JPH1087394A - 気相成長装置用サセプタ - Google Patents
気相成長装置用サセプタInfo
- Publication number
- JPH1087394A JPH1087394A JP8261404A JP26140496A JPH1087394A JP H1087394 A JPH1087394 A JP H1087394A JP 8261404 A JP8261404 A JP 8261404A JP 26140496 A JP26140496 A JP 26140496A JP H1087394 A JPH1087394 A JP H1087394A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- vapor phase
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 91
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 15
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サセプタとウエーハの貼り付きに起因するヒ
ビ、割れがウエーハに発生することを防止する。 【解決手段】 半導体ウエーハ３を載置するための底面
と側壁を有する円形凹状のポケット２を形成した気相成
長装置用サセプタ１において、半導体ウエーハ３がポケ
ット２の側壁４と接触する位置及びその近傍のポケット
円周部に、突出部６が半導体ウエーハ３の面取り部の一
部を非接触で覆うように設けられる。
ビ、割れがウエーハに発生することを防止する。 【解決手段】 半導体ウエーハ３を載置するための底面
と側壁を有する円形凹状のポケット２を形成した気相成
長装置用サセプタ１において、半導体ウエーハ３がポケ
ット２の側壁４と接触する位置及びその近傍のポケット
円周部に、突出部６が半導体ウエーハ３の面取り部の一
部を非接触で覆うように設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は気相成長装置のサセ
プタに関し、特に半導体ウエーハを載置するポケットの
構造に関する。より詳しくは、半導体ウエーハに厚い単
結晶薄膜を形成する際のヒビ、割れ、及び貼り付きを防
止できる前記ポケットの構造に関する。
プタに関し、特に半導体ウエーハを載置するポケットの
構造に関する。より詳しくは、半導体ウエーハに厚い単
結晶薄膜を形成する際のヒビ、割れ、及び貼り付きを防
止できる前記ポケットの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】気相成長装置を用いて半導体ウエーハ
（以下「ウエーハ」と言う。）に単結晶薄膜を形成する
場合、サセプタにウエーハを載置して気相成長が行われ
る。図３はバレル型気相成長装置の一例を示す。図３に
おいて、反応管１１内にはウエーハ（図示せず。）をほ
ぼ直立した状態で載置する複数のポケット１３を備えた
サセプタ１２が懸下され、反応管１１の外部に設けたヒ
ータ１４により加熱するとともに反応管１１内に原料ガ
ス１５を導入してウエーハ上に薄膜を形成する。
（以下「ウエーハ」と言う。）に単結晶薄膜を形成する
場合、サセプタにウエーハを載置して気相成長が行われ
る。図３はバレル型気相成長装置の一例を示す。図３に
おいて、反応管１１内にはウエーハ（図示せず。）をほ
ぼ直立した状態で載置する複数のポケット１３を備えた
サセプタ１２が懸下され、反応管１１の外部に設けたヒ
ータ１４により加熱するとともに反応管１１内に原料ガ
ス１５を導入してウエーハ上に薄膜を形成する。
【０００３】サセプタ１２は、図４（ａ）に示すように
複数の側面１２ａを有する多角形錐台状であり、側面１
２ａに設けられた複数のポケット１３は円形凹状であ
り、ウエーハは、ポケット側壁の下部とポケットの底面
とで支持されてポケット１３内に載置される。
複数の側面１２ａを有する多角形錐台状であり、側面１
２ａに設けられた複数のポケット１３は円形凹状であ
り、ウエーハは、ポケット側壁の下部とポケットの底面
とで支持されてポケット１３内に載置される。
【０００４】この様に支持された状態で、例えば厚さ１
００μｍ程度のシリコン単結晶薄膜の気相成長を行う
と、図４（ｂ）に示すようにウエーハ３とサセプタ１２
の接触部分にシリコンが堆積して架橋９が発生し、ポケ
ット１３の側壁１６の下部とウエーハ面取り部との間に
貼り付きが生じる。そして、成長が終了して冷却過程に
入ると、サセプタとウエーハとでは冷却の進行具合及び
熱膨張率が異なるために、ウエーハの貼り付き部分に応
力が集中し、ヒビ、割れが発生してしまう。さらに、気
相成長したウエーハをポケットから取り出す際にもこの
貼り付き部分に応力が掛かり、ヒビ、割れが進行する。
００μｍ程度のシリコン単結晶薄膜の気相成長を行う
と、図４（ｂ）に示すようにウエーハ３とサセプタ１２
の接触部分にシリコンが堆積して架橋９が発生し、ポケ
ット１３の側壁１６の下部とウエーハ面取り部との間に
貼り付きが生じる。そして、成長が終了して冷却過程に
入ると、サセプタとウエーハとでは冷却の進行具合及び
熱膨張率が異なるために、ウエーハの貼り付き部分に応
力が集中し、ヒビ、割れが発生してしまう。さらに、気
相成長したウエーハをポケットから取り出す際にもこの
貼り付き部分に応力が掛かり、ヒビ、割れが進行する。
【０００５】このヒビや割れの発生を防止するため、サ
セプタとウエーハとで貼り付きが生じない様に工夫され
たポケットの構造がいくつか知られている。例えば、特
開平６−１１２１２６号公報に開示された装置は、図５
に示すように、ポケット１３にウエーハ３を載置する場
合において、ポケット内周の下半分において、ポケット
１３の中心を通る垂直線に対し左右対称となるよう突起
１７を設けることで、ウエーハ３をポケット１３の円弧
状内周面（内縁部）すなわちポケット１３の側壁１６と
離隔させた状態でポケット内に保持して単結晶薄膜の成
長を行うことができる様に構成され、ウエーハとサセプ
タとの貼り付きに起因するウエーハのヒビ、割れを防止
する。
セプタとウエーハとで貼り付きが生じない様に工夫され
たポケットの構造がいくつか知られている。例えば、特
開平６−１１２１２６号公報に開示された装置は、図５
に示すように、ポケット１３にウエーハ３を載置する場
合において、ポケット内周の下半分において、ポケット
１３の中心を通る垂直線に対し左右対称となるよう突起
１７を設けることで、ウエーハ３をポケット１３の円弧
状内周面（内縁部）すなわちポケット１３の側壁１６と
離隔させた状態でポケット内に保持して単結晶薄膜の成
長を行うことができる様に構成され、ウエーハとサセプ
タとの貼り付きに起因するウエーハのヒビ、割れを防止
する。
【０００６】また、特開平７−７４１１４号公報に開示
されたバレル型気相成長装置用サセプタは、上述したの
と同様にウエーハのポケットの下側壁に微小な突起を複
数個設けるとともに、ポケットの側壁と底面とのなす角
を鈍角に設定している。このような構成とすることによ
り、突起による効果に加え、ポケットの側壁と底面との
