JPH1021836A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH1021836A JPH1021836A JP8170977A JP17097796A JPH1021836A JP H1021836 A JPH1021836 A JP H1021836A JP 8170977 A JP8170977 A JP 8170977A JP 17097796 A JP17097796 A JP 17097796A JP H1021836 A JPH1021836 A JP H1021836A
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- Japan
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- dielectric layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に形成した電極を覆って誘電体層及びＭ
ｇＯ層を設けたタイプのプラズマディスプレイパネルに
おいて、誘電体層及びＭｇＯ層を薄くし、パネル化した
後の駆動電圧を下げる。 【解決手段】 基板に電極の幅と同程度の溝を設け、そ
の溝内に電極１５，１７を形成し、その電極１５，１７
を覆って基板上に誘電体層１８とＭｇＯ層１９とを形成
する。そして、誘電体層１８とＭｇＯ層１９の膜厚合計
を０．２〜２μｍにする。これら誘電体層１８とＭｇＯ
層１９をそれぞれイオンプレーティング法により形成す
る。
ｇＯ層を設けたタイプのプラズマディスプレイパネルに
おいて、誘電体層及びＭｇＯ層を薄くし、パネル化した
後の駆動電圧を下げる。 【解決手段】 基板に電極の幅と同程度の溝を設け、そ
の溝内に電極１５，１７を形成し、その電極１５，１７
を覆って基板上に誘電体層１８とＭｇＯ層１９とを形成
する。そして、誘電体層１８とＭｇＯ層１９の膜厚合計
を０．２〜２μｍにする。これら誘電体層１８とＭｇＯ
層１９をそれぞれイオンプレーティング法により形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体放電を用いた
自発光形式の平板ディスプレイであるプラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰと記す）に係り、詳しくは基
板に形成した電極を覆って誘電体層及びＭｇＯ層を設け
たタイプの前面板を有するＰＤＰに関するものである。
自発光形式の平板ディスプレイであるプラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰと記す）に係り、詳しくは基
板に形成した電極を覆って誘電体層及びＭｇＯ層を設け
たタイプの前面板を有するＰＤＰに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１にＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示して
ある。この図は前面板と背面板を離した状態で示したも
ので、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平
行に且つ対向して配設されており、両者は背面板となる
ガラス基板２上に互いに平行に設けられたストライプ状
の障壁３により一定の間隔に保持されるようになってい
る。前面板となるガラス基板１の背面側には透明電極４
と金属電極であるバス電極５とで構成される表示電極が
互いに平行に形成され、これを覆って鉛ガラスを主体と
するペーストからなる膜厚１０〜１００μｍの誘電体層
６が形成されており、さらにその上に真空薄膜法で形成
した膜厚１００〜５０００ÅのＭｇＯ層７（保護層）が
設けられている。また、背面板となるガラス基板２の前
面側には前記複合電極と直交するように障壁３の間に位
置してアドレス電極８が互いに平行に形成されており、
さらに障壁３の壁面とセル底面を覆うようにして蛍光体
９が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰは面放電型であ
って、前面板上の複合電極間に交流電圧を印加し、空間
に漏れた電界で放電させる構造である。この場合、交流
をかけているために電界の向きは交流周期に対応して変
化する。そしてこの放電で生じる紫外線により蛍光体９
を発光させ、前面板を透過する光を観察者が視認するよ
うになっている。
ある。この図は前面板と背面板を離した状態で示したも
ので、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平
行に且つ対向して配設されており、両者は背面板となる
ガラス基板２上に互いに平行に設けられたストライプ状
の障壁３により一定の間隔に保持されるようになってい
