JPH1021507A - 誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁性膜と層間絶縁膜の磁性多層膜からなり、
正確なトラック幅で高記録密度磁気ディスク装置に好適
な誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 第１上部磁性膜１４，層間絶縁膜１５，
めっき下地膜１６を堆積し、上部磁気コア形状を規定す
るフレーム１７を形成し、第２上部磁性膜１８をめっき
し、マスク１９を形成し、マスク１９外の第２上部磁性
膜１８を除去し、第２上部磁気コア１８ａを形成する。
マスク１９およびフレーム１７を除去し、イオンミリン
グ等により第２上部磁気コア１８ａで覆われていないめ
っき下地膜１６，層間絶縁膜１５，第１上部磁性膜１４
を除去し、上部磁気コアとする。フレーム１７の間隔で
トラック幅を正確に規定できる。上部磁気コアが第１上
部磁気コア１４ａ，層間絶縁膜１５，第２上部磁気コア
１８ａを積層させた磁性多層膜となるため、磁区構造を
単磁区とし、高周波特性を改善できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の記録再生兼用の誘導型薄膜磁気ヘッドまたは記録用
の誘導型薄膜磁気ヘッドに係り、特に、少なくとも上部
磁気コアに磁性膜と層間絶縁膜とを交互に積層させた磁
性多層膜を用いる誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】誘導型薄膜磁気ヘッドの磁気コアを形成
する方法としては、 スパッタリング等により磁性膜を基板上に堆積させた
後、適切なマスクを用いてイオンミリング等により磁性
膜を所望の磁気コアの形状に形成する方法 基板上に所望の磁気コアの形状にパターニングされた
フレームを形成した後に磁性膜をめっきする方法 とがある。

【０００３】スパッタリングする方法は、磁性膜の組成
制御が容易であり、基板面内における組成のばらつきが
小さく、磁気コアの磁区構造の制御が容易である。これ
に対して、めっきする方法は、フレームの形状で磁気コ
アの形状を正確に規定でき、スパッタリング方法と比
べ、製造コストが安いため、現在主流となっている。

【０００４】磁気ディスク装置の記録密度を高める手段
には、記録信号のトラック密度を高くする方法があり、
トラック密度を高くする手段の一つとしては、記録ヘッ
ドのトラック幅を狭くする方法がある。

【０００５】誘導型薄膜磁気ヘッドのトラック幅は、現
在約５μｍである。誘導型薄膜磁気ヘッドが狭いトラッ
ク幅となるに従って、磁気ギャップ部では磁束が集中す
るため、磁気飽和が起こりやすくなる。この磁気飽和を
回避するために、磁気コアの膜厚は３μｍ以上と厚くな
ってきている。

【０００６】このように、トラック幅と膜厚とがほぼ同
程度の寸法となってきたので、上記方法のように、基
板上に磁性膜を堆積させた後にその磁性膜を磁気コアの
形状に加工する方法では、正確なトラック幅を規定する
ことが困難である。

【０００７】一方、方法では、めっき時のフレーム近
傍における電流集中により磁気コア内で組成がばらつく
とともに、磁気コア周縁部における反磁界や応力により
磁気コア周縁部での磁区構造を充分に制御できない。

【０００８】特開平 7−044817号公報に記載のように、
誘導型薄膜磁気ヘッドのトラック幅は、磁気ギャップ近
傍における上部磁気コアの形状で決定される。この磁気
コアの形状を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法は、例え
ば、特開平 5−342527号公報に記載されている。この製
造方法は、磁性膜の堆積にはスパッタリングを前提とし
ているので、前述のように製造コストが割高になる問題
があった。

【０００９】磁気ディスク装置の記録密度を高める別の
手段として、記録信号の線記録密度を高くする、すなわ
ち、記録周波数を上げる方法がある。記録周波数を上げ
るには、誘導型薄膜磁気ヘッドをより高い周波数で動作
させなくてはならない。しかし、磁気コアが多磁区構造
を持つと、高周波領域では、磁壁の運動が励磁信号に追
随できなくなる。

