JPH10208995A - 荷電ビーム露光用転写マスク - Google Patents
荷電ビーム露光用転写マスクInfo
- Publication number
- JPH10208995A JPH10208995A JP540797A JP540797A JPH10208995A JP H10208995 A JPH10208995 A JP H10208995A JP 540797 A JP540797 A JP 540797A JP 540797 A JP540797 A JP 540797A JP H10208995 A JPH10208995 A JP H10208995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer mask
- film
- beam exposure
- charged beam
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電ビーム露光法に用いる転写マスクにおい
て、電子線照射時に下地のシリコンとマイグレーション
を起こさないで、良好な導電性を示す帯電防止膜を形成
した荷電ビーム露光用転写マスクを提供することを目的
とする。 【解決手段】 貼り合わせ単結晶シリコンウェハ４をパ
ターン加工して作製された荷電ビーム露光用転写マスク
の両面及び側面にプラズマ成膜法、スパッタ法、ＣＶＤ
法等により導電性の優れたオスミウム膜１２を形成し、
荷電ビーム露光用転写マスク１３を作製する。
て、電子線照射時に下地のシリコンとマイグレーション
を起こさないで、良好な導電性を示す帯電防止膜を形成
した荷電ビーム露光用転写マスクを提供することを目的
とする。 【解決手段】 貼り合わせ単結晶シリコンウェハ４をパ
ターン加工して作製された荷電ビーム露光用転写マスク
の両面及び側面にプラズマ成膜法、スパッタ法、ＣＶＤ
法等により導電性の優れたオスミウム膜１２を形成し、
荷電ビーム露光用転写マスク１３を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
の微細なパターンを形成するために用いられるいわゆる
一括露光方式の荷電ビーム露光装置で使用される荷電ビ
ーム露光用転写マスクに関する。
の微細なパターンを形成するために用いられるいわゆる
一括露光方式の荷電ビーム露光装置で使用される荷電ビ
ーム露光用転写マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路のパターンは年々微細化
の傾向にあり複雑化してきている。このようなパターン
を荷電ビーム露光装置で描画、形成するために、繰り返
し使用される図形および図形群などを一回のショットで
描画する方法、いわゆる一括露光法、ブロック露光法、
あるいはキャラクタプロジェクション法等と呼ばれる方
式が提案されている。
の傾向にあり複雑化してきている。このようなパターン
を荷電ビーム露光装置で描画、形成するために、繰り返
し使用される図形および図形群などを一回のショットで
描画する方法、いわゆる一括露光法、ブロック露光法、
あるいはキャラクタプロジェクション法等と呼ばれる方
式が提案されている。
【０００３】この方式においては、荷電ビーム露光装置
における転写マスクに、従来ポイントビーム方式であれ
ば丸い孔、可変成形ビーム方式であれば矩形の孔を形成
していたものに変え、繰り返し使われる図形や図形群を
作り込むことにより一回のショットで描画することが可
能になり、スループットの飛躍的向上が見込まれる。
における転写マスクに、従来ポイントビーム方式であれ
ば丸い孔、可変成形ビーム方式であれば矩形の孔を形成
していたものに変え、繰り返し使われる図形や図形群を
作り込むことにより一回のショットで描画することが可
能になり、スループットの飛躍的向上が見込まれる。
【０００４】ところで、この方式に使用される転写マス
クは従来は、例えば図４に示すような構造をしており、
帯電防止膜として金膜３２を用いていた。
クは従来は、例えば図４に示すような構造をしており、
帯電防止膜として金膜３２を用いていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の転写マ
スクでは、帯電防止膜に用いていた金膜３２は電子線照
射により下地のシリコンとマイグレーションを起こし、
導電性が悪くなり、チャージアップすることにより描画
パターンの位置ずれが起こるという問題があった。ま
た、電子線照射時のダメージやコンタミネーションも多
く、長時間の使用ができなかった。
スクでは、帯電防止膜に用いていた金膜３２は電子線照
射により下地のシリコンとマイグレーションを起こし、
