JPH10209162A - 半田バンプ接続電子部品およびその製造方法 - Google Patents
半田バンプ接続電子部品およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10209162A JPH10209162A JP9005575A JP557597A JPH10209162A JP H10209162 A JPH10209162 A JP H10209162A JP 9005575 A JP9005575 A JP 9005575A JP 557597 A JP557597 A JP 557597A JP H10209162 A JPH10209162 A JP H10209162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- solder bump
- upper substrate
- hole
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3485—Application of solder paste, slurry or powder
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半田バンプ接続用の下地電極を下部基板に形成
して、下部基板に半田バンプを形成することにより、小
形化を図ることのできる半田バンプ接続電子部品を提供
し、および下地電極に引出電極を兼ねさせることにより
配線パターンを不必要とし、かつ、上部基板に形成した
孔をメタルマスク代わりに使用する半田バンプ接続電子
部品の製造方法を提供する。 【解決手段】下部基板１に形成した下地電極ｅ１が上部
基板５に形成した孔５ｂ内に位置するように、下部基板
１と上部基板５とが貼り合わされ、下地電極ｅ１には、
孔５ｂの直径より狭い幅を有し、かつ、上部基板５の厚
みより厚い高さを有する半田バンプｂ１が形成されて孔
５ｂから突出している半田バンプ接続電子部品。
して、下部基板に半田バンプを形成することにより、小
形化を図ることのできる半田バンプ接続電子部品を提供
し、および下地電極に引出電極を兼ねさせることにより
配線パターンを不必要とし、かつ、上部基板に形成した
孔をメタルマスク代わりに使用する半田バンプ接続電子
部品の製造方法を提供する。 【解決手段】下部基板１に形成した下地電極ｅ１が上部
基板５に形成した孔５ｂ内に位置するように、下部基板
１と上部基板５とが貼り合わされ、下地電極ｅ１には、
孔５ｂの直径より狭い幅を有し、かつ、上部基板５の厚
みより厚い高さを有する半田バンプｂ１が形成されて孔
５ｂから突出している半田バンプ接続電子部品。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田バンプで接続
する電子部品、特に、下部基板とこの下部基板にに形成
した機能部を保護ないし封止する上部基板とを備えた半
田バンプ接続電子部品およびその製造方法に関する。
する電子部品、特に、下部基板とこの下部基板にに形成
した機能部を保護ないし封止する上部基板とを備えた半
田バンプ接続電子部品およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半田バンプ接続電子部品およびそ
の製造方法について、図１１を参照して説明する。同図
は従来の半田バンプ接続電子部品としての加速度センサ
２０の断面形態を示すものである。２１は下部基板で、
この下部基板２１には、振動体２２が自由振動可能に形
成されている。２３は上部基板で、凹部２３ａと孔２３
ｂを有し、下部基板２１に貼り合わされて、その凹部２
３ａで振動体２２を蓋被している。２４は振動体２２の
引出電極で、孔２３ｂ内に露出している下部基板２１上
に形成されている。また、２５は上部基板２３上に形成
された半田バンプ形成用の下地電極で、この下地電極２
５と引出電極２４は孔２３ｂを経由する配線パターン２
６により接続されている。そして、下地電極２５には、
半田バンプ２７が形成されている。この半田バンプ２７
は、半田クリームをメタルマスクを使用して下地電極２
５上に印刷し、その後、この印刷された半田クリームを
加熱溶融し、その溶剤を蒸発させて半田を表面張力によ
り球体状に凝集させて形成される。
の製造方法について、図１１を参照して説明する。同図
は従来の半田バンプ接続電子部品としての加速度センサ
