JPH10199788A - 結像光学系、露光装置、及び前記光学系を用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

結像光学系、露光装置、及び前記光学系を用いたデバイスの製造方法

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JPH10199788A
JPH10199788A JP9001980A JP198097A JPH10199788A JP H10199788 A JPH10199788 A JP H10199788A JP 9001980 A JP9001980 A JP 9001980A JP 198097 A JP198097 A JP 198097A JP H10199788 A JPH10199788 A JP H10199788A
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light
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sin
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JP9001980A
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Sumio Hashimoto
純夫 橋本
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 1本の投影光学系だけを用いて従来の回折格
子法による限界解像力向上の技術を適用でき、且つ必要
に応じてあらゆる方向に配列された周期的パターンの限
界解像力を向上できる結像光学系を提供する。 【解決手段】 開口絞り板5の開口6A,6Bを通過し
た露光光ILでレチクル11を照明し、レチクル11を
通過した光束を変調格子14、投影光学系15、復調格
子16、及び不要光除去部材17を介してウエハ18上
に照射する。レチクル11とウエハ18とは投影光学系
15に関して共役であり、変調格子14でのn次回折光
を投影光学系15を介して復調格子16に照射し、復調
格子16からの−n次回折光中から不要光除去部材17
を介して解像力を向上すべき方向(x方向)に直交する
方向に大きく傾斜した光束を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、結像光学系、この
結像光学系を備えた露光装置、及びその結像光学系を用
いたデバイスの製造方法に関し、例えば半導体素子、撮
像素子(CCD等)、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッ
ド等を製造するためのリソグラフィ工程で、マスクパタ
ーンを所謂超解像によって投影光学系を介して高い解像
度で感光性基板上に転写する場合に使用して好適なもの
である。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等を製造する際に使用されて
いるステッパー等の投影露光装置では、ウエハ(又はガ
ラスプレート等)上にできるだけ高集積度のパターンを
焼き付けることが望まれている。そのため、従来より露
光の解像力を上げるために、露光光の波長(露光波長)
を短くすると共に、投影光学系の開口数(NA)を大き
くするという努力がなされてきた。
【0003】更に、同じ露光波長、及び同じ投影光学系
の開口数のもとでより解像力を向上させるために、変形
光源法(傾斜照明法)や位相シフトレチクル法等の所謂
超解像技術も開発され、これらの技術も利用されつつあ
る。ところで、小瀬輝次:応用物理 第37巻 第9号
p.853(1968) には、さまざまな方法の超解像技術が分
類されて紹介されている。その技術の1つに「瞳合成
法」があり、この瞳合成法を実施するための具体的な技
術の1つに「回折格子法」がある。この回折格子法は、
W.Lukosz:J.Opt.Soc.Amer. 56,p.1463(1966)に詳細に記
載されている。この回折格子法では、或る特定方向に細
かいピッチの周期的パターンよりなる物体が有る場合、
その物体から露光波長以上離れている位置に、その周期
的パターンの周期方向に対して回折方向が角度θ(0<
θ<π/2)だけ傾いた変調用の回折格子が配置され
る。そして、この変調用の回折格子によって、その物体
の虚像が周期方向に対して角度θだけ傾いた方向に多数
生成される。その変調用の回折格子を通さない場合、物
体の空間周波数成分のうち投影光学系の開口数以上の成
分は投影光学系を通過できない。しかし、その変調用の
回折格子を通すことによって、周期方向に対して角度θ
だけ傾いた方向に作られた虚像による投影光学系の開口
数以上の空間周波数成分の一部は、投影光学系の開口数
以内に入ることができる。
【0004】そこで、投影光学系を通過した後に、同じ
く周期的パターンに対して角度θだけ傾けた復調用の回
折格子によって、0次回折光による投影光学系の開口数
以内の空間周波数成分と、±1次回折光による投影光学
系の開口数以上の空間周波数成分とを合成する。その復
調用の回折格子も像に対して露光波長以上離れていても
よい。更にその回折格子法では、復調用の回折格子によ
って作られた重複像を構成する余分の空間周波数成分を
取り除くために、復調用の回折格子の直後に形成される
像を更に第2の投影光学系で再結像し、この第2の投影
光学系の瞳位置にその周期的パターンの周期方向に延び
たスリット状のフィルタを配置している。
【0005】この回折格子法によれば、変調用の回折格
子及び復調用の回折格子はそれぞれ物体及び像から格子
ピッチ以上離れていてもよいという意味で、半導体素子
製造用の投影光学系に利用できる可能性はある。また、
この方法によれば、限界解像力を2倍程度向上できると
言われているが、それらの回折格子が物体又は像から格
子ピッチ以上離れているために、向上された限界解像力
が開口数換算で1以上に相当することは不可能である。
そのため、この技術は超解像というよりも、投影光学系
の開口数以上の光束を結像させるのを回折格子で補強し
ようとする技術とも言うことができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の回折
格子法によると、余分の重複像の空間周波数成分を取り
除くために、1回結像させた像を再結像するための第2
の投影光学系が必要である。しかしながら、解像力向上
の要求に耐えられるような収差の極めて少ない投影光学
系を2本製作すると、従来のように投影光学系1本で済
む投影露光装置に比べて、製造コストが大幅に増大する
という不都合がある。
【0007】また、従来の回折格子法では、特定方向に
配列された周期的パターンのみの解像力が向上し、その
周期的パターンの周期方向に垂直な方向に配列された周
期的パターンの限界解像力は向上しないという不都合も
あった。本発明は斯かる点に鑑み、1本の投影光学系だ
けを用いて従来の回折格子法による限界解像力向上の技
術を適用でき、且つ必要に応じてあらゆる方向に配列さ
れた周期的パターンの限界解像力を向上できる結像光学
系、及びこの結像光学系を備えた露光装置を提供するこ
