JPH10200210A - 面発光レーザの製造方法 - Google Patents
面発光レーザの製造方法Info
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- JPH10200210A JPH10200210A JP294497A JP294497A JPH10200210A JP H10200210 A JPH10200210 A JP H10200210A JP 294497 A JP294497 A JP 294497A JP 294497 A JP294497 A JP 294497A JP H10200210 A JPH10200210 A JP H10200210A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 35
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 31
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 12
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 3
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
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- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 電流狭窄領域のサイズのばらつきに起因する
素子特性のばらつきを抑制し、且つ低コストな、面発行
レーザー素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 活性層３への注入電流の狭窄が行われる
ように酸化処理により部分的に高抵抗化された構成を有
する面発光レーザの製造方法において、基板１上に多層
膜を成長させ、その活性層３近傍に酸化層５を設け、そ
の酸化層５上の発光領域のみに酸化防止層７を選択的に
形成し、その後に全体を酸化処理して酸化層５の露出部
分だけを選択的に酸化させ、次いで多層膜を成長させる
ことによって電流狭窄構造を形成する面発光レーザの製
造方法。
素子特性のばらつきを抑制し、且つ低コストな、面発行
レーザー素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 活性層３への注入電流の狭窄が行われる
ように酸化処理により部分的に高抵抗化された構成を有
する面発光レーザの製造方法において、基板１上に多層
膜を成長させ、その活性層３近傍に酸化層５を設け、そ
の酸化層５上の発光領域のみに酸化防止層７を選択的に
形成し、その後に全体を酸化処理して酸化層５の露出部
分だけを選択的に酸化させ、次いで多層膜を成長させる
ことによって電流狭窄構造を形成する面発光レーザの製
造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信あるいは光
情報処理に使用される光源用発光素子である面発光レー
ザの製造方法に関するものである。
情報処理に使用される光源用発光素子である面発光レー
ザの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化により部分的に高抵抗化し活性層へ
の注入電流の狭窄を行う構造の面発光レーザにおいて、
従来は、活性層近傍に設けたＡｌＡｓあるいは高Ａｌ組
成のＡｌXＧａ1-XＡｓを酸化層とし、この酸化層の酸化
反応を多層膜の周囲から横方向より進行させて、選択的
に注入電流を狭窄する方法をとっていた。
の注入電流の狭窄を行う構造の面発光レーザにおいて、
従来は、活性層近傍に設けたＡｌＡｓあるいは高Ａｌ組
成のＡｌXＧａ1-XＡｓを酸化層とし、この酸化層の酸化
反応を多層膜の周囲から横方向より進行させて、選択的
に注入電流を狭窄する方法をとっていた。
【０００３】この構造および方法は、例えば、フォトニ
クス テクノロジーレターズ ＶＯＬ．８，９７１〜９
７３頁（１９９６）に掲載されている。この構造を図５
に示す。この従来例では、酸化層５としてＡｌＡｓを用
い、この酸化層５は活性層３の上方の上側多層膜反射鏡
６の直下に形成されている。電流狭窄構造を形成するた
めの酸化槽５の酸化は、エッチングにより露出した多層
膜の側面から酸化反応を進行させ、自然放出光の近視野
像をモニターすることにより酸化領域を制御している。
水蒸気を含む窒素雰囲気中で基板温度を４００℃とする
ことによって酸化反応を進行させ、側面から深さ１８μ
ｍまでの酸化に要する時間は１５分である。
クス テクノロジーレターズ ＶＯＬ．８，９７１〜９
７３頁（１９９６）に掲載されている。この構造を図５
に示す。この従来例では、酸化層５としてＡｌＡｓを用
い、この酸化層５は活性層３の上方の上側多層膜反射鏡