２０の断面形態を示すものである。２１は下部基板で、
この下部基板２１には、振動体２２が自由振動可能に形
成されている。２３は上部基板で、凹部２３ａと孔２３
ｂを有し、下部基板２１に貼り合わされて、その凹部２
３ａで振動体２２を蓋被している。２４は振動体２２の
引出電極で、孔２３ｂ内に露出している下部基板２１上
に形成されている。また、２５は上部基板２３上に形成
された半田バンプ形成用の下地電極で、この下地電極２
５と引出電極２４は孔２３ｂを経由する配線パターン２
６により接続されている。そして、下地電極２５には、
半田バンプ２７が形成されている。この半田バンプ２７
は、半田クリームをメタルマスクを使用して下地電極２
５上に印刷し、その後、この印刷された半田クリームを
加熱溶融し、その溶剤を蒸発させて半田を表面張力によ
り球体状に凝集させて形成される。
【０００３】振動体２２に形成した図示しない可動櫛歯
電極と下部基板２１に形成した固定櫛歯電極との間の静
電容量が加速度に応じて変化し、この静電容量の変化量
を半田バンプ２７、２７から取り出し、電圧変換して加
速度を検出する。
電極と下部基板２１に形成した固定櫛歯電極との間の静
電容量が加速度に応じて変化し、この静電容量の変化量
を半田バンプ２７、２７から取り出し、電圧変換して加
速度を検出する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半田バンプ接続電子部品は、機能部からの引出電極２４
を下部基板２１に形成し、上部基板２３に半田バンプ接
続用の下地電極２５を形成し、この引出電極２４と下地
電極２５との間を接続する配線パターン２６を必要とす
る。したがって、従来の半田バンプ接続電子部品は、引
出電極２４を外部に導出する孔２３ｂ、配線パターン２
６および下地電極２５を別々に形成する領域を必要とし
て、形状が大きくなっていた。
半田バンプ接続電子部品は、機能部からの引出電極２４
を下部基板２１に形成し、上部基板２３に半田バンプ接
続用の下地電極２５を形成し、この引出電極２４と下地
電極２５との間を接続する配線パターン２６を必要とす
る。したがって、従来の半田バンプ接続電子部品は、引
出電極２４を外部に導出する孔２３ｂ、配線パターン２
６および下地電極２５を別々に形成する領域を必要とし
て、形状が大きくなっていた。
【０００５】また、従来の半田バンプ接続電子部品の製
造方法は、半田バンプを形成するための半田クリームを
印刷するメタルマスクを必要とし、かつ、配線パターン
２６を形成する工程を必要としていた。
造方法は、半田バンプを形成するための半田クリームを
印刷するメタルマスクを必要とし、かつ、配線パターン
２６を形成する工程を必要としていた。
【０００６】そこで、本発明は、半田バンプ接続用の下
地電極を下部基板に形成して、下部基板に半田バンプを
形成することにより、小形化を図ることのできる半田バ
ンプ接続電子部品を提供し、および下地電極に引出電極
を兼ねさせることにより配線パターンを不必要とし、か
つ、上部基板に形成した孔をメタルマスク代わりに使用
する半田バンプ接続電子部品の製造方法を提供すること
を目的とする。
地電極を下部基板に形成して、下部基板に半田バンプを
形成することにより、小形化を図ることのできる半田バ
ンプ接続電子部品を提供し、および下地電極に引出電極
を兼ねさせることにより配線パターンを不必要とし、か
つ、上部基板に形成した孔をメタルマスク代わりに使用
する半田バンプ接続電子部品の製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半田バ
ンプ接続電子部品の発明は、下部基板に形成した下地電
極が上部基板に形成した孔内に位置するように、前記下
部基板と前記上部基板とを貼り合わせ、前記下地電極に
は前記孔の直径より狭い幅を有し、かつ、前記上部基板
の厚みより厚い高さを有する前記半田バンプが形成され
て前記孔から突出しているものである。
ンプ接続電子部品の発明は、下部基板に形成した下地電
極が上部基板に形成した孔内に位置するように、前記下
部基板と前記上部基板とを貼り合わせ、前記下地電極に
は前記孔の直径より狭い幅を有し、かつ、前記上部基板
の厚みより厚い高さを有する前記半田バンプが形成され
て前記孔から突出しているものである。
【０００８】この半田バンプ接続電子部品の発明は、下
部基板の下地電極に形成した半田バンプが、上部基板の
