JPH10199702A - チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 - Google Patents
チップ型抵抗器の構造及びその製造方法Info
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- JPH10199702A JPH10199702A JP9001532A JP153297A JPH10199702A JP H10199702 A JPH10199702 A JP H10199702A JP 9001532 A JP9001532 A JP 9001532A JP 153297 A JP153297 A JP 153297A JP H10199702 A JPH10199702 A JP H10199702A
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ型抵抗器において、抵抗膜１２の両端
に対する端子電極１３の表面と、前記抵抗膜１２に対す
るカバーコート１４の表面との間の段差を小さくする
か、段差を無くすることを、低コストで達成する。 【手段】 前記両端子電極１３における主上面電極１３
ａの左右両側の部分に、前記カバーコート１４における
延長部１４ａ′，１４ｂ′１４ｃ′又は飛び地部１４
ａ″，１４ｂ″，１４ｃ″を形成して、前記主上面電極
１３ａのうちその両側に位置する前記延長部又は飛び地
部の間の部分に、補助上面電極１３ｂを盛り上げて形成
する。
に対する端子電極１３の表面と、前記抵抗膜１２に対す
るカバーコート１４の表面との間の段差を小さくする
か、段差を無くすることを、低コストで達成する。 【手段】 前記両端子電極１３における主上面電極１３
ａの左右両側の部分に、前記カバーコート１４における
延長部１４ａ′，１４ｂ′１４ｃ′又は飛び地部１４
ａ″，１４ｂ″，１４ｃ″を形成して、前記主上面電極
１３ａのうちその両側に位置する前記延長部又は飛び地
部の間の部分に、補助上面電極１３ｂを盛り上げて形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型の絶縁基
板に、抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して
成るチップ型の抵抗器において、その構造と、その製造
方法とに関するものである。
板に、抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して
成るチップ型の抵抗器において、その構造と、その製造
方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来におけるチップ型抵抗器は、例え
ば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されている
ように、チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を
覆うカバーコートが、前記抵抗膜の両端に対する端子電
極の表面より可成り突出し、カバーコートの表面と両端
子電極の表面との間の段差が大きいと言う構造であった
から、このチップ型抵抗器を、プリント基板に対して、
当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に
向けた状態にして半田付けするとき、片側が浮き上がっ
てしまって、確実に半田付けできないと言う問題があっ
た。
ば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されている
ように、チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を
覆うカバーコートが、前記抵抗膜の両端に対する端子電
極の表面より可成り突出し、カバーコートの表面と両端
子電極の表面との間の段差が大きいと言う構造であった
から、このチップ型抵抗器を、プリント基板に対して、
当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に
向けた状態にして半田付けするとき、片側が浮き上がっ
てしまって、確実に半田付けできないと言う問題があっ
た。
【０００３】そこで、先行技術としての特開平４−１０
２３０２号公報は、図４３及び図４４に示すように、チ
ップ型絶縁基板１の左右両端部に、抵抗膜２の両端に対
する端子電極３を形成するに際して、この両端子電極３
を、前記絶縁基板１の表面に抵抗膜２に導通するように
形成した主上面電極３ａと、この主上面電極３ａの上面
に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと、前記
絶縁基板１の端面に形成した側面電極３ｃと、前記補助
上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メ
ッキ層３ｄとで構成することにより、この両端子電極３
の表面と、前記抵抗膜２に対するカバーコート４の表面
との間における段差を小さくするか、段差を無くするこ
とを提案している。
２３０２号公報は、図４３及び図４４に示すように、チ
ップ型絶縁基板１の左右両端部に、抵抗膜２の両端に対
する端子電極３を形成するに際して、この両端子電極３
を、前記絶縁基板１の表面に抵抗膜２に導通するように
形成した主上面電極３ａと、この主上面電極３ａの上面
に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと、前記
絶縁基板１の端面に形成した側面電極３ｃと、前記補助
上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メ
ッキ層３ｄとで構成することにより、この両端子電極３
の表面と、前記抵抗膜２に対するカバーコート４の表面
との間における段差を小さくするか、段差を無くするこ
とを提案している。
【０００４】なお、前記カバーコート４は、抵抗膜２の
直接覆うアンダーコート４ａと、このアンダーコート４
ａを覆うミドルコート４ｂと、このミドルコート４ｂを
覆うオーバーコート４ｃとの三層構造になっている。な
お、前記アンダーコートを省略する場合もある。また、
前記先行技術のチップ型抵抗器は、前記公報に記載され
ているように、 ．先づ、絶縁基板の上面に、両主上面電極３ａを形成
したのち抵抗膜２を形成するか、或いは、抵抗膜２を形
成したのち両主上面電極３ａを形成する。 ．次いで、前記抵抗膜２に対してガラスによるアンダ
ーコート４ａを形成したのち（なお、このアンダーコー
トを省略する場合もある）、前記両主上面電極３ａに通
電用プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定し
ながら前記抵抗膜２及びアンダーコート４ａに対してレ
ーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することによ
り、前記抵抗膜２における抵抗値が所定の許容範囲内に
入るようにトリミング調整する。 ．次いで、前記アンダーコート４ａの表面に対して、
前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコー
ト４ｂを形成したのち、これらの全体を覆うガラス又は
合成樹脂によるオーバーコート４ｃを形成する。 ．そして、前記両主上面電極３ａの表面に、導電ペー
ストを絶縁基板１の横幅一杯にわたって厚く盛り上げる
ことにより、補助上面電極３ｂを形成し、絶縁基板１の
端面に側面電極３ｃを形成したのち、全体に対して金属
メッキ処理を施すことにより、金属メッキ層３ｄを形成
する。 と言う順序で製造される。
直接覆うアンダーコート４ａと、このアンダーコート４
ａを覆うミドルコート４ｂと、このミドルコート４ｂを
覆うオーバーコート４ｃとの三層構造になっている。な
お、前記アンダーコートを省略する場合もある。また、
前記先行技術のチップ型抵抗器は、前記公報に記載され
ているように、 ．先づ、絶縁基板の上面に、両主上面電極３ａを形成
したのち抵抗膜２を形成するか、或いは、抵抗膜２を形
成したのち両主上面電極３ａを形成する。 ．次いで、前記抵抗膜２に対してガラスによるアンダ
ーコート４ａを形成したのち（なお、このアンダーコー
トを省略する場合もある）、前記両主上面電極３ａに通
電用プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定し
ながら前記抵抗膜２及びアンダーコート４ａに対してレ
ーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することによ
り、前記抵抗膜２における抵抗値が所定の許容範囲内に
入るようにトリミング調整する。 ．次いで、前記アンダーコート４ａの表面に対して、
前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコー
ト４ｂを形成したのち、これらの全体を覆うガラス又は
合成樹脂によるオーバーコート４ｃを形成する。 ．そして、前記両主上面電極３ａの表面に、導電ペー
ストを絶縁基板１の横幅一杯にわたって厚く盛り上げる
ことにより、補助上面電極３ｂを形成し、絶縁基板１の
端面に側面電極３ｃを形成したのち、全体に対して金属
メッキ処理を施すことにより、金属メッキ層３ｄを形成
する。 と言う順序で製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、先行技術は、
両主上面電極３ａの上面に、導電ペーストを絶縁基板１
における幅一杯にわたって厚く盛り上げて補助電極３ｂ
を形成することにより、端子電極３とカバーコート４と
