JPH10214828A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH10214828A JPH10214828A JP1623497A JP1623497A JPH10214828A JP H10214828 A JPH10214828 A JP H10214828A JP 1623497 A JP1623497 A JP 1623497A JP 1623497 A JP1623497 A JP 1623497A JP H10214828 A JPH10214828 A JP H10214828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load lock
- lock chamber
- reaction chamber
- chamber
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造装置のロードロック室と反応室間
のゲートバルブを開けたときにゴミを吹き上げるのを防
止する。 【解決手段】 第１ガス供給口２ａと第１ガス排気口１
３と外部と試料を出し入れする第１ゲートバルブ５とを
配設したロードロック室２と、第２ガス供給口６ａと第
２ガス排気口１４とを配設した反応室６と、ロードロッ
ク室２と反応室６とを試料を出し入れ可能に接続した第
２ゲートバルブ９とを有する半導体製造装置１１におい
て、差圧計１２の両端子の一方をロードロック室２に他
方を反応室６に接続した半導体製造装置１１。
のゲートバルブを開けたときにゴミを吹き上げるのを防
止する。 【解決手段】 第１ガス供給口２ａと第１ガス排気口１
３と外部と試料を出し入れする第１ゲートバルブ５とを
配設したロードロック室２と、第２ガス供給口６ａと第
２ガス排気口１４とを配設した反応室６と、ロードロッ
ク室２と反応室６とを試料を出し入れ可能に接続した第
２ゲートバルブ９とを有する半導体製造装置１１におい
て、差圧計１２の両端子の一方をロードロック室２に他
方を反応室６に接続した半導体製造装置１１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反応室とロードロ
ック室とをゲートバルブを介して接続した半導体製造装
置に関する。特に、ＣＶＤ装置やエピタキシャル成長装
置やイオンエッチング装置に好適な半導体製造装置に関
する。
ック室とをゲートバルブを介して接続した半導体製造装
置に関する。特に、ＣＶＤ装置やエピタキシャル成長装
置やイオンエッチング装置に好適な半導体製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】特開平６−２７５５３５号公報で開示さ
れた、本発明に関わる従来の半導体製造装置の概念図を
図２に示し、構造について説明する。
れた、本発明に関わる従来の半導体製造装置の概念図を
図２に示し、構造について説明する。
【０００３】図において、１はＣＶＤ装置、２は窒素を
供給する第１ガス供給口２ａ有し、気密が保持できるロ
ードロック室、３はロードロック室２を排気する第１バ
ルブ３ａを介して接続した第１排気ポンプ、１３は第４
バルブ１３ａを介してロードロック室２に接続した第１
排気口、４はロードロック室２の圧力を測定する第１圧
力計、５はロードロック室２に半導体ウェーハ（図示せ
ず）を供給したり、ロードロック室２から半導体ウェー
ハを取り出すときに開閉する第１ゲートバルブである。
供給する第１ガス供給口２ａ有し、気密が保持できるロ
ードロック室、３はロードロック室２を排気する第１バ
ルブ３ａを介して接続した第１排気ポンプ、１３は第４
バルブ１３ａを介してロードロック室２に接続した第１
排気口、４はロードロック室２の圧力を測定する第１圧
力計、５はロードロック室２に半導体ウェーハ（図示せ
ず）を供給したり、ロードロック室２から半導体ウェー
ハを取り出すときに開閉する第１ゲートバルブである。
【０００４】６は窒素および反応ガスを切り替え可能に
供給する第２ガス供給口６ａを有し、気密が保持できる
反応室、７は反応室６を排気する第２バルブ７ａを介し
て接続した第２排気ポンプ、１４は第５バルブ１４ａを