とを目的とする。更に本発明は、その結像光学系の使用
方法の一例として、その結像光学系を用いた種々のデバ
イスの製造方法を提供することをも目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明による結像光学系
は、所定の照明光のもとで第1面上のパターンの像を第
2面上に投影する投影光学系(15)と、その第1面と
投影光学系(15)との間に配置されその第1面のパタ
ーンからの光束のn次回折光(nは整数)を生成する変
調手段(14)と、その投影光学系とその第2面との間
に配置されその投影光学系からの光束のm次回折光(m
は整数)を生成する復調手段(16)と、復調手段(1
6)とその第2面との間に配置された光学部材(17)
と、を備え、その投影光学系のその第2面側は実質的に
テレセントリックであると共に、その投影光学系は変調
手段(14)からのそのn次回折光を通過させる開口数
を有し、光学部材(17)は復調手段(16)からの回
折光の内で次の関係を満足しない次数の不要な光束を除
去するものである。
【0009】 n+m=0(即ち、m=−n) (1) 斯かる本発明の原理につき図2を参照して説明する。先
ず、その第1面上のパターンの空間周波数成分が図2
(b)の長円領域21内に分布し、投影光学系(15)
の開口数が図2(c)の円形領域24内の空間周波数成
分を通過させるものとすると、そのままでは長円領域2
1の両端部の成分は結像に寄与できない。そこで、変調
手段(14)によって、図2(c)に示すように、長円
領域21の例えば0次回折光、+1次回折光22、及び
−1次回折光23を生成し、これらの回折光を投影光学
系(15)に供給すると、図2(d)に示すように、そ
れらの内の円形領域24内の成分21a,22a,23
aのみが通過する。そして、復調手段(16)を用い
て、図3(b)に示すように、0次回折光の他に、成分
22aの−1次回折光22a’、及び成分23aの+1
次回折光23a’を生成すると、図2(b)の長円領域
21を含む空間周波数成分が生成される。このとき、n
の値は0,+1,−1であり、対応するmの値は−n、
即ち0,−1,+1である。次に、光学部材(17)を
用いて、図3(c)に示すように、不要な領域28,2
9の光束を遮光することによって、元の長円領域21内
の空間周波数成分が再現される。即ち、第2の投影光学
系を使用することなく、回折格子法による超解像効果が
得られる。
【0010】この場合、復調手段(16)は一例とし
て、投影光学系(15)の光軸と直交する平面内に配置
された回折格子を含み、この回折格子はその平面内にお
いて、投影像の解像力を向上させるべき所定の方向(x
方向)に対して角度θだけ傾斜した方向に沿って所定の
ピッチdの回折パターンより構成されている。このと
き、角度θの範囲は、一例として0<θ<π/2[ra
d]である。そして、その照明光の波長をλとして、2
つの角度α1及びα2を次のように定義する。
【0011】 α1=sin-1[d・sinθ/(2λ)] (2) α2=sin-1(d・sinθ/λ) (3) このとき、光学部材(17)は、復調手段(16)から
の光束の内で投影光学系(15)の光軸に対する傾斜角
が角度α1又はα2以内の光束を通過させることが望ま
しい。このとき、角度α1を用いるのは、図3(b)に
示すように、空間周波数領域の0次回折光の成分21a
が解像力を向上させるべき方向(x方向)に直交するy
方向にも所定の広がりを有し、成分21aと±1次回折
光の成分22a,23aとがほぼ接するような場合であ
り、これによって有効成分を確保しつつ不要な空間周波
数成分を除去できる。一方、角度α2を用いるのは、空
間周波数領域の0次回折光の成分21aがy方向には殆
ど広がりを持たない場合であり、この場合には有効な結
像光束を遮光する確率が低減する。これらの場合、復調
手段(16)及び光学部材(17)を同期してπ〜2π
[rad]回転自在にしておくことによって、あらゆる
方向に解像力を向上できる。
【0012】また、その光学部材の一例は、それぞれ投
影像の解像力を向上させるべき方向(x方向)及び投影
光学系(15)の光軸(z方向)に平行な複数枚の平板
(31A,31B,31C,…)を、その解像力を向上
させるべき方向に直交する方向(y方向)に所定ピッチ
で配列して形成されるものである。このとき、投影光学
系(15)が第2面側にテレセントリックであるため、
例えば図6に示すように光学部材(17)で除去すべき
空間周波数成分の光束の、光軸に対するその直交する方
向への傾き角を開き角で2αとすると、光学部材(1
7)では光軸に対する傾き角がα以上の光束を遮光すれ
ばよい。このためには、平板(31A,31B,…)の
光軸方向の長さをh、それらの間隔をdsとすると、次
の関係を満たせばよい。
【0013】ds≦h・tan α (4) また、その光学部材の他の例は、復調手段(16)から
のその不要な光束を除去するために、投影光学系(1
5)のその第2面上の結像領域外に向けてその不要な光
束を反射させる反射面を有する複数個のプリズム(32
〜34)を含むものである。この場合、その光学部材で
光軸に対して所定の方向に傾き角がα以上の光束を除去
するものとすると、例えば図7に示すように、それらの
プリズム(32〜34)をその所定の方向(y方向)に
対して傾斜した面を有し、且つ傾き角がα以上で入射す
る光束を全反射によって別の方向に向けるようにすれば
よい。即ち、入射角がαのときに少なくとも1つのプリ
ズムの面で臨界角となればよい。また、これらのプリズ
ムの光軸に垂直でない面は、前記の角度α以上で出射す
る光束と臨界角以上で交差することが望ましいが、臨界
角以上にすることが困難である場合は、臨界角以内であ
っても反射率が著しく高まるようなコーティングを施せ
ばよい。
【0014】また、変調手段(14)及び復調手段(1
6)としては、振幅型の回折格子のみならず、位相型の
回折格子や、音響光学素子等も使用できるが、例えば位
相型の回折格子を使用する場合は、回折光として0次回
折光を含まない+1次回折光及び−1次回折光のみを生
成できるため、重複像を除去することが容易になる。次
に、本発明による露光装置は、上記の本発明の結像光学
系と、その第1面上に配置されたマスク(11)を照明
する照明光学系(1〜4,7〜10)と、その第2面上
に配置された感光性基板(18)を保持する基板保持部
材(19)と、を備え、そのマスクのパターンの像をそ
の結像光学系を介してその感光性基板上に転写するもの
である。この場合、投影光学系(15)自体の開口数で
定まる解像力よりも高い解像力でそのマスクのパターン
がその感光性基板上に転写される。
【0015】また、復調手段(16)が解像力を向上さ
せるべき方向に対して角度θだけ回転した方向に配列さ
れた回折格子である場合、その照明光学系は、その解像
力を向上させるべき方向に光軸から傾斜した光束をその
マスクに照射することが望ましい。これによって、マス
クから大きな角度で射出される光束の強度が強くなるた
め、そのように解像力を向上させた像が明るくなる。
【0016】また、本発明によるデバイスの製造方法
は、上記の本発明の結像光学系を用いて所定のデバイス
を製造する方法であって、その第1面上にそのデバイス
用のパターンの形成されたマスク(11)を設定すると
