JPH10209424A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH10209424A JPH10209424A JP9007955A JP795597A JPH10209424A JP H10209424 A JPH10209424 A JP H10209424A JP 9007955 A JP9007955 A JP 9007955A JP 795597 A JP795597 A JP 795597A JP H10209424 A JPH10209424 A JP H10209424A
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- imaging device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オプティカルブラック部における入射光の影
響を低減することにより、オプティカルブラック部の遮
光性を向上して、画質の良好な固体撮像素子を提供す
る。 【解決手段】 オプティカルブラック部の垂直転送電極
８の幅Ｗ2 が、有効画素部の垂直転送電極８の幅Ｗ1 よ
り広く形成されて成る固体撮像素子１を構成する。
響を低減することにより、オプティカルブラック部の遮
光性を向上して、画質の良好な固体撮像素子を提供す
る。 【解決手段】 オプティカルブラック部の垂直転送電極
８の幅Ｗ2 が、有効画素部の垂直転送電極８の幅Ｗ1 よ
り広く形成されて成る固体撮像素子１を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、オプティカルブラ
ック部と有効画素部を有して成る、例えばＣＣＤ固体撮
像素子等の固体撮像素子に係わる。
ック部と有効画素部を有して成る、例えばＣＣＤ固体撮
像素子等の固体撮像素子に係わる。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＣＣＤ固体撮像素子においては、
黒レベルの設定のために、有効画素部の外側に受光部上
を例えばＡｌ等遮光性の高い金属からなる遮光膜で被覆
したオプティカルブラック部を設け、このオプティカル
ブラック部（以下ＯＰＢ部とする）からの信号を黒レベ
ルとしている。
黒レベルの設定のために、有効画素部の外側に受光部上
を例えばＡｌ等遮光性の高い金属からなる遮光膜で被覆
したオプティカルブラック部を設け、このオプティカル
ブラック部（以下ＯＰＢ部とする）からの信号を黒レベ
ルとしている。
【０００３】図３に、ＣＣＤ固体撮像素子の一例の平面
図を示す。このＣＣＤ固体撮像素子５０は、画素となる
複数の受光部５３がマトリックス状に配列され、各受光
部５３列の一側にＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ５２が
設けられた撮像部５１と、撮像部５１の一側に配された
水平転送レジスタ５４と、水平転送レジスタ５４の出力
側に接続された出力回路５５とを備えて成る。そして、
撮像部５１には、受光を必要とする有効画素部５６と、
撮像部５１における黒レベルを規定するためのオプティ
カルブラック部（ＯＰＢ部）５７とを有し、オプティカ
ルブラック部５７と水平転送レジスタ５４との全面に
は、斜線で示すように遮光膜が形成される。
図を示す。このＣＣＤ固体撮像素子５０は、画素となる
複数の受光部５３がマトリックス状に配列され、各受光
部５３列の一側にＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ５２が
設けられた撮像部５１と、撮像部５１の一側に配された
水平転送レジスタ５４と、水平転送レジスタ５４の出力
側に接続された出力回路５５とを備えて成る。そして、
撮像部５１には、受光を必要とする有効画素部５６と、
撮像部５１における黒レベルを規定するためのオプティ
カルブラック部（ＯＰＢ部）５７とを有し、オプティカ
ルブラック部５７と水平転送レジスタ５４との全面に
は、斜線で示すように遮光膜が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＯＰＢ
部５７に、数百ルクス以上の大光量の光が入射した場合
には、充分に遮光しきれずに、一部の光が垂直転送電極
の下の垂直転送レジスタに透過し、そこで光電変換を生
