JPH10209789A - 高周波装置のマッチング方法 - Google Patents
高周波装置のマッチング方法Info
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- JPH10209789A JPH10209789A JP1370997A JP1370997A JPH10209789A JP H10209789 A JPH10209789 A JP H10209789A JP 1370997 A JP1370997 A JP 1370997A JP 1370997 A JP1370997 A JP 1370997A JP H10209789 A JPH10209789 A JP H10209789A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 負荷の状態にかかわらず、短時間に正確にマ
ッチングを行うことができる高周波装置のマッチング方
法を実現する。 【解決手段】 ハンチングが生じている場合は、スレッ
シュホールドレベルＸV，−ＸV の初期値ＸVO，−ＸVO
が小さいので、スレッシュホールドレベルを大きくす
る。一方、ハンチングが生じていない場合には、モータ
６の回転速度が所定の値より遅いかの判断を行う。モー
タ６の速度が遅い場合、スレッシュホールドレベルの初
期値ＸVO，−ＸVOが大き過ぎるので、この値を小さくす
る。このような制御を繰り返すことにより、スレッシュ
ホールドレベルを最適な値に設定することができる。
ッチングを行うことができる高周波装置のマッチング方
法を実現する。 【解決手段】 ハンチングが生じている場合は、スレッ
シュホールドレベルＸV，−ＸV の初期値ＸVO，−ＸVO
が小さいので、スレッシュホールドレベルを大きくす
る。一方、ハンチングが生じていない場合には、モータ
６の回転速度が所定の値より遅いかの判断を行う。モー
タ６の速度が遅い場合、スレッシュホールドレベルの初
期値ＸVO，−ＸVOが大き過ぎるので、この値を小さくす
る。このような制御を繰り返すことにより、スレッシュ
ホールドレベルを最適な値に設定することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インピーダンスの
マッチングを正確に短時間に行うことができる高周波ス
パッタリング装置やエッチング装置などの高周波装置の
マッチング方法に関する。
マッチングを正確に短時間に行うことができる高周波ス
パッタリング装置やエッチング装置などの高周波装置の
マッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波スパッタリング装置では、２枚の
電極間に高周波を印加し、一方の電極（試料）をスパッ
タリングし、試料表面のクリーニングなどを行ってい
る。また、別の高周波装置では、２枚の電極間に高周波
を印加し、一方の電極からスパッタされた粒子を電極に
接近して配置された基板上に付着させるようにしてい
る。
電極間に高周波を印加し、一方の電極（試料）をスパッ
タリングし、試料表面のクリーニングなどを行ってい
る。また、別の高周波装置では、２枚の電極間に高周波
を印加し、一方の電極からスパッタされた粒子を電極に
接近して配置された基板上に付着させるようにしてい
る。
【０００３】図１はこのような高周波装置の概略を示し
ており、１は高周波発振器である。高周波発振器１から
の高周波は、検出器２を介してマッチングボックス３に
供給される。マッチングボックス３はマッチング可変コ
ンデンサ４、チューニング可変コンデンサ５、コイル６
から構成されている。マッチングボックス３からの高周
波は、負荷７に供給される。なお、検出器２は、マッチ
ングボックス３に入力する高周波の電圧，電流，電圧と
電流の位相差θを検出している。
ており、１は高周波発振器である。高周波発振器１から
の高周波は、検出器２を介してマッチングボックス３に
供給される。マッチングボックス３はマッチング可変コ
ンデンサ４、チューニング可変コンデンサ５、コイル６
から構成されている。マッチングボックス３からの高周
波は、負荷７に供給される。なお、検出器２は、マッチ
ングボックス３に入力する高周波の電圧，電流，電圧と
電流の位相差θを検出している。
【０００４】このような構成において、検出器２によっ
て検出された電圧，電流，位相に基づいてインピーダン
スと位相とを求め、インピーダンスの値に基づいてマッ
チングボックス３内のマッチング可変コンデンサ４の容
量を変え、位相差に基づいてチューニング可変コンデン
サ５の容量を変えている。
て検出された電圧，電流，位相に基づいてインピーダン
スと位相とを求め、インピーダンスの値に基づいてマッ