【００１０】そこで、磁性膜と層間絶縁膜とを交互に積
層させた磁性多層膜により磁気コアを形成して、単磁区
構造とし、磁気コア内の磁束伝播を磁化回転だけで行わ
せ、高周波特性を向上させることが提案されている。こ
のように磁気コアを磁性多層膜にするとき、磁気コア内
の渦電流損失を小さくするため、層間絶縁膜としてはア
ルミナ等の絶縁膜を用いるが、アルミナ等の絶縁膜をめ
っきすることができないので、フレーム形成とめっきと
により磁性多層膜の磁気コアを形成することは困難であ
った。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、ト
ラック幅が狭くなることに呼応して、誘導型薄膜磁気ヘ
ッドの磁気コアの膜厚が厚くなってきたので、基板上に
磁性膜を堆積させた後に磁気コアの形状に加工する方法
では、正確なトラック幅を規定することが困難であると
いう問題があった。

【００１２】フレームめっき法では、磁気コア周縁部分
での磁区構造を充分に制御できず、しかも、高周波特性
を改善するために磁気コアを磁性多層膜とすることは困
難であった。

【００１３】本発明の目的は、高周波特性を改善するた
めに磁気コアとして磁性多層膜を使用でき、トラック幅
の加工精度が充分に高い誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板上に所定形状の下部磁気コアを形成
する工程と、下部磁気コア上に非磁性ギャップ膜を形成
する工程と、導体膜の巻線とこの巻線を覆いバックギャ
ップ孔を有する絶縁膜とを形成する工程と、絶縁膜およ
び非磁性ギャップ膜上にバックギャップ孔で下部磁気コ
アと磁気的に接続された第１上部磁性膜を形成する工程
と、第１上部磁性膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
層間絶縁膜上にめっき下地金属膜を形成する工程と、め
っき下地金属膜上に上部磁気コアの形状にパターニング
されたフレームを形成する工程と、第２上部磁性膜をめ
っきにより形成する工程と、第２上部磁性膜上に第１マ
スクを形成する工程と、第１マスクおよび第２上部磁性
膜を所定パターンにエッチングして所定の形状の第２上
部磁気コアを形成する工程と、第１マスクおよびフレー
ムを除去する工程と、第２上部磁気コアをマスクとして
層間絶縁膜および第１上部磁性膜を所定の形状に成形す
る工程とからなる誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
案する。

【００１５】本発明は、また、上記目的を達成するため
に、基板上に所定形状の下部磁気コアを形成する工程
と、下部磁気コア上に非磁性ギャップ膜を形成する工程
と、導体膜の巻線とこの巻線を覆いバックギャップ孔を
有する絶縁膜とを形成する工程と、絶縁膜および非磁性
ギャップ膜上にバックギャップ孔で下部磁気コアと磁気
的に接続された第１上部磁性膜を形成する工程と、第１
上部磁性膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁
膜上にめっき下地金属膜を形成する工程と、めっき下地
金属膜上に上部磁気コアの形状にパターニングされたフ
レームを形成する工程と、第２上部磁性膜をめっきによ
り形成する工程と、第２上部磁性膜上に第１マスクを形
成する工程と、第１マスクおよび第２上部磁性膜を所定
パターンにエッチングして所定の形状の第２上部磁気コ
アを形成する工程と、第１マスクおよびフレームを除去
する工程と、第２上部磁気コア上に所定の形状の第２マ
スクを形成する工程と、第２マスク形状に層間絶縁膜お
よび第１上部磁性膜を成形する工程とからなる誘導型薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提案する。

