JPH10199705A - 抵抗体ペースト及びそれを用いた抵抗器及びその製造方法 - Google Patents
抵抗体ペースト及びそれを用いた抵抗器及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、抵抗体ペースト及びそれを用いた
抵抗器及びその製造方法に関し、低ＴＣＲ、低抵抗値を
有する抵抗器を安定して製造することを目的とする。 【解決手段】 抵抗体ペースト１として、粒子径が５μ
ｍ以下で銅−ニッケル合金粉末含有量が９７重量％より
多く、５５０℃未満の軟化点を有するガラス粉末を０〜
３重量％未満含有する混合粉体をビヒクルに分散したも
のを利用し、そのペースト１をセラミック基体３上に印
刷した後、中性雰囲気中で焼成してチップ抵抗器を実現
している。
抵抗器及びその製造方法に関し、低ＴＣＲ、低抵抗値を
有する抵抗器を安定して製造することを目的とする。 【解決手段】 抵抗体ペースト１として、粒子径が５μ
ｍ以下で銅−ニッケル合金粉末含有量が９７重量％より
多く、５５０℃未満の軟化点を有するガラス粉末を０〜
３重量％未満含有する混合粉体をビヒクルに分散したも
のを利用し、そのペースト１をセラミック基体３上に印
刷した後、中性雰囲気中で焼成してチップ抵抗器を実現
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は抵抗体ペースト及び
それを用いた抵抗器及びその製造方法に関するものであ
る。
それを用いた抵抗器及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】銅−ニッケル材を用いた抵抗器は、銅−
ニッケル合金箔をアルミナなどの基材の上に張り付けて
形成する方法で実現されている。この方法で造られる抵
抗器は合金箔作製、形状加工、組立と材料−工程コスト
がかかり、抵抗体のパターン変更をするのに非常に手間
がかかるものであった。また、レーザーを用いたトリミ
ングが出来ないため、従来から確立されているトリミン
グラインを活用できないものであった。
ニッケル合金箔をアルミナなどの基材の上に張り付けて
形成する方法で実現されている。この方法で造られる抵
抗器は合金箔作製、形状加工、組立と材料−工程コスト
がかかり、抵抗体のパターン変更をするのに非常に手間
がかかるものであった。また、レーザーを用いたトリミ
ングが出来ないため、従来から確立されているトリミン
グラインを活用できないものであった。
【０００３】他方、抵抗体ペーストを基材上に印刷、焼
成して抵抗器をつくる技術としては、特開平２−３０８
５０１号公報に開示されているが、抵抗体膜とセラミッ
ク基材の接着や抵抗値の調整にガラスを用いており、
銅、ニッケル以外の成分が多量に存在していることか
ら、温度係数が銅−ニッケル合金の物性値と異なるもの
であった。また、ガラス成分は焼成条件によって金属成
分中や焼結粒子界面への拡散挙動が異なるため安定した
抵抗値特性が得られにくいものであった。
成して抵抗器をつくる技術としては、特開平２−３０８
５０１号公報に開示されているが、抵抗体膜とセラミッ
ク基材の接着や抵抗値の調整にガラスを用いており、
銅、ニッケル以外の成分が多量に存在していることか
ら、温度係数が銅−ニッケル合金の物性値と異なるもの
であった。また、ガラス成分は焼成条件によって金属成
分中や焼結粒子界面への拡散挙動が異なるため安定した
抵抗値特性が得られにくいものであった。
【０００４】さらには、銅−ニッケル材を用いた抵抗器
は１００ｍΩ以下の抵抗値レンジを扱うため、給電部の
端子電極の特性や抵抗体／電極界面の構造が抵抗器とし
ての特性を大きく左右すると言う問題があった。
は１００ｍΩ以下の抵抗値レンジを扱うため、給電部の
端子電極の特性や抵抗体／電極界面の構造が抵抗器とし
ての特性を大きく左右すると言う問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、低ＴＣＲ、低抵抗値を有する抵抗器を安定して製造
