JPH1019532A - フォトレジストのパターン計測方法 - Google Patents
フォトレジストのパターン計測方法Info
- Publication number
- JPH1019532A JPH1019532A JP17448096A JP17448096A JPH1019532A JP H1019532 A JPH1019532 A JP H1019532A JP 17448096 A JP17448096 A JP 17448096A JP 17448096 A JP17448096 A JP 17448096A JP H1019532 A JPH1019532 A JP H1019532A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- pattern
- image
- light
- metal plate
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトレジストのパターンを明確に撮像でき
るようにする。 【解決手段】 金属板にフォトレジストを塗布した後、
パターンを露光し、これを現像してフォトレジストをパ
ターンの形状とする。これに紫外線を照射してフォトレ
ジストの残存部から蛍光を発生させ、この蛍光による画
像を撮像してパターンの形状を得、画像処理によりパタ
ーンの形状位置を計測する。
るようにする。 【解決手段】 金属板にフォトレジストを塗布した後、
パターンを露光し、これを現像してフォトレジストをパ
ターンの形状とする。これに紫外線を照射してフォトレ
ジストの残存部から蛍光を発生させ、この蛍光による画
像を撮像してパターンの形状を得、画像処理によりパタ
ーンの形状位置を計測する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属板にフォトレジ
ストパターンを形状した際、このパターンを計測する方
法に関する。
ストパターンを形状した際、このパターンを計測する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョンのブラウン管に用いられる
シャドウマスクは金属板に多数の小さな穴が一定のピッ
チで開穴されている。このような微細な形状を金属板に
加工する方法としてフォトエッチングと言われる方法が
用いられ、この方法は集積回路（ＩＣ）の製作にも広く
用いられている。
シャドウマスクは金属板に多数の小さな穴が一定のピッ
チで開穴されている。このような微細な形状を金属板に
加工する方法としてフォトエッチングと言われる方法が
用いられ、この方法は集積回路（ＩＣ）の製作にも広く
用いられている。
【０００３】図３はフォトエッチング法により金属板に
パターンを形成する方法を示す。まずａ．に示すように
金属板１にフォトレジスト２（感光性樹脂）を均一に塗
布する。次にｂ．に示すように加工しようとするパター
ンをフォトレジスト２上に露光する。この露光によりフ
ォトレジスト２に焼きつけたパターンを、ｃ．に示すよ
うに写真と同様に現像すると感光した部分のフォトレジ
スト２が除去される。これはポジレジストの場合で、ネ
ガレジストの場合はこの反対に感光した部分が残り、未
感光部分が除去される。次にｄ．に示すようにエッチン
グ液に接触させ、フォトレジスト２で覆われていない金
属板１の部分を腐食溶解することにより、パターンを形
成する。この後ｅ．に示すようにフォトレジスト２を除
去する。
パターンを形成する方法を示す。まずａ．に示すように
金属板１にフォトレジスト２（感光性樹脂）を均一に塗
布する。次にｂ．に示すように加工しようとするパター
ンをフォトレジスト２上に露光する。この露光によりフ
ォトレジスト２に焼きつけたパターンを、ｃ．に示すよ
うに写真と同様に現像すると感光した部分のフォトレジ
スト２が除去される。これはポジレジストの場合で、ネ
ガレジストの場合はこの反対に感光した部分が残り、未
感光部分が除去される。次にｄ．に示すようにエッチン
グ液に接触させ、フォトレジスト２で覆われていない金
属板１の部分を腐食溶解することにより、パターンを形
成する。この後ｅ．に示すようにフォトレジスト２を除
去する。
【０００４】上記の工程において、ｃ．に示す現像後の
フォトレジスト２に形成されたパターンの検査、および
ｅ．に示すフォトレジスト除去後の金属板１に形状され
たパターンの検査が行われ、さらに、フォトレジストの
除去検査が行われる。現像後の検査は、フォトレジスト
に計画通りのパターンが形成されたかを計測し、位置や
形状寸法の確認を行う。
フォトレジスト２に形成されたパターンの検査、および
ｅ．に示すフォトレジスト除去後の金属板１に形状され
たパターンの検査が行われ、さらに、フォトレジストの
除去検査が行われる。現像後の検査は、フォトレジスト
に計画通りのパターンが形成されたかを計測し、位置や
形状寸法の確認を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】フォトレジストは透明
