JPH10190367A - 光電気変換回路 - Google Patents
光電気変換回路Info
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- JPH10190367A JPH10190367A JP8350439A JP35043996A JPH10190367A JP H10190367 A JPH10190367 A JP H10190367A JP 8350439 A JP8350439 A JP 8350439A JP 35043996 A JP35043996 A JP 35043996A JP H10190367 A JPH10190367 A JP H10190367A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000005611 electricity Effects 0.000 title abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 その出力に電源リップルが混入しないように
した光電気変換回路を構成する集積回路を提供する。 【解決手段】 帰還抵抗ＲKが接続された増幅器１の入
力端子にフォトダイオードＰＤを接続し、このフォトダ
イオードＰＤの出力電流を電圧に変換する光電気変換回
路を構成する集積回路において、前記帰還抵抗ＲKが配
置された抵抗を形成するためのランドＬを出力点３に接
続する。
した光電気変換回路を構成する集積回路を提供する。 【解決手段】 帰還抵抗ＲKが接続された増幅器１の入
力端子にフォトダイオードＰＤを接続し、このフォトダ
イオードＰＤの出力電流を電圧に変換する光電気変換回
路を構成する集積回路において、前記帰還抵抗ＲKが配
置された抵抗を形成するためのランドＬを出力点３に接
続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＣＤプレ
イヤーに搭載される光ピックアップ装置の受光部に設け
られ、光電変換素子としてのフォトダイオードに生じる
電流を電圧に変換する光電気変換回路を構成する集積回
路に関するものである。
イヤーに搭載される光ピックアップ装置の受光部に設け
られ、光電変換素子としてのフォトダイオードに生じる
電流を電圧に変換する光電気変換回路を構成する集積回
路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光電気変換回路を構成する集積回
路の構成を図６の（イ）に示す。同図において、１は演
算増幅器、２はフォトダイオード接続端子、３は出力端
子、Ｒ0、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は抵抗であって、これらが１つ
の半導体基板上に組み込まれており、その基板上で所定
の配線が行われて、演算増幅器１の非反転入力端子
（＋）には抵抗Ｒ0を介して基準電圧Ｖrefが印加され、
反転入力端子（−）にはフォトダイオード接続端子２が
接続されるとともに、演算増幅器１の出力が抵抗Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3をスター結線することによって形成された帰還
抵抗ＲKを介して負帰還が施されている。そして、フォ
トダイオード接続端子２に光電変換素子としてのフォト
ダイオードＰＤがアノード側を基準電位側にして接続さ
れる。
路の構成を図６の（イ）に示す。同図において、１は演
算増幅器、２はフォトダイオード接続端子、３は出力端
子、Ｒ0、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は抵抗であって、これらが１つ
の半導体基板上に組み込まれており、その基板上で所定
の配線が行われて、演算増幅器１の非反転入力端子
（＋）には抵抗Ｒ0を介して基準電圧Ｖrefが印加され、
反転入力端子（−）にはフォトダイオード接続端子２が
接続されるとともに、演算増幅器１の出力が抵抗Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3をスター結線することによって形成された帰還
抵抗ＲKを介して負帰還が施されている。そして、フォ
トダイオード接続端子２に光電変換素子としてのフォト
ダイオードＰＤがアノード側を基準電位側にして接続さ
れる。
【０００３】今、フォトダイオード接続端子２に接続さ
れたフォトダイオードＰＤに光が照射されると、その光
量に応じた電流ｉをフォトダイオードＰＤが発生し、こ
の電流ｉはオペアンプ１の出力側から抵抗Ｒ1、Ｒ2を通
して流れ、フォトダイオード接続端子２と出力端子３と
の間には、Ｖ＝ｉ×（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）
／Ｒ3の電圧が発生する。これによって、フォトダイオ
ードＰＤの出力電流ｉが電圧Ｖに変換される。
れたフォトダイオードＰＤに光が照射されると、その光
量に応じた電流ｉをフォトダイオードＰＤが発生し、こ
の電流ｉはオペアンプ１の出力側から抵抗Ｒ1、Ｒ2を通