介して反応室６に接続した第２排気口、８は反応室６の
圧力を測定する第２圧力計である。
供給する第２ガス供給口６ａを有し、気密が保持できる
反応室、７は反応室６を排気する第２バルブ７ａを介し
て接続した第２排気ポンプ、１４は第５バルブ１４ａを
介して反応室６に接続した第２排気口、８は反応室６の
圧力を測定する第２圧力計である。
【０００５】９はロードロック室２と反応室６との間を
気密が保持できるように接続し、ロードロック室に配設
したロボット（図示せず）で半導体ウェーハをロードロ
ック室２と反応室６間でやりとりするときに開ける第２
ゲートバルブ、１０はロードロック室２と反応室６とを
第３バルブ１０ａとエアーフィルタ１０ｂを介して連通
したバイパスパイプである。
気密が保持できるように接続し、ロードロック室に配設
したロボット（図示せず）で半導体ウェーハをロードロ
ック室２と反応室６間でやりとりするときに開ける第２
ゲートバルブ、１０はロードロック室２と反応室６とを
第３バルブ１０ａとエアーフィルタ１０ｂを介して連通
したバイパスパイプである。
【０００６】この装置の使用方法における特徴は、ロー
ドロック室２と反応室６間で半導体ウェーハを移載する
ときに、ロードロック室２と反応室６の圧力を第１圧力
計４と第２圧力計８で測定して同じ圧力になったと判断
したときに、第３バルブ１０ａを開いて、ロードロック
室２と反応室６のうち微小圧力高い室から低い室にバイ
パスパイプ１０を通して気体を流し、ロードロック室２
と反応室６の圧力を同じにする。
ドロック室２と反応室６間で半導体ウェーハを移載する
ときに、ロードロック室２と反応室６の圧力を第１圧力
計４と第２圧力計８で測定して同じ圧力になったと判断
したときに、第３バルブ１０ａを開いて、ロードロック
室２と反応室６のうち微小圧力高い室から低い室にバイ
パスパイプ１０を通して気体を流し、ロードロック室２
と反応室６の圧力を同じにする。
【０００７】その後に第２ゲートバルブ９を開いて半導
体ウェーハをロードロック室２から反応室６に移載した
り、反応室６からロードロック室２に移載したりする。
このように、第２ゲートバルブ９を開く前にバイパスパ
イプ１０を経由して気体を流して、ロードロック室２と
反応室６の圧力差をなくすことができる。したがって、
第２ゲートバルブ９を開いたときに気流が発生すること
がなく、ゴミが舞い上がって半導体ウェーハ上に付着
し、半導体ウアエ−ハに悪影響を与えることを防止す
る。
体ウェーハをロードロック室２から反応室６に移載した
り、反応室６からロードロック室２に移載したりする。
このように、第２ゲートバルブ９を開く前にバイパスパ
イプ１０を経由して気体を流して、ロードロック室２と
反応室６の圧力差をなくすことができる。したがって、
第２ゲートバルブ９を開いたときに気流が発生すること
がなく、ゴミが舞い上がって半導体ウェーハ上に付着
し、半導体ウアエ−ハに悪影響を与えることを防止す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記半導体製造装置に
おいては、ロードロック室と反応室に各々圧力計を配設
したが、両室の圧力計の誤差や読みの誤差が大きい場合
はバイパスパイプを流れる気体の量や速度により、気体
が流れ出したり、流れ込んだりしたときの気流によりロ
ードロック室と反応室のゴミを巻き上げ試料上に付着す
ることがあった。
おいては、ロードロック室と反応室に各々圧力計を配設
したが、両室の圧力計の誤差や読みの誤差が大きい場合
はバイパスパイプを流れる気体の量や速度により、気体
が流れ出したり、流れ込んだりしたときの気流によりロ
ードロック室と反応室のゴミを巻き上げ試料上に付着す
ることがあった。
【０００９】また、ロードロック室と反応室を同じ圧力
に制御することが容易でなかった。
に制御することが容易でなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、第１ガス供給口と第１ガ
ス排気口と外部と試料を出し入れする第１ゲートバルブ
とを配設したロードロック室と、第２ガス供給口と第２
ガス排気口とを配設した反応室とロードロック室と反応