孔より突出して形成され、実装基板への接続の機能を果
たす。この半田バンプの形成されている下地電極は、機
能部からの引出電極も兼ねているので、この引出電極と
下地電極とを個別に形成する必要が無く、またこれらを
接続する配線パターンも必要が無くなり、小形化を図る
ことができる。
部基板の下地電極に形成した半田バンプが、上部基板の
孔より突出して形成され、実装基板への接続の機能を果
たす。この半田バンプの形成されている下地電極は、機
能部からの引出電極も兼ねているので、この引出電極と
下地電極とを個別に形成する必要が無く、またこれらを
接続する配線パターンも必要が無くなり、小形化を図る
ことができる。
【０００９】請求項２に記載の半田バンプ接続電子部品
の製造方法の発明は、下部基板に半田バンプ接続用の下
地電極を形成する工程と、該下地電極が、上部基板に形
成した孔内に位置するように、前記上部基板を前記下部
基板に貼り合わせる工程と、半田クリームを前記孔内に
充填する工程と、前記半田クリームを加熱溶融して半田
を凝集させ、前記下地電極上に前記半田バンプを形成し
て前記孔より突出させる工程と、よりなるものである。
の製造方法の発明は、下部基板に半田バンプ接続用の下
地電極を形成する工程と、該下地電極が、上部基板に形
成した孔内に位置するように、前記上部基板を前記下部
基板に貼り合わせる工程と、半田クリームを前記孔内に
充填する工程と、前記半田クリームを加熱溶融して半田
を凝集させ、前記下地電極上に前記半田バンプを形成し
て前記孔より突出させる工程と、よりなるものである。
【００１０】この半田バンプ接続電子部品の製造方法の
発明は、半田バンプ形成用の半田クリームを上部基板に
形成した孔内に充填し、この半田クリームを加熱溶融
し、下地電極上に半田をその表面張力により、上部基板
の厚みより厚い高さを有する球体状に凝集させて孔から
突出する半田バンプを形成する。この半田バンプは、下
地電極の直径、孔の大きさ、半田クリームの量を適宜設
定することにより形成される。そして、この半田バンプ
により、本発明の半田バンプ接続電子部品が実装基板に
接続される。
発明は、半田バンプ形成用の半田クリームを上部基板に
形成した孔内に充填し、この半田クリームを加熱溶融
し、下地電極上に半田をその表面張力により、上部基板
の厚みより厚い高さを有する球体状に凝集させて孔から
突出する半田バンプを形成する。この半田バンプは、下
地電極の直径、孔の大きさ、半田クリームの量を適宜設
定することにより形成される。そして、この半田バンプ
により、本発明の半田バンプ接続電子部品が実装基板に
接続される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の半田バンプ接続
電子部品の実施例について図面を参照して説明する。図
１において、１０は半田バンプ接続電子部品としての加
速度センサを断面形態で示すものである。１は、単結晶
シリコン層１ａ、酸化シリコン層１ｂおよび単結晶シリ
コン層１ｃの３層構造よりなるＳＯＩ（Sicon On Insul
ator）基板より構成される下部基板である。単結晶シリ
コン層１ｃをフォトリソグラフィ技術、エッチング技術
などの半導体微細加工技術を用いて加工することによ
り、図２に点集合部分で示す機能部が形成される。即
ち、単結晶シリコン層１ｃ上に、点集合部分で示す機能
部および単結晶シリコン層１ｃの周辺部の形状に相当す
るフォトレジストマスクを形成し、６フッ化硫黄（ＳＦ
6 ）ガスを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）に
より単結晶シリコン層１ｃに、酸化シリコン層１ｂが見
えるまで異方性エッチングを施す。つぎに、下部基板１
をバファフッ酸（ＢＨＦ）のエッチング液に浸漬して、
振動体２、支持梁２ａ、可動櫛歯電極２ｂの下部にある
及び露出している酸化シリコン層１ｂを除去する。な
お、図１に示す下部基板１は、図２のＸ−Ｘ線断面にお
ける形態を示すものである。
電子部品の実施例について図面を参照して説明する。図
１において、１０は半田バンプ接続電子部品としての加
速度センサを断面形態で示すものである。１は、単結晶
シリコン層１ａ、酸化シリコン層１ｂおよび単結晶シリ
コン層１ｃの３層構造よりなるＳＯＩ（Sicon On Insul
ator）基板より構成される下部基板である。単結晶シリ