して流れ、フォトダイオード接続端子２と出力端子３と
の間には、Ｖ＝ｉ×（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）
／Ｒ3の電圧が発生する。これによって、フォトダイオ
ードＰＤの出力電流ｉが電圧Ｖに変換される。
【０００４】そして、従来の光電気変換回路を構成する
集積回路においては、図６の（イ）の点線部及び図６の
（ロ）に一部構成を示すように、Ｐ型の半導体基板上に
抵抗Ｒ0、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3の各抵抗となるＰ型不純物Ｐが
拡散された領域を有するＮ型エピタキシャル層（以下、
「抵抗ランド」と呼ぶ）Ｎが形成され、この抵抗ランド
Ｎを最高電位である電源電圧ＶCCに接続していた。
集積回路においては、図６の（イ）の点線部及び図６の
（ロ）に一部構成を示すように、Ｐ型の半導体基板上に
抵抗Ｒ0、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3の各抵抗となるＰ型不純物Ｐが
拡散された領域を有するＮ型エピタキシャル層（以下、
「抵抗ランド」と呼ぶ）Ｎが形成され、この抵抗ランド
Ｎを最高電位である電源電圧ＶCCに接続していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図６の
（ロ）において、抵抗と抵抗ランド間のＰＮ接合には逆
バイアスがかかることになるので、寄生容量が存在して
いる。そして、抵抗ランドには電源電圧ＶCCを接続して
いるために、電源ラインに接続された他の回路１０、２
０などの動作状況により電源電圧ＶCCが変動することに
よって生じるリップルが、上記寄生容量を通して、光電
気変換回路の出力に混入してしまうという問題があっ
た。
（ロ）において、抵抗と抵抗ランド間のＰＮ接合には逆
バイアスがかかることになるので、寄生容量が存在して
いる。そして、抵抗ランドには電源電圧ＶCCを接続して
いるために、電源ラインに接続された他の回路１０、２
０などの動作状況により電源電圧ＶCCが変動することに
よって生じるリップルが、上記寄生容量を通して、光電
気変換回路の出力に混入してしまうという問題があっ
た。
【０００６】そこで、本発明は、上記問題を解決し、そ
の出力に電源リップルが混入しないようにした光電気変
換回路を構成する集積回路を提供することを目的とす
る。
の出力に電源リップルが混入しないようにした光電気変
換回路を構成する集積回路を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１に記載の光電気変換回路を構成する集積回
路では、帰還抵抗が接続された増幅器の入力端子にフォ
トダイオードを接続し、このフォトダイオードの出力電
流を電圧に変換する光電気変換回路において、前記帰還
抵抗が配置された抵抗ランドを出力点に接続している。
め、請求項１に記載の光電気変換回路を構成する集積回
路では、帰還抵抗が接続された増幅器の入力端子にフォ
トダイオードを接続し、このフォトダイオードの出力電
流を電圧に変換する光電気変換回路において、前記帰還
抵抗が配置された抵抗ランドを出力点に接続している。
【０００８】また、請求項２に記載の光電気変換回路を
構成する集積回路では、帰還抵抗が接続された増幅器の
入力端子にフォトダイオードを接続し、このフォトダイ
オードの出力電流を電圧に変換する光電気変換回路にお
いて、前記帰還抵抗が配置された複数の抵抗ランドをそ
れぞれ、これらの各抵抗ランドに配置された抵抗の出力
点に近い側に接続している。
構成する集積回路では、帰還抵抗が接続された増幅器の
入力端子にフォトダイオードを接続し、このフォトダイ
オードの出力電流を電圧に変換する光電気変換回路にお
いて、前記帰還抵抗が配置された複数の抵抗ランドをそ
れぞれ、これらの各抵抗ランドに配置された抵抗の出力
点に近い側に接続している。
【０００９】また、請求項３に記載の光電気変換回路を
構成する集積回路では、帰還抵抗が接続された増幅器の
入力端子にフォトダイオードを接続し、このフォトダイ
オードの出力電流を電圧に変換する光電気変換回路にお
いて、帰還抵抗が配置された抵抗ランドを出力点の電位
よりも一定電圧高い点に接続している。
構成する集積回路では、帰還抵抗が接続された増幅器の
入力端子にフォトダイオードを接続し、このフォトダイ
オードの出力電流を電圧に変換する光電気変換回路にお
いて、帰還抵抗が配置された抵抗ランドを出力点の電位
よりも一定電圧高い点に接続している。
【００１０】ここで、抵抗ランドを接続する電圧として
は、配置された抵抗にかかる電圧以上であるという条件
を満たしていればよく、従来は抵抗ランドを回路内の最
高電位である電源電圧ＶCCに接続していたが、フォトダ
イオードのアノードが最低電位に接続された光電気変換
回路においては、その出力点の電位は必ず帰還抵抗にか
かる電圧以上となるので、帰還抵抗が配置された抵抗ラ
ンドを出力点に接続することができる。また、帰還抵抗
には一方向の電流しか流れないので、必ずその一端の電
位が他端の電位以上となることから、帰還抵抗が配置さ