することにある。
は、低ＴＣＲ、低抵抗値を有する抵抗器を安定して製造
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の抵抗体ペースト
は、粒子径が５μｍ以下の銅−ニッケル合金粉末含有量
が９７重量％より多く、５５０℃未満の軟化点を有する
ガラス粉末を０〜３重量％未満含有する混合粉体をビヒ
クルに分散させたもので、そのペーストをセラミック基
体上に印刷した後、中性雰囲気中で焼成するチップ抵抗
器の製造方法をとりガラス成分の金属成分中や焼結粒子
界面への拡散を最小限に抑制し、低ＴＣＲ、低抵抗値を
有する抵抗器を実現するものである。
は、粒子径が５μｍ以下の銅−ニッケル合金粉末含有量
が９７重量％より多く、５５０℃未満の軟化点を有する
ガラス粉末を０〜３重量％未満含有する混合粉体をビヒ
クルに分散させたもので、そのペーストをセラミック基
体上に印刷した後、中性雰囲気中で焼成するチップ抵抗
器の製造方法をとりガラス成分の金属成分中や焼結粒子
界面への拡散を最小限に抑制し、低ＴＣＲ、低抵抗値を
有する抵抗器を実現するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、平均粒子径が５μｍ以下の銅−ニッケル合金粉末含
有量が９７重量％より多く、５５０℃未満の軟化点を有
するガラス粉末を０〜３重量％未満含有する混合粉体を
ビヒクルに分散させた厚膜抵抗体ペーストを、セラミッ
ク基体上に印刷した後、中性雰囲気中で焼成することに
よって、ガラス成分の金属成分中や焼結粒子界面への拡
散を最小限に抑制出来るため得られる抵抗器の、低ＴＣ
Ｒ、低抵抗値化が出来、低軟化点ガラス粉末が焼成時に
抵抗体／セラミック基体界面に強固な接着を確保する作
用を有する。
は、平均粒子径が５μｍ以下の銅−ニッケル合金粉末含
有量が９７重量％より多く、５５０℃未満の軟化点を有
するガラス粉末を０〜３重量％未満含有する混合粉体を
ビヒクルに分散させた厚膜抵抗体ペーストを、セラミッ
ク基体上に印刷した後、中性雰囲気中で焼成することに
よって、ガラス成分の金属成分中や焼結粒子界面への拡
散を最小限に抑制出来るため得られる抵抗器の、低ＴＣ
Ｒ、低抵抗値化が出来、低軟化点ガラス粉末が焼成時に
抵抗体／セラミック基体界面に強固な接着を確保する作
用を有する。
【０００８】請求項２に記載の発明は、平均粒子径が５
μｍと平均粒子径が２μｍ以下の銅−ニッケル合金粉末
を混合して、粒度分布に少なくとも２つのピークをもた
せ、銅−ニッケル合金粉末含有量が９７重量％より多
く、５５０℃未満の軟化点を有するガラス粉末を０〜３
重量％未満含有する混合粉体をビヒクルに分散させて得
られる厚膜抵抗体ペーストを、セラミック基体上に印刷
した後、中性雰囲気中で焼成することによって、ガラス
成分の金属成分中や焼結粒子界面への拡散を最小限に抑
制出来るため得られる抵抗器の、低ＴＣＲ、低抵抗値化
が出来る作用を有する。
μｍと平均粒子径が２μｍ以下の銅−ニッケル合金粉末
を混合して、粒度分布に少なくとも２つのピークをもた
せ、銅−ニッケル合金粉末含有量が９７重量％より多
く、５５０℃未満の軟化点を有するガラス粉末を０〜３
重量％未満含有する混合粉体をビヒクルに分散させて得
られる厚膜抵抗体ペーストを、セラミック基体上に印刷
した後、中性雰囲気中で焼成することによって、ガラス
成分の金属成分中や焼結粒子界面への拡散を最小限に抑
制出来るため得られる抵抗器の、低ＴＣＲ、低抵抗値化
が出来る作用を有する。
【０００９】請求項３に記載の発明は、セラミック基体
に、少なくとも銅−ニッケル合金粉末を含有する抵抗体
ペーストを印刷し、中性雰囲気中で焼成し、焼結粒子径
を３０μｍ以下、かつ焼結抵抗体膜厚を４０μｍ以下に
することによって低ＴＣＲ、低抵抗値特性を有した抵抗