共に、その第2面上に感光性基板(18)を設定する第
1工程と、この第1工程後にそのマスクに露光用の照明
光を照射して、そのマスクのパターンの像をその結像光
学系を介してその感光性基板上に転写する第2工程と、
を含むものである。これによって、そのマスクのパター
ンが高い解像力で転写される。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図面を参照して説明する。図1は、本例の投影露
光装置の概略構成を示し、この図1において、露光時に
は水銀ランプよりなる露光光源1から射出された露光光
ILは、楕円鏡2によって収束されて不図示のシャッタ
の近傍を通過した後、インプットレンズ3を介してフラ
イアイレンズ4に入射する。なお、露光光ILとして
は、水銀ランプのi線やg線等の輝線の他に、ArFエ
キシマレーザ光やKrFエキシマレーザ光等のエキシマ
レーザ光、あるいは金属蒸気レーザやYAGレーザの高
調波等が使用できる。
【0018】このとき、フライアイレンズ6の射出面に
は多数の2次光源が形成される。フライアイレンズ6の
射出面には開口絞り板5が配置され、開口絞り板5には
所定方向にこの照明光学系の光軸に関して対称に2つの
円形の開口6A,6Bが形成されている。これらの開口
6A,6Bを通過した露光光ILは、第1リレーレンズ
7を経てレチクルブラインド(可変視野絞り)8に入射
する。レチクルブラインド8の配置面はレチクル11の
パターン面と共役であり、レチクルブラインド8の開口
形状によってレチクル11上での照明領域が規定され
る。レチクルブラインド8を通過した露光光ILは、第
2リレーレンズ9、及びコンデンサレンズ10を介して
レチクル11のパターン面(下面)を照明する。露光光
源1〜開口絞り板5、及び第1リレーレンズ7〜コンデ
ンサレンズ10より本例の照明光学系が構成されてい
る。また、開口絞り板5を光軸を中心として±180°
回転するための回転駆動装置39Dが設けられ、装置全
体の動作を制御する主制御系38が回転駆動装置39D
を介して回転絞り板5の回転角を所望の角度に設定でき
るように構成されている。
【0019】レチクル11のパターン13を通過した露
光光ILは、変調用の回折格子(以下、「変調格子」と
呼ぶ)14、投影光学系15、復調用の回折格子(以
下、「復調格子」と呼ぶ)16、及び不要光除去部材1
7を介して、フォトレジストが塗布されたウエハ18の
表面に入射する。この場合、レチクル11のパターン面
とウエハ18の表面とは投影光学系15に関して共役で
あり、レチクル11のパターンがウエハ12上に所定の
投影倍率(通常は例えば1/4,1/5等の縮小倍率)
で転写される。この場合、後述のように変調格子14、
復調格子16、及び不要光除去部材17によって、ウエ
ハ18上に転写される投影像の解像力は、投影光学系1
5自体の開口数によって定まる解像力よりも向上してい
る。また、変調格子14、復調格子16、及び不要光除
去部材17をそれぞれ投影光学系15の光軸AXを中心
として±180°の範囲内で回転するための回転駆動系
39A,39B,39Cが備えられ、主制御系38が必
要に応じて回転駆動系39A〜39C,39Dを介し
て、変調格子14、復調格子16、不要光除去部材1
7、及び開口絞り板5を所定の角度関係を維持して±1
80°回転できるように構成されている。以下、投影光
学系15の光軸AXに平行にz軸を取り、z軸に垂直な
平面内の直交座標系をx軸及びy軸として説明する。
【0020】このとき、レチクル11はx方向、y方向
及び回転方向に微動可能なレチクルステージ12上に保
持されている。レチクルステージ12の位置は外部のレ
ーザ干渉計(不図示)によって高精度に計測され、その
計測値に基づいて主制御系38がレチクルステージ12
の位置を制御している。一方、ウエハ18は不図示のウ
エハホルダを介してx方向、y方向に移動自在なウエハ
ステージ19上に載置されている。ウエハステージ19
の位置も不図示のレーザ干渉計により高精度に計測さ
れ、この計測結果に基づいて主制御系38がウエハステ
ージ19の位置を制御している。そして、フォトレジス
トが塗布されたウエハ18をウエハステージ19上にロ
ードしてアライメントを行った後、ウエハステージ19
によりウエハ18の各ショット領域を投影光学系15の
露光フィールド内に移動する動作と、露光動作とがステ
ップ・アンド・リピート方式で繰り返されて、レチクル
11上のパターンの像がウエハ18上の各ショット領域
に転写される。その後、現像工程及びパターン形成工程
等を経ることによって、ウエハ18の各ショット領域に
レチクル11のパターンに対応する回路パターンが形成
される。
【0021】次に、本例において解像力を向上させるた
めの機構につき詳細に説明する。ここでは一例として、
レチクル11のパターン面の転写対象のパターンは、x
方向に小さいピッチで配列された周期的なパターン13
であるとする。図2(b)は、空間周波数領域でのその
パターン13の空間周波数分布の一例を示し、この図2
(b)に示すように、パターン13の空間周波数成分は
x方向を長手方向とする長円領域21に分布している。
また、図2(c)は投影光学系15によるレチクル11
のパターン面に対する光学的フーリエ変換面(瞳面)を
示し、円形領域24は投影光学系15の開口数に対応し
ており、投影光学系15を通過できる結像光束の範囲は
円形領域24の内部である。この場合、パターン13の
空間周波数分布に対応する長円領域21の両端部は円形
領域24からはみ出しているため、そのままではパター
ン13のx方向の高い空間周波数成分は投影光学系15
を通過できない。従って、このパターン13の解像力を
向上させるべき方向はx方向である。
【0022】そのため、図1の照明光学系の開口絞り板
5は、解像力を向上させるべき方向(x方向)に対応さ
せて、2つの円形の開口6A,6Bがx方向に沿って配
列されるように回転角が設定してある。これによってレ
チクル11からx方向に大きな回折角で射出される光束
の強度が大きくなり、明るい像が得られる。また、変調
格子14は、図2(a)に示すようにピッチdの振幅型
回折格子であり、そのピッチ方向(周期方向)は解像力
を向上させるべき方向(x方向)に対してウエハ18か
ら見て反時計周りに角度θ(0<θ<π/2)だけ回転
した矢印25で示す方向に設定してある。同様に、復調
格子16は、図3(a)に示すようにピッチd2の振幅
型回折格子であり、そのピッチ方向(周期方向)はx方
向に対してウエハ18から見て反時計周りに角度θだけ
回転した矢印27で示す方向に設定してある。また、本
例の投影光学系15はウエハ18側にテレセントリック
であり、不要光除去部材17は、図6に示すように、解
像力を向上させるべき方向(x方向)に対して直交する
y方向に遮光板31A,31B,31C,…を所定間隔
で配列して構成されている。遮光板31A,31B,…
はそれぞれxz平面に平行であり、これによって、投影
光学系15の光軸AX(z軸に平行な軸)に対してy方
向に所定角度以上傾斜した光束が遮光される。
【0023】このような構成のもとでレチクル11のパ
ターン像の結像は次のように行われる。即ち、開口絞り
板5のx方向に配列された2つの開口6A,6Bを通過