ずることにより、黒レベルにずれが生じて画質が乱れる
問題が発生する。
部５７に、数百ルクス以上の大光量の光が入射した場合
には、充分に遮光しきれずに、一部の光が垂直転送電極
の下の垂直転送レジスタに透過し、そこで光電変換を生
ずることにより、黒レベルにずれが生じて画質が乱れる
問題が発生する。
【０００５】図２に従来のＣＣＤ固体撮像素子の概略構
成図を示す。図２Ａは有効画素部の水平方向（いわゆる
Ｈ方向）の断面図を、図２Ｂは、ＯＰＢ部の水平方向の
断面図を示す。このＣＣＤ固体撮像素子２１は、半導体
基板２２内に、光電変換を行う受光部２３、受光部２３
から信号電荷を読み出す読み出しゲート部２４、読み出
した信号電荷を転送する垂直転送レジスタ２５、素子分
離部となるチャネルストップ領域２６がそれぞれ形成さ
れてなる。半導体基板２２上には、ゲート絶縁膜２７を
介して、読み出しゲート部２４、垂直転送レジスタ２
５、チャネルストップ領域２６上に垂直転送電極２８が
形成されて、この垂直転送電極２８を覆って層間絶縁膜
２９が形成され、この層間絶縁膜２９を介して、Ａｌ等
の遮光性の高い金属等からなる遮光膜３０が形成されて
いる。この遮光膜３０は、有効画素部では、受光部２３
上に開口が形成されて受光部２３に光が入射するように
しており、ＯＰＢ部では、受光部２３上も覆って受光部
２３に光が入射しないようにしている。
成図を示す。図２Ａは有効画素部の水平方向（いわゆる
Ｈ方向）の断面図を、図２Ｂは、ＯＰＢ部の水平方向の
断面図を示す。このＣＣＤ固体撮像素子２１は、半導体
基板２２内に、光電変換を行う受光部２３、受光部２３
から信号電荷を読み出す読み出しゲート部２４、読み出
した信号電荷を転送する垂直転送レジスタ２５、素子分
離部となるチャネルストップ領域２６がそれぞれ形成さ
れてなる。半導体基板２２上には、ゲート絶縁膜２７を
介して、読み出しゲート部２４、垂直転送レジスタ２
５、チャネルストップ領域２６上に垂直転送電極２８が
形成されて、この垂直転送電極２８を覆って層間絶縁膜
２９が形成され、この層間絶縁膜２９を介して、Ａｌ等
の遮光性の高い金属等からなる遮光膜３０が形成されて
いる。この遮光膜３０は、有効画素部では、受光部２３
上に開口が形成されて受光部２３に光が入射するように
しており、ＯＰＢ部では、受光部２３上も覆って受光部
２３に光が入射しないようにしている。
【０００６】遮光膜３０の上には、パッシベーション膜
３１が形成され、その上に平坦化膜３２が形成されて表
面が平坦化され、さらにカラーフィルター３３、オンチ
ップレンズ３４が形成されて成る。
３１が形成され、その上に平坦化膜３２が形成されて表
面が平坦化され、さらにカラーフィルター３３、オンチ
ップレンズ３４が形成されて成る。
【０００７】上述のような光が透過しやすい場所は、垂
直転送電極２８上と、受光部２３上との間の段差によっ
て、この段差を遮光膜３０が被覆するために遮光膜３０
が薄くなる場所、即ち垂直転送電極２８の端部の横の図
２Ｂ中Ｐ点付近である。ここから入射光Ｌが透過して、
垂直転送レジスタ２５付近に入り込んでしまう。
直転送電極２８上と、受光部２３上との間の段差によっ
て、この段差を遮光膜３０が被覆するために遮光膜３０
が薄くなる場所、即ち垂直転送電極２８の端部の横の図
２Ｂ中Ｐ点付近である。ここから入射光Ｌが透過して、
垂直転送レジスタ２５付近に入り込んでしまう。
【０００８】この問題を解決するために、例えば有効画
素部の遮光膜３０は厚くせずに、ＯＰＢ部の遮光膜３０
の膜厚を厚く形成する方法が考えられる。しかしなが
ら、有効画素部よりＯＰＢ部のＡｌ遮光膜３０の膜厚を
厚くすると、有効画素部とＯＰＢ部とでＡｌ中の水素に
よる半導体基板２２とゲート絶縁膜２７との例えば半導
体基板２２の欠陥等による界面準位を低減させる効果が
異なってくる。これにより、真っ暗な時に界面準位に起
因して発生した電荷による信号等に起因するノイズとし
てのダークレベルが変動する。その結果、ＯＰＢ部のダ
ークレベルが、有効画素部のダークレベルよりも低くな
り、ダークレベルに差が生じることによる画質の劣化が
発生する。
素部の遮光膜３０は厚くせずに、ＯＰＢ部の遮光膜３０
の膜厚を厚く形成する方法が考えられる。しかしなが
ら、有効画素部よりＯＰＢ部のＡｌ遮光膜３０の膜厚を
厚くすると、有効画素部とＯＰＢ部とでＡｌ中の水素に
よる半導体基板２２とゲート絶縁膜２７との例えば半導