の間の段差を無くするか、小さくするように構成したも
のであり、換言すると、前記厚さの厚い補助上面電極３
ｂを、絶縁基板１の横幅一杯にわたって形成するように
構成したものであるから、端子電極３とカバーコート４
との間の段差を無くするか小さくするためには、導電ペ
ーストの使用量が多くなって、材料費が嵩んで製造コス
トが可成りアップすると共に、チップ型抵抗器の重量も
アップするのであった。
両主上面電極３ａの上面に、導電ペーストを絶縁基板１
における幅一杯にわたって厚く盛り上げて補助電極３ｂ
を形成することにより、端子電極３とカバーコート４と
の間の段差を無くするか、小さくするように構成したも
のであり、換言すると、前記厚さの厚い補助上面電極３
ｂを、絶縁基板１の横幅一杯にわたって形成するように
構成したものであるから、端子電極３とカバーコート４
との間の段差を無くするか小さくするためには、導電ペ
ーストの使用量が多くなって、材料費が嵩んで製造コス
トが可成りアップすると共に、チップ型抵抗器の重量も
アップするのであった。
【０００６】そこで、別の先行技術としての特開平６−
７７００２号公報は、前記補助上面電極３ｂにおける横
幅を、絶縁基板１における横幅よりも狭くすることを提
案している。しかし、ここ示した別の先行技術は、補助
上面電極３ｂにおける横幅を、絶縁基板１における横幅
よりも狭くするものであるから、先に示した先行技術の
ものよりも、補助上面電極３ｂを形成するための導電ペ
ーストの使用量を節減できるものの、前記主上面電極３
ａの上面に、補助上面電極用導電ペーストを厚く塗着し
たとき、この導電ペーストが、未乾燥中において及び焼
成中において絶縁基板１における幅方向に流れることに
なるから、焼成後における補助上面電極３ｂの高さ寸法
は、導電ペーストを塗着したときにおける厚さよりも大
幅に低くなる傾向を呈する。
７７００２号公報は、前記補助上面電極３ｂにおける横
幅を、絶縁基板１における横幅よりも狭くすることを提
案している。しかし、ここ示した別の先行技術は、補助
上面電極３ｂにおける横幅を、絶縁基板１における横幅
よりも狭くするものであるから、先に示した先行技術の
ものよりも、補助上面電極３ｂを形成するための導電ペ
ーストの使用量を節減できるものの、前記主上面電極３
ａの上面に、補助上面電極用導電ペーストを厚く塗着し
たとき、この導電ペーストが、未乾燥中において及び焼
成中において絶縁基板１における幅方向に流れることに
なるから、焼成後における補助上面電極３ｂの高さ寸法
は、導電ペーストを塗着したときにおける厚さよりも大
幅に低くなる傾向を呈する。
【０００７】従って、焼成後における補助上面電極３ｂ
に所定の高さ寸法を確保するためには、主上面電極３ａ
の表面に導電ペーストを塗着するときに、当該導電ペー
ストにおける絶縁基板の幅方向への流れによってその厚
さが大幅に低くなる分だけ余分に厚く塗着するようにし
なければならないから、補助上面電極３ｂを形成するた
めの導電ペーストの使用量の節減、ひいては、製造コス
トの低減、及び軽量化を、効果的に充分に達成すること
ができないのである。
に所定の高さ寸法を確保するためには、主上面電極３ａ
の表面に導電ペーストを塗着するときに、当該導電ペー
ストにおける絶縁基板の幅方向への流れによってその厚
さが大幅に低くなる分だけ余分に厚く塗着するようにし
なければならないから、補助上面電極３ｂを形成するた
めの導電ペーストの使用量の節減、ひいては、製造コス
トの低減、及び軽量化を、効果的に充分に達成すること
ができないのである。
【０００８】本発明は、この問題を解消できる構造と、
その製造方法とを提供することを技術的課題とするもの
である。
その製造方法とを提供することを技術的課題とするもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明のチップ型抵抗器は、「絶縁基板の左右両
端部に、抵抗膜の両端に対する端子電極を備え、この両
端子電極を、少なくとも、絶縁基板の表面における抵抗
膜に導通するように形成した主上面電極と、この主上面
電極の表面に形成した補助上面電極とで構成する一方、
前記絶縁基板の表面に抵抗膜を覆うカバーコートを形成
して成る抵抗器において、前記両主上面電極の左右両側
に、前記カバーコートにおける延長部又は飛び地部を形
成する一方、前記補助上面電極を、前記両主上面電極の
表面のうちその両側に位置する前記延長部又は飛び地部
の間の部分に形成する。」と言う構成にした。
るため本発明のチップ型抵抗器は、「絶縁基板の左右両
端部に、抵抗膜の両端に対する端子電極を備え、この両
端子電極を、少なくとも、絶縁基板の表面における抵抗
膜に導通するように形成した主上面電極と、この主上面
電極の表面に形成した補助上面電極とで構成する一方、
前記絶縁基板の表面に抵抗膜を覆うカバーコートを形成
して成る抵抗器において、前記両主上面電極の左右両側
に、前記カバーコートにおける延長部又は飛び地部を形
成する一方、前記補助上面電極を、前記両主上面電極の
表面のうちその両側に位置する前記延長部又は飛び地部
の間の部分に形成する。」と言う構成にした。
【００１０】この場合、カバーコートにおける延長部又
は飛び地部は、前記カバーコートにおける一つの層を構
成するアンダーコート、ミドルコート又はオーバーコー
トにおける延長部又は飛び地部とすることができる。ま
た、本発明の製造方法は、「少なくとも、絶縁基板に抵
抗膜と左右一対の主上面電極とを形成する工程と、前記
抵抗膜を覆うカバーコートを、当該カバーコートにおけ
る延長部又は飛び地部を前記両主上面電極の左右両側に
位置するようにして形成する工程と、前記両主上面電極
の表面のうちその両側に位置する前記両延長部又は飛び
地部の間の部分に補助上面電極を形成する工程とから成
ることを特徴とする。」ものである。
は飛び地部は、前記カバーコートにおける一つの層を構
成するアンダーコート、ミドルコート又はオーバーコー
トにおける延長部又は飛び地部とすることができる。ま
た、本発明の製造方法は、「少なくとも、絶縁基板に抵
抗膜と左右一対の主上面電極とを形成する工程と、前記
抵抗膜を覆うカバーコートを、当該カバーコートにおけ
る延長部又は飛び地部を前記両主上面電極の左右両側に
位置するようにして形成する工程と、前記両主上面電極
の表面のうちその両側に位置する前記両延長部又は飛び
地部の間の部分に補助上面電極を形成する工程とから成
ることを特徴とする。」ものである。
【００１１】この場合においても、カバーコートにおけ
る延長部又は飛び地部は、前記カバーコートにおける一
つの層を構成するアンダーコート、ミドルコート又はオ
ーバーコートにおける延長部又は飛び地部とすることが
できる。
る延長部又は飛び地部は、前記カバーコートにおける一
つの層を構成するアンダーコート、ミドルコート又はオ
ーバーコートにおける延長部又は飛び地部とすることが
できる。
【００１２】
【発明の効果】このように、両端子電極における主上面
電極の左右両側に、カバーコートにおける延長部又は飛
び地部を形成する一方、補助上面電極を、前記両主上面
電極の表面のうちその両側に位置する前記延長部又は飛
び地部の間の部分に形成することにより、前記補助上面
電極を、導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及
び焼成にて形成するときにおいて、その左右両側に位置
する前記延長部又は飛び地部が、その間の部分に塗着し
た前記導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れ
を阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになる
から、前記補助上面電極における主上面電極の表面から
の高さ寸法を、少ない量の導電ペーストにて高くするこ
とができるのである。
電極の左右両側に、カバーコートにおける延長部又は飛
び地部を形成する一方、補助上面電極を、前記両主上面
電極の表面のうちその両側に位置する前記延長部又は飛
び地部の間の部分に形成することにより、前記補助上面
電極を、導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及
び焼成にて形成するときにおいて、その左右両側に位置
する前記延長部又は飛び地部が、その間の部分に塗着し
た前記導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れ
を阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになる
から、前記補助上面電極における主上面電極の表面から
の高さ寸法を、少ない量の導電ペーストにて高くするこ
とができるのである。
【００１３】従って、前記絶縁基板の表面から補助上面
電極の表面までの高さ寸法を、例えば、絶縁基板の表面
からカバーコートの表面までの高さ寸法と略等しくして
その間の段差を小さくするか、或いは、段差を無くする
等のように、高くする場合において、前記補助上面電極
を形成するために必要な導電ペーストの使用量を少なく
できるから、前記した各先行技術の場合よりも更に材料
費を節減できて、低コスト化を達成できると共に、前記
した各先行技術の場合よりも更に軽量化できるのであ
る。
電極の表面までの高さ寸法を、例えば、絶縁基板の表面
からカバーコートの表面までの高さ寸法と略等しくして
その間の段差を小さくするか、或いは、段差を無くする
等のように、高くする場合において、前記補助上面電極
を形成するために必要な導電ペーストの使用量を少なく
できるから、前記した各先行技術の場合よりも更に材料
費を節減できて、低コスト化を達成できると共に、前記
した各先行技術の場合よりも更に軽量化できるのであ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
