JPH10209102A - 基板処理装置 - Google Patents
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- JPH10209102A JPH10209102A JP9006376A JP637697A JPH10209102A JP H10209102 A JPH10209102 A JP H10209102A JP 9006376 A JP9006376 A JP 9006376A JP 637697 A JP637697 A JP 637697A JP H10209102 A JPH10209102 A JP H10209102A
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- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
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- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B17/00—Methods preventing fouling
- B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の品質の向上を図ることができる基板処
理装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗを中心軸Ｚを中心として回転しな
がら処理液供給管４１より基板Ｗに処理液を供給して所
定の処理を施す基板処理装置１において、遮蔽板３１の
下面である対向面３１ａに中心軸Ｚ近傍から対向面３１
ａの外周に向けて基板Ｗの回転方向に傾斜しながら伸び
る渦状の溝を形成する。これにより、基板Ｗから飛散す
る液滴ＤＲが対向面３１ａの表面の気流から力を受けて
溝に沿って移動し、対向面３１ａの外部へと排出されこ
ととなる。したがって、液滴ＤＲが対向面３１ａに蓄積
されて基板Ｗの表面へ落下し、基板が汚染されるという
問題は生じない。その結果、基板Ｗの品質の向上を図る
ことができる。
理装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗを中心軸Ｚを中心として回転しな
がら処理液供給管４１より基板Ｗに処理液を供給して所
定の処理を施す基板処理装置１において、遮蔽板３１の
下面である対向面３１ａに中心軸Ｚ近傍から対向面３１
ａの外周に向けて基板Ｗの回転方向に傾斜しながら伸び
る渦状の溝を形成する。これにより、基板Ｗから飛散す
る液滴ＤＲが対向面３１ａの表面の気流から力を受けて
溝に沿って移動し、対向面３１ａの外部へと排出されこ
ととなる。したがって、液滴ＤＲが対向面３１ａに蓄積
されて基板Ｗの表面へ落下し、基板が汚染されるという
問題は生じない。その結果、基板Ｗの品質の向上を図る
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板を回転しな
がら処理液を用いる所定の処理を基板に施す基板処理装
置に関する。
がら処理液を用いる所定の処理を基板に施す基板処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来の基板処理装置１０１の一
例を示す縦断面図である。この基板処理装置１０１では
基板Ｗを水平姿勢にて回転台１２１に保持し、回転台１
２１に接続された回転軸１２２を介して鉛直方向を向い
た中心軸Ｚを中心に基板Ｗを回転させるようになってい
る。また、回転させる基板Ｗに処理液供給管１４１やガ
ス供給管１４２から薬液、純水、窒素ガスなどが基板Ｗ
の表面に供給されるようになっている。
例を示す縦断面図である。この基板処理装置１０１では
基板Ｗを水平姿勢にて回転台１２１に保持し、回転台１
２１に接続された回転軸１２２を介して鉛直方向を向い
た中心軸Ｚを中心に基板Ｗを回転させるようになってい
る。また、回転させる基板Ｗに処理液供給管１４１やガ
ス供給管１４２から薬液、純水、窒素ガスなどが基板Ｗ
の表面に供給されるようになっている。
【０００３】また、このような基板処理装置では基板Ｗ
と外部の雰囲気とを隔離するために基板Ｗに対向して遮
断板１３１が設けられており、また、回転台１２１の側
方周囲も容器１５１に覆われるようになっている。
と外部の雰囲気とを隔離するために基板Ｗに対向して遮
断板１３１が設けられており、また、回転台１２１の側
方周囲も容器１５１に覆われるようになっている。
【０００４】以上のような構成により、回転台１２１に
よる基板Ｗの回転中または回転直前に例えば基板Ｗの表
面の酸化膜の除去などを目的として処理液供給管１４１
から薬液が滴下され、その後、基板Ｗを回転しながら純
水を供給して洗浄し、ガス供給管１４２から窒素ガスを
噴出することにより基板Ｗを乾燥するようになってい
る。
よる基板Ｗの回転中または回転直前に例えば基板Ｗの表
面の酸化膜の除去などを目的として処理液供給管１４１
から薬液が滴下され、その後、基板Ｗを回転しながら純
水を供給して洗浄し、ガス供給管１４２から窒素ガスを
噴出することにより基板Ｗを乾燥するようになってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１３は基板Ｗの上面
に対向する遮断板１３１の下面（以下、「対向面」とい
う。）１３１ａを下方より見た図である。遮断板１３１
の対向面１３１ａでは基板Ｗの矢印Rot方向の回転によ
り矢印ＡＲ１に示すように気流が発生する。この気流は
基板Ｗの回転中心である中心軸Ｚを中心とする円周方向
に対して中心側にずれており、中心軸Ｚに向かって渦を
巻くように流れている。また、各位置での気流の方向お
よび大きさを矢印にて示すと矢印ＡＤのようになる。な
お、この気流の縦断面のおおよその流れの様子を図１２
にて矢印ＡＲ２として示す。
に対向する遮断板１３１の下面（以下、「対向面」とい
