JPH10209133A - プラズマ灰化装置およびプラズマ灰化方法 - Google Patents
プラズマ灰化装置およびプラズマ灰化方法Info
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- JPH10209133A JPH10209133A JP9013029A JP1302997A JPH10209133A JP H10209133 A JPH10209133 A JP H10209133A JP 9013029 A JP9013029 A JP 9013029A JP 1302997 A JP1302997 A JP 1302997A JP H10209133 A JPH10209133 A JP H10209133A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板の側壁部に付着したフォトレジス
トを能率よく灰化除去する装置および方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板５を加熱機構である熱板９に
より加熱し、酸素ラジカル発生機構からの酸素ラジカル
１７のダウンフローによりフォトレジストをエッチング
するプラズマ灰化において、半導体基板５よりも小さい
支持台である石英ピン１６に配置し、加熱機構である熱
板９より空間的に離すことにより、半導体基板側面のフ
ォトレジスト２２をエッチングする。
トを能率よく灰化除去する装置および方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板５を加熱機構である熱板９に
より加熱し、酸素ラジカル発生機構からの酸素ラジカル
１７のダウンフローによりフォトレジストをエッチング
するプラズマ灰化において、半導体基板５よりも小さい
支持台である石英ピン１６に配置し、加熱機構である熱
板９より空間的に離すことにより、半導体基板側面のフ
ォトレジスト２２をエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
工程などで使用するプラズマ灰化装置およびプラズマ灰
化方法に関する。
工程などで使用するプラズマ灰化装置およびプラズマ灰
化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓ電力ＦＥＴの製造工程で
使用するフォトレジストの除去作業には、図６（ａ）に
概略断面図で示すようなダウンフロー型レジスト灰化装
置が広く使われている。この装置は、基板搬送室１０
１、反応室１０７、プラズマ発生室１１２の三つの主要
部分から構成されている。
使用するフォトレジストの除去作業には、図６（ａ）に
概略断面図で示すようなダウンフロー型レジスト灰化装
置が広く使われている。この装置は、基板搬送室１０
１、反応室１０７、プラズマ発生室１１２の三つの主要
部分から構成されている。
【０００３】図６（ｂ）は図６（ａ）の基板搬送室１０
１の一部の拡大図である。図６（ｂ）に示すように、符
号１０１は基板搬送室で、基板搬送室１０１内部にエレ
ベータ１０２が設けられている。エレベータ１０２には
カセット１０３が載置されている。また、カセット１０
３には、それぞれの表面にフォトレジスト１０４が塗布
された複数の半導体基板１０５が収納されている。ま
た、エレベータ１０２の近くに半導体基板１０５を搬送
する搬送アーム１０６が設けられている。
１の一部の拡大図である。図６（ｂ）に示すように、符
号１０１は基板搬送室で、基板搬送室１０１内部にエレ
ベータ１０２が設けられている。エレベータ１０２には
カセット１０３が載置されている。また、カセット１０
３には、それぞれの表面にフォトレジスト１０４が塗布
された複数の半導体基板１０５が収納されている。ま
た、エレベータ１０２の近くに半導体基板１０５を搬送
する搬送アーム１０６が設けられている。
【０００４】また、基板搬送室１０１に隣接して反応室
１０７が設けられている。そして、反応室１０７の上方
には、半導体基板１０５表面に塗布されたフォトレジス
ト１０４を除去する酸素ラジカルや窒素ラジカルを送り
込む供給口１０８が設けられ、下方には半導体基板１０