れた抵抗ランドを、配置された帰還抵抗の高電位側、具
体的には、光電気変換回路の出力点に近い側に接続する
ことができる。また、増幅器の出力段には、トランジス
タが組み込まれているため、必ず出力点の電位よりも一
定電圧高い点が存在するので、この点に帰還抵抗が配置
された抵抗ランドを接続することができる。これらをそ
れぞれ実行したのが上記請求項１、２、３に記載の光電
気変換回路であって、これらによれば、帰還抵抗が配置
された抵抗ランドに接続された電圧に電源電圧ＶCCの変
動に伴うリップルが発生することはなくなり、光電気変
換回路の出力に電源リップルが混入するのを防止するこ
とができる。
は、配置された抵抗にかかる電圧以上であるという条件
を満たしていればよく、従来は抵抗ランドを回路内の最
高電位である電源電圧ＶCCに接続していたが、フォトダ
イオードのアノードが最低電位に接続された光電気変換
回路においては、その出力点の電位は必ず帰還抵抗にか
かる電圧以上となるので、帰還抵抗が配置された抵抗ラ
ンドを出力点に接続することができる。また、帰還抵抗
には一方向の電流しか流れないので、必ずその一端の電
位が他端の電位以上となることから、帰還抵抗が配置さ
れた抵抗ランドを、配置された帰還抵抗の高電位側、具
体的には、光電気変換回路の出力点に近い側に接続する
ことができる。また、増幅器の出力段には、トランジス
タが組み込まれているため、必ず出力点の電位よりも一
定電圧高い点が存在するので、この点に帰還抵抗が配置
された抵抗ランドを接続することができる。これらをそ
れぞれ実行したのが上記請求項１、２、３に記載の光電
気変換回路であって、これらによれば、帰還抵抗が配置
された抵抗ランドに接続された電圧に電源電圧ＶCCの変
動に伴うリップルが発生することはなくなり、光電気変
換回路の出力に電源リップルが混入するのを防止するこ
とができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図面
を参照しながら説明する。尚、従来技術と同一部分には
同一符号を付して説明を省略する。図１の（イ）は本発
明の第１実施形態である光電気変換回路の構成を示す図
であって、図１の（ロ）に示すように、帰還抵抗ＲKを
構成する抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3が配置された共通の抵抗ラ
ンドＬを出力端子３につながるＢ点に接続している。抵
抗Ｒ0が配置された抵抗ランドについては、例えば、演
算増幅器１が後出の図４に示す構成であるときは基準電
位Ｖref側に接続され、演算増幅器１が後出の図５に示
す構成であるときは非反転入力端子（＋）側に接続され
るというように、演算増幅器１の入力段のトランジスタ
に応じて決定する抵抗Ｒ0の高電位側に接続されてい
る。
を参照しながら説明する。尚、従来技術と同一部分には
同一符号を付して説明を省略する。図１の（イ）は本発
明の第１実施形態である光電気変換回路の構成を示す図
であって、図１の（ロ）に示すように、帰還抵抗ＲKを
構成する抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3が配置された共通の抵抗ラ
ンドＬを出力端子３につながるＢ点に接続している。抵
抗Ｒ0が配置された抵抗ランドについては、例えば、演
算増幅器１が後出の図４に示す構成であるときは基準電
位Ｖref側に接続され、演算増幅器１が後出の図５に示
す構成であるときは非反転入力端子（＋）側に接続され
るというように、演算増幅器１の入力段のトランジスタ
に応じて決定する抵抗Ｒ0の高電位側に接続されてい
る。
【００１２】図２の（イ）は本発明の第２実施形態であ
る光電気変換回路の構成を示す図であって、図２の
（ロ）に示すように、帰還抵抗ＲKを構成する抵抗Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3がそれぞれ配置された別個の抵抗ランドＬ1、
Ｌ2、Ｌ3を抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3の出力端子３に近い側に
それぞれ接続している。尚、今の場合、抵抗Ｒ1と抵抗
Ｒ3との出力端子３に近い側が一致するため、抵抗Ｒ1、
Ｒ3が配置される抵抗ランドを共通にすることができ
る。また、ランド抵抗Ｒ0が配置された抵抗ランドにつ
いては、図１に示す第１実施形態と同様である。
る光電気変換回路の構成を示す図であって、図２の
（ロ）に示すように、帰還抵抗ＲKを構成する抵抗Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3がそれぞれ配置された別個の抵抗ランドＬ1、
Ｌ2、Ｌ3を抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3の出力端子３に近い側に
それぞれ接続している。尚、今の場合、抵抗Ｒ1と抵抗
Ｒ3との出力端子３に近い側が一致するため、抵抗Ｒ1、
Ｒ3が配置される抵抗ランドを共通にすることができ
る。また、ランド抵抗Ｒ0が配置された抵抗ランドにつ
