JPS6132722B2 - - Google Patents
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- JPS6132722B2 JPS6132722B2 JP15845675A JP15845675A JPS6132722B2 JP S6132722 B2 JPS6132722 B2 JP S6132722B2 JP 15845675 A JP15845675 A JP 15845675A JP 15845675 A JP15845675 A JP 15845675A JP S6132722 B2 JPS6132722 B2 JP S6132722B2
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- Japan
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- magnetic
- thin film
- magnetic core
- head
- core
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
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- Magnetic Heads (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法に
関する。
関する。
薄膜磁気ヘツドの電磁気変換効率（ヘツド効
率）その他の特性は磁気コアを形成する磁性材料
の磁気特性のみならず、構造に関係する。ヘツド
効率については他の条件が等しければ磁気コア材
が厚い方が高くなる。
率）その他の特性は磁気コアを形成する磁性材料
の磁気特性のみならず、構造に関係する。ヘツド
効率については他の条件が等しければ磁気コア材
が厚い方が高くなる。
同じく、記録密度をのばすためには、磁気コア
材の記録媒体に面する部分すなわち磁極部の厚さ
はできるだけ薄いことが望ましい。
材の記録媒体に面する部分すなわち磁極部の厚さ
はできるだけ薄いことが望ましい。
また、薄膜磁気ヘツドによる書込みを考える
と、磁気コア材としては飽和磁束Ｂsや透磁率μ
の大きい金属材料を使用し得る利点はあるが、磁
気コアの磁気抵抗がコア全体に亘つて一様である
と、コアの磁極部分から離れた場所における磁束
の飽和に制限され、飽和磁束の数分の１の磁束が
磁気記録に有効に使用されるにすぎないので、従
来の構造では飽和磁束の大きい材料を使用しなが
ら大きな記録用磁界を発生させ得ない欠点があつ
た。
と、磁気コア材としては飽和磁束Ｂsや透磁率μ
の大きい金属材料を使用し得る利点はあるが、磁
気コアの磁気抵抗がコア全体に亘つて一様である
と、コアの磁極部分から離れた場所における磁束
の飽和に制限され、飽和磁束の数分の１の磁束が
磁気記録に有効に使用されるにすぎないので、従
来の構造では飽和磁束の大きい材料を使用しなが
ら大きな記録用磁界を発生させ得ない欠点があつ
た。
諸特性のよい薄膜磁気ヘツドを得るには、上記
の相矛盾するような条件を克服し、かつ上記の欠
点を排除することが必要である。
の相矛盾するような条件を克服し、かつ上記の欠
点を排除することが必要である。
本発明は上記の相矛盾する条件を克服する困難
を解決し、さらに上記の欠点を除いた特性のよい
薄膜磁気ヘツドを提供することを目的とするもの
である。
を解決し、さらに上記の欠点を除いた特性のよい
薄膜磁気ヘツドを提供することを目的とするもの
である。
この目的は本発明によれば、その一部が磁極を
構成する薄膜より成る主磁気コアと、該主磁気コ
アの磁極部分を除き、その外側にそれぞれ、設け
た薄膜より成る補助磁気コアとを有し、補助コア
の一方は基板に形成した溝の内部に設けた磁気薄
膜より構成した薄膜磁気ヘツドにより達せられ
る。
構成する薄膜より成る主磁気コアと、該主磁気コ
アの磁極部分を除き、その外側にそれぞれ、設け
た薄膜より成る補助磁気コアとを有し、補助コア
の一方は基板に形成した溝の内部に設けた磁気薄
膜より構成した薄膜磁気ヘツドにより達せられ
る。
次に図面について本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明を実施した薄膜磁気ヘツドを磁
極面に直角な平面で切つた場合の斜視図である。
図において、ヘツドを保持する基板１の表面に先
ず浅い溝２を作り、その中に磁性薄膜３を形成す
る。この薄膜は後述のように補助磁気コアを構成
する。薄膜３の厚さは、その表面が基板１の表面
４と一致する程度とする。さらにその上に図示の