器のレーザートリミングが出来る作用を有する。
に、少なくとも銅−ニッケル合金粉末を含有する抵抗体
ペーストを印刷し、中性雰囲気中で焼成し、焼結粒子径
を３０μｍ以下、かつ焼結抵抗体膜厚を４０μｍ以下に
することによって低ＴＣＲ、低抵抗値特性を有した抵抗
器のレーザートリミングが出来る作用を有する。
【００１０】請求項４に記載の発明は、セラミック基体
の両端に、銅粉末とガラス粉末をビヒクルに分散させて
得られるペーストを印刷、乾燥させ端子電極乾燥膜を形
成した後、その乾燥膜の両端に架かるように、少なくと
も銅−ニッケル合金粉末を含有する抵抗体ペーストを印
刷し、電極と抵抗体を同時に中性雰囲気中で焼成するチ
ップ抵抗器を製造する方法で、低抵抗値、低ＴＣＲ、高
信頼性の抵抗器を実現する。
の両端に、銅粉末とガラス粉末をビヒクルに分散させて
得られるペーストを印刷、乾燥させ端子電極乾燥膜を形
成した後、その乾燥膜の両端に架かるように、少なくと
も銅−ニッケル合金粉末を含有する抵抗体ペーストを印
刷し、電極と抵抗体を同時に中性雰囲気中で焼成するチ
ップ抵抗器を製造する方法で、低抵抗値、低ＴＣＲ、高
信頼性の抵抗器を実現する。
【００１１】請求項５に記載の発明は、セラミック基体
に、少なくとも銅−ニッケル合金粉末を含有する抵抗体
ペーストを印刷、乾燥させた後、銅粉末をビヒクルに分
散させて得られるペーストを、抵抗体乾燥膜の両端子電
極部に印刷し、電極と抵抗体を同時に中性雰囲気中で焼
成してチップ抵抗器を製造する方法で、低抵抗値、低Ｔ
ＣＲ、高信頼性の抵抗器を実現する。
に、少なくとも銅−ニッケル合金粉末を含有する抵抗体
ペーストを印刷、乾燥させた後、銅粉末をビヒクルに分
散させて得られるペーストを、抵抗体乾燥膜の両端子電
極部に印刷し、電極と抵抗体を同時に中性雰囲気中で焼
成してチップ抵抗器を製造する方法で、低抵抗値、低Ｔ
ＣＲ、高信頼性の抵抗器を実現する。
【００１２】請求項６に記載する発明は、セラミック基
体に、少なくとも銅−ニッケル合金粉末を含有する抵抗
体ペーストを印刷し、中性雰囲気中で焼成した後、その
焼結体表面、焼結体断面、焼結体／セラミック基材界面
の全ての面の少なくとも一部を樹脂で覆いチップ抵抗器
を製造する方法で、低抵抗値、低ＴＣＲ、高抵抗体接着
強度、高信頼性の抵抗器を実現する。
体に、少なくとも銅−ニッケル合金粉末を含有する抵抗
体ペーストを印刷し、中性雰囲気中で焼成した後、その
焼結体表面、焼結体断面、焼結体／セラミック基材界面
の全ての面の少なくとも一部を樹脂で覆いチップ抵抗器
を製造する方法で、低抵抗値、低ＴＣＲ、高抵抗体接着
強度、高信頼性の抵抗器を実現する。
【００１３】以下、本発明の実施の形態について、図１
〜５を用いて説明する。なお、図１は本発明の実施の形
態１を示し、請求項１の抵抗体ペーストをセラミック基
体（アルミナ）上にスクリーン印刷し、請求項４に記載
の方法で得られる抵抗器の一例を示したものであり、図
２は本発明の実施の形態２を示し、請求項２の抵抗体ペ
ーストをセラミック基体（アルミナ）上にスクリーン印
刷し、請求項４に記載の方法で得られる抵抗器の一例を
示したものである。
〜５を用いて説明する。なお、図１は本発明の実施の形
態１を示し、請求項１の抵抗体ペーストをセラミック基
体（アルミナ）上にスクリーン印刷し、請求項４に記載
の方法で得られる抵抗器の一例を示したものであり、図
２は本発明の実施の形態２を示し、請求項２の抵抗体ペ
ーストをセラミック基体（アルミナ）上にスクリーン印
刷し、請求項４に記載の方法で得られる抵抗器の一例を
示したものである。
【００１４】また、図３は本発明の実施の形態３を示
し、請求項２の抵抗体ペーストをセラミック基体（アル
ミナ）上にスクリーン印刷し、請求項５に記載の方法で
得られる抵抗器の一例を示したものであり、図４及び５
は本発明の実施の形態３を示し、請求項２の抵抗体ペー
ストをセラミック基体（アルミナ）上にスクリーン印刷
