JPH10195657A

JPH10195657A - 低圧ｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPH10195657A
Application number: JP35780996A
Authority: JP
Inventors: Jiro Nishihama; 二郎西浜
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1996-12-27
Filing date: 1996-12-27
Publication date: 1998-07-28
Anticipated expiration: 2016-12-27
Also published as: JP3861350B2

Abstract

(57)【要約】【課題】パーティクルが発生しにくく、アウターチュ
ーブの耐久性に優れた低圧ＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】インナーチューブ及びアウターチューブ
７２を炭化ケイ素質材料とし、アウターチューブ７２の
フランジ部７２ｃと基台６５との間にシールリング６８
を介在させると共に、フランジ部７２ｃの上記シールリ
ング６８よりも内周の部分を基台６５上に当接支持させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの表
面に、例えば窒化シリコン等の膜を形成する際に用いら
れる低圧ＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上記のような低圧ＣＶＤ装置とし
ては、例えば図６に示すような装置が用いられている
（特開平５−１６６７４１号参照）。この低圧ＣＶＤ装
置は、アウターチューブ１１とインナーチューブ１２と
で二重管１３を構成している。アウターチューブ１１及
びインナーチューブ１２の下部には、基台１４が配置さ
れ、これらのチューブ１１、１２を支持している。基台
１４には、インナーチューブ１２の内側の空間に連通す
るガス導入管１５と、インナーチューブ１２とアウター
チューブ１１との間の空間に連通する排気管１６とが取
付けられている。

【０００３】基台１４の下面には開口があり、リフト１
８によって昇降動作する蓋体１７が開閉可能に取付けら
れている。蓋体１７上には、台座１９を介してウエハボ
ート２０が設置され、ウエハボート２０には、多数の半
導体ウエハＷが支持されている。したがって、リフト１
８により蓋体１７が上昇すると、蓋体１７上に台座１９
を介して設置されたウエハボート２０及びウエハＷが二
重管１３内に導入され、蓋体１７が基台１４の開口を封
止する。また、リフト１８により蓋体１７が下降する
と、基台１４の開口が開いて、蓋体１７上に台座１９を
介して設置されたウエハボート２０及びウエハＷが取り
出されるようになっている。また、二重管１３の外周に
は、ヒータを有する円筒状の炉体２１が配置されてい
る。

【０００４】上記従来の低圧ＣＶＤ装置において、アウ
ターチューブ１１の材質としては、石英ガラスが用いら
れていた。その理由は、石英ガラスは、高純度のものが
得やすく、半導体ウエハＷの汚染防止の上で好ましいと
考えられたからである。また、石英ガラスは、低温ＣＶ
Ｄ装置用として十分な耐熱性を有しており、熱膨張係数
が非常に小さいので、炉体２１内部に配置された部分
と、炉体２１の下方に配置された部分との間に温度差が
あっても、熱応力による破損は起きなかった。また、石
英ガラスは、熱伝導率が小さいので、アウターチューブ
の下面の温度が高くならず、気密シールも容易である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】低圧ＣＶＤ装置によっ
て、半導体ウエハＷの表面にＣＶＤにより被膜を形成す
るとき、アウターチューブ１１の内面や、インナーチュ
ーブ１２の表面にもＣＶＤ膜が形成される。ところが、
このＣＶＤ膜は剥れやすく、パーティクルが発生して半
導体ウエハＷを汚染するという問題があった。このた
め、アウターチューブ１１及びインナーチューブ１２を
洗浄して、表面に付着したＣＶＤ膜を除去する操作を頻
繁に行う必要があった。

【０００６】本発明者らは、上記従来の低圧ＣＶＤ装置
においてＣＶＤ膜が剥れてパーティクルが発生する理由
は、アウターチューブ１１の材質である石英の熱膨張率
0.54×10^-6／℃と、窒化シリコン膜等のＣＶＤ膜の熱膨
張率４〜７×10^-6／℃との差が大きいことにあると考え
た。