室とを試料を出し入れ可能に接続した第２ゲートバルブ
とを有する半導体製造装置において、差圧計の両端子の
一方をロードロック室に他方を反応室に接続した半導体
製造装置を提供する。このことにより、ロードロック室
と反応室間の差圧計１台でで両室の圧力差として確認す
ることができるので機器差はなく、ロードロック室と反
応室間の第２ゲートバルブを開いても、両室間での気体
の移動は非常に少なく、ゴミを巻き上げることを防ぐこ
とができる。
するために提案されたもので、第１ガス供給口と第１ガ
ス排気口と外部と試料を出し入れする第１ゲートバルブ
とを配設したロードロック室と、第２ガス供給口と第２
ガス排気口とを配設した反応室とロードロック室と反応
室とを試料を出し入れ可能に接続した第２ゲートバルブ
とを有する半導体製造装置において、差圧計の両端子の
一方をロードロック室に他方を反応室に接続した半導体
製造装置を提供する。このことにより、ロードロック室
と反応室間の差圧計１台でで両室の圧力差として確認す
ることができるので機器差はなく、ロードロック室と反
応室間の第２ゲートバルブを開いても、両室間での気体
の移動は非常に少なく、ゴミを巻き上げることを防ぐこ
とができる。
【００１１】加えて、ロードロック室または／および反
応室のガス供給口または／およびガス排気口にガス流量
制御装置を配設した半導体製造装置を提供する。このこ
とにより、ロードロック室と反応室の圧力を同じに容易
に制御でき、また同じ圧力に長い時間保てるために、両
室間の差圧を容易に零にできる。
応室のガス供給口または／およびガス排気口にガス流量
制御装置を配設した半導体製造装置を提供する。このこ
とにより、ロードロック室と反応室の圧力を同じに容易
に制御でき、また同じ圧力に長い時間保てるために、両
室間の差圧を容易に零にできる。
【００１２】加えて、反応室とロードロック室とをバル
ブを介してバイパスラインで連通した半導体製造装置を
提供する。このことにより、ロードロック室と反応室間
に微小の圧力差があっても、バイパスラインを経由して
両室を同圧にすれば、移動する気体をゴミを巻き上げる
ことがない場所に流すことができる。
ブを介してバイパスラインで連通した半導体製造装置を
提供する。このことにより、ロードロック室と反応室間
に微小の圧力差があっても、バイパスラインを経由して
両室を同圧にすれば、移動する気体をゴミを巻き上げる
ことがない場所に流すことができる。
【００１３】加えて、バイパスラインにエアーフィルタ
を配設した半導体製造装置を提供する。このことによ
り、バイパスパイプを通してゴミが移動するのを防ぐと
ともに、バイパスパイプの抵抗が大きくすることによ
り、気体の移動速度を遅くできるのでゴミを巻き上げる
ことを防ぐことができる。
を配設した半導体製造装置を提供する。このことによ
り、バイパスパイプを通してゴミが移動するのを防ぐと
ともに、バイパスパイプの抵抗が大きくすることによ
り、気体の移動速度を遅くできるのでゴミを巻き上げる
ことを防ぐことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明に関わる半導体製造装置の
概念図を図１に示し、構造について説明する。図におい
て、図２と同じ部位は同じ番号を付し説明を省略する。
概念図を図１に示し、構造について説明する。図におい
て、図２と同じ部位は同じ番号を付し説明を省略する。
【００１５】１１は本発明のＣＶＤ装置、１２は両端子
の一方をロードロック室２に他方を反応室６に接続した
差圧計である。
の一方をロードロック室２に他方を反応室６に接続した
差圧計である。
【００１６】この装置の従来技術で述べたＣＶＤ装置１
と異なる構造について説明する。従来のＣＶＤ装置１の
ロードロック室２の第１圧力計４と反応室の第２圧力計
７に加えて、本発明のＣＶＤ装置１１はロードロック室
２と反応室６間に差圧計１２を接続したことである。ま
た、図示しないが、ガス供給口２ａ、６ａおよびガス排
気口１３、１４の全てにガス流量制御装置を配設したこ
とである。
と異なる構造について説明する。従来のＣＶＤ装置１の
ロードロック室２の第１圧力計４と反応室の第２圧力計
７に加えて、本発明のＣＶＤ装置１１はロードロック室