【００１６】本発明は、さらに、上記目的を達成するた
めに、基板上に所定形状の下部磁気コアを形成する工程
と、下部磁気コア上に非磁性ギャップ膜を形成する工程
と、導体膜の巻線とこの巻線を覆いバックギャップ孔を
有する絶縁膜とを形成する工程と、絶縁膜および非磁性
ギャップ膜上にバックギャップ孔で下部磁気コアと磁気
的に接続された第１上部磁性膜を形成する工程と、第１
上部磁性膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁
膜上にめっき下地金属膜を形成する工程と、めっき下地
金属膜上に上部磁気コアの形状にパターニングされたフ
レームを形成する工程と、第２上部磁性膜をめっきによ
り形成する工程と、第２上部磁性膜上に第１上部磁性膜
よりもエッチング速度の遅い第３マスクを形成する工程
と、第３マスク上に第１マスクを形成する工程と、第３
マスクおよび第２上部磁性膜を所定パターンにエッチン
グして所定の形状の第２上部磁気コアを形成する工程
と、第１マスクおよびフレームを除去する工程と、第３
マスク形状に層間絶縁膜および第１上部磁性膜を成形す
る工程とからなる誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
案する。

【００１７】めっき下地金属膜には、Ｃｒと磁性膜の２
層膜を使用でき、第１上部磁性膜としては、磁性金属膜
と層間絶縁膜とを交互に積層させた磁性多層膜を用いる
ことも可能であり、第３マスクには、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの
いずれかを用いることが好ましい。

【００１８】本発明においては、基板上に下部磁気コア
を形成した後、磁気ギャップのための非磁性ギャップ膜
を堆積させ、その後、巻線とこの巻線を覆いバックギャ
ップのための孔を有する絶縁膜とを形成する。

【００１９】次に、所定厚さよりも数μｍ薄い第１上部
磁性膜を形成する。例えば、上部磁性膜の厚さが３μｍ
必要な場合は、第１上部磁性膜の厚さを１〜２μｍ程度
とし、上部磁性膜の厚さが５μｍ必要な場合は、第１上
部磁性膜の厚さを１〜４μｍ程度に形成する。第１上部
磁性膜は、めっき法でもスパッタリング法でも形成でき
る。スパッタリングのようにドライプロセスを用いる場
合は、第１上部磁性膜を磁性膜および層間絶縁膜を交互
に堆積する磁性多層膜とすることも容易である。

【００２０】続いて、第１上部磁性膜上に層間絶縁膜と
第２上部磁性膜をめっきするためのめっき下地膜を堆積
させ、上部磁気コアの形状にパターニングされたフレー
ムを形成する。フレーム形成後、第２上部磁性膜を堆積
する。第２上部磁性膜の膜厚は、製造方法により異な
る。第２上部磁性膜をマスクとして用いる場合は、第１
上部磁性膜をエッチングして上部磁気コアを形成すると
きに、第２上部磁性膜も削られるため、その分を考慮し
て第２上部磁性膜の膜厚を厚くしなければならない。第
１上部磁性膜をエッチングするときに、第２上部磁性膜
の膜厚が減少しないように、第２上部磁性膜上に保護マ
スクを形成する場合は、第１上部磁性膜と第２上部磁性
膜との膜厚の合計が、所定の上部磁性膜の膜厚になるよ
うにする。

【００２１】第２上部磁性膜を堆積させた後、第２上部
磁性膜上にマスクを形成し、マスクを上部磁気コアの形
状にエッチングした後、フレーム外部の第２上部磁性膜
を除去する。その後、マスクおよびフレームを除去す
る。

【００２２】第２上部磁性膜をマスクとして用いる場合
は、第２上部磁性膜で覆われていない領域の層間絶縁膜
と第１上部磁性膜とをイオンミリング等により除去する
と、所望の形状の上部磁気コアを形成できる。第２上部
磁性膜上にマスクを形成する場合は、マスク形成後、マ
スクで覆われていない領域の層間絶縁膜と第１上部磁性
膜とをイオンミリング等により除去すると、所望の形状
の上部磁気コアを形成できる。