なす角を鈍角に設定することでポケット内のガス流れの
滞留が起きにくくなり、ウエーハとサセプタとの貼り付
きに起因するウエーハのヒビ、割れを防止しようとす
る。
されたバレル型気相成長装置用サセプタは、上述したの
と同様にウエーハのポケットの下側壁に微小な突起を複
数個設けるとともに、ポケットの側壁と底面とのなす角
を鈍角に設定している。このような構成とすることによ
り、突起による効果に加え、ポケットの側壁と底面との
なす角を鈍角に設定することでポケット内のガス流れの
滞留が起きにくくなり、ウエーハとサセプタとの貼り付
きに起因するウエーハのヒビ、割れを防止しようとす
る。
【０００７】一方、図６はパンケーキ型（縦型）気相成
長装置を示す。図６において、反応容器を構成するベル
ジャ２０内にはウエーハ３をほぼ水平に載置するポケッ
ト２４を備えたパンケーキ状（円板状）のサセプタ２１
が収容されており、サセプタ２１の下に設けられたヒー
タ２２を介してサセプタ２１を加熱してその上に載置さ
れたウエーハ３を間接的に加熱しながら、原料ガス２３
を供給することによりウエーハ３上に単結晶薄膜を形成
する。
長装置を示す。図６において、反応容器を構成するベル
ジャ２０内にはウエーハ３をほぼ水平に載置するポケッ
ト２４を備えたパンケーキ状（円板状）のサセプタ２１
が収容されており、サセプタ２１の下に設けられたヒー
タ２２を介してサセプタ２１を加熱してその上に載置さ
れたウエーハ３を間接的に加熱しながら、原料ガス２３
を供給することによりウエーハ３上に単結晶薄膜を形成
する。
【０００８】上記パンケーキ型（縦型）気相成長装置に
おいては、ウエーハ３はサセプタ２１を介して裏面側か
ら加熱されるので、ウエーハの表裏で温度差を生じ、裏
面が主表面より大きく熱膨張する。その結果、ウエーハ
が凹形に反り、この熱応力によってスリップが発生す
る。このスリップの発生を防止するため、特開昭５３−
７８７６５号公報及び特開平５−２３８８８２号公報で
は、ポケット内に突起を設けたサセプタが提案されてい
る。
おいては、ウエーハ３はサセプタ２１を介して裏面側か
ら加熱されるので、ウエーハの表裏で温度差を生じ、裏
面が主表面より大きく熱膨張する。その結果、ウエーハ
が凹形に反り、この熱応力によってスリップが発生す
る。このスリップの発生を防止するため、特開昭５３−
７８７６５号公報及び特開平５−２３８８８２号公報で
は、ポケット内に突起を設けたサセプタが提案されてい
る。
【０００９】ところで、上記パンケーキ型の気相成長装
置においては、図７に示すようにウエーハ３とサセプタ
２１の側壁２５との接触点がサセプタ２１の回転に応じ
て可動であるので、バレル型気相成長装置に比較して貼
り付きの発生が少ない。
置においては、図７に示すようにウエーハ３とサセプタ
２１の側壁２５との接触点がサセプタ２１の回転に応じ
て可動であるので、バレル型気相成長装置に比較して貼
り付きの発生が少ない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、薄膜の気相成
長において、ウエーハの貼り付きによるヒビ、割れが必
ずしも防止できていないのが現状である。ことに近年、
ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌ
ａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）用を初め高耐圧大電流素
子用のウエーハとして、厚い単結晶薄膜を有するウエー
ハの需要が多く、特に気相成長する薄膜が１５０μｍ以
上の厚みを持つウエーハの需要が増えてきており、それ
に伴いこれらのウエーハの気相成長における貼り付きが
問題となっている。
長において、ウエーハの貼り付きによるヒビ、割れが必
ずしも防止できていないのが現状である。ことに近年、
ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌ
ａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）用を初め高耐圧大電流素
子用のウエーハとして、厚い単結晶薄膜を有するウエー
ハの需要が多く、特に気相成長する薄膜が１５０μｍ以
上の厚みを持つウエーハの需要が増えてきており、それ
に伴いこれらのウエーハの気相成長における貼り付きが
問題となっている。
【００１１】すなわち、この様に単結晶薄膜が非常に厚
いウエーハを製造する場合、上述の特開平６−１１２１
２６号公報及び特開平７−７４１１４号公報に開示され
るようなバレル型気相成長装置用サセプタの構造であっ
ても、図５（ｂ）に示すようにポケット１３内の突起部
１７とウエーハ３の面取り部との間にシリコンが堆積す
ることにより強固な架橋９が発生してヒビ、割れを充分
に防止できなくなってきた。つまり、ポケット内に突起
部を設けてウエーハの面取り部との接触部分を微小にし
ても、１５０μｍ以上の厚い単結晶薄膜を形成する間に
架橋９が強固に発達し、前記接触部分での貼り付きを生
ずるのである。そして、気相成長後にウエーハをポケッ
トから取り出す際にこの微小な貼り付き部分で応力がか
かり、突起部からヒビ、割れが生じたりする。
いウエーハを製造する場合、上述の特開平６−１１２１
２６号公報及び特開平７−７４１１４号公報に開示され
るようなバレル型気相成長装置用サセプタの構造であっ
ても、図５（ｂ）に示すようにポケット１３内の突起部
１７とウエーハ３の面取り部との間にシリコンが堆積す
ることにより強固な架橋９が発生してヒビ、割れを充分
に防止できなくなってきた。つまり、ポケット内に突起
部を設けてウエーハの面取り部との接触部分を微小にし
ても、１５０μｍ以上の厚い単結晶薄膜を形成する間に
架橋９が強固に発達し、前記接触部分での貼り付きを生
ずるのである。そして、気相成長後にウエーハをポケッ
トから取り出す際にこの微小な貼り付き部分で応力がか
かり、突起部からヒビ、割れが生じたりする。
【００１２】また、パンケーキ型の気相成長装置でも、
図８に示すようにポケット２４の側壁２５でウエーハ３
が接触して架橋９が発生し、貼り付きを起こしてウエー
ハ３のヒビ、割れが生ずることがある。これは、図７に
示すように、サセプタ２１が回転することによりウエー
ハ３に遠心力が働き、ウエーハ３がサセプタ２１の外周
側へ移動し、ウエーハ３がポケット２４の側壁２５と接
触するからである。
図８に示すようにポケット２４の側壁２５でウエーハ３
が接触して架橋９が発生し、貼り付きを起こしてウエー
ハ３のヒビ、割れが生ずることがある。これは、図７に
示すように、サセプタ２１が回転することによりウエー
ハ３に遠心力が働き、ウエーハ３がサセプタ２１の外周
側へ移動し、ウエーハ３がポケット２４の側壁２５と接
触するからである。
【００１３】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、バレル型気相成長装置用サセプタにお
いて、単結晶薄膜が非常に厚いウエーハを気相成長する
際、サセプタとウエーハの貼り付きに起因するヒビ、割
れがウエーハに発生するのを防止することができるサセ
プタのポケット構造を提供することにある。
で、その目的は、バレル型気相成長装置用サセプタにお