し、請求項５，６に記載の方法で得られる抵抗器の一例
を示したものである。
し、請求項２の抵抗体ペーストをセラミック基体（アル
ミナ）上にスクリーン印刷し、請求項５に記載の方法で
得られる抵抗器の一例を示したものであり、図４及び５
は本発明の実施の形態３を示し、請求項２の抵抗体ペー
ストをセラミック基体（アルミナ）上にスクリーン印刷
し、請求項５，６に記載の方法で得られる抵抗器の一例
を示したものである。
【００１５】（実施の形態１）抵抗体ペーストの作製方
法について以下に示す。銅−ニッケル合金粉は平均粒子
径５μｍのアトマイズ粉を用い、これにガラスを添加し
た混合粉体を無機組成物とした。また、ビヒクルには有
機バインダであるエチルセルロースをターピネオールで
溶かしたものを用い、これを有機組成物とした。これら
の無機組成物と有機組成物を三本ロールにて混練し厚膜
抵抗体ペーストとした。
法について以下に示す。銅−ニッケル合金粉は平均粒子
径５μｍのアトマイズ粉を用い、これにガラスを添加し
た混合粉体を無機組成物とした。また、ビヒクルには有
機バインダであるエチルセルロースをターピネオールで
溶かしたものを用い、これを有機組成物とした。これら
の無機組成物と有機組成物を三本ロールにて混練し厚膜
抵抗体ペーストとした。
【００１６】次に端子電極ペーストの作製方法を示す。
銅粉は平均粒子径２μｍの粉を用い、これにガラスを添
加した混合粉体を無機組成物とした。また、ビヒクルに
は有機バインダであるエチルセルロースをターピネオー
ルで溶かしたものを用い、これを有機組成物とした。こ
れらの無機組成物と有機組成物を三本ロールにて混練し
端子電極ペーストとした。
銅粉は平均粒子径２μｍの粉を用い、これにガラスを添
加した混合粉体を無機組成物とした。また、ビヒクルに
は有機バインダであるエチルセルロースをターピネオー
ルで溶かしたものを用い、これを有機組成物とした。こ
れらの無機組成物と有機組成物を三本ロールにて混練し
端子電極ペーストとした。
【００１７】以下にチップ抵抗器の作製方法について示
す。まず端子電極ペーストをアルミナ基体（９６％アル
ミナ基板 ４．５×３．２ｍｍ）上に印刷し、１００℃
の温度で１０分間乾燥させた。次にこのアルミナ基体上
の端子電極乾燥膜の両端に架かるように厚膜抵抗体ペー
ストを印刷し、１００℃の温度で１０分間乾燥させた。
そして、この電極と抵抗体の乾燥膜を形成したアルミナ
基体を１００％Ｎ2雰囲気下で９００℃−１０分間焼成
しチップ抵抗器を作製した（同時焼成）。
す。まず端子電極ペーストをアルミナ基体（９６％アル
ミナ基板 ４．５×３．２ｍｍ）上に印刷し、１００℃
の温度で１０分間乾燥させた。次にこのアルミナ基体上
の端子電極乾燥膜の両端に架かるように厚膜抵抗体ペー
ストを印刷し、１００℃の温度で１０分間乾燥させた。
そして、この電極と抵抗体の乾燥膜を形成したアルミナ
基体を１００％Ｎ2雰囲気下で９００℃−１０分間焼成
しチップ抵抗器を作製した（同時焼成）。
【００１８】また、比較例として前記抵抗体ペーストの
作製方法において、銅−ニッケル合金粉を平均粒子径６
μｍのアトマイズ粉を用いた場合についても前記チップ
抵抗器の作製方法と同様にチップ抵抗器を作製した。
作製方法において、銅−ニッケル合金粉を平均粒子径６
μｍのアトマイズ粉を用いた場合についても前記チップ
抵抗器の作製方法と同様にチップ抵抗器を作製した。
【００１９】さらに、比較例として、前記チップ抵抗器
の作製方法において端子電極ペースト印刷乾燥後に１０
０％Ｎ2雰囲気下で９００℃−１０分間焼成工程を付加
し、端子電極焼成膜の両端に架かるように厚膜抵抗体ペ
ーストを印刷し、１００℃の温度で１０分間乾燥させた
後この焼成端子電極膜と抵抗体乾燥膜を形成したアルミ
ナ基体を１００％Ｎ2雰囲気下で９００℃−１０分間焼
成しチップ抵抗器を作製した（個別焼成）。
の作製方法において端子電極ペースト印刷乾燥後に１０
