JPH10213419A - 半導体素子のリード検査方法 - Google Patents
半導体素子のリード検査方法Info
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- JPH10213419A JPH10213419A JP9013659A JP1365997A JPH10213419A JP H10213419 A JPH10213419 A JP H10213419A JP 9013659 A JP9013659 A JP 9013659A JP 1365997 A JP1365997 A JP 1365997A JP H10213419 A JPH10213419 A JP H10213419A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子のリードの検査において、リード
の浮き沈み量の検査精度の向上を図る。 【解決手段】 半導体素子を１カメラで撮影し、撮影し
た画像から各リードＬの先端位置の座標（ｘｉ，ｙｉ）
を求め、隣接するリードの先端が成す各角度θ１，θ
２，θ３（θｉ）を算出し、各角度θｉの配列を予め決
められた配列パターンと比較して曲がっていると推測さ
れるリードを排除し、残ったリードにより仮想平均線の
角度θを算出し、該仮想平均線の角度θから各リードの
先端の理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）を求め、上記測定し
た座標（ｘｉ，ｙｉ）と理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）と
からこれらの間の誤差を求め、該誤差を予め定められた
しきい値と比較して不良リードを判断する。
の浮き沈み量の検査精度の向上を図る。 【解決手段】 半導体素子を１カメラで撮影し、撮影し
た画像から各リードＬの先端位置の座標（ｘｉ，ｙｉ）
を求め、隣接するリードの先端が成す各角度θ１，θ
２，θ３（θｉ）を算出し、各角度θｉの配列を予め決
められた配列パターンと比較して曲がっていると推測さ
れるリードを排除し、残ったリードにより仮想平均線の
角度θを算出し、該仮想平均線の角度θから各リードの
先端の理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）を求め、上記測定し
た座標（ｘｉ，ｙｉ）と理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）と
からこれらの間の誤差を求め、該誤差を予め定められた
しきい値と比較して不良リードを判断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型半導体
素子を、エンボステープ又は粘着テープへ収納する装置
上における半導体素子のリード検査方法に関する。
素子を、エンボステープ又は粘着テープへ収納する装置
上における半導体素子のリード検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は、製造されると、エンボス
テープの長手方向に列状に形成された多数のポケットに
１つづつ収容され、この状態で検査を受けることにな
る。検査は幾つかの項目について行われるが、ここでは
リードの検査を対象としている。
テープの長手方向に列状に形成された多数のポケットに
１つづつ収容され、この状態で検査を受けることにな
る。検査は幾つかの項目について行われるが、ここでは
リードの検査を対象としている。
【０００３】半導体素子には、薄い直方体をした素子本
体の対向する２側面から、多数のリードが突出してい
る。これらのリードは、１つの素子の全リードを一度に
切断するので、リードが長すぎたり、短すぎることは生
じないが、リードが浮きすぎていたり、沈みすぎたり、
あるいは曲がったり、ということが生じる可能性があ
る。そして、これらの程度が大きい場合は、後の工程で
接続不良の原因になる等の問題がある。そこで、エンボ
ステープのポケット内に収容された状態で、リードの検
査を行っている。
体の対向する２側面から、多数のリードが突出してい
る。これらのリードは、１つの素子の全リードを一度に
切断するので、リードが長すぎたり、短すぎることは生
じないが、リードが浮きすぎていたり、沈みすぎたり、
あるいは曲がったり、ということが生じる可能性があ
る。そして、これらの程度が大きい場合は、後の工程で
接続不良の原因になる等の問題がある。そこで、エンボ
ステープのポケット内に収容された状態で、リードの検
査を行っている。
【０００４】図１９は、半導体素子の図である。半導体
素子１には、上述したように、その両側に、複数のリー
ドＬ（Ｌ１，Ｌ２……Ｌ８）が設けられている。従来の
リード検査方法は、まず、半導体素子１を、上方から図
示しないＣＣＤカメラで撮影し、ＣＣＤカメラにより取
り込まれた図１９（ａ）に示す画像から、半導体素子１
の傾きが概略修正されるように、原点補正を行うととも
にｘ，ｙ座標をとり、片側について、各リードＬ１，Ｌ
２，Ｌ３，Ｌ４の先端を認識し、座標（ｘｉ，ｙｉ）と
してとらえ、その座標をもとに最小自乗法によりリード
の仮想平均線３を求める。次に、仮想平均線３に対する
各リードＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４の先端の誤差ｄ（ｄ