【００２３】なお、トラック端部におけるトラック幅方
向への出力はノイズの原因となる。このトラック幅方向
への出力を減少させるために、例えば、米国特許543874
7号に記載された方法を参照して、磁気コア先端部が露
出するようなマスクを形成し、下部磁気コア先端部上面
の一部分を上部磁気コア先端部の形状に合わせて除去し
てもよい。

【００２４】このような工程で磁気コアを製造すると、
第２上部磁性膜をフレームめっき法により形成できるの
で、トラック幅の加工精度が高まる。しかも、上部磁気
コアを多層膜とすることが容易であるから、高周波領域
における記録特性の良い誘導型薄膜磁気ヘッドが得られ
る。

【００２５】

【発明の実施の形態】次に、図１〜図９を参照して、本
発明による誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施例を
説明する。

【００２６】《実施例１》図１は、本発明による誘導型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施例１における製造工程
の前半を示す磁気コア先端部の断面図であり、図２は、
実施例１の製造工程の後半を示す図である。

【００２７】実施例１では、まず、基板１１上に下部磁
気コア１２および磁気ギャップ１３を形成する。続い
て、図１には現れてこないが、導体膜巻線およびこの巻
線を覆いバックギャップ孔を有する絶縁膜を形成する。
次に、第１上部磁性膜１４，層間絶縁膜１５，めっき下
地膜１６を順次堆積する。

【００２８】第１上部磁性膜１４をスパッタリング等の
ドライプロセスで堆積する場合は、磁性金属膜１４と層
間絶縁膜１５とを交互に積層させた磁性多層膜とするこ
とが容易である。めっき下地膜１６をＣｒと磁性膜の２
層膜とすることが望ましい。実施例１では、第２上部磁
性膜１８の材料にＮｉ−Ｆｅ系薄膜を用いたが、通常Ｎ
ｉ−Ｆｅ系薄膜のウエットエッチングに使われている過
硫酸アンモニウム系のエッチング液では、Ｃｒはほとん
どエッチングされない。そのため、めっき下地膜１６の
下側層としてＣｒを用いると、後述のフレーム１７で囲
まれた領域外の第２上部磁性膜１８をエッチングにより
除去して上部磁気コア形状に加工する時に、めっき下地
膜１６よりも下層部分へのオーバーエッチングを防止で
きる。さらに、めっき下地膜１６の上側層として磁性膜
を用いると、第２上部磁性膜１８の磁気異方性の制御が
容易となる。

【００２９】図１ａに示すように、フォトレジスト等の
材料を用いて、上部磁気コア形状のフレーム１７を形成
する。図１ｂに示すように、第２上部磁性膜１８をめっ
きにより堆積する。図１ｃに示すように、フォトレジス
ト等の材料の薄膜を堆積し、上部磁気コア形状にパター
ニングして第１マスク１９を形成する。

【００３０】続いて、図２ｄに示すように、第１マスク
１９およびフレーム１７で覆われていない領域の第２上
部磁性膜をエッチング等の方法で除去して、第２上部磁
気コア１８ａを形成する。図２ｅに示すように、フレー
ム１７および第１マスク１９を除去する。最後に、第２
上部磁気コア１８ａで覆われていない領域のめっき下地
膜１６，層間絶縁膜１５，第１上部磁性膜１４をイオン
ミリング等により除去すると、図２ｆに示すように、上
部磁気コアが磁性金属膜と層間絶縁膜とが交互に積層し
た磁性多層膜で構成され、所望の上部磁気コア形状を有
する誘導型薄膜磁気ヘッドが得られる。

【００３１】なお、めっき下地膜をＣｒと磁性膜との２
層膜とし、第２上部磁性膜をウエットエッチングにより
上部磁気コア形状にパターニングする場合、エッチング
液がフレーム１７の下のめっき下地膜の磁性膜を溶かし
てフレーム内部に染み込み、第２上部磁性膜を所定の磁
気コア形状に形成できなくなる場合もある。