０％Ｎ2雰囲気下で９００℃−１０分間焼成工程を付加
し、端子電極焼成膜の両端に架かるように厚膜抵抗体ペ
ーストを印刷し、１００℃の温度で１０分間乾燥させた
後この焼成端子電極膜と抵抗体乾燥膜を形成したアルミ
ナ基体を１００％Ｎ2雰囲気下で９００℃−１０分間焼
成しチップ抵抗器を作製した（個別焼成）。
【００２０】チップ抵抗器の評価方法について示す。チ
ップ抵抗器の端子間電極距離は２．２５ｍｍとし抵抗体
焼結膜幅は２ｍｍで形成し端子電極部にプローブを固定
し４端子法で端子間抵抗値を求めた。ＴＣＲ特性はチッ
プ抵抗器を恒温槽に入れ２５℃と１２５℃の抵抗値を測
定しその変化率を求めた。高温放置における抵抗値変化
は焼結抵抗体膜に保護樹脂をコートし１６０℃で１００
０時間放置したときの抵抗値変化率を求めた。抵抗体の
接着強度は直径１．３ｍｍの円柱金属を抵抗体表面に樹
脂接合させ、抵抗体と垂直方向に金属円柱を引き上げて
抵抗体と基材が剥離する力を求めた。
ップ抵抗器の端子間電極距離は２．２５ｍｍとし抵抗体
焼結膜幅は２ｍｍで形成し端子電極部にプローブを固定
し４端子法で端子間抵抗値を求めた。ＴＣＲ特性はチッ
プ抵抗器を恒温槽に入れ２５℃と１２５℃の抵抗値を測
定しその変化率を求めた。高温放置における抵抗値変化
は焼結抵抗体膜に保護樹脂をコートし１６０℃で１００
０時間放置したときの抵抗値変化率を求めた。抵抗体の
接着強度は直径１．３ｍｍの円柱金属を抵抗体表面に樹
脂接合させ、抵抗体と垂直方向に金属円柱を引き上げて
抵抗体と基材が剥離する力を求めた。
【００２１】作製したチップ抵抗器の断面部を走査電子
顕微鏡、電子線マイクロアナライザ、Ｘ線微小回折計を
用いて構造を明らかにした。模式図を図１に示す。図１
において、１は銅−ニッケル合金相、２はガラスを含む
界面層、３はアルミナ基体、４は銅端子電極層である。
顕微鏡、電子線マイクロアナライザ、Ｘ線微小回折計を
用いて構造を明らかにした。模式図を図１に示す。図１
において、１は銅−ニッケル合金相、２はガラスを含む
界面層、３はアルミナ基体、４は銅端子電極層である。
【００２２】結果を（表１）に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】（表１）より明らかなように本実施の形態
によれば、比較例に比べて低抵抗値、低ＴＣＲ、高信頼
性のチップ抵抗器が得られることが分かる。
によれば、比較例に比べて低抵抗値、低ＴＣＲ、高信頼
性のチップ抵抗器が得られることが分かる。
【００２５】（実施の形態２）抵抗体ペーストの作製方
法について以下に示す。銅−ニッケル合金粉は平均粒子
径５μｍのアトマイズ粉と平均粒子径２μｍのアトマイ
ズ粉、あるいは平均粒子径５μｍのアトマイズ粉と平均
粒子径０．８μｍの熱プラズマ処理粉を用い、以下実施
の形態１と同様にして厚膜抵抗体ペーストとを作製し
た。端子電極ペーストの作製方法は実施の形態１と同様
である。
法について以下に示す。銅−ニッケル合金粉は平均粒子
径５μｍのアトマイズ粉と平均粒子径２μｍのアトマイ
ズ粉、あるいは平均粒子径５μｍのアトマイズ粉と平均
粒子径０．８μｍの熱プラズマ処理粉を用い、以下実施
の形態１と同様にして厚膜抵抗体ペーストとを作製し
た。端子電極ペーストの作製方法は実施の形態１と同様
である。
【００２６】チップ抵抗器の作製方法についても実施の
形態１と同様であるが焼成温度を８００℃〜１２００℃
まで変化させて焼成した。
形態１と同様であるが焼成温度を８００℃〜１２００℃
まで変化させて焼成した。
【００２７】チップ抵抗器の評価方法は実施の形態１と
同様で、さらにＹＡＧレーザーによるトリミング性を評
価した。
同様で、さらにＹＡＧレーザーによるトリミング性を評
価した。
【００２８】作製したチップ抵抗器の断面部を走査電子
顕微鏡、電子線マイクロアナライザ、Ｘ線微小回折計を
用いて構造を明らかにした。模式図を図２に示す。図２
において、１は銅−ニッケル合金相、２はガラスを含む
