JPH102741A - 圧電振動子の製造方法 - Google Patents
圧電振動子の製造方法Info
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- JPH102741A JPH102741A JP8155673A JP15567396A JPH102741A JP H102741 A JPH102741 A JP H102741A JP 8155673 A JP8155673 A JP 8155673A JP 15567396 A JP15567396 A JP 15567396A JP H102741 A JPH102741 A JP H102741A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】圧電素子をその振動のノードにおいて支持基板
に限定的かつ高精度に支持させることのできる支持体を
ハンダバンプにより形成することにより、自由振動を助
長して特性を安定させた圧電振動子の製造方法を提供す
ることである。 【解決手段】電極2の形成された圧電素子1aの一つの
主面に、この圧電素子1aの支持部に開口3aを有する
ソルダーレジスト3を形成する工程と、圧電素子1aに
おけるソルダーレジスト3の開口3aに位置する電極2
の開口部位にハンダバンプ4を形成する工程と、支持基
板5の支持電極5aにハンダバンプ4を結合することに
より、圧電素子1aを支持基板5に取り付ける工程と、
ソルダーレジスト3を除去する工程とを用いて圧電振動
子を製造する。
に限定的かつ高精度に支持させることのできる支持体を
ハンダバンプにより形成することにより、自由振動を助
長して特性を安定させた圧電振動子の製造方法を提供す
ることである。 【解決手段】電極2の形成された圧電素子1aの一つの
主面に、この圧電素子1aの支持部に開口3aを有する
ソルダーレジスト3を形成する工程と、圧電素子1aに
おけるソルダーレジスト3の開口3aに位置する電極2
の開口部位にハンダバンプ4を形成する工程と、支持基
板5の支持電極5aにハンダバンプ4を結合することに
より、圧電素子1aを支持基板5に取り付ける工程と、
ソルダーレジスト3を除去する工程とを用いて圧電振動
子を製造する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、振動ジャイロ、発
振子、共振子、フィルタなどに使用される圧電振動子の
製造方法に関する。
振子、共振子、フィルタなどに使用される圧電振動子の
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の圧電振動子の製造方法について図
13から図17を参照して説明する。まず、図13にお
いて、50は直方体状の圧電素子で、その対向する両面
には電極51がそれぞれ形成されている。この圧電素子
50は、いろいろの振動モードを有しているが、そのう
ち屈曲振動モードのノード52が破線で示す部位とな
る。一方、53は支持基板である。圧電素子50を支持
基板53に取り付けるに際しては、圧電素子50の屈曲
振動を抑圧しないように、圧電素子50のノード52で
支持する必要がある。
13から図17を参照して説明する。まず、図13にお
いて、50は直方体状の圧電素子で、その対向する両面
には電極51がそれぞれ形成されている。この圧電素子
50は、いろいろの振動モードを有しているが、そのう
ち屈曲振動モードのノード52が破線で示す部位とな
る。一方、53は支持基板である。圧電素子50を支持
基板53に取り付けるに際しては、圧電素子50の屈曲
振動を抑圧しないように、圧電素子50のノード52で
支持する必要がある。
【0003】この支持体の製造方法として、従来、ディ
スペンサ若しくは印刷機により、導電性若しくはハンダ
ペースト54を圧電素子50のノード52の部位に塗布
し、このペースト54の塗布された圧電素子50を、図
14に示すように、支持基板53上に載置して、支持基
板53に形成された支持電極53a上にペースト54を
当接する。そして、適宜の押圧力を圧電素子50に加え
て、ペースト54を硬化もしくは溶融固化させて、支持
基板53に圧電素子50を固定させていた。
スペンサ若しくは印刷機により、導電性若しくはハンダ
ペースト54を圧電素子50のノード52の部位に塗布
し、このペースト54の塗布された圧電素子50を、図
14に示すように、支持基板53上に載置して、支持基
板53に形成された支持電極53a上にペースト54を
当接する。そして、適宜の押圧力を圧電素子50に加え
て、ペースト54を硬化もしくは溶融固化させて、支持
基板53に圧電素子50を固定させていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
圧電振動子の製造方法においては、ディスペンサ若しく
は印刷機によりペースト54を塗布しているので、経時
的かつ連続作業において、ペースト54の粘度変化また
は作業環境の変化により、塗布量がばらつき、塗布面積
が変化していた。そのため、圧電素子50がそのノード
52の適正部位で支持されず、圧電振動子の特性がばら
ついていた。したがって、塗布量を一定に保持するため
に、ペースト54の粘度や温度などの作業環境を一定に
