JPH10209026A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH10209026A
JPH10209026A JP9019603A JP1960397A JPH10209026A JP H10209026 A JPH10209026 A JP H10209026A JP 9019603 A JP9019603 A JP 9019603A JP 1960397 A JP1960397 A JP 1960397A JP H10209026 A JPH10209026 A JP H10209026A
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Manabu Matsuo
学 松尾
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 現像均一性を向上する。 【解決手段】 基板上に塗布され露光された感光剤を現
像する処理装置において、該基板の直径以上の直径を有
し、かつ処理時、基板の被処理基板表面に対向して配置
できる面を備えた円盤と、この円盤面を温度制御する手
段とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子製造に
使用される感光性樹脂を塗布した基板を露光後、現像液
を基板表面に盛り付けて静止状態にて現像処理を行なう
処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の処理装置は図4に示すよ
うに基板を処理のために回転させる基板保持具10上に
減圧にて基板1を保持/固定させ、基板1の表面上部に
位置した現像液吐出管12より現像液を吐出してその現
像液で基板表面を覆い、その後予め規定された時間停止
または緩やかな回転動作を与え、感光部分の溶解処理
(ポジの場合)を行なっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】現像の特性はその処理
時の温度環境に影響を受け、基板表面全面について良好
な特性を得るためには、現像開始時より終了時までの基
板表面の温度分布を可能な限り均一に制御することが望
まれる。しかし、上記の従来例では現像液吐出後の温度
制御は環境温度を制御する等の間接的手段を用いること
となり、以下のような不都合がある。すなわち、 1.基板表面に盛り付けられた現像液はその蒸発により
基板表面の温度を低下させるが、通常、気流の流れによ
り基板外周部が内側部に比較し温度の低下量が多く面内
温度不均一の原因となる。 2.基板を保持/固定するため、基板裏面に位置する基
板保持具は通例減圧にて基板を保持しているが、この接
触部分より、熱の伝導が起こり基板上の面内温度不均一
の原因となる。 3.露光後の基板表面は、使用される感光剤によりその
濡れ性に差異があり、単一量の現像液吐出では表面を覆
いきれない場合がある。したがって、使用される感光剤
の種類により吐出の量を設定/制御する必要がある。 4.現像液は通常、窒素加圧にて供給されるが、基板上
に吐出され大気圧開放状態となると溶解していた窒素が
微細な泡として発生し現像欠陥の原因となる。
【0004】本発明は、上記の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、現像均一性を向上することを目
的とする。また、現像欠陥を低減することをさらなる目
的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段および作用】本発明では、
前述の課題を解決する手段として、温度制御手段を備
え、基板の処理面全面に対向する円盤を用いる。本発明
の好ましい実施の形態において、基板の処理面は水平、
上向きに配置され、前記円盤は円盤は基板上面と対向し
て基板上面全面を覆う形となる。基板と円盤の温度制御
された面との間に0.5〜2mmの空間を有する。この
空間内に現像液を満たすが、密閉空間とするため、基板
裏面方向より基板上面に位置する円盤外周部にリング状
の部材を用い、この部材上に基板を固定する。固定は、
減圧吸着または外周部保持の機械的固定とする。現像液
は基板裏面に位置するリング上部材に加工された穴また
は溝部より吐出される。現像液の吐出時には、その流れ
を基板上面中心方向に制御するため前述の円盤中央に取
り付けられた配管より前述の密閉空間内を排気減圧す
る。また現像液が満ちた状態では同一の配管を使用して
加圧も可能な構成となっている。現像処理中は、後の回
転洗浄および乾燥工程にて使用する基板保持具は基板裏
面より離れた位置にあり、基板保持具よりの熱伝導は無
い。
【0006】以上のように、現像処理中の基板は常時温
度制御された状態にあり、また必要に応じて現像液を加
圧できる構成とすることで、現像均一性の向上と欠陥の
低減が可能である。前記構成では、基板を円盤状として
扱っているが、矩形基板においても同様の構成を採るこ