した露光光ILは、コンデンサレンズ10等を介してレ
チクル11のパターン13を斜めに照明し、パターン1
3を通過した露光光ILは変調格子14によってx軸に
対して角度θだけ回転した方向に回折され、変調格子1
4から0次回折光、及び±1次回折光が投影光学系15
に向けて射出される。この際に、投影光学系15に入射
する回折光は、図2(c)に示すように、長円領域21
内の0次回折光、長円領域21の+1次回折光22、及
びその−1次回折光23である。+1次回折光22、及
び−1次回折光23は、x軸に対して角度θで傾斜した
直線26に沿って長円領域21を移動したような空間周
波数成分を有する。この場合、その図2(c)に示す回
折光の内で投影光学系15を通過できる光束は、図2
(d)に示すように、円形領域24内の成分21a,2
2a,23aのみである。
【0024】次に投影光学系15を通過した露光光は、
復調格子16によってx方向に対して角度θだけ回転し
た方向に再度回折される。図3(b)は、復調格子16
によって回折される露光光の空間周波数分布を示し、こ
の図3(b)において、投影光学系15からの円形領域
24内の空間周波数成分の0次回折光と、その空間周波
数成分をx軸に対して角度θで傾斜した直線26に沿っ
て前後に移動した−1次回折光24A、及び+1次回折
光24Bとが復調格子16から射出される。この結果、
図3(b)において、0次回折光の成分21aの−x方
向には成分22aの−1次回折光22a’が生成され、
成分21aの+x方向には成分23aの+1次回折光2
3a’が生成されるため、図2(b)の元の長円領域2
1内の空間周波数成分が超解像によって復元される。と
ころが、図3(b)から分かるように、元の長円領域2
1の成分の他に、重複像に起因するy方向に不要な空間
周波数成分も生成されている。そこで、そのような重複
像を除去するために、図1の不要光除去部材17によっ
て光軸AXに対してy方向に所定角度以上傾斜した光束
を遮光する。不要光除去部材17を通過した後の露光光
の空間周波数成分からは、図3(c)に示すように、長
円領域21に対してy方向に接する領域28,29の成
分が除去されているため、ウエハ18上にはレチクル1
1のパターン13の像がx方向に高い解像力で転写され
る。即ち、本例の不要光除去部材17によって、従来の
回折格子法で必要とされていた第2の投影光学系が省略
できる。
【0025】その不要光除去部材17の作用について定
量的に理解し易くするために、レチクル11を通過した
光線の光路について、図1、図4及び図5を参照して光
線追跡の方法により考察する。この際に簡単のため、図
1の投影光学系15の投影倍率を1倍とする。また、x
方向がメリジオナル方向、y方向がサジタル方向となっ
ている。そして、レチクル11から方向余弦(cx,c
y,cz)で表される方向に射出される光線をaとし
て、この光線aの進行方向を次のように方向余弦のx成
分及びy成分を持つベクトルで表す。
【0026】a=(cx,cy) (5) このとき、方向余弦のz成分czは、cx2 +cy2
cz2 =1の関係より、常に他の2つの成分cx,cy
から求めることができる。ここで解像力を向上させよう
とする方向はx方向であり、変調格子14及び復調格子
16の回折方向はx方向に対して角度θだけ傾いている
ので、光線aが変調格子14によってn次の回折光bn
になる場合、変調格子14のピッチはdであり、露光波
長をλとすると、回折光bn の進行方向は次の方向余弦
で表すことができる。
【0027】 bn =(cx’,xy’)=(cx−(nd/λ)・cos θ,cy−(nd/λ )・sin θ),(n=0,±1,±2,…) (6) 更に回折光bn が投影光学系15を通過して、復調格子
16により再び回折されて、m次の回折光cmnになった
場合、投影光学系15が等倍と仮定されているため、復
調格子16のピッチd2はdと等しく設定される。ま
た、復調格子16もその回折方向がx軸に対して角度θ
だけ傾いているので、回折光cmnの進行方向をcmn
(cx”,cy”)という方向余弦で表すと、各成分は
次のようになる。
【0028】 cx”=cx’−(md/λ)・cos θ, cy”=cy’−(md/λ)・sin θ(m=0,±1,±2,…) (7) (6)式、(7)式より、回折光cmnの進行方向は次の
ようになる。 cmn=(cx−(nd/λ)・cos θ−(md/λ)・cos θ, cy−(nd/λ)・sin θ−(md/λ)・sin θ) (8) この(8)式より明らかなように、次の関係が満たされ
ると、回折光cmnの進行方向は(5)式で表されるレチ
クル11からの光線aの進行方向(cx,cy)と同じ
になり、レチクル11上のパターン13を再現できるこ
とが分かる。
【0029】n+m=0 (9) この場合、強度の強い0次回折光と±1次回折光のみを
考えると、(9)式を満たす回折次数n,mの組み合わ
せは、(n=0,m=0)と、(n=1,m=−1)
と、(n=−1,m=1)との3通りある。本例では、
主にこれらの3通りの回折次数の組み合わせによってレ
チクルのパターンを再現する。しかし、(9)式を満足
しない回折光は、重複像を形成する余分の回折光であ
り、これらを除去する必要があり、そのための光学部材
として復調格子16とウエハ18との間に不要光除去部
材17が配置されている。
【0030】ここで、レチクル11からきた光線aの進
行方向が、a=(cx,0)で表される場合、(6)式
より変調格子14を通過した回折光bn の進行方向は次
のようになる。 bn =(cx-(nd/λ)・cos θ,(-nd/λ)・sin θ) (10) n=1の場合、この回折光bn が光軸AXとなす角度の
正弦は、次のようになる。
【0031】 [{cx−(d/λ)・cos θ}2+{(d/λ)・sin θ}21/2 (11) 従って、この場合の正弦がレチクル11からの光線aの
入射角の正弦よりも小さくなれば、レチクル11から出
射した光線の開口数よりも小さな開口数の光線を投影光
学系15に通過させることができ、解像力向上につなが
る。つまり、次の条件を満足するとき、解像力向上が期
待できる。
【0032】 cx2 −2(d/λ)・cx・cos θ+(d/λ)2 <cx2 (12) これを解くと、次式が得られる。 d<2λ・cx・cos θ (13) 図4は、レチクル11を出射した光線、及び変調格子1
4によって回折された回折光のそれぞれのx方向及びy
方向の方向余弦を表す図であり、この図4を参照してx
方向に配列された周期的パターンの限界解像力を向上さ
せようとする方法につき説明する。また、図1の投影光
学系15の開口数NAをsin βとして、図4の円周30
は、半径がsin β(=NA)の円周を表している。即
ち、円周30の内部が投影光学系15を通過できる光線
の方向余弦を表す。また、図4において円周30の中心
(光軸AX)をx軸及びy軸の原点Oとして、原点Oか
らx方向にレチクル11からの光線の方向余弦のx成分
cxだけ離れた点をA、線分OAと円周30とが交差す
る点をPとすると、線分OAのような方向余弦の幅を持
つ光束の内、線分PAの範囲内の方向余弦の光線は通常
は投影光学系15を通過できない。しかし、本例では、
g軸のように、x軸に対してウエハから見て反時計周り