１，ｄ２，ｄ３，ｄ４）を求める。そして、先端の誤差
ｄとリードの浮き沈み量δとが一定の相関関係にあるこ
とから、浮き沈み量δの許容値から先端の誤差の許容値
ｄ０をあらかじめ求めておき、上記のｄ１，ｄ２，ｄ
３，ｄ４を上記の許容値ｄ０（しきい値）と比較し、良
品、不良品の判定を行うものである。
素子１には、上述したように、その両側に、複数のリー
ドＬ（Ｌ１，Ｌ２……Ｌ８）が設けられている。従来の
リード検査方法は、まず、半導体素子１を、上方から図
示しないＣＣＤカメラで撮影し、ＣＣＤカメラにより取
り込まれた図１９（ａ）に示す画像から、半導体素子１
の傾きが概略修正されるように、原点補正を行うととも
にｘ，ｙ座標をとり、片側について、各リードＬ１，Ｌ
２，Ｌ３，Ｌ４の先端を認識し、座標（ｘｉ，ｙｉ）と
してとらえ、その座標をもとに最小自乗法によりリード
の仮想平均線３を求める。次に、仮想平均線３に対する
各リードＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４の先端の誤差ｄ（ｄ
１，ｄ２，ｄ３，ｄ４）を求める。そして、先端の誤差
ｄとリードの浮き沈み量δとが一定の相関関係にあるこ
とから、浮き沈み量δの許容値から先端の誤差の許容値
ｄ０をあらかじめ求めておき、上記のｄ１，ｄ２，ｄ
３，ｄ４を上記の許容値ｄ０（しきい値）と比較し、良
品、不良品の判定を行うものである。
【０００５】なお、半導体素子には両側にリードがある
ので、反対側のリードＬ５からＬ８についても上記と同
様の検査を行うことになる。
ので、反対側のリードＬ５からＬ８についても上記と同
様の検査を行うことになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の方法では、各リードの先端から仮想平均線３までの距
離を誤差ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４として判定を行うた
め、各リードの先端のばらつきが大きい場合、仮想平均
線３に対する各リードの誤差が実際の浮き沈み量δより
小さくなり、良品に近い不良品を検出できない。たとえ
ば、図１９において、リードＬ３のみが浮いていて他の
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ４は正規の位置にある場合、仮想平均線
３がＬ１，Ｌ２，Ｌ４の先端を結ぶ線から離れた位置に
なるので、リードＬ３の誤差ｄ３は実際より小さくな
り、不良とならないことがある。
の方法では、各リードの先端から仮想平均線３までの距
離を誤差ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４として判定を行うた
め、各リードの先端のばらつきが大きい場合、仮想平均
線３に対する各リードの誤差が実際の浮き沈み量δより
小さくなり、良品に近い不良品を検出できない。たとえ
ば、図１９において、リードＬ３のみが浮いていて他の
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ４は正規の位置にある場合、仮想平均線
３がＬ１，Ｌ２，Ｌ４の先端を結ぶ線から離れた位置に
なるので、リードＬ３の誤差ｄ３は実際より小さくな
り、不良とならないことがある。
【０００７】また、従来の照明方法では、半導体素子１
の真上から照明するだけなので、半導体素子のマーク５
が見にくかったり、メッキツブレがあるとリードの先端
に黒い部分ができたり、エンボステープのポケットの側
面にリードが映り込んだりして、リードの先端を正確に
検出できないという問題点があった。本発明は、上記の
問題を解消し、半導体素子のリード浮き沈み量の検査精
度の向上を計ることを目的としている。
の真上から照明するだけなので、半導体素子のマーク５
が見にくかったり、メッキツブレがあるとリードの先端
に黒い部分ができたり、エンボステープのポケットの側
面にリードが映り込んだりして、リードの先端を正確に
検出できないという問題点があった。本発明は、上記の
問題を解消し、半導体素子のリード浮き沈み量の検査精
度の向上を計ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、対向する２側面からそれぞれ複数のリードを
突設した半導体素子を撮影し、その画像から該半導体素
子の傾きを概略補正して座標を定め、各リードの先端位
置の座標（ｘｉ，ｙｉ）を求めて行う半導体素子のリー
ド検査方法において、上記各リードの先端位置の座標
（ｘｉ，ｙｉ）から隣接するリードの先端が成す各角度
θｉを算出し、各角度θｉの配列を予め決められた配列
パターンと比較して曲がっていると推測されるリードを
排除し、残ったリードにより半導体素子の傾き角度θを
算出し、該半導体素子の傾き角度θから各リードの先端
の理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）を求め、上記測定した座
標（ｘｉ，ｙｉ）と理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）とから
これらの間の誤差を求め、該誤差を予め定められたしき
い値と比較して不良リードを判断することを特徴として
いる。
本発明は、対向する２側面からそれぞれ複数のリードを