いては、図１に示す第１実施形態と同様である。
【００１３】図３の（イ）は本発明の第３実施形態であ
る光電気変換回路の構成を示す図であって、図３の
（ロ）に示すように、帰還抵抗ＲKを構成する抵抗Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3が配置された共通の抵抗ランドＬを演算増幅器
１の出力段のトランジスタＱ６のベースに接続してい
る。尚、抵抗Ｒ0が配置された抵抗ランドについては、
図１に示す第１実施形態と同様である。
る光電気変換回路の構成を示す図であって、図３の
（ロ）に示すように、帰還抵抗ＲKを構成する抵抗Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3が配置された共通の抵抗ランドＬを演算増幅器
１の出力段のトランジスタＱ６のベースに接続してい
る。尚、抵抗Ｒ0が配置された抵抗ランドについては、
図１に示す第１実施形態と同様である。
【００１４】そして、図４、図５は上記３つの実施形態
における演算増幅器１の具体例を示し、併せて、その場
合の光電気変換回路全体の接続関係並びにバイアス関係
を示している。尚、図４では、抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3が配
置された共通の抵抗ランドＬが出力端子３に接続されて
おり、図１の第１実施形態の光電気変換回路が示されて
おり、図５では、抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3が配置された共通
の抵抗ランドＬが演算増幅器１の出力段のトランジスタ
Ｑ６のベースに接続されており、図３の第３実施形態の
光電気変換回路が示されている。
における演算増幅器１の具体例を示し、併せて、その場
合の光電気変換回路全体の接続関係並びにバイアス関係
を示している。尚、図４では、抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3が配
置された共通の抵抗ランドＬが出力端子３に接続されて
おり、図１の第１実施形態の光電気変換回路が示されて
おり、図５では、抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3が配置された共通
の抵抗ランドＬが演算増幅器１の出力段のトランジスタ
Ｑ６のベースに接続されており、図３の第３実施形態の
光電気変換回路が示されている。
【００１５】図４において、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ６はＮＰＮ
型トランジスタ、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５はＰＮＰ型トランジ
スタ、ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３は定電流回路であって、
トランジスタＱ１、Ｑ２は差動対を形成しており、トラ
ンジスタＱ１、Ｑ２のベースがそれぞれ非反転入力端子
（＋）、反転入力端子（−）となっており、トランジス
タＱ１、Ｑ２のコレクタは、カレントミラー回路ＣＭを
形成する入力側のトランジスタＱ３のコレクタ、出力側
のトランジスタＱ４のコレクタにそれぞれ接続されてお
り、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタは一端がグラン
ドラインに接続された定電流回路ＣＣ１の他端に共通に
接続されている。トランジスタＱ５のベースはトランジ
スタＱ１のコレクタとトランジスタＱ４のコレクタとの
接続点に接続されており、トランジスタＱ５のコレクタ
は一端がグランドラインに接続された定電流回路ＣＣ２
の他端に接続されており、トランジスタＱ５のエミッタ
は電源ラインに接続されている。トランジスタＱ６のベ
ースはトランジスタＱ５のコレクタと定電流回路ＣＣ２
との接続点に接続されており、トランジスタＱ６のコレ
クタは電源ラインに接続されており、トランジスタＱ６
のエミッタは一端がグランドラインに接続された定電流
回路ＣＣ３の他端に接続されている。そして、トランジ
スタＱ６と定電流回路ＣＣ３との接続点が出力点となっ
ている。
型トランジスタ、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５はＰＮＰ型トランジ
スタ、ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３は定電流回路であって、
トランジスタＱ１、Ｑ２は差動対を形成しており、トラ
ンジスタＱ１、Ｑ２のベースがそれぞれ非反転入力端子
（＋）、反転入力端子（−）となっており、トランジス
タＱ１、Ｑ２のコレクタは、カレントミラー回路ＣＭを
形成する入力側のトランジスタＱ３のコレクタ、出力側
のトランジスタＱ４のコレクタにそれぞれ接続されてお
り、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタは一端がグラン
ドラインに接続された定電流回路ＣＣ１の他端に共通に