に角度θだけ傾いた方向に光束を回折させる変調格子1
4が設けられており、それにより回折された−1次回折
光を考えると、方向余弦のx成分、y成分が(0,0)
の光線aの−1次回折光b-1の方向余弦は(−(d/
λ)・cos θ,−(d/λ)・sin θ)になる。即ち、図4
で光線aに対応する点Oがg軸に沿った点O’に移る。
【0033】また、方向余弦が(sin β,0)の光線a
の−1次回折光b-1の方向余弦は(sin β−(d/λ)・
cos θ,−(d/λ)・sin θ)になる。即ち、図4で、
この光線aに対応する点Pがg軸に平行に点Qに移動す
る。同様に、方向余弦が(cx,0)の光線aの−1次
回折光b-1の方向余弦は(cx−(d/λ)・cos θ,−
(d/λ)・sin θ)になり、図4でこの光線aに対応す
る点Aがg軸に平行に点Bに移動する。つまり、−1次
回折によって、線分PAの範囲に方向余弦を持つ光線の
方向余弦は線分QBの範囲に移動して、半径がsin βの
円周30内に入り、投影光学系15を透過できるように
なる。従って、解像力を向上できる。また、線分OPの
範囲の方向余弦を持つ光線は0次回折光としても投影光
学系15を通過できるので、−1次回折によって方向余
弦が線分O’Qの範囲内となった光線が投影光学系15
を通過できなくてもよい。従って、線分O’Qの長さは
sin βであればよい。図4の三角形OBQにおいて、三
平方の定理を用いると次のようになる。
【0034】 {(d/λ)・cos θ−sin β}2+{(d/λ)・sin θ}2=sin2β (14) これを解くと次のようになる。 d/λ=2cos θ・sin β (15) これが投影光学系15の開口数NA(=sin β)と変調
格子14の回折方向を示す角度θとの関係式となり、本
例の変調格子14は(15)式を満たすように構成され
ている。この場合、cx>sin β であるため、(1
5)式が成立すると、(13)式が成立して解像力が向
上する。
【0035】そして、x軸に対してウエハ側から見て反
時計方向に角度θだけ傾斜した方向をピッチ方向とする
復調格子16での+1次回折によって、図4の線分QB
の範囲に方向余弦のある光線の方向余弦は線分PAの範
囲になり、元の線分OAの範囲の方向余弦の光束を再現
できるが、復調格子16による0次回折光の方向余弦は
線分QBの範囲のままである。そこで、その線分QBの
範囲に方向余弦のある光線は、ウエハ上に結像しないよ
うに除去する必要がある。
【0036】この場合、y方向に−(d/λ)・sin θ以
下(絶対値では以上)の方向余弦を持つ光線をウエハ上
に結像させないようにしなければいけないが、光束のy
方向の方向余弦の広がりを考えると、少なくとも−{d
/(2λ)}・sinθ以下の方向余弦の光線をウエハ上に結
像させないようにする必要がある。また前記と同様に、
変調格子14による+1次回折光が、復調格子16によ
って−1次回折光と0次回折光とになった場合を考える
と、y方向に+(d/λ)・sin θ以上の方向余弦の光線
をウエハ上に結像させないようにする必要があることが
分かる。この場合にも、同様に光束のy方向の方向余弦
の広がりを考えると、少なくとも+{d/(2λ)}・sin
θ以上の方向余弦の光線をウエハ上に結像させないよう
にする必要がある。つまり、不要光除去部材17では、
y方向の方向余弦cyが、次の範囲を満たす光線をウエ
ハ上に結像させないように除去すればよい。
【0037】cy≧+{d/(2λ)}・sinθ、又は cy≦−{d/(2λ)}・sinθ (16) このため、図6に示すように、本例の不要光除去部材1
7はzx平面に平行な遮光板31A,31B,…をy方
向に一定間隔で配列して構成されている。それらの遮光
板31A,31B,…のy方向の間隔をdsとし、それ
らの遮光板の光軸方向の長さをhとすると、それらの遮
光板を通過できる光線R1,R2,R3,…のy方向へ
の傾斜角の最大値α’は、h・tan α’=ds を満た
す。このとき、y方向の方向余弦が±{d/(2λ)}・s
inθの範囲外の光線を通過させないようにするために
は、その傾斜角の最大値α’がsin -1[{d/(2
λ)}・sin θ](これをαとする)以下となればよいの
で、次式が成立するように間隔dsを定める必要があ
る。
【0038】 ds≦h・tan[sin-1{d・sin θ/(2λ)}]=h・tan α (17) この際に、ds=h・tan α が成立する場合には、y
方向に角度α以上傾斜した光線は、多数の遮光板31
A,31B,…によって遮蔽されて、ウエハ上には結像
しない。また、間隔dsは波動光学的な解像限界である
0.1μm程度よりも充分大きい必要があるため、間隔
dsは10μm以上であることが必要である。一方、間
隔dsがあまりに大きくなると、y方向の結像位置によ
って照度むらが起こるため、間隔dsはウエハ近傍での
投影光学系15のレンズの有効径である10〜20mm
よりも充分小さいことが望ましく、この点からは間隔d
sは100μm以下であることが望ましい。従って、総
合的に間隔dsは100μm〜10μmの範囲内である
ことが望ましい。
【0039】このような不要光除去部材17の具体的な
構成としては、金属をエッチングして上記のような遮光
板31A,31B,…を形成したものが使用できる。ま
た、遮光板の代わりに遮光帯を使用してもよく、このよ
うな遮光帯としては、使用波長に対して透明な媒質内に
遮光媒質を埋め込むような構造にしたものが考えられ
る。但し、透明な媒質の内部に遮光帯を配置する場合、
遮光帯が光線を吸収して発熱すれば、透明な媒質の屈折
率が変動し、それによってウエハ上に結像する光束の収
差が変動する恐れがあるので、遮光帯は露光光を吸収す
ることなく散乱することが望ましい。
【0040】なお、そのようにy方向の方向余弦が±
{d/(2λ)}・sinθの範囲外の光線をウエハ上に結像
させないようにする不要光除去部材17としては、複数
のプリズムを組み合わせた光学系を使用して、1つのプ
リズムから臨界角以上で出射しようとする光線が全反射
するという現象を利用することもできる。図7は、不要
光除去部材17として使用できる複数のプリズムを示
し、この図7において、図1の復調格子16からの光線
R1〜R4が、光軸AXに垂直な平面を入射側に向けた
第1のプリズム32に入射している。この第1のプリズ
ム32からウエハ18に向かって順に、第1のプリズム
32の傾斜面とほぼ同じ角度だけ傾斜した面を入射側に
し、その傾斜角とほぼ同じ角度で反対方向に傾斜させた
面を出射側にした第2のプリズム33、及び第2のプリ
ズム33の出射側の傾斜面とほぼ同じ角度だけ傾斜した
面を入射側にし、光軸AXと垂直な面を出射側にした第
3のプリズム34が配置されている。これらのプリズム
32〜34の光軸AXに垂直でない面の傾斜方向は全て
y方向であり、プリズム32〜34の臨界角により、y
方向においてその方向余弦が±{d/(2λ)}・sinθ以
上の光軸AXに対する傾き角が大きな光線はウエハ18
上に到達しない。
【0041】即ち、図7において、y方向の方向余弦が
±{d/(2λ)}・sinθの範囲内の光線R2,R3はプ
リズム32,33,34を介してもウエハ18上に入射
するが、光線R1は{d/(2λ)}・sinθ以上のy方向