について説明する。図１〜図１３は、第１の実施形態を
示す。この第１の実施形態は、 ．先づ、図１に示すように、チップ型の絶縁基板１１
の上面に、左右一対の主上面電極１３ａを、導電ペース
トのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。 ．次いで、図２に示すように、前記絶縁基板１１の上
面に、抵抗膜１２を、ペーストのスクリーン印刷による
塗着及び焼成にて形成し（なお、先に、この抵抗膜１２
を形成し、次いで、前記両主上面電極１３ａを形成する
ようにしても良い）、この抵抗膜１２を覆うガラスによ
るアンダーコート１４ａを、材料のスクリーン印刷によ
る塗着及び焼成にて形成したのち、前記両主上面電極１
３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗
膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアン
ダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリ
ミング溝１２ａを刻設することにより、前記抵抗膜１２
における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミ
ング調整する。なお、前記アンダーコート１４ａを省略
した状態で、抵抗膜１２のトリミング調整を行うように
しても良い。 ．次いで、図３〜図５に示すように、前記アンダーコ
ート１４ａの表面（アンダーコート１４ａを省略する場
合には、前記抵抗膜１２の表面）に対して、前記トリミ
ング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコート１
４ｂを、材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて
形成するに際して、前記両主上面電極１３ａにおける左
右両側の部分に、前記ミドルコート１４ｂから一体的に
延びる延長部１４ｂ′を、同時に形成する。 ．次いで、前記ミドルコート１４ｂの表面のうち前記
延長部１４ｂ′以外の部分に、図６及び図７に示すよう
に、ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃ
を、材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成
することにより、これらアンダーコート１４ａ、ミドル
コート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造
のカバーコート１４を構成する。 ．次いで、前記両主上面電極３ａにおける表面のうち
その左右両側に位置する前記延長部１４ｂ′の間の部分
に、図８〜図１０に示すように、補助上面電極１３ｂ
を、導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成
にて形成する。
について説明する。図１〜図１３は、第１の実施形態を
示す。この第１の実施形態は、 ．先づ、図１に示すように、チップ型の絶縁基板１１
の上面に、左右一対の主上面電極１３ａを、導電ペース
トのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。 ．次いで、図２に示すように、前記絶縁基板１１の上
面に、抵抗膜１２を、ペーストのスクリーン印刷による
塗着及び焼成にて形成し（なお、先に、この抵抗膜１２
を形成し、次いで、前記両主上面電極１３ａを形成する
ようにしても良い）、この抵抗膜１２を覆うガラスによ
るアンダーコート１４ａを、材料のスクリーン印刷によ
る塗着及び焼成にて形成したのち、前記両主上面電極１
３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗
膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアン
ダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリ
ミング溝１２ａを刻設することにより、前記抵抗膜１２
における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミ
ング調整する。なお、前記アンダーコート１４ａを省略
した状態で、抵抗膜１２のトリミング調整を行うように
しても良い。 ．次いで、図３〜図５に示すように、前記アンダーコ
ート１４ａの表面（アンダーコート１４ａを省略する場
合には、前記抵抗膜１２の表面）に対して、前記トリミ
ング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコート１
４ｂを、材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて
形成するに際して、前記両主上面電極１３ａにおける左
右両側の部分に、前記ミドルコート１４ｂから一体的に
延びる延長部１４ｂ′を、同時に形成する。 ．次いで、前記ミドルコート１４ｂの表面のうち前記
延長部１４ｂ′以外の部分に、図６及び図７に示すよう
に、ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃ
を、材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成
することにより、これらアンダーコート１４ａ、ミドル
コート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造
のカバーコート１４を構成する。 ．次いで、前記両主上面電極３ａにおける表面のうち
その左右両側に位置する前記延長部１４ｂ′の間の部分
に、図８〜図１０に示すように、補助上面電極１３ｂ
を、導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成
にて形成する。
【００１５】なお、この補助上面電極１３ｂは、後述す
る側面電極１３ｃと同時に、つまり、絶縁基板１１にお
ける左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗
着するときに、この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを
前記両主上面電極３ａにおける表面のうち両延長部１４
ｂ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによっ
て、同時に形成するようにしても良い。 ．そして、図１１及び図１２に示すように、前記絶縁
基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを、導
電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち、全体に対
して金属メッキ処理を施して、前記補助上面電極１３ｂ
及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成
することにより、端子電極１３に構成するのである。
る側面電極１３ｃと同時に、つまり、絶縁基板１１にお
ける左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗
着するときに、この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを
前記両主上面電極３ａにおける表面のうち両延長部１４
ｂ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによっ
て、同時に形成するようにしても良い。 ．そして、図１１及び図１２に示すように、前記絶縁
基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを、導
電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち、全体に対
して金属メッキ処理を施して、前記補助上面電極１３ｂ
及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成
することにより、端子電極１３に構成するのである。
【００１６】このようにして製造されたチップ型抵抗器
は、図１１及び図１２に示すように、両端子電極１３に
おける主上面電極１３ａの左右両側には、ミドルコート
１４ｂにおける延長部１４ｂ′が位置し、且つ、この主
上面電極１３ａの表面のうち前記両延長部１４ｂ′の間
の部分に、補助上面電極１３ｂが形成されると言うよう
形態になっていることにより、この補助上面電極１３ｂ
を、導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼
成にて形成するときにおいて、その左右両側に位置する
前記ミドルコート１４ｂにおける両延長部１４ｂ′が、
その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁
基板１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとし
ての作用を行うことになるから、前記補助上面電極１３
ｂにおける主上面電極１３ａの表面からの高さ寸法（正
確には、主上面電極１３ａの表面から金属メッキ層１３
ｄの表面までの高さ）を、少ない量の導電ペーストにて
高くすることができるのである。
は、図１１及び図１２に示すように、両端子電極１３に
おける主上面電極１３ａの左右両側には、ミドルコート
１４ｂにおける延長部１４ｂ′が位置し、且つ、この主