体基板２２の欠陥等による界面準位を低減させる効果が
異なってくる。これにより、真っ暗な時に界面準位に起
因して発生した電荷による信号等に起因するノイズとし
てのダークレベルが変動する。その結果、ＯＰＢ部のダ
ークレベルが、有効画素部のダークレベルよりも低くな
り、ダークレベルに差が生じることによる画質の劣化が
発生する。
【０００９】また、有効画素部の、ＯＰＢ部に隣接する
部分の画素の所では、遮光膜３０の膜厚が変わることか
ら、遮光膜３０上に段差が生じて受光部２３から最上部
のオンチップレンズ３４までの高さが急峻に変わる。こ
れにより、オンチップレンズ３４の集光が合わなくな
り、この部分に枠状に感度ムラを生じる、いわゆる額縁
ムラが発生する。
部分の画素の所では、遮光膜３０の膜厚が変わることか
ら、遮光膜３０上に段差が生じて受光部２３から最上部
のオンチップレンズ３４までの高さが急峻に変わる。こ
れにより、オンチップレンズ３４の集光が合わなくな
り、この部分に枠状に感度ムラを生じる、いわゆる額縁
ムラが発生する。
【００１０】また、Ａｌのカバレッジを改善して、薄い
部分をなくすために、スパッタ時の温度を上げることも
考えられるが、付着したＡｌがグレイン成長することに
より、グレイン間からの光透過が発生し問題の解決とは
ならない。
部分をなくすために、スパッタ時の温度を上げることも
考えられるが、付着したＡｌがグレイン成長することに
より、グレイン間からの光透過が発生し問題の解決とは
ならない。
【００１１】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、オプティカルブラック部における入射光の影響
を低減することにより、オプティカルブラック部の遮光
性を向上して、画質の良好な固体撮像素子を提供するも
のである。
いては、オプティカルブラック部における入射光の影響
を低減することにより、オプティカルブラック部の遮光
性を向上して、画質の良好な固体撮像素子を提供するも
のである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、オプティカルブラック部の垂直転送電極の幅が、有
効画素部の垂直転送電極の幅より広く形成されて成る構
成である。
は、オプティカルブラック部の垂直転送電極の幅が、有
効画素部の垂直転送電極の幅より広く形成されて成る構
成である。
【００１３】上述の本発明の構成によれば、オプティカ
ルブラック部の垂直転送電極の幅が、有効画素部の垂直
転送電極の幅より広く形成されていることにより、垂直
転送電極下の半導体領域にある垂直転送部から、垂直転
送電極の端部までの距離が遠くなり、この垂直転送電極
の端部付近の遮光膜の薄い部分を通過した入射光が、垂
直転送部へ到達しにくくなる。これにより入射光の漏れ
込みによる黒レベルの変動を抑制することができる。
ルブラック部の垂直転送電極の幅が、有効画素部の垂直
転送電極の幅より広く形成されていることにより、垂直
転送電極下の半導体領域にある垂直転送部から、垂直転
送電極の端部までの距離が遠くなり、この垂直転送電極
の端部付近の遮光膜の薄い部分を通過した入射光が、垂
直転送部へ到達しにくくなる。これにより入射光の漏れ
込みによる黒レベルの変動を抑制することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、オプティカルブラック
部の垂直転送電極の幅が、有効画素部の垂直転送電極の
幅より広く形成されて成る固体撮像素子である。
部の垂直転送電極の幅が、有効画素部の垂直転送電極の
幅より広く形成されて成る固体撮像素子である。
【００１５】また本発明は、上記固体撮像素子におい
て、オプティカルブラック部の垂直転送電極の幅と、有
効画素部の垂直転送電極の幅との差が０．５μｍ以上で
あり、隣接するオプティカルブラック部の垂直転送電極
同士の間隔が０．５μｍ以上である構成とする。
て、オプティカルブラック部の垂直転送電極の幅と、有
効画素部の垂直転送電極の幅との差が０．５μｍ以上で
あり、隣接するオプティカルブラック部の垂直転送電極
同士の間隔が０．５μｍ以上である構成とする。
【００１６】以下、図面を参照して本発明の固体撮像素
子の実施例を説明する。図１は、本発明の固体撮像素子
の実施例、本例ではインターライン転送方式のＣＣＤ固
体撮像素子の例の水平方向の断面図を示す。図１Ａは有