界面層、３はアルミナ基体、４は銅端子電極層である。
顕微鏡、電子線マイクロアナライザ、Ｘ線微小回折計を
用いて構造を明らかにした。模式図を図２に示す。図２
において、１は銅−ニッケル合金相、２はガラスを含む
界面層、３はアルミナ基体、４は銅端子電極層である。
【００２９】結果を（表２）〜（表６）に示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】
【表３】
【００３２】
【表４】
【００３３】
【表５】
【００３４】
【表６】
【００３５】（表２）〜（表６）より明らかなように本
実施の形態によれば、比較例に比べて低抵抗値、低ＴＣ
Ｒ、高信頼性のチップ抵抗器が得られることが分かる。
また、焼成条件等を制御することによってＹＡＧレーザ
ーによるトリミングが可能な抵抗体が実現できる。
実施の形態によれば、比較例に比べて低抵抗値、低ＴＣ
Ｒ、高信頼性のチップ抵抗器が得られることが分かる。
また、焼成条件等を制御することによってＹＡＧレーザ
ーによるトリミングが可能な抵抗体が実現できる。
【００３６】（実施の形態３）抵抗体ペーストの作製方
法は実施の形態２と同様である。端子電極ペーストの作
製方法を示す。無機組成物としては、平均粒子径２μｍ
の銅粉のみを用いた。有機組成物は実施の形態１と同様
のものを用いた。これらの無機組成物と有機組成物を三
本ロールにて混練し端子電極ペーストとした。
法は実施の形態２と同様である。端子電極ペーストの作
製方法を示す。無機組成物としては、平均粒子径２μｍ
の銅粉のみを用いた。有機組成物は実施の形態１と同様
のものを用いた。これらの無機組成物と有機組成物を三
本ロールにて混練し端子電極ペーストとした。
【００３７】以下にチップ抵抗器の作製方法について示
す。まず抵抗体ペーストをアルミナ基体（９６％アルミ
ナ基板 ４．５×３．２ｍｍ）上に印刷し、１００℃の
温度で１０分間乾燥させた。次にこのアルミナ基体上の
抵抗体乾燥膜の両端に端子電極ペーストを印刷し、１０
０℃の温度で１０分間乾燥させた。そして、この電極と
抵抗体の乾燥膜を形成したアルミナ基体を１００％Ｎ2
雰囲気下で９００℃−１０分間焼成しチップ抵抗器を作
製した。
す。まず抵抗体ペーストをアルミナ基体（９６％アルミ
ナ基板 ４．５×３．２ｍｍ）上に印刷し、１００℃の
温度で１０分間乾燥させた。次にこのアルミナ基体上の
抵抗体乾燥膜の両端に端子電極ペーストを印刷し、１０
０℃の温度で１０分間乾燥させた。そして、この電極と
抵抗体の乾燥膜を形成したアルミナ基体を１００％Ｎ2
雰囲気下で９００℃−１０分間焼成しチップ抵抗器を作
製した。
【００３８】さらにこのチップ抵抗器の抵抗体部をコー
トするようにエポキシ樹脂を塗布し、図４，５に示した
構造を有するチップ抵抗器を作製した。
トするようにエポキシ樹脂を塗布し、図４，５に示した
構造を有するチップ抵抗器を作製した。
【００３９】チップ抵抗器の評価方法は実施の形態１と
同様である。作製したチップ抵抗器の断面部を走査電子
顕微鏡、電子線マイクロアナライザ、Ｘ線微小回折計を
用いて構造を明らかにした。模式図を図３に示す。図３
において、１は銅−ニッケル合金相、２はガラスを含む
界面層、３はアルミナ基体、４は銅端子電極層である。
同様である。作製したチップ抵抗器の断面部を走査電子
顕微鏡、電子線マイクロアナライザ、Ｘ線微小回折計を
用いて構造を明らかにした。模式図を図３に示す。図３
において、１は銅−ニッケル合金相、２はガラスを含む
界面層、３はアルミナ基体、４は銅端子電極層である。
【００４０】結果を（表７）に示す。
【００４１】
【表７】
【００４２】（表７）より明らかなように本実施の形態
によれば、比較例に比べて低抵抗値、低ＴＣＲ、高信頼
性のチップ抵抗器が得られることが分かる。また、樹脂
コート構造をとることにより高温放置試験後の抵抗値の
変化率が小さくなることから信頼性が向上していること