チングボックス３内のマッチング可変コンデンサ４の容
量を変え、位相差に基づいてチューニング可変コンデン
サ５の容量を変えている。
【０００５】すなわち、検出器２によって検出されたイ
ンピーダンスＺに応じた信号ＶZ は、比較増幅器８に供
給され基準電圧と比較される。比較増幅器８の出力は、
マッチング可変コンデンサ４を駆動するモータ９に供給
される。その結果、インピーダンスＺの値が基準電圧と
等しくなるようにモータ９によりマッチング可変コンデ
ンサ４が調整される。
ンピーダンスＺに応じた信号ＶZ は、比較増幅器８に供
給され基準電圧と比較される。比較増幅器８の出力は、
マッチング可変コンデンサ４を駆動するモータ９に供給
される。その結果、インピーダンスＺの値が基準電圧と
等しくなるようにモータ９によりマッチング可変コンデ
ンサ４が調整される。
【０００６】また、検出器２によって検出された位相差
θに応じた信号Ｖθは、比較増幅器１０に供給され基準
電圧と比較される。比較増幅器１０の出力は、チューニ
ング可変コンデンサ５を駆動するモータ１１に供給され
る。その結果、位相差θの値が基準電圧（０）と等しく
なるようにモータ１１によりチューニング可変コンデン
サ５が調整される。
θに応じた信号Ｖθは、比較増幅器１０に供給され基準
電圧と比較される。比較増幅器１０の出力は、チューニ
ング可変コンデンサ５を駆動するモータ１１に供給され
る。その結果、位相差θの値が基準電圧（０）と等しく
なるようにモータ１１によりチューニング可変コンデン
サ５が調整される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した高周波装置に
おいて、最近、モータ９，１１の制御を連続駆動とパル
ス駆動とに切り換えて行うことが試みられている。図２
はモータの駆動波形を示しており、横軸はインピーダン
スあるいは位相の値である。
おいて、最近、モータ９，１１の制御を連続駆動とパル
ス駆動とに切り換えて行うことが試みられている。図２
はモータの駆動波形を示しており、横軸はインピーダン
スあるいは位相の値である。
【０００８】図中ＭP はマッチングポイントであり、マ
ッチングポイントＭP から離れた状態の時（状態Ａ、状
態Ｃ）には、モータは連続的に駆動され、インピーダン
スあるいは位相の値がＭP に近付いた値ＸV ，−ＸV 以
下となった場合（状態Ｂ）には、モータ９，１１はパル
ス的に駆動される。
ッチングポイントＭP から離れた状態の時（状態Ａ、状
態Ｃ）には、モータは連続的に駆動され、インピーダン
スあるいは位相の値がＭP に近付いた値ＸV ，−ＸV 以
下となった場合（状態Ｂ）には、モータ９，１１はパル
ス的に駆動される。
【０００９】このような制御は、Ｚ，θ信号がマッチン
グポイントから遠いところでは各モータを最大限に駆動
して、短時間にマッチングポイントＭP に近付け、マッ
チングポイント付近では、Ｚ，θ信号のレベルに応じて
各モータをパルス的に駆動し、モータの回転の行き過ぎ
を防止している。その結果、短時間に正確にマッチング
ポイントに各コンデンサ４，５を停止させることができ
る。
グポイントから遠いところでは各モータを最大限に駆動
して、短時間にマッチングポイントＭP に近付け、マッ
チングポイント付近では、Ｚ，θ信号のレベルに応じて
各モータをパルス的に駆動し、モータの回転の行き過ぎ
を防止している。その結果、短時間に正確にマッチング
ポイントに各コンデンサ４，５を停止させることができ
る。
【００１０】図３はこのようなマッタング方法のフロー
を示しており、まず、ＶZ ＝０あるいはＶθ＝０かの判
断を行う。ＶZ ≠０の場合、ＶZ の信号レベルが設定し
た範囲ＸV ＞ＶZ ＞−ＸV に入っているかどうかの判断
を行う。ＶZ の信号レベルが所定の範囲外の場合には、
ＶZ の値が正か負かにより、従来と同様の連続したモー
タの制御によって、マッチングバリコン（可変コンデン
サ）４を正転あるいは逆転させる。ＶZ の信号レベルが
所定の範囲内の場合には、マッチングバリコン４をパル
ス的に駆動し、徐々にマッチングポイントＭP に近付く
ように制御を行う。
を示しており、まず、ＶZ ＝０あるいはＶθ＝０かの判
断を行う。ＶZ ≠０の場合、ＶZ の信号レベルが設定し
た範囲ＸV ＞ＶZ ＞−ＸV に入っているかどうかの判断
を行う。ＶZ の信号レベルが所定の範囲外の場合には、
ＶZ の値が正か負かにより、従来と同様の連続したモー
タの制御によって、マッチングバリコン（可変コンデン
サ）４を正転あるいは逆転させる。ＶZ の信号レベルが
所定の範囲内の場合には、マッチングバリコン４をパル
ス的に駆動し、徐々にマッチングポイントＭP に近付く