る。前面板となるガラス基板１の背面側には透明電極４
と金属電極であるバス電極５とで構成される表示電極が
互いに平行に形成され、これを覆って鉛ガラスを主体と
するペーストからなる膜厚１０〜１００μｍの誘電体層
６が形成されており、さらにその上に真空薄膜法で形成
した膜厚１００〜５０００ÅのＭｇＯ層７（保護層）が
設けられている。また、背面板となるガラス基板２の前
面側には前記複合電極と直交するように障壁３の間に位
置してアドレス電極８が互いに平行に形成されており、
さらに障壁３の壁面とセル底面を覆うようにして蛍光体
９が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰは面放電型であ
って、前面板上の複合電極間に交流電圧を印加し、空間
に漏れた電界で放電させる構造である。この場合、交流
をかけているために電界の向きは交流周期に対応して変
化する。そしてこの放電で生じる紫外線により蛍光体９
を発光させ、前面板を透過する光を観察者が視認するよ
うになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般にＡＣ型ＰＤＰに
おいては、ガラス基板上に形成した電極をガス放電空間
から絶縁するために誘電体層を設け、さらに該誘電体層
をイオン衝撃から保護するとともにガスに接する表面の
２次電子放出特性を改善して動作電圧を低くするために
ＭｇＯ層を設けるのが普通である。すなわち、ガラス基
板上に維持電極とバス電極を形成した後、これらを覆う
ようにして誘電体層を形成し、その上にＭｇＯ層を形成
している。このうち誘電体層は、誘電体ペーストをスク
リーン印刷、ブレードコート、ダイコート等で塗布し、
これを乾燥させて焼成することで形成されている。また
ＭｇＯ層は、ＭｇＯを材料に用いて真空蒸着、スパッタ
リング、イオンプレーティング等の真空薄膜法で成膜す
るか或いはスクリーン印刷、ブレードコート、ロールコ
ート、ダイコート、スピンナー等で塗布することで形成
されている。
おいては、ガラス基板上に形成した電極をガス放電空間
から絶縁するために誘電体層を設け、さらに該誘電体層
をイオン衝撃から保護するとともにガスに接する表面の
２次電子放出特性を改善して動作電圧を低くするために
ＭｇＯ層を設けるのが普通である。すなわち、ガラス基
板上に維持電極とバス電極を形成した後、これらを覆う
ようにして誘電体層を形成し、その上にＭｇＯ層を形成
している。このうち誘電体層は、誘電体ペーストをスク
リーン印刷、ブレードコート、ダイコート等で塗布し、
これを乾燥させて焼成することで形成されている。また
ＭｇＯ層は、ＭｇＯを材料に用いて真空蒸着、スパッタ
リング、イオンプレーティング等の真空薄膜法で成膜す
るか或いはスクリーン印刷、ブレードコート、ロールコ
ート、ダイコート、スピンナー等で塗布することで形成
されている。
【０００４】しかしながら、上記のように複合電極を覆
って誘電体層及びＭｇＯ層を形成すると、複合電極に厚
みがあることからその段差を埋めるために誘電体層を厚
く形成する必要があった。そして、誘電体層が厚くなる
と、パネル化した時の駆動電極が高くなり、誘電体層が
発熱してパネルが熱を持ったり、消費電力が多くなった
りする。また、厚みのある誘電体層を形成するのに前記
のように誘電体ペーストを使用する必要があるため、こ
れが熱収縮を起こして維持電極やバス電極を破損する恐
れがある。
って誘電体層及びＭｇＯ層を形成すると、複合電極に厚
みがあることからその段差を埋めるために誘電体層を厚
く形成する必要があった。そして、誘電体層が厚くなる
と、パネル化した時の駆動電極が高くなり、誘電体層が
発熱してパネルが熱を持ったり、消費電力が多くなった
りする。また、厚みのある誘電体層を形成するのに前記
のように誘電体ペーストを使用する必要があるため、こ
れが熱収縮を起こして維持電極やバス電極を破損する恐
れがある。
【０００５】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、基板に形
成した電極を覆って誘電体層及びＭｇＯ層を設けたタイ
プのＰＤＰにおいて、誘電体層及びＭｇＯ層を薄くで
き、したがってパネル化した後の駆動電圧を下げること
のできるＰＤＰを提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、基板に形
成した電極を覆って誘電体層及びＭｇＯ層を設けたタイ
プのＰＤＰにおいて、誘電体層及びＭｇＯ層を薄くで
き、したがってパネル化した後の駆動電圧を下げること
のできるＰＤＰを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板上に設けた電極を誘電体層で被覆し
てガス放電空間から絶縁し、さらにその誘電体層上にＭ
ｇＯ層を形成した構造の前面板を有するＰＤＰにおい