効画素部の、図１Ｂはオプティカルブラック部の、それ
ぞれ水平方向の断面図を示している。
子の実施例を説明する。図１は、本発明の固体撮像素子
の実施例、本例ではインターライン転送方式のＣＣＤ固
体撮像素子の例の水平方向の断面図を示す。図１Ａは有
効画素部の、図１Ｂはオプティカルブラック部の、それ
ぞれ水平方向の断面図を示している。
【００１７】このＣＣＤ固体撮像素子１は、半導体基板
２内に、光電変換を行う受光部３、受光部から信号電荷
を読み出す読み出しゲート部４、読み出した信号電荷を
転送する垂直転送レジスタ５、素子分離部となるチャネ
ルストップ領域６がそれぞれ形成されてなる。半導体基
板２上には、ゲート絶縁膜７を介して、読み出しゲート
部４、垂直転送レジスタ５、チャネルストップ領域６上
に垂直転送電極８が形成されて、この垂直転送電極８を
覆って層間絶縁膜９が形成され、この層間絶縁膜９を介
して、Ａｌ等の遮光性の高い金属等からなる遮光膜１０
が形成されている。この遮光膜１０は、有効画素部で
は、受光部３上に開口が形成されて受光部３に光が入射
するようにしており、オプティカルブラック部（以下、
ＯＰＢ部とする）では、受光部３上も覆って受光部３に
光が入射しないようにしている。
２内に、光電変換を行う受光部３、受光部から信号電荷
を読み出す読み出しゲート部４、読み出した信号電荷を
転送する垂直転送レジスタ５、素子分離部となるチャネ
ルストップ領域６がそれぞれ形成されてなる。半導体基
板２上には、ゲート絶縁膜７を介して、読み出しゲート
部４、垂直転送レジスタ５、チャネルストップ領域６上
に垂直転送電極８が形成されて、この垂直転送電極８を
覆って層間絶縁膜９が形成され、この層間絶縁膜９を介
して、Ａｌ等の遮光性の高い金属等からなる遮光膜１０
が形成されている。この遮光膜１０は、有効画素部で
は、受光部３上に開口が形成されて受光部３に光が入射
するようにしており、オプティカルブラック部（以下、
ＯＰＢ部とする）では、受光部３上も覆って受光部３に
光が入射しないようにしている。
【００１８】遮光膜１０の上には、パッシベーション膜
１１が形成され、その上に平坦化膜１２が形成されて表
面が平坦化され、さらにカラーフィルター１３、オンチ
ップレンズ１４が形成されて成る。
１１が形成され、その上に平坦化膜１２が形成されて表
面が平坦化され、さらにカラーフィルター１３、オンチ
ップレンズ１４が形成されて成る。
【００１９】本例においては、特にオプティカルブラッ
ク部（ＯＰＢ部）の垂直転送電極８の幅Ｗ2 を、有効画
素部の垂直転送電極８の幅Ｗ1 より広く、即ちＷ1 ＜Ｗ
2 となるように形成する。
ク部（ＯＰＢ部）の垂直転送電極８の幅Ｗ2 を、有効画
素部の垂直転送電極８の幅Ｗ1 より広く、即ちＷ1 ＜Ｗ
2 となるように形成する。
【００２０】このようにすれば、垂直転送電極８の端部
の横の遮光膜１０が薄く形成される部分と、垂直転送電
極８の下の垂直転送レジスタ５との距離（読み出しゲー
ト部４又はチャネルストップ領域６の幅に相当）が長く
なり、垂直転送電極８の端部の横の遮光膜１０が薄く形
成される部分を透過した入射光Ｌが、垂直転送レジスタ
５まで到達しにくくなる。その結果、ＯＰＢ部に大光量
の光が入射した場合でも、垂直転送レジスタ５に到達す
る光が従来より大幅に減少する。従って、黒レベルの変
動を抑制して、画質の乱れを抑制することができる。
の横の遮光膜１０が薄く形成される部分と、垂直転送電
極８の下の垂直転送レジスタ５との距離（読み出しゲー
ト部４又はチャネルストップ領域６の幅に相当）が長く
なり、垂直転送電極８の端部の横の遮光膜１０が薄く形
成される部分を透過した入射光Ｌが、垂直転送レジスタ
５まで到達しにくくなる。その結果、ＯＰＢ部に大光量
の光が入射した場合でも、垂直転送レジスタ５に到達す
る光が従来より大幅に減少する。従って、黒レベルの変
動を抑制して、画質の乱れを抑制することができる。
【００２１】尚、ＯＰＢ部の垂直転送電極８の幅Ｗ
2 は、有効画素部の垂直転送電極８の幅Ｗ1 より０．５
μｍ以上広くする。幅Ｗ1 との差が０．５μｍより小さ
いと、黒レベルの変動の抑制効果が下がる。また、ＯＰ
Ｂ部の垂直転送電極８の幅Ｗ2 の上限は、隣接する垂直
転送電極８間の距離Ｗ3 が０．５μｍとなる幅である。
これは、垂直転送電極８を形成するときに、その間隔Ｗ
3 が０．５μｍ程度以上は必要であることと、また半導
