JPH10200236A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH10200236A JPH10200236A JP35906696A JP35906696A JPH10200236A JP H10200236 A JPH10200236 A JP H10200236A JP 35906696 A JP35906696 A JP 35906696A JP 35906696 A JP35906696 A JP 35906696A JP H10200236 A JPH10200236 A JP H10200236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- wiring
- insulation film
- conductive paste
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 12
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 平坦度の良好な高密度微細回路パターンを有
する配線基板の製造補法を提供する。 【解決手段】 絶縁膜3にレーザーで回路パターン用の
溝6を形成する工程と、金属超微粒子を溶媒中に分散さ
せてなる導電ペースト7を絶縁膜3の上に塗布する工程
と、熱処理により塗布された導電ペースト7の溶媒を除
去するとともに金属超微粒子を焼成する工程と、絶縁膜
3の表面を研磨する工程とを有する配線基板の製造方
法。
する配線基板の製造補法を提供する。 【解決手段】 絶縁膜3にレーザーで回路パターン用の
溝6を形成する工程と、金属超微粒子を溶媒中に分散さ
せてなる導電ペースト7を絶縁膜3の上に塗布する工程
と、熱処理により塗布された導電ペースト7の溶媒を除
去するとともに金属超微粒子を焼成する工程と、絶縁膜
3の表面を研磨する工程とを有する配線基板の製造方
法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板の製造方
法に関し、特にその回路パターンの形成方法に関するも
のである。
法に関し、特にその回路パターンの形成方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】導電体として導電ペーストを用いて回路
パターンを形成して配線基板を製造する方法は、メッキ
やエッチングいう化学的な処理を伴わないことから廃液
処理等を含めた付帯設備が不必要であるため、配線基板
を安価に製造でき、広く採用されるようになってきてい
る。この導電ペーストを用いた配線基板の製造方法の具
体例としては、周知のスクリーン印刷法によるものの
他、例えば、特開平8−37376号公報に開示された
ものがある。
パターンを形成して配線基板を製造する方法は、メッキ
やエッチングいう化学的な処理を伴わないことから廃液
処理等を含めた付帯設備が不必要であるため、配線基板
を安価に製造でき、広く採用されるようになってきてい
る。この導電ペーストを用いた配線基板の製造方法の具
体例としては、周知のスクリーン印刷法によるものの
他、例えば、特開平8−37376号公報に開示された
ものがある。
【0003】そこで、同公報に開示されている多層回路
基板の製造方法について図2を参照して説明する。図2
は、同公報に開示されている多層回路基板の製造工程を
示す断面図である。まず、図2(a)に示すように、窒
化アルミニウム、シリコン等よりなる絶縁基板1の上に
一層目の配線2を形成する。その後に、絶縁基板1の上
に20μm程度の厚さの絶縁膜3を形成し、その絶縁膜
3によって一層目の配線2を覆うようにする。絶縁膜3
としてポリイミドを使用する場合には、液状のポリイミ
ドを絶縁基板1の上にスピンコーティングし、これを加
熱固化して絶縁膜3を形成する。
基板の製造方法について図2を参照して説明する。図2
は、同公報に開示されている多層回路基板の製造工程を
示す断面図である。まず、図2(a)に示すように、窒
化アルミニウム、シリコン等よりなる絶縁基板1の上に
一層目の配線2を形成する。その後に、絶縁基板1の上
に20μm程度の厚さの絶縁膜3を形成し、その絶縁膜
3によって一層目の配線2を覆うようにする。絶縁膜3
としてポリイミドを使用する場合には、液状のポリイミ
ドを絶縁基板1の上にスピンコーティングし、これを加
熱固化して絶縁膜3を形成する。
【0004】この後に、図2(b)に示すように、例え
ば熱可塑性ポリイミドからなる厚さ20μm程度の保護
フィルム4を絶縁膜3の上に貼り付ける。次に、図2
(c)に示すように、一層目の配線2の一部の上にある
保護フィルム4と絶縁膜3にエキシマレーザを照射し、
それらの照射領域に孔を開ける。これによって、絶縁膜
3に20μm×20μmの大きさのビアホール5を形成