いて、単結晶薄膜が非常に厚いウエーハを気相成長する
際、サセプタとウエーハの貼り付きに起因するヒビ、割
れがウエーハに発生するのを防止することができるサセ
プタのポケット構造を提供することにある。
【００１４】また、同様にパンケーキ型（縦型）の気相
成長装置用サセプタにおいても、サセプタとウエーハの
貼り付きに起因するヒビ、割れがウエーハに発生するの
を防止することができるサセプタのポケット構造を提供
することにある。
成長装置用サセプタにおいても、サセプタとウエーハの
貼り付きに起因するヒビ、割れがウエーハに発生するの
を防止することができるサセプタのポケット構造を提供
することにある。
【００１５】
【課題を解決する為の手段】本願の請求項１記載の発明
は、半導体ウエーハを載置するための底面と側壁を有す
る円形凹状のポケットを形成した気相成長装置用サセプ
タにおいて、前記半導体ウエーハが前記ポケットの側壁
と接触する位置及びその近傍のポケット円周部に、突出
部が前記半導体ウエーハの面取り部の一部を非接触で覆
うように設けられたことを特徴とする気相成長装置用サ
セプタを提供する。
は、半導体ウエーハを載置するための底面と側壁を有す
る円形凹状のポケットを形成した気相成長装置用サセプ
タにおいて、前記半導体ウエーハが前記ポケットの側壁
と接触する位置及びその近傍のポケット円周部に、突出
部が前記半導体ウエーハの面取り部の一部を非接触で覆
うように設けられたことを特徴とする気相成長装置用サ
セプタを提供する。
【００１６】本願の請求項２記載の発明は、請求項１記
載のサセプタにおいて、前記突出部は、前記ポケットの
底面と該底面側に面する該突出部の側面との成す角度が
鋭角となるように設けられたことを特徴とする気相成長
装置用サセプタを提供する。
載のサセプタにおいて、前記突出部は、前記ポケットの
底面と該底面側に面する該突出部の側面との成す角度が
鋭角となるように設けられたことを特徴とする気相成長
装置用サセプタを提供する。
【００１７】本願の請求項３記載の発明は、請求項２記
載のサセプタにおいて、前記突出部の前記側面と前記ポ
ケットの底面との成す角度が４０〜８０°であることを
特徴とする気相成長装置用サセプタを提供する。
載のサセプタにおいて、前記突出部の前記側面と前記ポ
ケットの底面との成す角度が４０〜８０°であることを
特徴とする気相成長装置用サセプタを提供する。
【００１８】本願の請求項４記載の発明は、請求項２記
載のサセプタにおいて、前記突出部の前記側面と前記ポ
ケットの底面との成す角度が６０〜７５°であることを
特徴とする気相成長装置用サセプタを提供する。
載のサセプタにおいて、前記突出部の前記側面と前記ポ
ケットの底面との成す角度が６０〜７５°であることを
特徴とする気相成長装置用サセプタを提供する。
【００１９】本願の請求項５記載の発明は、請求項１〜
４のいずれか記載のサセプタにおいて、前記突出部の高
さは０．１〜０．３ｍｍであることを特徴とする気相成
長装置用サセプタを提供する。
４のいずれか記載のサセプタにおいて、前記突出部の高
さは０．１〜０．３ｍｍであることを特徴とする気相成
長装置用サセプタを提供する。
【００２０】本願の請求項６記載の発明は、請求項１〜
５のいずれか記載のサセプタにおいて、前記半導体ウエ
ーハはほぼ直立した状態で前記ポケット内に載置される
ことを特徴とする気相成長装置用サセプタを提供する。
５のいずれか記載のサセプタにおいて、前記半導体ウエ
ーハはほぼ直立した状態で前記ポケット内に載置される
ことを特徴とする気相成長装置用サセプタを提供する。
【００２１】本願の請求項７記載の発明は、請求項１〜
５のいずれか記載のサセプタにおいて、前記半導体ウエ
ーハはほぼ水平の状態で前記ポケット内に載置されるこ
とを特徴とする気相成長装置用サセプタを提供する。
５のいずれか記載のサセプタにおいて、前記半導体ウエ
ーハはほぼ水平の状態で前記ポケット内に載置されるこ
とを特徴とする気相成長装置用サセプタを提供する。
【００２２】本願の請求項８記載の発明は、請求項１〜
７のいずれか記載のサセプタにおいて、前記半導体ウエ
ーハはシリコン単結晶ウエーハであることを特徴とする
気相成長装置用サセプタを提供する。
７のいずれか記載のサセプタにおいて、前記半導体ウエ
ーハはシリコン単結晶ウエーハであることを特徴とする
気相成長装置用サセプタを提供する。
【００２３】本願の請求項９記載の発明は、請求項１〜
８のいずれか記載のサセプタにおいて、前記ポケットの
側壁には微小な突起が複数個設けられていることを特徴
とする気相成長装置用サセプタを提供する。
８のいずれか記載のサセプタにおいて、前記ポケットの
側壁には微小な突起が複数個設けられていることを特徴
とする気相成長装置用サセプタを提供する。
【００２４】本願の請求項１０記載の発明は、請求項１
〜９のいずれか記載のサセプタにおいて、前記突出部
は、前記ポケットの円周部に、全円周の１／１２以上１
／４以下の領域で前記半導体ウエーハの面取り部の一部
を覆うように設けられたことを特徴とする気相成長装置
用サセプタを提供する。
〜９のいずれか記載のサセプタにおいて、前記突出部
は、前記ポケットの円周部に、全円周の１／１２以上１
／４以下の領域で前記半導体ウエーハの面取り部の一部
を覆うように設けられたことを特徴とする気相成長装置
用サセプタを提供する。
【００２５】本願の請求項１１記載の発明は、請求項１
〜１０のいずれか記載のサセプタにおいて、前記ポケッ
トの側壁近傍の底面に溝が設けられたことを特徴とする
気相成長装置用サセプタを提供する。
〜１０のいずれか記載のサセプタにおいて、前記ポケッ
トの側壁近傍の底面に溝が設けられたことを特徴とする
気相成長装置用サセプタを提供する。
【００２６】本願の請求項１２記載の発明は、シリコン
単結晶ウエーハをほぼ直立した状態で載置するための底
面と側壁を有する円形凹状のポケットを形成したバレル
型気相成長装置用サセプタにおいて、前記シリコン単結
晶ウエーハが前記ポケットの側壁と接触する位置及びそ
の近傍のポケット円周部下部に、高さ０．１〜０．３ｍ
ｍで且つポケット底面に面する側面がポケット底面と成
す角度が６０〜７５°である突出部が、該シリコン単結
晶ウエーハの面取り部の一部を非接触で覆うように設け
られたことを特徴とするバレル型気相成長装置用サセプ
タを提供する。
単結晶ウエーハをほぼ直立した状態で載置するための底
面と側壁を有する円形凹状のポケットを形成したバレル
型気相成長装置用サセプタにおいて、前記シリコン単結
晶ウエーハが前記ポケットの側壁と接触する位置及びそ
の近傍のポケット円周部下部に、高さ０．１〜０．３ｍ
ｍで且つポケット底面に面する側面がポケット底面と成
す角度が６０〜７５°である突出部が、該シリコン単結
晶ウエーハの面取り部の一部を非接触で覆うように設け
られたことを特徴とするバレル型気相成長装置用サセプ
タを提供する。
【００２７】前記突出部についてより詳述すれば、該突
出部はポケット内に収容されたウエーハ面取り部の一部
を非接触で覆うように形成され、特にウエーハとポケッ
ト側壁の接触部分及びその近傍で気相成長時に架橋の発
生しやすい部分を覆うように形成されている。ここで架