体基板２とゲート絶縁膜７との界面に存在する界面準位
を低減させるために水素を供給する供給口として、少な
くとも０．５μｍは必要であることによる。
2 は、有効画素部の垂直転送電極８の幅Ｗ1 より０．５
μｍ以上広くする。幅Ｗ1 との差が０．５μｍより小さ
いと、黒レベルの変動の抑制効果が下がる。また、ＯＰ
Ｂ部の垂直転送電極８の幅Ｗ2 の上限は、隣接する垂直
転送電極８間の距離Ｗ3 が０．５μｍとなる幅である。
これは、垂直転送電極８を形成するときに、その間隔Ｗ
3 が０．５μｍ程度以上は必要であることと、また半導
体基板２とゲート絶縁膜７との界面に存在する界面準位
を低減させるために水素を供給する供給口として、少な
くとも０．５μｍは必要であることによる。
【００２２】また、このとき前述のように、ＯＰＢ部の
読み出しゲート部４とチャネルストップ領域６の幅が広
くなるが、ＯＰＢ部においては、有効画素部と異なり受
光部３からの電荷の読み出しはできなくてもよいため、
これらの幅が広くなっても問題は生じない。
読み出しゲート部４とチャネルストップ領域６の幅が広
くなるが、ＯＰＢ部においては、有効画素部と異なり受
光部３からの電荷の読み出しはできなくてもよいため、
これらの幅が広くなっても問題は生じない。
【００２３】また、上述の本発明の固体撮像素子を製造
するにあたっては、図２に示した従来の固体撮像素子を
製造する際の、垂直転送電極２８を形成するためのマス
クのパターンを変更するだけで済み、従来の固体撮像素
子と同様に、容易に製造することができる。
するにあたっては、図２に示した従来の固体撮像素子を
製造する際の、垂直転送電極２８を形成するためのマス
クのパターンを変更するだけで済み、従来の固体撮像素
子と同様に、容易に製造することができる。
【００２４】本発明の固体撮像素子は、上述の例に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
その他様々な構成が取り得る。
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
その他様々な構成が取り得る。
【００２５】
【発明の効果】上述の本発明による固体撮像素子によれ
ば、オプティカルブラック部の垂直転送電極の幅を有効
画素部の垂直転送電極の幅より広く形成することによ
り、オプティカルブラック部と有効画素部のダークレベ
ルに差が生じることによる画質劣化を回避すると共に、
オプティカルブラック部の遮光性を改善できる。しか
も、いわゆる額縁ムラを発生することなく、オプティカ
ル部における遮光性を改善できる。
ば、オプティカルブラック部の垂直転送電極の幅を有効
画素部の垂直転送電極の幅より広く形成することによ
り、オプティカルブラック部と有効画素部のダークレベ
ルに差が生じることによる画質劣化を回避すると共に、
オプティカルブラック部の遮光性を改善できる。しか
も、いわゆる額縁ムラを発生することなく、オプティカ
ル部における遮光性を改善できる。
【００２６】そして、オプティカルブラック部の遮光性
を改善できるので、オプティカルブラック部に入射した
光の一部が転送電極の下の電荷転送部まで透過し、そこ
で光電変換を起こすことにより黒レベルがずれることを
抑制し、画質の乱れを改善することができる。
を改善できるので、オプティカルブラック部に入射した
光の一部が転送電極の下の電荷転送部まで透過し、そこ
で光電変換を起こすことにより黒レベルがずれることを
抑制し、画質の乱れを改善することができる。
【００２７】また、本発明の固体撮像素子を製造するに
あたっては、従来の転送電極形成用のマスクを変更する
だけで済み、容易に製造することができる。
あたっては、従来の転送電極形成用のマスクを変更する
だけで済み、容易に製造することができる。
【図１】本発明の固体撮像素子の実施例の概略構成図で
ある。 Ａ 有効画素部の水平方向断面図である。 Ｂ オプティカルブラック部の水平方向断面図である。
ある。 Ａ 有効画素部の水平方向断面図である。 Ｂ オプティカルブラック部の水平方向断面図である。
【図２】従来のＣＣＤ固体撮像素子の概略構成図であ
る。 Ａ 有効画素部の水平方向断面図である。 Ｂ オプティカルブラック部の水平方向断面図である。
る。 Ａ 有効画素部の水平方向断面図である。 Ｂ オプティカルブラック部の水平方向断面図である。
【図３】オプティカルブラック部を説明する固体撮像素