６の直下に形成されている。電流狭窄構造を形成するた
めの酸化槽５の酸化は、エッチングにより露出した多層
膜の側面から酸化反応を進行させ、自然放出光の近視野
像をモニターすることにより酸化領域を制御している。
水蒸気を含む窒素雰囲気中で基板温度を４００℃とする
ことによって酸化反応を進行させ、側面から深さ１８μ
ｍまでの酸化に要する時間は１５分である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例による方法では以下に述べる問題を有していた。す
なわち、多層膜の側面から酸化反応を進行させる必要が
あるため、一般的に１０μｍから数１０μｍを酸化処理
する時間が必要であり、発光領域となる非酸化領域をμ
ｍオーダで制御することが困難である。特に酸化処理時
間で制御する方法では、水蒸気および基板温度の高精度
の制御が必要となり、極めて困難である。
来例による方法では以下に述べる問題を有していた。す
なわち、多層膜の側面から酸化反応を進行させる必要が
あるため、一般的に１０μｍから数１０μｍを酸化処理
する時間が必要であり、発光領域となる非酸化領域をμ
ｍオーダで制御することが困難である。特に酸化処理時
間で制御する方法では、水蒸気および基板温度の高精度
の制御が必要となり、極めて困難である。
【０００５】また、上記従来例に示した自然放出光をモ
ニターする方法では、酸化処理前に電極を作製して電流
を流す必要があり、高温下での電極材料のアロイ化によ
り特性が劣化する。光励起による自然放出光モニターの
方法では、特殊な装置を要する上に観察が困難である。
ニターする方法では、酸化処理前に電極を作製して電流
を流す必要があり、高温下での電極材料のアロイ化によ
り特性が劣化する。光励起による自然放出光モニターの
方法では、特殊な装置を要する上に観察が困難である。
【０００６】さらに、発光領域となる非酸化領域のサイ
ズは、エッチング領域のサイズで変化することになり、
素子毎の均一性を確保するためには高精度なエッチング
制御が必要となるため、簡便で低コストなウエットエッ
チングの手法が使用できない。また、非酸化領域の必要
なサイズは数μｍ程度であることから、これらを原因と
するμｍオーダのばらつきは素子の電気的・光学的特性
の大きなばらつきとなって現れる。
ズは、エッチング領域のサイズで変化することになり、
素子毎の均一性を確保するためには高精度なエッチング
制御が必要となるため、簡便で低コストなウエットエッ
チングの手法が使用できない。また、非酸化領域の必要
なサイズは数μｍ程度であることから、これらを原因と
するμｍオーダのばらつきは素子の電気的・光学的特性
の大きなばらつきとなって現れる。
【０００７】そこで本発明の目的は、このような電流狭
窄領域のサイズのばらつきに起因する素子特性のばらつ
きを抑制し、且つ低コストな、面発行レーザー素子の製
造方法を提供することにある。
窄領域のサイズのばらつきに起因する素子特性のばらつ
きを抑制し、且つ低コストな、面発行レーザー素子の製
造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。
【０００９】第１の発明は、活性層への注入電流の狭窄
が行われるように酸化処理により部分的に高抵抗化され
た構成を有する面発光レーザの製造方法において、基板
上に多層膜を成長させ、その活性層近傍に酸化層を設
け、その酸化層上の発光領域のみに酸化防止層を選択的
に形成し、その後に全体を酸化処理して酸化層の露出部
分だけを選択的に酸化させ、次いで多層膜を成長させる
ことによって電流狭窄構造を形成することを特徴とする
面発光レーザの製造方法に関する。
が行われるように酸化処理により部分的に高抵抗化され
た構成を有する面発光レーザの製造方法において、基板
上に多層膜を成長させ、その活性層近傍に酸化層を設
け、その酸化層上の発光領域のみに酸化防止層を選択的
に形成し、その後に全体を酸化処理して酸化層の露出部
分だけを選択的に酸化させ、次いで多層膜を成長させる
ことによって電流狭窄構造を形成することを特徴とする
面発光レーザの製造方法に関する。
【００１０】第２の発明は、酸化層の形成以降の再成長
による活性層の結晶性の乱れを抑えることができるよう
に、酸化層および酸化防止層を活性層の上方に形成する
第１の発明の面発光レーザの製造方法に関する。
による活性層の結晶性の乱れを抑えることができるよう
に、酸化層および酸化防止層を活性層の上方に形成する
第１の発明の面発光レーザの製造方法に関する。
【００１１】第３の発明は、酸化層および酸化防止層の
形成後の酸化処理を、水蒸気にさらすことなく、大気中
で昇温することによって行う第１又は第２の発明の面発
光レーザの製造方法に関する。
形成後の酸化処理を、水蒸気にさらすことなく、大気中
で昇温することによって行う第１又は第２の発明の面発
光レーザの製造方法に関する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を挙げ