の方向余弦を有する光線であるため、プリズム32の出
射側の面に臨界角以上で入射して、全反射されて光線
R’1になってウエハ18の表面には達しない。また、
光線R4は、−{d/(2λ)}・sinθ以下のy方向の方
向余弦を有する光線であるため、プリズム33の出射側
の面に臨界角以上の入射角で入射して、全反射されて光
線R’4になってウエハ18の表面には達しない。
【0042】投影光学系15の開口数NAが小さい場
合、傾斜角がsin -1[{d/(2λ)}・sinθ]以上の光
線をウエハ上に結像させないためには、プリズム32〜
34の傾斜角を大きくしないと臨界角が前記のようにな
らない。プリズム32〜34の臨界角を大きくすると、
投影光学系15からウエハ18までの距離を大きく取ら
なければならず、そのような投影光学系15を設計する
ことは困難である。従って、臨界角以内でも全反射させ
るような著しく角度特性が異なるようなコーティングを
プリズムの傾斜面に施すことが望ましい。
【0043】なお、それらのプリズム32,33,34
を偏光ビームスプリッタとしてもよい。これらの偏光ビ
ームスプリッタは光軸AXに対して傾斜している面の傾
斜方向に平行な方向(y方向)の偏光成分(P偏光)を
透過し、その傾斜方向に垂直な方向(x方向)の偏光成
分(S偏光)を反射するものである。ところが、本例で
は周期的パターンの周期方向(x方向)に対して偏光ビ
ームスプリッタの傾斜方向(y方向)が垂直であり、P
偏光がウエハ上に結像することは、x方向の偏光成分が
除去されることになるため、通常の自然光よりも解像力
が向上することになり都合がよい。
【0044】また、上述の実施の形態では、変調格子1
4及び復調格子16としては、通常の振幅型回折格子が
使用されていたが、回折効率の点からは位相型回折格子
を使用することが望ましい。このように位相型回折格子
を使用した場合には、0次回折光が殆ど発生しないた
め、以下で図5を参照して説明するように結像が行われ
る。
【0045】図5は、図4に対応してレチクル11を出
射した光線、及び変調格子14(ここでは位相型回折格
子が使用されている)によって回折された回折光のそれ
ぞれのx方向及びy方向の方向余弦を表す図であり、こ
の図5において、半径がsinβ(=NA)の円周30の
内部が投影光学系15を通過できる光線の方向余弦を表
している。この図5において、レチクル11から射出さ
れてx方向のみに方向余弦が延びた線分OAの範囲内の
光束の内で、線分PAの範囲内に方向余弦のある光束
は、sin β以上のx方向の方向余弦があるため、そのま
までは投影光学系15を通過できない。これに対して、
変調格子14による0次回折光は存在しないため、線分
OA内に方向余弦のある光束は、変調格子14によって
−1次回折光と+1次回折光との2方向のみに回折さ
れ、線分OA内に方向余弦のある光束の−1次回折光の
方向余弦は、x軸に対して角度θだけ傾斜したg軸に沿
って移動して線分O’B内になる。
【0046】ここで、位相型回折格子としての変調格子
14のピッチをd、露光波長をλとすると、図5におい
て方向余弦が(0,0)の光線aは、−1次回折によっ
て、方向余弦が(−{d/(2λ)}・cosθ,−{d/
(2λ)}・sinθ)の回折光b-1となり、点Oが点O’に
移る。また、方向余弦が(sin β,0)の光線aは、−
1次回折によって、方向余弦が(sin β−{d/(2
λ)}・cosθ,−{d/(2λ)}・sinθ)の回折光b-1
なり、点Pが点Qに移る。同様に、方向余弦が(cx,
0)の光線aは、方向余弦が(cx−{d/(2λ)}・c
osθ,−{d/(2λ)}・sinθ)の回折光b-1となり、
点Aが点Bに移る。
【0047】つまり、方向余弦が線分OAである光線の
−1次回折光が、線分O’Bが方向余弦である光線とな
るが、図5より明らかなように、OO’=OB=sin β
である。また、線分O’Bはx軸に平行であるため、
点Bはy軸に関して点O’と対称になり、点Bの方向余
弦は({d/(2λ)}・cosθ,−{d/(2λ)}・sin
θ)でもあるため、次式が成立する。
【0048】 O’B=cx=2{d/(2λ)}・cos θ=(d/λ)・cos θ (18) 従って、レチクル11から射出される光束中で、解像力
を向上できる最大の開口数は(d/λ)・cos θである
ことが分かる。また、OO’=d/(2λ)=sin β
であるため、cxをレチクル11から射出される光束中
で解像力を向上できる最大の開口数とすると、cx=2
・sin β・cos θとなる。即ち、解像力は投影光学系1
5の開口数NAの2倍以上に向上させることはできない
が、次式が成立している範囲内で、投影光学系15のみ
による場合よりも解像力を向上できる。
【0049】2・cos θ>1 (19) しかし、位相型回折格子よりなる復調格子16を透過し
た後の回折光の内で、線分O’Bの方向余弦を持つ光束
はそれぞれ+1次回折によって線分OAの方向余弦を持
つ光束となり、−1次回折によって線分O”Cの方向余
弦を持つ光束となるが、0次回折光が存在しないので、
線分O’Bの方向余弦を持つ光束は存在しない。従っ
て、余分の重複像を除去するための不要光除去部材17
では、線分O”Cの方向余弦を持つ光束を除去すればよ
く、y方向の光束の広がりを考えても、少なくとも線分
O’B以上のy方向の方向余弦を持つ光束をウエハ上に
結像させないようにすればよい。つまり、振幅型回折格
子の場合と同様に、y方向において、±{d/(2λ)}
・sinθ以上の方向余弦の光線をウエハ上に結像させない
ようにすればよい。但し、振幅型及び位相型の回折格子
のピッチdが同一でも、位相型回折格子の±1次回折光
の回折方向の方向余弦は、振幅型回折格子のそれの半分
である。
【0050】従って、図5を図4と比較しても明らかな
ように、位相型回折格子では振幅型回折格子の場合より
も、y方向に大きな方向余弦の光線をウエハ上に結像さ
せないようにすればよく、不要光除去部材17が遮光板
又は遮光帯から構成されている場合には、遮光板又は遮
光帯の光軸方向の幅hを小さくでき、不要光除去部材1
7として図7に示す複数のプリズムが使用されていれ
ば、各プリズムの傾斜角を小さくできる。即ち、余分の
重複像をウエハ上に結像させないための光学部材が作り
易くなる。
【0051】例えば、不要光除去部材17として図7の
複数のプリズム32〜34を使用して、y方向に角度φ
以上傾斜した光線を所定のプリズムの臨界角により全反
射する場合を考えて、そのプリズムの傾斜角をψ、屈折
率をNpとすると、次の関係が成立している。 sin (φ+ψ)=1/Np (20) 具体的に、Np=1.5の場合、φ+ψ=41.81゜
となる。例えば、投影光学系15の開口数NAを0.5
6として、図4のように振幅型の回折格子を使用する場
合、{d/(2λ)}・sinθ=0.14であるとすると、
0.14以上のy方向の方向余弦を持つ光線をウエハ上
に結像させないようにすればよい。そこで、角度φは次
のようになる。
【0052】 sin φ=0.14/Np=0.14/1.5 (21) これを解くと、φ=5.36°となり、そのプリズムの
傾斜角は、(20)式より、ψ=36.45゜となる。
ところが、同様に、投影光学系15の開口数NAが0.