子の平面図である。
子の平面図である。
１ ＣＣＤ固体撮像素子、２ 半導体基板、３ 受光
部、４ 読み出しゲート部、５ 垂直転送レジスタ、６
チャネルストップ領域、７ ゲート絶縁膜、８垂直転
送電極、９ 層間絶縁膜、１０ 遮光膜、１１ パッシ
ベーション膜、１２ 平坦化膜、１３ カラーフィルタ
ー、１４ オンチップレンズ、２１ ＣＣＤ固体撮像素
子、２２ 半導体基板、２３ 受光部、２４ 読み出し
ゲート部、２５ 垂直転送レジスタ、２６ チャネルス
トップ領域、２７ ゲート絶縁膜、２８ 垂直転送電
極、２９ 層間絶縁膜、３０ 遮光膜、３１ パッシベ
ーション膜、３２ 平坦化膜、３３ カラーフィルタ
ー、３４ オンチップレンズ、５０ ＣＣＤ固体撮像素
子、５１ 撮像部、５２ 垂直転送レジスタ、５３ 受
光部、５４ 水平転送レジスタ、５５ 出力回路、５６
有効画素部、５７ オプティカルブラック部、Ｌ 入
射光
部、４ 読み出しゲート部、５ 垂直転送レジスタ、６
チャネルストップ領域、７ ゲート絶縁膜、８垂直転
送電極、９ 層間絶縁膜、１０ 遮光膜、１１ パッシ
ベーション膜、１２ 平坦化膜、１３ カラーフィルタ
ー、１４ オンチップレンズ、２１ ＣＣＤ固体撮像素
子、２２ 半導体基板、２３ 受光部、２４ 読み出し
ゲート部、２５ 垂直転送レジスタ、２６ チャネルス
トップ領域、２７ ゲート絶縁膜、２８ 垂直転送電
極、２９ 層間絶縁膜、３０ 遮光膜、３１ パッシベ
ーション膜、３２ 平坦化膜、３３ カラーフィルタ
ー、３４ オンチップレンズ、５０ ＣＣＤ固体撮像素
子、５１ 撮像部、５２ 垂直転送レジスタ、５３ 受
光部、５４ 水平転送レジスタ、５５ 出力回路、５６
有効画素部、５７ オプティカルブラック部、Ｌ 入
射光
Claims (2)
- 【請求項１】 オプティカルブラック部の垂直転送電極
の幅が、有効画素部の垂直転送電極の幅より広く形成さ
れて成ることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 上記オプティカルブラック部の垂直転送
電極の幅と、上記有効画素部の垂直転送電極の幅との差
が０．５μｍ以上であり、隣接する該オプティカルブラ
ック部の垂直転送電極同士の間隔が０．５μｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9007955A JPH10209424A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9007955A JPH10209424A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209424A true JPH10209424A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11679925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9007955A Pending JPH10209424A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209424A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080252A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006216985A (ja) * | 2006-04-24 | 2006-08-17 | Canon Inc | 固体撮像装置およびそれを用いた撮像システム |
-
1997
- 1997-01-20 JP JP9007955A patent/JPH10209424A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080252A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006216985A (ja) * | 2006-04-24 | 2006-08-17 | Canon Inc | 固体撮像装置およびそれを用いた撮像システム |
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