う。）１３１ａを下方より見た図である。遮断板１３１
の対向面１３１ａでは基板Ｗの矢印Rot方向の回転によ
り矢印ＡＲ１に示すように気流が発生する。この気流は
基板Ｗの回転中心である中心軸Ｚを中心とする円周方向
に対して中心側にずれており、中心軸Ｚに向かって渦を
巻くように流れている。また、各位置での気流の方向お
よび大きさを矢印にて示すと矢印ＡＤのようになる。な
お、この気流の縦断面のおおよその流れの様子を図１２
にて矢印ＡＲ２として示す。
【０００６】このように、対向面１３１ａでは気流が中
心に向かって流れるように発生するので、基板Ｗの表面
に滴下されて基板Ｗから飛散する薬液や純水のうち対向
面１３１ａに付着した液滴ＤＲは図１２に示すように中
心に向かって移動することとなる。ところが液滴ＤＲは
中心に移動するにつれて他の液滴と合体して大きくな
り、重力の作用を受けて基板Ｗの表面に落下することと
なる。その結果、液滴ＤＲに含まれる粉塵や汚染物質が
基板Ｗに付着したり、基板Ｗの処理状態が不均一となる
ことにより、基板Ｗの品質を低下させることとなる。
心に向かって流れるように発生するので、基板Ｗの表面
に滴下されて基板Ｗから飛散する薬液や純水のうち対向
面１３１ａに付着した液滴ＤＲは図１２に示すように中
心に向かって移動することとなる。ところが液滴ＤＲは
中心に移動するにつれて他の液滴と合体して大きくな
り、重力の作用を受けて基板Ｗの表面に落下することと
なる。その結果、液滴ＤＲに含まれる粉塵や汚染物質が
基板Ｗに付着したり、基板Ｗの処理状態が不均一となる
ことにより、基板Ｗの品質を低下させることとなる。
【０００７】そこで、この発明は上記課題に鑑みなされ
たもので、基板の汚染などの原因となる液滴の基板への
落下を防止し、基板の品質の向上を図ることができるを
基板処理装置を提供することを目的とする。
たもので、基板の汚染などの原因となる液滴の基板への
落下を防止し、基板の品質の向上を図ることができるを
基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記基板を
ほぼ水平姿勢に保持する回転台と、鉛直方向を向く中心
軸を中心として前記回転台を回転する回転駆動源と、前
記基板の上方を覆う遮断部材と、前記基板の上面に処理
液を供給する供給手段とを備え、前記遮断部材が、前記
基板の前記上面に対向する対向面を有し、前記中心軸よ
り前記対向面の外周を向く方向に対して前記基板の回転
方向に傾斜して伸びる線状の凹凸パターンが前記対向面
に形成されている。
に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記基板を
ほぼ水平姿勢に保持する回転台と、鉛直方向を向く中心
軸を中心として前記回転台を回転する回転駆動源と、前
記基板の上方を覆う遮断部材と、前記基板の上面に処理
液を供給する供給手段とを備え、前記遮断部材が、前記
基板の前記上面に対向する対向面を有し、前記中心軸よ
り前記対向面の外周を向く方向に対して前記基板の回転
方向に傾斜して伸びる線状の凹凸パターンが前記対向面
に形成されている。
【０００９】請求項２の発明は、請求項１記載の基板処
理装置であって、前記凹凸パターンが、前記中心軸近傍
から前記対向面の前記外周へ向かって伸びる渦状の曲線
に沿って形成されている。
理装置であって、前記凹凸パターンが、前記中心軸近傍
から前記対向面の前記外周へ向かって伸びる渦状の曲線
に沿って形成されている。
【００１０】請求項３の発明は、請求項１記載の基板処
理装置であって、前記凹凸パターンが、前記中心軸近傍
から前記対向面の前記外周へ向かって伸びる複数の直線
に沿って形成されている。
理装置であって、前記凹凸パターンが、前記中心軸近傍
から前記対向面の前記外周へ向かって伸びる複数の直線
に沿って形成されている。
【００１１】請求項４の発明は、請求項１ないし３のい
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記凹凸パター
ンが、前記対向面に溝を形成したパターンである。
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記凹凸パター
ンが、前記対向面に溝を形成したパターンである。
【００１２】請求項５の発明は、請求項１ないし４のい
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記回転台が、
前記基板の外縁部に当接して前記基板を保持するチャッ
クピンを有し、前記対向面のうち前記中心軸を中心とす
る略円環領域が前記チャックピンを逃げるように緩やか
に凹となっている。
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記回転台が、
前記基板の外縁部に当接して前記基板を保持するチャッ
クピンを有し、前記対向面のうち前記中心軸を中心とす
る略円環領域が前記チャックピンを逃げるように緩やか
に凹となっている。
【００１３】請求項６の発明は、請求項１ないし４のい
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記回転台が、
前記基板の外縁部に当接して前記基板を保持するチャッ
クピンを有し、前記対向面が、前記チャックピンを逃げ
るように前記中心軸を中心とする円周に沿って形成され
た溝状の逃部と、前記逃部から前記基板の回転方向に傾
いて前記対向面の外周まで伸びる切欠溝とを有し、前記
凹凸パターンが前記逃部まで形成されている。
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記回転台が、
前記基板の外縁部に当接して前記基板を保持するチャッ
クピンを有し、前記対向面が、前記チャックピンを逃げ
るように前記中心軸を中心とする円周に沿って形成され
た溝状の逃部と、前記逃部から前記基板の回転方向に傾
いて前記対向面の外周まで伸びる切欠溝とを有し、前記
凹凸パターンが前記逃部まで形成されている。
【００１４】