橋の発生しやすい部分とは、ウエーハと側壁との間隔が
０．５ｍｍ以下の部分である。
出部はポケット内に収容されたウエーハ面取り部の一部
を非接触で覆うように形成され、特にウエーハとポケッ
ト側壁の接触部分及びその近傍で気相成長時に架橋の発
生しやすい部分を覆うように形成されている。ここで架
橋の発生しやすい部分とは、ウエーハと側壁との間隔が
０．５ｍｍ以下の部分である。
【００２８】上述の構成により、気相成長の際に原料ガ
スがウエーハとサセプタの接触部分及びその近傍の架橋
の発生しやすい部分にほとんど供給されない為、架橋が
発生しないか又は架橋が発生しても強固に発達すること
が無い。従って、サセプタとウエーハとの間で貼り付き
を生じることが無く、貼り付きに起因するヒビ又は割れ
がウエーハに発生するのを防止できる。
スがウエーハとサセプタの接触部分及びその近傍の架橋
の発生しやすい部分にほとんど供給されない為、架橋が
発生しないか又は架橋が発生しても強固に発達すること
が無い。従って、サセプタとウエーハとの間で貼り付き
を生じることが無く、貼り付きに起因するヒビ又は割れ
がウエーハに発生するのを防止できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の構成及び作用・効
果を、図面に示す実施の形態により気相成長装置のタイ
プごとに説明する。
果を、図面に示す実施の形態により気相成長装置のタイ
プごとに説明する。
【００３０】まず、バレル型気相成長装置のサセプタの
場合について説明する。図１は本実施態様のサセプタの
ポケットの要部を示し、（ａ）は側断面図、（ｂ）は平
面図である。本実施態様のサセプタ１の全体構成は図４
に示した従来のサセプタと同様であり、表面が炭化ケイ
素ＳｉＣで被覆された六角錐台状のカーボン製サセプタ
である。サセプタ１の側壁面に上下２段に円形凹部状の
ポケット２が形成され、ポケット２の側壁４の少なくと
も一部に突出部６が形成されている。ウエーハ３はその
下部でポケット２の側壁４と接触し、その裏面でポケッ
ト２の底面５と接触しているが、突出部６には接触しな
いように載置される。
場合について説明する。図１は本実施態様のサセプタの
ポケットの要部を示し、（ａ）は側断面図、（ｂ）は平
面図である。本実施態様のサセプタ１の全体構成は図４
に示した従来のサセプタと同様であり、表面が炭化ケイ
素ＳｉＣで被覆された六角錐台状のカーボン製サセプタ
である。サセプタ１の側壁面に上下２段に円形凹部状の
ポケット２が形成され、ポケット２の側壁４の少なくと
も一部に突出部６が形成されている。ウエーハ３はその
下部でポケット２の側壁４と接触し、その裏面でポケッ
ト２の底面５と接触しているが、突出部６には接触しな
いように載置される。
【００３１】ポケット２の側壁４の一部に形成された突
出部６において、ポケット２の側壁４からの該突出部の
高さＨ1は０．１〜０．３ｍｍ程度の範囲にあり、ま
た、突出部６がポケット２の底面５と面する側面６ａと
ポケット２の底面５との成す角θ1は鋭角に設定され、
その角度は４０〜８０°の範囲にあり、特に６０〜７５
°の範囲が好ましい。
出部６において、ポケット２の側壁４からの該突出部の
高さＨ1は０．１〜０．３ｍｍ程度の範囲にあり、ま
た、突出部６がポケット２の底面５と面する側面６ａと
ポケット２の底面５との成す角θ1は鋭角に設定され、
その角度は４０〜８０°の範囲にあり、特に６０〜７５
°の範囲が好ましい。
【００３２】ここで、ウエーハ上に非常に厚いシリコン
薄膜を気相成長する場合において、前記突出部６の高さ
Ｈ1ならびに突出部６の側面６ａとポケット２の底面５
との成す角θ1が上述の範囲にあるのが好ましい理由を
述べる。すなわち、突出部６の高さＨ1が高すぎたり、
または角度θ1が４０°より小さいと、ポケット２にウ
エーハ３を出し入れする際に、ウエーハ３がポケット２
の突出部６と接触する確率が高くなって気相成長後のウ
エーハ３に輝点が多発する恐れがある。また、突出部６
の高さＨ1が低すぎたり、または角度θ1が８０°より大
きいと、厚い薄膜を形成する間に原料ガスがウエーハ３
とポケット２の側壁４との接触部及びその近傍に回り込
む量が増えるので、シリコンの堆積による架橋が発達
し、気相成長後にウエーハ３をポケット２から取り出す
際に、貼り付きによるヒビ又は割れが発生するからであ
る。
薄膜を気相成長する場合において、前記突出部６の高さ
Ｈ1ならびに突出部６の側面６ａとポケット２の底面５
との成す角θ1が上述の範囲にあるのが好ましい理由を
述べる。すなわち、突出部６の高さＨ1が高すぎたり、
または角度θ1が４０°より小さいと、ポケット２にウ
エーハ３を出し入れする際に、ウエーハ３がポケット２
の突出部６と接触する確率が高くなって気相成長後のウ
エーハ３に輝点が多発する恐れがある。また、突出部６
の高さＨ1が低すぎたり、または角度θ1が８０°より大
きいと、厚い薄膜を形成する間に原料ガスがウエーハ３
とポケット２の側壁４との接触部及びその近傍に回り込
む量が増えるので、シリコンの堆積による架橋が発達
し、気相成長後にウエーハ３をポケット２から取り出す
際に、貼り付きによるヒビ又は割れが発生するからであ
る。
【００３３】上記突出部６は、架橋が発生しやすい部分
を覆うように形成されている。具体的には、図１（ｂ）
に示すように、ウエーハ３の下部とポケット２の側壁４
とにおいて、両者の接触部及び両者の隙間が狭い部分を
突出部６で覆っている。この円弧状に形成された突出部
６は、ポケット中心に対して３０°以上、すなわち全円
周の１／１２以上の中心角φ1を持つのが好ましい。
を覆うように形成されている。具体的には、図１（ｂ）
に示すように、ウエーハ３の下部とポケット２の側壁４
とにおいて、両者の接触部及び両者の隙間が狭い部分を
突出部６で覆っている。この円弧状に形成された突出部
６は、ポケット中心に対して３０°以上、すなわち全円
周の１／１２以上の中心角φ1を持つのが好ましい。
【００３４】次に、図２はバレル型気相成長装置用サセ
プタの別の実施形態を示す。本実施形態では、図１の実
施形態において、突出部６が形成される領域に対応する
ポケット底面５部分に溝８を形成したものである。この
溝８を形成することで、ポケットにウエーハを装着し易
くなるという効果がある。
プタの別の実施形態を示す。本実施形態では、図１の実
施形態において、突出部６が形成される領域に対応する
ポケット底面５部分に溝８を形成したものである。この
溝８を形成することで、ポケットにウエーハを装着し易
くなるという効果がある。
【００３５】次に、パンケーキ型気相成長装置のサセプ
タの場合について説明する。図９は本実施態様のサセプ
タの平面図、図１０はそのポケット部分を示す側断面図
である。本実施態様のサセプタ２１の全体構成は図７に
示した従来のサセプタと同様であり、表面が炭化ケイ素
ＳｉＣで被覆されたパンケーキ状（円板状）のカーボン
製サセプタの上面に、均等間隔で円形凹状のポケット２
４が形成され、ポケット２４の側壁２５の一部に突出部
２６が形成されている。
タの場合について説明する。図９は本実施態様のサセプ
タの平面図、図１０はそのポケット部分を示す側断面図
である。本実施態様のサセプタ２１の全体構成は図７に
