
FR627798A (fr) * 1927-01-20 1927-10-12 Procédé d'impression et de décoration sur émail, s'appliquant plus spécialementaux cadres, carters, gardes-boue et jantes pour cycles, vélos-moteurs et motocycles
JPH02229485A (ja) * 1989-03-02 1990-09-12 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
DE69128097T2 (de) * 1990-08-24 1998-02-26 Nippon Electric Co Verfahren zur Herstellung einer optischen Halbleitervorrichtung
FR2681191A1 (fr) * 1991-09-06 1993-03-12 France Telecom Composant integre laser-modulateur a super-reseau tres couple.
FR2693594B1 (fr) * 1992-07-07 1994-08-26 Thomson Csf Détecteur d'ondes électromagnétiques à puits quantiques.
JPH06204454A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 光変調器付半導体レーザ及びその製造方法
FR2706079B1 (fr) * 1993-06-02 1995-07-21 France Telecom Composant intégré monolithique laser-modulateur à structure multi-puits quantiques.
US5432123A (en) * 1993-11-16 1995-07-11 At&T Corp. Method for preparation of monolithically integrated devices
JPH07326820A (ja) * 1994-05-30 1995-12-12 Mitsubishi Electric Corp 波長可変半導体レーザ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308451A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Fujitsu Ltd 半導体発光素子
US9740136B2 (en) 2011-12-08 2017-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Optical scanning apparatus and image forming apparatus

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