【００３２】この現象を回避する方法としては、第２上
部磁性膜１８をめっき後、フレーム１７を除去し、イオ
ンミリング等の方法によりめっき下地膜の磁性膜を除去
した後に、フォトレジスト等の材料の薄膜を堆積し、上
部磁気コア形状にパターニングして第１マスク１９を形
成し、第１マスク１９で覆われていない領域の第２上部
磁性膜１８をウエットエッチングにより除去し、第２上
部磁気コア１８ａを形成してもよい。

【００３３】図３は、実施例１において、非磁性ギャッ
プ膜および下部磁気コアの上部をイオンミリング等で除
去した変形例を示す図である。米国特許5,438,747号に
記載されているように、トラック端部におけるノイズを
低減するために、磁気ヘッド先端部の所望の領域が露出
したマスクを用いて、その領域の非磁性ギャップ膜およ
び下部磁気コア１２の上部をイオンミリング等で除去し
てもよい。

【００３４】図４は、誘導型薄膜磁気ヘッドの上部磁気
コアにおける磁区構造の観察結果の一例を示す図であ
る。図４ａは、上部磁気コアが単層磁性膜の場合の磁区
構造であり、図４ｂは、上部磁気コアが磁性膜／層間絶
縁膜／磁性膜の２層磁性膜の場合の磁区構造である。磁
性膜には４４Ｎｉ−Ｆｅ，層間絶縁膜にはＡｌ２O３(１
０ｎｍ)，めっき下地膜にはＣｒ(２０ｎｍ)＋Ｎｉ−Ｆ
ｅを用いて、トラック幅Ｔｗが１，２，３，５μｍであ
り、第１上部磁性膜１４および第２上部磁性膜１８がそ
れぞれ１.０，２.０μｍの膜厚の磁性２層膜と、第１上
部磁性膜１４および第２上部磁性膜１８がともに１.５
μｍのものとを作製した。

【００３５】図４ａのように、上部磁気コアが単層磁性
膜の場合は、六角形の主磁区と三角形の還流磁区とから
なる還流磁区構造であることがわかる。一方、図４ｂの
ように、上部磁気コアが２層磁性膜の場合は、バックギ
ャップの両端に180度磁壁があるものの、ほぼ単磁区構
造であることがわかる。

【００３６】図５は、８の字コイル法により測定した磁
性膜のμ−ｆ特性を示す図である。より具体的には、図
５ａは、８の字コイル法により測定した磁性膜のμ−ｆ
特性図、図５ｂは、１ＭＨｚにおけるμの値で規格化し
たμ−ｆ特性図である。単層膜は、３μｍのＣｏ−Ｎｉ
−Ｆｅ膜、２層膜は、１.５μｍのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ／
１０ｎｍのＡｌ２O３/１.５μｍのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜
である。図５によれば、単層膜よりも２層膜の方が、透
磁率の周波数特性が良いことは明らかである。

【００３７】《実施例２》図６は、本発明による誘導型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施例２における製造工程
の前半を示す図であり、図７は、実施例２の製造工程の
後半を示す図である。ただし、完成品の構造は、実施例
１における図２ｆの構造と同じなので、ここでは図示を
省略した。

【００３８】実施例２では、まず、基板１１上に下部磁
気コア１２および磁気ギャップ１３を形成する。次に、
導体膜からなる巻線およびこの巻線を覆いバックギャッ
プのための孔を有する絶縁膜を形成する。第１上部磁性
膜１４，層間絶縁膜１５，めっき下地膜１６を順次堆積
する。第１上部磁性膜１４をスパッタリング等のドライ
プロセスで堆積する場合は、磁性金属膜と層間絶縁膜と
を交互に積層させた磁性多層膜とすることが容易であ
る。また、めっき下地膜１６としてＣｒと磁性膜との２
層膜を用いると、フレームで囲まれた領域の外側の第２
上部磁性膜をエッチングにより除去して上部磁気コア形
状に加工する時に、Ｃｒのエッチング速度が遅いので、
めっき下地膜１６よりも下層部分へのオーバーエッチン
グを防止できるとともに、第２上部磁性膜の磁気異方性
の制御が容易となる。