導電性が悪くなり、チャージアップすることにより描画
パターンの位置ずれが起こるという問題があった。ま
た、電子線照射時のダメージやコンタミネーションも多
く、長時間の使用ができなかった。
【０００６】本発明は以上のような問題点に着目してな
されたもので、電子線照射時に下地のシリコンとマイグ
レーションを起こさないで、良好な導電性を示す帯電防
止膜を形成した荷電ビーム露光用転写マスクを提供する
ことにある。
されたもので、電子線照射時に下地のシリコンとマイグ
レーションを起こさないで、良好な導電性を示す帯電防
止膜を形成した荷電ビーム露光用転写マスクを提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、荷電ビーム露光法に用いられる転写マスク
において、転写マスクの帯電防止膜としてオスミウム膜
からなる導電薄膜を設けて荷電ビーム露光用転写マスク
としたものである。
するために、荷電ビーム露光法に用いられる転写マスク
において、転写マスクの帯電防止膜としてオスミウム膜
からなる導電薄膜を設けて荷電ビーム露光用転写マスク
としたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の荷電ビーム露光用転写マ
スクは、単結晶シリコンウェハに形成された転写マスク
の両面及び転写パターンの側面にオスミウム膜を形成し
帯電防止膜とする。オスミウム膜は導電性に優れてお
り、電子線を照射しても熱ダメージが少なく下地のシリ
コンとマイグレーションを起こし難い。オスミウム膜は
プラズマ成膜法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により成膜す
る。ここで、帯電防止膜は、加速電圧、電流値などの荷
電ビーム露光装置に依存する描画条件によっては、必ず
しも両面及び側面の全面には必要としない場合もある。
スクは、単結晶シリコンウェハに形成された転写マスク
の両面及び転写パターンの側面にオスミウム膜を形成し
帯電防止膜とする。オスミウム膜は導電性に優れてお
り、電子線を照射しても熱ダメージが少なく下地のシリ
コンとマイグレーションを起こし難い。オスミウム膜は
プラズマ成膜法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により成膜す
る。ここで、帯電防止膜は、加速電圧、電流値などの荷
電ビーム露光装置に依存する描画条件によっては、必ず
しも両面及び側面の全面には必要としない場合もある。
【０００９】荷電ビーム露光用転写マスクの帯電防止膜
としてオスミウム膜を用いることにより、電子線照射時
に下地金属のシリコンとマイグレーションを起こさない
ため、導電性が保て、チャージアップによる描画パター
ンの位置ずれを防止できる。また、オスミウム膜は電子
線照射によるダメージやコンタミネーションも少ないた
め、マスクを長時間使用できる。
としてオスミウム膜を用いることにより、電子線照射時
に下地金属のシリコンとマイグレーションを起こさない
ため、導電性が保て、チャージアップによる描画パター
ンの位置ずれを防止できる。また、オスミウム膜は電子
線照射によるダメージやコンタミネーションも少ないた
め、マスクを長時間使用できる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。図１は本発明の一実施例に係わる荷電ビ
ーム露光用転写マスクの構成を示す断面図である。図２
及び図３は本発明の一実施例に係わる荷電ビーム露光用
転写マスクの製造工程を示す断面図である。
いて説明する。図１は本発明の一実施例に係わる荷電ビ
ーム露光用転写マスクの構成を示す断面図である。図２
及び図３は本発明の一実施例に係わる荷電ビーム露光用
転写マスクの製造工程を示す断面図である。
【００１１】まず、面方位が（１００）からなる単結晶
シリコンウェハ１及び単結晶シリコンウェハ３をシリコ
ン酸化膜２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基板４を
作製し、単結晶シリコンウェハ１面にシリコン酸化膜を
形成し、パターニング処理して多面付けのシリコン酸化
膜パターン５を形成した。（図２（ａ）参照）。
シリコンウェハ１及び単結晶シリコンウェハ３をシリコ
ン酸化膜２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基板４を
作製し、単結晶シリコンウェハ１面にシリコン酸化膜を
形成し、パターニング処理して多面付けのシリコン酸化
膜パターン５を形成した。（図２（ａ）参照）。
【００１２】次に、シリコン酸化膜パターン５をレジス