ように制御を行う。
【００１１】次に、Ｖθ≠０の場合、Ｖθの信号レベル
が設定した範囲ＸV ＞Ｖθ＞−ＸVに入っているかどう
かの判断を行う。Ｖθの信号レベルが所定の範囲外の場
合には、ＶZ の値が正か負かにより、従来と同様の連続
したモータの制御によって、チューニングバリコン（可
変コンデンサ）５を正転あるいは逆転させる。Ｖθの信
号レベルが所定の範囲内の場合には、チューニングバリ
コン５をパルス的に駆動し、徐々にマッチングポイント
ＭP に近付くように制御を行う。
が設定した範囲ＸV ＞Ｖθ＞−ＸVに入っているかどう
かの判断を行う。Ｖθの信号レベルが所定の範囲外の場
合には、ＶZ の値が正か負かにより、従来と同様の連続
したモータの制御によって、チューニングバリコン（可
変コンデンサ）５を正転あるいは逆転させる。Ｖθの信
号レベルが所定の範囲内の場合には、チューニングバリ
コン５をパルス的に駆動し、徐々にマッチングポイント
ＭP に近付くように制御を行う。
【００１２】しかしながら、上記したパルス制御では、
負荷によって検出信号レベルとその全体の軌跡が異なる
ため、固定したスレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV
がマッチングポイントＭP から離れている場合がある。
その場合には、パルス制御に切り換えると、マッチング
ポイントに到達するまでの時間が長くなってしまう。逆
に、スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV がマッチン
グポイントに近付き過ぎている場合には、マッチングポ
イント付近でハンチング現象が生じてしまうことにな
る。
負荷によって検出信号レベルとその全体の軌跡が異なる
ため、固定したスレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV
がマッチングポイントＭP から離れている場合がある。
その場合には、パルス制御に切り換えると、マッチング
ポイントに到達するまでの時間が長くなってしまう。逆
に、スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV がマッチン
グポイントに近付き過ぎている場合には、マッチングポ
イント付近でハンチング現象が生じてしまうことにな
る。
【００１３】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、負荷の状態にかかわらず、短時間
に正確にマッチングを行うことができる高周波装置のマ
ッチング方法を実現するにある。
もので、その目的は、負荷の状態にかかわらず、短時間
に正確にマッチングを行うことができる高周波装置のマ
ッチング方法を実現するにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく高周波装
置のマッチング方法は、高周波電源と、高周波電源から
の高周波電力が供給される負荷と、電源と負荷との間に
配置され、マッチング可変コンデンサとチューニング可
変コンデンサとコイルとから成るマッチングボックス
と、電源とマッチングボックスとの間に設けられた入力
インピーダンスと入力高周波の電圧と電流との位相を検
出する検出器とを備え、検出器により検出されたインピ
ーダンスに応じてマッチング可変コンデンサの容量をモ
ータによって調整し、検出器により検出された位相に応
じてチューニング可変コンデンサの容量をモータによっ
て調整するように構成した高周波装置であって、インピ
ーダンスの値が所定の値以下、および、位相の値が所定
の値以下となった場合には、それぞれのモータの駆動を
パルス的に行うようにしたマッチング方法において、負
荷の状態に応じて各所定の値を変化させるようにしたこ
とを特徴としている。
置のマッチング方法は、高周波電源と、高周波電源から
の高周波電力が供給される負荷と、電源と負荷との間に
配置され、マッチング可変コンデンサとチューニング可
変コンデンサとコイルとから成るマッチングボックス
と、電源とマッチングボックスとの間に設けられた入力
インピーダンスと入力高周波の電圧と電流との位相を検
出する検出器とを備え、検出器により検出されたインピ
ーダンスに応じてマッチング可変コンデンサの容量をモ
ータによって調整し、検出器により検出された位相に応
じてチューニング可変コンデンサの容量をモータによっ
て調整するように構成した高周波装置であって、インピ
ーダンスの値が所定の値以下、および、位相の値が所定
の値以下となった場合には、それぞれのモータの駆動を
パルス的に行うようにしたマッチング方法において、負
荷の状態に応じて各所定の値を変化させるようにしたこ