56の場合、図5のように位相型の回折格子を用いて、
{d/(2λ)}・sinθ=0.28であるとすると、0.
28以上のy方向の方向余弦を持つ光線をウエハ上に結
像させないようにすればよいので、角度φは次のように
なる。
【0053】 sin φ=0.28/Np=0.28/1.5 (22) これを解くと、φ=10.76°となる。従って、その
プリズムの傾斜角は、(20)式より、ψ=31.05
゜となり、振幅型回折格子よりも少ない傾斜角でよいこ
とになる。従って、位相型回折格子を使用した場合に
は、光軸方向において、それらプリズムの占める領域が
少なくて済み、その分投影光学系15の設計に余裕が出
てくる。
【0054】上述のように本例では、x方向への解像力
を向上できるが、転写すべきパターンには種々の方向に
微細なピッチで配列された周期的パターンが含まれてい
ることがある。このような場合には、図1において、露
光中に主制御系38は回転駆動装置39D,39A,3
9B,39Cを介して、開口絞り板5の開口6A,6B
の配列方向、変調格子14の回折方向、復調格子16の
回折方向、及び不要光除去部材17の遮光板の配列方向
を、上述の位置関係を維持して少なくとも180°回転
する。なお、±180°即ち360°回転するようにし
てもよい。これによって、あらゆる方向に配列されたパ
ターンの解像力を、投影光学系15の開口数で定まる解
像力以上に高めることができる。
【0055】また、上述の実施の形態では、開口絞り板
5を用いて解像力を向上させるべき方向(図1ではx方
向)に傾斜した露光光でレチクル11を照明している。
これによって、レチクル11のパターン13からx方向
に大きな回折角で射出される光束の投影光学系15の瞳
面での強度が低下することがなく、高い解像力が得られ
る。そのように開口絞り板5を使用した場合に更に、レ
チクル11への露光光の傾斜角を大きくするために、特
開平5−188577号公報に開示されているように、
レチクル11の入射側にその解像力を向上させるべき方
向(x方向)をピッチ方向とする位相型の回折格子を配
置してもよい。この位相型の回折格子のピッチをdpと
すると、照明光学系からの露光光が更に方向余弦にして
λ/(2dp)だけ増減した方向から照明されることに
なる。
【0056】図8は、そのように位相型の回折格子を使
用して照明を行う場合の、照明光学系の瞳面(レチクル
11に対する光学的フーリエ変換面)での光源像を示
し、この図8において、開口絞り板5の開口を通常の円
形開口とした場合の円形の光源像(不図示)が、その位
相型の回折格子によってx方向に方向余弦にして±λ/
(2dp)だけシフトしてそれぞれ光源像P-1及びP1
になっている。また、図8において、投影光学系15の
入射側の瞳(投影光学系の入射側の開口数で定まる通過
可能領域)をP0 とする。更に、照明光学系の出射側の
開口数(NAIL)をsin γ、投影光学系PLの入射側の
開口数をsin βとし、次式が成立しているものとする。
【0057】 sin β<λ/(2dp)<sin β+sin γ (23) この場合、λ/(2dp)を(sin β+sin γ)に近付
けていくと、投影光学系15の瞳P0 と、照明光学系の
瞳面における位相型の回折格子による光源像P -1,P1
とが両端の部分のみ重なり合う。従って、図1の照明光
学系の瞳面上の開口絞り板5の開口6A,6Bの位置
を、図6の重なり領域中の小さな円形の開口Q11,Q12
(又はQ-11,Q-12)に合わせた位置にすると、レチクル
11からx方向に大きい角度で射出される露光光のみが
投影光学系15を通過でき、x方向に微細なピッチのパ
ターンが高い解像力で投影される。
【0058】また、そのレチクル11上に設ける位相型
の回折格子のように、傾斜している露光光を優先的にウ
エハ上に結像させるような光学要素の別の例としては、
図9に示すように、レチクル11の射出側に対向するよ
うに設けた遮光用のマスク36がある。図9において、
レチクル11のパターン面にはx方向に所定ピッチで遮
光パターン35A,35B,25C,…が形成されてい
る。これに対して、レチクル11のパターン面から所定
間隔離れた位置に、遮光パターン35A,35B,35
C,…と同じ配置で、且つx方向に明暗の位相が反転し
た遮光パターン37A,37B,37C,…が形成され
たマスク36が配置されている。マスク36を用いて、
レチクル11から出射した露光光の内の傾斜している光
束のみを優先的に通過させるようにするために、レチク
ル11の射出面と遮光用のマスク36との距離をHと
し、マスク36の遮光パターンのピッチをdp’とし、
照明光学系の出射側の開口数NAILをsin γとして、次
の関係が成立すればよい。
【0059】 dp’/(2tan γ)≦H<dp’/[2tan (γ−δ)] (24) 但し、角度δは0<δ<γの関係を満たす角度である。
なお、このように明暗の位相が逆転した遮光用のマスク
36を使用した場合には、それによる回折があるので、
傾斜した照明光を優先的に通過させる効率は、前記のマ
スクの入射側に配置された位相型の回折格子よりも悪
い。なお、上述の実施の形態は本発明の結像光学系を投
影露光装置に適用したものであるが、本発明の結像光学
系は光学顕微鏡等にも適用できる。このように、本発明
は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々の構成を取り得る。
【0060】
【発明の効果】本発明の結像光学系によれば、復調手段
からの回折光の内の不要光を除去する光学部材が設けら
れているため、1本の投影光学系だけを用いて従来の回
折格子法による限界解像力向上の技術を適用でき、周期
的パターンの限界解像力を向上できる利点がある。ま
た、必要に応じて変調手段、復調手段、及び光学部材等
を回転することによって、あらゆる方向に配列された周
期的パターンの限界解像力を向上できる利点がある。
【0061】また、その復調手段は、投影光学系の光軸
と直交する平面内に配置された回折格子を含み、この回
折格子はその平面内において、投影像の解像力を向上さ
せるべき所定の方向に対して角度θだけ傾斜した方向に
沿って所定のピッチdの回折パターンより構成され、そ
の照明光の波長をλとして、2つの角度α1及びα2を
(2)式、(3)式で定義したときに、その光学部材
は、その復調手段からの光束の内でその投影光学系の光
軸に対する傾斜角が角度α1又はα2以内の光束を通過
させる場合には、不要な重複像が除去されて鮮明な投影
像が得られる。
【0062】また、その光学部材が、それぞれ投影像の