コン層１ｃをフォトリソグラフィ技術、エッチング技術
などの半導体微細加工技術を用いて加工することによ
り、図２に点集合部分で示す機能部が形成される。即
ち、単結晶シリコン層１ｃ上に、点集合部分で示す機能
部および単結晶シリコン層１ｃの周辺部の形状に相当す
るフォトレジストマスクを形成し、６フッ化硫黄（ＳＦ
6 ）ガスを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）に
より単結晶シリコン層１ｃに、酸化シリコン層１ｂが見
えるまで異方性エッチングを施す。つぎに、下部基板１
をバファフッ酸（ＢＨＦ）のエッチング液に浸漬して、
振動体２、支持梁２ａ、可動櫛歯電極２ｂの下部にある
及び露出している酸化シリコン層１ｂを除去する。な
お、図１に示す下部基板１は、図２のＸ−Ｘ線断面にお
ける形態を示すものである。
【００１２】図２において、２は長方形板状の振動体
で、その４隅部からは支持梁２ａが長手方向と直角方向
に伸び、その先端は固定電極３にそれぞれ結合してい
る。振動体２はこれらの４つの支持梁２ａにより矢印方
向に変位可能に支持されている。固定電極３の表面に
は、半田バンプ接続用の下地電極ｅ１が形成されてい
る。
で、その４隅部からは支持梁２ａが長手方向と直角方向
に伸び、その先端は固定電極３にそれぞれ結合してい
る。振動体２はこれらの４つの支持梁２ａにより矢印方
向に変位可能に支持されている。固定電極３の表面に
は、半田バンプ接続用の下地電極ｅ１が形成されてい
る。
【００１３】また、振動体２の中央部の両側面には可動
櫛歯電極２ｂが形成されている。そして、この可動櫛歯
電極２ｂと対抗してコンデンサを形成する固定櫛歯電極
４ａも形成され、この固定櫛歯電極４ａは固定電極４に
結合している。そして、この固定電極４の表面には、半
田バンプ接続用の下地電極ｅ１が形成されている。
櫛歯電極２ｂが形成されている。そして、この可動櫛歯
電極２ｂと対抗してコンデンサを形成する固定櫛歯電極
４ａも形成され、この固定櫛歯電極４ａは固定電極４に
結合している。そして、この固定電極４の表面には、半
田バンプ接続用の下地電極ｅ１が形成されている。
【００１４】なお、振動体２、支持梁２ａ、可動櫛歯電
極２ｂは、上述のように、下部の酸化シリコン層１ｂが
エッチングにより除去されて単結晶シリコン層１ａから
浮いて振動可能に形成されている。
極２ｂは、上述のように、下部の酸化シリコン層１ｂが
エッチングにより除去されて単結晶シリコン層１ａから
浮いて振動可能に形成されている。
【００１５】この加速度センサ１０の機能部は以上のよ
うな構成よりなり、振動体２の矢印方向（図２において
例えば上部）を移動体の進行方向に向けて搭載すると、
移動体の加速度を検知することができる。即ち、加速度
が生じると、振動体２はその慣性のために加速に追随で
きず、可動櫛歯電極２ｂと固定櫛歯電極４ａとは接近し
て、その間に形成される静電容量が大きくなる。この静
電容量の変化量を電圧変換して加速度が求められる。
うな構成よりなり、振動体２の矢印方向（図２において
例えば上部）を移動体の進行方向に向けて搭載すると、
移動体の加速度を検知することができる。即ち、加速度
が生じると、振動体２はその慣性のために加速に追随で
きず、可動櫛歯電極２ｂと固定櫛歯電極４ａとは接近し
て、その間に形成される静電容量が大きくなる。この静
電容量の変化量を電圧変換して加速度が求められる。
【００１６】図３において、５ｋはパイレックスガラス
基板よりなる厚手の上部基板で、裏面側に振動体２など
の振動部を蓋被する凹部５ａと、半田バンプ形成用の複
数個の貫通した孔５ｂとを有する。なお、この上部基板
５ｋは後工程で表面を研磨されて厚みが薄く加工されて
薄手の上部基板５となる。そして、図１に示す上部基板
５は図３のＹ−Ｙ線断面における形態を示すものであ
る。
基板よりなる厚手の上部基板で、裏面側に振動体２など
の振動部を蓋被する凹部５ａと、半田バンプ形成用の複
数個の貫通した孔５ｂとを有する。なお、この上部基板
５ｋは後工程で表面を研磨されて厚みが薄く加工されて
薄手の上部基板５となる。そして、図１に示す上部基板
５は図３のＹ−Ｙ線断面における形態を示すものであ
る。
【００１７】図２に示す下部基板１の上には、図３に示
す厚手の上部基板５ｋが、図４に示すように、即ち、下
部基板１に形成された下地電極ｅ１が上部基板５ｋの孔
５ｂの中央部に位置するように、陽極接合などにより貼