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１３】本発明は、基板上に多層膜を成長させ、そ
の活性層近傍にＡｌＡｓ等の酸化層を設け、その酸化層
上の発光領域のみにＧａＡｓ等の酸化防止層をマスクシ
ャッター法等により選択的に成長し、これにより露出し
た部分だけを自然選択的に酸化させて電流狭窄構造を形
成する。その後に、残りの多層膜を成長させて素子を完
成させる。
の活性層近傍にＡｌＡｓ等の酸化層を設け、その酸化層
上の発光領域のみにＧａＡｓ等の酸化防止層をマスクシ
ャッター法等により選択的に成長し、これにより露出し
た部分だけを自然選択的に酸化させて電流狭窄構造を形
成する。その後に、残りの多層膜を成長させて素子を完
成させる。
【００１４】その際、酸化層および酸化防止層は、酸化
層の形成以降の再成長による活性層の結晶性の乱れを抑
えることができるように、活性層の上方に配置すること
が好ましい。
層の形成以降の再成長による活性層の結晶性の乱れを抑
えることができるように、活性層の上方に配置すること
が好ましい。
【００１５】また、結晶成長と酸化処理は、ＭＢＥ結晶
成長装置を用いた次の方法によることが好ましい。ま
ず、結晶成長室において多層膜、酸化層および酸化防止
層を形成する。次いで、一旦その基板を、結晶成長室に
連結された準備室に移動してそこへ大気を導入し、基板
自体を４００℃まで昇温させて酸化処理を行う。再度こ
の基板を成長室へ移動して残りの層を形成する。
成長装置を用いた次の方法によることが好ましい。ま
ず、結晶成長室において多層膜、酸化層および酸化防止
層を形成する。次いで、一旦その基板を、結晶成長室に
連結された準備室に移動してそこへ大気を導入し、基板
自体を４００℃まで昇温させて酸化処理を行う。再度こ
の基板を成長室へ移動して残りの層を形成する。
【００１６】本発明の電流狭窄構造を形成する方法で
は、電流狭窄層となる酸化層を、多層膜の周囲から酸化
進行させるのではなく直上から酸化させるために酸化時
間が飛躍的に減少する。また、酸化領域は、酸化防止層
によって厳密に限定される。
は、電流狭窄層となる酸化層を、多層膜の周囲から酸化
進行させるのではなく直上から酸化させるために酸化時
間が飛躍的に減少する。また、酸化領域は、酸化防止層
によって厳密に限定される。
【００１７】その結果、素子ごとの非酸化領域のサイズ
の変動とこれに伴う素子特性ばらつきの低減が可能とな
る。また、酸化に必要な時間を大幅に削減でき、素子作
製のスループットを改善することができる。
の変動とこれに伴う素子特性ばらつきの低減が可能とな
る。また、酸化に必要な時間を大幅に削減でき、素子作
製のスループットを改善することができる。
【００１８】また、面発光レーザの構成において、酸化
層および酸化防止層を活性層の上方に配置することによ
り、酸化層の形成以降の再成長による活性層の結晶性の
乱れを抑えることができ、発振しきい値や効率等の光学
的特性の劣化を防ぐことができる。
層および酸化防止層を活性層の上方に配置することによ
り、酸化層の形成以降の再成長による活性層の結晶性の
乱れを抑えることができ、発振しきい値や効率等の光学
的特性の劣化を防ぐことができる。
【００１９】さらに、酸化処理において水蒸気を導入し
なくても十分な酸化が行えるため、結晶成長工程におい
て基板をＭＢＥ成長装置から取り出す必要がなく、作業
行程が短縮される。また、水蒸気を導入する特別な酸化
処理装置の必要もない。
なくても十分な酸化が行えるため、結晶成長工程におい
て基板をＭＢＥ成長装置から取り出す必要がなく、作業
行程が短縮される。また、水蒸気を導入する特別な酸化
処理装置の必要もない。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明する
が、本発明はこれらに限定するものではない。
が、本発明はこれらに限定するものではない。
【００２１】実施例１ 図１は、本発明の面発光レーザの多層膜の略断面図であ
る。
る。
【００２２】ｎ型ドープのｎ+−ＧａＡｓ基板１上に半
導体多層膜を分子線ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法に
より成長させた。ｎ−ＧａＡｓとｎ−ＡｌＡｓを、それ
ぞれ発振波長の４分の１の厚みで交互に積層させて構成
されたドーピング濃度２×１０18ｃｍ-3のｎ型ドープの
下側多層膜反射鏡２、ノンドーブのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ
歪み量子井戸層を各層厚１０ｎｍの活性層３を含んだＡ
ｌ0.2Ｇａ0.75Ａｓからなる中間層４、層厚３０ｎｍで
ドーピング濃度３×１０18ｃｍ-3のｐ−ＡｌＡｓからな
る酸化層５、ｐ−ＧａＡｓとｐ−ＡｌＡｓをそれぞれ発
振波長の４分の１の厚みで交互に積層させて構成された
ドーピング濃度３×１０18ｃｍ-3のｐ型ドープの上側多
層膜反射鏡６が形成されている。酸化層の非酸化領域