２と反応室６間に差圧計１２を接続したことである。ま
た、図示しないが、ガス供給口２ａ、６ａおよびガス排
気口１３、１４の全てにガス流量制御装置を配設したこ
とである。
【００１７】ガス流量制御装置は、圧力計４、８の目盛
りが１気圧近傍で外気圧より高い圧力を示すように、ガ
ス供給口２ａ、６ａおよびガス排気口１３、１４のガス
流量を制御するように自動的に働く。１気圧より高くす
るのは、第１ゲートバルブ５を開いたときに外部からロ
ードロック室２への空気の侵入とともにゴミが入るのを
防ぐためである。また、このガス流量制御装置は差圧計
１２の目盛りが零より大きくずれているときは、目盛り
が速く零に近付くように流量を大きく変動させ、目盛り
が零に近付いているときは、目盛りが零に徐々に近付く
ように流量を少しづつ変動させる。目盛りが零になった
ときは、定常状態として流量を変動させないように働
く。
りが１気圧近傍で外気圧より高い圧力を示すように、ガ
ス供給口２ａ、６ａおよびガス排気口１３、１４のガス
流量を制御するように自動的に働く。１気圧より高くす
るのは、第１ゲートバルブ５を開いたときに外部からロ
ードロック室２への空気の侵入とともにゴミが入るのを
防ぐためである。また、このガス流量制御装置は差圧計
１２の目盛りが零より大きくずれているときは、目盛り
が速く零に近付くように流量を大きく変動させ、目盛り
が零に近付いているときは、目盛りが零に徐々に近付く
ように流量を少しづつ変動させる。目盛りが零になった
ときは、定常状態として流量を変動させないように働
く。
【００１８】このＣＶＤ装置の使用方法を説明する。
【００１９】第２ゲートバルブ９および第２ガス排気口
１４の第５バルブ１４ａを閉じ、第２ガス供給口６ａか
らの窒素の供給を停止した状態で、第２バルブ７ａを開
き第２排気ポンプ７で反応室６を真空にする。つづい
て、第２バルブ７ａを閉じ、第２ガス供給口６ａから第
２圧力計８が１気圧を示すまで窒素を反応室６に供給す
る。つづいて、窒素の供給を停止して、再び第２バルブ
７ａを開き第２排気ポンプ７で真空にする。この窒素の
供給と真空排気を繰り返して、反応室６を不純物ガスの
ない１気圧の窒素雰囲気にする。
１４の第５バルブ１４ａを閉じ、第２ガス供給口６ａか
らの窒素の供給を停止した状態で、第２バルブ７ａを開
き第２排気ポンプ７で反応室６を真空にする。つづい
て、第２バルブ７ａを閉じ、第２ガス供給口６ａから第
２圧力計８が１気圧を示すまで窒素を反応室６に供給す
る。つづいて、窒素の供給を停止して、再び第２バルブ
７ａを開き第２排気ポンプ７で真空にする。この窒素の
供給と真空排気を繰り返して、反応室６を不純物ガスの
ない１気圧の窒素雰囲気にする。
【００２０】上記反応室６の操作と同時に、第１ゲート
バルブ５を閉じ、第１ガス供給口２ａからの窒素の供給
を停止した状態で、第１ガス排気口１３の第４バルブ１
３ａを開きロードロック室２を外気圧と同じにし、第１
ゲートバルブ５を開いて半導体ウェーハ（図示せず）を
ロードロック室２の所定位置に載置して、第１ゲートバ
ルブ５を閉じる。つづいて、第４バルブ１３ａを閉じ、
第１バルブ３ａを開いて第１排気ポンプ３でロードロッ
ク室２を真空排気する。つづいて、第１バルブ３ａを閉
じ、第１圧力計８が１気圧を示すまで窒素をロードロッ
ク室２に供給する。つづいて、窒素の供給を停止して、
再び第１バルブ３ａを開き第１排気ポンプ３で真空にす
る。この窒素の供給と真空排気を繰り返して、ロードロ
ック室２を不純物のない窒素雰囲気にする。
バルブ５を閉じ、第１ガス供給口２ａからの窒素の供給
を停止した状態で、第１ガス排気口１３の第４バルブ１
３ａを開きロードロック室２を外気圧と同じにし、第１
ゲートバルブ５を開いて半導体ウェーハ（図示せず）を
ロードロック室２の所定位置に載置して、第１ゲートバ
ルブ５を閉じる。つづいて、第４バルブ１３ａを閉じ、
第１バルブ３ａを開いて第１排気ポンプ３でロードロッ
ク室２を真空排気する。つづいて、第１バルブ３ａを閉
じ、第１圧力計８が１気圧を示すまで窒素をロードロッ
ク室２に供給する。つづいて、窒素の供給を停止して、
再び第１バルブ３ａを開き第１排気ポンプ３で真空にす
る。この窒素の供給と真空排気を繰り返して、ロードロ