とを特徴としている。
【００１５】本発明では、インピーダンスの値が所定の
値以下、および、位相の値が所定の値以下となった場合
には、マッチング可変コンデンサとチューニング可変コ
ンデンサの容量を調整するそれぞれのモータの駆動をパ
ルス的に行うようにし、更に、負荷の状態に応じて各所
定の値を変化させる。
値以下、および、位相の値が所定の値以下となった場合
には、マッチング可変コンデンサとチューニング可変コ
ンデンサの容量を調整するそれぞれのモータの駆動をパ
ルス的に行うようにし、更に、負荷の状態に応じて各所
定の値を変化させる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図４は本発明の一例を示し
ており、図１の従来装置と同一番号は同一構成要素を示
す。この実施の形態では、検出器２からのインピーダン
スの検出信号ＶZ と、位相の検出信号Ｖθは、コンピュ
ータのごとき制御回路１５に供給される。制御回路１５
は、モータ９，１１の制御を行うが、この制御のフロー
を図５を用いて説明する。
施の形態を詳細に説明する。図４は本発明の一例を示し
ており、図１の従来装置と同一番号は同一構成要素を示
す。この実施の形態では、検出器２からのインピーダン
スの検出信号ＶZ と、位相の検出信号Ｖθは、コンピュ
ータのごとき制御回路１５に供給される。制御回路１５
は、モータ９，１１の制御を行うが、この制御のフロー
を図５を用いて説明する。
【００１７】まず、ＶZ ＝０あるいはＶθ＝０かの判断
を行う。ＶZ ≠０の場合、ＶZ の信号レベルが設定した
スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV の範囲に入って
いるかどうかの判断を行う。最初の状態では、スレッシ
ュホールドレベルＸV ，−Ｘ V は、初期値ＸVO，−ＸVO
に設定されている。
を行う。ＶZ ≠０の場合、ＶZ の信号レベルが設定した
スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV の範囲に入って
いるかどうかの判断を行う。最初の状態では、スレッシ
ュホールドレベルＸV ，−Ｘ V は、初期値ＸVO，−ＸVO
に設定されている。
【００１８】ＶZ の信号レベルが所定の初期値の範囲外
の場合には、ＶZ の値が正か負かにより、従来と同様の
連続したモータの制御によって、マッチングバリコン
（可変コンデンサ）４を正転あるいは逆転させる。ＶZ
の信号レベルが所定の初期値の範囲内の場合には、マッ
チングバリコン４をパルス的に駆動し、徐々にマッチン
グポイントＭP に近付くように制御を行う。
の場合には、ＶZ の値が正か負かにより、従来と同様の
連続したモータの制御によって、マッチングバリコン
（可変コンデンサ）４を正転あるいは逆転させる。ＶZ
の信号レベルが所定の初期値の範囲内の場合には、マッ
チングバリコン４をパルス的に駆動し、徐々にマッチン
グポイントＭP に近付くように制御を行う。
【００１９】このような制御の後、ハンチングが生じた
かどうかの判断を行う。ハンチングが生じている場合
は、スレッシュホールドレベルの初期値ＸVO，−ＸVOが
小さいので、スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV を
大きくする。一方、ハンチングが生じていない場合に
は、モータ６の回転速度が所定の値より遅いかの判断を
行う。モータ６の速度が遅い場合、スレッシュホールド
レベルの初期値ＸVO，−Ｘ VOが大き過ぎるので、スレッ
シュホールドレベルＸV ，−ＸV の値を小さくする。こ
のような制御を繰り返すことにより、スレッシュホール
ドレベルを最適な値に設定することができる。なお、ス
レッシュホールドレベルは、初期値も含めて、例えば、
５種類程度用意されている。
かどうかの判断を行う。ハンチングが生じている場合
は、スレッシュホールドレベルの初期値ＸVO，−ＸVOが
小さいので、スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV を
大きくする。一方、ハンチングが生じていない場合に
は、モータ６の回転速度が所定の値より遅いかの判断を
行う。モータ６の速度が遅い場合、スレッシュホールド
レベルの初期値ＸVO，−Ｘ VOが大き過ぎるので、スレッ
シュホールドレベルＸV ，−ＸV の値を小さくする。こ
のような制御を繰り返すことにより、スレッシュホール
ドレベルを最適な値に設定することができる。なお、ス
レッシュホールドレベルは、初期値も含めて、例えば、
５種類程度用意されている。
【００２０】このようなインピーダンスのマッチングの
フローの後、位相についても同様な制御が行われる。図