（５ａ）上部の直径５μｍの発光領域には、層厚１０ｎ
ｍでドーピング濃度３×１０18ｃｍ -3のｐ−ＧａＡｓか
らなる酸化防止層７が形成されている。
導体多層膜を分子線ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法に
より成長させた。ｎ−ＧａＡｓとｎ−ＡｌＡｓを、それ
ぞれ発振波長の４分の１の厚みで交互に積層させて構成
されたドーピング濃度２×１０18ｃｍ-3のｎ型ドープの
下側多層膜反射鏡２、ノンドーブのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ
歪み量子井戸層を各層厚１０ｎｍの活性層３を含んだＡ
ｌ0.2Ｇａ0.75Ａｓからなる中間層４、層厚３０ｎｍで
ドーピング濃度３×１０18ｃｍ-3のｐ−ＡｌＡｓからな
る酸化層５、ｐ−ＧａＡｓとｐ−ＡｌＡｓをそれぞれ発
振波長の４分の１の厚みで交互に積層させて構成された
ドーピング濃度３×１０18ｃｍ-3のｐ型ドープの上側多
層膜反射鏡６が形成されている。酸化層の非酸化領域
（５ａ）上部の直径５μｍの発光領域には、層厚１０ｎ
ｍでドーピング濃度３×１０18ｃｍ -3のｐ−ＧａＡｓか
らなる酸化防止層７が形成されている。
【００２３】図２は、本発明の方法による面発光レーザ
の作製工程を説明する略断面図である。
の作製工程を説明する略断面図である。
【００２４】まず基板上に、図２（ａ）に示すように、
酸化層５となるＡｌＡｓ層までの全ての層を一様に形成
する。その後、図３に示すような、発光領域のみに直径
５μｍの開口部１０を持つマスクシャッターを、上記基
板上に近接配置して酸化防止層７となるＧａＡｓをＭＢ
Ｅ法により成長する（図２（ｂ））。これにより、発光
領域のみに選択的に酸化防止層７が形成される。
酸化層５となるＡｌＡｓ層までの全ての層を一様に形成
する。その後、図３に示すような、発光領域のみに直径
５μｍの開口部１０を持つマスクシャッターを、上記基
板上に近接配置して酸化防止層７となるＧａＡｓをＭＢ
Ｅ法により成長する（図２（ｂ））。これにより、発光
領域のみに選択的に酸化防止層７が形成される。
【００２５】この後に、マスクシャッターを除去して、
上記基板をＭＢＥ結晶成長装置から取り出し、全面的に
酸化処理を施す。これにより、酸化層５の、酸化防止層
７で被覆していない領域のみを自然選択的に酸化させる
ことが可能となる（図２（ｂ））。
上記基板をＭＢＥ結晶成長装置から取り出し、全面的に
酸化処理を施す。これにより、酸化層５の、酸化防止層
７で被覆していない領域のみを自然選択的に酸化させる
ことが可能となる（図２（ｂ））。
【００２６】続いて、再度ＭＢＥ室に基板を戻して表面
清浄処理を行い、残りの全ての層を成長する（図２
（ｃ））。
清浄処理を行い、残りの全ての層を成長する（図２
（ｃ））。
【００２７】次に、発光領域を中心とする直径５０μｍ
の領域を残して、下側多層膜反射鏡２の上部までエッチ
ングにより除去し、下側多層膜反射鏡の上面にｎ側電極
９を形成し、残した上側多層膜反射鏡の上面にｐ側電極
８を形成した（図２（ｄ））。
の領域を残して、下側多層膜反射鏡２の上部までエッチ
ングにより除去し、下側多層膜反射鏡の上面にｎ側電極
９を形成し、残した上側多層膜反射鏡の上面にｐ側電極
８を形成した（図２（ｄ））。
【００２８】レーザ光は基板を通して裏面側に出射され
る。酸化層の厚さは３０ｎｍで十分であるから、酸化に
要する時間は、従来例と同じ酸化条件では１．５秒とな
る。
る。酸化層の厚さは３０ｎｍで十分であるから、酸化に
要する時間は、従来例と同じ酸化条件では１．５秒とな
る。
【００２９】実施例２ 上記実施例１では、酸化処理自体は従来と同様の水蒸気
雰囲気下での昇温により行ったため、基板を一旦ＭＢＥ
結晶装置から取り出す必要があった。本実施例では、前
記第３の発明の水蒸気を導入しないで行う方法を説明す
る。
雰囲気下での昇温により行ったため、基板を一旦ＭＢＥ
結晶装置から取り出す必要があった。本実施例では、前
記第３の発明の水蒸気を導入しないで行う方法を説明す
る。
【００３０】図４は、本実施例に用いたＭＢＥ成長装置
の概略構造図である。まず、結晶成長室１１において酸
化層５及び酸化防止層７までの層を形成した後、一旦こ
の基板１６を、結晶成長室１１に連結された準備室１２
に移動レール１３を用いて移動する。この準備室１２
は、基板移動時に成長室の真空度が低下しないように真
空状態としておく。
の概略構造図である。まず、結晶成長室１１において酸
化層５及び酸化防止層７までの層を形成した後、一旦こ
の基板１６を、結晶成長室１１に連結された準備室１２
に移動レール１３を用いて移動する。この準備室１２
は、基板移動時に成長室の真空度が低下しないように真
空状態としておく。
【００３１】基板移動後、連結弁１４を閉じて、導入口
１５から準備室１２のみに大気を導入し、基板自体を４
００℃まで昇温させる。この時、従来法のように水蒸気