５を加熱する加熱機構である熱板１０９が設けられてい
る。そして、基板搬送室１０１と反応室１０７はドライ
ポンプ１１０に接続されており、ドライポンプ１１０の
働きで基板搬送室１０１と反応室１０７は１００Ｐａ程
度までの高真空に設定される。
１０７が設けられている。そして、反応室１０７の上方
には、半導体基板１０５表面に塗布されたフォトレジス
ト１０４を除去する酸素ラジカルや窒素ラジカルを送り
込む供給口１０８が設けられ、下方には半導体基板１０
５を加熱する加熱機構である熱板１０９が設けられてい
る。そして、基板搬送室１０１と反応室１０７はドライ
ポンプ１１０に接続されており、ドライポンプ１１０の
働きで基板搬送室１０１と反応室１０７は１００Ｐａ程
度までの高真空に設定される。
【０００５】また、反応室１０７は、パイプ１１１を通
してプラズマ発生室１１２に連結されており、プラズマ
発生室１１２には酸素ボンベ１１３と窒素ボンベ１１４
が接続されている。また、プラズマ発生室１１２には高
周波発生装置１１５から高周波が供給されるようになっ
ている。
してプラズマ発生室１１２に連結されており、プラズマ
発生室１１２には酸素ボンベ１１３と窒素ボンベ１１４
が接続されている。また、プラズマ発生室１１２には高
周波発生装置１１５から高周波が供給されるようになっ
ている。
【０００６】上記した構成において、カセット１０３に
収納された１つの半導体基板１０５が搬送アーム１０６
によって反応室１０７に移される。そして、反応室１０
７に移された半導体基板１０５は、図７（ｂ）で示すよ
うに熱板１０９の孔１２１から延びてきた石英ピン１１
６で支持される。その後、石英ピン１１６は下がり、図
８に示すように半導体基板１０５は熱板１０９上に配置
される。熱板１０９は２５０℃程度に加熱されており、
これによって半導体基板１０５も加熱される。このと
き、プラズマ発生室１１２（図７（ａ））には、酸素ボ
ンベ１１３と窒素ボンベ１１４から酸素ガスと窒素ガス
が供給される。図９に示すように、プラズマ発生室１１
２に一例として酸素ガスを２００ｃｃ／ｍｉｎ、窒素ガ
スを１０ｃｃ／ｍｉｎ流し、高周波発生装置１１５から
２．４５ＧＨｚの高周波を印加する。
収納された１つの半導体基板１０５が搬送アーム１０６
によって反応室１０７に移される。そして、反応室１０
７に移された半導体基板１０５は、図７（ｂ）で示すよ
うに熱板１０９の孔１２１から延びてきた石英ピン１１
６で支持される。その後、石英ピン１１６は下がり、図
８に示すように半導体基板１０５は熱板１０９上に配置
される。熱板１０９は２５０℃程度に加熱されており、
これによって半導体基板１０５も加熱される。このと
き、プラズマ発生室１１２（図７（ａ））には、酸素ボ
ンベ１１３と窒素ボンベ１１４から酸素ガスと窒素ガス
が供給される。図９に示すように、プラズマ発生室１１
２に一例として酸素ガスを２００ｃｃ／ｍｉｎ、窒素ガ
スを１０ｃｃ／ｍｉｎ流し、高周波発生装置１１５から
２．４５ＧＨｚの高周波を印加する。
【０００７】そして、これら酸素ガスや窒素ガスは、高
周波発生装置１１５から供給される高周波によって酸素
ラジカル１１７や窒素ラジカル１１８となり、パイプ１
１１を通り供給口１０８から反応室１０７に送り込まれ
る。反応室１０７に送り込まれた酸素ラジカル１１７や
窒素ラジカル１１８は、図１０（ａ）の矢印１２３に示
すように、供給口１０８から下がり、一部は半導体基板
１０５表面に衝突し、その後、半導体基板１０５表面に
沿って移動し、また、一部は半導体基板１０５表面の周
辺部に衝突し、熱板１０９表面に沿って移動する。な
お、半導体基板１０５の表面やその周辺を通った酸素ラ
ジカル１１７や窒素ラジカル１１８は、反応室１０７の
下方に設けられた排気口１１９から排出される。
周波発生装置１１５から供給される高周波によって酸素
ラジカル１１７や窒素ラジカル１１８となり、パイプ１
１１を通り供給口１０８から反応室１０７に送り込まれ
る。反応室１０７に送り込まれた酸素ラジカル１１７や
窒素ラジカル１１８は、図１０（ａ）の矢印１２３に示
すように、供給口１０８から下がり、一部は半導体基板
１０５表面に衝突し、その後、半導体基板１０５表面に
沿って移動し、また、一部は半導体基板１０５表面の周