通り薄膜３の磁極面１２に遠い縁に対してやや磁
極面１２に近い部分より磁極面１２まで、ヘツド
の磁極の幅をもつ大きさの磁性薄膜５を施し、さ
らに磁性薄膜５の磁極面１２に遠い縁に対してや
や磁極面１２に近い部分より磁極面１２まで達す
る導体薄膜６を設け、さらにその上に第２の導体
薄膜７を設ける。この第２の導体薄膜７は磁極面
１２には達していない。そしてその上に、磁性薄
膜５および導体薄膜６，７を十分に覆う磁性薄膜
８および、さらにその上に磁極面１２（磁性薄膜
６および８によつて作られる磁極部分）には達し
ないが磁性薄膜３の磁極面１２より遠い縁から磁
性薄膜８を十分覆う第２の磁性薄膜９を設ける。
そして溝２の中に構成した磁性薄膜３を除いた
５，８，９はすべての幅が同一となるよう構成
し、導体薄膜６，７は外部と接続のためその側部
はさらに基板１上の導体薄膜１０，１１に結合さ
れる。図示してないが他の側部においても導体薄
膜は同様に構成される。そしてこのように薄膜を
形成した後磁極面１２と磁極面１２に連なる基板
１の面を研磨し整形する。
極面に直角な平面で切つた場合の斜視図である。
図において、ヘツドを保持する基板１の表面に先
ず浅い溝２を作り、その中に磁性薄膜３を形成す
る。この薄膜は後述のように補助磁気コアを構成
する。薄膜３の厚さは、その表面が基板１の表面
４と一致する程度とする。さらにその上に図示の
通り薄膜３の磁極面１２に遠い縁に対してやや磁
極面１２に近い部分より磁極面１２まで、ヘツド
の磁極の幅をもつ大きさの磁性薄膜５を施し、さ
らに磁性薄膜５の磁極面１２に遠い縁に対してや
や磁極面１２に近い部分より磁極面１２まで達す
る導体薄膜６を設け、さらにその上に第２の導体
薄膜７を設ける。この第２の導体薄膜７は磁極面
１２には達していない。そしてその上に、磁性薄
膜５および導体薄膜６，７を十分に覆う磁性薄膜
８および、さらにその上に磁極面１２（磁性薄膜
６および８によつて作られる磁極部分）には達し
ないが磁性薄膜３の磁極面１２より遠い縁から磁
性薄膜８を十分覆う第２の磁性薄膜９を設ける。
そして溝２の中に構成した磁性薄膜３を除いた
５，８，９はすべての幅が同一となるよう構成
し、導体薄膜６，７は外部と接続のためその側部
はさらに基板１上の導体薄膜１０，１１に結合さ
れる。図示してないが他の側部においても導体薄
膜は同様に構成される。そしてこのように薄膜を
形成した後磁極面１２と磁極面１２に連なる基板
１の面を研磨し整形する。
本発明による薄膜磁気ヘツドは上記のように構
成されており、主磁気コアを構成する磁性薄膜５
および８を覆つた補助磁気コアを構成する磁性薄
膜３および９があるので結果として磁気コアが厚
くなり、ヘツド効率が高くなる。
成されており、主磁気コアを構成する磁性薄膜５
および８を覆つた補助磁気コアを構成する磁性薄
膜３および９があるので結果として磁気コアが厚
くなり、ヘツド効率が高くなる。
一方ポール・チツプの厚さ、すなわち、磁極面
１２におけるコアの厚さは磁性薄膜５，８の厚さ
に過ぎず、従つて薄くすることができるので記録
密度をのばすことができる。
１２におけるコアの厚さは磁性薄膜５，８の厚さ
に過ぎず、従つて薄くすることができるので記録
密度をのばすことができる。
また、補助コア（磁性薄膜３および９）は磁極
面１２付近には達していないので、磁極付近を除
いた部分の磁束に対する抵抗を少くし、磁極に磁
束を集中させることができ、記録に当つて磁束を
有効に使用することができる。
面１２付近には達していないので、磁極付近を除
いた部分の磁束に対する抵抗を少くし、磁極に磁
束を集中させることができ、記録に当つて磁束を
有効に使用することができる。
このような薄膜磁気ヘツドは次のようにして製
造することができる。
造することができる。
第２図は本薄膜磁気ヘツドの製造工程の一例を
示す図であつて、まず第２図ａに示すように基板
１としてシリコン基板２０を用意し、フオト・エ
ツチング、イオン・ミリング、電子ビーム加工等
の公知の集積回路パターン形成技術により溝２１
を形成する。この溝２１は紙面に垂直方向に延長
するものである。
示す図であつて、まず第２図ａに示すように基板
１としてシリコン基板２０を用意し、フオト・エ
ツチング、イオン・ミリング、電子ビーム加工等
の公知の集積回路パターン形成技術により溝２１
を形成する。この溝２１は紙面に垂直方向に延長
するものである。
シリコン以外の材料を基板として使用する場合
は、基板上に予め酸化珪素の薄膜を形成した後上
記と同様に溝を形成することができる。
は、基板上に予め酸化珪素の薄膜を形成した後上
記と同様に溝を形成することができる。
次に第２図ｂに示すように、基板２０の溝２１