体であるため、金属板の金属結晶組織がフォトレジスト
を通して表れる。このため露光および現像によってパタ
ーンが形成された状態に可視光を当てた場合、このパタ
ーンと金属結晶組織が重なる。なお、フォトレジストに
顔料を混ぜて不透明にしたものもあるが、露光特性が悪
化し、分解能が劣化して実用的でない。図４はフォトレ
ジストのパターンを可視光により撮像した画像を示す。
このような画像は人の目では丸い穴のパターンを識別で
きるが、画像処理により自動的にこのパターンを抽出す
ることは困難であるため、従来は目視により検査が行わ
れていた。このため現像後のパターン検査の工程が自動
化できなかった。
体であるため、金属板の金属結晶組織がフォトレジスト
を通して表れる。このため露光および現像によってパタ
ーンが形成された状態に可視光を当てた場合、このパタ
ーンと金属結晶組織が重なる。なお、フォトレジストに
顔料を混ぜて不透明にしたものもあるが、露光特性が悪
化し、分解能が劣化して実用的でない。図４はフォトレ
ジストのパターンを可視光により撮像した画像を示す。
このような画像は人の目では丸い穴のパターンを識別で
きるが、画像処理により自動的にこのパターンを抽出す
ることは困難であるため、従来は目視により検査が行わ
れていた。このため現像後のパターン検査の工程が自動
化できなかった。
【０００６】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
もので、フォトレジストのパターンを明確に識別して計
測できるフォトレジストのパターン計測方法を提供する
ことを目的とする。
もので、フォトレジストのパターンを明確に識別して計
測できるフォトレジストのパターン計測方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１の発明では、金属板にフォトレジストを塗布
し、パターンを露光し現像してパターンの形状となった
フォトレジストに対して紫外線を照射し、フォトレジス
トの発光する蛍光による蛍光画像を撮像し、この蛍光画
像によりフォトレジストのパターンを計測する。
請求項１の発明では、金属板にフォトレジストを塗布
し、パターンを露光し現像してパターンの形状となった
フォトレジストに対して紫外線を照射し、フォトレジス
トの発光する蛍光による蛍光画像を撮像し、この蛍光画
像によりフォトレジストのパターンを計測する。
【０００８】フォトレジストに紫外線を照射すると、フ
ォトレジストから蛍光が発光され、蛍光を発しない金属
面との区別が明確になる。この蛍光によって表される蛍
光画像を画像処理することにより、パターンの検査を自
動的に行うことが可能となる。
ォトレジストから蛍光が発光され、蛍光を発しない金属
面との区別が明確になる。この蛍光によって表される蛍
光画像を画像処理することにより、パターンの検査を自
動的に行うことが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態
を実現する落射型蛍光顕微鏡の基本的な光学系を示す。
光源３として水銀ランプやキセノンランプなどの紫外線
を発光する光源が用いられる。光源光はコンデンサレン
ズ４で集光される。励起フィルタ５は試料８から蛍光を
発光させるのに必要な主として短波長域の光のみを透過
させ、励起に使われない光をカットするフィルタであ
る。
て図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態
を実現する落射型蛍光顕微鏡の基本的な光学系を示す。
光源３として水銀ランプやキセノンランプなどの紫外線
を発光する光源が用いられる。光源光はコンデンサレン
ズ４で集光される。励起フィルタ５は試料８から蛍光を
発光させるのに必要な主として短波長域の光のみを透過
させ、励起に使われない光をカットするフィルタであ
る。
【００１０】ダイクロイックミラー６は干渉フィルタの
一種で、光軸に対して４５°の角度に置いたときに、あ
る波長より短波長は反射し、長波長の光は透過する特性
を有する。これにより紫外線を反射して対物レンズ７に
導き、対物レンズ７からの蛍光を透過する。対物レンズ
７を通った紫外線は試料８に照射され、試料８のフォト
レジストに当たり蛍光を発光する。蛍光は対物レンズ７
を通りダイクロイックミラー６を透過する。
一種で、光軸に対して４５°の角度に置いたときに、あ
る波長より短波長は反射し、長波長の光は透過する特性
を有する。これにより紫外線を反射して対物レンズ７に
導き、対物レンズ７からの蛍光を透過する。対物レンズ
７を通った紫外線は試料８に照射され、試料８のフォト
レジストに当たり蛍光を発光する。蛍光は対物レンズ７
を通りダイクロイックミラー６を透過する。
【００１１】吸収フィルタ９は試料８で反射され、ダイ
クロイックミラー６の透過波長範囲と吸収フィルタ９の
透過波長範囲を重ねることにより、使用波長範囲を狭く
限定して先鋭な像を得る。撮像装置１０は蛍光により現