突設した半導体素子を撮影し、その画像から該半導体素
子の傾きを概略補正して座標を定め、各リードの先端位
置の座標（ｘｉ，ｙｉ）を求めて行う半導体素子のリー
ド検査方法において、上記各リードの先端位置の座標
（ｘｉ，ｙｉ）から隣接するリードの先端が成す各角度
θｉを算出し、各角度θｉの配列を予め決められた配列
パターンと比較して曲がっていると推測されるリードを
排除し、残ったリードにより半導体素子の傾き角度θを
算出し、該半導体素子の傾き角度θから各リードの先端
の理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）を求め、上記測定した座
標（ｘｉ，ｙｉ）と理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）とから
これらの間の誤差を求め、該誤差を予め定められたしき
い値と比較して不良リードを判断することを特徴として
いる。
【０００９】また、上記角度θｉの算出に加えて一辺の
両端にあるリード間の角度θａも算出して上記配列パタ
ーンに加え、曲がっていると推測されるリードを判定す
ることが望ましい。
両端にあるリード間の角度θａも算出して上記配列パタ
ーンに加え、曲がっていると推測されるリードを判定す
ることが望ましい。
【００１０】上記２つの側面のそれぞれに基準リードを
定めるとともに、両基準リード先端間の距離を算出し、
該距離と理論上求められる規格値とを比較してリードの
曲がりを判定することもできる。
定めるとともに、両基準リード先端間の距離を算出し、
該距離と理論上求められる規格値とを比較してリードの
曲がりを判定することもできる。
【００１１】また、半導体素子をその上方に置かれた光
源により照明するとともに、該光源の光を反射して半導
体を側方からも照明して上記検査を行ったり、上記半導
体素子をその上方から照明する光源と、半導体素子との
間の周辺部に拡散板を設け、リード先端部に拡散光が照
射されるようにすることが望ましい。
源により照明するとともに、該光源の光を反射して半導
体を側方からも照明して上記検査を行ったり、上記半導
体素子をその上方から照明する光源と、半導体素子との
間の周辺部に拡散板を設け、リード先端部に拡散光が照
射されるようにすることが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を図面によ
って説明する。図１は、本発明の半導体素子の検査方法
を実施する状態を示す図である。被検体としての半導体
素子１は、エンボステープ８の各ポケット８ａに１個づ
つ収容され、検査位置に運ばれてくる。検査位置の上に
は、照明装置１０が設けられ、その上にＣＣＤカメラ９
があり、照明装置１０に照明された半導体素子１を撮影
し、その画像を図示しないコンピュータ等に取り込む。
コンピュータでは、従来技術で説明したのと同じよう
に、半導体素子の傾きを概略で補正するように、原点を
補正し、ｘ，ｙ軸を設定する。
って説明する。図１は、本発明の半導体素子の検査方法
を実施する状態を示す図である。被検体としての半導体
素子１は、エンボステープ８の各ポケット８ａに１個づ
つ収容され、検査位置に運ばれてくる。検査位置の上に
は、照明装置１０が設けられ、その上にＣＣＤカメラ９
があり、照明装置１０に照明された半導体素子１を撮影
し、その画像を図示しないコンピュータ等に取り込む。
コンピュータでは、従来技術で説明したのと同じよう
に、半導体素子の傾きを概略で補正するように、原点を
補正し、ｘ，ｙ軸を設定する。
【００１３】半導体素子１のリードＬの検査を行う場
合、いかに正確にリードの先端を検出するかが重要であ
る。実際の検査においては、リードＬにメッキツブレが
あると、リード先端が黒く映ったり、あるいは、光の反
射によりキャリアテープの側面にリードが映り込むとい
ったことが起こる。そして、これらの理由により、リー
ドの先端が正確に検出できず、良品を不良品と判定して
しまうことになる。
合、いかに正確にリードの先端を検出するかが重要であ
る。実際の検査においては、リードＬにメッキツブレが
あると、リード先端が黒く映ったり、あるいは、光の反
射によりキャリアテープの側面にリードが映り込むとい
ったことが起こる。そして、これらの理由により、リー
ドの先端が正確に検出できず、良品を不良品と判定して
しまうことになる。
【００１４】リードを映し出す場合は、なるべく高い位
置から光を照射する必要がある。一方、半導体素子に
は、その型番や基準リードを示す○等のマーク５（レー
ザマーク、図１９参照）が記載されており、リード検査
の際にこのマークも検査することとしている。ところ
が、マークを映し出すには、なるべく横方向からの光を
照射することが望ましい。
置から光を照射する必要がある。一方、半導体素子に
は、その型番や基準リードを示す○等のマーク５（レー
ザマーク、図１９参照）が記載されており、リード検査
の際にこのマークも検査することとしている。ところ
が、マークを映し出すには、なるべく横方向からの光を
照射することが望ましい。
【００１５】これらのことから、上方と側方に置かれた
２つの光源によりリードとマークを別々に照射すること
が考えられるが、単純にこのような照明を行うと、半導
体素子のパッケージのエッジが白く映り、良好な画面が
得られなくなってしまう。
２つの光源によりリードとマークを別々に照射すること