【００３９】続いて、図６ａに示すように、フォトレジ
スト等の材料を用いて、上部磁気コア形状のフレームを
形成する。図６ｂに示すように、第２上部磁性膜１８を
めっきにより堆積する。次に、図６ｃに示すように、フ
ォトレジスト等の材料の薄膜を堆積し、上部磁気コア形
状にパターニングし、第１マスク１９を形成する。

【００４０】図７ｄに示すように、第１マスク１９およ
びフレーム１７で覆われていない領域の第２上部磁性膜
をエッチング等の方法で除去して、第２上部磁気コア１
８ａを形成する。図７ｅに示すように、フレーム１７お
よび第１マスク１９を除去する。その後、図７ｆに示す
ように、フォトレジスト等の材料の薄膜を堆積し、上部
磁気コア形状にパターニングし、第２マスク２０を形成
する。最後に、第２マスク２０で覆われていない領域の
めっき下地膜１６，層間絶縁膜１５，第１上部磁性膜１
４をイオンミリング等により除去した後に、第２マスク
２０を除去すると、上記実施例１の図２ｆと同様に、所
望の上部磁気コア形状を有し、磁性金属膜と層間絶縁膜
とが交互に積層した磁性多層膜で上部磁気コアを構成し
た誘導型薄膜磁気ヘッドが得られる。

【００４１】なお、上記図３と同様に、磁気ヘッド先端
部の所望の領域が露出したマスクを用いて、その領域の
非磁性ギャップ膜および下部磁気コア１２の上部をイオ
ンミリング等で除去してもよい。

【００４２】《実施例３》図８は、本発明による誘導型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施例３における製造工程
の前半を示す図であり、図９は、実施例３の製造工程の
後半を示す図である。

【００４３】実施例３では、まず基板１１上に下部磁気
コア１２および磁気ギャップ１３を形成する。続いて、
導体膜からなる巻線およびこの巻線を覆いバックギャッ
プのための孔を有する絶縁膜を形成する。次に、第１上
部磁性膜１４，層間絶縁膜１５，めっき下地膜１６を順
次堆積する。第１上部磁性膜１４をスパッタリング等の
ドライプロセスで堆積する場合は、磁性金属膜と層間絶
縁膜とを交互に積層させた磁性多層膜とすることが容易
である。また、めっき下地膜１６としてＣｒと磁性膜と
の２層膜を用いると、フレームで囲まれた領域の外側の
第２上部磁性膜をエッチングにより除去して上部磁気コ
ア形状に加工する時に、Ｃｒがエッチング速度が遅いの
で、めっき下地膜１６よりも下層部分へのオーバーエッ
チングを防止できるとともに、第２上部磁性膜の磁気異
方性の制御が容易となる。

【００４４】続いて、図８ａに示すように、フォトレジ
スト等の材料を用いて、上部磁気コア形状のフレームを
形成する。図８ｂに示すように、第２上部磁性膜１８お
よび第１上部磁性膜よりもエッチング速度の遅い材料か
らなる第３マスク膜２１を順次めっきにより堆積する。
第３マスク膜の材料として、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ等が望まし
い。８図ｃに示すように、フォトレジストなどの適切な
材料の薄膜を堆積し、上部磁気コア形状にパターニング
し、第１マスク１９を形成する。

【００４５】図９ｄに示すように、第１マスク１９で覆
われていない領域の第３マスク膜および上部磁性膜をエ
ッチング等の方法で除去し、第２上部磁気コア１８ａを
形成する。