トにして、ドライエッチングにより単結晶シリコンウェ
ハ１をシリコン酸化膜２に到達する深さまでエッチング
して、転写パターン６及び転写マスク分離開口パターン
７を形成した（図２（ｂ）参照）。
トにして、ドライエッチングにより単結晶シリコンウェ
ハ１をシリコン酸化膜２に到達する深さまでエッチング
して、転写パターン６及び転写マスク分離開口パターン
７を形成した（図２（ｂ）参照）。
【００１３】次に、ＣＶＤにより貼り合わせシリコン基
板４の両面にウェットエッチング用保護膜８（窒化膜
等）を形成し、単結晶シリコンウェハ３上の保護膜８上
に転写パターン開口部及び転写マスク分離開口部を作製
するためのレジストパターン９を形成した（図２（ｃ）
参照）。
板４の両面にウェットエッチング用保護膜８（窒化膜
等）を形成し、単結晶シリコンウェハ３上の保護膜８上
に転写パターン開口部及び転写マスク分離開口部を作製
するためのレジストパターン９を形成した（図２（ｃ）
参照）。
【００１４】次に、レジストパターン９をレジストにし
て、単結晶シリコンウェハ３上の保護膜８をドライエッ
チングして保護膜パターン８ａを形成した（図２（ｄ）
参照）。
て、単結晶シリコンウェハ３上の保護膜８をドライエッ
チングして保護膜パターン８ａを形成した（図２（ｄ）
参照）。
【００１５】次に、保護膜パターン８ａをレジストにし
て、単結晶シリコンウェハ３を水酸化カリウムの加熱ア
ルカリ溶液にてシリコン酸化膜２の深さまでバックエッ
チングして、転写パターン開口部１１及び転写マスク分
離開口部１０を形成した（図２（ｅ）参照）。
て、単結晶シリコンウェハ３を水酸化カリウムの加熱ア
ルカリ溶液にてシリコン酸化膜２の深さまでバックエッ
チングして、転写パターン開口部１１及び転写マスク分
離開口部１０を形成した（図２（ｅ）参照）。
【００１６】次に、単結晶シリコンウェハ１ａ面に形成
されている保護膜８及び保護膜パターン８ａを除去し
て、転写パターン開口部１１と転写マスク分離開口部１
０のシリコン酸化膜２を及びシリコン酸化膜パターン５
を除去し、転写マスク分離開口パターン７から機械的に
分離して、帯電防止膜のない荷電ビーム露光用転写マス
クが得られた（図３（ｆ）参照）。
されている保護膜８及び保護膜パターン８ａを除去し
て、転写パターン開口部１１と転写マスク分離開口部１
０のシリコン酸化膜２を及びシリコン酸化膜パターン５
を除去し、転写マスク分離開口パターン７から機械的に
分離して、帯電防止膜のない荷電ビーム露光用転写マス
クが得られた（図３（ｆ）参照）。
【００１７】次に、プラズマ成膜法により帯電防止膜で
あるオスミウム膜１２を帯電防止膜のない荷電ビーム露
光用転写マスクの両面および側面に形成して、本発明の
荷電ビーム露光用転写マスク１３が得られた（図３
（ｇ）参照）。このようにして作製された荷電ビーム露
光用転写マスク１３は、マスクホルダー１４に組み込ま
れ、電子ビーム描画装置に搭載される（図３（ｈ）参
照）。なお、帯電防止膜のオスミウム膜は、マスクホル
ダー１４へ組み込んでから、形成してもよく、転写マス
クの信頼性には影響ない。
あるオスミウム膜１２を帯電防止膜のない荷電ビーム露
光用転写マスクの両面および側面に形成して、本発明の
荷電ビーム露光用転写マスク１３が得られた（図３
（ｇ）参照）。このようにして作製された荷電ビーム露
光用転写マスク１３は、マスクホルダー１４に組み込ま
れ、電子ビーム描画装置に搭載される（図３（ｈ）参
照）。なお、帯電防止膜のオスミウム膜は、マスクホル
ダー１４へ組み込んでから、形成してもよく、転写マス
クの信頼性には影響ない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
荷電ビーム露光用転写マスクの帯電防止膜としてオスミ
ウム膜を用いることにより、電子線照射時に下地金属の
シリコンとマイグレーションを起こさないため、導電性
が保て、チャージアップによる描画パターンの位置ずれ
を防止できる。また、オスミウム膜は電子線照射による
ダメージやコンタミネーションも少ないため、マスクを
長時間使用できる。
荷電ビーム露光用転写マスクの帯電防止膜としてオスミ
ウム膜を用いることにより、電子線照射時に下地金属の
シリコンとマイグレーションを起こさないため、導電性
が保て、チャージアップによる描画パターンの位置ずれ
を防止できる。また、オスミウム膜は電子線照射による
ダメージやコンタミネーションも少ないため、マスクを
長時間使用できる。
【図１】本発明の一実施例に係わる荷電ビーム露光用転
写マスクの構成を示す断面図である。
写マスクの構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例に係わる