ック室２を不純物のない窒素雰囲気にする。
【００２１】つづいて、第１ガス供給口２ａおよび第２
ガス供給口６ａのガス流入量制御装置および第１ガス排
気口１３および第２ガス排気口１４のガス排気量制限装
置により窒素の流量を差圧計１２で確認しながら徐々に
変化させ、ロードロック室２の圧力を、反応室６の圧力
と同じ圧力に制御する。このとき、ロードロック室２お
よび反応室６の圧力が外部の圧力より下がって、第１ガ
ス排気口１３および第２ガス排気口１４を通って、外部
からロードロック室２および反応室６に空気が入らない
ようにする必要があるためである。
ガス供給口６ａのガス流入量制御装置および第１ガス排
気口１３および第２ガス排気口１４のガス排気量制限装
置により窒素の流量を差圧計１２で確認しながら徐々に
変化させ、ロードロック室２の圧力を、反応室６の圧力
と同じ圧力に制御する。このとき、ロードロック室２お
よび反応室６の圧力が外部の圧力より下がって、第１ガ
ス排気口１３および第２ガス排気口１４を通って、外部
からロードロック室２および反応室６に空気が入らない
ようにする必要があるためである。
【００２２】つづいて、第３バルブ１０ａを開く。この
とき、圧力制御が不十分でロードロック室２と反応室６
間の圧力に微小圧力差があれば、圧力の高い方の室から
低い方の室に、バイパスパイプ１０を経由して窒素が流
れる。圧力差が小さく、流れる窒素の量は非常に少な
く、ゴミの巻き上げることはない。また、バイパスパイ
プ１０にはエアーフィルタ１０ｂが配設されているの
で、ゴミの移動を防ぐとともに、窒素の移動速度を遅く
する効果を有し、ゴミの巻き上げるのを防ぐ効果もあ
る。
とき、圧力制御が不十分でロードロック室２と反応室６
間の圧力に微小圧力差があれば、圧力の高い方の室から
低い方の室に、バイパスパイプ１０を経由して窒素が流
れる。圧力差が小さく、流れる窒素の量は非常に少な
く、ゴミの巻き上げることはない。また、バイパスパイ
プ１０にはエアーフィルタ１０ｂが配設されているの
で、ゴミの移動を防ぐとともに、窒素の移動速度を遅く
する効果を有し、ゴミの巻き上げるのを防ぐ効果もあ
る。
【００２３】つづいて、第２ゲートバルブ９を開いて、
ロードロック室２内に配設したロボットで、半導体ウェ
ーハをロードロック室２から反応室６のヒータ（図示せ
ず）上の所定位置に移載して、第２ゲートバルブ９を閉
じる。つづいて、第３バルブ１０ａを閉じる。
ロードロック室２内に配設したロボットで、半導体ウェ
ーハをロードロック室２から反応室６のヒータ（図示せ
ず）上の所定位置に移載して、第２ゲートバルブ９を閉
じる。つづいて、第３バルブ１０ａを閉じる。
【００２４】つづいて、第２ガス供給口６ａから窒素を
供給し、第５バルブ１４ａを開いた状態でヒータに通電
して半導体ウェーハを加熱する。半導体ウェーハが所定
温度になったら、第２ガス供給口６ａの窒素を反応ガス
に切り替えて半導体ウェーハ上にシリコン酸化膜を析出
させる。シリコン酸化膜の所定厚さの析出が完了した
ら、反応ガスを窒素に切り替えるとともに、ヒータの通
電を停止して半導体ウェーハを冷却する。
供給し、第５バルブ１４ａを開いた状態でヒータに通電
して半導体ウェーハを加熱する。半導体ウェーハが所定
温度になったら、第２ガス供給口６ａの窒素を反応ガス
に切り替えて半導体ウェーハ上にシリコン酸化膜を析出
させる。シリコン酸化膜の所定厚さの析出が完了した
ら、反応ガスを窒素に切り替えるとともに、ヒータの通
電を停止して半導体ウェーハを冷却する。
【００２５】つづいて、第１ガス供給口２ａ、第２ガス
供給口６ａのガス流量制御装置および第１ガス排気口１
３、第２ガス排気口１４のガス流量制御装置により窒素
の流量および排気量を差圧計１２で確認しながら徐々に
変化させ、反応室６の圧力をロードロック室２の圧力と
同じ圧力に制御する。
供給口６ａのガス流量制御装置および第１ガス排気口１
３、第２ガス排気口１４のガス流量制御装置により窒素
の流量および排気量を差圧計１２で確認しながら徐々に
変化させ、反応室６の圧力をロードロック室２の圧力と
同じ圧力に制御する。
【００２６】つづいて、第３バルブ１０ａを開く。この