解像力を向上させるべき方向及びその投影光学系の光軸
に平行な複数枚の平板を、その解像力を向上させるべき
方向に直交する方向に所定ピッチで配列して形成される
場合には、その光学部材を容易に且つ安価に形成でき
る。また、その光学部材が、その復調手段からの不要な
光束を除去するために、その投影光学系の第2面上の結
像領域外に向けてその不要な光束を反射させる反射面を
有する複数個のプリズムを含む場合には、有効な光束が
遮光されない利点がある。
【0063】また、本発明の露光装置によれば、本発明
の結像光学系を備えているため、投影光学系自体の解像
力以上の解像力でマスク上のパターンを感光性基板上に
転写できる。また、本発明のデバイスの製造方法によれ
ば、本発明の結像光学系を用いて、高い解像力でマスク
上のパターンを感光性基板上に転写できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例の投影露光装置を示
す一部を切り欠いた斜視図である。
【図2】図1の変調格子14の作用の説明図である。
【図3】図1の復調格子16の作用の説明図である。
【図4】本発明の実施の形態において、変調格子14及
び復調格子16が振幅型回折格子である場合の、各回折
光の光軸に垂直な方向の方向余弦を示す図である。
【図5】本発明の実施の形態において、変調格子14及
び復調格子16が位相型回折格子である場合の、各回折
光の光軸に垂直な方向の方向余弦を示す図である。
【図6】図1の不要光除去部材17の一例を示す側面図
である。
【図7】図1の不要光除去部材17として使用できる複
数のプリズムを示す側面図である。
【図8】傾斜している照明光を優先的にウエハ上に結像
させるような光学要素の一例の説明図である。
【図9】傾斜している照明光を優先的にウエハ上に結像
させるような光学要素の他の例の説明図である。
【符号の説明】
5 開口絞り板 11 レチクル 14 変調用の回折格子(変調格子) 15 投影光学系 16 復調用の回折格子(復調格子) 17 不要光除去部材 18 ウエハ 19 ウエハステージ 31A,31B,…,31E 遮光板 32,33,34 プリズム 38 主制御系 39A〜39D 回転駆動装置

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の照明光のもとで第1面上のパター
    ンの像を第2面上に投影する投影光学系と、 前記第1面と前記投影光学系との間に配置され前記第1
    面のパターンからの光束のn次回折光(nは整数)を生
    成する変調手段と、 前記投影光学系と前記第2面との間に配置され前記投影
    光学系からの光束のm次回折光(mは整数)を生成する
    復調手段と、 該復調手段と前記第2面との間に配置された光学部材
    と、を備え、 前記投影光学系の前記第2面側は実質的にテレセントリ
    ックであると共に、前記投影光学系は前記変調手段から
    の前記n次回折光を通過させる開口数を有し、 前記光学部材は前記復調手段からの回折光の内で(n+
    m=0)の関係を満足しない次数の不要な光束を除去す
    ることを特徴とする結像光学系。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の結像光学系であって、 前記復調手段は、前記投影光学系の光軸と直交する平面
    内に配置された回折格子を含み、該回折格子は前記平面
    内において、投影像の解像力を向上させるべき所定の方
    向に対して角度θだけ傾斜した方向に沿って所定のピッ
    チdの回折パターンより構成され、 前記照明光の波長をλとして、2つの角度α1及びα2
    を次のように定義すると、 α1=sin-1[d・sinθ/(2λ)] α2=sin-1(d・sinθ/λ) 前記光学部材は、前記復調手段からの光束の内で前記投
    影光学系の光軸に対する傾斜角が角度α1又はα2以内
    の光束を通過させることを特徴とする結像光学系。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の結像光学系であっ
    て、 前記光学部材は、それぞれ投影像の解像力を向上させる
    べき方向及び前記投影光学系の光軸に平行な複数枚の平
    板を、前記解像力を向上させるべき方向に直交する方向
    に所定ピッチで配列して形成されることを特徴とする結
    像光学系。
  4. 【請求項4】 請求項1又は2記載の結像光学系であっ
    て、 前記光学部材は、前記復調手段からの前記不要な光束を
    除去するために、前記投影光学系の前記第2面上の結像
    領域外に向けて前記不要な光束を反射させる反射面を有
    する複数個のプリズムを含むことを特徴とする結像光学
    系。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4の何れか一項記載の結像光
    学系と、 前記第1面上に配置されたマスクを照明する照明光学系
    と、 前記第2面上に配置された感光性基板を保持する基板保
    持部材と、を備え、 前記マスクのパターンの像を前記結像光学系を介して前
    記感光性基板上に転写することを特徴とする露光装置。
  6. 【請求項6】 請求項1〜4の何れか一項記載の結像光
    学系を用いて所定のデバイスを製造する方法であって、 前記第1面上に前記デバイス用のパターンの形成された
    マスクを設定すると共に、前記第2面上に感光性基板を
    設定する第1工程と、 該第1工程後に前記マスクに露光用の照明光を照射し
    て、前記マスクのパターンの像を前記結像光学系を介し
    て前記感光性基板上に転写する第2工程と、を含むこと
    を特徴とするデバイスの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

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CN112859362A (zh) * 2021-02-02 2021-05-28 中山大学 一种光栅单元子通光孔径时序选通复用的三维显示模组
CN112859362B (zh) * 2021-02-02 2023-04-11 驻景(广州)科技有限公司 一种光栅单元子通光孔径时序选通复用的三维显示模组

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