＜１． 第１の実施の形態＞図１はこの発明の第１の実
施の形態である基板処理装置１を示す縦断面図である。
この基板処理装置１は基板Ｗを回転しながら（あるいは
回転する直前）に薬液を基板Ｗに滴下して基板表面に所
定の処理を施し、その後、純水を滴下して洗浄し、さら
に、窒素ガスなどを供給して基板Ｗを乾燥する装置であ
る。
施の形態である基板処理装置１を示す縦断面図である。
この基板処理装置１は基板Ｗを回転しながら（あるいは
回転する直前）に薬液を基板Ｗに滴下して基板表面に所
定の処理を施し、その後、純水を滴下して洗浄し、さら
に、窒素ガスなどを供給して基板Ｗを乾燥する装置であ
る。
【００１５】基板処理装置１は、基板Ｗを載置して回転
する回転部２、処理液供給管４１やガス供給管４２が接
続された遮断板３１、および、遮断板３１とともに回転
部２が設けられる空間を形成する容器５１から構成され
る。
する回転部２、処理液供給管４１やガス供給管４２が接
続された遮断板３１、および、遮断板３１とともに回転
部２が設けられる空間を形成する容器５１から構成され
る。
【００１６】回転部２は基板Ｗを水平姿勢にて保持する
回転台２１と回転台２１に接続された回転軸２２とから
構成されており、回転軸２２が鉛直方向の中心軸Ｚを中
心として図示しない駆動源により回転することにより、
回転台２１上の基板Ｗが回転するようになっている。ま
た、回転台２１は基板Ｗを下方から支持するとともに基
板Ｗの水平方向の位置を規制するチャックピン２１１を
有しており、このチャックピン２１１がチャック支持体
２１２を介して回転軸２２に固定される構造となってい
る。
回転台２１と回転台２１に接続された回転軸２２とから
構成されており、回転軸２２が鉛直方向の中心軸Ｚを中
心として図示しない駆動源により回転することにより、
回転台２１上の基板Ｗが回転するようになっている。ま
た、回転台２１は基板Ｗを下方から支持するとともに基
板Ｗの水平方向の位置を規制するチャックピン２１１を
有しており、このチャックピン２１１がチャック支持体
２１２を介して回転軸２２に固定される構造となってい
る。
【００１７】遮断板３１は基板Ｗ（回転台２１）の上面
に対向して配置され、中央には処理液供給管４１および
ガス供給管４２が接続されている。したがって、処理液
供給管４１から滴下される薬液や純水などの処理液は基
板Ｗのほぼ中央に滴下されることとなり、また、ガス供
給管４２から供給される窒素ガスなどのガスは基板Ｗに
向けて噴出されることとなる。
に対向して配置され、中央には処理液供給管４１および
ガス供給管４２が接続されている。したがって、処理液
供給管４１から滴下される薬液や純水などの処理液は基
板Ｗのほぼ中央に滴下されることとなり、また、ガス供
給管４２から供給される窒素ガスなどのガスは基板Ｗに
向けて噴出されることとなる。
【００１８】容器５１は回転台２１の側方周囲および下
方を包囲するような上部が開口した形状をしており、遮
断板３１がこの開口を塞ぐようにして処理空間が形成さ
れている。そして、基板Ｗに滴下された処理液が回転に
より周囲に飛散しても容器５１の内面に付着して回収さ
れるようになっている。
方を包囲するような上部が開口した形状をしており、遮
断板３１がこの開口を塞ぐようにして処理空間が形成さ
れている。そして、基板Ｗに滴下された処理液が回転に
より周囲に飛散しても容器５１の内面に付着して回収さ
れるようになっている。
【００１９】容器５１の下方には基板Ｗの裏面に向けて
薬液や純水を噴出するノズル５２が設けられており、チ
ャック支持体２１２に設けられた開口（図示省略）を通
り抜けて基板Ｗの裏面に薬液や純水が供給されるように
なっている。
薬液や純水を噴出するノズル５２が設けられており、チ
ャック支持体２１２に設けられた開口（図示省略）を通
り抜けて基板Ｗの裏面に薬液や純水が供給されるように
なっている。
【００２０】図２はこの基板処理装置１における遮断板
３１の下面である対向面３１ａを下方より見た図であ
る。対向面３１ａは図１に示すように基板Ｗの上面に対
向する円形の平面とその周囲の傾斜した面とからなり、
この対向面３１ａにはさらに渦状に複数の溝Ｇ１が形成
されている。図３はこれらの溝Ｇ１のうちの１つについ
て矢印Ａ−Ａに示す方向から見た断面図であり、Ｖ字形
状の溝となっている。
３１の下面である対向面３１ａを下方より見た図であ
る。対向面３１ａは図１に示すように基板Ｗの上面に対
向する円形の平面とその周囲の傾斜した面とからなり、
この対向面３１ａにはさらに渦状に複数の溝Ｇ１が形成
されている。図３はこれらの溝Ｇ１のうちの１つについ
て矢印Ａ−Ａに示す方向から見た断面図であり、Ｖ字形
状の溝となっている。
【００２１】対向面３１ａの表面には図１３を用いて説
明したように基板Ｗの回転により中心に向かって矢印Ａ
Ｒ１に示すように流れる渦状の気流が発生する。したが
って、基板Ｗから飛散して対向面３１ａに付着した液滴
ＤＲもこの気流に沿って移動することとなる。しかし、
対向面３１ａには溝Ｇ１が形成されているため液滴ＤＲ
の移動は溝Ｇ１に沿って移動することとなる。この様子
を図２ないし図４を用いて説明する。なお、以下の説明
では液滴ＤＲの移動に応じて適宜液滴ＤＲにＤＲ(1)、
ＤＲ(2)といった符号を付して説明する。
明したように基板Ｗの回転により中心に向かって矢印Ａ
Ｒ１に示すように流れる渦状の気流が発生する。したが
って、基板Ｗから飛散して対向面３１ａに付着した液滴
ＤＲもこの気流に沿って移動することとなる。しかし、
対向面３１ａには溝Ｇ１が形成されているため液滴ＤＲ
の移動は溝Ｇ１に沿って移動することとなる。この様子
を図２ないし図４を用いて説明する。なお、以下の説明
では液滴ＤＲの移動に応じて適宜液滴ＤＲにＤＲ(1)、
ＤＲ(2)といった符号を付して説明する。
【００２２】図２に示すように対向面３１ａに付着した
液滴ＤＲ(1)は対向面３１ａの表面の気流に従って矢印
Ｍ１１に示すように移動する。すなわち、中心軸Ｚを中
心とする円周方向に対してやや中心よりに移動する。や