上面電極１３ａの表面のうち前記両延長部１４ｂ′の間
の部分に、補助上面電極１３ｂが形成されると言うよう
形態になっていることにより、この補助上面電極１３ｂ
を、導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼
成にて形成するときにおいて、その左右両側に位置する
前記ミドルコート１４ｂにおける両延長部１４ｂ′が、
その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁
基板１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとし
ての作用を行うことになるから、前記補助上面電極１３
ｂにおける主上面電極１３ａの表面からの高さ寸法（正
確には、主上面電極１３ａの表面から金属メッキ層１３
ｄの表面までの高さ）を、少ない量の導電ペーストにて
高くすることができるのである。
【００１７】従って、前記絶縁基板１１の表面から補助
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、絶縁基板１１の表面からオーバーコート１
４ｃの表面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合にお
いて、前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量
を少なくできるから、材料費を節減できる共に、軽量化
できるのである。
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、絶縁基板１１の表面からオーバーコート１
４ｃの表面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合にお
いて、前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量
を少なくできるから、材料費を節減できる共に、軽量化
できるのである。
【００１８】なお、前記ミドルコート１４ｂにおける延
長部１４ｂ′とすることに代えて、図１３に示すよう
に、前記ミドルコート１４ｂを形成するときにおいて、
両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に、当該ミ
ドルコート１４ｂの飛び地部１４ｂ″を同時に形成し、
両主上面電極１３ａの表面のうちこの両飛び地部１４
ｂ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するように
構成しても良く、また、これらミドルコート１４ｂにお
ける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″は、図示のよ
うに、その一部が主上面電極１３ａの一部に重なるよう
に形成することが好ましいが、このミドルコート１４ｂ
の厚さは、主上面電極１３ａの厚さよりも厚いので、主
上面電極１３ａに重ならないように形成しても良いので
ある。
長部１４ｂ′とすることに代えて、図１３に示すよう
に、前記ミドルコート１４ｂを形成するときにおいて、
両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に、当該ミ
ドルコート１４ｂの飛び地部１４ｂ″を同時に形成し、
両主上面電極１３ａの表面のうちこの両飛び地部１４
ｂ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するように
構成しても良く、また、これらミドルコート１４ｂにお
ける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″は、図示のよ
うに、その一部が主上面電極１３ａの一部に重なるよう
に形成することが好ましいが、このミドルコート１４ｂ
の厚さは、主上面電極１３ａの厚さよりも厚いので、主
上面電極１３ａに重ならないように形成しても良いので
ある。
【００１９】次に、図１４〜図２９は、第２の実施形態
を示す。この第２の実施形態は、 ．先づ、図１４に示すように、チップ型の絶縁基板１
１の上面に、左右一対の上面電極１３ａを、導電ペース
トのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。 ．次いで、図１５に示すように、前記絶縁基板１１の
上面に、抵抗膜１２を、その材料ペーストのスクリーン
印刷による塗着及び焼成にて形成する（なお、先に、こ
の抵抗膜１２を形成し、次いで、両上面電極１３ａを形
成するようにしても良い）。 ．次いで、図１６〜図１８に示すように、前記絶縁基
板１１の表面に抵抗膜１２を覆うガラスによるアンダー
コート１４ａを、その材料のスクリーン印刷による塗着
及び焼成にて形成するに際して、前記両主上面電極１３
ａの左右両側の部分に、前記アンダーコート１４ａから
一体的に延びる延長部１４ａ′を、同時に形成する。 ．次いで、図１９に示すように、前記両主上面電極１
３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗
膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアン
ダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリ
ミング溝１２ａを刻設することにより、前記抵抗膜１２
における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミ
ング調整する。 ．次いで、図２０及び図２１に示すように、前記アン
ダーコート１４ａの表面のうち各延長部１４ａ′を除く
部分に、前記トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスに
よるミドルコート１４ｂを、その材料のスクリーン印刷
による塗着及び焼成にて形成する。 ．次いで、図２２及び図２３に示すように、前記ミド
ルコート１４ｂの表面のうち前記アンダーコート１４ａ
における各延長部１４ａ′以外の部分に、ガラス又は合
成樹脂によるオーバーコート１４ｃを、材料のスクリー
ン印刷による塗着及び焼成にて形成することにより、こ
れらアンダーコート１４ａ、ミドルコート１４ｂ及びオ
ーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４
を構成する。 ．次いで、図２４〜図２６に示すように、前記両主上
面電極３ａにおける表面のうちその左右両側に位置する
前記延長部１４ａ′の間の部分に、補助上面電極１３ｂ
を、導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成
にて形成する。
を示す。この第２の実施形態は、 ．先づ、図１４に示すように、チップ型の絶縁基板１
１の上面に、左右一対の上面電極１３ａを、導電ペース
トのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。 ．次いで、図１５に示すように、前記絶縁基板１１の
上面に、抵抗膜１２を、その材料ペーストのスクリーン
印刷による塗着及び焼成にて形成する（なお、先に、こ
の抵抗膜１２を形成し、次いで、両上面電極１３ａを形
成するようにしても良い）。 ．次いで、図１６〜図１８に示すように、前記絶縁基
板１１の表面に抵抗膜１２を覆うガラスによるアンダー
コート１４ａを、その材料のスクリーン印刷による塗着
及び焼成にて形成するに際して、前記両主上面電極１３
ａの左右両側の部分に、前記アンダーコート１４ａから
一体的に延びる延長部１４ａ′を、同時に形成する。 ．次いで、図１９に示すように、前記両主上面電極１
３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗
膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアン
ダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリ
ミング溝１２ａを刻設することにより、前記抵抗膜１２
における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミ
ング調整する。 ．次いで、図２０及び図２１に示すように、前記アン
ダーコート１４ａの表面のうち各延長部１４ａ′を除く
部分に、前記トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスに
よるミドルコート１４ｂを、その材料のスクリーン印刷
による塗着及び焼成にて形成する。 ．次いで、図２２及び図２３に示すように、前記ミド
ルコート１４ｂの表面のうち前記アンダーコート１４ａ
における各延長部１４ａ′以外の部分に、ガラス又は合
成樹脂によるオーバーコート１４ｃを、材料のスクリー
ン印刷による塗着及び焼成にて形成することにより、こ
れらアンダーコート１４ａ、ミドルコート１４ｂ及びオ
ーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４
を構成する。 ．次いで、図２４〜図２６に示すように、前記両主上
面電極３ａにおける表面のうちその左右両側に位置する
前記延長部１４ａ′の間の部分に、補助上面電極１３ｂ
を、導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成
にて形成する。
【００２０】なお、この補助上面電極１３ｂは、後述す
る側面電極１３ｃと同時に、つまり、絶縁基板１１にお
ける左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗
着するときに、この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを
前記両主上面電極３ａにおける表面のうち両延長部１４
ａ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによっ
て、同時に形成するようにしても良い。 ．そして、図２７及び図２８に示すように、前記絶縁
基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを、導
電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち、全体に対
して金属メッキ処理を施して、前記補助上面電極１３ｂ
及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成
することにより、端子電極１３に構成するのである。
る側面電極１３ｃと同時に、つまり、絶縁基板１１にお
ける左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗
着するときに、この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを
前記両主上面電極３ａにおける表面のうち両延長部１４
ａ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによっ
て、同時に形成するようにしても良い。 ．そして、図２７及び図２８に示すように、前記絶縁
基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを、導
電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち、全体に対
して金属メッキ処理を施して、前記補助上面電極１３ｂ
及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成
することにより、端子電極１３に構成するのである。
【００２１】このようにして製造されたチップ型抵抗器
は、前記第１の実施形態の場合と同様に、図２７及び図
２８に示すように、両端子電極１３における主上面電極
１３ａの左右両側には、アンダーコート１４ａにおける
延長部１４ａ′が位置し、且つ、この主上面電極１３ａ
の表面のうち前記両延長部１４ａ′の間の部分に、補助
上面電極１３ｂが形成されると言うよう形態になってい
ることにより、この補助上面電極１３ｂを、導電ペース
トのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成する
ときにおいて、その左右両側に位置する前記アンダーコ
ート１４ａにおける両延長部１４ａ′が、その間の部分
に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板１１の幅
方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行
うことになるから、前記補助上面電極１３ｂにおける主
上面電極１３ａの表面からの高さ寸法（正確には、主上
面電極１３ａの表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、少ない量の導電ペーストにて高くすること
ができるのである。
は、前記第１の実施形態の場合と同様に、図２７及び図
２８に示すように、両端子電極１３における主上面電極
１３ａの左右両側には、アンダーコート１４ａにおける
延長部１４ａ′が位置し、且つ、この主上面電極１３ａ
の表面のうち前記両延長部１４ａ′の間の部分に、補助
上面電極１３ｂが形成されると言うよう形態になってい
ることにより、この補助上面電極１３ｂを、導電ペース
トのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成する
ときにおいて、その左右両側に位置する前記アンダーコ
ート１４ａにおける両延長部１４ａ′が、その間の部分
に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板１１の幅
方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行
うことになるから、前記補助上面電極１３ｂにおける主
上面電極１３ａの表面からの高さ寸法（正確には、主上
面電極１３ａの表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、少ない量の導電ペーストにて高くすること
ができるのである。
【００２２】従って、前記絶縁基板１１の表面から補助
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、絶縁基板１１の表面からオーバーコート１
４ｃの表面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合にお
いて、前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量
を少なくできるから、材料費を節減できる共に、軽量化
できるのである。
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、絶縁基板１１の表面からオーバーコート１
４ｃの表面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合にお
いて、前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量
を少なくできるから、材料費を節減できる共に、軽量化
できるのである。
【００２３】なお、前記アンダーコート１４ａにおける
延長部１４ａ′とすることに代えて、図２９に示すよう
に、前記アンダーコート１４ａを形成するときにおい
て、両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に、当
該アンダーコート１４ａの飛び地部１４ａ″を同時に形
成し、両主上面電極１３ａの表面のうちこの両飛び地部
１４ａ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するよ
うに構成しても良く、また、これらアンダーコート１４
ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″は、図
示のように、その一部が主上面電極１３ａの一部に重な
るように形成することが好ましいが、このアンダーコー
ト１４ａの厚さは、主上面電極１３ａの厚さよりも厚い
ので、主上面電極１３ａに重ならないように形成しても
良いのである。
延長部１４ａ′とすることに代えて、図２９に示すよう
に、前記アンダーコート１４ａを形成するときにおい
て、両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に、当
該アンダーコート１４ａの飛び地部１４ａ″を同時に形
成し、両主上面電極１３ａの表面のうちこの両飛び地部
１４ａ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するよ
うに構成しても良く、また、これらアンダーコート１４
ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″は、図
示のように、その一部が主上面電極１３ａの一部に重な
るように形成することが好ましいが、このアンダーコー
ト１４ａの厚さは、主上面電極１３ａの厚さよりも厚い
ので、主上面電極１３ａに重ならないように形成しても
良いのである。
【００２４】そして、図３０〜図４２は、第３の実施形
態を示す。この第３の実施形態は、 ．先づ、図３０に示すように、チップ型の絶縁基板１
１の上面に、左右一対の主上面電極１３ａを、導電ペー
ストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成す
る。 ．次いで、図３１に示すように、前記絶縁基板１１の
上面に、抵抗膜１２を、ペーストのスクリーン印刷によ
る塗着及び焼成にて形成し（なお、先に、この抵抗膜１
２を形成し、次いで、前記両主上面電極１３ａを形成す
るようにしても良い）、この抵抗膜１２を覆うガラスに
よるアンダーコート１４ａを、材料のスクリーン印刷に
よる塗着及び焼成にて形成したのち、前記両主上面電極
１３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵
抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びア
ンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてト
リミング溝１２ａを刻設することにより、前記抵抗膜１
２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリ
ミング調整する。なお、前記アンダーコート１４ａを省
略した状態で、抵抗膜１２のトリミング調整を行うよう
にしても良い。 ．次いで、図３２及び図３３に示すように、前記アン
ダーコート１４ａの表面（アンダーコート１４ａを省略
する場合には、前記抵抗膜１２の表面）に対して、前記
トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコ
ート１４ｂを、材料のスクリーン印刷による塗着及び焼
成にて形成する。 ．次いで、図３４〜図３６に示すように、前記ミドル
コート１４ｂの表面に対して、ガラス又は合成樹脂によ
るオーバーコート１４ｃを、材料のスクリーン印刷によ
る塗着及び焼成にて形成することにより、これらアンダ