接続されている。トランジスタＱ５のベースはトランジ
スタＱ１のコレクタとトランジスタＱ４のコレクタとの
接続点に接続されており、トランジスタＱ５のコレクタ
は一端がグランドラインに接続された定電流回路ＣＣ２
の他端に接続されており、トランジスタＱ５のエミッタ
は電源ラインに接続されている。トランジスタＱ６のベ
ースはトランジスタＱ５のコレクタと定電流回路ＣＣ２
との接続点に接続されており、トランジスタＱ６のコレ
クタは電源ラインに接続されており、トランジスタＱ６
のエミッタは一端がグランドラインに接続された定電流
回路ＣＣ３の他端に接続されている。そして、トランジ
スタＱ６と定電流回路ＣＣ３との接続点が出力点となっ
ている。
【００１６】以上の構成において、フォトダイオードＰ
Ｄに電流が流れていないときには、トランジスタＱ１、
Ｑ２のベース電位が同一となるように帰還制御が働きバ
ランスがとられている。このとき、トランジスタＱ１、
Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６はいずれもＯＮしてい
る。そして、出力端子３の電圧がほぼ基準電位Ｖrefに
なっている。この状態では、抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3に電流
は流れない。
Ｄに電流が流れていないときには、トランジスタＱ１、
Ｑ２のベース電位が同一となるように帰還制御が働きバ
ランスがとられている。このとき、トランジスタＱ１、
Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６はいずれもＯＮしてい
る。そして、出力端子３の電圧がほぼ基準電位Ｖrefに
なっている。この状態では、抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3に電流
は流れない。
【００１７】一方、フォトダイオードＰＤに電流ｉが流
れると、この電流ｉが電源ライン→トランジスタＱ６→
抵抗Ｒ2→抵抗Ｒ1→フォトダイオード接続端子２の経路
で流れる。そのため、出力端子３の電圧は、電流ｉに応
じた正の電圧、すなわち、Ｖref＋ｉ×Ｒとなる。尚、
Ｒ＝（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／Ｒ３である。
れると、この電流ｉが電源ライン→トランジスタＱ６→
抵抗Ｒ2→抵抗Ｒ1→フォトダイオード接続端子２の経路
で流れる。そのため、出力端子３の電圧は、電流ｉに応
じた正の電圧、すなわち、Ｖref＋ｉ×Ｒとなる。尚、
Ｒ＝（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／Ｒ３である。
【００１８】また、図５においては、図４において差動
対を形成するトランジスタＱ１、Ｑ２の代わりにＰＮＰ
型トランジスタＱ７、Ｑ８を用い、これに合わせてカレ
ントミラー回路ＣＭを形成するトランジスタＱ３、Ｑ４
の代わりにＮＰＮ型のトランジスタＱ９、Ｑ１０を設
け、トランジスタＱ５の代わりにＮＰＮ型のトランジス
タＱ１１を設け、電源ラインに接続されていたものをグ
ランドラインに接続し、グランドラインに接続されてい
たものを電源ラインに接続したものであって、動作内容
は図４に示したものと同一であるので、説明を省略す
る。
対を形成するトランジスタＱ１、Ｑ２の代わりにＰＮＰ
型トランジスタＱ７、Ｑ８を用い、これに合わせてカレ
ントミラー回路ＣＭを形成するトランジスタＱ３、Ｑ４
の代わりにＮＰＮ型のトランジスタＱ９、Ｑ１０を設
け、トランジスタＱ５の代わりにＮＰＮ型のトランジス
タＱ１１を設け、電源ラインに接続されていたものをグ
ランドラインに接続し、グランドラインに接続されてい
たものを電源ラインに接続したものであって、動作内容
は図４に示したものと同一であるので、説明を省略す
る。
【００１９】ところで、光電気変換回路においては、演
算増幅器１の非反転入力端子（＋）の電位をＶA、反転
入力端子（−）の電位をＶB、抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3の出力
端子３に近い側（Ｈ1、Ｈ2、Ｈ3）の電位をそれぞれ
ＶC、ＶD、ＶE、出力端子３の電位をＶOUTとおくと、フ
ォトダイオードＰＤに電流が流れていないときは、ＶA
＝ＶB＝ＶC＝ＶD＝ＶE＝ＶOUTとなり、フォトダイオー
ドＰＤに電流が流れているときは、ＶB＜ＶC＝ＶE＜ＶD
＝ＶOUTとなるので、出力端子３の電位は必ず抵抗Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3にかかる電圧以上となる。また、演算増幅器１
の出力段のトランジスタＱ６のベース電位は、出力端子
３の電位よりも常に一定電圧だけ高くなっている、つま
り、必ず抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3にかかる電圧以上となって
いる。したがって、抵抗ランドを接続する電圧として
は、配置された抵抗にかかる電圧以上であるという条件
を満たしていればよいことからして、上記３つの実施形