示した従来のサセプタと同様であり、表面が炭化ケイ素
ＳｉＣで被覆されたパンケーキ状（円板状）のカーボン
製サセプタの上面に、均等間隔で円形凹状のポケット２
４が形成され、ポケット２４の側壁２５の一部に突出部
２６が形成されている。
【００３６】パンケーキ型の気相成長装置用サセプタに
おいては、ウエーハ３とサセプタ２１の側壁２５との接
触点がサセプタ２１の回転に応じて可動であるので、バ
レル型気相成長装置用サセプタの場合に比較して貼り付
きの発生が少ない。しかし、バレル型気相成長装置用サ
セプタの場合と同様に、ウエーハ３がポケット２４の側
壁２５と接触する位置及びその近傍に、突出部２６をウ
エーハ３の面取り部の一部を覆うように形成することに
より、貼り付きに起因するヒビ又は割れがウエーハ３に
発生するのを防止できる。
おいては、ウエーハ３とサセプタ２１の側壁２５との接
触点がサセプタ２１の回転に応じて可動であるので、バ
レル型気相成長装置用サセプタの場合に比較して貼り付
きの発生が少ない。しかし、バレル型気相成長装置用サ
セプタの場合と同様に、ウエーハ３がポケット２４の側
壁２５と接触する位置及びその近傍に、突出部２６をウ
エーハ３の面取り部の一部を覆うように形成することに
より、貼り付きに起因するヒビ又は割れがウエーハ３に
発生するのを防止できる。
【００３７】パンケーキ型の気相成長装置用サセプタに
おける突出部２６の形状等の条件は、バレル型の気相成
長装置用サセプタと同様である。
おける突出部２６の形状等の条件は、バレル型の気相成
長装置用サセプタと同様である。
【００３８】なお、上記バレル型あるいはパンケーキ型
の気相成長装置用サセプタにおいては、上記突出部に加
え、複数の微小な突起をポケットの側壁に設けてもよ
い。
の気相成長装置用サセプタにおいては、上記突出部に加
え、複数の微小な突起をポケットの側壁に設けてもよ
い。
【００３９】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図５に示し
た特開平６−１１２１２６号のサセプタを比較例として
対比しながら説明する。図４（ａ）及び（ｃ）に示す七
角錐台状のサセプタにおいて、その全７面のうち３面
に、実施例として図１に示すような突出部を有するポケ
ットＡを形成した。また、他の４面には、比較例として
図５に示した突起部を有するポケットＢを形成したが、
内３面を本実施例に使用した。
た特開平６−１１２１２６号のサセプタを比較例として
対比しながら説明する。図４（ａ）及び（ｃ）に示す七
角錐台状のサセプタにおいて、その全７面のうち３面
に、実施例として図１に示すような突出部を有するポケ
ットＡを形成した。また、他の４面には、比較例として
図５に示した突起部を有するポケットＢを形成したが、
内３面を本実施例に使用した。
【００４０】ここで、実施例のポケットＡと比較例のポ
ケットＢとは、ポケット側壁に形成される突出部又は突
起の有無のみが違うだけであり、両者共通してポケット
底面のサセプタ上面１ａに対する深さが１．４ｍｍ、ポ
ケット底面の直径が１０４ｍｍである。ポケットＡの突
出部の形状は、高さＨ1が０．１５ｍｍ、上面長さＬ1が
０．３ｍｍ、底面長さＬ2が０．５６ｍｍ、角度θ1が６
０°、角度φ1が９０°である。一方、ポケットＢの突
起の形状は、角度θ2が９０°、高さＨ2が０．３ｍｍ、
角度φ2が６０°である。
ケットＢとは、ポケット側壁に形成される突出部又は突
起の有無のみが違うだけであり、両者共通してポケット
底面のサセプタ上面１ａに対する深さが１．４ｍｍ、ポ
ケット底面の直径が１０４ｍｍである。ポケットＡの突
出部の形状は、高さＨ1が０．１５ｍｍ、上面長さＬ1が
０．３ｍｍ、底面長さＬ2が０．５６ｍｍ、角度θ1が６
０°、角度φ1が９０°である。一方、ポケットＢの突
起の形状は、角度θ2が９０°、高さＨ2が０．３ｍｍ、
角度φ2が６０°である。
【００４１】上記サセプタの各ポケットにシリコン単結
晶ウエーハを載置し、バレル型気相成長装置にて厚さ２
００μｍのシリコン単結晶薄膜（以下「薄膜」と言
う。）を形成する実験を行った。ＣＺ法により製造され
たシリコン単結晶ウエーハ（以下「ウエーハ」と言
う。）として、直径１００ｍｍ、ｐ型、軸方位＜１００
＞、厚さ４００μｍ、裏面にＣＶＤ酸化膜付き（面取り
部は該膜が無し）を用い、１バッチ１２枚をポケットＡ
とポケットＢにそれぞれ６枚ずつ仕込んだ。原料ガスと
してトリクロルシラン、キャリアガスとして水素を用い
た。また、反応温度は１１３０℃、気相成長速度は１．
５μｍ／ｍｉｎとした。このようにして合計１０バッ
チ、計１２０枚のウエーハに薄膜を気相成長させた。
晶ウエーハを載置し、バレル型気相成長装置にて厚さ２
００μｍのシリコン単結晶薄膜（以下「薄膜」と言
う。）を形成する実験を行った。ＣＺ法により製造され
たシリコン単結晶ウエーハ（以下「ウエーハ」と言
う。）として、直径１００ｍｍ、ｐ型、軸方位＜１００
＞、厚さ４００μｍ、裏面にＣＶＤ酸化膜付き（面取り
部は該膜が無し）を用い、１バッチ１２枚をポケットＡ
とポケットＢにそれぞれ６枚ずつ仕込んだ。原料ガスと
してトリクロルシラン、キャリアガスとして水素を用い
た。また、反応温度は１１３０℃、気相成長速度は１．
５μｍ／ｍｉｎとした。このようにして合計１０バッ
チ、計１２０枚のウエーハに薄膜を気相成長させた。
【００４２】上述の気相成長後、ウエーハの面取り部を
顕微鏡を用いて綿密に観察したところ、実施例のポケッ
トＡで製造したウエーハ６０枚全てについて、ヒビ又は
割れの発生したものは存在しなかった。これに比較し
て、ポケットＢで製造したウエーハ６０枚について、う
ち５枚に割れが発生し、６０枚全てにヒビが存在してい
た。ここで割れとは、ウエーハの一部が完全に欠落した
状態を言い、ヒビとは、ウエーハの一部に亀裂が入った
状態を言う。
顕微鏡を用いて綿密に観察したところ、実施例のポケッ
トＡで製造したウエーハ６０枚全てについて、ヒビ又は
割れの発生したものは存在しなかった。これに比較し
て、ポケットＢで製造したウエーハ６０枚について、う
ち５枚に割れが発生し、６０枚全てにヒビが存在してい
た。ここで割れとは、ウエーハの一部が完全に欠落した
状態を言い、ヒビとは、ウエーハの一部に亀裂が入った
状態を言う。
【００４３】
【発明の効果】本発明の半導体気相成長装置用サセプタ
においては、半導体ウエーハを載置するポケットの円周
部に円弧状の突出部を形成し、該突出部が前記半導体ウ
エーハの面取り部の一部を非接触で覆うように構成した
ので、気相成長の際に原料ガスがウエーハとサセプタの
接触部分及びその近傍の架橋の発生しやすい部分にほと
んど供給されない為、非常に厚い薄膜を気相成長する場
合においても架橋が発生しないか又は架橋が発生しても
強固に発達することが無い。従って、サセプタとウエー
ハとの間で貼り付きを生じることが無く、貼り付きに起
因するヒビ又は割れがウエーハに発生することを防止で
きる。
においては、半導体ウエーハを載置するポケットの円周
部に円弧状の突出部を形成し、該突出部が前記半導体ウ
エーハの面取り部の一部を非接触で覆うように構成した
ので、気相成長の際に原料ガスがウエーハとサセプタの
接触部分及びその近傍の架橋の発生しやすい部分にほと