辺部に衝突し、熱板１０９表面に沿って移動する。な
お、半導体基板１０５の表面やその周辺を通った酸素ラ
ジカル１１７や窒素ラジカル１１８は、反応室１０７の
下方に設けられた排気口１１９から排出される。
【０００８】上記した方法によって半導体基板１０５表
面に塗布されたフォトレジスト１０４が除去される。上
記工程で説明したラジカルの供給時間は、半導体基板に
付着しているフォトレジストの種類、膜厚、硬化の状態
などにより異なる。フォトレジストが灰化除去された半
導体基板１０５は、石英ピン１１６で持ち上げられ、搬
送アーム１０６上に移された後、カセット１０３に戻る
（図１０（ｂ））。以上の工程をカセットにセットされ
た半導体基板の枚数分だけ行った後、カセットを大気解
放してフォトレジスト除去工程が終了する。
面に塗布されたフォトレジスト１０４が除去される。上
記工程で説明したラジカルの供給時間は、半導体基板に
付着しているフォトレジストの種類、膜厚、硬化の状態
などにより異なる。フォトレジストが灰化除去された半
導体基板１０５は、石英ピン１１６で持ち上げられ、搬
送アーム１０６上に移された後、カセット１０３に戻る
（図１０（ｂ））。以上の工程をカセットにセットされ
た半導体基板の枚数分だけ行った後、カセットを大気解
放してフォトレジスト除去工程が終了する。
【０００９】以上説明したように、フォトレジストの灰
化反応のとき、図１０（ａ）に示すように半導体基板１
０５は熱板１０９上に直接置かれている。このためダウ
ンフローのラジカルの流れは、図に概略示すような流れ
１２３（半導体基板１０５の表面にほぼ平行に水平に流
れ、半導体基板１０５の側壁には殆ど流れない）になっ
てしまうので半導体基板側壁部にはラジカルが供給され
にくくなる。その結果、半導体基板表面に付着したフォ
トレジスト１０４が除去された後も、側壁に付着したフ
ォトレジスト１２２は灰化除去されず残ってしまう。
化反応のとき、図１０（ａ）に示すように半導体基板１
０５は熱板１０９上に直接置かれている。このためダウ
ンフローのラジカルの流れは、図に概略示すような流れ
１２３（半導体基板１０５の表面にほぼ平行に水平に流
れ、半導体基板１０５の側壁には殆ど流れない）になっ
てしまうので半導体基板側壁部にはラジカルが供給され
にくくなる。その結果、半導体基板表面に付着したフォ
トレジスト１０４が除去された後も、側壁に付着したフ
ォトレジスト１２２は灰化除去されず残ってしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
この側壁に付着したフォトレジストがその後の素子製造
工程で発塵源となり、半導体装置の歩留まり低下の原因
となる。さらに、側壁部のフォトレジスト１２２をその
後の工程で完全に除去しようとすると多大の時間と手間
が必要になる。この結果作業能率が低下し、また、半導
体基板表面への過剰な処理により表面の変質を引き起こ
すという問題があった。
この側壁に付着したフォトレジストがその後の素子製造
工程で発塵源となり、半導体装置の歩留まり低下の原因
となる。さらに、側壁部のフォトレジスト１２２をその
後の工程で完全に除去しようとすると多大の時間と手間
が必要になる。この結果作業能率が低下し、また、半導
体基板表面への過剰な処理により表面の変質を引き起こ
すという問題があった。
【００１１】本発明は上記の課題を解決するもので、簡
単な装置と工程により半導体基板側壁に付着したフォト
レジストを除去することを目的とする。
単な装置と工程により半導体基板側壁に付着したフォト
レジストを除去することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、半導体基板を加熱機構により加熱し、酸素
ラジカル発生機構からの酸素ラジカルのダウンフローに
よりフォトレジストをエッチングするプラズマ灰化にお
いて、半導体基板より小さい支持台に半導体基板を配置
することで、半導体基板側面をエッチングすることを特
徴とする。
め本発明は、半導体基板を加熱機構により加熱し、酸素
ラジカル発生機構からの酸素ラジカルのダウンフローに
よりフォトレジストをエッチングするプラズマ灰化にお
いて、半導体基板より小さい支持台に半導体基板を配置