する。
ば熱可塑性ポリイミドからなる厚さ20μm程度の保護
フィルム4を絶縁膜3の上に貼り付ける。次に、図2
(c)に示すように、一層目の配線2の一部の上にある
保護フィルム4と絶縁膜3にエキシマレーザを照射し、
それらの照射領域に孔を開ける。これによって、絶縁膜
3に20μm×20μmの大きさのビアホール5を形成
する。
【0005】続いて、エキシマレーザの照射エネルギー
を低減し、保護フィルム4のうち二層目の配線を形成し
ようとする領域にそのエキシマレーザを照射する。これ
により、保護フィルム4のうち二層目の配線に沿った部
分に開口部(溝)6を形成する。
を低減し、保護フィルム4のうち二層目の配線を形成し
ようとする領域にそのエキシマレーザを照射する。これ
により、保護フィルム4のうち二層目の配線に沿った部
分に開口部(溝)6を形成する。
【0006】その後、図2(d)に示すように、金や銀
パラジウムのような導電体の金属超微粒子を有機溶媒に
分散させてなる導電ペースト7を保護フィルム4上に塗
布するとともに、その導電ペースト7をビアホール5と
開口部6の中に充填する。続いて、絶縁基板1を減圧雰
囲気中で300℃程度の温度で加熱して、導電ペースト
7中の有機溶媒を気化させるとともに、導電ペースト7
中の金属超微粒子を焼成させて膜形状にする。
パラジウムのような導電体の金属超微粒子を有機溶媒に
分散させてなる導電ペースト7を保護フィルム4上に塗
布するとともに、その導電ペースト7をビアホール5と
開口部6の中に充填する。続いて、絶縁基板1を減圧雰
囲気中で300℃程度の温度で加熱して、導電ペースト
7中の有機溶媒を気化させるとともに、導電ペースト7
中の金属超微粒子を焼成させて膜形状にする。
【0007】次に、保護フィルム4を絶縁膜3から剥が
すと、図2(e)に示すように、絶縁膜3のビアホール
5内にはビア8が形成され、絶縁膜3の上には、金属超
微粒子の焼成物からなる二層目の配線9が形成される。
すと、図2(e)に示すように、絶縁膜3のビアホール
5内にはビア8が形成され、絶縁膜3の上には、金属超
微粒子の焼成物からなる二層目の配線9が形成される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この製
造方法では、図2(e)に示すように表面に凹凸ができ
るため、この上に更に絶縁膜を形成して三層目の配線を
形成して多層化を図る場合に、絶縁膜の充分な平面性が
得られず、微細配線を精度良く形成することが困難であ
る。また、この表面に部品を実装しようとした場合に
も、凹凸があるためその実装性が阻害されるという問題
もある。
造方法では、図2(e)に示すように表面に凹凸ができ
るため、この上に更に絶縁膜を形成して三層目の配線を
形成して多層化を図る場合に、絶縁膜の充分な平面性が
得られず、微細配線を精度良く形成することが困難であ
る。また、この表面に部品を実装しようとした場合に
も、凹凸があるためその実装性が阻害されるという問題
もある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点に
鑑みなされたものであり、請求項1に係る発明は、「絶
縁膜にレーザ加工機を用いて回路パターン用の溝を形成
する工程と、導電性物質の超微粒子を溶媒中に分散させ
てなる導電ペーストを該絶縁膜の上に塗布する工程と、
熱処理により塗布された該導電ペーストの該溶媒を除去
するとともに該導電性物質の超微粒子を焼成する工程
と、該絶縁膜の表面を研磨する工程とを有する配線基板
の製造方法。」を提供するものである。
鑑みなされたものであり、請求項1に係る発明は、「絶
縁膜にレーザ加工機を用いて回路パターン用の溝を形成
する工程と、導電性物質の超微粒子を溶媒中に分散させ
てなる導電ペーストを該絶縁膜の上に塗布する工程と、
熱処理により塗布された該導電ペーストの該溶媒を除去
するとともに該導電性物質の超微粒子を焼成する工程
と、該絶縁膜の表面を研磨する工程とを有する配線基板
の製造方法。」を提供するものである。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、図1を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図1は、本発明の配線基板
の製造方法の製造工程を示す断面図である。本発明に係
る配線基板は、例えばエポキシ樹脂製、ガラス繊維強化
エポキシ樹脂製などの平板状の絶縁基板1を基台として
用いる。そして、図1(a)に示すように、この絶縁基
板1の表面上に一層目の配線2を形成する。一層目の配
線2の形成方法の詳細は省略するが、例えば、以下のよ
うにすればよい。すなわち、絶縁基板1の上に予め銅箔
が積層された所謂銅張り積層板を使用し、この銅箔にド
ライフィルムを張り付けてフォトマスクを通して紫外光