管理する必要があり、作業の効率低下を招いていた。
圧電振動子の製造方法においては、ディスペンサ若しく
は印刷機によりペースト54を塗布しているので、経時
的かつ連続作業において、ペースト54の粘度変化また
は作業環境の変化により、塗布量がばらつき、塗布面積
が変化していた。そのため、圧電素子50がそのノード
52の適正部位で支持されず、圧電振動子の特性がばら
ついていた。したがって、塗布量を一定に保持するため
に、ペースト54の粘度や温度などの作業環境を一定に
管理する必要があり、作業の効率低下を招いていた。
【0005】また、ペースト55が溶融した際に、図1
5に示すように、圧電素子50が支持基板53に対し、
長手方向に傾斜して固定されたり、また、図16に示す
ように、短手方向に傾斜して固定されたり、また図17
に示すように、水平方向に回動して固定されるという問
題があった。特に、振動ジャイロ用の圧電素子50の場
合には、支持基板53に対する圧電素子50の固定角度
および傾き精度が重要であり、この圧電素子50を精度
よく支持基板53に固定するために高額な設備を要して
いた。
5に示すように、圧電素子50が支持基板53に対し、
長手方向に傾斜して固定されたり、また、図16に示す
ように、短手方向に傾斜して固定されたり、また図17
に示すように、水平方向に回動して固定されるという問
題があった。特に、振動ジャイロ用の圧電素子50の場
合には、支持基板53に対する圧電素子50の固定角度
および傾き精度が重要であり、この圧電素子50を精度
よく支持基板53に固定するために高額な設備を要して
いた。
【0006】したがって、本発明は、圧電素子をその振
動のノードにおいて支持基板に局部的かつ高精度に支持
させることにより、自由振動を助長して特性を安定させ
た圧電振動子の製造方法を提供することを目的とする。
動のノードにおいて支持基板に局部的かつ高精度に支持
させることにより、自由振動を助長して特性を安定させ
た圧電振動子の製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、下記の解決手段を採ることを特徴とす
る。即ち、第1の発明は、電極の形成された圧電素子の
一つの主面に、この圧電素子の支持部に開口部を有する
ソルダーレジストを形成する工程と、前記ソルダーレジ
ストの前記開口部に位置する前記電極の開口部位にハン
ダバンプを形成する工程と、支持基板の支持電極に前記
ハンダバンプを結合することにより、前記圧電素子を前
記支持基板に取り付ける工程と、前記ソルダーレジスト
を除去する工程とよりなる。
成するために、下記の解決手段を採ることを特徴とす
る。即ち、第1の発明は、電極の形成された圧電素子の
一つの主面に、この圧電素子の支持部に開口部を有する
ソルダーレジストを形成する工程と、前記ソルダーレジ
ストの前記開口部に位置する前記電極の開口部位にハン
ダバンプを形成する工程と、支持基板の支持電極に前記
ハンダバンプを結合することにより、前記圧電素子を前
記支持基板に取り付ける工程と、前記ソルダーレジスト
を除去する工程とよりなる。
【0008】この発明は、圧電素子の振動のノードとな
る部位に開口を有するソルダーレジストを形成し、この
ソルダーレジストの開口の位置する圧電素子の開口部位
にハンダバンプを形成して、圧電素子の振動のノードに
おいて支持箇所となる支持部を支持基板の支持電極に結
合するので、ハンダパンプが溶融したとき、その溶融面
積が前記開口の大きさに限定されて、それ以上に拡大せ
ず、圧電素子の振動のノードの適正部位において限定的
に圧電素子を支持基板に固定することができる。
る部位に開口を有するソルダーレジストを形成し、この
ソルダーレジストの開口の位置する圧電素子の開口部位
にハンダバンプを形成して、圧電素子の振動のノードに
おいて支持箇所となる支持部を支持基板の支持電極に結
合するので、ハンダパンプが溶融したとき、その溶融面
積が前記開口の大きさに限定されて、それ以上に拡大せ
ず、圧電素子の振動のノードの適正部位において限定的
に圧電素子を支持基板に固定することができる。
【0009】また、この発明においては、ソルダーレジ
ストが支持基板と圧電素子との間に介在して、圧電素子
が支持基板に対しほぼ水平に維持されて、圧電素子がそ
の長手方向もしくは短手方向に傾斜したり、または水平
方向に回動することがない。第2の発明は、電極の形成
された圧電基板の一つの主面に、等間隔に配列された複
数個の開口部を有するソルダーレジストを形成する工程
と、前記圧電基板を前記ソルダーレジストの前記開口部
を有する複数個の圧電素子に分割する工程と、前記圧電
素子における前記ソルダーレジストの前記開口部に位置
する前記電極の開口部位にハンダバンプを形成する工程
と、支持基板の支持電極に前記ハンダバンプを結合する
ことにより、前記圧電素子を前記支持基板に取り付ける
工程と、前記ソルダーレジストを除去する工程とよりな
る。
ストが支持基板と圧電素子との間に介在して、圧電素子
が支持基板に対しほぼ水平に維持されて、圧電素子がそ
の長手方向もしくは短手方向に傾斜したり、または水平
方向に回動することがない。第2の発明は、電極の形成
された圧電基板の一つの主面に、等間隔に配列された複
数個の開口部を有するソルダーレジストを形成する工程
