JPS5871626A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
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- JPS5871626A JPS5871626A JP16945781A JP16945781A JPS5871626A JP S5871626 A JPS5871626 A JP S5871626A JP 16945781 A JP16945781 A JP 16945781A JP 16945781 A JP16945781 A JP 16945781A JP S5871626 A JPS5871626 A JP S5871626A
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- JP
- Japan
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- electrode
- etching
- semiconductor substrate
- gas
- reaction tube
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- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ｉｉｔ製造に使用されるプラズマエツ
チング装置に関するものである。
チング装置に関するものである。
従来、半導体基板のｆｌ！面に付着した金属膜あるいは
絶縁膜を、酸化膜あるいはフォトレジスト膜會保鏝膜と
して選択的にパターンを加工するプラズマエツチング装
置は、高周波発振器に接続されている電極が筒状の反応
管の外側に設置されているため、反応管の中心部に設け
られたエツチング処理台に載せられた半導体基板の電極
に近い周辺部よシエッチング処理が進み、エツチング処
理終了時の半導体基板の周辺部と中心部のパターン加工
精度にばらつきが生じていた。Ｉ！＃にエツチング速度
の大きい金属膜では影響が大きく半導体装置の歩留・信
頼性に多大な影響を与えていた。
絶縁膜を、酸化膜あるいはフォトレジスト膜會保鏝膜と
して選択的にパターンを加工するプラズマエツチング装
置は、高周波発振器に接続されている電極が筒状の反応
管の外側に設置されているため、反応管の中心部に設け
られたエツチング処理台に載せられた半導体基板の電極
に近い周辺部よシエッチング処理が進み、エツチング処
理終了時の半導体基板の周辺部と中心部のパターン加工
精度にばらつきが生じていた。Ｉ！＃にエツチング速度
の大きい金属膜では影響が大きく半導体装置の歩留・信
頼性に多大な影響を与えていた。
この発明の目的は半導体基板の周辺部と中心部において
パターン加工の差が生じないプラズマエ、千ング装置を
提供することにある。
パターン加工の差が生じないプラズマエ、千ング装置を
提供することにある。
この発明のプラズマエツチング装置１１は、ガス導入管
及びガス排出管を持ち、反応管内部に電極を設置し丸筒
状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、誼ガ
ス排出管に連結する高真空源、皺電極に接続する高周波
発振器からな夛、反応管中心部に設置され九工、チング
処理台にフォトレジストエＳｔ−経た半導体基板を載せ
、種々のエツチングガスにより選択的にパターン加工す
るプラズマエツチング装置において反応管内部に設置さ
れた電極が工、千ング処理台に載せられた半導体基板に
対して上部（＋電極）と下部（−電極）に配置され、上
部に設置され九電極が下部の電極に対して３／２以上の
大きさをもち、咳電極が僅かながらの曲面をもつ構造を
有するプラズマエツチング装置である。
及びガス排出管を持ち、反応管内部に電極を設置し丸筒
状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、誼ガ
ス排出管に連結する高真空源、皺電極に接続する高周波
発振器からな夛、反応管中心部に設置され九工、チング
処理台にフォトレジストエＳｔ−経た半導体基板を載せ
、種々のエツチングガスにより選択的にパターン加工す
るプラズマエツチング装置において反応管内部に設置さ
れた電極が工、千ング処理台に載せられた半導体基板に
対して上部（＋電極）と下部（−電極）に配置され、上
部に設置され九電極が下部の電極に対して３／２以上の
大きさをもち、咳電極が僅かながらの曲面をもつ構造を
有するプラズマエツチング装置である。
この発明のプラズマエツチング装置は、従来、反応管の
回シに設置され高周波電力を発振する（ホ）電極・（→
電極をエツチング処理台に載せられた半導体基板の上下
に設け、更に上部の電極が僅かながらの１面をもち、該
電極の大きさが下部の電極に対して３／２の大きさｔも
つ事によｐ、プラズマが半導体基板上に均一に当７１）
、エツチング速度が従来より速くなると共にパターン加
工精度を向上できることが解−）九。
回シに設置され高周波電力を発振する（ホ）電極・（→
電極をエツチング処理台に載せられた半導体基板の上下
に設け、更に上部の電極が僅かながらの１面をもち、該
電極の大きさが下部の電極に対して３／２の大きさｔも
つ事によｐ、プラズマが半導体基板上に均一に当７１）
、エツチング速度が従来より速くなると共にパターン加
工精度を向上できることが解−）九。
次に、この発明の一実施例につき図面を用いて説明する
。
。
第１図はこの発明の一実施例を説明するためのプラズマ
エア千ン装饅置の断面図である。この実施例のプラズマ
エツチング装置はガス供給源に連結するガス導入管１と
高真空源に連結するガス排出管２と反応管内部に高周波
発振器に接続される僅かながらの曲面をもつ上部の（ト
）電極４′ｔ−もつ筒状の反応管３からなシ、（→電極
を有するエツチング処理台５に載せられた半導体基板６
に対して平行に位置し、鍍電極４の大きさが（→電極に
対して３／２の大きさを持つ装置である。
エア千ン装饅置の断面図である。この実施例のプラズマ
エツチング装置はガス供給源に連結するガス導入管１と
高真空源に連結するガス排出管２と反応管内部に高周波
発振器に接続される僅かながらの曲面をもつ上部の（ト
）電極４′ｔ−もつ筒状の反応管３からなシ、（→電極
を有するエツチング処理台５に載せられた半導体基板６
に対して平行に位置し、鍍電極４の大きさが（→電極に
対して３／２の大きさを持つ装置である。
即ち、本実施例によると高周波発振器に接続されている