で露光し、更に、1%炭酸ソーダ水溶液によって現像し
た後、塩化第二銅水溶液でエッチング処理する。そして
エッチング処理終了後、ドライフィルムを剥離して一層
目の配線2を得る。
施の形態について説明する。図1は、本発明の配線基板
の製造方法の製造工程を示す断面図である。本発明に係
る配線基板は、例えばエポキシ樹脂製、ガラス繊維強化
エポキシ樹脂製などの平板状の絶縁基板1を基台として
用いる。そして、図1(a)に示すように、この絶縁基
板1の表面上に一層目の配線2を形成する。一層目の配
線2の形成方法の詳細は省略するが、例えば、以下のよ
うにすればよい。すなわち、絶縁基板1の上に予め銅箔
が積層された所謂銅張り積層板を使用し、この銅箔にド
ライフィルムを張り付けてフォトマスクを通して紫外光
で露光し、更に、1%炭酸ソーダ水溶液によって現像し
た後、塩化第二銅水溶液でエッチング処理する。そして
エッチング処理終了後、ドライフィルムを剥離して一層
目の配線2を得る。
【0011】次に、図1(b)に示すように、一層目の
配線2を形成した絶縁基板1の上に絶縁膜3を塗布・形
成する。この絶縁膜3は、酸化剤に対して難溶性を示す
液状の樹脂を主体とし、この樹脂(樹脂液)の中に酸化
剤に対して可溶性を示す無機粉末を分散させて積層して
いる。更に、この樹脂(樹脂液)の中にはこの他、機械
加工時の耐衝撃性を持たせるための応力緩和剤とか、添
加剤などを少量含ませている。
配線2を形成した絶縁基板1の上に絶縁膜3を塗布・形
成する。この絶縁膜3は、酸化剤に対して難溶性を示す
液状の樹脂を主体とし、この樹脂(樹脂液)の中に酸化
剤に対して可溶性を示す無機粉末を分散させて積層して
いる。更に、この樹脂(樹脂液)の中にはこの他、機械
加工時の耐衝撃性を持たせるための応力緩和剤とか、添
加剤などを少量含ませている。
【0012】後述するように、絶縁膜3の上に導電ペー
スト7を塗布する前に、絶縁膜3を化学粗化処理するに
際して有害物を使用することなく、無害な過マンガン酸
塩を主とした酸化剤で化学粗化処理ができるよう、絶縁
膜3の材料を予め下記のように選定している。また、絶
縁膜3内の無機粉末は、後述するように酸化剤を用いて
絶縁膜3の表面を粗面化する際に、酸化剤により絶縁体
層3の表面に露出した無機粉末が溶け出して表面アラサ
が形成されるものであり、表面アラサ及びレーザ加工を
加味して無機粉末(炭酸カルシウム)の粒径を15μm
以下(平均粒径:1μm〜5μmで、より好ましくは2
μm〜4μmが良い)、また含有量を15〜35重量部
にそれぞれ設定している。
スト7を塗布する前に、絶縁膜3を化学粗化処理するに
際して有害物を使用することなく、無害な過マンガン酸
塩を主とした酸化剤で化学粗化処理ができるよう、絶縁
膜3の材料を予め下記のように選定している。また、絶
縁膜3内の無機粉末は、後述するように酸化剤を用いて
絶縁膜3の表面を粗面化する際に、酸化剤により絶縁体
層3の表面に露出した無機粉末が溶け出して表面アラサ
が形成されるものであり、表面アラサ及びレーザ加工を
加味して無機粉末(炭酸カルシウム)の粒径を15μm
以下(平均粒径:1μm〜5μmで、より好ましくは2
μm〜4μmが良い)、また含有量を15〜35重量部
にそれぞれ設定している。
【0013】ここで、上記絶縁膜3の材料を更に詳しく
述べると、 .酸化剤に対して難溶性を示す樹脂(樹脂液)とし
て、例えば、 ビスフェノールA系エポキシ樹脂…… 100重量部 硬化剤 …… 10重量部 .酸化剤に対して可溶性を示す無機粉末として、 炭酸カルシウム(平均粒径:1μm〜5μm)……15〜35重量部 .機械加工時の耐衝撃性を持たせる材料として、 応力緩和剤(ポリブタジエン) ……10〜20重量部 .その他の材料として、 添加剤 …… 少量 を用意し、〜に示した複数の上記材料を液状状態で
十分拡散させた後、一層目の配線2を形成した絶縁基板
1の上にカーテンコート法とかスクリーン印刷法などを
用いて50μm〜100μm程度の厚さで塗布して、更
に約150°Cの炉中で40分程度時間かけて熱硬化さ
せることにより、絶縁膜3が形成される。本実施の形態
では75μm程度に厚さに形成してある。
述べると、 .酸化剤に対して難溶性を示す樹脂(樹脂液)とし
て、例えば、 ビスフェノールA系エポキシ樹脂…… 100重量部 硬化剤 …… 10重量部 .酸化剤に対して可溶性を示す無機粉末として、 炭酸カルシウム(平均粒径:1μm〜5μm)……15〜35重量部 .機械加工時の耐衝撃性を持たせる材料として、 応力緩和剤(ポリブタジエン) ……10〜20重量部 .その他の材料として、 添加剤 …… 少量 を用意し、〜に示した複数の上記材料を液状状態で
十分拡散させた後、一層目の配線2を形成した絶縁基板
1の上にカーテンコート法とかスクリーン印刷法などを
用いて50μm〜100μm程度の厚さで塗布して、更