態において示したような抵抗ランドの接続の仕方をして
も何の問題もなく、むしろ、このようにすることによっ
て、抵抗ランドに接続される電圧に電源電圧ＶCCの変動
によるリップルが発生することはなくなり、光電気変換
回路の出力に電源リップルが混入するのを防止すること
ができる。
算増幅器１の非反転入力端子（＋）の電位をＶA、反転
入力端子（−）の電位をＶB、抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3の出力
端子３に近い側（Ｈ1、Ｈ2、Ｈ3）の電位をそれぞれ
ＶC、ＶD、ＶE、出力端子３の電位をＶOUTとおくと、フ
ォトダイオードＰＤに電流が流れていないときは、ＶA
＝ＶB＝ＶC＝ＶD＝ＶE＝ＶOUTとなり、フォトダイオー
ドＰＤに電流が流れているときは、ＶB＜ＶC＝ＶE＜ＶD
＝ＶOUTとなるので、出力端子３の電位は必ず抵抗Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3にかかる電圧以上となる。また、演算増幅器１
の出力段のトランジスタＱ６のベース電位は、出力端子
３の電位よりも常に一定電圧だけ高くなっている、つま
り、必ず抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3にかかる電圧以上となって
いる。したがって、抵抗ランドを接続する電圧として
は、配置された抵抗にかかる電圧以上であるという条件
を満たしていればよいことからして、上記３つの実施形
態において示したような抵抗ランドの接続の仕方をして
も何の問題もなく、むしろ、このようにすることによっ
て、抵抗ランドに接続される電圧に電源電圧ＶCCの変動
によるリップルが発生することはなくなり、光電気変換
回路の出力に電源リップルが混入するのを防止すること
ができる。
【００２０】尚、上記３つの各実施形態においては、帰
還抵抗ＲKを３つの抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3をスター結線する
ことによって形成しているが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば、１つの抵抗、あるいは、直列
接続された複数の抵抗を帰還抵抗ＲKとしたものであっ
てもよい。
還抵抗ＲKを３つの抵抗Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3をスター結線する
ことによって形成しているが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば、１つの抵抗、あるいは、直列
接続された複数の抵抗を帰還抵抗ＲKとしたものであっ
てもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光電気変
換回路によれば、帰還抵抗が配置された抵抗ランドに接
続された電圧に電源電圧の変動によるリップルが発生す
ることはなくなり、光電気変換回路の出力に電源リップ
ルが混入するのを防止することができる。
換回路によれば、帰還抵抗が配置された抵抗ランドに接
続された電圧に電源電圧の変動によるリップルが発生す
ることはなくなり、光電気変換回路の出力に電源リップ
ルが混入するのを防止することができる。
【図１】 本発明の第１実施形態である光電気変換回路
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図２】 本発明の第２実施形態である光電気変換回路
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図３】 本発明の第３実施形態である光電気変換回路
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図４】 図１、２、３に示す光電気変換回路を構成す
る演算増幅器１の一構成例を示す図である。
る演算増幅器１の一構成例を示す図である。
【図５】 図１、２、３に示す光電気変換回路を構成す
る演算増幅器１の一構成例を示す図である。
る演算増幅器１の一構成例を示す図である。
【図６】 従来の光電気変換回路の構成を示す図であ
る。
る。
１ 演算増幅器 ２ フォトダイオード接続端子 ３ 出力端子 Ｒ0、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3 抵抗 Ｑ１、Ｑ２、Ｑ６、Ｑ９、Ｑ１０、Ｑ１１ ＮＰＮ型
トランジスタ Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ７、Ｑ８ ＰＮＰ型トランジス
タ ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３ 定電流回路 ＣＭ カレントミラー回路
トランジスタ Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ７、Ｑ８ ＰＮＰ型トランジス
タ ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３ 定電流回路 ＣＭ カレントミラー回路