することで、半導体基板側面をエッチングすることを特
徴とする。
【００１３】さらに、半導体基板側面から内側に間隔を
空けて支持台に配置することを特徴とする。
空けて支持台に配置することを特徴とする。
【００１４】また、半導体基板を加熱機構から空間的に
離すことを特徴とする。
離すことを特徴とする。
【００１５】また、支持台と半導体基板との接触面積が
半導体基板の面積に比べ小さいことを特徴とする。
半導体基板の面積に比べ小さいことを特徴とする。
【００１６】また、半導体基板の下部で半導体基板の鉛
直投影範囲内に排気口を設け、酸素ラジカルのフローが
半導体基板側面にあたるようにしたことを特徴とする。
直投影範囲内に排気口を設け、酸素ラジカルのフローが
半導体基板側面にあたるようにしたことを特徴とする。
【００１７】本発明では、加熱機構を備えたダウンフロ
ー型プラズマ灰化装置において、半導体基板を基板面積
に対して小さな支持台で持ち上げることにより、前記加
熱機構から離し、これにより酸素ラジカルが半導体基板
側面に供給され、半導体基板側面部に付着したフォトレ
ジストを除去することができる。
ー型プラズマ灰化装置において、半導体基板を基板面積
に対して小さな支持台で持ち上げることにより、前記加
熱機構から離し、これにより酸素ラジカルが半導体基板
側面に供給され、半導体基板側面部に付着したフォトレ
ジストを除去することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図１
を参照して説明する。図１は装置反応室部を断面で示し
た概略図であり、符号１は基板搬送室で、基板搬送室１
内部にエレベータ２が設けられている。エレベータ２に
はカセット３が載置されている。また、カセット３に
は、それぞれの表面にフォトレジスト４が塗布された複
数の半導体基板５が収納されている。また、エレベータ
２の近くに半導体基板５を搬送する搬送アーム６が設け
られている。
を参照して説明する。図１は装置反応室部を断面で示し
た概略図であり、符号１は基板搬送室で、基板搬送室１
内部にエレベータ２が設けられている。エレベータ２に
はカセット３が載置されている。また、カセット３に
は、それぞれの表面にフォトレジスト４が塗布された複
数の半導体基板５が収納されている。また、エレベータ
２の近くに半導体基板５を搬送する搬送アーム６が設け
られている。
【００１９】また、基板搬送室１に隣接して反応室７が
設けられている。そして、反応室７の上方には、半導体
基板５表面に塗布されたフォトレジスト４を除去する酸
素ラジカルや窒素ラジカルを送り込む供給口８が設けら
れ、下方には半導体基板５を加熱する加熱機構である熱
板９が設けられている。そして、基板搬送室１と反応室
７はドライポンプ１０に接続されており、ドライポンプ
１０の働きで基板搬送室１と反応室７は高真空に設定さ
れる。熱板９の中心付近には通風口２０が設けられてい
る。
設けられている。そして、反応室７の上方には、半導体
基板５表面に塗布されたフォトレジスト４を除去する酸
素ラジカルや窒素ラジカルを送り込む供給口８が設けら
れ、下方には半導体基板５を加熱する加熱機構である熱
板９が設けられている。そして、基板搬送室１と反応室
７はドライポンプ１０に接続されており、ドライポンプ
１０の働きで基板搬送室１と反応室７は高真空に設定さ
れる。熱板９の中心付近には通風口２０が設けられてい
る。
【００２０】また、反応室７は、パイプ１１を通してプ
ラズマ発生室１２に連結されており、プラズマ発生室１
２には酸素ボンベ１３と窒素ボンベ１４が接続されてい
る。また、プラズマ発生室１２には高周波発生装置１５
から高周波が供給されるようになっている。
ラズマ発生室１２に連結されており、プラズマ発生室１
２には酸素ボンベ１３と窒素ボンベ１４が接続されてい
る。また、プラズマ発生室１２には高周波発生装置１５
から高周波が供給されるようになっている。
【００２１】上記した構成において、カセット３に収納
された１つの半導体基板５が搬送アーム６によって反応
室７に移される。そして、反応室７に移された半導体基
板５は、図１（ｂ）で示すように熱板９の孔２１から延
びてきた石英ピン１６で支持される。その後、石英ピン