【０００７】そこで、本発明者らは、炭化ケイ素の熱膨
張率4.5 ×10^-6／℃が、上記窒化シリコン膜等のＣＶＤ
膜の熱膨張率に近いことから、アウターチューブ１１の
材質を炭化ケイ素にすることにより、上記のパーティク
ルの問題を解決できるのではないかと考えた。

【０００８】ところが、アウターチューブ１１の材質を
炭化ケイ素質材料とした場合には、石英ガラスと比べて
炭化ケイ素はヤング率、熱膨張率及び熱伝導率が大きい
材料であるため、アウターチューブ１２の炉体２１内部
に配置された部分から、炉体２１の下方の基台１４に接
触する部分に熱が伝わり、冷却された基台１４と接触さ
せるとその近傍に大きな温度勾配が発生して、熱応力に
よる破損が生じやすいという新たな問題が生じることが
わかった。

【０００９】すなわち、図７は、炭化珪素ケイ素質材料
からなるアウターチューブ２２を形成し、基台６５上の
環状の溝６５ａに挿入されたシールリング６８を介し
て、アウターチューブ２２を基台６５上に設置した状態
を示す。なお、アウターチューブ２２は、円筒状の周壁
２２ａと、この周壁２２ａの上面を閉塞する上壁２２ｂ
と、周壁２２ａの下端外周に設けられたフランジ部２２
ｃとで構成されている。シールリング６８は、フランジ
部２２ｃの下面中央に配置されている。

【００１０】ところが、上記のような一般的な構造で
は、周壁２２ａの炉体２１のヒータに近接した部分が高
温となり、基台６５に当接した部分が低温となるため、
熱膨張差によって周壁２２ａの下端部近傍の直径が相対
的に小さくなり、フランジ部２２ｃが図７に示すよう
に、半径方向外方に向かうほど下方に傾斜したテーパ状
になる。このため、フランジ部２２ｃの下面外周が基台
６５に強く当接して荷重Ｗを受けることになる。また、
外周側のみ接するので、冷却が外周側から行われ、フラ
ンジ部内外周の温度差も生じるようになる。

【００１１】その結果、フランジ部２２ｃの外周及び上
面Ａには、強い周方向引張応力が作用する。更に、アウ
ターチューブ２２内を減圧した場合には、フランジ部２
２ｃが基台６５上面に強く押し付けられるため、周壁２
２ａとフランジ部２２ｃとの接合部Ｃに強い曲げ応力が
作用する。こうして、炭化ケイ素質材料からなるアウタ
ーチューブ２２は、短期間のうちに破損してしまい、十
分な耐久性を得ることができなかった。なお、図７で
は、基部Ｂ等が大きく湾曲した形状をなしているが、こ
れは熱変形状態を誇張して示したものであり、実際には
これほど大きく湾曲しているわけではない。

【００１２】したがって、本発明の目的は、ＣＶＤ膜が
剥れて発生するパーティクルによる汚染が生じにくく、
しかもアウターチューブの耐久性に優れた低圧ＣＶＤ装
置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１は、上下が開口された炭化ケイ素質材
料からなるインナーチューブと、このインナーチューブ
の外周を所定の間隙を介して囲み、上部が閉塞され、下
部が開口され、下部外周にフランジ部が設けられたアウ
ターチューブと、前記インナーチューブ及び前記アウタ
ーチューブの下部を支持する基台と、前記アウターチュ
ーブの前記フランジ部下面と前記基台との間に介在され
たシールリングと、この基台の中央部に設けた開口に対
して開閉可能に設けられた蓋体と、前記アウターチュー
ブの外周面及び上面を囲み、内側にヒータを設けた炉壁
とを備えた低圧ＣＶＤ装置において、前記アウターチュ
ーブが炭化ケイ素質材料からなり、前記アウターチュー
ブは、主として前記フランジ部の前記シールリングより
も内周の部分が、前記基台に直接又は間接的に当接する
ことにより支持されていることを特徴とする低圧ＣＶＤ
装置を提供するものである。