がて、液滴ＤＲ(2)は溝Ｇ１に到達し、溝Ｇ１の最も深
い位置に達する。この様子を図３においても示す。すな
わち、液滴ＤＲは矢印Ｍ１４に示すように溝Ｇ１に向か
って移動し、溝Ｇ１の最も深い位置に到達する。
液滴ＤＲ(1)は対向面３１ａの表面の気流に従って矢印
Ｍ１１に示すように移動する。すなわち、中心軸Ｚを中
心とする円周方向に対してやや中心よりに移動する。や
がて、液滴ＤＲ(2)は溝Ｇ１に到達し、溝Ｇ１の最も深
い位置に達する。この様子を図３においても示す。すな
わち、液滴ＤＲは矢印Ｍ１４に示すように溝Ｇ１に向か
って移動し、溝Ｇ１の最も深い位置に到達する。
【００２３】液滴ＤＲが溝Ｇ１に入り込むと、以後液滴
ＤＲは溝Ｇ１の壁面から力を受けることとなり溝Ｇ１が
伸びる方向以外には移動できなくなる。このときの液滴
ＤＲ(3)に作用する力の様子を示したものが図４であ
る。液滴ＤＲ(3)は気流により中心軸Ｚを中心とする円
周方向よりもやや中心よりの力Ｆ１を受けるが、溝Ｇ１
の伸びる方向に垂直な方向に溝Ｇ１の壁面より力Ｆ２を
受け、液滴ＤＲ(3)には気流より受ける力の溝Ｇ１の伸
びる方向の成分Ｆ３のみが作用することとなる。これに
より、一度溝Ｇ１に入り込んだ液滴ＤＲ(3)は以後溝Ｇ
１に沿って移動することとなる。
ＤＲは溝Ｇ１の壁面から力を受けることとなり溝Ｇ１が
伸びる方向以外には移動できなくなる。このときの液滴
ＤＲ(3)に作用する力の様子を示したものが図４であ
る。液滴ＤＲ(3)は気流により中心軸Ｚを中心とする円
周方向よりもやや中心よりの力Ｆ１を受けるが、溝Ｇ１
の伸びる方向に垂直な方向に溝Ｇ１の壁面より力Ｆ２を
受け、液滴ＤＲ(3)には気流より受ける力の溝Ｇ１の伸
びる方向の成分Ｆ３のみが作用することとなる。これに
より、一度溝Ｇ１に入り込んだ液滴ＤＲ(3)は以後溝Ｇ
１に沿って移動することとなる。
【００２４】溝Ｇ１に入り込んだ液滴ＤＲ(3)は図２に
示すように溝Ｇ１に沿って矢印Ｍ１２に示すように遮断
板３１の外縁部へと移動し、やがて矢印Ｍ１３に示すよ
うに遮断板３１外部へと排出されて容器５１にて回収さ
れる（図１参照）。
示すように溝Ｇ１に沿って矢印Ｍ１２に示すように遮断
板３１の外縁部へと移動し、やがて矢印Ｍ１３に示すよ
うに遮断板３１外部へと排出されて容器５１にて回収さ
れる（図１参照）。
【００２５】なお、このように液滴ＤＲを溝Ｇ１に沿っ
て移動させ、遮断板３１外部へと排出させるには、図４
に示すように液滴ＤＲ(3)が気流から受ける力Ｆ１の溝
Ｇ１に沿った方向の成分Ｆ３が、溝Ｇ１の遮断板３１外
部へ向かって伸びる方向を向いている必要がある。この
ような条件を満たすように溝Ｇ１を形成すると図２に示
すように渦状の溝Ｇ１となる。もちろん、遮断板３１の
対向面３１ａにて発生する気流の向きは基板Ｗの回転速
度や基板Ｗと遮断板３１との距離などにより変化するも
のであり、図２は渦状の溝の一例を示したに過ぎない。
て移動させ、遮断板３１外部へと排出させるには、図４
に示すように液滴ＤＲ(3)が気流から受ける力Ｆ１の溝
Ｇ１に沿った方向の成分Ｆ３が、溝Ｇ１の遮断板３１外
部へ向かって伸びる方向を向いている必要がある。この
ような条件を満たすように溝Ｇ１を形成すると図２に示
すように渦状の溝Ｇ１となる。もちろん、遮断板３１の
対向面３１ａにて発生する気流の向きは基板Ｗの回転速
度や基板Ｗと遮断板３１との距離などにより変化するも
のであり、図２は渦状の溝の一例を示したに過ぎない。
【００２６】以上説明してきたように、この基板処理装
置１では、遮断板３１に渦状の溝Ｇ１を設けることによ
り、液滴ＤＲが基板Ｗの回転中心である中心軸Ｚ方向へ
と移動せずに、逆に、溝Ｇ１に沿って中心軸Ｚから遠ざ
かって遮断板３１外部へと排出されるので、液滴ＤＲが
基板Ｗ表面に落下することはない。その結果、基板Ｗの
品質の向上を図ることができる。
置１では、遮断板３１に渦状の溝Ｇ１を設けることによ
り、液滴ＤＲが基板Ｗの回転中心である中心軸Ｚ方向へ
と移動せずに、逆に、溝Ｇ１に沿って中心軸Ｚから遠ざ
かって遮断板３１外部へと排出されるので、液滴ＤＲが
基板Ｗ表面に落下することはない。その結果、基板Ｗの
品質の向上を図ることができる。
【００２７】本実施の形態のように、基板Ｗを回転させ
ながら薬液または純水を滴下するとき、ガス供給管４２
からは窒素ガスなどのガスを供給していない場合、基板
Ｗの中央付近にはガスの供給が無いので遮断板３１の周
辺から中央に向かう気流が強くなり、液滴ＤＲが大きく
なりやすい。よって、このような場合には本発明は特に
効果を発揮する。
ながら薬液または純水を滴下するとき、ガス供給管４２
からは窒素ガスなどのガスを供給していない場合、基板
Ｗの中央付近にはガスの供給が無いので遮断板３１の周
辺から中央に向かう気流が強くなり、液滴ＤＲが大きく
なりやすい。よって、このような場合には本発明は特に
効果を発揮する。
【００２８】なお、基板Ｗを回転させながら薬液または
純水を滴下するときにもガス供給管４２からは窒素ガス
などのガスを供給してやれば液滴ＤＲが大きくなること
を防止することができ、さらに、遮断板３１に付着した
液滴ＤＲを乾燥させるので液滴ＤＲが基板上に落下する
ことを防止することができる。
純水を滴下するときにもガス供給管４２からは窒素ガス
などのガスを供給してやれば液滴ＤＲが大きくなること
を防止することができ、さらに、遮断板３１に付着した
液滴ＤＲを乾燥させるので液滴ＤＲが基板上に落下する
ことを防止することができる。
【００２９】＜２． 第２の実施の形態＞図５はこの発
明の第２の実施の形態である基板処理装置１ａを示す縦
断面図である。この基板処理装置１ａの処理内容は第１
の実施の形態と同様、回転台２１により回転する基板Ｗ
に薬液や純水や窒素ガスを供給して所定の処理を施すも
のである。
明の第２の実施の形態である基板処理装置１ａを示す縦
断面図である。この基板処理装置１ａの処理内容は第１
の実施の形態と同様、回転台２１により回転する基板Ｗ
に薬液や純水や窒素ガスを供給して所定の処理を施すも
のである。