１６は下がり、図２に示すように半導体基板５は熱板９
上に配置される。加熱機構である熱板９は２５０℃程度
に加熱されており、これによって半導体基板５も加熱さ
れる。ここでは半導体基板５としてＧａＡｓ基板を使用
する。
された１つの半導体基板５が搬送アーム６によって反応
室７に移される。そして、反応室７に移された半導体基
板５は、図１（ｂ）で示すように熱板９の孔２１から延
びてきた石英ピン１６で支持される。その後、石英ピン
１６は下がり、図２に示すように半導体基板５は熱板９
上に配置される。加熱機構である熱板９は２５０℃程度
に加熱されており、これによって半導体基板５も加熱さ
れる。ここでは半導体基板５としてＧａＡｓ基板を使用
する。
【００２２】このとき、プラズマ発生室１２（図１
（ａ））には、酸素ボンベ１３と窒素ボンベ１４から酸
素ガスと窒素ガスが供給される。そして、これら酸素ガ
スや窒素ガスは、高周波発生装置１５から供給される高
周波によって酸素ラジカル１７や窒素ラジカル１８とな
り、パイプ１１を通り供給口８から反応室７に送り込ま
れる。このとき、プラズマ発生室１２は酸素ラジカル発
生機構となる。反応室７に送り込まれた酸素ラジカル１
７や窒素ラジカル１８は、図３（ａ）の矢印Ｙに示すよ
うに、供給口８から下がり（ダウンフローラジカル）、
一部は半導体基板５表面に衝突し、その後、半導体基板
５表面に沿って移動し、また、一部は半導体基板５表面
の周辺部に衝突し、半導体基板５や熱板９表面に沿って
移動する。なお、半導体基板５の表面やその周辺を通っ
た酸素ラジカル１７や窒素ラジカル１８は、反応室７の
下方に設けられた排気口１９から排出される。
（ａ））には、酸素ボンベ１３と窒素ボンベ１４から酸
素ガスと窒素ガスが供給される。そして、これら酸素ガ
スや窒素ガスは、高周波発生装置１５から供給される高
周波によって酸素ラジカル１７や窒素ラジカル１８とな
り、パイプ１１を通り供給口８から反応室７に送り込ま
れる。このとき、プラズマ発生室１２は酸素ラジカル発
生機構となる。反応室７に送り込まれた酸素ラジカル１
７や窒素ラジカル１８は、図３（ａ）の矢印Ｙに示すよ
うに、供給口８から下がり（ダウンフローラジカル）、
一部は半導体基板５表面に衝突し、その後、半導体基板
５表面に沿って移動し、また、一部は半導体基板５表面
の周辺部に衝突し、半導体基板５や熱板９表面に沿って
移動する。なお、半導体基板５の表面やその周辺を通っ
た酸素ラジカル１７や窒素ラジカル１８は、反応室７の
下方に設けられた排気口１９から排出される。
【００２３】上記した方法によって半導体基板５表面に
塗布されたフォトレジスト４が除去される。上記工程で
説明したラジカルの供給時間は、半導体基板に付着して
いるフォトレジストの種類、膜厚、硬化の状態などによ
り異なる。
塗布されたフォトレジスト４が除去される。上記工程で
説明したラジカルの供給時間は、半導体基板に付着して
いるフォトレジストの種類、膜厚、硬化の状態などによ
り異なる。
【００２４】その後、図４に示すように石英ピン１６を
上昇させ、半導体基板５を支持台である石英ピン１６を
用いて熱板９から浮かせた状態に保ち、この状態で酸素
ラジカル１７および窒素ラジカル１８を一定時間供給す
る。このとき、支持台である石英ピン１６の面積は半導
体基板５より小さく、半導体基板５は加熱機構から空間
的に離される。なお、支持台は半導体基板５の側面部よ
りも間隔を空けて内側に配置することが望ましい。
上昇させ、半導体基板５を支持台である石英ピン１６を
用いて熱板９から浮かせた状態に保ち、この状態で酸素
ラジカル１７および窒素ラジカル１８を一定時間供給す
る。このとき、支持台である石英ピン１６の面積は半導
体基板５より小さく、半導体基板５は加熱機構から空間
的に離される。なお、支持台は半導体基板５の側面部よ
りも間隔を空けて内側に配置することが望ましい。
【００２５】この結果、半導体基板５近くのラジカルの
流れは概略図４の２３に示すように変わり、ダウンフロ
ーの流れが半導体基板側面にあたるようになり、半導体
基板側面に付着したフォトレジスト２２にもラジカルが
供給されるようになる。酸素ラジカル１７および窒素ラ
ジカル１８を含む気体は、排気口１９から排出される。