り合わされる。ついで、上部基板５ｋの表面を薄く研磨
して薄手の上部基板５に加工する。
す厚手の上部基板５ｋが、図４に示すように、即ち、下
部基板１に形成された下地電極ｅ１が上部基板５ｋの孔
５ｂの中央部に位置するように、陽極接合などにより貼
り合わされる。ついで、上部基板５ｋの表面を薄く研磨
して薄手の上部基板５に加工する。
【００１８】つぎに、孔５ｂに半田クリームを印刷し
て、孔５ｂに半田クリームを充填する。その後、半田ク
リームを加熱溶融することにより、半田をその表面張力
により球体状に凝集させて、図１に示すように、孔５ｂ
（上部基板５）から突出する半田バンプｂ１を下地電極
ｅ１上に形成する。この半田バンプｂ１は、半田の濡れ
性が孔５ｂを形成する上部基板５と固定電極４（３）と
は悪く、下地電極ｅ１とはよいので、半田が下地電極ｅ
１上に凝集して球体状に形成される。
て、孔５ｂに半田クリームを充填する。その後、半田ク
リームを加熱溶融することにより、半田をその表面張力
により球体状に凝集させて、図１に示すように、孔５ｂ
（上部基板５）から突出する半田バンプｂ１を下地電極
ｅ１上に形成する。この半田バンプｂ１は、半田の濡れ
性が孔５ｂを形成する上部基板５と固定電極４（３）と
は悪く、下地電極ｅ１とはよいので、半田が下地電極ｅ
１上に凝集して球体状に形成される。
【００１９】つぎに、上記半田バンプｂ１の形成につい
て詳細に説明する。図６、図１および図２において、下
部基板１の単結晶シリコン層１ｃにより形成された固定
電極４（３）の上に、半田バンプ形成用の下地電極ｅ１
をリフトオフ法により形成する。この下地電極ｅ１は、
直径が２００μｍの円形で、固定電極４（３）に接触す
る側から、厚みが５０ｎｍのクロム（Ｃｒ）、同じく１
００ｎｍの白金（Ｐｔ）、同じく２００ｎｍの金（Ａ
ｕ）の３層の金属膜よりなる。図３に示すように、厚み
が３００μｍのパイレックスガラス基板よりなる厚手の
上部基板５ｋに、サンドブラスト加工などにより、直径
が５００μｍの孔５ｂを形成する。そして、図７および
図４に示すように、この孔５ｂの中央部に下地電極ｅ１
が位置するように、陽極接合により下部基板１と上部基
板５ｋを貼り合わせる。
て詳細に説明する。図６、図１および図２において、下
部基板１の単結晶シリコン層１ｃにより形成された固定
電極４（３）の上に、半田バンプ形成用の下地電極ｅ１
をリフトオフ法により形成する。この下地電極ｅ１は、
直径が２００μｍの円形で、固定電極４（３）に接触す
る側から、厚みが５０ｎｍのクロム（Ｃｒ）、同じく１
００ｎｍの白金（Ｐｔ）、同じく２００ｎｍの金（Ａ
ｕ）の３層の金属膜よりなる。図３に示すように、厚み
が３００μｍのパイレックスガラス基板よりなる厚手の
上部基板５ｋに、サンドブラスト加工などにより、直径
が５００μｍの孔５ｂを形成する。そして、図７および
図４に示すように、この孔５ｂの中央部に下地電極ｅ１
が位置するように、陽極接合により下部基板１と上部基
板５ｋを貼り合わせる。
【００２０】図８に示すように、厚みが３００μｍの厚
手の上部基板５ｋの表面を機械研磨して厚みが８０μｍ
の薄手の上部基板５とする。なお、この研磨のとき、下
地電極ｅ１を汚損から防止するため、孔５ｂ内にワック
スなどを充填して暫時保護してもよい。また、この機械
研磨のとき、研磨の砥流が、図５に示す凹部５ａに侵入
する懸念はない。それは、下部基板１（１ｃ、３、４）
と上部基板５ｋとが陽極接合により一体に接合されてい
るからである。
手の上部基板５ｋの表面を機械研磨して厚みが８０μｍ
の薄手の上部基板５とする。なお、この研磨のとき、下
地電極ｅ１を汚損から防止するため、孔５ｂ内にワック
スなどを充填して暫時保護してもよい。また、この機械
研磨のとき、研磨の砥流が、図５に示す凹部５ａに侵入
する懸念はない。それは、下部基板１（１ｃ、３、４）
と上部基板５ｋとが陽極接合により一体に接合されてい
るからである。
【００２１】図９に示すように、半田クリームを上部基
板５に印刷して、孔５ｂに半田クリーム６を充填する。
板５に印刷して、孔５ｂに半田クリーム６を充填する。
【００２２】図１０に示すように、半田クリーム６をリ
フロー炉などにより加熱溶融させ、その溶剤を蒸発させ
て半田をその表面張力により球体状に凝集させて、下地
電極ｅ１上に半田バンプｂ１を形成する。この半田バン
プｂ１の形状は、下地電極ｅ１の直径が２００μｍ、上
部基板５の厚みが８０μｍ、孔５ｂの直径が５００μｍ