に約150°Cの炉中で40分程度時間かけて熱硬化さ
せることにより、絶縁膜3が形成される。本実施の形態
では75μm程度に厚さに形成してある。
【0014】次に、図1(c)に示すように、絶縁基板
1に形成した一層目の配線2と、絶縁膜3の上に形成す
る二層目の配線9とを電気的に接続するために、一層目
の配線2の上方で絶縁膜3の表面側の所定の位置からレ
ーザ光を照射して、ビアホール5を穿設し、一層目の配
線2を露出させる。また、この時同様に、絶縁膜3上の
その他の二層目の配線を形成すべき位置にもレーザ光を
照射して開口部(溝)6を形成する。一般にレーザ光は
無機物には余り適さないといわれているが、ここでは、
絶縁膜3内に含有した炭酸カルシウムの粉末の粒径及び
含有量を上記したように設定し、下記に示す条件下でレ
ーザ光を照射することによりビアホール5を容易に穿設
できる。
1に形成した一層目の配線2と、絶縁膜3の上に形成す
る二層目の配線9とを電気的に接続するために、一層目
の配線2の上方で絶縁膜3の表面側の所定の位置からレ
ーザ光を照射して、ビアホール5を穿設し、一層目の配
線2を露出させる。また、この時同様に、絶縁膜3上の
その他の二層目の配線を形成すべき位置にもレーザ光を
照射して開口部(溝)6を形成する。一般にレーザ光は
無機物には余り適さないといわれているが、ここでは、
絶縁膜3内に含有した炭酸カルシウムの粉末の粒径及び
含有量を上記したように設定し、下記に示す条件下でレ
ーザ光を照射することによりビアホール5を容易に穿設
できる。
【0015】また、ビアホール5の断面形状は、一層目
の配線2側のランドが細径で、二層目の配線9側のラン
ドが太径のテーパ形状となるようにし、後述するように
ビアホール5の中に導電ペースト7を充填し易くしてい
る。この点は、開口部6も同様である。このテーパ形状
は、レーザ光の焦点位置の制御、パルス幅の制御、レー
ザ光のエネルギー密度の制御、パルスエネルギーの制御
等により実現することができる。
の配線2側のランドが細径で、二層目の配線9側のラン
ドが太径のテーパ形状となるようにし、後述するように
ビアホール5の中に導電ペースト7を充填し易くしてい
る。この点は、開口部6も同様である。このテーパ形状
は、レーザ光の焦点位置の制御、パルス幅の制御、レー
ザ光のエネルギー密度の制御、パルスエネルギーの制御
等により実現することができる。
【0016】配線基板加工用のレーザ光としては、種々
提案されているが、絶縁膜3にビアホール5や開口部6
を穿設する場合のレーザ光としては、短パルスCO2レ
ーザと、KrFレーザとが使用可能である。実用的には
レーザ光源の入手の容易性、加工時間の迅速性などから
短パルスCO2レーザが最適である。ここで、レーザ光
をパルス的に照射する理由は、絶縁膜3に対して過剰な
熱エネルギーを加えることなく、絶縁膜3の熱変形を防
止できる程度の熱エネルギーを加えるためであり、短パ
ルスCO2レーザ光のパルス間隔は例えば0.003秒
〜0.02秒程度に設定している。
提案されているが、絶縁膜3にビアホール5や開口部6
を穿設する場合のレーザ光としては、短パルスCO2レ
ーザと、KrFレーザとが使用可能である。実用的には
レーザ光源の入手の容易性、加工時間の迅速性などから
短パルスCO2レーザが最適である。ここで、レーザ光
をパルス的に照射する理由は、絶縁膜3に対して過剰な
熱エネルギーを加えることなく、絶縁膜3の熱変形を防
止できる程度の熱エネルギーを加えるためであり、短パ
ルスCO2レーザ光のパルス間隔は例えば0.003秒
〜0.02秒程度に設定している。
【0017】また、絶縁膜3にビアホール5や開口部6
を穿設するレーザ加工法には、コンフォーマルマスク
法、マスクイメージング法、コンタクトマスク法、ダイ
レクトイメージング法等があるが、マスクイメージング
法とダイレクトイメージング法とが好適である。
を穿設するレーザ加工法には、コンフォーマルマスク
法、マスクイメージング法、コンタクトマスク法、ダイ
レクトイメージング法等があるが、マスクイメージング
法とダイレクトイメージング法とが好適である。
【0018】このようにして、ビアホール5や開口部6
を穿設した後、絶縁基板1の上に形成した絶縁膜3の表
面、ビアホール5の内壁、開口部6の内壁を粗面化する
ために、過マンガン酸塩を主とした酸化剤を用いて酸化
剤処理(化学粗化処理)を施す。
を穿設した後、絶縁基板1の上に形成した絶縁膜3の表
面、ビアホール5の内壁、開口部6の内壁を粗面化する
ために、過マンガン酸塩を主とした酸化剤を用いて酸化
剤処理(化学粗化処理)を施す。
【0019】ここで、酸化剤処理として、第1工程の潤
滑化に、カセイソーダ、溶剤、他、の水溶液 第2工程の粗面化に、過マンガン酸カリウム(過マンガ
ン酸塩)、カセイソーダ、他、の水溶液 第3工程の酸洗に、硫酸、他、の水溶液 を用いている。