んど供給されない為、非常に厚い薄膜を気相成長する場
合においても架橋が発生しないか又は架橋が発生しても
強固に発達することが無い。従って、サセプタとウエー
ハとの間で貼り付きを生じることが無く、貼り付きに起
因するヒビ又は割れがウエーハに発生することを防止で
きる。
【００４４】さらに、該突出部とポケット底面との成す
角度や突出部の高さを限定することにより、ウエーハを
ポケット内へ装着する際に突出部と接触したり、ウエー
ハ上に輝点が発生することを防止できる。
角度や突出部の高さを限定することにより、ウエーハを
ポケット内へ装着する際に突出部と接触したり、ウエー
ハ上に輝点が発生することを防止できる。
【図１】本発明のバレル型気相成長装置用サセプタの一
実施態様を示し、（ａ）はポケット部分の側断面図、
（ｂ）は平面図である。
実施態様を示し、（ａ）はポケット部分の側断面図、
（ｂ）は平面図である。
【図２】本発明のバレル型気相成長装置用サセプタのポ
ケット部分の他の実施態様を示す概略断面図である。
ケット部分の他の実施態様を示す概略断面図である。
【図３】バレル型気相成長装置の一例を示す概略断面図
である。
である。
【図４】（ａ）はバレル型気相成長装置用サセプタの一
例を示す斜視図である。（ｂ）は架橋の発生した様子を
示す概念図である。（ｃ）はバレル型気相成長装置用サ
セプタの概略展開図である。
例を示す斜視図である。（ｂ）は架橋の発生した様子を
示す概念図である。（ｃ）はバレル型気相成長装置用サ
セプタの概略展開図である。
【図５】従来のバレル型気相成長装置用サセプタのポケ
ット部分の一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側断
面図である。
ット部分の一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側断
面図である。
【図６】パンケーキ型気相成長装置の一例を示す概略断
面図である。
面図である。
【図７】パンケーキ型気相成長装置用サセプタの一例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】パンケーキ型気相成長装置用サセプタのポケッ
ト部分を示す概略断面図である。
ト部分を示す概略断面図である。
【図９】本発明のパンケーキ型気相成長装置用サセプタ
の一実施態様を示す平面図である。
の一実施態様を示す平面図である。
【図１０】図９のパンケーキ型気相成長装置用サセプタ
のポケット部分を示す概略断面図である。
のポケット部分を示す概略断面図である。
１ サセプタ ２ ポケット ４ ポケット側壁 ５ ポケット底面 ６ 突出部 ６ａ 突出部側面 ８ 溝
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体ウエーハを載置するための底面と
側壁を有する円形凹状のポケットを形成した気相成長装
置用サセプタにおいて、前記半導体ウエーハが前記ポケ
ットの側壁と接触する位置及びその近傍のポケット円周
部に、突出部が前記半導体ウエーハの面取り部の一部を
非接触で覆うように設けられたことを特徴とする気相成
長装置用サセプタ。 - 【請求項２】 前記突出部は、前記ポケットの底面と該
底面側に面する該突出部の側面との成す角度が鋭角とな
るように設けられたことを特徴とする請求項１記載の気
相成長装置用サセプタ。 - 【請求項３】 前記突出部の前記側面と前記ポケットの
底面との成す角度が４０〜８０°であることを特徴とす
る請求項２記載の気相成長装置用サセプタ。 - 【請求項４】 前記突出部の前記側面と前記ポケットの
底面との成す角度が６０〜７５°であることを特徴とす
る請求項２記載の気相成長装置用サセプタ。 - 【請求項５】 前記突出部の高さは０．１〜０．３ｍｍ
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の
気相成長装置用サセプタ。 - 【請求項６】 前記半導体ウエーハはほぼ直立した状態
で前記ポケット内に載置されることを特徴とする請求項
１〜５のいずれか記載の気相成長装置用サセプタ。 - 【請求項７】 前記半導体ウエーハはほぼ水平の状態で
前記ポケット内に載置されることを特徴とする請求項１
〜５のいずれか記載の気相成長装置用サセプタ。 - 【請求項８】 前記半導体ウエーハはシリコン単結晶ウ
エーハであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか
記載の気相成長装置用サセプタ。 - 【請求項９】 前記ポケットの側壁には微小な突起が複
数個設けられていることを特徴とする請求項１〜８のい
ずれか記載の気相成長装置用サセプタ。 - 【請求項１０】 前記突出部は、前記ポケットの円周部
に、全円周の１／１２以上１／４以下の領域で前記半導
体ウエーハの面取り部の一部を覆うように設けられたこ
とを特徴とする請求項１〜９のいずれか記載の気相成長
装置用サセプタ。 - 【請求項１１】 前記ポケットの側壁近傍の底面に溝が
設けられたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか
記載の気相成長装置用サセプタ。 - 【請求項１２】 シリコン単結晶ウエーハをほぼ直立し
た状態で載置するための底面と側壁を有する円形凹状の
ポケットを形成したバレル型気相成長装置用サセプタに
おいて、前記シリコン単結晶ウエーハが前記ポケットの
側壁と接触する位置及びその近傍のポケット円周部下部
に、高さ０．１〜０．３ｍｍで且つポケット底面に面す
る側面がポケット底面と成す角度が６０〜７５°である
突出部が、該シリコン単結晶ウエーハの面取り部の一部
を非接触で覆うように設けられたことを特徴とするバレ
ル型気相成長装置用サセプタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26140496A JP3596710B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 気相成長装置用サセプタ |
| TW086110686A TW391999B (en) | 1996-09-10 | 1997-07-26 | A susceptor for a gas phase growth apparatus |
| KR1019970040857A KR19980024177A (ko) | 1996-09-10 | 1997-08-26 | 기상성장장치용 서셉터 |
| US08/924,511 US5785764A (en) | 1996-09-10 | 1997-09-05 | Susceptor for a gas phase growth apparatus |
| EP97115651A EP0829560A3 (en) | 1996-09-10 | 1997-09-09 | A susceptor for a gas phase growth apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26140496A JP3596710B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 気相成長装置用サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1087394A true JPH1087394A (ja) | 1998-04-07 |