【００３０】この基板処理装置１ａは遮断板３２と容器
５３とが分離した形態のものであり、これらの形状は第
１の実施の形態と異なったものとなっているが同様の機
能を果たすものである。ただし、遮断板３２の対向面３
２ａに形成された溝の形状は第１の実施の形態と異なっ
た形状となっている。なお、これらの構成要素以外は第
１の実施の形態とほぼ同じ形状であり同じ符号を付して
いる。
５３とが分離した形態のものであり、これらの形状は第
１の実施の形態と異なったものとなっているが同様の機
能を果たすものである。ただし、遮断板３２の対向面３
２ａに形成された溝の形状は第１の実施の形態と異なっ
た形状となっている。なお、これらの構成要素以外は第
１の実施の形態とほぼ同じ形状であり同じ符号を付して
いる。
【００３１】図６は遮断板３２の対向面３２ａを下方よ
り見た図である。図示するように対向面３２ａには複数
の直線状の溝Ｇ２が設けられており、これらの溝Ｇ２の
それぞれは中心軸Ｚから外周を向く方向（半径方向）か
ら基板Ｗの回転方向Rotへ傾いて形成されている。さら
に、これらの溝Ｇ２は遮断板３２の外周につながる溝Ｇ
２ｂと溝Ｇ２ｂよりも内側に形成された溝Ｇ２ａとに分
かれている。
り見た図である。図示するように対向面３２ａには複数
の直線状の溝Ｇ２が設けられており、これらの溝Ｇ２の
それぞれは中心軸Ｚから外周を向く方向（半径方向）か
ら基板Ｗの回転方向Rotへ傾いて形成されている。さら
に、これらの溝Ｇ２は遮断板３２の外周につながる溝Ｇ
２ｂと溝Ｇ２ｂよりも内側に形成された溝Ｇ２ａとに分
かれている。
【００３２】次に、この基板処理装置１ａにおける液滴
ＤＲの移動の様子を図５および図６を用いて説明する。
ＤＲの移動の様子を図５および図６を用いて説明する。
【００３３】まず、図６に示すように遮断板３２の対向
面３２ａに付着した液滴ＤＲは第１の実施の形態と同
様、やや中心軸Ｚの方向に傾いて矢印Ｍ２１に示すよう
に気流から力を受けて移動し、溝Ｇ２ａに入り込む。そ
の後、溝Ｇ２ａに沿って矢印Ｍ２２に示すように移動す
るが、溝Ｇ２ａは遮断板３２の外周までつながっておら
ず、溝Ｇ２ａの端部から再び対向面３２ａにはい上が
る。
面３２ａに付着した液滴ＤＲは第１の実施の形態と同
様、やや中心軸Ｚの方向に傾いて矢印Ｍ２１に示すよう
に気流から力を受けて移動し、溝Ｇ２ａに入り込む。そ
の後、溝Ｇ２ａに沿って矢印Ｍ２２に示すように移動す
るが、溝Ｇ２ａは遮断板３２の外周までつながっておら
ず、溝Ｇ２ａの端部から再び対向面３２ａにはい上が
る。
【００３４】次に、対向面３２ａにはい上がった液滴Ｄ
Ｒは気流からの力を受けて矢印Ｍ２３に示すように移動
するが今度は溝Ｇ２ｂに入り込むこととなる。その後、
矢印Ｍ２４に示すように溝Ｇ２ｂに沿って移動して遮断
板３２外部へと排出される。
Ｒは気流からの力を受けて矢印Ｍ２３に示すように移動
するが今度は溝Ｇ２ｂに入り込むこととなる。その後、
矢印Ｍ２４に示すように溝Ｇ２ｂに沿って移動して遮断
板３２外部へと排出される。
【００３５】ここで、遮断板３２の対向面３２ａは図５
に示すように基板Ｗよりも大きい形状をしており、遮断
板３２から排出された液滴ＤＲは基板Ｗには落下せずに
容器５３へと落下して排出されることとなる。なお、こ
の実施の形態では遮断板３２の中心近傍には溝Ｇ２を形
成していないが、基板Ｗから飛散する液滴は対向面３２
ａの外縁部に付着するので溝Ｇ２をこのように形成して
も問題は生じない。
に示すように基板Ｗよりも大きい形状をしており、遮断
板３２から排出された液滴ＤＲは基板Ｗには落下せずに
容器５３へと落下して排出されることとなる。なお、こ
の実施の形態では遮断板３２の中心近傍には溝Ｇ２を形
成していないが、基板Ｗから飛散する液滴は対向面３２
ａの外縁部に付着するので溝Ｇ２をこのように形成して
も問題は生じない。
【００３６】以上説明してきたように、この基板処理装
置１ａでは遮断板３２の対向面３２ａには複数の直線状
の溝Ｇ２が形成されているので、液滴ＤＲを基板Ｗ表面
に落下させることなく排出することができる。これによ
り、基板Ｗの品質の向上を図ることができる。
置１ａでは遮断板３２の対向面３２ａには複数の直線状
の溝Ｇ２が形成されているので、液滴ＤＲを基板Ｗ表面
に落下させることなく排出することができる。これによ
り、基板Ｗの品質の向上を図ることができる。
【００３７】さらに、この実施の形態では渦状の溝Ｇ１
を有する第１の実施の形態と異なり、溝Ｇ２の形状が直
線状であるので、溝Ｇ２を容易に形成することができる
という利点を有している。
を有する第１の実施の形態と異なり、溝Ｇ２の形状が直
線状であるので、溝Ｇ２を容易に形成することができる
という利点を有している。
【００３８】＜３． 第３の実施の形態＞図７はこの発
明の第３の実施の形態である基板処理装置１ｂを示す縦
断面図である。この基板処理装置１ｂと第１の実施の形
態との違いは、遮断板３３の対向面３３ａに略円環領域
のなめらかな凹部であるチャック逃部Ｒ１が形成されて
いる点のみである。すなわち、遮断板３３の対向面３３
ａには渦状の溝Ｇ１が形成されており、他の構成要素は
同様であって同じ符号を付している。なお、渦状の溝Ｇ
１はチャック逃部Ｒ１においても形成されており、遮断
板３３の中心近傍から遮断板３３と容器５１との境界ま
で連続した溝となっている。
明の第３の実施の形態である基板処理装置１ｂを示す縦
断面図である。この基板処理装置１ｂと第１の実施の形
態との違いは、遮断板３３の対向面３３ａに略円環領域
のなめらかな凹部であるチャック逃部Ｒ１が形成されて
いる点のみである。すなわち、遮断板３３の対向面３３
ａには渦状の溝Ｇ１が形成されており、他の構成要素は
同様であって同じ符号を付している。なお、渦状の溝Ｇ
１はチャック逃部Ｒ１においても形成されており、遮断
板３３の中心近傍から遮断板３３と容器５１との境界ま
で連続した溝となっている。
【００３９】この基板処理装置１ｂでは、第１の実施の
形態と同様、液滴ＤＲが遮断板３３の外縁部に向けて矢