とき、ロードロック室２と反応室６間に微小圧力差があ
れば、圧力の高い方の室から低い方の室に、バイパスパ
イプ１０を経由して窒素が流れる。つづいて、第２ゲー
トバルブ９をひらく。つづいて、ロードロック室２のロ
ボットで半導体ウェーハを反応室６からロードロック室
２の所定位置に移載する。つづいて、第２ゲ−トバルブ
９と第３バルブ１０ａを閉じる。つづいて、第１ゲート
バルブ５を開いて半導体ウェーハを外部に取出し、再び
第１ゲートバルブ５を閉じる。また、第１ガス供給口２
ａからの窒素の供給を停止する。
とき、ロードロック室２と反応室６間に微小圧力差があ
れば、圧力の高い方の室から低い方の室に、バイパスパ
イプ１０を経由して窒素が流れる。つづいて、第２ゲー
トバルブ９をひらく。つづいて、ロードロック室２のロ
ボットで半導体ウェーハを反応室６からロードロック室
２の所定位置に移載する。つづいて、第２ゲ−トバルブ
９と第３バルブ１０ａを閉じる。つづいて、第１ゲート
バルブ５を開いて半導体ウェーハを外部に取出し、再び
第１ゲートバルブ５を閉じる。また、第１ガス供給口２
ａからの窒素の供給を停止する。
【００２７】第１ゲートバルブ５を開け外部に試料を取
り出すときに、半導体ウェーハの温度が高い等の理由に
より、外部から巻き込んで付着したゴミが後の工程で除
去できない場合には、ロードロック室２と外部に跨がっ
て差圧計を配設し、ロードロック室２を外部と同じ気圧
（略１気圧）に制御してから第１ゲートバルブ５開くよ
うにするとよい。さらに、バルブ、フィルタを介してバ
イパスパイプをロードロック室２と外部との間に配設し
てもよい。
り出すときに、半導体ウェーハの温度が高い等の理由に
より、外部から巻き込んで付着したゴミが後の工程で除
去できない場合には、ロードロック室２と外部に跨がっ
て差圧計を配設し、ロードロック室２を外部と同じ気圧
（略１気圧）に制御してから第１ゲートバルブ５開くよ
うにするとよい。さらに、バルブ、フィルタを介してバ
イパスパイプをロードロック室２と外部との間に配設し
てもよい。
【００２８】バイパスパイプ１０のバルブ１０ａを開く
ときには、ロードロック室２と反応室２の差圧が全くな
い状態が確実に確保できれば、第１ガス供給口２ａおよ
び第２ガス供給口６ａからの窒素の供給を停止したり、
第１ガス排気口１３の第４バルブ１３ａおよび第２ガス
排気口１４の第５バルブを圧力調整がしやすいように任
意に止めてもよい。また、ロードロック室２と反応室６
のどちらの圧力を制御してもよいし、両室２、６を同時
に制御してもよい。また、ガス流量制御装置はガス供給
口２ａ、６ａおよびガス排気口１３、１４のうちの任意
の箇所のみに配設してもよい。
ときには、ロードロック室２と反応室２の差圧が全くな
い状態が確実に確保できれば、第１ガス供給口２ａおよ
び第２ガス供給口６ａからの窒素の供給を停止したり、
第１ガス排気口１３の第４バルブ１３ａおよび第２ガス
排気口１４の第５バルブを圧力調整がしやすいように任
意に止めてもよい。また、ロードロック室２と反応室６
のどちらの圧力を制御してもよいし、両室２、６を同時
に制御してもよい。また、ガス流量制御装置はガス供給
口２ａ、６ａおよびガス排気口１３、１４のうちの任意
の箇所のみに配設してもよい。
【００２９】また、バイパスパイプ１０は気体の移動速
度を考慮してパイプの太さを決め、両端をロードロック
室２と反応室６のゴミを巻き上げにくい場所に配設する
とよい。
度を考慮してパイプの太さを決め、両端をロードロック
室２と反応室６のゴミを巻き上げにくい場所に配設する
とよい。
【００３０】また、目盛りが零になったときに、ガス供
給口２ａ、６ａからの窒素の供給を停止し、ガス排気口
１３、１４のバルブ１３ａ、１４ａを閉じるようにして
もよい。このとき、各供給量および各排気量のコントロ
ールは差圧計１２と連動して自動的に行なうのがよい。
また、両室２、６の圧力は任意の圧力で調整すればよ
い。また、第３バルブ１０ａも連動することが好まし
い。
給口２ａ、６ａからの窒素の供給を停止し、ガス排気口
１３、１４のバルブ１３ａ、１４ａを閉じるようにして
もよい。このとき、各供給量および各排気量のコントロ
ールは差圧計１２と連動して自動的に行なうのがよい。