ーコート１４ａ、ミドルコート１４ｂ及びオーバーコー
ト１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成する
において、前記両主上面電極１３ａの左右両側の部分
に、前記オーバーコート１４ｃから一体的に延びる延長
部１４ｃ′を、同時に形成する。 ．次いで、前記両主上面電極３ａにおける表面のうち
その左右両側に位置する前記延長部１４ｃ′の間の部分
に、図３７〜図３９に示すように、補助上面電極１３ｂ
を、導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成
にて形成する。
態を示す。この第３の実施形態は、 ．先づ、図３０に示すように、チップ型の絶縁基板１
１の上面に、左右一対の主上面電極１３ａを、導電ペー
ストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成す
る。 ．次いで、図３１に示すように、前記絶縁基板１１の
上面に、抵抗膜１２を、ペーストのスクリーン印刷によ
る塗着及び焼成にて形成し（なお、先に、この抵抗膜１
２を形成し、次いで、前記両主上面電極１３ａを形成す
るようにしても良い）、この抵抗膜１２を覆うガラスに
よるアンダーコート１４ａを、材料のスクリーン印刷に
よる塗着及び焼成にて形成したのち、前記両主上面電極
１３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵
抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びア
ンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてト
リミング溝１２ａを刻設することにより、前記抵抗膜１
２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリ
ミング調整する。なお、前記アンダーコート１４ａを省
略した状態で、抵抗膜１２のトリミング調整を行うよう
にしても良い。 ．次いで、図３２及び図３３に示すように、前記アン
ダーコート１４ａの表面（アンダーコート１４ａを省略
する場合には、前記抵抗膜１２の表面）に対して、前記
トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコ
ート１４ｂを、材料のスクリーン印刷による塗着及び焼
成にて形成する。 ．次いで、図３４〜図３６に示すように、前記ミドル
コート１４ｂの表面に対して、ガラス又は合成樹脂によ
るオーバーコート１４ｃを、材料のスクリーン印刷によ
る塗着及び焼成にて形成することにより、これらアンダ
ーコート１４ａ、ミドルコート１４ｂ及びオーバーコー
ト１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成する
において、前記両主上面電極１３ａの左右両側の部分
に、前記オーバーコート１４ｃから一体的に延びる延長
部１４ｃ′を、同時に形成する。 ．次いで、前記両主上面電極３ａにおける表面のうち
その左右両側に位置する前記延長部１４ｃ′の間の部分
に、図３７〜図３９に示すように、補助上面電極１３ｂ
を、導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成
にて形成する。
【００２５】なお、この補助上面電極１３ｂは、後述す
る側面電極１３ｃと同時に、つまり、絶縁基板１１にお
ける左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗
着するときに、この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを
前記両主上面電極３ａにおける表面のうち両延長部１４
ｂ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによっ
て、同時に形成するようにしても良い。 ．そして、図４０及び図４１に示すように、前記絶縁
基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを、導
電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち、全体に対
して金属メッキ処理を施して、前記補助上面電極１３ｂ
及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成
することにより、端子電極１３に構成するのである。
る側面電極１３ｃと同時に、つまり、絶縁基板１１にお
ける左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗
着するときに、この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを
前記両主上面電極３ａにおける表面のうち両延長部１４
ｂ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによっ
て、同時に形成するようにしても良い。 ．そして、図４０及び図４１に示すように、前記絶縁
基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを、導
電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち、全体に対
して金属メッキ処理を施して、前記補助上面電極１３ｂ
及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成
することにより、端子電極１３に構成するのである。
【００２６】このようにして製造されたチップ型抵抗器
は、前記第１及び第２の実施形態の場合と同様に、図４
０及び図４１に示すように、両端子電極１３における主
上面電極１３ａの左右両側には、オーバーコート１４ｃ
における延長部１４ｃ′が位置し、且つ、この主上面電
極１３ａの表面のうち前記両延長部１４ｃ′の間の部分
に、補助上面電極１３ｂが形成されると言うよう形態に
なっていることにより、この補助上面電極１３ｂを、導
電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて
形成するときにおいて、その左右両側に位置する前記オ
ーバーコート１４ｃにおける両延長部１４ｃ′が、その
間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板
１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての
作用を行うことになるから、前記補助上面電極１３ｂに
おける主上面電極１３ａの表面からの高さ寸法（正確に
は、主上面電極１３ａの表面から金属メッキ層１３ｄの
表面までの高さ）を、少ない量の導電ペーストにて高く
することができるのである。
は、前記第１及び第２の実施形態の場合と同様に、図４
０及び図４１に示すように、両端子電極１３における主
上面電極１３ａの左右両側には、オーバーコート１４ｃ
における延長部１４ｃ′が位置し、且つ、この主上面電
極１３ａの表面のうち前記両延長部１４ｃ′の間の部分
に、補助上面電極１３ｂが形成されると言うよう形態に
なっていることにより、この補助上面電極１３ｂを、導
電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて
形成するときにおいて、その左右両側に位置する前記オ
ーバーコート１４ｃにおける両延長部１４ｃ′が、その
間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板
１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての
作用を行うことになるから、前記補助上面電極１３ｂに
おける主上面電極１３ａの表面からの高さ寸法（正確に
は、主上面電極１３ａの表面から金属メッキ層１３ｄの
表面までの高さ）を、少ない量の導電ペーストにて高く
することができるのである。
【００２７】従って、前記絶縁基板１１の表面から補助
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、絶縁基板１１の表面からオーバーコート１
４ｃの表面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合にお
いて、前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量
を少なくできるから、材料費を節減できる共に、軽量化
できるのである。
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、絶縁基板１１の表面からオーバーコート１
４ｃの表面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合にお
いて、前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量
を少なくできるから、材料費を節減できる共に、軽量化
できるのである。
【００２８】なお、前記オーバーコート１４ｃにおける
延長部１４ｃ′とすることに代えて、図４２に示すよう
に、前記オーバーコート１４ｃを形成するときにおい
て、両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に、当
該オーバーコート１４ｃの飛び地部１４ｃ″を同時に形
成し、両主上面電極１３ａの表面のうちこの両飛び地部
１４ｃ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するよ