（ト）電極４が（→電極を有する工、チング処理台５に
載せられ九半導体基板６に対し上下に平行に位置し、（
ト）電極が僅かながらの曲面をもち、（→電極より３／
２以上の大きさをもつ事により、従来よシ、電極の位置
が半導体基板６に近くなシエッチング速度が増し、又、
従来周辺部よｐ進行していたエツチングが半導体基板内
均一に進行しパターン加工精度が向上し、歩留・信頼性
の向上を図れる。
（ト）電極４が（→電極を有する工、チング処理台５に
載せられ九半導体基板６に対し上下に平行に位置し、（
ト）電極が僅かながらの曲面をもち、（→電極より３／
２以上の大きさをもつ事により、従来よシ、電極の位置
が半導体基板６に近くなシエッチング速度が増し、又、
従来周辺部よｐ進行していたエツチングが半導体基板内
均一に進行しパターン加工精度が向上し、歩留・信頼性
の向上を図れる。
上述の実施例において、プラズマエツチング装置は１枚
処理ａｔ用いて説明したが、２枚以上の複数処理可能な
プラズマエア千ン装餞置に適用可能なのは言うまでもな
い。
処理ａｔ用いて説明したが、２枚以上の複数処理可能な
プラズマエア千ン装餞置に適用可能なのは言うまでもな
い。
第１図は本実施例を示したプラズマエツチング装置の断
面図である。 尚、図において、ｌ・・・・・・ガス導入管、２・・・
・・・ガス排出管、３・・・・・・反応管、４・・・・
・・（ト）電極板、ト・・・・・（→電極板を有するエ
ツチング処理台、６・・・°・°半導体基板である・ 第１―
面図である。 尚、図において、ｌ・・・・・・ガス導入管、２・・・
・・・ガス排出管、３・・・・・・反応管、４・・・・
・・（ト）電極板、ト・・・・・（→電極板を有するエ
ツチング処理台、６・・・°・°半導体基板である・ 第１―
Claims (1)
- ガス導入管及びガス排出管を有し反応管内部に電極を配
置し丸筒状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供給
源、咳ガス排出管に連結する高真空源、咳電極に接続す
る高周波発振論、ｔ′含み、反応管中心部に設置された
エツチング処理台にフォトレジスト工程を級友半導体基
板を載せ種々の工、チングガスによｐ選択的にパターン
加工するプラズマエツチング装置において、反応管内部
に設置され九電極がエツチング処理台に載せられた半導
体基板に対して平行に上部電極と下部電極に配置され、
上部の電極が下部の電極に対して３／２以上の大きさで
Ｔｏｐ、該電極が僅かな曲面をもりている構造會有する
プラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16945781A JPS5871626A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16945781A JPS5871626A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871626A true JPS5871626A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15886936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16945781A Pending JPS5871626A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871626A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH686254A5 (de) * | 1992-07-27 | 1996-02-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Einstellung der Bearbeitungsratenverteilung sowie Aetz- oder Plasma-CVD-Anlage zu dessen Ausfuehrung. |
| KR20040020589A (ko) * | 2002-08-31 | 2004-03-09 | 송석균 | 플라즈마 발생장치 |
| WO2008140982A1 (en) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods |
| US9883549B2 (en) | 2006-07-20 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having rapid temperature control |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16945781A patent/JPS5871626A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH686254A5 (de) * | 1992-07-27 | 1996-02-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Einstellung der Bearbeitungsratenverteilung sowie Aetz- oder Plasma-CVD-Anlage zu dessen Ausfuehrung. |
| KR20040020589A (ko) * | 2002-08-31 | 2004-03-09 | 송석균 | 플라즈마 발생장치 |
| US9883549B2 (en) | 2006-07-20 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having rapid temperature control |
| US10257887B2 (en) | 2006-07-20 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly |
| WO2008140982A1 (en) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods |
| US8435379B2 (en) | 2007-05-08 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods |
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