印Ｍ３１に示すように溝Ｇ１に沿って移動するが、やが
て液滴ＤＲはチャック逃部Ｒ１に到達することとなる。
しかし、チャック逃部Ｒ１はなめらかな凹形状をしてお
り、また、溝Ｇ１はチャック逃部Ｒ１を横断するように
遮断板３３と容器５１との境界まで形成されているの
で、液滴ＤＲは落下したりすることなくチャック逃部Ｒ
１を横断して矢印Ｍ３２に示すように容器５１へと排出
されることとなる。なお、チャック逃部Ｒ１近傍におけ
る気流の方向によってはチャック逃部Ｒ１を横断するよ
うに溝Ｇ１を形成する必要はなく、このような場合は溝
Ｇ１を遮断板３３と容器５１との境界まで形成しなくて
もよい。
形態と同様、液滴ＤＲが遮断板３３の外縁部に向けて矢
印Ｍ３１に示すように溝Ｇ１に沿って移動するが、やが
て液滴ＤＲはチャック逃部Ｒ１に到達することとなる。
しかし、チャック逃部Ｒ１はなめらかな凹形状をしてお
り、また、溝Ｇ１はチャック逃部Ｒ１を横断するように
遮断板３３と容器５１との境界まで形成されているの
で、液滴ＤＲは落下したりすることなくチャック逃部Ｒ
１を横断して矢印Ｍ３２に示すように容器５１へと排出
されることとなる。なお、チャック逃部Ｒ１近傍におけ
る気流の方向によってはチャック逃部Ｒ１を横断するよ
うに溝Ｇ１を形成する必要はなく、このような場合は溝
Ｇ１を遮断板３３と容器５１との境界まで形成しなくて
もよい。
【００４０】このように遮断板３３の対向面３３ａに略
円環領域のなめらかな凹部であるチャック逃部Ｒ１を設
けることにより、この基板処理装置１ｂでは対向面３３
ａとチャックピン２１１とを干渉させることなく基板Ｗ
と対向面３３ａとを近づけることができる。これによ
り、基板Ｗの上方の空間が小さくなり基板Ｗ上方へ侵入
するパーティクルなどを減少させることができる。その
結果、液滴ＤＲの排出とパーティクルなどの侵入の防止
とを同時に実現し、基板Ｗの品質の向上をさらに図るこ
とができる。
円環領域のなめらかな凹部であるチャック逃部Ｒ１を設
けることにより、この基板処理装置１ｂでは対向面３３
ａとチャックピン２１１とを干渉させることなく基板Ｗ
と対向面３３ａとを近づけることができる。これによ
り、基板Ｗの上方の空間が小さくなり基板Ｗ上方へ侵入
するパーティクルなどを減少させることができる。その
結果、液滴ＤＲの排出とパーティクルなどの侵入の防止
とを同時に実現し、基板Ｗの品質の向上をさらに図るこ
とができる。
【００４１】＜４． 第４の実施の形態＞図８はこの発
明の第４の実施の形態である基板処理装置の遮断板３４
の対向面３４ａを下方より見た図である。なお、他の構
成要素は第１の実施の形態と同様である。
明の第４の実施の形態である基板処理装置の遮断板３４
の対向面３４ａを下方より見た図である。なお、他の構
成要素は第１の実施の形態と同様である。
【００４２】この基板処理装置の対向面３４ａには第１
の実施の形態と同様に渦状の溝Ｇ３が形成されている。
また、対向面３４ａの外縁部にはチャック逃部Ｒ２が略
円環領域の溝として形成されており、溝Ｇ３はチャック
逃部Ｒ２まで形成されている。図９はこのチャック逃部
Ｒ２をＢ−Ｂ方向から見た断面図であり、チャックピン
２１１との位置関係を示す図である。また、図８に示す
ように対向面３４ａには４箇所に切欠溝Ｓが設けられて
おり、この切欠溝ＳをＣ−Ｃ方向から見た断面図が図１
０である。図示するように切欠溝Ｓは断面が矩形の溝と
なっている。また、切欠溝Ｓは図８に示すようにチャッ
ク逃部Ｒ２から基板Ｗの回転方向Rotを向いて直線状に
遮断板３４外部へと伸びている。なお、切欠溝Ｓとチャ
ック逃部Ｒ２とはほぼ同じ深さとなっている。
の実施の形態と同様に渦状の溝Ｇ３が形成されている。
また、対向面３４ａの外縁部にはチャック逃部Ｒ２が略
円環領域の溝として形成されており、溝Ｇ３はチャック
逃部Ｒ２まで形成されている。図９はこのチャック逃部
Ｒ２をＢ−Ｂ方向から見た断面図であり、チャックピン
２１１との位置関係を示す図である。また、図８に示す
ように対向面３４ａには４箇所に切欠溝Ｓが設けられて
おり、この切欠溝ＳをＣ−Ｃ方向から見た断面図が図１
０である。図示するように切欠溝Ｓは断面が矩形の溝と
なっている。また、切欠溝Ｓは図８に示すようにチャッ
ク逃部Ｒ２から基板Ｗの回転方向Rotを向いて直線状に
遮断板３４外部へと伸びている。なお、切欠溝Ｓとチャ
ック逃部Ｒ２とはほぼ同じ深さとなっている。
【００４３】このような形状の対向面３４ａを有する遮
断板３４を設けることにより、この基板処理装置では液
滴ＤＲが次のようにして排出される。
断板３４を設けることにより、この基板処理装置では液
滴ＤＲが次のようにして排出される。
【００４４】まず、遮断板３４の対向面３４ａに付着し
た液滴ＤＲは基板Ｗの回転による気流から力を受けて図
８に示す矢印Ｍ４１のように溝Ｇ３に向かって移動す
る。溝Ｇ３に入り込んだ液滴ＤＲは第１の実施の形態と
同様に溝Ｇ３に沿って矢印Ｍ４２に示すように移動し、
やがて、チャック逃部Ｒ２の最も深い位置に到達する。
なお、この様子を図９においても示す。また、図９に示
すように基板Ｗの回転中心側のチャック逃部Ｒ２の傾斜
面Ｒ２ａは十分にゆるやかな傾斜となっており、液滴Ｄ
Ｒがチャック逃部Ｒ２に入り込む際に対向面３４ａから
脱落しないようになっている。なお、チャック逃部Ｒ２
の深さが溝Ｇ３の深さより深い場合は、この傾斜面Ｒ２
ａまで溝Ｇ３を形成するようにしてもよい。
た液滴ＤＲは基板Ｗの回転による気流から力を受けて図
８に示す矢印Ｍ４１のように溝Ｇ３に向かって移動す
る。溝Ｇ３に入り込んだ液滴ＤＲは第１の実施の形態と
同様に溝Ｇ３に沿って矢印Ｍ４２に示すように移動し、
やがて、チャック逃部Ｒ２の最も深い位置に到達する。
なお、この様子を図９においても示す。また、図９に示
すように基板Ｗの回転中心側のチャック逃部Ｒ２の傾斜
面Ｒ２ａは十分にゆるやかな傾斜となっており、液滴Ｄ
Ｒがチャック逃部Ｒ２に入り込む際に対向面３４ａから
脱落しないようになっている。なお、チャック逃部Ｒ２
の深さが溝Ｇ３の深さより深い場合は、この傾斜面Ｒ２