流れは概略図４の２３に示すように変わり、ダウンフロ
ーの流れが半導体基板側面にあたるようになり、半導体
基板側面に付着したフォトレジスト２２にもラジカルが
供給されるようになる。酸素ラジカル１７および窒素ラ
ジカル１８を含む気体は、排気口１９から排出される。
【００２６】このとき、半導体基板５の温度は、上記の
説明のように表面フォトレジスト４の除去工程時にすで
に上昇しており、減圧下のため殆ど温度低下していな
い。そこで灰化除去反応が進み、半導体基板側面に付着
したフォトレジスト２２を完全に除去することができ
る。
説明のように表面フォトレジスト４の除去工程時にすで
に上昇しており、減圧下のため殆ど温度低下していな
い。そこで灰化除去反応が進み、半導体基板側面に付着
したフォトレジスト２２を完全に除去することができ
る。
【００２７】このときのラジカルの供給時間は、上記工
程で説明したのと同じ理由により、半導体基板に付着し
ているフォトレジストの種類、膜厚、硬化の状態などに
より異なる。
程で説明したのと同じ理由により、半導体基板に付着し
ているフォトレジストの種類、膜厚、硬化の状態などに
より異なる。
【００２８】また図５に示すように、加熱機構である熱
板９に通風口２０を設けた方が本発明を効率よく実施で
きる。基板直下の熱板９に通風口２０を設けることで、
ダウンフローの流れが半導体基板側面に当たりやすくな
る。なお、通風口２０は１個でなく、複数個あってもよ
い。通風口２０と排気口１９は半導体基板中心下部に設
けられていることが望ましいが、半導体基板の鉛直投影
範囲内でもよい。
板９に通風口２０を設けた方が本発明を効率よく実施で
きる。基板直下の熱板９に通風口２０を設けることで、
ダウンフローの流れが半導体基板側面に当たりやすくな
る。なお、通風口２０は１個でなく、複数個あってもよ
い。通風口２０と排気口１９は半導体基板中心下部に設
けられていることが望ましいが、半導体基板の鉛直投影
範囲内でもよい。
【００２９】上記実施の形態では、半導体基板５の支持
台として、鉛直に配置した石英ピンを用いた。この他
に、半導体基板５と接触する部分が半導体基板より小面
積の水平な平面である支持台、又は半導体基板５と接触
する部分が複数の細い棒を水平に配置した構成の支持台
でもよい。
台として、鉛直に配置した石英ピンを用いた。この他
に、半導体基板５と接触する部分が半導体基板より小面
積の水平な平面である支持台、又は半導体基板５と接触
する部分が複数の細い棒を水平に配置した構成の支持台
でもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体基
板側面部に付着したフォトレジストを短時間で灰化除去
することが可能となる。
板側面部に付着したフォトレジストを短時間で灰化除去
することが可能となる。
【図１】本発明を説明する概略断面図である。
【図２】本発明を説明する概略断面図である。
【図３】本発明を説明する概略断面図である。
【図４】本発明を説明する概略断面図である。
【図５】本発明を説明する概略断面図である。
【図６】従来例を説明する概略断面図である。
【図７】従来例を説明する概略断面図である。
【図８】従来例を説明する概略断面図である。
【図９】従来例を説明する概略断面図である。
【図１０】従来例を説明する概略断面図である。
１…基板搬送室 ２…エレベータ ３…カセット ４…フォトレジスト ５…半導体基板 ６…搬送アーム ７…反応室 ８…供給口 ９…加熱機構である熱板 １０…ドライポンプ １１…パイプ １２…プラズマ発生室 １３…酸素ボンベ １４…窒素ボンベ １５…高周波発生装置 １６…支持台である石英ピン １７…窒素ラジカル １８…酸素ラジカル １９…排気口 ２０…通風口 ２１…熱板の石英ピン用孔 ２２…半導体基板側面のフォトレジスト ２３…ラジカル流 Ｙ…ラジカル流 １０１…基板搬送室 １０２…エレベータ １０３…カセット １０４…フォトレジスト １０５…半導体基板 １０６…搬送アーム １０７…反応室 １０８…供給口 １０９…加熱機構である熱板 １１０…ドライポンプ １１１…パイプ １１２…プラズマ発生室 １１３…酸素ボンベ １１４…窒素ボンベ １１５…高周波発生装置 １１６…支持台である石英ピン １１７…窒素ラジカル １１８…酸素ラジカル １１９…排気口 １２１…熱板の石英ピン用孔 １２２…半導体基板側面のフォトレジスト １２３…ラジカル流