滑化に、カセイソーダ、溶剤、他、の水溶液 第2工程の粗面化に、過マンガン酸カリウム(過マンガ
ン酸塩)、カセイソーダ、他、の水溶液 第3工程の酸洗に、硫酸、他、の水溶液 を用いている。
【0020】とくに、酸化剤処理時(化学粗化処理時)
に、先に説明したように、絶縁膜3の表面、ビアホール
5の内壁、開口部6の内壁の一部には、酸化剤に対して
難溶性を示す樹脂と、酸化剤に対して可溶性を示す炭酸
カルシウムとが露出しているものの、露出した炭酸カル
シウムだけが過マンガン酸カリウム(過マンガン酸塩)
により容易に溶け出して粗面化される。
に、先に説明したように、絶縁膜3の表面、ビアホール
5の内壁、開口部6の内壁の一部には、酸化剤に対して
難溶性を示す樹脂と、酸化剤に対して可溶性を示す炭酸
カルシウムとが露出しているものの、露出した炭酸カル
シウムだけが過マンガン酸カリウム(過マンガン酸塩)
により容易に溶け出して粗面化される。
【0021】上記過マンガン酸カリウム(過マンガン酸
塩)は、無害な酸化剤であり、酸化剤処理時(化学粗化
処理時)に何等の支障もなく、且つ、汎用性のある処理
システムを用いることができると共に、廃水処理に気を
使う必要もないことから環境汚染の問題を起こすことも
なく、ランニングコストが小となる。
塩)は、無害な酸化剤であり、酸化剤処理時(化学粗化
処理時)に何等の支障もなく、且つ、汎用性のある処理
システムを用いることができると共に、廃水処理に気を
使う必要もないことから環境汚染の問題を起こすことも
なく、ランニングコストが小となる。
【0022】次に、図1(d)に示すように、金や銀パ
ラジウムのような導電体の金属超微粒子を有機溶媒に分
散させてなる導電ペースト7を絶縁膜3の表面に塗布
し、その導電ペースト7をビアホール5と開口部6の中
に充填する。続いて、これを減圧雰囲気中で300℃程
度の温度で加熱して、導電ペースト7中の有機溶媒を気
化させるとともに、導電ペースト7中の金属超微粒子を
焼成させる。
ラジウムのような導電体の金属超微粒子を有機溶媒に分
散させてなる導電ペースト7を絶縁膜3の表面に塗布
し、その導電ペースト7をビアホール5と開口部6の中
に充填する。続いて、これを減圧雰囲気中で300℃程
度の温度で加熱して、導電ペースト7中の有機溶媒を気
化させるとともに、導電ペースト7中の金属超微粒子を
焼成させる。
【0023】次に、絶縁膜3の表面の余剰の焼成された
金属超微粒子を研磨して取り除く。この研磨は、例えば
バフ掛けによって行う。これにより、図1(e)に示す
ような配線基板を得る。
金属超微粒子を研磨して取り除く。この研磨は、例えば
バフ掛けによって行う。これにより、図1(e)に示す
ような配線基板を得る。
【0024】以上説明した本発明の実施の形態に係る配
線基板の製造方法によれば、レーザを用いて、絶縁膜3
上に二層目の配線9やビア8を形成すべき開口部6又は
ビアホール5を穿設するため、これらの極めて高い位置
精度が実現でき、高密度な配線パターンを実現すること
ができる。具体的には、従来の例えばスクリーン印刷で
は、配線のパターン幅が250μm、パターン間の間隔
が500μm程度が限界であったの対し、本実施の形態
に係る製造方法によれば、配線のパターン幅は100μ
m、パターン間の間隔も100μmを実現することがで
きる。
線基板の製造方法によれば、レーザを用いて、絶縁膜3
上に二層目の配線9やビア8を形成すべき開口部6又は
ビアホール5を穿設するため、これらの極めて高い位置
精度が実現でき、高密度な配線パターンを実現すること
ができる。具体的には、従来の例えばスクリーン印刷で
は、配線のパターン幅が250μm、パターン間の間隔
が500μm程度が限界であったの対し、本実施の形態
に係る製造方法によれば、配線のパターン幅は100μ
m、パターン間の間隔も100μmを実現することがで
きる。
【0025】また、ビアホール5と開口部6に導電ペー
スト7を充填し、焼成された余剰の金属超微粒子を研磨
して除去するため、その表面の平面度は極めて高いもの
とすることができる。この点についても例えば従来のス
クリーン印刷と比較するなら、スクリーン印刷では、平
坦度が10〜40μmであるのに対し、本実施の形態に
係る製造方法では10μm以下を実現することができ
る。
スト7を充填し、焼成された余剰の金属超微粒子を研磨
して除去するため、その表面の平面度は極めて高いもの
とすることができる。この点についても例えば従来のス
クリーン印刷と比較するなら、スクリーン印刷では、平
坦度が10〜40μmであるのに対し、本実施の形態に
係る製造方法では10μm以下を実現することができ
る。
【0026】このため、図1(e)の絶縁膜3の上に更
に他の絶縁膜を形成し図1(c)以下のプロセスを繰り
返して多層化を図る場合にも各絶縁膜は充分な平坦度が
得られ高精度な微細配線の形成が可能となるとともに、
絶縁膜3上への部品の実装性も良好なものとなる。な
お、ここで説明した実施の形態では、一層目の配線2は
絶縁基板1上に積層された銅箔をエッチングして形成す
る例について説明したが、銅箔が積層されていない絶縁
基板1上にレーザにより開口部(溝)6を直接形成し、
これに導電ペーストを充填して二層目の配線9と同様の
処理を行うようにしてもよい。
に他の絶縁膜を形成し図1(c)以下のプロセスを繰り
返して多層化を図る場合にも各絶縁膜は充分な平坦度が
得られ高精度な微細配線の形成が可能となるとともに、
絶縁膜3上への部品の実装性も良好なものとなる。な
お、ここで説明した実施の形態では、一層目の配線2は
絶縁基板1上に積層された銅箔をエッチングして形成す
る例について説明したが、銅箔が積層されていない絶縁
基板1上にレーザにより開口部(溝)6を直接形成し、
これに導電ペーストを充填して二層目の配線9と同様の
処理を行うようにしてもよい。
【0027】また、ここで説明した実施の形態では、絶
縁基板1の片面に一層目の配線2と二層目の配線9を形
成したが、本発明は、これに限られることなく、絶縁基
板1の両面に各配線層を形成するようにしてもよいこと
は勿論である。
縁基板1の片面に一層目の配線2と二層目の配線9を形
成したが、本発明は、これに限られることなく、絶縁基
板1の両面に各配線層を形成するようにしてもよいこと
は勿論である。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線基板
の製造方法によれば、レーザを用いて、絶縁膜上に配線
やビア等の回路パターン用の溝を穿設するため、これら
の極めて高い位置精度が実現でき、高密度な微細回路パ
ターンを実現することができ、パターンの幅や厚みが一
定になるため導体抵抗も安定する。
の製造方法によれば、レーザを用いて、絶縁膜上に配線
やビア等の回路パターン用の溝を穿設するため、これら
の極めて高い位置精度が実現でき、高密度な微細回路パ
ターンを実現することができ、パターンの幅や厚みが一
定になるため導体抵抗も安定する。
【0029】また、これらの溝に導電ペーストを充填
し、熱処理した後、絶縁膜の表面を研磨して、余剰の金
属超微粒子を除去するようにしたため、その表面の平面
度を極めて高いものとすることができる。このため、基
板の多層化に際しても、高精度な微細配線の形成が可能
となるとともに、絶縁膜上への部品の実装性も良好なも
のとなる。
し、熱処理した後、絶縁膜の表面を研磨して、余剰の金
属超微粒子を除去するようにしたため、その表面の平面
度を極めて高いものとすることができる。このため、基
板の多層化に際しても、高精度な微細配線の形成が可能
となるとともに、絶縁膜上への部品の実装性も良好なも
のとなる。
【図1】本発明の配線基板の製造方法の製造工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図2】特開平8−37376号公報に開示された多層
回路基板の製造工程を示す断面図である。
回路基板の製造工程を示す断面図である。
1 絶縁基板 2 一層目の配線 3 絶縁膜 4 保護フィルム 5 ビアホール 6 開口部 7 導電ペースト 8 ビア 9 二層目の配線
Claims (1)
- 【請求項1】絶縁膜にレーザ加工機を用いて回路パター
ン用の溝を形成する工程と、導電性物質の超微粒子を溶
媒中に分散させてなる導電ペーストを該絶縁膜の上に塗
布する工程と、熱処理により塗布された該導電ペースト
の該溶媒を除去するとともに該導電性物質の超微粒子を
焼成する工程と、該絶縁膜の表面を研磨する工程とを有
する配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35906696A JPH10200236A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35906696A JPH10200236A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10200236A true JPH10200236A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=18462565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35906696A Pending JPH10200236A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10200236A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001070435A1 (en) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Ebara Corporation | Ultra fine composite metal particles |
| JP2003008178A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Sony Corp | 印刷配線板の製造方法 |
| JP2004253605A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | プリント配線板の製造方法およびプリント配線板 |
| JP2006024672A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Asahi Kasei Corp | 配線回路板の製造方法 |
| JP2006339365A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 配線基板およびその製造方法、多層積層配線基板の製造方法並びにビアホールの形成方法 |
| JP2007036063A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Hitachi Via Mechanics Ltd | 多層基板の製造方法 |
| JP2009081194A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光モジュールおよびその製造方法 |
| WO2009119680A1 (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
| US20110097553A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Jong Kuk Hong | Trench substrate and method of fabricating the same |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35906696A patent/JPH10200236A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001070435A1 (en) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Ebara Corporation | Ultra fine composite metal particles |
| US6743395B2 (en) | 2000-03-22 | 2004-06-01 | Ebara Corporation | Composite metallic ultrafine particles and process for producing the same |
| US6871773B2 (en) | 2000-03-22 | 2005-03-29 | Ebara Corp. | Composite metallic ultrafine particles and process for producing the same |
| JP2003008178A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Sony Corp | 印刷配線板の製造方法 |
| JP2004253605A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | プリント配線板の製造方法およびプリント配線板 |
| JP2006024672A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Asahi Kasei Corp | 配線回路板の製造方法 |
| JP2006339365A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 配線基板およびその製造方法、多層積層配線基板の製造方法並びにビアホールの形成方法 |
| JP2007036063A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Hitachi Via Mechanics Ltd | 多層基板の製造方法 |
| JP2009081194A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光モジュールおよびその製造方法 |
| WO2009119680A1 (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
| KR101160498B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2012-06-28 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트 배선판 및 그 제조 방법 |
| US8263878B2 (en) | 2008-03-25 | 2012-09-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board |
| JP5238801B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-07-17 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
| US20110097553A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Jong Kuk Hong | Trench substrate and method of fabricating the same |
| JP2011091351A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | トレンチ基板およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6268016B1 (en) | Manufacturing computer systems with fine line circuitized substrates | |
| JP2000188479A (ja) | 多層印刷配線板 | |
| US6405431B1 (en) | Method for manufacturing build-up multi-layer printed circuit board by using yag laser | |
| US7832098B2 (en) | Method of manufacturing a multilayered printed circuit board | |
| JPH10308576A (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
| TWI481329B (zh) | 貫通孔形成方法及配線電路基板的製造方法 | |
| US6294743B1 (en) | Multilayer print circuit board and the production method of the multilayer print circuit board | |
| JPH10200236A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| US7910156B2 (en) | Method of making circuitized substrate with selected conductors having solder thereon | |
| KR20050057310A (ko) | 광열 유도 확산 방법 및 전기 도전성 트레이스를 갖는 장치 | |
| JP3724468B2 (ja) | 多層印刷配線板 | |
| JPH11300487A (ja) | 孔加工方法及び孔加工体 | |
| JP4089198B2 (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
| JP3361427B2 (ja) | 多層印刷配線板及びその製造方法 | |
| JP2699920B2 (ja) | 多層印刷配線板の製造方法 | |
| JP3062142B2 (ja) | 多層印刷配線板の製造方法 | |
| US6754951B2 (en) | Method of drilling a circuit substrate | |
| JP3770529B2 (ja) | 多層印刷配線板 | |
| JPH10190233A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH10242610A (ja) | 端面接続プリント基板、該端面接続プリント基板の親基板への実装方法及び該端面接続プリント基板の製造方法 | |
| JPS61176186A (ja) | 配線板の製造法 | |
| JP4548892B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2516142B2 (ja) | 多層基板およびその製造方法 | |
| JP2984625B2 (ja) | 多層プリント配線板製造方法 | |
| JP4180192B2 (ja) | 多層プリント配線基板の製造方法 |