が考えられるが、単純にこのような照明を行うと、半導
体素子のパッケージのエッジが白く映り、良好な画面が
得られなくなってしまう。
【００１６】そこで本発明では、図２及び図３のように
構成された照明装置１０を使用する。この照明装置１０
は、半導体素子１と光源１１との距離を離すことによ
り、リード先端部の黒く映る部分を解消し、なおかつ、
ポケットの側面にリードが映り込むことを防ぐものであ
る。
構成された照明装置１０を使用する。この照明装置１０
は、半導体素子１と光源１１との距離を離すことによ
り、リード先端部の黒く映る部分を解消し、なおかつ、
ポケットの側面にリードが映り込むことを防ぐものであ
る。
【００１７】すなわち、照明装置１０は、全体としてほ
ぼ直方体形状で、内部に２つのＬＥＤを使用した光源１
１，１１があり、半導体素子１との距離を離すために、
照射部１２と、集光部１３と、拡散板１４とを中間に配
置している。照射部１２、集光部１３及び拡散板１４に
は、図２、図３に示すように、中央にＣＣＤカメラで撮
影するための貫通した孔があり、ＣＣＤカメラ９は、光
源１１によって照明された半導体素子１を直接撮影する
ことができる。
ぼ直方体形状で、内部に２つのＬＥＤを使用した光源１
１，１１があり、半導体素子１との距離を離すために、
照射部１２と、集光部１３と、拡散板１４とを中間に配
置している。照射部１２、集光部１３及び拡散板１４に
は、図２、図３に示すように、中央にＣＣＤカメラで撮
影するための貫通した孔があり、ＣＣＤカメラ９は、光
源１１によって照明された半導体素子１を直接撮影する
ことができる。
【００１８】しかし、光源１１と半導体素子１との間の
距離を単に離すと、表面のマーク５を映し出せなくなる
ため、半導体素子１と非常に近いところに集光部１３を
設けるとともに、照射部１２及び集光部１３の内側面１
２ａ，１３ａを図示のように斜面として、半導体素子１
の上面を側方から照射し、マーク５を鮮明に映し出せる
構造となっている。
距離を単に離すと、表面のマーク５を映し出せなくなる
ため、半導体素子１と非常に近いところに集光部１３を
設けるとともに、照射部１２及び集光部１３の内側面１
２ａ，１３ａを図示のように斜面として、半導体素子１
の上面を側方から照射し、マーク５を鮮明に映し出せる
構造となっている。
【００１９】本発明の照明装置１０では、さらに、照射
部１２と集光部１３との間に拡散板１４を設けている。
リードＬのメッキがつぶれていると、そこで乱反射を起
こし、これを画像に映すと黒く見えるが、拡散板１４を
設けて光りを拡散することによって乱反射が押さえら
れ、リードＬのメッキがつぶれている部分も白く映し出
せるようになる。また、ポケット８ａの側面にリードＬ
が映り込むといったことも防止することができる。
部１２と集光部１３との間に拡散板１４を設けている。
リードＬのメッキがつぶれていると、そこで乱反射を起
こし、これを画像に映すと黒く見えるが、拡散板１４を
設けて光りを拡散することによって乱反射が押さえら
れ、リードＬのメッキがつぶれている部分も白く映し出
せるようになる。また、ポケット８ａの側面にリードＬ
が映り込むといったことも防止することができる。
【００２０】しかし、それでも、上記の構成の照明装置
だけでは、メッキツブレによりリード先端が黒く映るこ
とを完全に解消できない半導体素子もある。そこで、こ
れを解消するために、以下のような方法によりリード先
端を検出する。
だけでは、メッキツブレによりリード先端が黒く映るこ
とを完全に解消できない半導体素子もある。そこで、こ
れを解消するために、以下のような方法によりリード先
端を検出する。
【００２１】図４は、ＣＣＤカメラの素子上に形成され
た半導体素子を示す図である。この図に示すように、リ
ードＬに沿って、リード長（規格値）の約１．５倍の長
さのウィンドウ１５をかけ、このウィンドウ１５内のＣ
ＣＤ素子の出力を主走査方向ａと副走査方向ｂに沿って
測定し、図５の一次元画像１６を得る。同図の濃淡は、
リードＬの画像の濃淡を示すものである。
た半導体素子を示す図である。この図に示すように、リ
ードＬに沿って、リード長（規格値）の約１．５倍の長
さのウィンドウ１５をかけ、このウィンドウ１５内のＣ
ＣＤ素子の出力を主走査方向ａと副走査方向ｂに沿って
測定し、図５の一次元画像１６を得る。同図の濃淡は、
リードＬの画像の濃淡を示すものである。
【００２２】この一次元画像１６をフィルタ１７でフィ
ルタリング処理すると、グラフ１８のような線図が検出
される。グラフ１８の線図には、上向きに２つの極大値
と下向きに２つの極小値とが現れる。リードのエッジが
黒く映る場合は、さらに多くの極大値、極小値が現れる
が、あらかじめリードの長さをパラメータとして与えて
おくことによって、２つのエッジ間の距離がリード長
（規格値）に最も近い値となるものを求めることによ
り、リードの基端側のエッジと、先端側のエッジとのエ
ッジペアを容易に抽出することができる。
ルタリング処理すると、グラフ１８のような線図が検出
される。グラフ１８の線図には、上向きに２つの極大値
と下向きに２つの極小値とが現れる。リードのエッジが
黒く映る場合は、さらに多くの極大値、極小値が現れる
が、あらかじめリードの長さをパラメータとして与えて
おくことによって、２つのエッジ間の距離がリード長
（規格値）に最も近い値となるものを求めることによ
り、リードの基端側のエッジと、先端側のエッジとのエ