を導入することも可能ではあるが、これでは結晶成長室
への再移動の際に必要な真空度を達成するまでに長時間
を要す。また、酸化に必要な深さが３０ｎｍと従来法に
比べて３桁小さいため、わざわざ水蒸気を導入する必要
もない。
１５から準備室１２のみに大気を導入し、基板自体を４
００℃まで昇温させる。この時、従来法のように水蒸気
を導入することも可能ではあるが、これでは結晶成長室
への再移動の際に必要な真空度を達成するまでに長時間
を要す。また、酸化に必要な深さが３０ｎｍと従来法に
比べて３桁小さいため、わざわざ水蒸気を導入する必要
もない。
【００３２】この方法で酸化された後の基板１６は、準
備室１２を結晶成長室１１と同程度の真空度まで真空化
した後、再度結晶成長室１１に移動レ−ル１３を用いて
移動し、残りの層を形成する。
備室１２を結晶成長室１１と同程度の真空度まで真空化
した後、再度結晶成長室１１に移動レ−ル１３を用いて
移動し、残りの層を形成する。
【００３３】実施例１及び２では、裏面出射型の面発光
レーザの例を示したが、ｐ型電極に先出射窓を形成した
表面出射型面発光レーザにも適用可能である。また、活
性層３をＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓとし、レーザ光の波長を
０．９８μｍ帯に設定したが、同様の構成は、活性層３
の材料や多層膜反射鏡２及び６の材料を変更することに
より他の波長にも適用可能である。
レーザの例を示したが、ｐ型電極に先出射窓を形成した
表面出射型面発光レーザにも適用可能である。また、活
性層３をＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓとし、レーザ光の波長を
０．９８μｍ帯に設定したが、同様の構成は、活性層３
の材料や多層膜反射鏡２及び６の材料を変更することに
より他の波長にも適用可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、素子特性の制御が容易になるため、素子ごとの
構造のばらつきが低減でき素子特性の均一性が向上でき
る。また、酸化に必要な時間を大幅に削減できるため素
子作製のスループットが向上し、製造コストが低減す
る。さらには酸化処理において、水蒸気や従来の自然放
出光のモニターを必要としないため、より簡便な工程と
なり、一層の低コスト化が可能となる。
よれば、素子特性の制御が容易になるため、素子ごとの
構造のばらつきが低減でき素子特性の均一性が向上でき
る。また、酸化に必要な時間を大幅に削減できるため素
子作製のスループットが向上し、製造コストが低減す
る。さらには酸化処理において、水蒸気や従来の自然放
出光のモニターを必要としないため、より簡便な工程と
なり、一層の低コスト化が可能となる。
【図１】本発明おける面発光レーザの多層膜の略断面図
である。
である。
【図２】本発明おける面発光レーザの作製工程を示す略
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明おける面発光レーザの酸化層を形成する
ためのマスクシャッターの概略図である。
ためのマスクシャッターの概略図である。
【図４】本発明に用いるＭＢＥ結晶装置の概略図であ
る。
る。
【図５】従来の面発光レーザの略断面図である。
１ 基板 ２ 下側多層膜反射鏡 ３ 活性層 ４ 中間層 ５ 酸化層 ５ａ 非酸化領域 ５ｂ 酸化領域 ６ 上側多層膜反射鏡 ７ 酸化防止層 ８ ｐ側電極 ９ ｎ側電極 １０ 開口部 １１ 結晶成長室 １２ 準備室 １３ 移動レール １４ 連結弁 １５ 導入口 １６ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 活性層への注入電流の狭窄が行われるよ
うに酸化処理により部分的に高抵抗化された構成を有す
る面発光レーザの製造方法において、基板上に多層膜を
成長させ、その活性層近傍に酸化層を設け、その酸化層
上の発光領域のみに酸化防止層を選択的に形成し、その
後に全体を酸化処理して酸化層の露出部分だけを選択的
に酸化させ、次いで多層膜を成長させることによって電
流狭窄構造を形成することを特徴とする面発光レーザの
製造方法。 - 【請求項２】 酸化層の形成以降の再成長による活性層
の結晶性の乱れを抑えることができるように、酸化層お
よび酸化防止層を活性層の上方に形成する請求項１記載
の面発光レーザの製造方法。 - 【請求項３】 酸化層および酸化防止層の形成後の酸化
処理を、水蒸気にさらすことなく、大気中で昇温するこ