に対し、高さが約２００μｍ、幅が約３００μｍの球体
状となる。したがって、この形成された半田バンプｂ１
は、孔５ｂから約１２０μｍ突出しており、これによ
り、半田バンプ接続電子部品を、図示しない実装基板に
接続することができる。なお、半田バンプｂ１の高さ及
び幅などの形状は、下地電極ｅ１の大きさ、孔５ｂの大
きさ及び高さ、使用する半田クリームの量、半田の組
成、印刷条件などにより決定される。
フロー炉などにより加熱溶融させ、その溶剤を蒸発させ
て半田をその表面張力により球体状に凝集させて、下地
電極ｅ１上に半田バンプｂ１を形成する。この半田バン
プｂ１の形状は、下地電極ｅ１の直径が２００μｍ、上
部基板５の厚みが８０μｍ、孔５ｂの直径が５００μｍ
に対し、高さが約２００μｍ、幅が約３００μｍの球体
状となる。したがって、この形成された半田バンプｂ１
は、孔５ｂから約１２０μｍ突出しており、これによ
り、半田バンプ接続電子部品を、図示しない実装基板に
接続することができる。なお、半田バンプｂ１の高さ及
び幅などの形状は、下地電極ｅ１の大きさ、孔５ｂの大
きさ及び高さ、使用する半田クリームの量、半田の組
成、印刷条件などにより決定される。
【００２３】
【発明の効果】請求項１に記載の半田バンプ接続電子部
品の発明は、下部基板に引出電極を兼ねる下地電極を形
成し、この下地電極上に上部基板の孔から突出する半田
バンプを形成しているので、従来のように、下部基板に
引出電極を形成し、上部基板に半田バンプ形成用の下地
電極を形成する必要が無く、また、これらの引出電極と
下地電極とを接続する配線パターンを設ける必要も無い
ので、小形化を実現することができる。
品の発明は、下部基板に引出電極を兼ねる下地電極を形
成し、この下地電極上に上部基板の孔から突出する半田
バンプを形成しているので、従来のように、下部基板に
引出電極を形成し、上部基板に半田バンプ形成用の下地
電極を形成する必要が無く、また、これらの引出電極と
下地電極とを接続する配線パターンを設ける必要も無い
ので、小形化を実現することができる。
【００２４】請求項２に記載の半田バンプ接続電子部品
の製造方法の発明は、半田バンプ形成用の半田クリーム
を上部基板に形成した孔内に充填し、この半田クリーム
を加熱溶融することで、下地電極上に半田をその表面張
力により球体状に凝集して孔から突出する半田バンプを
形成する。したがって、本発明においては、孔を有する
上部基板が半田クリーム印刷用のメタルマスクの機能を
果たし、従来必要としていたメタルマスクが不必要とな
る。また、本発明においては、半田バンプを形成する下
地電極が引出電極の機能も兼ねるので、従来のように、
引出電極と下地電極を別々に形成する必要もなく、した
がって、これらを接続する配線パターンも不必要とな
る。
の製造方法の発明は、半田バンプ形成用の半田クリーム
を上部基板に形成した孔内に充填し、この半田クリーム
を加熱溶融することで、下地電極上に半田をその表面張
力により球体状に凝集して孔から突出する半田バンプを
形成する。したがって、本発明においては、孔を有する
上部基板が半田クリーム印刷用のメタルマスクの機能を
果たし、従来必要としていたメタルマスクが不必要とな
る。また、本発明においては、半田バンプを形成する下
地電極が引出電極の機能も兼ねるので、従来のように、
引出電極と下地電極を別々に形成する必要もなく、した
がって、これらを接続する配線パターンも不必要とな
る。
【図１】 本発明の半田バンプ接続電子部品の一実施例
としての加速度センサの断面形態図
としての加速度センサの断面形態図
【図２】 図１に示す本実施例の下部基板の平面図
【図３】 図１に示す本実施例の上部基板の研磨前の平
面図
面図
【図４】 図２に示す下部基板の上に、図３に示す研磨
前の上部基板を陽極接合により貼り合わせた平面図
前の上部基板を陽極接合により貼り合わせた平面図
【図５】 図４において上部基板を研磨した後のＺ−Ｚ
線断面形態図
線断面形態図
【図６】 半田バンプの形成の態様を示すもので、固定
電極に下地電極を形成する工程図
電極に下地電極を形成する工程図
【図７】 同じく、孔を形成した厚手の上部基板を下部
基板に陽極接合により貼り合わせる工程図
基板に陽極接合により貼り合わせる工程図
【図８】 同じく、厚手の上部基板をその表面を研磨し
て薄く形成する工程図
て薄く形成する工程図
【図９】 同じく、上部基板の孔内に半田クリームを充