荷電ビーム露光用転写マスクの製造工程を示す断面図で
ある。
荷電ビーム露光用転写マスクの製造工程を示す断面図で
ある。
【図３】（ｆ）〜（ｈ）は、本発明の一実施例に係わる
荷電ビーム露光用転写マスクの製造工程を示す断面図で
ある。
荷電ビーム露光用転写マスクの製造工程を示す断面図で
ある。
【図４】従来の荷電ビーム露光用転写マスクの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
１、３……単結晶シリコンウェハ １ａ……転写パターン及び転写マスク分離パターンが形
成された単結晶シリコンウェハ ２……シリコン酸化膜 ３ａ……転写パターン開口部及び転写マスク分離開口部
が形成された単結晶シリコンウェハ ４……貼り合わせシリコン基板 ５……シリコン酸化膜パターン ６、２６……転写パターン ７……転写マスク分離開口パターン ８……保護膜（シリコン窒化膜） ８ａ……保護膜パターン ９……レジストパターン １０……転写マスク分離開口部 １１、３１……転写パターン開口部 １２……オスミウム膜 １３、３３……荷電ビーム露光用転写マスク １４……マスクホルダー ３２……金膜
成された単結晶シリコンウェハ ２……シリコン酸化膜 ３ａ……転写パターン開口部及び転写マスク分離開口部
が形成された単結晶シリコンウェハ ４……貼り合わせシリコン基板 ５……シリコン酸化膜パターン ６、２６……転写パターン ７……転写マスク分離開口パターン ８……保護膜（シリコン窒化膜） ８ａ……保護膜パターン ９……レジストパターン １０……転写マスク分離開口部 １１、３１……転写パターン開口部 １２……オスミウム膜 １３、３３……荷電ビーム露光用転写マスク １４……マスクホルダー ３２……金膜
Claims (1)
- 【請求項１】荷電ビーム露光法に用いられる転写マスク
において、前記転写マスクの帯電防止膜がオスミウム膜
からなることを特徴とする荷電ビーム露光用転写マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP540797A JPH10208995A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 荷電ビーム露光用転写マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP540797A JPH10208995A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 荷電ビーム露光用転写マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208995A true JPH10208995A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11610302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP540797A Pending JPH10208995A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 荷電ビーム露光用転写マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10208995A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313423B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2001-11-05 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 산란 마스크, 하전 입자 빔 리소그래피 장치 및 리소그래피 공정 |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP540797A patent/JPH10208995A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313423B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2001-11-05 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 산란 마스크, 하전 입자 빔 리소그래피 장치 및 리소그래피 공정 |
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