とによって行う請求項１又は２記載の面発光レーザの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP294497A JPH10200210A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 面発光レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP294497A JPH10200210A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 面発光レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10200210A true JPH10200210A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11543487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP294497A Pending JPH10200210A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 面発光レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10200210A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999018641A1 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-15 | Seiko Epson Corporation | Surface light emitting laser and method of production thereof |
| WO1999018640A1 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-15 | Seiko Epson Corporation | Surface light emitting laser and method of production thereof |
| WO2003063310A1 (de) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Infineon Technologies Ag | Laserdiode mit vertikalresonator und verfahren zu siener herstellung |
| JP2008047641A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送モジュール |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP294497A patent/JPH10200210A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999018641A1 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-15 | Seiko Epson Corporation | Surface light emitting laser and method of production thereof |
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| US6266356B1 (en) | 1997-10-08 | 2001-07-24 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting laser and method of fabrication thereof |
| US6594296B1 (en) | 1997-10-08 | 2003-07-15 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting laser and method of fabrication thereof |
| US6720197B2 (en) | 1997-10-08 | 2004-04-13 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitted laser and method of fabrication thereof |
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| US7075961B2 (en) | 2002-01-25 | 2006-07-11 | Infineon Technologies Ag | Laser diode with vertical resonator and method for fabricating the diode |
| JP2008047641A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送モジュール |
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