のある面の表面を酸化して酸化珪素の薄膜２２を
作り、さらにその表面をクロムあるいはチタニウ
ム等の金属でメタライズし、金属薄膜層２３を構
成する。その上に溝２１が埋まる程度の厚さの磁
性薄膜２４を蒸着、スパツタリング、あるいは電
着等の公知技術により形成する。この場合、溝２
１以外の部分にはこの磁気薄膜２４は不要である
から、不要部分を化学的エツチングやイオンミリ
ング法等の公知の技術により除去する。
のある面の表面を酸化して酸化珪素の薄膜２２を
作り、さらにその表面をクロムあるいはチタニウ
ム等の金属でメタライズし、金属薄膜層２３を構
成する。その上に溝２１が埋まる程度の厚さの磁
性薄膜２４を蒸着、スパツタリング、あるいは電
着等の公知技術により形成する。この場合、溝２
１以外の部分にはこの磁気薄膜２４は不要である
から、不要部分を化学的エツチングやイオンミリ
ング法等の公知の技術により除去する。
このようにして、第２図ｃに示すように磁性薄
膜２４の一部２６が基板２０の溝２１の中だけに
残存することとなる。
膜２４の一部２６が基板２０の溝２１の中だけに
残存することとなる。
第２図ｃにおいて、基板２０および磁性薄膜２
６の表面に酸化珪素等の絶縁層２５を設ける。
６の表面に酸化珪素等の絶縁層２５を設ける。
次に第２図ｄに示すように公知の磁性薄膜ヘツ
ドの製造技術により磁性薄膜２６の上に磁性薄膜
２７、導体薄膜２８および３０、磁性薄膜３１，
３２を順次に重ねて設ける。２９は各薄膜の間に
設ける絶縁層である。
ドの製造技術により磁性薄膜２６の上に磁性薄膜
２７、導体薄膜２８および３０、磁性薄膜３１，
３２を順次に重ねて設ける。２９は各薄膜の間に
設ける絶縁層である。
第２図ｄの図面の右側の方には導体薄膜２８お
よび主磁気コアを構成する磁性薄膜２７，３１だ
けが延長し、線３３を含み紙面に垂直な平面でこ
の３個の薄膜と基板２０とを切り取り、研磨等に
よつて整形しヘツド浮上面３４および磁極面３５
を形成する。
よび主磁気コアを構成する磁性薄膜２７，３１だ
けが延長し、線３３を含み紙面に垂直な平面でこ
の３個の薄膜と基板２０とを切り取り、研磨等に
よつて整形しヘツド浮上面３４および磁極面３５
を形成する。
なお、磁性薄膜２７および３１，２６および３
２はれぞれ導体薄膜２８を越えた位置で相互に連
結されその間の磁気抵抗を少くするものである。
２はれぞれ導体薄膜２８を越えた位置で相互に連
結されその間の磁気抵抗を少くするものである。
以上述べた製造方法は多数の導体層をもつ多巻
形薄膜磁気ヘツドの製造に使用することがきる。
形薄膜磁気ヘツドの製造に使用することがきる。
導体薄膜２８と３０との間に設けられ絶縁層２
９は各々導体薄膜２８，３０間において短絡電流
が生じないようにするためであり、このような構
造とすることにより導体薄膜の層の数に等しいタ
ーン数のコイルを得ることができる。本実施例で
は２ターンのコイルを有する薄膜磁気ヘツドが得
られる。
９は各々導体薄膜２８，３０間において短絡電流
が生じないようにするためであり、このような構
造とすることにより導体薄膜の層の数に等しいタ
ーン数のコイルを得ることができる。本実施例で
は２ターンのコイルを有する薄膜磁気ヘツドが得
られる。
磁性薄膜３１，３２間および磁性薄膜２６，２
７間の絶縁層２９は磁気特性における高周波特性
を良くするために設けられる。
７間の絶縁層２９は磁気特性における高周波特性
を良くするために設けられる。
すなわち薄膜磁気ヘツドのコアとして使用され
る磁性薄膜はほとんどがNi−Fe合金（パーマロ
イ）、Fe−Si合金（センダスト）等の金属（合
金）材料である。
る磁性薄膜はほとんどがNi−Fe合金（パーマロ
イ）、Fe−Si合金（センダスト）等の金属（合
金）材料である。
従つて、上記磁性薄膜は、薄膜とはいえ導体で
あるから、高周波駆動を行おうとすると、表皮効
果により電流は導体表面に集中することとなる。
故に、この電流集中によつて生ずる損失が問題と
なる。上記絶縁層２９はこの電流の集中を軽減
し、上記の損失を低下させる効果を有する。
あるから、高周波駆動を行おうとすると、表皮効
果により電流は導体表面に集中することとなる。
故に、この電流集中によつて生ずる損失が問題と
なる。上記絶縁層２９はこの電流の集中を軽減
し、上記の損失を低下させる効果を有する。
また上記絶縁層は非磁性層でもあるので、絶縁
層を設けることによつて磁極パターン内に環流磁
区と呼ばれる磁壁構造を形成し難くし、高い透磁
率が得られる。これらのことから高周波特性の改
善が図られる。
層を設けることによつて磁極パターン内に環流磁
区と呼ばれる磁壁構造を形成し難くし、高い透磁