ッジペアを容易に抽出することができる。
【００２３】図示の例では、第１エッジと第２エッジが
求めるエッジペアとなる。すなわち、第１エッジがリー
ドの根本であれば、第２エッジがリードの先端となる
（又は、その反対でもよい）。こうしてメッキツブレな
どによってエッジが黒く映っても、リードの先端と根本
の位置（座標）を正確に求めることが可能となる。
求めるエッジペアとなる。すなわち、第１エッジがリー
ドの根本であれば、第２エッジがリードの先端となる
（又は、その反対でもよい）。こうしてメッキツブレな
どによってエッジが黒く映っても、リードの先端と根本
の位置（座標）を正確に求めることが可能となる。
【００２４】図６は、半導体素子１がエンボステープの
ポケット内で回転した状態を示す図である。各リードＬ
の理論上の点を計算する場合、半導体素子１の傾き角θ
が重要となる。この傾き角θを、半導体素子１のパッケ
ージ１ａのエッジ１ｂにより求めると、パッケージのバ
リ等により角度の誤差が大きくなるため、正確な検査が
できない。これに対し、従来は、リード先端の座標によ
り式（１）を用いて角度を計算していた。
ポケット内で回転した状態を示す図である。各リードＬ
の理論上の点を計算する場合、半導体素子１の傾き角θ
が重要となる。この傾き角θを、半導体素子１のパッケ
ージ１ａのエッジ１ｂにより求めると、パッケージのバ
リ等により角度の誤差が大きくなるため、正確な検査が
できない。これに対し、従来は、リード先端の座標によ
り式（１）を用いて角度を計算していた。
【００２５】
【数１】 但し、ｎはリードの数、ｘｉ，ｙｉはｉ番目のリード先
端の座標である。
端の座標である。
【００２６】しかし、上記の従来の方法では、図７に示
すように、両端のリード間の角度θとして算出されるの
で、たとえば、図７のように端部にのみ曲がったリード
がある場合には、その曲がりが大きくても、角θは小さ
くなって、不良品を良品と判定してしまうことになる。
すように、両端のリード間の角度θとして算出されるの
で、たとえば、図７のように端部にのみ曲がったリード
がある場合には、その曲がりが大きくても、角θは小さ
くなって、不良品を良品と判定してしまうことになる。
【００２７】そこで、本発明では、以下の方法により角
度を計算することとしている。まず、パッケージのエッ
ジにより大まかな半導体素子の傾き角度θｐを算出す
る。次に、図８に示すように、隣り合うリードの角度θ
ｉを式（２）により求める。
度を計算することとしている。まず、パッケージのエッ
ジにより大まかな半導体素子の傾き角度θｐを算出す
る。次に、図８に示すように、隣り合うリードの角度θ
ｉを式（２）により求める。
【数２】 これにより求められた角度θｉにより、リードが４本で
θｉがθ１，θ２，θ３の場合について、図９から図１
８の場合分けを行い、曲がっているリードを推測する。
θｉがθ１，θ２，θ３の場合について、図９から図１
８の場合分けを行い、曲がっているリードを推測する。
【００２８】図９は、θ１＞２．７゜，θ２＜２．７
゜，θ３＜２．７゜から、しきい値２．７゜を越えたＬ
１が曲がっていると推測してこれを除外し、Ｌ２，Ｌ
３，Ｌ４により半導体素子の傾き角度を求める。
゜，θ３＜２．７゜から、しきい値２．７゜を越えたＬ
１が曲がっていると推測してこれを除外し、Ｌ２，Ｌ
３，Ｌ４により半導体素子の傾き角度を求める。
【００２９】図１０は、θ１＜２．７゜，θ２＜２．７
゜，θ３＞２．７゜から、しきい値２．７゜を越えたＬ
４が曲がっていると推測してこれを除外し、Ｌ１，Ｌ
２，Ｌ３により半導体素子の傾き角度を求める。
゜，θ３＞２．７゜から、しきい値２．７゜を越えたＬ
４が曲がっていると推測してこれを除外し、Ｌ１，Ｌ
２，Ｌ３により半導体素子の傾き角度を求める。
【００３０】図１１は、θ１＞２．７゜，θ２＞２．７
゜，θ３＜２．７゜，θａ＜０．９゜から、Ｌ２が曲が
っていると推測してこれを除外し、Ｌ１，Ｌ３，Ｌ４に
より半導体素子の傾き角度を求める。なお、θａは、Ｌ
１とＬ４の角度で、０．９゜は、２．７゜を両端間の角
度に換算した許容値である。
゜，θ３＜２．７゜，θａ＜０．９゜から、Ｌ２が曲が
っていると推測してこれを除外し、Ｌ１，Ｌ３，Ｌ４に
より半導体素子の傾き角度を求める。なお、θａは、Ｌ
１とＬ４の角度で、０．９゜は、２．７゜を両端間の角
度に換算した許容値である。
【００３１】図１２は、θ１＜２．７゜，θ２＞２．７
゜，θ３＞２．７゜，θａ＜０．９゜から、Ｌ３が曲が
っていると推測してこれを除外し、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ４に
より半導体素子の傾き角度を求める。
゜，θ３＞２．７゜，θａ＜０．９゜から、Ｌ３が曲が
っていると推測してこれを除外し、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ４に
より半導体素子の傾き角度を求める。
【００３２】図１３は、θ１＜２．７゜，θ２＞２．７
゜，θ３＜２．７゜から、Ｌ１，Ｌ２が曲がっていると
推測してこれを除外し、Ｌ３，Ｌ４により半導体素子の
傾き角度を求める。
゜，θ３＜２．７゜から、Ｌ１，Ｌ２が曲がっていると
推測してこれを除外し、Ｌ３，Ｌ４により半導体素子の
傾き角度を求める。
【００３３】図１４は、θ１＞２．７゜，θ２＜２．７