| JP3596710B2 JP3596710B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=17361406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26140496A Expired - Fee Related JP3596710B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 気相成長装置用サセプタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5785764A (ja) |
| EP (1) | EP0829560A3 (ja) |
| JP (1) | JP3596710B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980024177A (ja) |
| TW (1) | TW391999B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100885382B1 (ko) | 2007-11-28 | 2009-02-23 | 주식회사 실트론 | 서셉터 |
| JP2012501541A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
| WO2013094491A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 株式会社ブリヂストン | ウエハホルダ |
| JP2014525135A (ja) * | 2011-05-27 | 2014-09-25 | クリスタル・ソーラー・インコーポレーテッド | エピタキシャル堆積によるシリコンウェハ |
| JP2017510088A (ja) * | 2014-01-27 | 2017-04-06 | ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド | 化学蒸着システム用の複合半径を有する保持ポケットを有するウェハキャリア |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228297B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-05-08 | Rohm And Haas Company | Method for producing free-standing silicon carbide articles |
| US7381276B2 (en) * | 2002-07-16 | 2008-06-03 | International Business Machines Corporation | Susceptor pocket with beveled projection sidewall |
| US20050016466A1 (en) * | 2003-07-23 | 2005-01-27 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with raised tabs for semiconductor wafer processing |
| KR20070093493A (ko) * | 2006-03-14 | 2007-09-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 서셉터 및 반도체 제조장치 |
| US20080314319A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage |
| US8404049B2 (en) * | 2007-12-27 | 2013-03-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity |
| JP5092975B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-12-05 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US20100098519A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH492800A (de) * | 1968-06-20 | 1970-06-30 | Centre Electron Horloger | Anordnung mit einem Susceptor und einem Substrat |
| SE7710800L (sv) * | 1976-10-05 | 1978-04-06 | Western Electric Co | Forfarande for astadkommande av ett epitaxiellt skikt pa ett substrat |
| US4735701A (en) * | 1984-08-21 | 1988-04-05 | Komag, Inc. | Disk carrier |
| JP2714833B2 (ja) * | 1988-12-18 | 1998-02-16 | 日本真空技術株式会社 | 仕込・取出室 |
| JPH04182386A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エピタキシャル成長基板サセプタ |
| JP2732393B2 (ja) * | 1992-09-28 | 1998-03-30 | 信越半導体株式会社 | シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置 |
| JP2652759B2 (ja) * | 1993-09-03 | 1997-09-10 | コマツ電子金属株式会社 | 気相成長装置用バレル型サセプタのウエハポケット |
| US5439523A (en) * | 1994-02-14 | 1995-08-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Device for suppressing particle splash onto a semiconductor wafer |
-
1996
- 1996-09-10 JP JP26140496A patent/JP3596710B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-26 TW TW086110686A patent/TW391999B/zh active