と、前記圧電基板を前記ソルダーレジストの前記開口部
を有する複数個の圧電素子に分割する工程と、前記圧電
素子における前記ソルダーレジストの前記開口部に位置
する前記電極の開口部位にハンダバンプを形成する工程
と、支持基板の支持電極に前記ハンダバンプを結合する
ことにより、前記圧電素子を前記支持基板に取り付ける
工程と、前記ソルダーレジストを除去する工程とよりな
る。
【0010】この発明は、第1の発明の有する作用に加
えるに、特に、圧電基板にソルダーレジストを一括して
形成し、その後圧電基板を個別の圧電素子に分割して、
個別の圧電素子ごとにハンダバンプを形成することがで
きる。
えるに、特に、圧電基板にソルダーレジストを一括して
形成し、その後圧電基板を個別の圧電素子に分割して、
個別の圧電素子ごとにハンダバンプを形成することがで
きる。
【0011】第3の発明は、電極の形成された圧電基板
の一つの主面に、複数個の開口部を有するソルダーレジ
ストを形成する工程と、前記圧電基板における前記ソル
ダーレジストの前記開口部に位置する前記電極の開口部
位にハンダバンプを形成する工程と、前記圧電基板を前
記ハンダバンプを有する複数個の圧電素子に分割する工
程と、支持基板の支持電極に前記圧電素子の前記ハンダ
バンプを結合することにより、前記圧電素子を前記支持
基板に取り付ける工程と、前記ソルダーレジストを除去
する工程とよりなる。
の一つの主面に、複数個の開口部を有するソルダーレジ
ストを形成する工程と、前記圧電基板における前記ソル
ダーレジストの前記開口部に位置する前記電極の開口部
位にハンダバンプを形成する工程と、前記圧電基板を前
記ハンダバンプを有する複数個の圧電素子に分割する工
程と、支持基板の支持電極に前記圧電素子の前記ハンダ
バンプを結合することにより、前記圧電素子を前記支持
基板に取り付ける工程と、前記ソルダーレジストを除去
する工程とよりなる。
【0012】この発明は、第1の発明の有する作用に加
えるに、特に、圧電基板に複数個の開口部を有するソル
ダーレジストを形成し、そしてこの開口部位にハンダバ
ンプを形成した後、圧電基板を各圧電素子に分割するの
で、圧電基板にソルダーレジストとハンダバンプを一括
して形成できる。
えるに、特に、圧電基板に複数個の開口部を有するソル
ダーレジストを形成し、そしてこの開口部位にハンダバ
ンプを形成した後、圧電基板を各圧電素子に分割するの
で、圧電基板にソルダーレジストとハンダバンプを一括
して形成できる。
【0013】第4の発明は、電極の形成された支持基板
の一つの主面に、少なくとも一つの開口部を有するソル
ダーレジストを形成する工程と、前記支持基板における
前記ソルダーレジストの前記開口部に位置する前記電極
の開口部位にハンダバンプを形成する工程と、前記ハン
ダバンプに圧電素子の支持部を結合することにより、前
記支持基板に前記圧電素子を取り付ける工程と、前記ソ
ルダーレジストを除去する工程とよりなる。
の一つの主面に、少なくとも一つの開口部を有するソル
ダーレジストを形成する工程と、前記支持基板における
前記ソルダーレジストの前記開口部に位置する前記電極
の開口部位にハンダバンプを形成する工程と、前記ハン
ダバンプに圧電素子の支持部を結合することにより、前
記支持基板に前記圧電素子を取り付ける工程と、前記ソ
ルダーレジストを除去する工程とよりなる。
【0014】この発明は、第1の発明とは反対に、支持
基板に開口部を有するソルダーレジストを形成し、この
開口部にハンダバンプを形成して、このハンダバンプに
圧電素子のノードの支持部を結合する。即ち、第1の発
明が、圧電基板にソルダーレジストとハンダバンプを形
成するのに対して、この発明は、支持基板にソルダーレ
ジストとハンダバンプを形成する。しかしながら、この
相違があったにしても、第1の発明において記述した作
用とほぼ同様の作用を有している。
基板に開口部を有するソルダーレジストを形成し、この
開口部にハンダバンプを形成して、このハンダバンプに
圧電素子のノードの支持部を結合する。即ち、第1の発
明が、圧電基板にソルダーレジストとハンダバンプを形
成するのに対して、この発明は、支持基板にソルダーレ
ジストとハンダバンプを形成する。しかしながら、この
相違があったにしても、第1の発明において記述した作
用とほぼ同様の作用を有している。
【0015】第5の発明は、電極の形成された圧電基板
の一つの主面に、複数個の開口部を有するソルダーレジ
ストを形成する工程と、前記圧電基板における前記ソル
ダーレジストの前記開口部に位置する前記電極の開口部
位にハンダバンプを形成する工程と、複数個の支持電極
が形成された絶縁基板の該支持電極に前記圧電基板の前
記ハンダバンプを結合することにより、前記圧電基板を
前記絶縁基板に取り付ける工程と、前記圧電基板と絶縁
基板の結合体を複数個の圧電振動子に分割する工程と、
前記ソルダーレジストを除去する工程とよりなる。
の一つの主面に、複数個の開口部を有するソルダーレジ
ストを形成する工程と、前記圧電基板における前記ソル
ダーレジストの前記開口部に位置する前記電極の開口部
位にハンダバンプを形成する工程と、複数個の支持電極
が形成された絶縁基板の該支持電極に前記圧電基板の前
記ハンダバンプを結合することにより、前記圧電基板を
前記絶縁基板に取り付ける工程と、前記圧電基板と絶縁