Claims (3)
- 【請求項１】 帰還抵抗が接続された増幅器の入力端子
にフォトダイオードを接続し、このフォトダイオードの
出力電流を電圧に変換して前記増幅器から出力する光電
気変換回路を構成する集積回路において、前記帰還抵抗
が配置された抵抗を形成するためのランドを前記増幅器
の出力に接続したことを特徴とする光電気変換回路。 - 【請求項２】 帰還抵抗が接続された増幅器の入力端子
にフォトダイオードを接続し、このフォトダイオードの
出力電流を電圧に変換して前記増幅器から出力する光電
気変換回路を構成する集積回路において、前記帰還抵抗
が配置された複数の抵抗ランドをそれぞれ、これらの各
抵抗ランドに配置された抵抗の前記増幅器の出力に近い
側に接続したことを特徴とする光電気変換回路。 - 【請求項３】 帰還抵抗が接続された増幅器の入力端子
にフォトダイオードを接続し、このフォトダイオードの
出力電流を電圧に変換して前記増幅器から出力する光電
気変換回路を構成する集積回路において、帰還抵抗が配
置された抵抗ランドを前記増幅器の出力の電位よりも一
定電圧高い点に接続したことを特徴とする光電気変換回
路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8350439A JPH10190367A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 光電気変換回路 |
| US08/998,896 US5973314A (en) | 1996-12-27 | 1997-12-29 | Photoelectric converting device which prevents power source ripple from mixing into an output signal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8350439A JPH10190367A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 光電気変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190367A true JPH10190367A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18410511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8350439A Pending JPH10190367A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 光電気変換回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5973314A (ja) |
| JP (1) | JPH10190367A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6069377A (en) * | 1999-05-13 | 2000-05-30 | Eastman Kodak Company | Image sensor incorporating saturation time measurement to increase dynamic range |
| US6812795B2 (en) * | 2003-02-11 | 2004-11-02 | O2Micro International Limited | Transimpedance amplifier with feedback resistive network |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3872329A (en) * | 1974-03-07 | 1975-03-18 | Rca Corp | Radiation sensing circuit |
| DE2904316A1 (de) * | 1979-02-05 | 1980-08-07 | Siemens Ag | Monolithisch integrierbare halbleiterschaltung mit einem durch eine photodiode gesteuerten verstaerker |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP8350439A patent/JPH10190367A/ja active Pending
-
1997
- 1997-12-29 US US08/998,896 patent/US5973314A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5973314A (en) | 1999-10-26 |
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