【００４６】この実施例３では、エッチングの方法とし
て、イオンミリングにより第１マスク１９で覆われてい
ない領域の第３マスク膜を除去した後、ウエットエッチ
ングにより第１マスク１９で覆われていない領域の第２
上部磁性膜を除去する方法を用いたが、例えば、第３マ
スク膜の材料としてＣｒを用いた場合は、第２硝酸セリ
ウム系のエッチング液で第１マスク１９で覆われていな
い領域の第３マスク膜を除去した後、ウエットエッチン
グにより第１マスク１９で覆われていない領域の第２上
部磁性膜を除去する方法のように、ウエットエッチング
を２回用いてもよい。

【００４７】次に、図９ｅに示すように、フレーム１７
および第１マスク１９を除去する。最後に、第３マスク
２１で覆われていない領域のめっき下地膜１６，層間絶
縁膜１５，第１上部磁性膜１４をイオンミリング等によ
り除去した後に、第３マスク２１を除去すると、図９ｆ
に示すように、所望の上部磁気コア形状を有し、磁性金
属膜と層間絶縁膜とが交互に積層した磁性多層膜で上部
磁気コアを構成した誘導型薄膜磁気ヘッドが得られる。

【００４８】なお、上記図３と同様に、磁気ヘッド先端
部の所望の領域が露出したマスクを用いて、その領域の
非磁性ギャップ膜および下部磁気コア１２の上部をイオ
ンミリング等で除去してもよい。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、基板上に下部磁気コア
および磁気ギャップを形成した後に、第１上部磁性膜，
層間絶縁膜，めっき下地膜を順次堆積し、例えば、上部
磁気コア形状を規定するフレームを形成し、第２上部磁
性膜をめっきし、マスクを形成し、このマスク外の第２
上部磁性膜を除去し、第２上部磁気コアを形成し、次
に、マスクおよびフレームを除去し、イオンミリング等
により第２上部磁気コアで覆われていないめっき下地
膜，層間絶縁膜，第１上部磁性膜を除去し、上部磁気コ
アとする誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法が得られるの
で、フレームの間隔でトラック幅を正確に規定できる。
また、上部磁気コアが第１上部磁気コア，層間絶縁膜，
第２上部磁気コアを積層させた磁性多層膜となるため、
磁区構造を単磁区とし、高周波特性を大幅に改善でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法
の実施例１における製造工程の前半を示す図である。

【図２】本発明による誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法
の実施例１における製造工程の後半を示す図である。

【図３】実施例１において、非磁性ギャップ膜および下
部磁気コアの上部をイオンミリング等で除去した変形例
を示す図である。

【図４】誘導型薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアにおける
磁区構造の観察結果の一例を示す図である。

【図５】８の字コイル法により測定した磁性膜のμ−ｆ
特性を示す図である。

【図６】本発明による誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法
の実施例２における製造工程の前半を示す図である。

【図７】本発明による誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法
の実施例２における製造工程の後半を示す図である。

【図８】本発明による誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法
の実施例３における製造工程の前半を示す図である。

【図９】本発明による誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法
の実施例３における製造工程の後半を示す図である。