基板の結合体を複数個の圧電振動子に分割する工程と、
前記ソルダーレジストを除去する工程とよりなる。
【0016】この発明は、第1の発明の有する作用に加
えるに、特に、圧電基板にソルダーレジストとハンダバ
ンプを形成した後、圧電基板を圧電素子に分割せずに、
直接圧電基板を絶縁基板にハンダバンプを介して結合
し、その後、複数個の圧電振動子に分割する。したがっ
て、ソルダーレジストの形成、ハンダバンプの形成、ハ
ンダバンプの結合、およびチップ(圧電振動子)へのダ
イシングを一括して処理できることになる。
えるに、特に、圧電基板にソルダーレジストとハンダバ
ンプを形成した後、圧電基板を圧電素子に分割せずに、
直接圧電基板を絶縁基板にハンダバンプを介して結合
し、その後、複数個の圧電振動子に分割する。したがっ
て、ソルダーレジストの形成、ハンダバンプの形成、ハ
ンダバンプの結合、およびチップ(圧電振動子)へのダ
イシングを一括して処理できることになる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る圧電振動子
の製造方法の第1実施例について図1から図7を参照し
て説明する。まず、図1において、1は圧電基板で、例
えば、圧電性のセラミックス、ニオブ酸リチウム、タン
タル酸リチウム、水晶などの圧電体よりなる。この圧電
基板1の両面には、電極2が形成されている。そして、
この圧電基板1は、破線で示すように、後工程におい
て、複数個の圧電素子1aに分割される。
の製造方法の第1実施例について図1から図7を参照し
て説明する。まず、図1において、1は圧電基板で、例
えば、圧電性のセラミックス、ニオブ酸リチウム、タン
タル酸リチウム、水晶などの圧電体よりなる。この圧電
基板1の両面には、電極2が形成されている。そして、
この圧電基板1は、破線で示すように、後工程におい
て、複数個の圧電素子1aに分割される。
【0018】図2において、圧電基板1の電極2の一つ
の主面には、ソルダーレジスト3が形成される。このソ
ルダーレジスト3は、分割される各圧電素子1aの屈曲
振動のノードに当たる支持部位に、開口3aを有してい
る。この開口3aは、例えば、レジストマスク、あるい
はフォトエッチングなどにより形成される。また、この
開口3aの形状は、円形、楕円形、矩形、帯状などいか
ような形状でもよいが、本実施例の振動ジャイロ用の圧
電振動子においては、直径(幅)が例えば、0.1〜
0.2mmである。そして、この開口3aの直径(幅)
は、後述のハンダバンプが溶融して広がる範囲を制限す
るものである。
の主面には、ソルダーレジスト3が形成される。このソ
ルダーレジスト3は、分割される各圧電素子1aの屈曲
振動のノードに当たる支持部位に、開口3aを有してい
る。この開口3aは、例えば、レジストマスク、あるい
はフォトエッチングなどにより形成される。また、この
開口3aの形状は、円形、楕円形、矩形、帯状などいか
ような形状でもよいが、本実施例の振動ジャイロ用の圧
電振動子においては、直径(幅)が例えば、0.1〜
0.2mmである。そして、この開口3aの直径(幅)
は、後述のハンダバンプが溶融して広がる範囲を制限す
るものである。
【0019】図3および詳細には図4において、ソルダ
ーレジスト3の開口3aに位置する電極2の開口部位2
aには、例えば、ソルダーレジスト3の厚みの2倍程度
の高さを有するハンダバンプ4が形成される。このハン
ダバンプ4は、ソルダーレジスト3の開口3aの大きさ
よりもやや小さく且つ高く形成される。具体的に言う
と、20〜50μmのソルダーレジストの厚みに対して
ハンダバンプの高さは100μmである。このハンダバ
ンプ4は、ワイヤボンディング法、ハンダボール法、印
刷法、浸漬法など従来既知の手段によりに形成される。
この場合、ハンダバンプ4の体積は、開口部3aの容積
と同じか、または僅かに小さく形成される。このよう
に、ハンダバンプ4の形成された圧電基板1は、破線で
示すように、複数個の圧電素子1aに、例えば、ダイシ
ングマシーンにより切断分割される。図5において、分
割された圧電素子1aは支持基板5に対してハンダバン
プ4側を対向させて(下向きにして)配置される。支持
基板5は、例えば、多層基板から作られ、その表面に
は、支持電極5aが設けられている。好ましくは、支持
電極5a部分を除く多層基板表面には、はんだ濡れ防止
膜が設けられ、支持電極と面一になっている。支持基板
5は各圧電素子1aごとに用意されている。
ーレジスト3の開口3aに位置する電極2の開口部位2
aには、例えば、ソルダーレジスト3の厚みの2倍程度
の高さを有するハンダバンプ4が形成される。このハン
ダバンプ4は、ソルダーレジスト3の開口3aの大きさ
よりもやや小さく且つ高く形成される。具体的に言う
と、20〜50μmのソルダーレジストの厚みに対して
ハンダバンプの高さは100μmである。このハンダバ
ンプ4は、ワイヤボンディング法、ハンダボール法、印
刷法、浸漬法など従来既知の手段によりに形成される。
この場合、ハンダバンプ4の体積は、開口部3aの容積
と同じか、または僅かに小さく形成される。このよう
に、ハンダバンプ4の形成された圧電基板1は、破線で
示すように、複数個の圧電素子1aに、例えば、ダイシ
ングマシーンにより切断分割される。図5において、分