填する工程図
填する工程図
【図１０】 同じく、半田クリームを加熱溶融して半田
をその表面張力により球体状に凝集させて半田バンプを
形成する工程図
をその表面張力により球体状に凝集させて半田バンプを
形成する工程図
【図１１】 従来の半田バンプ接続電子部品としての加
速度センサの断面形態図
速度センサの断面形態図
１ 下部基板 １ａ 単結晶シリコン層 １ｂ 酸化シリコン層 １ｃ 単結晶シリコン層 ２ 振動体 ２ａ 支持梁 ２ｂ 可動櫛歯電極 ３、４ 固定電極 ４ａ 固定櫛歯電極 ５ 上部基板 ５ａ 凹部 ５ｂ 孔 ６ 半田クリーム ｅ１ 下地電極 ｂ１ 半田バンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 下部基板に形成した半田バンプ接続用の
下地電極が、上部基板に形成した孔内に位置するよう
に、前記下部基板と前記上部基板とが貼り合わされ、前
記下地電極には前記孔の直径より狭い幅を有し、かつ、
前記上部基板の厚みより厚い高さを有する前記半田バン
プが形成されて前記孔から突出している半田バンプ接続
電子部品。 - 【請求項２】 下部基板に半田バンプ接続用の下地電極
を形成する工程と、 前記下地電極が、上部基板に形成した孔内に位置するよ
うに、前記上部基板を前記下部基板に貼り合わせる工程
と、 半田クリームを前記孔内に充填する工程と、 前記半田クリームを加熱溶融して半田を凝集させ、前記
下地電極上に半田バンプを形成して前記孔より突出させ
る工程と、よりなる半田バンプ接続電子部品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9005575A JPH10209162A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半田バンプ接続電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9005575A JPH10209162A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半田バンプ接続電子部品およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209162A true JPH10209162A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11615028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9005575A Pending JPH10209162A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半田バンプ接続電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209162A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006098206A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージおよび圧力検出装置 |
| JP2008101980A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Denso Corp | 容量式半導体センサ装置 |
| JP2008135795A (ja) * | 1999-03-19 | 2008-06-12 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009170892A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Qimonda Ag | ハンダ接点およびその形成方法 |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP9005575A patent/JPH10209162A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135795A (ja) * | 1999-03-19 | 2008-06-12 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006098206A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージおよび圧力検出装置 |