うに構成しても良く、また、これらオーバーコート１４
ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″は、図
示のように、その一部が主上面電極１３ａの一部に重な
るように形成することが好ましいが、このオーバーコー
ト１４ｃの厚さは、主上面電極１３ａの厚さよりも厚い
ので、主上面電極１３ａに重ならないように形成しても
良いのである。
延長部１４ｃ′とすることに代えて、図４２に示すよう
に、前記オーバーコート１４ｃを形成するときにおい
て、両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に、当
該オーバーコート１４ｃの飛び地部１４ｃ″を同時に形
成し、両主上面電極１３ａの表面のうちこの両飛び地部
１４ｃ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するよ
うに構成しても良く、また、これらオーバーコート１４
ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″は、図
示のように、その一部が主上面電極１３ａの一部に重な
るように形成することが好ましいが、このオーバーコー
ト１４ｃの厚さは、主上面電極１３ａの厚さよりも厚い
ので、主上面電極１３ａに重ならないように形成しても
良いのである。
【００２９】なお、前記各実施形態は、両主上面電極１
３ａにおける左右両側の部分に、ミドルコート１４ｂに
おける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″、或いは、
アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び
地部１４ａ″、若しくは、オーバーコート１４ｃにおけ
る延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″のみを形成する
場合を示したが、本発明は、これに限らず、両主上面電
極１３ａにおける左右両側の部分に、ミドルコート１４
ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″とアン
ダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部
１４ａ″とを同じ箇所に重ねて形成するか、又は、ミド
ルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１
４ｂ″とオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′
又は飛び地部１４ｃ″とを同じ箇所に重ねて形成する
か、或いは、アンダーコート１４ａにおける延長部１４
ａ′又は飛び地部１４ａ″とオーバーコート１４ｃにお
ける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″とを同じ箇所
に重ねて形成するか、若しくは、ミドルコート１４ｂに
おける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″、アンダー
コート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４
ａ″及びオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′
又は飛び地部１４ｃ″との三者を同じ箇所に重ねて形成
するように構成しても良いのであり、このように構成す
ることにより、前記両主上面電極１３ａにおける左右両
側の部分に形成される延長部又は飛び地部の高さを高く
できるから、補助上面電極を形成するための導電ペース
トの使用量を更に節減できるのである。
３ａにおける左右両側の部分に、ミドルコート１４ｂに
おける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″、或いは、
アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び
地部１４ａ″、若しくは、オーバーコート１４ｃにおけ
る延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″のみを形成する
場合を示したが、本発明は、これに限らず、両主上面電
極１３ａにおける左右両側の部分に、ミドルコート１４
ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″とアン
ダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部
１４ａ″とを同じ箇所に重ねて形成するか、又は、ミド
ルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１
４ｂ″とオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′
又は飛び地部１４ｃ″とを同じ箇所に重ねて形成する
か、或いは、アンダーコート１４ａにおける延長部１４
ａ′又は飛び地部１４ａ″とオーバーコート１４ｃにお
ける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″とを同じ箇所
に重ねて形成するか、若しくは、ミドルコート１４ｂに
おける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″、アンダー
コート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４
ａ″及びオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′
又は飛び地部１４ｃ″との三者を同じ箇所に重ねて形成
するように構成しても良いのであり、このように構成す
ることにより、前記両主上面電極１３ａにおける左右両
側の部分に形成される延長部又は飛び地部の高さを高く
できるから、補助上面電極を形成するための導電ペース
トの使用量を更に節減できるのである。
【図１】第１の実施形態において絶縁基板に主上面電極
を形成した状態を示す斜視図である。
を形成した状態を示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態において前記絶縁基板に抵抗膜
に次いでアンダーコートを形成した状態を示す斜視図で
ある。
に次いでアンダーコートを形成した状態を示す斜視図で
ある。
【図３】第１の実施形態において前記絶縁基板にミドル
コートを形成した状態を示す平面図である。
コートを形成した状態を示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV視断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ視断面図である。
【図６】第１の実施形態において前記絶縁基板にオーバ
ーコートを形成した状態を示す平面図である。
ーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図７】図６のVII −VII 視断面図である。
【図８】第１の実施形態において前記絶縁基板に補助上
面電極を形成した状態を示す平面図である。
面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図９】図８のIX−IX視断面図である。
【図１０】図８のＸ−Ｘ視断面図である。
【図１１】第１の実施形態によるチップ型抵抗器を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
【図１２】図１１のXII −XII 視断面図である。
【図１３】前記第１の実施形態におけるミドルコートの
変形例を示す平面図である。
変形例を示す平面図である。
【図１４】第２の実施形態において絶縁基板に主上面電
極を形成した状態を示す斜視図である。
極を形成した状態を示す斜視図である。
【図１５】第２の実施形態において前記絶縁基板に抵抗
膜を形成した状態を示す斜視図である。
膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図１６】第２の実施形態において前記絶縁基板にアン
ダーコートを形成した状態を示す平面図である。
ダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図１７】図１６のXVII−XVII視断面図である。
【図１８】図１６のXVIII −XVIII 視断面図である。
【図１９】第２の実施形態において抵抗膜にトリミング
溝を刻設した状態を示す平面図である。
溝を刻設した状態を示す平面図である。
【図２０】第２の実施形態において絶縁基板にミドルコ
ートを形成した状態を示す平面図である。
ートを形成した状態を示す平面図である。
【図２１】図２０のXXI −XXI 視断面図である。
【図２２】第２の実施形態において絶縁基板にオーバー
コートを形成した状態を示す平面図である。
コートを形成した状態を示す平面図である。
【図２３】図２２のXXIII −XXIII 視断面図である。
【図２４】第２の実施形態において絶縁基板に補助上面
電極を形成した状態を示す平面図である。
電極を形成した状態を示す平面図である。
【図２５】図２４のXXV −XXV 視断面図である。
【図２６】図２４のXXVI−XXVI視断面図である。
【図２７】第２の実施形態によるチップ型抵抗器を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
【図２８】図２７のXXVIII−XXVIII視断面図である。