割された圧電素子1aは支持基板5に対してハンダバン
プ4側を対向させて(下向きにして)配置される。支持
基板5は、例えば、多層基板から作られ、その表面に
は、支持電極5aが設けられている。好ましくは、支持
電極5a部分を除く多層基板表面には、はんだ濡れ防止
膜が設けられ、支持電極と面一になっている。支持基板
5は各圧電素子1aごとに用意されている。
【0020】図6において、支持基板5上に圧電素子1
aを載置し、ハンダバンプ4を支持基板5の上にハンダ
バンプ4の位置に対応して設けた支持電極5aに当接す
る。その後、赤外線炉、オーブンなどによりハンダバン
プ4を溶融させながら、ソルダーレジスト3の表面を支
持基板5の表面に接触させる。この結果、ハンダバンプ
4は、ソルダーレジスト3の開口3aの形状の影響を受
けて変形し、支持体4aとして固化させる。このハンダ
バンプ4が溶融固化する際、その整列作用により圧電素
子1aは自動的に支持基板5の適正位置に整列して固定
さる。支持電極5aは、ハンダバンプ4の直径に対して
極端に小さくなければ任意の形状および大きさでよい。
また、支持電極5aは、圧電素子1aの引出電極も兼ね
ており、支持基板5に設けた配線パターンに接続されて
いる。
aを載置し、ハンダバンプ4を支持基板5の上にハンダ
バンプ4の位置に対応して設けた支持電極5aに当接す
る。その後、赤外線炉、オーブンなどによりハンダバン
プ4を溶融させながら、ソルダーレジスト3の表面を支
持基板5の表面に接触させる。この結果、ハンダバンプ
4は、ソルダーレジスト3の開口3aの形状の影響を受
けて変形し、支持体4aとして固化させる。このハンダ
バンプ4が溶融固化する際、その整列作用により圧電素
子1aは自動的に支持基板5の適正位置に整列して固定
さる。支持電極5aは、ハンダバンプ4の直径に対して
極端に小さくなければ任意の形状および大きさでよい。
また、支持電極5aは、圧電素子1aの引出電極も兼ね
ており、支持基板5に設けた配線パターンに接続されて
いる。
【0021】図7において、支持基板5に固定された圧
電素子1aは、レジスト剥離溶剤に浸漬されてソルダー
レジスト3を剥離され、洗浄される。圧電素子1aは、
ハンダバンプ4が溶融固化して変形した支持体4aによ
り、そのノード部位を限定的に支持され、この支持体4
aは圧電素子1aを支持する強度と支持基板5の支持電
極5aに電気的接続を与えることになる。そして、圧電
素子1aの残りの電極2からは、振動のノード点におい
てリード線rが導出されて、圧電振動子が製造される。
電素子1aは、レジスト剥離溶剤に浸漬されてソルダー
レジスト3を剥離され、洗浄される。圧電素子1aは、
ハンダバンプ4が溶融固化して変形した支持体4aによ
り、そのノード部位を限定的に支持され、この支持体4
aは圧電素子1aを支持する強度と支持基板5の支持電
極5aに電気的接続を与えることになる。そして、圧電
素子1aの残りの電極2からは、振動のノード点におい
てリード線rが導出されて、圧電振動子が製造される。
【0022】次に、本発明の第2実施例について図8か
ら図12を参照して説明する。本実施例は、第1実施例
がソルダーレジストおよびハンダバンプを圧電基板(圧
電素子)側に形成したのに対し、絶縁基板(支持基板)
側に形成したところが第1実施例と相違する。
ら図12を参照して説明する。本実施例は、第1実施例
がソルダーレジストおよびハンダバンプを圧電基板(圧
電素子)側に形成したのに対し、絶縁基板(支持基板)
側に形成したところが第1実施例と相違する。
【0023】まず、図8において、6は絶縁基板で、樹
脂基板、セラミックス基板などよりなる。この絶縁基板
6の一つの主面の全面には電極7が形成されている。そ
して、この電極7の上には、ソルダーレジスト3が形成
される。このソルダーレジスト3は、後工程において絶
縁基板6が破線で示すように、複数個の支持基板6aに
分割されるが、この分割される各支持基板6aの長手方
向に2個ずつの開口3aを有している。この開口3aの
大きさなどの性質、作用、機能などは第1実施例におい
て説明したところと同様である。
脂基板、セラミックス基板などよりなる。この絶縁基板
6の一つの主面の全面には電極7が形成されている。そ
して、この電極7の上には、ソルダーレジスト3が形成
される。このソルダーレジスト3は、後工程において絶
縁基板6が破線で示すように、複数個の支持基板6aに
分割されるが、この分割される各支持基板6aの長手方
向に2個ずつの開口3aを有している。この開口3aの
大きさなどの性質、作用、機能などは第1実施例におい
て説明したところと同様である。
【0024】つぎに、図9において、ソルダーレジスト
3の開口3aに位置する電極7の開口部位7a(図4に
おける開口部位2aに相当する)には、ハンダバンプ4
が形成される。このハンダバンプ4の性質、作用、機能
などは第1実施例の説明と同様である。このように、ハ
ンダバンプ4の形成された絶縁基板6は、破線で示すよ
うに、複数個の支持基板6aに切断分割される。
3の開口3aに位置する電極7の開口部位7a(図4に
おける開口部位2aに相当する)には、ハンダバンプ4
が形成される。このハンダバンプ4の性質、作用、機能
などは第1実施例の説明と同様である。このように、ハ