- 1997-08-26 KR KR1019970040857A patent/KR19980024177A/ko not_active Withdrawn
- 1997-09-05 US US08/924,511 patent/US5785764A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-09 EP EP97115651A patent/EP0829560A3/en not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100885382B1 (ko) | 2007-11-28 | 2009-02-23 | 주식회사 실트론 | 서셉터 |
| JP2012501541A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
| JP2014525135A (ja) * | 2011-05-27 | 2014-09-25 | クリスタル・ソーラー・インコーポレーテッド | エピタキシャル堆積によるシリコンウェハ |
| US9982363B2 (en) | 2011-05-27 | 2018-05-29 | Crystal Solar, Incorporated | Silicon wafers by epitaxial deposition |
| WO2013094491A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 株式会社ブリヂストン | ウエハホルダ |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
| JP2017510088A (ja) * | 2014-01-27 | 2017-04-06 | ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド | 化学蒸着システム用の複合半径を有する保持ポケットを有するウェハキャリア |
| US11248295B2 (en) | 2014-01-27 | 2022-02-15 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3596710B2 (ja) | 2004-12-02 |
| US5785764A (en) | 1998-07-28 |
| EP0829560A2 (en) | 1998-03-18 |
| KR19980024177A (ko) | 1998-07-06 |
| EP0829560A3 (en) | 2000-03-22 |
| TW391999B (en) | 2000-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5514439A (en) | Wafer support fixtures for rapid thermal processing | |
| JP5926730B2 (ja) | 改良されたウェハキャリア | |
| KR100504634B1 (ko) | 에피텍셜 성장 중 기판 웨이퍼의 두 표면 사이에 존재하는 온도 기울기를 최소화 또는 제거하기 위한 서셉터, 그를 포함한 화학 기상 증착 시스템 및 이를 위한 방법 | |
| JP3596710B2 (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
| JP2807219B2 (ja) | 半導体ウエファ支持用サセプタ | |
| US5074017A (en) | Susceptor | |
| KR102370949B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 전면에 에피택셜 층을 증착하는 방법 및 이 방법을 수행하기 위한 장치 | |
| US6547876B2 (en) | Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition | |
| US20200248307A1 (en) | Rotating Disk Reactor with Self-Locking Carrier-to-Support Interface for Chemical Vapor Deposition | |
| JPH10167886A (ja) | 気相成長用サセプター | |
| JP3923576B2 (ja) | 気相成長用サセプター | |
| JP2009071210A (ja) | サセプタおよびエピタキシャル成長装置 | |
| JP7532417B2 (ja) | ウェハの表面にエピタキシャル層を堆積させる方法、およびこの方法を実施するための装置 | |
| JP2003318116A (ja) | サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH09219369A (ja) | 半導体装置の製造装置および製造方法 | |
| JP4003906B2 (ja) | シリコン単結晶半導体ウエハ加熱処理用治具及びこれを用いたシリコン単結晶半導体ウエハ加熱処理用装置 | |
| JPH0758029A (ja) | サセプタ | |
| JP2652759B2 (ja) | 気相成長装置用バレル型サセプタのウエハポケット | |
| US20220243325A1 (en) | Rotating Disk Reactor with Split Substrate Carrier | |
| CN101271870B (zh) | 硅外延片 | |
| JP2732393B2 (ja) | シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置 | |
| JP2003037071A (ja) | サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 | |
| JP2009182009A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
| JP2020043260A (ja) | 多結晶膜の成膜方法、基板載置機構および成膜装置 | |
| KR102622605B1 (ko) | 서셉터 및 반도체 제조장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040507 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040524 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040629 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040820 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040902 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |