JPH10201250A - 負荷の駆動回路 - Google Patents
負荷の駆動回路Info
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- JPH10201250A JPH10201250A JP9002260A JP226097A JPH10201250A JP H10201250 A JPH10201250 A JP H10201250A JP 9002260 A JP9002260 A JP 9002260A JP 226097 A JP226097 A JP 226097A JP H10201250 A JPH10201250 A JP H10201250A
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims abstract description 21
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
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- Control Of El Displays (AREA)
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- Inverter Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＬパネルなどの負荷を交流駆動する際に、
音を発生することがなくしかも小型な駆動回路を提供す
る。 【解決手段】 チョッパー型昇圧回路Ａによって、誘電
体としてチタン酸ジルコニウムを用いた低歪率のセラミ
ックコンデンサＣに高い電位を貯える。このコンデンサ
Ｃの高い電位をスイッチング回路ＢによりＥＬパネル１
を交流駆動する。コンデンサＣに充電放電が繰り返さ
れ、発光面積が大きく明るい照明を行う場合であって、
コンデンサの電圧にのこぎり歯状の波形が現れても、コ
ンデンサの振動が押さえられるため音が発生しない。
音を発生することがなくしかも小型な駆動回路を提供す
る。 【解決手段】 チョッパー型昇圧回路Ａによって、誘電
体としてチタン酸ジルコニウムを用いた低歪率のセラミ
ックコンデンサＣに高い電位を貯える。このコンデンサ
Ｃの高い電位をスイッチング回路ＢによりＥＬパネル１
を交流駆動する。コンデンサＣに充電放電が繰り返さ
れ、発光面積が大きく明るい照明を行う場合であって、
コンデンサの電圧にのこぎり歯状の波形が現れても、コ
ンデンサの振動が押さえられるため音が発生しない。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、ＥＬパネルなどの負荷を
交流駆動する負荷の駆動回路に関するものである。
交流駆動する負荷の駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＥＬパネルはポータブルコンピ
ュータや携帯電話などの電磁ノイズや音声ノイズを嫌う
電子機器用のバックライト用のフラット光源として好適
であり、ＥＬパネル等の交流駆動される負荷の駆動回路
としては、直流電源をチョッパ型の昇圧回路によって昇
圧させてコンデンサに充電し、スイッチング回路により
負荷に交番電圧を印加して駆動するようにしている。コ
ンデンサとしては、小型化の必要から誘電体としてチタ
ン酸バリウム等の高誘電体を用いたコンデンサが用いら
れるのが通常であった。
ュータや携帯電話などの電磁ノイズや音声ノイズを嫌う
電子機器用のバックライト用のフラット光源として好適
であり、ＥＬパネル等の交流駆動される負荷の駆動回路
としては、直流電源をチョッパ型の昇圧回路によって昇
圧させてコンデンサに充電し、スイッチング回路により
負荷に交番電圧を印加して駆動するようにしている。コ
ンデンサとしては、小型化の必要から誘電体としてチタ
ン酸バリウム等の高誘電体を用いたコンデンサが用いら
れるのが通常であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のような
誘電体としてチタン酸バリウム等の高誘電体を用いた小
型のコンデンサを、チョッパー型昇圧回路のコンデンサ
として用い、このコンデンサに貯えられた電位をスイッ
チング回路によりＥＬパネルなどに対して交流駆動する
ときに、コンデンサの電圧が図２に示すようにのこぎり
歯状の波形になるために、圧電効果によって音を発する
という問題点がある。ＥＬパネルは、液晶パネルのバッ
クライトやキートップのバックライト等に用いられるこ
とが多く、発光面積が大きくなり、明るい照明を行う必
要があるので、このような場合には特に、図２に示すの
こぎり歯状の波形が大きくでるものであり、このために
煩わしいノイズを生じることになる。また、たとえ微小
な音であっても、携帯電話などでは、耳に近接して使用
されしかも手で握った状態で使用するために、この微小
な音が枠を伝わって耳に到達し、このノイズが会話を妨
げるという大きな問題点となっていた。
誘電体としてチタン酸バリウム等の高誘電体を用いた小
型のコンデンサを、チョッパー型昇圧回路のコンデンサ
として用い、このコンデンサに貯えられた電位をスイッ
チング回路によりＥＬパネルなどに対して交流駆動する
ときに、コンデンサの電圧が図２に示すようにのこぎり
歯状の波形になるために、圧電効果によって音を発する
という問題点がある。ＥＬパネルは、液晶パネルのバッ
クライトやキートップのバックライト等に用いられるこ
とが多く、発光面積が大きくなり、明るい照明を行う必
要があるので、このような場合には特に、図２に示すの
こぎり歯状の波形が大きくでるものであり、このために
煩わしいノイズを生じることになる。また、たとえ微小
な音であっても、携帯電話などでは、耳に近接して使用
されしかも手で握った状態で使用するために、この微小
な音が枠を伝わって耳に到達し、このノイズが会話を妨
げるという大きな問題点となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明は、負荷の駆動回路に用いられるコンデ
ンサとして、低歪率のセラミックコンデンサを使用する
こととしている。このような低歪率のセラミックコンデ
ンサでは、小型化が達成できると同時にのこぎり歯状の
波形が出てもコンデンサの変形が少なく振動が押えら
れ、音の発生を防止できる。
ために、本発明は、負荷の駆動回路に用いられるコンデ
ンサとして、低歪率のセラミックコンデンサを使用する
こととしている。このような低歪率のセラミックコンデ
ンサでは、小型化が達成できると同時にのこぎり歯状の
波形が出てもコンデンサの変形が少なく振動が押えら
れ、音の発生を防止できる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は、チョッパー型昇圧回路
のコンデンサに貯えた電位をスイッチング回路により負
荷に対して交流駆動する駆動回路において、上記コンデ
ンサとして低歪率のセラミックコンデンサを用いたこと
を特徴としている。上記のセラミックコンデンサは、そ
の誘電体としてチタン酸鉛またはチタン酸ジルコニウム
を用いることが好ましい。
のコンデンサに貯えた電位をスイッチング回路により負
荷に対して交流駆動する駆動回路において、上記コンデ
ンサとして低歪率のセラミックコンデンサを用いたこと
を特徴としている。上記のセラミックコンデンサは、そ
の誘電体としてチタン酸鉛またはチタン酸ジルコニウム
を用いることが好ましい。
【０００６】上記のように低歪率のセラミックコンデン
サを用いると、チョッパー型昇圧回路による充電と、ス
イッチング回路による放電が頻繁に繰り返されてのこぎ
り歯状の波形が出ても、圧電効果によるコンデンサの振
動が押さえられ、音を発生させることがない。また従来
の高誘電体を用いたコンデンサの場合と同様に、このコ
ンデンサによれば小型化が達成でき、携帯電話など小型
化が極限まで追及されている電子機器に用いるのに好適
である。
サを用いると、チョッパー型昇圧回路による充電と、ス
イッチング回路による放電が頻繁に繰り返されてのこぎ
り歯状の波形が出ても、圧電効果によるコンデンサの振
動が押さえられ、音を発生させることがない。また従来
の高誘電体を用いたコンデンサの場合と同様に、このコ
ンデンサによれば小型化が達成でき、携帯電話など小型
化が極限まで追及されている電子機器に用いるのに好適
である。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照して説
明すると、図１に示すように、負荷１であるＥＬパネル
の駆動回路は、コンデンサＣに高圧の電位を貯えるため
のチョッパー型昇圧回路Ａと、コンデンサＣに貯えられ
た電位によって負荷１を交流駆動するスイッチング回路
Ｂとからなっている。このコンデンサＣには、誘電体と
してチタン酸ジルコニウムを用いた低歪率のセラミック
コンデンサを配設している。
明すると、図１に示すように、負荷１であるＥＬパネル
の駆動回路は、コンデンサＣに高圧の電位を貯えるため
のチョッパー型昇圧回路Ａと、コンデンサＣに貯えられ
た電位によって負荷１を交流駆動するスイッチング回路
Ｂとからなっている。このコンデンサＣには、誘電体と
してチタン酸ジルコニウムを用いた低歪率のセラミック
コンデンサを配設している。
【０００８】チョッパー型昇圧回路Ａは、直流電源Ｅに
昇圧用コイルＬ、ダイオードＤを介してセラミックコン
デンサＣが接続されてなるものである。ＥＬパネル１の
制御回路２の高い周波数の出力信号Ｐによってパルス発
生回路３の出力が制御され、このパルス発生回路３の出
力によりトランジスタＴｒ1 がオン・オフされ、昇圧用
コイルＬをチョッピンクする。このときフライバック電
圧を生じ、この高圧の電流がセラミックコンデンサＣに
貯えられる。
昇圧用コイルＬ、ダイオードＤを介してセラミックコン
デンサＣが接続されてなるものである。ＥＬパネル１の
制御回路２の高い周波数の出力信号Ｐによってパルス発
生回路３の出力が制御され、このパルス発生回路３の出
力によりトランジスタＴｒ1 がオン・オフされ、昇圧用
コイルＬをチョッピンクする。このときフライバック電
圧を生じ、この高圧の電流がセラミックコンデンサＣに
貯えられる。
【０００９】スイッチング回路Ｂは、トランジスタＴｒ
2 、Ｔｒ3 およびＴｒ4 、Ｔｒ5 をそれぞれ直列に接続
した第１、第２のスイッチ回路と、抵抗Ｒ1 、トランジ
スタＴｒ6 および抵抗Ｒ2 、トランジスタＴｒ7 をそれ
ぞれ直列に接続した第１、第２のタイミングを設定する
回路とを、セラミックコンデンサＣに対して並列接続し
ている。また、ＥＬパネル１の一方の端子１ａは、第１
のスイッチ回路の２つのトランジスタＴｒ2 、Ｔｒ3 の
接続点に接続され、ＥＬパネル１の他方の端子１ｂは、
第２のスイッチ回路の２つのトランジスタＴｒ4 、Ｔｒ
5 の接続点に接続されている。トランジスタＴｒ6 、Ｔ
ｒ3 およびＴｒ5 、Ｔｒ7 のオン・オフは、制御回路２
の出力信号Ｓ1 、Ｓ2 およびＳ3 、Ｓ4 によって制御さ
れる。信号Ｓ1 、Ｓ2 とＳ3 、Ｓ4 とは、ＥＬパネル１
の駆動周波数に一致しかつ逆位相の信号である。したが
って信号Ｓ1 、Ｓ2 がＨの時には、トランジスタＴｒ3
がオンとなってＥＬパネル１の端子１ａにグランド電位
がかかる。この時にはトランジスタＴｒ6 もオンである
からトランジスタＴｒ2 はオフであり、セラミックコン
デンサＣの電位は端子１ａに供給されない。同時にこの
時には信号Ｓ3 、Ｓ4 はＬであるので、トランジスタＴ
ｒ7 がオフとなり、トランジスタＴｒ4 がオンとなるの
で、ＥＬパネル１の端子１ｂにはセラミックコンデンサ
Ｃの電位が供給される。
2 、Ｔｒ3 およびＴｒ4 、Ｔｒ5 をそれぞれ直列に接続
した第１、第２のスイッチ回路と、抵抗Ｒ1 、トランジ
スタＴｒ6 および抵抗Ｒ2 、トランジスタＴｒ7 をそれ
ぞれ直列に接続した第１、第２のタイミングを設定する
回路とを、セラミックコンデンサＣに対して並列接続し
ている。また、ＥＬパネル１の一方の端子１ａは、第１
のスイッチ回路の２つのトランジスタＴｒ2 、Ｔｒ3 の
接続点に接続され、ＥＬパネル１の他方の端子１ｂは、
第２のスイッチ回路の２つのトランジスタＴｒ4 、Ｔｒ
5 の接続点に接続されている。トランジスタＴｒ6 、Ｔ
ｒ3 およびＴｒ5 、Ｔｒ7 のオン・オフは、制御回路２
の出力信号Ｓ1 、Ｓ2 およびＳ3 、Ｓ4 によって制御さ
れる。信号Ｓ1 、Ｓ2 とＳ3 、Ｓ4 とは、ＥＬパネル１
の駆動周波数に一致しかつ逆位相の信号である。したが
って信号Ｓ1 、Ｓ2 がＨの時には、トランジスタＴｒ3
がオンとなってＥＬパネル１の端子１ａにグランド電位
がかかる。この時にはトランジスタＴｒ6 もオンである
からトランジスタＴｒ2 はオフであり、セラミックコン
デンサＣの電位は端子１ａに供給されない。同時にこの
時には信号Ｓ3 、Ｓ4 はＬであるので、トランジスタＴ
ｒ7 がオフとなり、トランジスタＴｒ4 がオンとなるの
で、ＥＬパネル１の端子１ｂにはセラミックコンデンサ
Ｃの電位が供給される。
【００１０】次に信号Ｓ1 、Ｓ2 とＳ3 、Ｓ4 の位相が
反転すると、トランジスタＴｒ2 がオンに、トランジス
タＴｒ4 がオフに反転し、したがって今度はＥＬパネル
１の端子１ａにセラミックコンデンサＣの電位が供給さ
れ、端子１ｂにグランド電位がかかる。このようにして
ＥＬパネル１は、セラミックコンデンサＣに貯えられた
高い電位により交流駆動される。上に説明したように、
チタン酸ジルコニウムを用いた低歪率のセラミックコン
デンサを用いているので、チョッピング回路Ａにより高
い電位がコンデンサＣに貯えられつつ、スイッチング回
路ＢによりコンデンサＣの電位がＥＬパネル１に一定の
タイミングで供給される動作が継続し、従来の高誘電体
を用いたコンデンサで説明した図２のようなのこぎり歯
状の波形が出現してもコンデンサの振動がほとんどない
ため、ノイズの発生が押さえられる。
反転すると、トランジスタＴｒ2 がオンに、トランジス
タＴｒ4 がオフに反転し、したがって今度はＥＬパネル
１の端子１ａにセラミックコンデンサＣの電位が供給さ
れ、端子１ｂにグランド電位がかかる。このようにして
ＥＬパネル１は、セラミックコンデンサＣに貯えられた
高い電位により交流駆動される。上に説明したように、
チタン酸ジルコニウムを用いた低歪率のセラミックコン
デンサを用いているので、チョッピング回路Ａにより高
い電位がコンデンサＣに貯えられつつ、スイッチング回
路ＢによりコンデンサＣの電位がＥＬパネル１に一定の
タイミングで供給される動作が継続し、従来の高誘電体
を用いたコンデンサで説明した図２のようなのこぎり歯
状の波形が出現してもコンデンサの振動がほとんどない
ため、ノイズの発生が押さえられる。
【００１１】尚、負荷１はＥＬパネルに限られるもので
なく、ブザーその他の交流駆動される負荷には全て適用
できる。また、小型化を要求されないところでは、低歪
率のセラミックコンデンサ以外に圧電効果のないフィル
ムコンデンサを用いてもよい。
なく、ブザーその他の交流駆動される負荷には全て適用
できる。また、小型化を要求されないところでは、低歪
率のセラミックコンデンサ以外に圧電効果のないフィル
ムコンデンサを用いてもよい。
【００１２】
【発明の効果】低歪率のセラミックコンデンサを用いて
いるので、チョッパー型昇圧回路による充電と、スイッ
チング回路による放電が頻繁に繰り返されてのこぎり歯
状の波形が出ても、コンデンサの振動が押えられ、音を
発生させることがない。また高誘電体を用いたコンデン
サの場合と同様に、小型化が達成できるので、携帯電話
など小型化が極限まで追及されている分野において、こ
の低歪率のセラミックコンデンサを用いた負荷の駆動回
路は特段の効果を有する。
いるので、チョッパー型昇圧回路による充電と、スイッ
チング回路による放電が頻繁に繰り返されてのこぎり歯
状の波形が出ても、コンデンサの振動が押えられ、音を
発生させることがない。また高誘電体を用いたコンデン
サの場合と同様に、小型化が達成できるので、携帯電話
など小型化が極限まで追及されている分野において、こ
の低歪率のセラミックコンデンサを用いた負荷の駆動回
路は特段の効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図２】コンデンサに生じるのこぎり歯状の波形図であ
る。
る。
Ａ チョッパー型昇圧回路 Ｂ スイッチング回路 Ｃ セラミックコンデンサ １ 負荷（ＥＬパネル）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08
Claims (2)
- 【請求項１】 チョッパー型昇圧回路のコンデンサに貯
えた電位をスイッチング回路により負荷に対して交流駆
動する駆動回路において、上記コンデンサとして低歪率
のセラミックコンデンサを用いたことを特徴とする負荷
の駆動回路。 - 【請求項２】 請求項１において、上記セラミックコン
デンサは、その誘電体としてチタン酸鉛またはチタン酸
ジルコニウムが用いられていることを特徴とする負荷の
駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9002260A JPH10201250A (ja) | 1997-01-09 | 1997-01-09 | 負荷の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9002260A JPH10201250A (ja) | 1997-01-09 | 1997-01-09 | 負荷の駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10201250A true JPH10201250A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11524405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9002260A Pending JPH10201250A (ja) | 1997-01-09 | 1997-01-09 | 負荷の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10201250A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1093212A1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-04-18 | Seiko Epson Corporation | Chopper circuit, chopper circuit control method, chopper-type charging circuit, electronic device, and timekeeping apparatus |
| US8064212B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-11-22 | Masami Motegi | Hybrid integrated circuit device |
-
1997
- 1997-01-09 JP JP9002260A patent/JPH10201250A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1093212A1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-04-18 | Seiko Epson Corporation | Chopper circuit, chopper circuit control method, chopper-type charging circuit, electronic device, and timekeeping apparatus |
| US6327164B1 (en) | 1999-10-15 | 2001-12-04 | Seiko Epson Corporation | Chopper circuit, chopper circuit control method, chopper-type charging circuit, electronic device, and timekeeping apparatus |
| US8064212B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-11-22 | Masami Motegi | Hybrid integrated circuit device |
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