ンダバンプ4の形成された絶縁基板6は、破線で示すよ
うに、複数個の支持基板6aに切断分割される。
【0025】図10において、分割された支持基板6a
は、ハンダバンプ4側を上にして配置され、且つ、その
上には、両面に電極2の形成された圧電素子1aが破線
で示すノードnをハンダバンプ4に対応させるようにし
て配置される。なお、この図10は第1実施例における
図5に相応する。また、各圧電素子1aは、図1に示す
圧電基板1を切断することにより形成されている。
は、ハンダバンプ4側を上にして配置され、且つ、その
上には、両面に電極2の形成された圧電素子1aが破線
で示すノードnをハンダバンプ4に対応させるようにし
て配置される。なお、この図10は第1実施例における
図5に相応する。また、各圧電素子1aは、図1に示す
圧電基板1を切断することにより形成されている。
【0026】図11において、支持基板6a上に圧電素
子1aを載置して、ハンダバンプ4に圧電素子の1aの
ノードn部位を当接し、このハンダバンプ4を溶融固化
させて、支持体4aを形成する。圧電素子1aは、第1
実施例と同様に、ハンダバンプ4が溶融固化して変形し
た支持体4aにより、その振動のノード部位を限定的に
支持されることになる。なお、この図11は第1実施例
における図6に相応する。この場合、ハンダバンプ4の
溶融による自己整列作用はない。
子1aを載置して、ハンダバンプ4に圧電素子の1aの
ノードn部位を当接し、このハンダバンプ4を溶融固化
させて、支持体4aを形成する。圧電素子1aは、第1
実施例と同様に、ハンダバンプ4が溶融固化して変形し
た支持体4aにより、その振動のノード部位を限定的に
支持されることになる。なお、この図11は第1実施例
における図6に相応する。この場合、ハンダバンプ4の
溶融による自己整列作用はない。
【0027】図12において、支持体4aを介して一体
に固定された支持基板6aと圧電素子1aは、レジスト
剥離溶剤に浸漬されてソルダーレジスト3を剥離され、
洗浄される。圧電素子1aの残りの電極と支持基板6a
の電極7にはそれぞれリード線rが付与されて圧電振動
子となる。
に固定された支持基板6aと圧電素子1aは、レジスト
剥離溶剤に浸漬されてソルダーレジスト3を剥離され、
洗浄される。圧電素子1aの残りの電極と支持基板6a
の電極7にはそれぞれリード線rが付与されて圧電振動
子となる。
【0028】なお、第1実施例において製造された図7
に示す圧電振動子および第2実施例において製造された
図12に示す圧電振動子は、2電極構造のものである
が、振動ジャイロスコープなどにおいては、同図に示す
支持基板6aと反対側の電極2が多分割されて駆動用電
極とコリオリ力振動の検出用電極として使用される。
に示す圧電振動子および第2実施例において製造された
図12に示す圧電振動子は、2電極構造のものである
が、振動ジャイロスコープなどにおいては、同図に示す
支持基板6aと反対側の電極2が多分割されて駆動用電
極とコリオリ力振動の検出用電極として使用される。
【0029】第1実施例においては、圧電基板1にソル
ダーレジスト3およびハンダバンプ4を形成した後、こ
の圧電基板1を切断したが、圧電基板1にソルダーレジ
スト3を形成した後、圧電素子1aに切断し、その後、
この圧電素子1aにハンダバンプ4を形成してもよい。
ダーレジスト3およびハンダバンプ4を形成した後、こ
の圧電基板1を切断したが、圧電基板1にソルダーレジ
スト3を形成した後、圧電素子1aに切断し、その後、
この圧電素子1aにハンダバンプ4を形成してもよい。
【0030】また、第2実施例においては、絶縁基板6
にソルダーレジスト3およびハンダバンプ4を形成した
後、この絶縁基板6を切断したが、ソルダーレジスト3
の形成された絶縁基板6を支持基板6aに切断した後、
この支持基板6aにハンダバンプ4を形成してもよい。
にソルダーレジスト3およびハンダバンプ4を形成した
後、この絶縁基板6を切断したが、ソルダーレジスト3
の形成された絶縁基板6を支持基板6aに切断した後、
この支持基板6aにハンダバンプ4を形成してもよい。
【0031】上記各実施例においては、圧電基板1およ
び圧電素子1aは、単板構造のものを示したが、バイモ
ルフ構造あるいは多層構造のものでもよい。
び圧電素子1aは、単板構造のものを示したが、バイモ
ルフ構造あるいは多層構造のものでもよい。
【0032】上記各実施例においては、ハンダバンプ4
の形成された圧電基板1または絶縁基板6を圧電素子1
aまたは支持基板5aにそれぞれ切断した後、圧電素子
1aと支持基板5aとのハンダバンプ4による結合を行
ったが、ソルダーレジスト3とハンダバンプ4がいずれ
かに形成された圧電基板1と絶縁基板6とを、ハンダバ
ンプ4を介して結合した後、圧電基板1と絶縁基板6の
結合体をダイシングしてチップ(圧電振動子)に分離し
て、各チップ毎にソルダーレジスト3を除去してもよ
い。
の形成された圧電基板1または絶縁基板6を圧電素子1
aまたは支持基板5aにそれぞれ切断した後、圧電素子
1aと支持基板5aとのハンダバンプ4による結合を行
ったが、ソルダーレジスト3とハンダバンプ4がいずれ
かに形成された圧電基板1と絶縁基板6とを、ハンダバ
ンプ4を介して結合した後、圧電基板1と絶縁基板6の
結合体をダイシングしてチップ(圧電振動子)に分離し
て、各チップ毎にソルダーレジスト3を除去してもよ
い。
【0033】上記実施例においては、ノードを二つ有
し、この二つのノードをそれぞれ支持する両持梁構造の
圧電振動子について説明したが、本発明は、一つのノー
ドを支持する片持梁構造の圧電振動子にも適用できる。
し、この二つのノードをそれぞれ支持する両持梁構造の
圧電振動子について説明したが、本発明は、一つのノー
ドを支持する片持梁構造の圧電振動子にも適用できる。
【0034】
【発明の効果】本発明は、圧電素子(圧電基板)または
支持基板(絶縁基板)に開口を有するソルダーレジスト
を形成する。この開口を通してハンダバンプを形成し、
このハンダバンプの溶融硬化により形成された支持体に
より圧電素子は、支持基板に固定される。この支持体の
形状、大きさは、開口の形状、大きさに依存しているの
で、振動ノードの適正位置に限定的かつ高精度に任意形
状の支持体を形成し、自由振動の抑圧されない、特性の
揃った圧電振動子を製造することができる。
支持基板(絶縁基板)に開口を有するソルダーレジスト
を形成する。この開口を通してハンダバンプを形成し、
このハンダバンプの溶融硬化により形成された支持体に
より圧電素子は、支持基板に固定される。この支持体の
形状、大きさは、開口の形状、大きさに依存しているの
で、振動ノードの適正位置に限定的かつ高精度に任意形
状の支持体を形成し、自由振動の抑圧されない、特性の
揃った圧電振動子を製造することができる。
【0035】また、ソルダーレジストは、ハンダバンプ
が溶融したとき、圧電振動子を支持基板に対して水平方
向に維持する作用があるので、ハンダ溶融時のセルフア
ラインメント(自己整列作用)と併せて、圧電振動子
は、傾きなく、適正に固定される。
が溶融したとき、圧電振動子を支持基板に対して水平方
向に維持する作用があるので、ハンダ溶融時のセルフア
ラインメント(自己整列作用)と併せて、圧電振動子
は、傾きなく、適正に固定される。
【図1】 本発明に係る圧電振動子の製造方法の第1実
施例において、圧電基板に電極を形成する工程図
施例において、圧電基板に電極を形成する工程図
【図2】 圧電基板に複数個の開口を有するソルダーレ
ジストを形成する工程図
ジストを形成する工程図
【図3】 ソルダーレジストの開口を介して圧電基板に
ハンダバンプを形成する工程図
ハンダバンプを形成する工程図
【図4】 図3に示すソルダーレジストの開口部の拡大
断面図
断面図
【図5】 支持基板に対し圧電素子を配置する工程図
【図6】 支持基板と圧電素子とをハンダバンプにより
結合固定する工程図
結合固定する工程図
【図7】 ソルダーレジストを除去する工程図
【図8】 本発明に係る圧電振動子の製造方法の第2実
施例において、絶縁基板に複数個の開口を有するソルダ
ーレジストを形成する工程図
施例において、絶縁基板に複数個の開口を有するソルダ
ーレジストを形成する工程図
【図9】 ソルダーレジストの開口を介して絶縁基板に
ハンダバンプを形成する工程図
ハンダバンプを形成する工程図
【図10】 支持基板に対し圧電素子を配置する工程図
【図11】 支持基板と圧電素子とをハンダバンプによ
り結合固定する工程図
り結合固定する工程図
【図12】 ソルダーレジストを除去する工程図
【図13】 従来の圧電振動子の製造方法において、支
持基板に対して支持体としてハンダペーストを塗布した
圧電素子を配置する工程図
持基板に対して支持体としてハンダペーストを塗布した
圧電素子を配置する工程図
【図14】 従来の圧電振動子の製造方法において、支
持基板と圧電素子とをハンダペーストにより結合固定す
る工程図
持基板と圧電素子とをハンダペーストにより結合固定す
る工程図
【図15】 従来の製造方法において製造された圧電振
動子の長手方向への傾斜を示す図
動子の長手方向への傾斜を示す図
【図16】 従来の製造方法において製造された圧電振
動子の横方向への傾斜を示す図
動子の横方向への傾斜を示す図
【図17】 従来の製造方法において製造された圧電振
動子の平面方向への回動を示す図
動子の平面方向への回動を示す図
1 圧電基板 1a 圧電素子 2、7 電極 2a、7a 開口部位 3 ソルダーレジスト 3a 開口 4 ハンダバンプ 4a 支持体 5 支持基板 5a 支持電極 6 絶縁基板 6a 支持基板 r リード線
Claims (5)
- 【請求項1】 電極の形成された圧電素子の一つの主面
に、この圧電素子の支持部に開口部を有するソルダ−レ
ジストを形成する工程と、 前記ソルダ−レジストの前記開口部に位置する前記電極
の開口部位にハンダバンプを形成する工程と、 支持基板の支持電極に前記ハンダバンプを結合すること
により、前記圧電素子を前記支持基板に取り付ける工程
と、 前記ソルダーレジストを除去する工程と、 よりなる圧電振動子の製造方法。 - 【請求項2】 電極の形成された圧電基板の一つの主面
に、等間隔に配列された複数個の開口部を有するソルダ
ーレジストを形成する工程と、 前記圧電基板を前記ソルダーレジストの前記開口部を有
する複数個の圧電素子に分割する工程と、 前記圧電素子における前記ソルダーレジストの前記開口
部に位置する前記電極の開口部位にハンダバンプを形成
する工程と、 支持基板の支持電極に前記ハンダバンプを結合すること
により、前記圧電素子を前記支持基板に取り付ける工程
と、 前記ソルダーレジストを除去する工程と、 よりなる圧電振動子の製造方法。 - 【請求項3】 電極の形成された圧電基板の一つの主面
に、等間隔に配列された複数個の開口部を有するソルダ
ーレジストを形成する工程と、 前記圧電基板における前記ソルダーレジストの前記開口
部に位置する前記電極の開口部位にハンダバンプを形成
する工程と、 前記圧電基板を前記ハンダバンプを有する複数個の圧電
素子に分割する工程と、 支持基板の支持電極に前記圧電素子の前記ハンダバンプ
を結合することにより、前記圧電素子を前記支持基板に
取り付ける工程と、 前記ソルダーレジストを除去する工程と、 よりなる圧電振動子の製造方法。 - 【請求項4】 電極の形成された支持基板の一つの主面
に、少なくとも一つの開口部を有するソルダーレジスト
を形成する工程と、 前記支持基板における前記ソルダーレジストの前記開口
部に位置する前記電極の開口部位にハンダバンプを形成
する工程と、 前記ハンダバンプに圧電素子の支持部を結合することに
より、前記支持基板に前記圧電素子を取り付ける工程
と、 前記ソルダーレジストを除去する工程と、 よりなる圧電振動子の製造方法。 - 【請求項5】 電極の形成された圧電基板の一つの主面
に、複数個の開口部を有するソルダーレジストを形成す
る工程と、 前記圧電基板における前記ソルダーレジストの前記開口
部に位置する前記電極の開口部位にハンダバンプを形成
する工程と、 複数個の支持電極が形成された絶縁基板の該支持電極に
前記圧電基板の前記ハンダバンプを結合することによ
り、前記圧電基板を前記絶縁基板に取り付ける工程と、 前記圧電基板と絶縁基板の結合体を複数個の圧電振動子
に分割する工程と、 前記ソルダーレジストを除去する工程と、 よりなる圧電振動子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8155673A JPH102741A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 圧電振動子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8155673A JPH102741A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 圧電振動子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH102741A true JPH102741A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15611087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8155673A Pending JPH102741A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 圧電振動子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH102741A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002048553A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 振動型ジャイロセンサ |
| US6946922B2 (en) * | 2003-01-17 | 2005-09-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Crystal oscillation device and electronic device using the same |
| WO2005098359A1 (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 角速度計測装置 |
| JP2005351792A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Fujitsu Ltd | 振動ジャイロおよび回路基板 |
| JP2006250583A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ |
| JP2007040961A (ja) * | 2005-03-04 | 2007-02-15 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ |
| JP2007115789A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型半導体装置および積層型半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-06-17 JP JP8155673A patent/JPH102741A/ja active Pending
Cited By (9)
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