５のフローには省略してあるが、位相のマッチングは次
のようにして行われる。
フローの後、位相についても同様な制御が行われる。図
５のフローには省略してあるが、位相のマッチングは次
のようにして行われる。
【００２１】まず、Ｖθ≠０の場合、Ｖθの信号レベル
が設定したスレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV の範
囲に入っているかどうかの判断を行う。最初の状態で
は、スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV は、初期値
ＸVO，−ＸVOに設定されている。Ｖθの信号レベルが所
定の初期値の範囲外の場合には、Ｖθの値が正か負かに
より、従来と同様の連続したモータの制御によって、チ
ューニングバリコン（可変コンデンサ）５を正転あるい
は逆転させる。Ｖθの信号レベルが所定の初期値の範囲
内の場合には、チューニングバリコン５をパルス的に駆
動し、徐々にマッチングポイントＭP に近付くように制
御を行う。
が設定したスレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV の範
囲に入っているかどうかの判断を行う。最初の状態で
は、スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV は、初期値
ＸVO，−ＸVOに設定されている。Ｖθの信号レベルが所
定の初期値の範囲外の場合には、Ｖθの値が正か負かに
より、従来と同様の連続したモータの制御によって、チ
ューニングバリコン（可変コンデンサ）５を正転あるい
は逆転させる。Ｖθの信号レベルが所定の初期値の範囲
内の場合には、チューニングバリコン５をパルス的に駆
動し、徐々にマッチングポイントＭP に近付くように制
御を行う。
【００２２】このような制御の後、ハンチングが生じた
かどうかの判断を行う。ハンチングが生じている場合
は、スレッシュホールドレベルの初期値ＸVO，−ＸVOが
小さいので、スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV を
大きくする。一方、ハンチングが生じていない場合に
は、モータ１１の回転速度が所定の値より遅いかの判断
を行う。モータ１１の速度が遅い場合、スレッシュホー
ルドレベルの初期値ＸVO，−ＸVOが大き過ぎるので、ス
レッシュホールドレベルＸV ，−ＸV の値を小さくす
る。このような制御を繰り返すことにより、スレッシュ
ホールドレベルを最適な値に設定することができる。な
お、スレッシュホールドレベルは、初期値も含めて、例
えば、５種類程度用意されている。
かどうかの判断を行う。ハンチングが生じている場合
は、スレッシュホールドレベルの初期値ＸVO，−ＸVOが
小さいので、スレッシュホールドレベルＸV ，−ＸV を
大きくする。一方、ハンチングが生じていない場合に
は、モータ１１の回転速度が所定の値より遅いかの判断
を行う。モータ１１の速度が遅い場合、スレッシュホー
ルドレベルの初期値ＸVO，−ＸVOが大き過ぎるので、ス
レッシュホールドレベルＸV ，−ＸV の値を小さくす
る。このような制御を繰り返すことにより、スレッシュ
ホールドレベルを最適な値に設定することができる。な
お、スレッシュホールドレベルは、初期値も含めて、例
えば、５種類程度用意されている。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、イン
ピーダンスの値が所定の値以下、および、位相の値が所
定の値以下となった場合には、マッチング可変コンデン
サとチューニング可変コンデンサの容量を調整するそれ
ぞれのモータの駆動をパルス的に行うようにし、更に、
負荷の状態に応じて各所定の値を変化させるようにした
ので、ハンチンクが防止でき、また、マッチングポイン
トへの到達時間も速くすることができる。
ピーダンスの値が所定の値以下、および、位相の値が所
定の値以下となった場合には、マッチング可変コンデン
サとチューニング可変コンデンサの容量を調整するそれ
ぞれのモータの駆動をパルス的に行うようにし、更に、
負荷の状態に応じて各所定の値を変化させるようにした
ので、ハンチンクが防止でき、また、マッチングポイン
トへの到達時間も速くすることができる。
【図１】従来の高周波装置の概略を示す図である。
【図２】モータの駆動波形を示す図である。
【図３】従来のマッチング方法のフローを示す図であ
る。
る。
【図４】本発明を実施するための高周波装置の一例を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明に基づくマッチング方法のフローを示す