゜，θ３＞２．７゜から、Ｌ１，Ｌ４が曲がっていると
推測してこれを除外し、Ｌ２，Ｌ３により半導体素子の
傾き角度を求める。
゜，θ３＞２．７゜から、Ｌ１，Ｌ４が曲がっていると
推測してこれを除外し、Ｌ２，Ｌ３により半導体素子の
傾き角度を求める。
【００３４】図１５は、θ１＞２．７゜，θ２＞２．７
゜，θ３＜２．７゜，θａ＞０．９゜から、Ｌ１，Ｌ２
が曲がっていると推測してこれを除外し、Ｌ３，Ｌ４に
より半導体素子の傾き角度を求める。
゜，θ３＜２．７゜，θａ＞０．９゜から、Ｌ１，Ｌ２
が曲がっていると推測してこれを除外し、Ｌ３，Ｌ４に
より半導体素子の傾き角度を求める。
【００３５】図１６は、θ１＜２．７゜，θ２＞２．７
゜，θ３＞２．７゜，θａ＞０．９゜から、Ｌ３，Ｌ４
が曲がっていると推測してこれを除外し、Ｌ１，Ｌ２に
より半導体素子の傾き角度を求める。
゜，θ３＞２．７゜，θａ＞０．９゜から、Ｌ３，Ｌ４
が曲がっていると推測してこれを除外し、Ｌ１，Ｌ２に
より半導体素子の傾き角度を求める。
【００３６】図１７は、θ１＜２．７゜，θ２＜２．７
゜，θ３＜２．７゜，θａ＞０．９゜から、総てのリー
ドが曲がっていると推測して総てを削除し、反対側のリ
ードのみにより半導体素子の傾き角度を求める。
゜，θ３＜２．７゜，θａ＞０．９゜から、総てのリー
ドが曲がっていると推測して総てを削除し、反対側のリ
ードのみにより半導体素子の傾き角度を求める。
【００３７】図１８は、θ１＞２．７゜，θ２＞２．７
゜，θ３＞２．７゜から、強制的に不良と判定する。こ
うして、曲がっていると推測したリードを取り除いた
ら、残ったリードの座標により、半導体素子の傾き角度
θを式（３）により求める。
゜，θ３＞２．７゜から、強制的に不良と判定する。こ
うして、曲がっていると推測したリードを取り除いた
ら、残ったリードの座標により、半導体素子の傾き角度
θを式（３）により求める。
【００３８】
【数３】 但し、Ｎは残ったリードの数、ｘｉ，ｙｉは残ったリー
ドの先端の座標である。
ドの先端の座標である。
【００３９】ここで、曲がっているリードを推測する場
合、２．７°を基準としているが、２．７°とはリード
が１５０μｍ（許容値）浮いたり沈んだりした場合に、
隣接するリード間がなす角度である。そして、１５０μ
ｍは、半導体素子１のリードを接続する際に、接続不良
などのトラブルが生じない限度とされている。
合、２．７°を基準としているが、２．７°とはリード
が１５０μｍ（許容値）浮いたり沈んだりした場合に、
隣接するリード間がなす角度である。そして、１５０μ
ｍは、半導体素子１のリードを接続する際に、接続不良
などのトラブルが生じない限度とされている。
【００４０】式（３）により角度θを求めた後、適当に
第１基準リードを設定し、各リードの理論上の座標を式
（４）及び（５）により求める。
第１基準リードを設定し、各リードの理論上の座標を式
（４）及び（５）により求める。
【数４】
【数５】
【００４１】但し、Ｘｔｈ、Ｙｔｈは、第１基準リード
からｈ番目にあるリードの理論上の先端位置のｘ座標、
ｙ座標、ｘ０，ｙ０は第１基準リードのｘ座標、ｙ座
標、ｐは第１基準リードからｈ番目にあるリードまでの
距離である。
からｈ番目にあるリードの理論上の先端位置のｘ座標、
ｙ座標、ｘ０，ｙ０は第１基準リードのｘ座標、ｙ座
標、ｐは第１基準リードからｈ番目にあるリードまでの
距離である。
【００４２】次に、ｈ番目のリードの理論上の先端の座
標（Ｘｔｈ、Ｙｔｈ）に対する検出された先端の座標
（ｘｉ、ｙｉ）の誤差（△ｘｉ、△ｙｉ）を式（６）及
び（７）により求め、誤差（△ｘｉ、△ｙｉ）がしきい
値より大きい場合、不良と判定する。反対測のリードに
ついても同様に計算を行う。
標（Ｘｔｈ、Ｙｔｈ）に対する検出された先端の座標
（ｘｉ、ｙｉ）の誤差（△ｘｉ、△ｙｉ）を式（６）及
び（７）により求め、誤差（△ｘｉ、△ｙｉ）がしきい
値より大きい場合、不良と判定する。反対測のリードに
ついても同様に計算を行う。
【００４３】
【数６】
【数７】
【００４４】更に、全てのリードが良品の場合、第１基
準リードＬａと第２基準リードＬｂとの距離Ｄ（図６参
照）を求め、設計図などから算出される規格値と比較し
て誤差を求める。これにより片側全リードの浮き沈みを
検出することができる。
準リードＬａと第２基準リードＬｂとの距離Ｄ（図６参
照）を求め、設計図などから算出される規格値と比較し
て誤差を求める。これにより片側全リードの浮き沈みを
検出することができる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体素子のリード検査方法において、各リードの先端
位置の座標（ｘｉ，ｙｉ）を求め、隣接するリードの先
端が成す各角度θｉを算出し、各角度θｉの配列を予め
決められた配列パターンと比較して曲がっていると推測
されるリードを排除し、残ったリードにより半導体素子
の傾き角度θを算出し、該半導体素子の傾き角度θから
各リードの先端の理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）を求め、
上記測定した座標（ｘｉ，ｙｉ）と理論座標（Ｘｔｈ，
Ｙｔｈ）とからこれらの間の誤差を求め、該誤差を予め
定められたしきい値と比較して不良リードを判断するこ
ととしたので、各リードの先端のばらつきが大きい場合
でも、各リードの誤差が正確に計測できる。