とができる。なお、この場合、基板に対向する温度制御
された面は矩形にしてもよい。
【0007】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は、本発明の一実施例に係る現像処置装置の現
像処置状態の構成を示す。図1において、1は基板、2
は円盤、3は加圧/減圧作用管、4は温調循環水入口、
5は温調循環水出口、6は裏面リング、7は現像液供給
配管、8は基板固定吸着用減圧配管、9は現像液滞留空
間、10は基板回転保持具、11は受け渡し用ピンを示
す。
【0008】図2は図1の装置における処理前後の基板
受け渡し状態を示す。また、図3は図1の装置における
基板洗浄/乾燥のための回転状態を示す。
【0009】図1〜3を参照して、基板1は、受け渡し
用ピン11上によりこの現像処置装置に搬入され、基板
回転保持具10上に載置される。次に裏面リング6が上
昇することにより、基板回転保持具10から裏面リング
6に受け渡された基板1は、裏面リング6上に基板固定
吸着用減圧配管8による負圧にて保持/固定される。次
に円盤2が下降し、裏面リング6に接して停止する。こ
の状態で現像液滞留空間9は閉鎖空間となる。現像液は
現像液供給配管7より、裏面リング6上に加工された穴
(または溝)を通って供給されるが、この時点で加圧/
減圧作用管3により現像液滞留空間9は、弱負圧状態と
なり、現像液の流れを中心方向へ方向付ける。現像液が
現像液滞留空間9に満ちた状態でその供給は停止され
る。この状態で現像液は円盤下面に接している。円盤2
は温調循環水入口4、温調循環水出口5を通じて循環さ
れる温調水にて予め定められた温度となっており、現像
中の現像液温度を一定に保つ。規定された現像時間終了
後、基板は基板回転保持具10に受け渡され、回転動作
を伴う洗浄/乾燥処理を行なう。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 1.基板表面に盛り付けられた現像液の蒸発による基板
表面温度不均一が発生しないため、面内の温度均一性を
向上させ、現像均一性を向上させることができる。 2.基板保持具の接触部分よりの熱の伝達が無く、基板
上の面内の温度均一性を向上させ、現像均一性を向上さ
せることができる。 3.露光後の基板の表面状態に影響されずに液盛りが可
能であり、使用される感光剤に応じて吐出の量を設定し
たり制御したりすることが不要となり、効率的な生産が
可能となる。 4.現像欠陥の原因となる現像液中の溶解窒素発泡を抑
制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る現像処理装置の現像
処理状態の側面図である。
【図2】 図1の装置の基板受け渡し状態の側面図であ
る。
【図3】 図1の装置の基板回転可能状態の側面図であ
る。
【図4】 従来例に係る現像処理装置の現像処理状態の
側面図である。
【符号の説明】
1:基板、2:円盤、3:加圧/減圧作用管、4:温調
循環水入口、5:温調循環水出口、6:裏面リング、
7:現像液供給配管、8:基板固定吸着用減圧配管、
9:現像液滞留空間、10:基板回転保持具、11:受
け渡し用ピン、12:現像液吐出ノズル。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に塗布され露光された感光剤を現
    像する処理装置において、該基板の直径と同等かまたは
    それ以上の直径を有し、かつ温度制御された表面を有す
    る円盤を設け、処理時、該円盤表面を該基板表面に対向
    して配置することを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 前記処理時は、前記と基板表面を水平上
    向きに配置し、その上方に0.5〜2mmの間隔をおい
    て前記円盤表面を配置することを特徴とする請求項1記
    載の処理装置。
  3. 【請求項3】 前記円盤表面と基板表面の間の空間を含
    む閉空間を形成する手段と、該閉空間に現像液を満たす
    手段とをさらに有することを特徴とする請求項2記載の
    処理装置。
  4. 【請求項4】 前記閉空間に現像液を満たすにあたり、
    その現像液の供給を基板の外側の下部より行なうことを
    特徴とする請求項3記載の処理装置。
  5. 【請求項5】 前記閉空間が、該閉空間に満たした現像
    液に対し大気圧を基準として加圧および減圧できるよう
    密閉構造となっていることを特徴とする請求項3または
    4記載の処理装置。
  6. 【請求項6】 前記閉空間に現像液を満たした状態で、
    前記基板裏面が外周部の密閉構造とする部位以外は装置
    構造部材に触れていないことを特徴とする請求項3〜5
    のいずれかに記載の処理装置。
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