JPH10212143A - ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器及び内面処理方法 - Google Patents
ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器及び内面処理方法Info
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- JPH10212143A JPH10212143A JP2985797A JP2985797A JPH10212143A JP H10212143 A JPH10212143 A JP H10212143A JP 2985797 A JP2985797 A JP 2985797A JP 2985797 A JP2985797 A JP 2985797A JP H10212143 A JPH10212143 A JP H10212143A
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 24
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 title claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000007922 dissolution test Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)Cl OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNCMHMUGTWEVOZ-UHFFFAOYSA-N F[CH]F Chemical compound F[CH]F JNCMHMUGTWEVOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010081348 HRT1 protein Hairy Proteins 0.000 description 1
- 102100021881 Hairy/enhancer-of-split related with YRPW motif protein 1 Human genes 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDDCJNFXJXXCKI-UHFFFAOYSA-O [4-[[4-(diethylamino)phenyl]-[4-(ethylamino)naphthalen-1-yl]methylidene]cyclohexa-2,5-dien-1-yl]-diethylazanium Chemical compound C12=CC=CC=C2C(NCC)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(CC)CC)=C1C=CC([NH+](CC)CC)C=C1 NDDCJNFXJXXCKI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/003—General methods for coating; Devices therefor for hollow ware, e.g. containers
- C03C17/004—Coating the inside
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス容器の内面の耐化学性を増大し内溶液
を変質させず、樹脂塗布被膜にピンホールが発生した
り、感度、解像度などが劣化することがなく、かつ、処
理後の白濁がないノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト
溶液のガラス容器、及び容器内面処理方法を提供する。 【解決手段】 内面を加熱下においてフッ化炭化水素ガ
スで処理したガラス容器であって、有機溶剤によるノボ
ラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液が収納されるラス
容器。及び、550〜750℃の範囲の温度に保持され
た成形直後の容器内部に、容器の内容積300mlあた
り1.5ml以上のフッ化炭化水素ガスを注入してガラ
ス容器内面に作用させ、次いで漸次徐冷するノボラック
樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器の内面処理方法
である。これにより、容器の耐化学性が増大し、白濁も
なく、内溶液であるノボラック樹脂系ポジ型ホトレジス
ト溶液に悪影響を及ぼさない。
を変質させず、樹脂塗布被膜にピンホールが発生した
り、感度、解像度などが劣化することがなく、かつ、処
理後の白濁がないノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト
溶液のガラス容器、及び容器内面処理方法を提供する。 【解決手段】 内面を加熱下においてフッ化炭化水素ガ
スで処理したガラス容器であって、有機溶剤によるノボ
ラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液が収納されるラス
容器。及び、550〜750℃の範囲の温度に保持され
た成形直後の容器内部に、容器の内容積300mlあた
り1.5ml以上のフッ化炭化水素ガスを注入してガラ
ス容器内面に作用させ、次いで漸次徐冷するノボラック
樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器の内面処理方法
である。これにより、容器の耐化学性が増大し、白濁も
なく、内溶液であるノボラック樹脂系ポジ型ホトレジス
ト溶液に悪影響を及ぼさない。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ノボラック樹脂系
ポジ型ホトレジスト溶液用のガラス容器に関するもので
ある。
ポジ型ホトレジスト溶液用のガラス容器に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、集積回路の製造工程におけるレジ
スト膜の形成には、高解像度が得られるノボラック樹脂
系ポジ型ホトレジスト溶液が盛んに用いられている。こ
のホトレジスト溶液の保存については、保存中に容器か
ら溶液内に化学物質が溶出したり、ガラスフレークが混
入したり、容器内面と溶液とが反応したりすることによ
ってノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液が変質す
ることを防がなければならない。当該溶液が変質する
と、これを用いて製造した集積回路の歩留まりに悪影響
を及ぼすからである。特に、当該溶液にナトリウムが混
入すると、製造した集積回路に電気的な悪影響を及ぼす
可能性が大きいので、ガラス容器から当該溶液にナトリ
ウムが溶出することを防止する要請が強くある。また、
容器内に保存しておいたノボラック樹脂系ポジ型ホトレ
ジスト溶液をシリコンウエハーに塗布したときに、被膜
にピンホールが発生したり、感度、解像度などが劣化す
ることがあってはならない。このピンホールが発生した
り、感度、解像度などが劣化する正確な原因は現時点で
は不明である。
スト膜の形成には、高解像度が得られるノボラック樹脂
系ポジ型ホトレジスト溶液が盛んに用いられている。こ
のホトレジスト溶液の保存については、保存中に容器か
ら溶液内に化学物質が溶出したり、ガラスフレークが混
入したり、容器内面と溶液とが反応したりすることによ
ってノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液が変質す
ることを防がなければならない。当該溶液が変質する
と、これを用いて製造した集積回路の歩留まりに悪影響
を及ぼすからである。特に、当該溶液にナトリウムが混
入すると、製造した集積回路に電気的な悪影響を及ぼす
可能性が大きいので、ガラス容器から当該溶液にナトリ
ウムが溶出することを防止する要請が強くある。また、
容器内に保存しておいたノボラック樹脂系ポジ型ホトレ
ジスト溶液をシリコンウエハーに塗布したときに、被膜
にピンホールが発生したり、感度、解像度などが劣化す
ることがあってはならない。このピンホールが発生した
り、感度、解像度などが劣化する正確な原因は現時点で
は不明である。
【0003】従来、ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジス
ト用のガラス容器の内面には、硫黄酸化物で処理される
いわゆるブルーム処理が施されている。例えば、特公平
3−45018号公報に示されるように、このブルーム
処理を施すことでガラス容器内面の耐化学性が増大し、
特に、ナトリウムの溶出が防止されることが知られてい
る。また、ブルーム処理を施したガラス容器内に保存し
ておいたノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液をシ
リコンウエハーに塗布したときに、被膜にピンホールが
発生したり、感度、解像度などが劣化することがほとん
どないことも知られている。
ト用のガラス容器の内面には、硫黄酸化物で処理される
いわゆるブルーム処理が施されている。例えば、特公平
3−45018号公報に示されるように、このブルーム
処理を施すことでガラス容器内面の耐化学性が増大し、
特に、ナトリウムの溶出が防止されることが知られてい
る。また、ブルーム処理を施したガラス容器内に保存し
ておいたノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液をシ
リコンウエハーに塗布したときに、被膜にピンホールが
発生したり、感度、解像度などが劣化することがほとん
どないことも知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のブルーム処理の
決定は、処理後容器表面が白濁し、この白濁を取り去る
ための念入りな洗浄工程を必要とするので、コスト高と
なっていた点である。本発明は、内面の耐化学性を増大
し内溶液を変質させず、塗布被膜にピンホールが発生し
たり、感度、解像度などが劣化することがなく、かつ、
処理後の白濁がないノボラック樹脂系ポジ型ホトレジス
ト溶液のガラス容器、及び容器内面処理方法を提供する
ものである。
決定は、処理後容器表面が白濁し、この白濁を取り去る
ための念入りな洗浄工程を必要とするので、コスト高と
なっていた点である。本発明は、内面の耐化学性を増大
し内溶液を変質させず、塗布被膜にピンホールが発生し
たり、感度、解像度などが劣化することがなく、かつ、
処理後の白濁がないノボラック樹脂系ポジ型ホトレジス
ト溶液のガラス容器、及び容器内面処理方法を提供する
ものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、 内面を加
熱下においてフッ化炭化水素ガスで処理したガラス容器
であって、有機溶剤によるノボラック樹脂系ポジ型ホト
レジスト溶液が収納されることを特徴とするノボラック
樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器、及び、 5
50〜750℃の範囲の温度に保持された成形直後の容
器内部に、容器の内容積300mlあたり1.5ml以
上のフッ化炭化水素ガスを注入してガラス容器内面に作
用させ、次いで漸次徐冷することを特徴とするノボラッ
ク樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器の内面処理方
法、である。
熱下においてフッ化炭化水素ガスで処理したガラス容器
であって、有機溶剤によるノボラック樹脂系ポジ型ホト
レジスト溶液が収納されることを特徴とするノボラック
樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器、及び、 5
50〜750℃の範囲の温度に保持された成形直後の容
器内部に、容器の内容積300mlあたり1.5ml以
上のフッ化炭化水素ガスを注入してガラス容器内面に作
用させ、次いで漸次徐冷することを特徴とするノボラッ
ク樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器の内面処理方
法、である。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明では、成形直後のガラス容
器の内面をフッ化炭化水素ガスで処理するのであるが、
成形機にて成形してからマシンコンベアに載せられて徐
冷炉に送られる数十秒の間にこの処理が施される。処理
は注入ガスを一定圧力、容量の下にノズルからガラス容
器内部に噴入することによって行われる。成形してから
コンベアにより徐冷炉に至る間で処理するときのガラス
容器の温度は550℃〜750℃の範囲に保つのが好ま
しい。この温度以上になると白濁を生じるおそれがあ
り、またこの温度以下では適切な処理効果を得ることが
できない。
器の内面をフッ化炭化水素ガスで処理するのであるが、
成形機にて成形してからマシンコンベアに載せられて徐
冷炉に送られる数十秒の間にこの処理が施される。処理
は注入ガスを一定圧力、容量の下にノズルからガラス容
器内部に噴入することによって行われる。成形してから
コンベアにより徐冷炉に至る間で処理するときのガラス
容器の温度は550℃〜750℃の範囲に保つのが好ま
しい。この温度以上になると白濁を生じるおそれがあ
り、またこの温度以下では適切な処理効果を得ることが
できない。
【0007】フッ化炭化水素ガスとしては、塩素を含ま
ないHFC (Hydrofluoro carbon)、塩素などのハロゲ
ンを含有するHClFC (Hydrochlorofluoro carbon)
、ClFC (Chlorofluoro carbon)、BClFC (Bro
mochlorofluoro carbon) などがあるが、環境に悪影響
を与えないHFCが好ましい。
ないHFC (Hydrofluoro carbon)、塩素などのハロゲ
ンを含有するHClFC (Hydrochlorofluoro carbon)
、ClFC (Chlorofluoro carbon)、BClFC (Bro
mochlorofluoro carbon) などがあるが、環境に悪影響
を与えないHFCが好ましい。
【0008】本発明における処理が、どのようなメカニ
ズムでガラスの耐化学性を増大、特に、溶出アルカリを
減少させるかは明確となっていないが、次のような仮説
をとることができる。 フッ化炭化水素ガスが容器内
に注入されると加熱分解し、フッ素を発生する。 フ
ッ素はガラスと反応を起こし、シリカの骨格構造を一部
切断する。 ガラスが高温なためシリカの骨格が再び
結合し表面は閉じ、内部に進入したフッ素(イオン)が
封入される。 フッ素イオンのために表面のアルカリ
がフッ素イオンに引き寄せられる。 このためガラス
表面のアルカリが減少してアルカリ溶出が減少する。
ズムでガラスの耐化学性を増大、特に、溶出アルカリを
減少させるかは明確となっていないが、次のような仮説
をとることができる。 フッ化炭化水素ガスが容器内
に注入されると加熱分解し、フッ素を発生する。 フ
ッ素はガラスと反応を起こし、シリカの骨格構造を一部
切断する。 ガラスが高温なためシリカの骨格が再び
結合し表面は閉じ、内部に進入したフッ素(イオン)が
封入される。 フッ素イオンのために表面のアルカリ
がフッ素イオンに引き寄せられる。 このためガラス
表面のアルカリが減少してアルカリ溶出が減少する。
【0009】本発明処理は、処理後ガラス表面に反応生
成物が生じない。このため、白濁がなく外観上は無処理
容器となんら変わることがない。このためブルーム処理
容器と比較すると洗浄工程が非常に簡単に行える。ま
た、自動検査器による欠点の検査や、ブルーム処理では
困難だったポリエチレン処理(DG11処理)が可能と
なり、ガラス容器の軽量化、充填工程での容器詰まりの
解消、強度劣化の防止を実現できる。
成物が生じない。このため、白濁がなく外観上は無処理
容器となんら変わることがない。このためブルーム処理
容器と比較すると洗浄工程が非常に簡単に行える。ま
た、自動検査器による欠点の検査や、ブルーム処理では
困難だったポリエチレン処理(DG11処理)が可能と
なり、ガラス容器の軽量化、充填工程での容器詰まりの
解消、強度劣化の防止を実現できる。
【0010】
【実施例】ソーダ石灰ガラスから作られる内容量300
mlのガラス容器を成形後徐冷炉へ搬送するマシンコン
ベア上でノズルからフロン152−A(商品名: 化学
式はCH3 CHF2 )を注入する。このときの容器内表