【００１４】本発明の第２は、前記第１の発明におい
て、前記基台の前記シールリングよりも内周に、前記基
台と一体又は別部材からなる、環状で断面が曲面状の突
出部が設けられており、この突出部に、前記アウターチ
ューブのフランジ部下面が当接支持されている低圧ＣＶ
Ｄ装置を提供するものである。

【００１５】本発明の第３は、前記第２の発明におい
て、前記突出部が、環状で断面が円弧状の板バネからな
る低圧ＣＶＤ装置を提供するものである。

【００１６】本発明の第４は、前記第２又は３の発明に
おいて、前記基台の前記シールリングよりも外周に、前
記突出部よりも圧縮変形しやすい材質の環状の支持材が
設けられ、前記アウターチューブのフランジ部下面は、
前記突出部と、前記シールリングと、前記支持材とに当
接している低圧ＣＶＤ装置を提供するものである。

【００１７】本発明の第５は、前記第１の発明におい
て、前記アウターチューブのフランジ部下面は、半径方
向外方に向かうほど上方に傾斜するテーパ状をなし、か
つ、前記フランジ部下面の内周部が断面曲面状に形成さ
れていて、この曲面状部分が前記基台に直接又は間接的
に当接支持されている低圧ＣＶＤ装置を提供するもので
ある。

【００１８】本発明の第６は、前記第１〜５のいずれか
１つの発明において、前記アウターチューブの外周面と
前記フランジ部との接合部のコーナーが鈍角又はＲ付と
なるように炭化ケイ素質材料が肉盛りされており、前記
フランジ部の角部が面取り又はＲ付に形成されている低
圧ＣＶＤ装置を提供するものである。

【００１９】本発明の第１によれば、アウターチューブ
の材質をＣＶＤ膜と熱膨張率が近い炭化ケイ素質材料と
したことにより、アウターチューブ内面に形成されたＣ
ＶＤ膜が剥れにくくなり、ＣＶＤ膜がある程度厚くなる
までそのまま繰返し使用できるため、ＣＶＤ膜を除去す
るための洗浄操作の回数を顕著に少なくすることができ
る。

【００２０】また、アウターチューブは、主としてフラ
ンジ部のシールリングよりも内周の部分が、基台に直接
又は間接的に当接することにより支持されているので、
例えば図１に示すように、熱膨張差によってアウターチ
ューブ７２の周壁７２ａの下端部近傍の直径が相対的に
小さくなって、フランジ部７２ｃが半径方向外方に向か
うほど下方に傾斜したテーパ状になっても、アウターチ
ューブ７２の荷重Ｗがシールリング６８よりも内周で支
持され、またフランジ部７２ｃの内周から冷却が行われ
るため、フランジ部７２ｃの外周及び上面Ａにかかる引
張り応力や、周壁７２ａの下端部Ｃにかかる曲げ応力等
が軽減され、アウターチューブ７２の破損を防止するこ
とができる。

【００２１】本発明の第２によれば、基台のシールリン
グよりも内周に、基台と一体又は別部材からなる、環状
で断面が曲面状の突出部を設けたことにより、アウター
チューブのフランジ部下面がこの突出部に当接支持され
る。また、突出部の断面が曲面状をなしているので、フ
ランジ部下面が突出部上面に均一に当接し、片当りによ
る応力集中が避けられる。

【００２２】本発明の第３によれば、前記突出部が環状
で断面が円弧状の板バネからなるので、フランジ部下面
がより均一に突出部に当接し、片当りによる応力集中を
更に効果的に防止することができる。また、局所的な冷
却による温度差の発生を防止することができる。

【００２３】本発明の第４によれば、基台のシールリン
グよりも外周に、前記突出部よりも圧縮変形しやすい材
質の環状の支持材を設け、アウターチューブのフランジ
部下面を前記突出部と前記シールリングと前記支持材と
に当接させたので、アウターチューブを設置しやすくな
ると共に、アウターチューブが熱膨張差で前記のように
変形するときには、支持材が先に圧縮変形するので、ア
ウターチューブの荷重は主として突出部によって支持さ
れる。