半導体素子のリード検査方法において、各リードの先端
位置の座標（ｘｉ，ｙｉ）を求め、隣接するリードの先
端が成す各角度θｉを算出し、各角度θｉの配列を予め
決められた配列パターンと比較して曲がっていると推測
されるリードを排除し、残ったリードにより半導体素子
の傾き角度θを算出し、該半導体素子の傾き角度θから
各リードの先端の理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）を求め、
上記測定した座標（ｘｉ，ｙｉ）と理論座標（Ｘｔｈ，
Ｙｔｈ）とからこれらの間の誤差を求め、該誤差を予め
定められたしきい値と比較して不良リードを判断するこ
ととしたので、各リードの先端のばらつきが大きい場合
でも、各リードの誤差が正確に計測できる。
【００４６】また、角度θｉの算出に加えて一辺の両端
にあるリード間の角度θａも算出して上記配列パターン
に加え、曲がっていると推測されるリードを判定するこ
ととすれば、より正確な検査が可能となる。
にあるリード間の角度θａも算出して上記配列パターン
に加え、曲がっていると推測されるリードを判定するこ
ととすれば、より正確な検査が可能となる。
【００４７】２辺のそれぞれに基準リードを定めるとと
もに、両基準リード先端間の距離を算出し、該距離と理
論上求められる規格値とを比較するようにすれば、片側
全部のリードの浮き量または沈み量が同じ場合でも、不
良素子の検出が可能となる。ため、半導体素子のリード
検査の精度が向上する。
もに、両基準リード先端間の距離を算出し、該距離と理
論上求められる規格値とを比較するようにすれば、片側
全部のリードの浮き量または沈み量が同じ場合でも、不
良素子の検出が可能となる。ため、半導体素子のリード
検査の精度が向上する。
【００４８】被検体としての半導体素子をその上方に置
かれた光源により照明するとともに、該光源の光を反射
して半導体を側方からも照明して上記検査を行うと、リ
ードとともに、マークの検査もやりやすくなる。
かれた光源により照明するとともに、該光源の光を反射
して半導体を側方からも照明して上記検査を行うと、リ
ードとともに、マークの検査もやりやすくなる。
【００４９】半導体素子をその上方から照明する光源
と、半導体素子との間の周辺部に拡散板を設け、リード
先端部に拡散光が照射されるようにすれば、リード先端
を明確に認識でき、検査精度が向上する。
と、半導体素子との間の周辺部に拡散板を設け、リード
先端部に拡散光が照射されるようにすれば、リード先端
を明確に認識でき、検査精度が向上する。
【図１】本発明による半導体素子の検査方法を行う装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図２】照明装置の斜視図である。
【図３】照明装置の断面図である。
【図４】半導体素子をカメラで撮影したカメラの画面を
示す図である。
示す図である。
【図５】リードの先端が不鮮明な場合に、リードの先端
を求める方法を説明する図である。
を求める方法を説明する図である。
【図６】半導体素子がエンボステープのポケット内で傾
斜した状態を示す図である。
斜した状態を示す図である。
【図７】従来の測定方法の問題点を説明する図である。
【図８】本発明の測定方法を説明する図で、隣接するリ
ード間の角度測定を説明する図である。
ード間の角度測定を説明する図である。
【図９】隣接するリード間の角度の配列の１パターンを
示す図である。
示す図である。
【図１０】隣接するリード間の角度の配列の１パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図１１】隣接するリード間の角度の配列の１パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図１２】隣接するリード間の角度の配列の１パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】隣接するリード間の角度の配列の１パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図１４】隣接するリード間の角度の配列の１パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図１５】隣接するリード間の角度の配列の１パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図１６】隣接するリード間の角度の配列の１パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図１７】隣接するリード間の角度の配列の１パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図１８】隣接するリード間の角度の配列の１パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図１９】従来のリードの測定方法を説明する図であ
る。
る。
１ 半導体素子 １ａ 半導体素子本体 ９ カメラ １１ 光源 １４ 拡散板 Ｌ リード
Claims (5)
- 【請求項１】 対向する２側面からそれぞれ複数のリー
ドを突設した半導体素子を撮影し、その画像から該半導
体素子の傾きを概略補正して座標を定め、各リードの先