面温度は約700℃である。この容器をレアー(徐冷
炉)エンドにて採取し、試料とした。この試料につい
て、アルカリ溶出試験、及び溶出成分分析試験を行っ
た。
mlのガラス容器を成形後徐冷炉へ搬送するマシンコン
ベア上でノズルからフロン152−A(商品名: 化学
式はCH3 CHF2 )を注入する。このときの容器内表
面温度は約700℃である。この容器をレアー(徐冷
炉)エンドにて採取し、試料とした。この試料につい
て、アルカリ溶出試験、及び溶出成分分析試験を行っ
た。
【0011】アルカリ溶出試験は、日本薬局方「注射用
ガラス容器試験方法」の(3)アルカリ溶出試験の(i
i)第2法に準じ、溶出条件121℃×60分、溶出液
はアルカリ溶出液と同一物を使用し、モリブデン酸ブル
ー法で測定した。フロン152−Aの注入量は、0m
l、0.5ml、1.0ml、1.6ml、2.8m
l、4.5mlとし、各注入量における試料数は10本
ずつとした。この結果を図1に示す。溶出アルカリは主
にナトリウムであるが、カリウム及びカルシウムをも含
むものである。注入量0ml、すなわち未処理容器にお
いては、N/50硫酸の消費量が平均約1.2mlであ
るのに対し、注入量1.0ml以上のものは0.1ml
以下となっており、顕著な効果を発揮している。
ガラス容器試験方法」の(3)アルカリ溶出試験の(i
i)第2法に準じ、溶出条件121℃×60分、溶出液
はアルカリ溶出液と同一物を使用し、モリブデン酸ブル
ー法で測定した。フロン152−Aの注入量は、0m
l、0.5ml、1.0ml、1.6ml、2.8m
l、4.5mlとし、各注入量における試料数は10本
ずつとした。この結果を図1に示す。溶出アルカリは主
にナトリウムであるが、カリウム及びカルシウムをも含
むものである。注入量0ml、すなわち未処理容器にお
いては、N/50硫酸の消費量が平均約1.2mlであ
るのに対し、注入量1.0ml以上のものは0.1ml
以下となっており、顕著な効果を発揮している。
【0012】溶出成分分析試験において、SiO2の溶出
量の結果を図2に示す。溶出条件は121℃×60分で
ある。各注入量における試料数はやはり10本ずつとし
た。未処理容器においては平均5mgのSiO2が溶出す
るのに対し、1.5ml以上のフロン152−Aを注入
した容器においてはいずれも0.1mg程度で、顕著な
効果を発揮している。なお、フッ素の溶出はすべて検出
感度以下であった。
量の結果を図2に示す。溶出条件は121℃×60分で
ある。各注入量における試料数はやはり10本ずつとし
た。未処理容器においては平均5mgのSiO2が溶出す
るのに対し、1.5ml以上のフロン152−Aを注入
した容器においてはいずれも0.1mg程度で、顕著な
効果を発揮している。なお、フッ素の溶出はすべて検出
感度以下であった。
【0013】上記の試験結果から、容器の内容積300
mlあたり1.5ml以上のフッ化炭化水素ガスで処理
することで、アルカリ及びSiO2の溶出を十分に抑える
ことができ、ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液
の変質を防止できる。
mlあたり1.5ml以上のフッ化炭化水素ガスで処理
することで、アルカリ及びSiO2の溶出を十分に抑える
ことができ、ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液
の変質を防止できる。
【0014】フロン152−Aを注入して処理した容器
にノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液を1ケ月間
保存し、その後容器内のノボラック樹脂系ポジ型ホトレ
ジスト溶液をシリコンウエハーに塗布し、その被膜の特
性を調べたが、保存前の当該溶液による被膜に対し、ピ
ンホール、感度、解像度など全く劣るものではなく、そ
の効果が確認された。また、表1に示すように、アルカ
リ溶出量の状態もブルーム処理とほぼ同等の性能を有し
ていることが認められた。
にノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液を1ケ月間
保存し、その後容器内のノボラック樹脂系ポジ型ホトレ
ジスト溶液をシリコンウエハーに塗布し、その被膜の特
性を調べたが、保存前の当該溶液による被膜に対し、ピ
ンホール、感度、解像度など全く劣るものではなく、そ
の効果が確認された。また、表1に示すように、アルカ
リ溶出量の状態もブルーム処理とほぼ同等の性能を有し
ていることが認められた。
【表1】
【0015】
【発明の効果】本発明のフッ化炭化水素で処理したガラ
ス容器は、ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液の
使用時におけるピンホール、感度、解像度などの特性を
劣化させることなく、電気的な悪影響を及ぼす可能性が
大きいアルカリ等の溶出も低く抑えることができ、当該
ホトレジスト溶液の変質を防止できる。さらに、処理後
ガラス表面に反応生成物が生じないので、白濁がなく外
観上は無処理容器となんら変わることがない。このため
ブルーム処理容器と比較すると洗浄工程が非常に簡単に
行え、自動検査器による欠点の検査や、ブルーム処理で
は困難だったポリエチレン処理(DG11処理)が可能
となり、ガラス容器の軽量化、充填工程での容器詰まり
の解消、強度劣化の防止も実現できる。
ス容器は、ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液の
使用時におけるピンホール、感度、解像度などの特性を