て、前記基板に設けられた電極の幅と同程度の溝内に電
極が形成され、その電極を覆って基板上に前記誘電体層
と前記ＭｇＯ層とが形成されており、その誘電体層とＭ
ｇＯ層の膜厚合計が０．２〜２μｍであることを特徴と
している。膜厚合計が０．２μｍに満たないと絶縁不良
を起こし、２μｍを越えると膜剥離を起こすようにな
る。具体的には、誘電体層とＭｇＯ層とがそれぞれ膜厚
１μｍ以下にすることが好ましいものである。
め、本発明は、基板上に設けた電極を誘電体層で被覆し
てガス放電空間から絶縁し、さらにその誘電体層上にＭ
ｇＯ層を形成した構造の前面板を有するＰＤＰにおい
て、前記基板に設けられた電極の幅と同程度の溝内に電
極が形成され、その電極を覆って基板上に前記誘電体層
と前記ＭｇＯ層とが形成されており、その誘電体層とＭ
ｇＯ層の膜厚合計が０．２〜２μｍであることを特徴と
している。膜厚合計が０．２μｍに満たないと絶縁不良
を起こし、２μｍを越えると膜剥離を起こすようにな
る。具体的には、誘電体層とＭｇＯ層とがそれぞれ膜厚
１μｍ以下にすることが好ましいものである。
【０００７】上記膜厚の誘電体層及びＭｇＯ層はそれぞ
れイオンプレーティング法により成膜する。なお、イオ
ンプレーティング法は、不活性ガスであるＨｅ、Ｎｅ、
Ａｒ、Ｘｅと場合によっては酸素ガスの少なくとも１種
類からなるガスを導入し、該ガスをイオン化させ、蒸着
空間中にプラズマを発生させながら、蒸着源であるＭｇ
Ｏを蒸発させて成膜する方法である。
れイオンプレーティング法により成膜する。なお、イオ
ンプレーティング法は、不活性ガスであるＨｅ、Ｎｅ、
Ａｒ、Ｘｅと場合によっては酸素ガスの少なくとも１種
類からなるガスを導入し、該ガスをイオン化させ、蒸着
空間中にプラズマを発生させながら、蒸着源であるＭｇ
Ｏを蒸発させて成膜する方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係るＰＤＰについてその
前面板を形成する手順を説明する。
前面板を形成する手順を説明する。
【０００９】まず、図２（ａ）に示すように、前面板と
なるガラス基板１１上に液状フォトレジストを塗布する
か或いはフィルム状になったレジスト（ドライフィルム
レジスト）をラミネートしてレジスト層１２を形成す
る。次いで、図２（ｂ）に示すように所定のマスクＭを
介して露光し、現像工程を経て図２（ｃ）に示すように
レジスト層１２をパターニングする。そのパターンはバ
ス電極の幅とほぼ同じか若干細めとする。そして、パタ
ーニングされたレジスト層１２を有するガラス基板１１
を、サンドブラスト加工、ドライエッチング等のドライ
工程或いはフッ酸処理等のウェット工程を通すことでガ
ラス基板１１に溝１３を形成する。例えば図２（ｄ）で
はレジスト層１２をマスクとしてサンドブラスト加工を
行ってガラス基板１１に溝１３を形成する様子を示して
いる。この溝１３の深さは５〜２０μｍ程度で、底部の
幅が所望のバス電極の幅に一致していることが望まし
い。
なるガラス基板１１上に液状フォトレジストを塗布する
か或いはフィルム状になったレジスト（ドライフィルム
レジスト）をラミネートしてレジスト層１２を形成す
る。次いで、図２（ｂ）に示すように所定のマスクＭを
介して露光し、現像工程を経て図２（ｃ）に示すように
レジスト層１２をパターニングする。そのパターンはバ
ス電極の幅とほぼ同じか若干細めとする。そして、パタ
ーニングされたレジスト層１２を有するガラス基板１１
を、サンドブラスト加工、ドライエッチング等のドライ
工程或いはフッ酸処理等のウェット工程を通すことでガ
ラス基板１１に溝１３を形成する。例えば図２（ｄ）で
はレジスト層１２をマスクとしてサンドブラスト加工を
行ってガラス基板１１に溝１３を形成する様子を示して
いる。この溝１３の深さは５〜２０μｍ程度で、底部の
幅が所望のバス電極の幅に一致していることが望まし
い。
【００１０】続いて、図３（ａ）に示すように、レジス
ト膜１２を剥離した後のガラス基板１１上に、バス電極
となる金属材料のペーストを塗布して金属膜１４を形成
する。その材料としてはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ａｌ
／Ｃｒ、Ｃｒ／Ａｌ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、
Ａｌ、Ａｌの合金（例えばＹをドーピングしたＡｌ
等）、またＡｇペースト、Ａｕペースト、Ｎｉペースト
或いはこれらのペーストで感光性を有した金属ペースト
などがある。塗布方法は、スクリーン印刷、ダイコー
ト、ブレードコート等のいずれによってもよい。次い
で、図３（ｂ）に示すように金属膜１４のパターニング
を行ってバス電極１５を形成する。パターニングは通常
のフォトリソ工程で行う。その際、バス電極１５は溝１
３に完全に収まるように形成する。
ト膜１２を剥離した後のガラス基板１１上に、バス電極
となる金属材料のペーストを塗布して金属膜１４を形成
する。その材料としてはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ａｌ
／Ｃｒ、Ｃｒ／Ａｌ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、
Ａｌ、Ａｌの合金（例えばＹをドーピングしたＡｌ
等）、またＡｇペースト、Ａｕペースト、Ｎｉペースト
或いはこれらのペーストで感光性を有した金属ペースト
などがある。塗布方法は、スクリーン印刷、ダイコー
ト、ブレードコート等のいずれによってもよい。次い
で、図３（ｂ）に示すように金属膜１４のパターニング
を行ってバス電極１５を形成する。パターニングは通常
のフォトリソ工程で行う。その際、バス電極１５は溝１
３に完全に収まるように形成する。
【００１１】続いて、図３（ｃ）に示すように、バス電
極１５を覆うようにしてガラス基板１１上に透明導電膜
１６を形成する。この透明導電膜１６はＩＴＯを使用す
るのが好ましいが、その他にＳｎＯ2 、ＺｎＯ等を使用
してもよい。透明導電膜１６の膜厚は２０００Å程度と
し、その成膜はスパッタリング、真空蒸着、イオンプレ
ーティング、ＣＶＤ等により行う。次いで、図３（ｄ）
に示すように透明導電膜１６のパターニングを行って透
明電極１７を形成する。パターニングは通常のフォトリ
ソ工程で行えばよい。その際、パターニングされた透明
電極１７はその一部でバス電極１５を覆っていることが
必要である。
極１５を覆うようにしてガラス基板１１上に透明導電膜
１６を形成する。この透明導電膜１６はＩＴＯを使用す
るのが好ましいが、その他にＳｎＯ2 、ＺｎＯ等を使用
してもよい。透明導電膜１６の膜厚は２０００Å程度と
し、その成膜はスパッタリング、真空蒸着、イオンプレ
ーティング、ＣＶＤ等により行う。次いで、図３（ｄ）
に示すように透明導電膜１６のパターニングを行って透
明電極１７を形成する。パターニングは通常のフォトリ
ソ工程で行えばよい。その際、パターニングされた透明
電極１７はその一部でバス電極１５を覆っていることが
必要である。
【００１２】上記のようにバス電極１５と透明電極１７
を形成した後、透明電極１７を覆って誘電体層１８及び
ＭｇＯ層１９をそれぞれイオンプレーティングにより成
膜する。例えばホロカソード型イオンプレーティング装
置を使用した場合、具体的な成膜条件は次のようであ
る。すなわち、誘電体層は、蒸着材料としてショットガ
ラスを用い、Ａｒを導入ガス（流量２０ｓｃｃｍ）とし
て成膜時の圧力が５．０×１０-4Ｔｏｒｒ、基板温度が
３００℃になるように調整する。そして、放電電流を１
１０アンペアに調整しながら、成膜レートを１４Å／ｓ
ｅｃにする。形成する誘電体層膜厚は５０００Å〜１μ
ｍである。ＭｇＯ層は、蒸着材料として高純度化学研究
所製の溶融型酸化マグネシウムを用い、Ａｒを導入ガス
（流量２０ｓｃｃｍ）として成膜時の圧力が６．０×１
０-4Ｔｏｒｒ、基板温度が３００℃になるように調整す
る。そして、放電電流を６５〜１０８アンペアに調整し
ながら、成膜レートを５〜２６Å／ｓｅｃにする。形成
するＭｇＯ層の膜厚は５０００Å〜１μｍである。
を形成した後、透明電極１７を覆って誘電体層１８及び
ＭｇＯ層１９をそれぞれイオンプレーティングにより成
膜する。例えばホロカソード型イオンプレーティング装
置を使用した場合、具体的な成膜条件は次のようであ
る。すなわち、誘電体層は、蒸着材料としてショットガ
ラスを用い、Ａｒを導入ガス（流量２０ｓｃｃｍ）とし
て成膜時の圧力が５．０×１０-4Ｔｏｒｒ、基板温度が
３００℃になるように調整する。そして、放電電流を１
１０アンペアに調整しながら、成膜レートを１４Å／ｓ
ｅｃにする。形成する誘電体層膜厚は５０００Å〜１μ
ｍである。ＭｇＯ層は、蒸着材料として高純度化学研究
所製の溶融型酸化マグネシウムを用い、Ａｒを導入ガス
（流量２０ｓｃｃｍ）として成膜時の圧力が６．０×１
０-4Ｔｏｒｒ、基板温度が３００℃になるように調整す
る。そして、放電電流を６５〜１０８アンペアに調整し
ながら、成膜レートを５〜２６Å／ｓｅｃにする。形成
するＭｇＯ層の膜厚は５０００Å〜１μｍである。
【００１３】このようにして誘電体層１８とＭｇＯ層１
９を形成すると、ガラス基板１１に設けた溝１３にバス
電極１５が埋まって電極の凹凸が少なくなっているの
で、誘電体層１８及びＭｇＯ層１９の両方ともに薄いに
もかかわらず、電極を所定の厚さで完全に覆った状態に
なる。したがって、非常に緻密で、絶縁性が高く、しか
も耐圧性の優れたこれらの層の利点を有効に活かすこと
ができる。
９を形成すると、ガラス基板１１に設けた溝１３にバス
電極１５が埋まって電極の凹凸が少なくなっているの
で、誘電体層１８及びＭｇＯ層１９の両方ともに薄いに