【符号の説明】

１１ 基板 １２ 下部磁気コア １３ 磁気ギャップ １４ 第１上部磁性膜 １４ａ 第１上部磁気コア １５ 層間絶縁膜 １５ａ 層間絶縁膜 １６ めっき下地膜 １６ａ めっき下地膜 １７ フレーム １８ 第２上部磁性膜 １８ａ 第２上部磁気コア １９ 第１マスク ２０ 第２マスク ２１ 第３マスク ２１ａ 第３マスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星野 勝美 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 岡田 智弘 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 川邊 隆 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 北 芳明 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 府山 盛明 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に所定形状の下部磁気コアを形成
   する工程と、 前記下部磁気コア上に非磁性ギャップ膜を形成する工程
   と、 導体膜の巻線と前記巻線を覆いバックギャップ孔を有す
   る絶縁膜とを形成する工程と、 前記絶縁膜および前記非磁性ギャップ膜上に前記バック
   ギャップ孔で前記下部磁気コアと磁気的に接続された第
   １上部磁性膜を形成する工程と、 前記第１上部磁性膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上にめっき下地金属膜を形成する工程
   と、 前記めっき下地金属膜上に上部磁気コアの形状にパター
   ニングされたフレームを形成する工程と、 第２上部磁性膜をめっきにより形成する工程と、 前記第２上部磁性膜上に第１マスクを形成する工程と、 前記第１マスクおよび前記第２上部磁性膜を所定パター
   ンにエッチングして所定の形状の第２上部磁気コアを形
   成する工程と、 前記第１マスクおよびフレームを除去する工程と、 前記第２上部磁気コアをマスクとして前記層間絶縁膜お
   よび前記第１上部磁性膜を所定の形状に成形する工程と
   からなる誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. 【請求項２】 基板上に所定形状の下部磁気コアを形成
   する工程と、 前記下部磁気コア上に非磁性ギャップ膜を形成する工程
   と、 導体膜の巻線と前記巻線を覆いバックギャップ孔を有す
   る絶縁膜とを形成する工程と、 前記絶縁膜および前記非磁性ギャップ膜上に前記バック
   ギャップ孔で前記下部磁気コアと磁気的に接続された第
   １上部磁性膜を形成する工程と、 前記第１上部磁性膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上にめっき下地金属膜を形成する工程
   と、 前記めっき下地金属膜上に上部磁気コアの形状にパター
   ニングされたフレームを形成する工程と、 第２上部磁性膜をめっきにより形成する工程と、 前記第２上部磁性膜上に第１マスクを形成する工程と、 前記第１マスクおよび前記第２上部磁性膜を所定パター
   ンにエッチングして所定の形状の第２上部磁気コアを形
   成する工程と、 前記第１マスクおよびフレームを除去する工程と、 前記第２上部磁気コア上に所定の形状の第２マスクを形
   成する工程と、 前記第２マスク形状に前記層間絶縁膜および前記第１上
   部磁性膜を成形する工程とからなる誘導型薄膜磁気ヘッ
   ドの製造方法。
3. 【請求項３】 基板上に所定形状の下部磁気コアを形成
   する工程と、 前記下部磁気コア上に非磁性ギャップ膜を形成する工程
   と、 導体膜の巻線と前記巻線を覆いバックギャップ孔を有す
   る絶縁膜とを形成する工程と、 前記絶縁膜および前記非磁性ギャップ膜上に前記バック
   ギャップ孔で前記下部磁気コアと磁気的に接続された第
   １上部磁性膜を形成する工程と、 前記第１上部磁性膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上にめっき下地金属膜を形成する工程
   と、 前記めっき下地金属膜上に上部磁気コアの形状にパター
   ニングされたフレームを形成する工程と、 第２上部磁性膜をめっきにより形成する工程と、 前記第２上部磁性膜上に前記第１上部磁性膜よりもエッ
   チング速度の遅い第３マスクを形成する工程と、 前記第３マスク上に第１マスクを形成する工程と、 前記第３マスクおよび前記第２上部磁性膜を所定パター
   ンにエッチングして所定の形状の第２上部磁気コアを形
   成する工程と、 前記第１マスクおよびフレームを除去する工程と、 前記第３マスク形状に前記層間絶縁膜および前記第１上
   部磁性膜を成形する工程とからなる誘導型薄膜磁気ヘッ
   ドの製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の誘導型薄膜磁気ヘッド
   の製造方法において、 Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒのいずれかを前記第３マスクとして用い
   ることを特徴とする誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１，２，３，４のいずれか一項に
   記載の誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 Ｃｒと磁性膜の２層膜を前記めっき下地金属膜として用
   いることを特徴とする誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方
   法。
6. 【請求項６】 請求項１，２，３，４，５のいずれか一
   項に記載の誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 磁性金属膜と層間絶縁膜とを交互に積層させた磁性多層
   膜を前記第１上部磁性膜として用いることを特徴とする
   誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法。