また、両室２、６の圧力は任意の圧力で調整すればよ
い。また、第３バルブ１０ａも連動することが好まし
い。
【００３１】不活性ガスとして窒素を用いたが、窒素に
限るものではなく、アルゴン等でもよい。
限るものではなく、アルゴン等でもよい。
【００３２】ＣＶＤ装置での析出は酸化膜のみでなく、
窒化膜、金属膜等でもよい。また、ＣＶＤ装置のみでな
く、エピタキシャル装置、イオンエッチング装置等でも
よい。
窒化膜、金属膜等でもよい。また、ＣＶＤ装置のみでな
く、エピタキシャル装置、イオンエッチング装置等でも
よい。
【００３３】
【発明の効果】差圧計でロードロック室と反応室間の１
台の差圧計で圧力差がなくなったことを確認するので、
ロードロック室と反応室間のゲートバルブを開けても気
体の移動はなく、ゴミを巻き上げることはない。
台の差圧計で圧力差がなくなったことを確認するので、
ロードロック室と反応室間のゲートバルブを開けても気
体の移動はなく、ゴミを巻き上げることはない。
【００３４】また、ガス流量制御装置で流量を小量づつ
変化させるので、ロードロック室と反応室間の圧力差を
なくす制御が容易である。
変化させるので、ロードロック室と反応室間の圧力差を
なくす制御が容易である。
【図１】 本発明の半導体製造装置の概念図
【図２】 従来の半導体製造装置の概念図
２ ロードロック室 ２ａ 第１ガス供給口 ５ 第１ゲートバルブ ６ 反応室 ６ａ 第２ガス供給口 ９ 第２ゲートバルブ １１ ＣＶＤ装置（半導体製造装置） １２ 差圧計 １３ 第１ガス排気口 １４ 第２ガス排気口
Claims (4)
- 【請求項１】第１ガス供給口と第１ガス排気口と外部と
試料を出し入れする第１ゲートバルブとを配設したロー
ドロック室と、 第２ガス供給口と第２ガス排気口とを配設した反応室
と、 前記ロードロック室と前記反応室とを前記試料を出し入
れ可能に接続した第２ゲートバルブとを有する半導体製
造装置において、 差圧計の両端子の一方を前記ロードロック室に他方を前
記反応室に接続した半導体製造装置。 - 【請求項２】前記ロードロック室または／および前記反
応室の前記ガス供給口または／および前記ガス排気口に
ガス流量制御装置を配設した請求項１記載の半導体製造
装置。 - 【請求項３】前記反応室と前記ロードロック室とをバル
ブを介してバイパスラインで連通した請求項１または請
求項２記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】前記バイパスラインにエアーフィルタを配
設した請求項３記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1623497A JPH10214828A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1623497A JPH10214828A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214828A true JPH10214828A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11910873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1623497A Pending JPH10214828A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10214828A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111213223A (zh) * | 2017-12-28 | 2020-05-29 | 胜高股份有限公司 | 外延片的制造装置及制造方法 |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP1623497A patent/JPH10214828A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111213223A (zh) * | 2017-12-28 | 2020-05-29 | 胜高股份有限公司 | 外延片的制造装置及制造方法 |
| CN111213223B (zh) * | 2017-12-28 | 2023-07-07 | 胜高股份有限公司 | 外延片的制造装置及制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3270852B2 (ja) | 圧力調整装置及びこれを用いた部屋の連通方法 | |
| JP3486821B2 (ja) | 処理装置及び処理装置内の被処理体の搬送方法 | |
| US6916397B2 (en) | Methods and apparatus for maintaining a pressure within an environmentally controlled chamber | |
| CA1171551A (en) | Load-lock vacuum chamber | |
| JP3403181B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| WO2004007800A1 (en) | Thermal processing apparatus and method for evacuating a process chamber | |
| JPH10144757A (ja) | 基板処理システム | |
| JP4298025B2 (ja) | 真空圧力制御システム | |
| JP2688555B2 (ja) | マルチチャンバシステム | |
| CN113311890B (zh) | 极紫外光刻机物料传递及污染控制系统、方法 | |
| JPH0261068A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| US6843809B2 (en) | Vacuum/purge operation of loadlock chamber and method of transferring a wafer using said operation | |
| JPH10214828A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH05304099A (ja) | 流量制御装置 | |
| JP3153323B2 (ja) | 気密室の常圧復帰装置及びその常圧復帰方法 | |
| JP2010177357A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
| US20070175395A1 (en) | Semiconductor device manufacturing equipment including a vacuum apparatus and a method of operating the same | |
| JP2001070781A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2000232071A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2002289668A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3517076B2 (ja) | 半導体製造装置及びその内部圧調節方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPH11186355A (ja) | ロードロック機構、基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2001060555A (ja) | 基板処理方法 | |
| Kawamura et al. | A wafer-handling interface under processing ambient conditions for a single-wafer cluster tool | |
| JP2002013500A (ja) | プロセスチャンバ内真空圧力制御システム |