ａまで溝Ｇ３を形成するようにしてもよい。
【００４５】チャック逃部Ｒ２に入り込んだ液滴ＤＲは
溝Ｇ３における液滴ＤＲの移動と同様の原理によりチャ
ック逃部Ｒ２に沿って図８の矢印Ｍ４３に示すように移
動し、切欠溝Ｓに到達する。そして、切欠溝Ｓに沿って
さらに矢印Ｍ４４に示すように遮断板３４の外部へと移
動して排出される。
溝Ｇ３における液滴ＤＲの移動と同様の原理によりチャ
ック逃部Ｒ２に沿って図８の矢印Ｍ４３に示すように移
動し、切欠溝Ｓに到達する。そして、切欠溝Ｓに沿って
さらに矢印Ｍ４４に示すように遮断板３４の外部へと移
動して排出される。
【００４６】以上のように、各溝Ｇ３に沿って移動する
液滴ＤＲは全てチャック逃部Ｒ２に一旦集められて切欠
溝Ｓから排出されるので、液滴ＤＲは他の液滴と合体し
て大きな液滴あるいは流れとなって切欠溝Ｓから滑らか
に排出されることとなる。これにより、液滴ＤＲの排出
が確実に行われ、基板Ｗの品質の向上を図ることができ
る。
液滴ＤＲは全てチャック逃部Ｒ２に一旦集められて切欠
溝Ｓから排出されるので、液滴ＤＲは他の液滴と合体し
て大きな液滴あるいは流れとなって切欠溝Ｓから滑らか
に排出されることとなる。これにより、液滴ＤＲの排出
が確実に行われ、基板Ｗの品質の向上を図ることができ
る。
【００４７】また、この基板処理装置では第３の実施の
形態と同様、チャック逃部Ｒ２を設けているので、基板
Ｗの上方の空間を小さく抑えることができ、パーティク
ルなどの侵入を防いでさらに基板Ｗの品質の向上を図る
ことができる。
形態と同様、チャック逃部Ｒ２を設けているので、基板
Ｗの上方の空間を小さく抑えることができ、パーティク
ルなどの侵入を防いでさらに基板Ｗの品質の向上を図る
ことができる。
【００４８】＜５． 変形例＞以上、この発明の実施の
形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形
態に限定されるものではない。
形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形
態に限定されるものではない。
【００４９】例えば、遮断板の下面である対向面に形成
される溝の数は上記実施の形態に示した数に限定される
ものではなく、さらに多くてもよいし、少なくてもよ
い。
される溝の数は上記実施の形態に示した数に限定される
ものではなく、さらに多くてもよいし、少なくてもよ
い。
【００５０】また、第２の実施の形態では溝Ｇ２として
２種類の溝Ｇ２ａと溝Ｇ２ｂとを形成しているが、対向
面３２ａの中心付近は液滴ＤＲがほとんど付着しないの
で溝Ｇ２ｂのみであってもよい。また、溝Ｇ２ａと溝Ｇ
２ｂとが連続した折線状の溝であってもよい。
２種類の溝Ｇ２ａと溝Ｇ２ｂとを形成しているが、対向
面３２ａの中心付近は液滴ＤＲがほとんど付着しないの
で溝Ｇ２ｂのみであってもよい。また、溝Ｇ２ａと溝Ｇ
２ｂとが連続した折線状の溝であってもよい。
【００５１】さらに、上記実施の形態では、遮断板の対
向面にＶ字状の溝を形成しているが、Ｖ字状ではなく図
１１(a)に示すようにＵ字状であってもよいし、図１１
(b)、(c)に示すように溝の片方の縁（基板Ｗの回転中心
側の縁）に突起Ｐを設けたり、溝の片方の側面（基板Ｗ
の回転中心側の側面）を極端な凹形状の面Ｃとしてもよ
い。また、図１１(d)に示すような断面が鋸の歯のよう
な凸形状などであってもよい。これらの凹凸パターンは
いずれも液滴が基板の回転による気流の力を受けて移動
する際に障壁となるものであり、液滴をこれらの凹凸パ
ターンから脱することなく遮断板の外部へと導く形状で
あればどのような形状であってもよい。
向面にＶ字状の溝を形成しているが、Ｖ字状ではなく図
１１(a)に示すようにＵ字状であってもよいし、図１１
(b)、(c)に示すように溝の片方の縁（基板Ｗの回転中心
側の縁）に突起Ｐを設けたり、溝の片方の側面（基板Ｗ
の回転中心側の側面）を極端な凹形状の面Ｃとしてもよ
い。また、図１１(d)に示すような断面が鋸の歯のよう
な凸形状などであってもよい。これらの凹凸パターンは
いずれも液滴が基板の回転による気流の力を受けて移動
する際に障壁となるものであり、液滴をこれらの凹凸パ
ターンから脱することなく遮断板の外部へと導く形状で
あればどのような形状であってもよい。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明では、回転する基板の上面に対向する対向面に、基板
の回転の中心軸より対向面の外周を向く方向に対して基
板の回転方向に傾斜した線状の凹凸パターンを形成して
いるので、基板に吐出された処理液が飛散して液滴とな
って付着しても、対向面の表面の気流を利用して液滴を
対向面外部へと排出することができる。これにより、液
滴の基板への落下を防止することができ、基板の品質の
向上を図ることができる。
明では、回転する基板の上面に対向する対向面に、基板
の回転の中心軸より対向面の外周を向く方向に対して基
板の回転方向に傾斜した線状の凹凸パターンを形成して
いるので、基板に吐出された処理液が飛散して液滴とな
って付着しても、対向面の表面の気流を利用して液滴を
対向面外部へと排出することができる。これにより、液
滴の基板への落下を防止することができ、基板の品質の
向上を図ることができる。
【００５３】請求項２記載の発明では、対向面に渦状の
曲線に沿って凹凸パターンを形成しているので、請求項
１記載の発明と同様、液滴の基板への落下を防止して基
板の品質の向上を図ることができる。
曲線に沿って凹凸パターンを形成しているので、請求項
１記載の発明と同様、液滴の基板への落下を防止して基
板の品質の向上を図ることができる。
【００５４】請求項３記載の発明では、対向面に複数の
直線に沿って凹凸パターンを形成しているので、請求項
１記載の発明と同様、液滴の基板への落下を防止して基
板の品質の向上を図ることができる。また、凹凸パター
ンが直線状であるため、容易に形成することができる。
直線に沿って凹凸パターンを形成しているので、請求項