図である。
図である。
１ 高周波発振器 ２ 検出器 ３ マッチングボックス ４ マッチング可変コンデンサ ５ チューニング可変コンデンサ ７ 負荷 ９，１１ モータ １５ 制御回路
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波電源と、高周波電源からの高周波
電力が供給される負荷と、電源と負荷との間に配置さ
れ、マッチング可変コンデンサとチューニング可変コン
デンサとコイルとから成るマッチングボックスと、電源
とマッチングボックスとの間に設けられた入力インピー
ダンスと入力高周波の電圧と電流との位相を検出する検
出器とを備え、検出器により検出されたインピーダンス
に応じてマッチング可変コンデンサの容量をモータによ
って調整し、検出器により検出された位相に応じてチュ
ーニング可変コンデンサの容量をモータによって調整す
るように構成した高周波装置であって、インピーダンス
の値が所定の値以下、および、位相の値が所定の値以下
となった場合には、それぞれのモータの駆動をパルス的
に行うようにしたマッチング方法において、負荷の状態
に応じて各所定の値を変化させるようにした高周波装置
のマッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1370997A JPH10209789A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 高周波装置のマッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1370997A JPH10209789A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 高周波装置のマッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209789A true JPH10209789A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11840768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1370997A Pending JPH10209789A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 高周波装置のマッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209789A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110100595A (ko) | 2010-03-04 | 2011-09-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 자동 정합 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 자동 정합 장치 및 플라즈마 처리 장치 |
| JP2015138602A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 株式会社アルバック | プラズマ処理用整合器、プラズマ処理装置、および、プラズマ処理用整合器の駆動方法 |
| CN104914317A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-09-16 | 西安交通大学 | 一种测量避雷器用氧化锌电阻片电容值的方法 |
| US9384945B2 (en) | 2010-02-26 | 2016-07-05 | Tokyo Electron Limited | Automatic matching unit and plasma processing apparatus |
| US10741362B2 (en) | 2018-08-28 | 2020-08-11 | Tokyo Electron Limited | Impedance matching method and impedance matching device |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP1370997A patent/JPH10209789A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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