が認められる。
によれば、比較例に比べて低抵抗値、低ＴＣＲ、高信頼
性のチップ抵抗器が得られることが分かる。また、樹脂
コート構造をとることにより高温放置試験後の抵抗値の
変化率が小さくなることから信頼性が向上していること
が認められる。
【００４３】なお、本発明の実施の形態１〜３では焼成
温度制御による抵抗体の焼結粒子径の制御について示し
たが、焼結粒子径のコントロールは抵抗体ペーストに含
まれる無機成分の組成、粒子径や焼成雰囲気、温度プロ
ファイルを制御することによっても可能である。また、
焼結抵抗体膜厚についても上記条件の制御および印刷膜
厚を変化させることによってコントロール出来る。
温度制御による抵抗体の焼結粒子径の制御について示し
たが、焼結粒子径のコントロールは抵抗体ペーストに含
まれる無機成分の組成、粒子径や焼成雰囲気、温度プロ
ファイルを制御することによっても可能である。また、
焼結抵抗体膜厚についても上記条件の制御および印刷膜
厚を変化させることによってコントロール出来る。
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、低ＴＣ
Ｒ、低抵抗値、高信頼性を有する抵抗器を厚膜形成法で
形成出来るとともに、レーザートリミングを用いた抵抗
値調整が可能な生産性の良いプロセスを提供できる。
Ｒ、低抵抗値、高信頼性を有する抵抗器を厚膜形成法で
形成出来るとともに、レーザートリミングを用いた抵抗
値調整が可能な生産性の良いプロセスを提供できる。
【図１】本発明の実施の形態１の抵抗器の断面構成を示
した模式図
した模式図
【図２】本発明の実施の形態２の抵抗器の断面構成を示
した模式図
した模式図
【図３】本発明の実施の形態３の抵抗器の断面構成を示
した模式図
した模式図
【図４】本発明の実施の形態３における樹脂コートした
抵抗器の構成を示した斜視図
抵抗器の構成を示した斜視図
【図５】本発明の実施の形態３における樹脂コートした
抵抗器の断面構成を示した模式図
抵抗器の断面構成を示した模式図
１ Ｎｉ−Ｃｕ合金抵抗体層 ２ ガラス層 ３ セラミック基体 ４ 端子電極（銅） ５ 樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中尾 恵一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 平均粒子径が５μｍ以下の銅−ニッケル
合金粉末含有量が９７重量％より多く、５５０℃未満の
軟化点を有するガラス粉末を０〜３重量％未満含有する
混合粉体をビヒクルに分散させて得られる抵抗体ペース
ト。 - 【請求項２】 平均粒子径が５μｍと平均粒子径が２μ
ｍ以下の銅−ニッケル合金粉末を混合して、粒度分布に
少なくとも２つのピークをもたせ、銅−ニッケル合金粉
末含有量が９７重量％より多く、５５０℃未満の軟化点
を有するガラス粉末を０〜３重量％未満含有する混合粉
体をビヒクルに分散させて得られる抵抗体ペースト。 - 【請求項３】 セラミック基体に、少なくとも銅−ニッ
ケル合金粉末を含有する抵抗体ペーストを印刷し、中性
雰囲気中で焼成し、焼結粒子径が３０μｍ以下であり、
かつ焼結抵抗体膜厚が４０μｍ以下である抵抗器。 - 【請求項４】 セラミック基体の両端に、銅粉末とガラ
ス粉末をビヒクルに分散させて得られるペーストを印
刷、乾燥させ端子電極乾燥膜を形成した後、その乾燥膜
の両端に架かるように、少なくとも銅−ニッケル合金粉
末を含有する抵抗体ペーストを印刷し、中性雰囲気中で
焼成する抵抗器の製造方法。 - 【請求項５】 セラミック基体に、少なくとも銅−ニッ
ケル合金粉末を含有する抵抗体ペーストを印刷、乾燥さ
せた後、銅粉末をビヒクルに分散させて得られるペース
トを、抵抗体乾燥膜の両端子電極部に印刷し、中性雰囲
気中で焼成する抵抗器の製造方法。 - 【請求項６】 セラミック基体に、少なくとも銅−ニッ
ケル合金粉末を含有する抵抗体ペーストを印刷し、中性