れたフォトレジストのパターンの蛍光画像を撮像する。
クロイックミラー６の透過波長範囲と吸収フィルタ９の
透過波長範囲を重ねることにより、使用波長範囲を狭く
限定して先鋭な像を得る。撮像装置１０は蛍光により現
れたフォトレジストのパターンの蛍光画像を撮像する。
【００１２】図２はブラウン管に用いられるシャドウマ
スクのフォトレジストパターンを撮像した蛍光画像を示
す。フォトレジストは未露光部が除去されるネガ型の場
合であり、遮光部の未露光部分のフォトレジストが現像
で除去されて金属板が露出しており、他はフォトレジス
ト膜に覆われている。開口部は金属板であるので蛍光は
発生せず、黒くなる。開口のエッジ部は明るく縁取りさ
れ鮮明な開口像となり、開口以外のフォトレジスト膜の
存在部分は開口部のエッジより暗いが、開口部より明る
くなる。なお、この画像はモノクロの場合である。
スクのフォトレジストパターンを撮像した蛍光画像を示
す。フォトレジストは未露光部が除去されるネガ型の場
合であり、遮光部の未露光部分のフォトレジストが現像
で除去されて金属板が露出しており、他はフォトレジス
ト膜に覆われている。開口部は金属板であるので蛍光は
発生せず、黒くなる。開口のエッジ部は明るく縁取りさ
れ鮮明な開口像となり、開口以外のフォトレジスト膜の
存在部分は開口部のエッジより暗いが、開口部より明る
くなる。なお、この画像はモノクロの場合である。
【００１３】蛍光は励起フィルタ５、吸収フィルタ９、
ダイクロイックミラー６の組み合わせにより、緑、赤な
どの特有の色を有しており、カラー撮像装置を用いるこ
とにより、開口部は黒、開口以外のフォトレジスト膜の
存在する部分は蛍光特有の色となり、開口縁取部は膜部
と同じであるが、明るい色となって明確に識別可能な画
像が得られる。
ダイクロイックミラー６の組み合わせにより、緑、赤な
どの特有の色を有しており、カラー撮像装置を用いるこ
とにより、開口部は黒、開口以外のフォトレジスト膜の
存在する部分は蛍光特有の色となり、開口縁取部は膜部
と同じであるが、明るい色となって明確に識別可能な画
像が得られる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
は、フォトレジストに露光し現像して得られたフォトレ
ジストのパターンに紫外線を照射し、発生した蛍光によ
る画像を撮像することによりフォトレジストのパターン
を計測することができる。これにより、従来目視により
行っていたフォトレジストパターンの検査を画像処理に
より計測し、自動化が可能となる。
は、フォトレジストに露光し現像して得られたフォトレ
ジストのパターンに紫外線を照射し、発生した蛍光によ
る画像を撮像することによりフォトレジストのパターン
を計測することができる。これにより、従来目視により
行っていたフォトレジストパターンの検査を画像処理に
より計測し、自動化が可能となる。
【図１】本発明を実施する光学系を示す説明図である。
【図２】本発明により得られたフォトレジストパターン
の撮像画像を示す拡大平面図である。
の撮像画像を示す拡大平面図である。
【図３】リソグラフィにより金属板にパターンを形成す
る方法を示す説明図である。
る方法を示す説明図である。
【図４】フォトレジストパターンを可視光により撮像し
た画像を示す拡大平面図である。
た画像を示す拡大平面図である。
１ 金属板 ２ フォトレジスト ３ 光源 ５ 励起フィルタ ６ ダイクロイックミラー ８ 試料 ９ 吸収フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深川 弘隆 滋賀県八日市市妙法寺町1101番地20 凸版 印刷株式会社内 (72)発明者 和田 知己 滋賀県八日市市妙法寺町1101番地20 凸版 印刷株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 金属板にフォトレジストを塗布し、パタ
ーンを露光し現像してパターンの形状となったフォトレ
ジストに対して紫外線を照射し、フォトレジストの発光
する蛍光による蛍光画像を撮像し、この蛍光画像により
フォトレジストのパターンを計測することを特徴とする
フォトレジストのパターン計測方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17448096A JPH1019532A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | フォトレジストのパターン計測方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17448096A JPH1019532A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | フォトレジストのパターン計測方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1019532A true