| JP2008101980A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Denso Corp | 容量式半導体センサ装置 |
| US8156804B2 (en) | 2006-10-18 | 2012-04-17 | Denso Corporation | Capacitive semiconductor sensor |
| JP2009170892A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Qimonda Ag | ハンダ接点およびその形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0937985B1 (en) | A method of producing an acceleration sensor | |
| CN1612472B (zh) | 压电振动片、压电器件、便携电话和电子设备的制造方法 | |
| US20050205951A1 (en) | Flip chip bonded micro-electromechanical system (MEMS) device | |
| JP2013030759A (ja) | パッケージされたデバイス、パッケージング方法及びパッケージ材の製造方法 | |
| JPH08186467A (ja) | 拡がり振動型圧電振動子およびその製造方法 | |
| US7126262B2 (en) | Piezoelectric vibration gyro element, method for manufacturing the same, and piezoelectric vibration gyro sensor | |
| US5406108A (en) | Interconnection construction of semiconductor device | |
| JPH08233851A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| US20080116769A1 (en) | Method of manufacturing quartz resonator, quartz resonator and electronic part | |
| CN118412323A (zh) | 半导体装置以及振动器件 | |
| JPH10209162A (ja) | 半田バンプ接続電子部品およびその製造方法 | |
| JP4010218B2 (ja) | 圧電振動片の製造方法 | |
| JPH05121989A (ja) | 圧電素子の収納容器 | |
| JP3039355B2 (ja) | フィルム回路の製造方法 | |
| US20040263186A1 (en) | Capacitance type dynamic quantity sensor | |
| JP2001349732A (ja) | マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ | |
| JP2004364019A (ja) | 圧電振動片、圧電振動子、圧電発振器、ジャイロスコープセンサ、電子機器、及び製造方法 | |
| JPH08316778A (ja) | 表面弾性波デバイスの実装構造 | |
| JP2007205739A (ja) | 力学量センサおよび力学量センサの製造方法 | |
| JPH102741A (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
| JPH05191190A (ja) | 圧電素子のパッケージ方法 | |
| JP3435647B2 (ja) | 振動型半導体センサの製造方法 | |
| JP2000150916A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013173221A (ja) | 伝導性ピラーに関するシステムおよび方法 | |
| JP2000082936A (ja) | 音叉型水晶振動子及び発振子 |