率が得られる。これらのことから高周波特性の改
善が図られる。
なお上述のように、薄膜コイルを多巻形とする
ことによつて、誘起電圧ないし磁束を増大させ、
ヘツドの効率を向上させることができる。このよ
うな多巻形薄膜コイルについては、例えば米国特
許第3549825号明細書等によつて公知である。（上
記文献には多数の１ターンコイルを多層に形成す
ることが記載されているが、外部接続の変更によ
つて複数ターンのコイルを形成することができ
る。）また本発明による構成をもつマルチ・トラ
ツクヘツドの構造にも使用することができ、この
際補助磁気コア用の磁性薄膜（第１図の３、第２
図の２６）は総てこのヘツドに対して共通に作る
ことができ、ヘツド毎に切断加工を要せず、また
溝も長い共通の溝を１個作れば十分であるので製
造が簡単となる。
ことによつて、誘起電圧ないし磁束を増大させ、
ヘツドの効率を向上させることができる。このよ
うな多巻形薄膜コイルについては、例えば米国特
許第3549825号明細書等によつて公知である。（上
記文献には多数の１ターンコイルを多層に形成す
ることが記載されているが、外部接続の変更によ
つて複数ターンのコイルを形成することができ
る。）また本発明による構成をもつマルチ・トラ
ツクヘツドの構造にも使用することができ、この
際補助磁気コア用の磁性薄膜（第１図の３、第２
図の２６）は総てこのヘツドに対して共通に作る
ことができ、ヘツド毎に切断加工を要せず、また
溝も長い共通の溝を１個作れば十分であるので製
造が簡単となる。
なお最近開発されたテーパー付エツチング法に
よれば、補助磁気コアの端部を磁極面に近づける
ことが可能となり、これによりさらに記録磁界と
大きくすることができる。
よれば、補助磁気コアの端部を磁極面に近づける
ことが可能となり、これによりさらに記録磁界と
大きくすることができる。
本発明は上記のように構成されているので、薄
膜磁気ヘツドのヘツド効率を向上させ、記録密度
を高め、大きな記録磁界が得られる効果があり、
またここに提示した本発明の製造方法によれば、
本発明による磁気ヘツドの製造が容易となり、ま
た特に多数のヘツドから成るマルチ・トラツク・
ヘツドの製造が容易となる効果がある。
膜磁気ヘツドのヘツド効率を向上させ、記録密度
を高め、大きな記録磁界が得られる効果があり、
またここに提示した本発明の製造方法によれば、
本発明による磁気ヘツドの製造が容易となり、ま
た特に多数のヘツドから成るマルチ・トラツク・
ヘツドの製造が容易となる効果がある。
第１図は本発明を実施したヘツドの一部断面で
示した斜視図、第２図は本発明によるこのヘツド
の製造工程を示す図である。 図において、１，２０は基板、５，８，２７，
３１は主磁気コア、３，９，２６，３２は補助磁
気コア、６，７，２８，３０は導体薄膜、１２，
３５は磁極面である。
示した斜視図、第２図は本発明によるこのヘツド
の製造工程を示す図である。 図において、１，２０は基板、５，８，２７，
３１は主磁気コア、３，９，２６，３２は補助磁
気コア、６，７，２８，３０は導体薄膜、１２，
３５は磁極面である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ その一部が磁極を構成する薄膜より成る主磁
気コアと、該主磁気コアの磁極部分を除き、その
外側にそれぞれ、設けた薄膜より成る補助磁気コ
アとを有し、補助コアの一方は基板に形成した溝
の内部に設けた磁気薄膜より構成したことを特徴
とする薄膜磁気ヘツド。 ２ 基板の表面に該基板の磁気記録媒体に対向す
る面に近接した部分を除いて溝を作り該溝中に磁
気薄膜によつて第１の補助磁気コアを形成する工
程と、 該第１の補助磁気コアの磁気記録媒体と対向す
る面と反対側の端部を除く表面上および前記基板
の前記近接した部分の表面上に磁気薄膜によつて
第１の主磁気コアを形成する工程と、 該第１の主磁気コアの磁気記録媒体と対向する
面と反対側の端部を除く表面上に磁気薄膜によつ
て薄膜コイルを形成する工程と、 前記第１の主磁気コアの前記端部および前記薄
膜コイルの表面上に磁気薄膜によつて第２の主磁
気コアを形成する工程と、 前記第１の補助磁気コアの前記端部および第２
の主磁気コアの磁気記録媒体と対向する面に近接
する部分を除く表面上に磁気薄膜によつて第２の
補助磁気コアを形成する工程と、 前記基板と両主磁気コアと薄膜コイルの磁気記
録媒体と対向する面を平坦に整形する工程とを含