【図２９】前記第２の実施形態におけるアンダーコート
の変形例を示す平面図である。
の変形例を示す平面図である。
【図３０】第３の実施形態において絶縁基板に主上面電
極を形成した状態を示す斜視図である。
極を形成した状態を示す斜視図である。
【図３１】第３の実施形態において前記絶縁基板に抵抗
膜に次いでアンダーコートを形成した状態を示す斜視図
である。
膜に次いでアンダーコートを形成した状態を示す斜視図
である。
【図３２】第３の実施形態において前記絶縁基板にミド
ルコートを形成した状態を示す平面図である。
ルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図３３】図３２のXXXIII−XXXIII視断面図である。
【図３４】第３の実施形態において前記絶縁基板にオー
バーコートを形成した状態を示す平面図である。
バーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図３５】図３４のXXXV−XXXV視断面図である。
【図３６】図３４のXXXVI −XXXVI 視断面図である。
【図３７】第３の実施形態において前記絶縁基板に補助
上面電極を形成した状態を示す平面図である。
上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図３８】図３７のXXXVIII −XXXVIII 視断面図であ
る。
る。
【図３９】図３７のXXXIX −XXXIX 視断面図である。
【図４０】第３の実施形態によるチップ型抵抗器を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
【図４１】図４０のXXXXI −XXXXI 視断面図である。
【図４２】前記第３の実施形態におけるミドルコートの
変形例を示す平面図である。
変形例を示す平面図である。
【図４３】先行技術によるチップ型抵抗器を示す斜視図
である。
である。
【図４４】図４３のXXXXIV−XXXXIV視拡大断面図であ
る。
る。
１１ 絶縁基板 １２ 抵抗膜 １３ 端子電極 １３ａ 主上面電極 １３ｂ 補助上面電極 １３ｃ 側面電極 １３ｄ 金属メッキ層 １４ カバーコート １４ａ アンダーコート １４ｂ ミドルコート １４ｃ オーバーコート １４ａ′ アンダーコートの延長部 １４ａ″ アンダーコートの飛び地部 １４ｂ′ ミドルコートの延長部 １４ｂ″ ミドルコートの飛び地部 １４ｃ′ オーバーコートの延長部 １４ｃ″ オーバーコートの飛び地部
Claims (8)
- 【請求項１】絶縁基板の左右両端部に、抵抗膜の両端に
対する端子電極を備え、この両端子電極を、少なくと
も、絶縁基板の表面における抵抗膜に導通するように形
成した主上面電極と、この主上面電極の表面に形成した
補助上面電極とで構成する一方、前記絶縁基板の表面に
抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器におい
て、 前記両主上面電極の左右両側に、前記カバーコートにお
ける延長部又は飛び地部を形成する一方、前記補助上面
電極を、前記両主上面電極の表面のうちその両側に位置
する前記延長部又は飛び地部の間の部分に形成したこと
を特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 【請求項２】前記「請求項１」において、前記延長部又
は飛び地部が、前記カバーコートの一つの層を構成する
アンダーコートにおける延長部又は飛び地部であること
を特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 【請求項３】前記「請求項１」において、前記延長部又
は飛び地部が、前記カバーコートの一つの層を構成する
ミドルコートにおける延長部又は飛び地部であることを
特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 【請求項４】前記「請求項１」において、前記延長部又
は飛び地部が、前記カバーコートの一つの層を構成する
オーバーコートにおける延長部又は飛び地部であること
を特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 【請求項５】少なくとも、絶縁基板に抵抗膜と左右一対
の主上面電極とを形成する工程と、前記抵抗膜を覆うカ
バーコートを、当該カバーコートにおける延長部又は飛
び地部を前記両主上面電極の左右両側に位置するように
して形成する工程と、前記両主上面電極の表面のうちそ
の両側に位置する前記両延長部又は飛び地部の間の部分
に補助上面電極を形成する工程とから成ることを特徴と
するチップ型抵抗器の製造方法。 - 【請求項６】少なくとも、絶縁基板に抵抗膜と左右一対
の主上面電極とを形成する工程と、前記抵抗膜を覆うカ
バーコートにおける一つの層を構成するアンダーコート
を、当該アンダーコートにおける延長部又は飛び地部を
前記両主上面電極の左右両側に位置するようにして形成
する工程と、前記抵抗膜をトリミング調整する工程と、
前記カバーコートにおける一つの層を構成するオーバー
コートを形成する工程と、前記両主上面電極の表面のう
ちその両側に位置する前記両延長部又は飛び地部の間の
部分に補助上面電極を形成する工程とから成ることを特
徴とするチップ型抵抗器の製造方法。 - 【請求項７】少なくとも、絶縁基板に抵抗膜と左右一対
の主上面電極とを形成する工程と、前記抵抗膜をトリミ
ング調整する工程と、前記抵抗膜を覆うカバーコートに
おける一つの層を構成するミドルコートを、当該ミドル
コートにおける延長部又は飛び地部を前記両主上面電極
の左右両側に位置するようにして形成する工程と、前記
カバーコートにおける一つの層を構成するオーバーコー
トを形成する工程と、前記両主上面電極の表面のうちそ
の両側に位置する前記両延長部又は飛び地部の間の部分
に補助上面電極を形成する工程とから成ることを特徴と
するチップ型抵抗器の製造方法。 - 【請求項８】少なくとも、絶縁基板に抵抗膜と左右一対
の主上面電極とを形成する工程と、前記抵抗膜をトリミ
ング調整する工程と、前記抵抗膜を覆うカバーコートに
おける一つの層を構成するオーバーコートを、当該オー
バーコートにおける延長部又は飛び地部を前記両主上面
電極の左右両側に位置するようにして形成する工程と、
前記両主上面電極の表面のうちその両側に位置する前記
両延長部又は飛び地部の間の部分に補助上面電極を形成
する工程とから成ることを特徴とするチップ型抵抗器の
製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00153297A JP3766497B2 (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 |
| GB9726778A GB2320620B (en) | 1996-12-20 | 1997-12-18 | Chip type resistor and manufacturing method thereof |
| US08/995,220 US6127722A (en) | 1996-12-20 | 1997-12-19 | Chip type resistor |
| MYPI97006187A MY122000A (en) | 1996-12-20 | 1997-12-19 | Chip type resistor |
| TW086221170U TW363762U (en) | 1996-12-20 | 1997-12-20 | Chip type resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00153297A JP3766497B2 (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199702A true JPH10199702A (ja) | 1998-07-31 |
| JP3766497B2 JP3766497B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=11504140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00153297A Expired - Fee Related JP3766497B2 (ja) | 1996-12-20 | 1997-01-08 | チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3766497B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015167178A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP2017126593A (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
-
1997
- 1997-01-08 JP JP00153297A patent/JP3766497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015167178A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP2017126593A (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3766497B2 (ja) | 2006-04-12 |
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