【００２４】本発明の第５によれば、アウターチューブ
のフランジ部下面が、半径方向外方に向かうほど上方に
傾斜するテーパ状をなし、かつ、フランジ部下面の内周
部が断面曲面状に形成されていて、この曲面状部分が基
台に直接又は間接的に当接支持されているので、アウタ
ーチューブが熱膨張差によって前記のように変形して
も、アウタチューブの荷重をフランジ部下面の内周部で
支持することができる。また、フランジ部下面の内周部
が断面曲面状に形成されているので、片当りによる応力
集中を避けることができる。

【００２５】本発明の第６によれば、アウターチューブ
の外周面とフランジ部との接合部のコーナーが鈍角又は
Ｒ付となるように炭化ケイ素質材料を肉盛りし、フラン
ジ部の角部を面取り又はＲ付に形成したことにより、フ
ランジ部の接合部や角部に熱応力が集中することを避け
て、破損をより効果的に防止することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】図１〜３には、本発明による低圧
ＣＶＤ装置の一実施例が示されている。図２に示すよう
に、この低圧ＣＶＤ装置６０は、金属缶体６１と、その
内周に貼られた断熱材６２とからなる炉壁６３を有して
いる。炉壁６３の内周にはヒータ６４が取付けられ、炉
壁６３の下面は基台６５によって閉塞されている。基台
６５の中央には、半導体ウエハＷの導出入口をなす開口
が設けられ、図示しないリフトによって昇降動作するこ
とにより、上記開口を開閉する蓋体６６が設けられてい
る。更に、基台６５にはガスの導入排出口６７が設けら
れている。

【００２７】基台６５上には、上下端面が開口された炭
化ケイ素質材料からなるインナーチューブ７１と、この
インナーチューブ７１の外周を所定の間隙をもって囲
む、同じく炭化ケイ素質材料からなるアウターチューブ
７２の二重管７３が設置されている。アウターチューブ
７２は、円筒状の周壁７２ａと、この周壁７２ａの上面
を閉塞する上壁７２ｂと、周壁７２ａの下端外周に設け
られたフランジ部７２ｃとで構成されている。基台６５
のフランジ部７２ｃの下面が接する部分には、基台６５
と一体の環状の突出部分６９と、その外周に配置された
耐熱性ゴム等からなるシールリング６８が配置されてい
る。なお、基台６５内には、図示しない水冷ジャケット
が形成されており、シールリング６８の熱損傷を防止す
るようにしている。

【００２８】図１に示すように、基台６５の突出部６９
は、断面が曲面状、より具体的にはかまぼこ型をなし、
フランジ部７２ｃが熱変形によって傾斜しても、その下
面が常に均一に当るようになっている。シールリング６
８は、突出部６９の外周に配置され、フランジ部７２ｃ
が熱変形によって傾斜したときには、より圧縮されるよ
うになっている。なお、図１では、アウターチューブ７
２の周壁７２ａの基部が大きく湾曲した形状をなしてい
るが、これは熱変形状態を誇張して示したものであり、
実際にはこれほど大きく湾曲しているわけではない。

【００２９】なお、アウターチューブ７２の外周面７２
ａとフランジ部７２ｃとの接合部のコーナー７２ｄは、
鈍角又はＲ付となるように、炭化ケイ素質材料からなる
接着剤が肉盛りされており、フランジ部７２ｃのそれぞ
れの角部７２ｅは、面取り又はＲ付に形成されている。
この場合、コーナー７２ｄ及び角部７２ｅを鈍角又は面
取り形状にする場合には、その角度が110 °以上となる
ようにすることが好ましい。また、コーナー７２ｄ及び
角部７２ｅをＲ付にする場合には、Ｒの半径は１〜４mm
とするのが好ましい。

【００３０】なお、アウターチューブ７２は、例えば泥
漿鋳込み成形等の方法によって一体成形して作れるが、
図３に示すように、周壁７２ａ、上壁７２ｂ、フランジ
部７２ｃのそれぞれの部分を、炭化ケイ素粉末を原料と
して別々に成形した後、これらの部分を炭化ケイ素の接
着剤で接合して作ることもできる。

【００３１】次に、図１〜３に示した低圧ＣＶＤ装置の
使用方法について説明する。ウエハボート５０に多数の
半導体ウエハＷを挿入支持させ、蓋体６６上に載せて二
重管７３内に導入し、蓋体６６によって基台６５の開口
部を閉じる。そして、ガス導入排出口６７を通して二重
管７３内を減圧し、反応ガスを導入して半導体ウエハＷ
の表面にＣＶＤ膜を形成する。こうして成膜が終了した
ら、二重管７３内の減圧を解除し、蓋体６６を下降させ
てウエハボート５０に支持された半導体ウエハＷを取出
す。このような操作を繰返すことにより、半導体ウエハ
Ｗの表面に繰返しＣＶＤ膜を形成することができる。

【００３２】上記の成膜操作において、アウターチュー
ブ７２の内面及びインナーチューブ７１の表面にもＣＶ
Ｄ膜が形成される。このＣＶＤ膜が剥れると、パーティ
クルとなって半導体ウエハＷを汚染し、歩留良く製品を
製造できない。このため、成膜操作を何回か繰返した後
に、アウターチューブ７２及びインナーチューブ７１を
洗浄して、ＣＶＤ膜を除去する必要がある。従来はこの
洗浄操作を頻繁に行う必要があったため、製造の作業性
を低下させる原因となっていた。

【００３３】しかし、本発明では、アウターチューブ７
２及びインナーチューブ７１のいずれも炭化ケイ素質材
料からなり、炭化ケイ素質材料がＣＶＤ膜に近い熱膨張
率を有しているため、ＣＶＤ膜が比較的厚くなっても剥
れにくく、上記洗浄操作の間隔を長くしてＣＶＤ装置の
休止期間を短くし、製造の作業性を向上させることが可
能となった。

【００３４】また、アウターチューブ７２を熱伝導性の
よい炭化ケイ素質材料にすると、アウターチューブ７２
のフランジ部７２ｃが、水冷ジャケットで冷却される基
台６５に接して冷却を受け、アウターチューブ７２のそ
れより上の部分は、ヒータ６４により加熱されて高温と
なるため、図１に示すように、熱膨張差によって周壁７
２ａの下端部近傍の直径が相対的に小さくなり、フラン
ジ部７２ｃが半径方向外方に向かうほど下方に傾斜した
テーパ状になる。この状態で、アウターチューブ７２内
を減圧すると、アウターチューブ７２のフランジ部７２
ｃ下面には、基台６５に対して下向きの強い荷重Ｗが作
用する。

【００３５】しかし、本発明では、基台６５上に突出部
６９が形成され、アウターチューブ７２のフランジ部７
２ｃの内周部分が、常に突出部６９に当接して支持され
るので、フランジ部７２ｃの内周側から冷却が行われ、
フランジ部７２ｃの外周及び上面Ａにかかる引張り応力
や、周壁７２ａの下端部Ｃにかかる曲げ応力等が軽減さ
れ、アウターチューブ７２の破損を防止することができ
る。

【００３６】更に、この実施例では、アウターチューブ
７２の周壁７２ａとフランジ部７２ｃとの接合部のコー
ナー７２ｄが鈍角又はＲ付となるように炭化ケイ素質材
料を肉盛りし、フランジ部７２ｃの角部７２ｅを面取り
又はＲ付に形成したことにより、それらの部分に熱応力
が集中することを防止して、フランジ部７２ｃの破損を
より一層効果的に防止できる。

【００３７】図４には、本発明による低圧ＣＶＤ装置の
他の実施例が示されている。なお、図１〜３の実施例と
実質的に同一部分には同符号を付して、その説明を省略
することにする。

【００３８】この実施例では、基台６５上に環状の溝７
５が形成され、この溝７５内の内周にシールリング６８
が配置され、溝７５内の外周に環状の支持材７６が配置
されている。シールリング６８、支持材７６は、いずれ
もフッ素系樹脂等の耐熱性合成樹脂又はゴムからなる。
そして、シールリング６８の更に内周に、環状で断面が
円弧状の板バネ７７が配置されている。この板バネ７７
は、アウターチューブ７２のフランジ部７２ｃ下面から
受ける荷重に対して、ある程度柔軟に変形できる程度の
弾性を有しているが、上記支持材７６よりは剛性が高く
なっている。

【００３９】したがって、アウタチューブ７２が図１に
示すように熱変形したとき、フランジ部７２ｃの外周が
支持材７６を圧縮させて下方に傾斜し、アウターチュー
ブ７２の荷重は、主として板バネ７７によって支持され
る。また、板バネ７７が断面円弧状をなし、かつ、弾性
変形することにより、フランジ部７２ｃの片当りが防止
され、応力集中及び局所的な冷却が避けられる。このた
め、アウターチューブ７２の破損をより効果的に防止す
ることができる。

【００４０】図５には、本発明による低圧ＣＶＤ装置の
更に他の実施例が示されている。なお、図１〜３の実施
例と実質的に同一部分には同符号を付して、その説明を
省略することにする。

【００４１】この実施例では、基台６５上に環状の溝７
５が形成され、この溝７５内にシールリング６８が嵌着
されている。そして、アウターチューブ７２のフランジ
部７２ｃの下面７２ｆが、半径方向外方に向けて上方に
傾斜したテーパ状をなし、この下面７２ｆの内周側の角
部７２ｇが、断面曲面状、この実施例ではＲ付に形成さ
れている。そして、アウターチューブ７２は、上記フラ
ンジ部７２ｃの下面７２ｆの内周角部７２ｇにおいて、
基台６５上面に当接支持されている。

【００４２】したがって、アウタチューブ７２が図１に
示すように熱変形しても、フランジ部７２ｃの下面７２
ｆの外周部と基台６５との間に隙間が設けられているの
で、アウターチューブ７２は、常にフランジ部７２ｃの
下面７２ｆの内周角部７２ｇで支持される。また、フラ
ンジ部７２ｃの下面７２ｆの内周角部７２ｇが曲面状を
なしているので、フランジ部７２ｃが熱変形によって傾
斜しても、基台６５に対して常に均一に当るようになっ
ている。このような構造によっても、アウターチューブ
７２の破損を効果的に防止することができる。

【００４３】

【実施例】図１、２に示した低圧ＣＶＤ装置において、
アウターチューブ７２の外径が３１０mm、チューブ厚が
４mm、フランジ部７２ｃの外径が３５０mm、フランジ部
７２ｃの厚さが１２mmとする。また、アウターチューブ
７２のヒータ６４が配置された部分の温度（均熱部温
度）が７８０℃、基台６５に当接する部分の温度（冷却
部位温度）が２５０℃とし、ヒータ６４下端からフラン
ジ部７２ｃまでの距離を１５０mmとする。

【００４４】上記の設定で、基台６５上に突出部６９を
設け、フランジ部７２ｃの下面内周を突出部６９に当接
させた本発明の実施例の場合と、基台６５を図７に示す
ような平面とし、熱変形するとフランジ部の下面外周が
基台６５に当接する場合とについて、それぞれ発生応力
を計算して比較した。

【００４５】その結果、熱歪みによるフランジ部上面の
応力は、図７の例では最大値４．６kgf/mm² であった
が、図１、２に示した実施例の場合には３．１kgf/mm²
に低減された。また、熱歪み＋内部真空によるフランジ
部の接合部内周の応力は、図７の例では最大値６．６kg
f/mm² であったが、図１、２に示した実施例の場合には
３．６kgf/mm² に低減された。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アウターチューブの材質をＣＶＤ膜と熱膨張率が近い炭
化ケイ素質材料としたことにより、アウターチューブ内
面に形成されたＣＶＤ膜が剥れにくくなり、ＣＶＤ膜が
ある程度厚くなるまでそのまま繰返し使用できるため、
ＣＶＤ膜を除去するための洗浄操作の回数を少なくし
て、製造の作業性を向上させることができる。

【００４７】また、アウターチューブは、主としてフラ
ンジ部のシールリングよりも内周の部分が、基台に直接
又は間接的に当接することにより支持されているので、
アウターチューブが熱変形しても、アウターチューブの
荷重がシールリングよりも内周で常に支持されるため、
フランジ部の外周及び上面にかかる引張り応力や、周壁
の下端部にかかる曲げ応力等が軽減され、アウターチュ
ーブの破損を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による低圧ＣＶＤ装置の一実施例を示す
要部断面図である。

【図２】同低圧ＣＶＤ装置の全体を示す正面断面図であ
る。

【図３】本発明による低圧ＣＶＤ装置に用いられるアウ
ターチューブの成形方法の他の例を示す断面図である。

【図４】本発明による低圧ＣＶＤ装置の他の実施例を示
す要部断面図である。

【図５】本発明による低圧ＣＶＤ装置の更に他の実施例
を示す要部断面図である。

【図６】従来の低圧ＣＶＤ装置の一例を示す断面図であ
る。

【図７】低圧ＣＶＤ装置においてアウターチューブを炭
化ケイ素質材料とした場合の問題点を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

５０ウエハボート６０低圧ＣＶＤ装置６３炉壁６４ヒータ６５基台６７ガス導入排出管６８シールリング６９突出部７１インナーチューブ７２アウターチューブ７２ａ周壁７２ｂ上壁７２ｃフランジ部７２ｄコーナー７２ｅ角部７２ｆ下面７２ｇ内周角部７３二重管７５環状の溝７６支持材７７板バネ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上下が開口された炭化ケイ素質材料から
なるインナーチューブと、このインナーチューブの外周
を所定の間隙を介して囲み、上部が閉塞され、下部が開
口され、下部外周にフランジ部が設けられたアウターチ
ューブと、前記インナーチューブ及び前記アウターチュ
ーブの下部を支持する基台と、前記アウターチューブの
前記フランジ部下面と前記基台との間に介在されたシー
ルリングと、この基台の中央部に設けた開口に対して開
閉可能に設けられた蓋体と、前記アウターチューブの外
周面及び上面を囲み、内側にヒータを設けた炉壁とを備
えた低圧ＣＶＤ装置において、前記アウターチューブが
炭化ケイ素質材料からなり、前記アウターチューブは、
主として前記フランジ部の前記シールリングよりも内周
の部分が、前記基台に直接又は間接的に当接することに
より支持されていることを特徴とする低圧ＣＶＤ装置。
【請求項２】前記基台の前記シールリングよりも内周
に、前記基台と一体又は別部材からなる、環状で断面が
曲面状の突出部が設けられており、この突出部に、前記
アウターチューブのフランジ部下面が当接支持されてい
る請求項１記載の低圧ＣＶＤ装置。
【請求項３】前記突出部が、環状で断面が円弧状の板
バネからなる請求項２記載の低圧ＣＶＤ装置。
【請求項４】前記基台の前記シールリングよりも外周
に、前記突出部よりも圧縮変形しやすい材質の環状の支
持材が設けられ、前記アウターチューブのフランジ部下
面は、前記突出部と、前記シールリングと、前記支持材
とに当接している請求項２又は３記載の低圧ＣＶＤ装
置。
【請求項５】前記アウターチューブのフランジ部下面
は、半径方向外方に向かうほど上方に傾斜するテーパ状
をなし、かつ、前記フランジ部下面の内周部が断面曲面
状に形成されていて、この曲面状部分が前記基台に直接
又は間接的に当接支持されている請求項１記載の低圧Ｃ
ＶＤ装置。
【請求項６】前記アウターチューブの外周面と前記フ
ランジ部との接合部のコーナーが鈍角又はＲ付となるよ
うに炭化ケイ素質材料が肉盛りされており、前記フラン
ジ部の角部が面取り又はＲ付に形成されている請求項１
〜５のいずれか１つに記載の低圧ＣＶＤ装置。