雰囲気中で焼成した後、その焼結体表面、焼結体断面、
焼結体／セラミック基材界面の全ての面の少なくとも一
部を樹脂で覆う抵抗器の製造方法。
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| JP00518597A JP3791085B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 抵抗体ペースト及びそれを用いた抵抗器及びその製造方法 |
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| JPH10199705A true JPH10199705A (ja) | 1998-07-31 |
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| JP00518597A Expired - Fee Related JP3791085B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 抵抗体ペースト及びそれを用いた抵抗器及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP3791085B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010108696A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Mitsuboshi Belting Ltd | 抵抗体ペースト及び抵抗器 |
| JP2016072501A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅−ニッケル厚膜抵抗器およびその製造方法 |
| WO2016170900A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | スタンレー電気株式会社 | 抵抗器の製造方法、抵抗器、および、電子デバイス |
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| US10383214B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-08-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Electronic device, method for producing same, and circuit substrate |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP00518597A patent/JP3791085B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2016170900A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | スタンレー電気株式会社 | 抵抗器の製造方法、抵抗器、および、電子デバイス |
| JP2016207903A (ja) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | スタンレー電気株式会社 | 抵抗器の製造方法、抵抗器、および、電子デバイス |
| US10431358B2 (en) | 2015-04-24 | 2019-10-01 | Stanley Electric Co., Ltd. | Resistor production method, resistor, and electronic device |
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