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体基板を加熱する加熱機構と、酸素
ラジカル発生機構とを備えたダウンフロー型プラズマ灰
化装置において、前記半導体基板より小さい面積の支持
台に前記半導体基板を配置する手段を具備することを特
徴とするプラズマ灰化装置。 - 【請求項２】 半導体基板側面から内側に間隔を空けて
支持台に配置する手段を具備することを特徴とする請求
項１記載のプラズマ灰化装置。 - 【請求項３】 半導体基板を加熱機構から空間的に離す
手段を具備することを特徴とする請求項１記載のプラズ
マ灰化装置。 - 【請求項４】 半導体基板を支持台で持ち上げることに
よりヒータ加熱機構から空間的に離すことを特徴とする
請求項３記載のプラズマ灰化装置。 - 【請求項５】 半導体基板の下部で半導体基板の鉛直投
影範囲内に排気口を設けたことを特徴とする請求項１記
載のプラズマ灰化装置。 - 【請求項６】 半導体基板がＧａＡｓ基板であることを
特徴とする請求項１記載のプラズマ灰化装置。 - 【請求項７】 半導体基板を加熱機構により加熱し、酸
素ラジカル発生機構からのダウンフローによりフォトレ
ジストをエッチングするプラズマ灰化方法において、前
記半導体基板より小さい面積の支持台に前記半導体基板
を設置し、ダウンフローが前記半導体基板側面にあたる
ようにしたことを特徴とするプラズマ灰化方法。 - 【請求項８】 半導体基板側面から内側に間隔を空けて
支持台に配置することを特徴とする請求項７記載のプラ
ズマ灰化方法。 - 【請求項９】 半導体基板を加熱機構により加熱し、酸
素ラジカル発生機構からのダウンフローによりフォトレ
ジストをエッチングするプラズマ灰化方法において、前
記半導体基板と支持台との接触面積が前記半導体基板よ
り小さいことを特徴とする請求項７記載のプラズマ灰化
方法。 - 【請求項１０】 半導体基板を加熱機構から空間的に離
すことを特徴とする請求項７記載のプラズマ灰化方法。 - 【請求項１１】 半導体基板の下部で半導体基板の鉛直
投影範囲内に排気口を設け、酸素ラジカルが前記半導体
基板側面にあたるようにしたことを特徴とする請求項７
記載のプラズマ灰化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9013029A JPH10209133A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | プラズマ灰化装置およびプラズマ灰化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9013029A JPH10209133A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | プラズマ灰化装置およびプラズマ灰化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209133A true JPH10209133A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11821721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9013029A Pending JPH10209133A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | プラズマ灰化装置およびプラズマ灰化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209133A (ja) |
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- 1997-01-28 JP JP9013029A patent/JPH10209133A/ja active Pending
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