JPH1019532A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15979225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17448096A Pending JPH1019532A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | フォトレジストのパターン計測方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1019532A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007538238A (ja) * | 2004-05-17 | 2007-12-27 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | デバイス上の局所構造体を測定する方法 |
| CN100447526C (zh) * | 2003-11-05 | 2008-12-31 | Ckd株式会社 | 三维测定装置 |
| JP2015156422A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 株式会社東芝 | パターン検査方法、パターン形成制御方法およびパターン検査装置 |
| CN106643497A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-10 | 哈尔滨工业大学 | 基于磁性荧光微球的随机重构微尺寸测量装置及方法 |
| CN106767414A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 哈尔滨工业大学 | 基于磁性荧光微球的单粒子磁场导向微尺寸测量装置及基于该装置的测量方法 |
| CN111312604A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法 |
| JP2022076190A (ja) * | 2020-11-09 | 2022-05-19 | 大日本印刷株式会社 | 検査装置、検査方法、および有機発光ダイオードの製造方法 |
-
1996
- 1996-07-04 JP JP17448096A patent/JPH1019532A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100447526C (zh) * | 2003-11-05 | 2008-12-31 | Ckd株式会社 | 三维测定装置 |
| JP2007538238A (ja) * | 2004-05-17 | 2007-12-27 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | デバイス上の局所構造体を測定する方法 |
| JP2015156422A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 株式会社東芝 | パターン検査方法、パターン形成制御方法およびパターン検査装置 |
| CN106643497A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-10 | 哈尔滨工业大学 | 基于磁性荧光微球的随机重构微尺寸测量装置及方法 |
| CN106767414A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 哈尔滨工业大学 | 基于磁性荧光微球的单粒子磁场导向微尺寸测量装置及基于该装置的测量方法 |
| CN106767414B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-06-11 | 哈尔滨工业大学 | 基于磁性荧光微球的单粒子磁场导向微尺寸测量装置及基于该装置的测量方法 |
| CN111312604A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法 |
| CN111312604B (zh) * | 2018-12-11 | 2023-03-17 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法 |
| JP2022076190A (ja) * | 2020-11-09 | 2022-05-19 | 大日本印刷株式会社 | 検査装置、検査方法、および有機発光ダイオードの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040720 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20041117 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |