JPH10208895A - ランプ点灯装置 - Google Patents

ランプ点灯装置

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Publication number
JPH10208895A
JPH10208895A JP1095097A JP1095097A JPH10208895A JP H10208895 A JPH10208895 A JP H10208895A JP 1095097 A JP1095097 A JP 1095097A JP 1095097 A JP1095097 A JP 1095097A JP H10208895 A JPH10208895 A JP H10208895A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lamp
life
lighting device
ohms
lamp lighting
Prior art date
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Pending
Application number
JP1095097A
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English (en)
Inventor
Atsushi Hatakeyama
篤史 畠山
Soichiro Ogawa
壮一郎 小川
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】蛍光ランプの寿命時に、ランプの破損や回路部
品の発煙を防止し、安全性の高いランプ点灯回路を提供
する。 【解決手段】MOS−FETのオン抵抗値を2オーム以
上5オーム未満とした時に、ツェナダイオードの定格電
力を200mWよりも大きくする。MOS−FETのオ
ン抵抗値を2オーム未満とした時に、ツェナダイオード
の定格電力を200mWとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波インバータ回
路を使用したランプ点灯装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の点灯装置に用いられるスイッチ
ング素子には、回路効率の向上,信頼性の向上といった
点から、スイッチングスピードが速く損失の少ない、オ
ン抵抗が1オーム程度のMOS−FETが一般的に使用
されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ランプは寿命末期にな
ったときに、電極の電子放射が悪くなり陰極降下電圧が
上昇し、異常過熱する。この寿命末期現象が継続する
と、ガラス管の破損,口金の変形,回路部品が耐電圧を
超えて発煙に至る場合があり、安全性上問題があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、ランプの寿命
末期状態が継続した場合、ランプ破損,口金変形や発煙
に至る前に、MOS−FETまたは定電圧ダイオードを
破損させて回路動作を停止させるものである。
【0005】ランプの寿命末期状態が継続した場合にM
OS−FETを破損させる点灯装置は、ランプの寿命末
期時に負荷電流が増加することを利用し、MOS−FE
Tのオン抵抗を大きめに設定することで、ランプの寿命
末期時に増加する損失によりMOS−FETを短時間で
破損させる構成とすることにより得ることができる。
【0006】また、ランプの寿命末期状態が継続した場
合に定電圧ダイオードを破損させることによっても本発
明の目的を達成することができる。すなわちランプの寿
命末期時に負荷電流が増加することを利用し、定電圧ダ
イオードの定格電力を小さめに設定することで、ランプ
の寿命末期時に増加する損失により定電圧ダイオードを
短時間で破損させる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。
【0008】図1は本発明の1実施例を示す回路図であ
る。交流電源Eがインラッシュ抑制抵抗R1及びフィル
タコンデンサC1,チョークコイルL1を通して全波整
流器DBに接続される。全波整流器DBの出力端に並列
に平滑コンデンサC2を接続し、更にMOS−FET
Q1及びQ2を直列に接続している。このMOS−FE
T Q1のゲートGとソースSとの間には対極に直列接
続されたツェナダイオードZD1及びZD2が接続さ
れ、MOS−FET Q2にも同様にツェナダイオード
ZD3及びZD4が接続されている。MOS−FET
Q1とQ2の接続点と、全波整流器DBの出力の一端と
の間に、チョークコイルL2とコンデンサC3及び蛍光
ランプLAが直列接続され、更に蛍光ランプLAに並列
にコンデンサC4が接続されている。
【0009】表1は図1に示す回路上に、MOS−FE
T Q1及びQ2のオン抵抗値を各種変えて、1分点灯
1分消灯のサイクルで点滅試験を行い点滅寿命回数と寿
命時の現象を観測した結果である。ツェナダイオードZ
D1,ZD2,ZD3及びZD4に定格電力500mW
を使用している。
【0010】
【表1】
【0011】MOS−FETのオン抵抗が1オームで
は、寿命時にランプのステム部分が溶融し、リークに至
り易くなっており、コンデンサの発煙も発生している。
3オームと5オームのものは、リーク及び発煙がなく、
MOS−FETが破損して寿命になっている。しかし5
オームのものは、ランプが放電し難くなってきた段階、
つまりランプ寿命になる前の時点でMOS−FETが破
損して短寿命になり、実用的でない。従ってツェナダイ
オードの定格電力を200mWよりも大きくし、MOS
−FETのオン抵抗を2オーム以上5オーム未満とした
時、ランプ寿命時にリーク及び発煙がなく、寿命を確保
した安全性の高い点灯回路となる。
【0012】次に本発明の第2の実施例について説明す
る。表2は図1に示す回路上に、ツェナダイオードZD
1,ZD2,ZD3及びZD4に定格電力値を各種変え
て、1分点灯1分消灯のサイクルで点滅試験を行い点滅
寿命回数と寿命時の現象を観測した結果である。
【0013】
【表2】
【0014】MOS−FET Q1及びQ2のオン抵抗
値に1オームを使用している。定電圧ダイオードの定格
電力が400mWと500mWの場合、寿命時にランプ
のステム部分が溶融しリークに至っている。コンデンサ
の発煙も発生している。200mWのものは、リーク及び
発煙がなくツェナダイオードが破損して寿命になってい
る。従ってMOS−FETのオン抵抗を2オーム未満と
し、ツェナダイオードの定格電力を200mWとするこ
とで、ランプ寿命時にリーク及び発煙がない安全性の高
い点灯回路となる。
【0015】図2は本発明の他の実施例を示す回路図で
ある。図1の回路図と異なる点は、MOS−FETに接
続されるツェナダイオードであり、MOS−FET Q
1,Q2にそれぞれツェナダイオードZD1,ZD2を
接続し、極性はゲートGにカソードCをソースSにアノ
ードAを接続する方向としている。第1の実施例及び第
2の実施例を図2に示す回路を用いて試験し、同様な結
果を得ている。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、蛍光ランプの寿命末期
時の現象が継続しないため、ランプの過熱による破損,
口金の変形,コンデンサの発煙事故を防止することがで
き、安全性の高いランプ点灯回路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例を示す回路図。
【図2】本発明の他の実施例を示す回路図。
【符号の説明】
E…交流電源、R1…抵抗、C1,C2,C3,C4…
コンデンサ、L1,L2…チョークコイル、DB…全波
整流器。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】交流電源からの出力を整流平滑する整流回
    路と、交互にオン,オフされる第1及び第2のスイッチ
    ング素子の直列回路と前記スイッチング素子の信号入力
    端子に接続される定電圧素子とLC共振系を備え前記整
    流回路の出力を高周波に変換するインバータにより構成
    されるランプ点灯装置において、蛍光ランプの寿命時に
    前記スイッチング素子または前記定電圧素子を破損させ
    て、回路動作を停止させることを特徴とするランプ点灯
    装置。
  2. 【請求項2】上記スイッチング素子のオン抵抗を2オー
    ム以上5オーム未満とした時に、定電圧素子の定格電力
    を200mWよりも大きくした請求項1に記載のランプ
    点灯装置。
  3. 【請求項3】上記スイッチング素子のオン抵抗を2オー
    ム未満とした時に、定電圧素子の定格電力を200mW
    とした請求項1に記載のランプ点灯装置。
JP1095097A 1997-01-24 1997-01-24 ランプ点灯装置 Pending JPH10208895A (ja)

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