んでなることを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15845675A JPS5284722A (en) | 1975-12-31 | 1975-12-31 | Thin film magnetic head and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15845675A JPS5284722A (en) | 1975-12-31 | 1975-12-31 | Thin film magnetic head and its production |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5284722A JPS5284722A (en) | 1977-07-14 |
| JPS6132722B2 true JPS6132722B2 (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=15672133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15845675A Granted JPS5284722A (en) | 1975-12-31 | 1975-12-31 | Thin film magnetic head and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5284722A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4281357A (en) * | 1979-09-10 | 1981-07-28 | Magnex Corporation | Thin film magnetic head and method of making the same |
| JPS57117117A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film magnetic head |
| JPS5942622A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-09 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS5965921A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-14 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS5971115A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-21 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド |
| JPS5979413A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-08 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPS6045920A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Fujitsu Ltd | 複合・コアを有する薄膜磁気ヘッド |
| JPS61142519A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| EP0232505A1 (de) * | 1985-12-20 | 1987-08-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Magnetische Speichereinrichtung mit einem senkrecht zu magnetisierenden Aufzeichnungsmedium |
| JP2000020919A (ja) | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置 |
| JP2000207707A (ja) | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びこれを用いた磁気ディスク装置 |
-
1975
- 1975-12-31 JP JP15845675A patent/JPS5284722A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5284722A (en) | 1977-07-14 |
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