１記載の発明と同様、液滴の基板への落下を防止して基
板の品質の向上を図ることができる。また、凹凸パター
ンが直線状であるため、容易に形成することができる。
【００５５】請求項４記載の発明では、対向面に凹凸パ
ターンとして溝を形成しているので、請求項１記載の発
明と同様、液滴の基板への落下を防止して基板の品質の
向上を図ることができる。また、凹凸パターンが溝によ
り形成されているので、容易に形成することができる。
ターンとして溝を形成しているので、請求項１記載の発
明と同様、液滴の基板への落下を防止して基板の品質の
向上を図ることができる。また、凹凸パターンが溝によ
り形成されているので、容易に形成することができる。
【００５６】請求項５記載の発明では、対向面のうち基
板の回転の中心軸を中心とする略円環領域がチャックピ
ンを逃げるように緩やかに凹となっているので、基板と
対向面とを近づけることができ、基板上方へ侵入するパ
ーティクルなどを減少させることができる。これによ
り、さらに基板の品質の向上を図ることができる。
板の回転の中心軸を中心とする略円環領域がチャックピ
ンを逃げるように緩やかに凹となっているので、基板と
対向面とを近づけることができ、基板上方へ侵入するパ
ーティクルなどを減少させることができる。これによ
り、さらに基板の品質の向上を図ることができる。
【００５７】請求項６記載の発明では、チャックピンを
逃げるように形成された逃部と、逃部から対向面外部へ
伸びる切欠溝とを対向面が有しているので、一旦逃部に
集められた液滴が確実に切欠溝から排出されることとな
る。これにより、液滴の確実な排出と基板上方へ侵入す
るパーティクルなどの削減とを同時に実現し、基板の品
質の向上を図ることができる。
逃げるように形成された逃部と、逃部から対向面外部へ
伸びる切欠溝とを対向面が有しているので、一旦逃部に
集められた液滴が確実に切欠溝から排出されることとな
る。これにより、液滴の確実な排出と基板上方へ侵入す
るパーティクルなどの削減とを同時に実現し、基板の品
質の向上を図ることができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態である基板処理装
置の縦断面図である。
置の縦断面図である。
【図２】遮断板の対向面を示す図である。
【図３】対向面に形成された溝を示す断面図である。
【図４】液滴の移動の原理を示す図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態である基板処理装
置の縦断面図である。
置の縦断面図である。
【図６】遮断板の対向面を示す図である。
【図７】この発明の第３の実施の形態である基板処理装
置の縦断面図である。
置の縦断面図である。
【図８】遮断板の対向面を示す図である。
【図９】チャック逃部を示す断面図である。
【図１０】切欠溝を示す断面図である。
【図１１】様々な凹凸パターンを示す断面図である。
【図１２】従来の基板処理装置を示す縦断面図である。
【図１３】遮断板の対向面の表面における気流の様子を
示す図である。
示す図である。
１、１ａ、１ｂ 基板処理装置 ２１ 回転台 ２２ 回転軸 ３１、３２、３３、３４ 遮断板 ３１ａ、３２ａ、３３ａ、３４ａ 対向面 ４１ 処理液供給管 Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３ 溝 Ｒ１、Ｒ２ チャック逃部 Ｓ 切欠溝 Ｗ 基板Ｗ Ｚ 中心軸
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に所定の処理を施す基板処理装置で
あって、 前記基板をほぼ水平姿勢に保持する回転台と、 鉛直方向を向く中心軸を中心として前記回転台を回転す
る回転駆動源と、 前記基板の上方を覆う遮断部材と、 前記基板の上面に処理液を供給する供給手段と、を備
え、 前記遮断部材が、前記基板の前記上面に対向する対向面
を有し、 前記中心軸より前記対向面の外周を向く方向に対して前
記基板の回転方向に傾斜して伸びる線状の凹凸パターン
が前記対向面に形成されていることを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置であって、 前記凹凸パターンが、前記中心軸近傍から前記対向面の
前記外周へ向かって伸びる渦状の曲線に沿って形成され
ていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の基板処理装置であって、 前記凹凸パターンが、前記中心軸近傍から前記対向面の
前記外周へ向かって伸びる複数の直線に沿って形成され
ていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
板処理装置であって、 前記凹凸パターンが、前記対向面に溝を形成したパター
ンであることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の基
板処理装置であって、 前記回転台が、 前記基板の外縁部に当接して前記基板を保持するチャッ
クピン、を有し、 前記対向面のうち前記中心軸を中心とする略円環領域が
前記チャックピンを逃げるように緩やかに凹となってい
ることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし４のいずれかに記載の基
板処理装置であって、 前記回転台が、 前記基板の外縁部に当接して前記基板を保持するチャッ
クピン、を有し、 前記対向面が、 前記チャックピンを逃げるように前記中心軸を中心とす
る円周に沿って形成された溝状の逃部と、 前記逃部から前記基板の回転方向に傾いて前記対向面の
外周まで伸びる切欠溝と、を有し、 前記凹凸パターンが前記逃部まで形成されていることを
特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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