劣化させることなく、電気的な悪影響を及ぼす可能性が
大きいアルカリ等の溶出も低く抑えることができ、当該
ホトレジスト溶液の変質を防止できる。さらに、処理後
ガラス表面に反応生成物が生じないので、白濁がなく外
観上は無処理容器となんら変わることがない。このため
ブルーム処理容器と比較すると洗浄工程が非常に簡単に
行え、自動検査器による欠点の検査や、ブルーム処理で
は困難だったポリエチレン処理(DG11処理)が可能
となり、ガラス容器の軽量化、充填工程での容器詰まり
の解消、強度劣化の防止も実現できる。
【図1】フッ化炭化水素で処理した容器のアルカリ溶出
量を示すグラフである。
量を示すグラフである。
【図2】フッ化炭化水素で処理した容器のSiO2の溶出
量を示すグラフである。
量を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項1】 内面を加熱下においてフッ化炭化水素ガ
スで処理したガラス容器であって、有機溶剤によるノボ
ラック樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液が収納されること
を特徴とするノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガ
ラス容器 - 【請求項2】 550〜750℃の範囲の温度に保持さ
れた成形直後の容器内部に、容器の内容積300mlあ
たり1.5ml以上のフッ化炭化水素ガスを注入してガ
ラス容器内面に作用させ、次いで漸次徐冷することを特
徴とするノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス
容器の内面処理方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2985797A JPH10212143A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器及び内面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2985797A JPH10212143A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器及び内面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10212143A true JPH10212143A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=12287648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2985797A Pending JPH10212143A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト用ガラス容器及び内面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10212143A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005170736A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Ishizuka Glass Co Ltd | 酸化反応抑制ガラス材及び酸化反応抑制ガラス容器 |
| JP2013047111A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Ishizuka Glass Co Ltd | カルシウムイオン溶出抑制ガラス容器 |
| WO2014123089A1 (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-14 | 旭硝子株式会社 | ガラス製造方法 |
| CN115003641A (zh) * | 2019-12-05 | 2022-09-02 | Sgd股份有限公司 | 用于处理玻璃容器的包括具有双闸门的用于计量处理物质的室的设备及相关方法 |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP2985797A patent/JPH10212143A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005170736A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Ishizuka Glass Co Ltd | 酸化反応抑制ガラス材及び酸化反応抑制ガラス容器 |
| JP2013047111A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Ishizuka Glass Co Ltd | カルシウムイオン溶出抑制ガラス容器 |
| WO2014123089A1 (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-14 | 旭硝子株式会社 | ガラス製造方法 |
| CN115003641A (zh) * | 2019-12-05 | 2022-09-02 | Sgd股份有限公司 | 用于处理玻璃容器的包括具有双闸门的用于计量处理物质的室的设备及相关方法 |
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