端位置の座標（ｘｉ，ｙｉ）を求めて行う半導体素子の
リード検査方法において、上記各リードの先端位置の座
標（ｘｉ，ｙｉ）から隣接するリードの先端が成す各角
度θｉを算出し、各角度θｉの配列を予め決められた配
列パターンと比較して曲がっていると推測されるリード
を排除し、残ったリードにより半導体素子の傾き角度θ
を算出し、該半導体素子の傾き角度θから各リードの先
端の理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）を求め、上記測定した
座標（ｘｉ，ｙｉ）と理論座標（Ｘｔｈ，Ｙｔｈ）とか
らこれらの間の誤差を求め、該誤差を予め定められたし
きい値と比較して不良リードを判断することを特徴とす
る半導体素子のリード検査方法。 - 【請求項２】 上記角度θｉの算出に加えて一辺の両端
にあるリード間の角度θａも算出して上記配列パターン
に加え、曲がっていると推測されるリードを判定するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体のリード検査方
法。 - 【請求項３】 上記２つの側面のそれぞれに基準リード
を定めるとともに、両基準リード先端間の距離を算出
し、該距離と理論上求められる規格値とを比較してリー
ドの曲がりを判定することを特徴とする請求項１又は２
記載の半導体素子のリード検査方法。 - 【請求項４】 半導体素子をその上方に置かれた光源に
より照明するとともに、該光源の光を反射して半導体を
側方からも照明して上記検査を行うことを特徴とする請
求項１から３のいずれかに記載の半導体素子のリード検
査方法。 - 【請求項５】 上記半導体素子をその上方から照明する
光源と、半導体素子との間の周辺部に拡散板を設け、リ
ード先端部に拡散光が照射されるようにしたことを特徴
とする請求項４記載の半導体素子のリード検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01365997A JP3677136B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 半導体素子のリード検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01365997A JP3677136B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 半導体素子のリード検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10213419A true JPH10213419A (ja) | 1998-08-11 |
| JP3677136B2 JP3677136B2 (ja) | 2005-07-27 |
Family
ID=11839338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01365997A Expired - Lifetime JP3677136B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 半導体素子のリード検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3677136B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010054249A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 外観検査方法および外観検査装置 |
| CN111829467A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-27 | 国家电网有限公司技术学院分公司 | 一种基于接线角度和位置的接线评估方法及系统 |
| CN117020061A (zh) * | 2023-07-12 | 2023-11-10 | 岑科科技(深圳)集团有限公司 | 电感引脚调整方法、系统、计算机设备及存储介质 |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP01365997A patent/JP3677136B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010054249A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 外観検査方法および外観検査装置 |
| CN111829467A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-27 | 国家电网有限公司技术学院分公司 | 一种基于接线角度和位置的接线评估方法及系统 |
| CN117020061A (zh) * | 2023-07-12 | 2023-11-10 | 岑科科技(深圳)集团有限公司 | 电感引脚调整方法、系统、计算机设备及存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3677136B2 (ja) | 2005-07-27 |
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