もかかわらず、電極を所定の厚さで完全に覆った状態に
なる。したがって、非常に緻密で、絶縁性が高く、しか
も耐圧性の優れたこれらの層の利点を有効に活かすこと
ができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＰＤＰ
は、基板内に電極を形成することで電極の凹凸が少ない
構成にし、その上に膜厚の薄い誘電体層及びＭｇＯ層を
形成したため、パネル化した後の駆動電圧を下げること
ができ、パネルの発熱が低減されるばかりでなく、消費
電力を少なくすることができる。また、材料費の低減に
つながるという利点もある。
は、基板内に電極を形成することで電極の凹凸が少ない
構成にし、その上に膜厚の薄い誘電体層及びＭｇＯ層を
形成したため、パネル化した後の駆動電圧を下げること
ができ、パネルの発熱が低減されるばかりでなく、消費
電力を少なくすることができる。また、材料費の低減に
つながるという利点もある。
【００１５】また、誘電体層とＭｇＯ層をともにイオン
プレーティングにて成膜するようにしたので、膜形成の
プロセスが簡略化される。
プレーティングにて成膜するようにしたので、膜形成の
プロセスが簡略化される。
【図１】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一構成例
をその前面板と背面板を離間した状態で示す構成図であ
る。
をその前面板と背面板を離間した状態で示す構成図であ
る。
【図２】本発明に係るプラズマディスプレイパネルにつ
いてその前面板を形成する手順を説明するための前半の
工程図である。
いてその前面板を形成する手順を説明するための前半の
工程図である。
【図３】図２に続く後半の工程図である。
１，２ ガラス基板 ３ 障壁 ４ 透明電極 ５ バス電極 ６ 誘電体層 ７ ＭｇＯ層 ８ アドレス電極 ９ 蛍光体 １１ ガラス基板 １２ レジスト層 １３ 溝 １４ 金属膜 １５ バス電極 １６ 透明導電膜 １７ 透明電極
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に設けた電極を誘電体層で被覆し
てガス放電空間から絶縁し、さらにその誘電体層上にＭ
ｇＯ層を形成した構造の前面板を有するプラズマディス
プレイパネルにおいて、前記基板に設けられた電極の幅
と同程度の溝内に電極が形成され、その電極を覆って基
板上に前記誘電体層と前記ＭｇＯ層とが形成されてお
り、その誘電体層とＭｇＯ層の膜厚合計が０．２〜２μ
ｍであることを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項２】 前記誘電体層と前記ＭｇＯ層とがそれぞ
れ膜厚１μｍ以下である請求項１に記載のプラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項３】 前記誘電体と前記ＭｇＯ層がそれぞれイ
オンプレーティング法により成膜されたものであること
を特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマディスプ
レイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8170977A JPH1021836A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8170977A JPH1021836A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1021836A true JPH1021836A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15914862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8170977A Pending JPH1021836A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1021836A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312650B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-12-28 | 박종섭 | 플라즈마디스플레이패널의전극형성방법 |
| US6657396B2 (en) | 2000-01-11 | 2003-12-02 | Sony Corporation | Alternating current driven type plasma display device and method for production thereof |
-
1996
- 1996-07-01 JP JP8170977A patent/JPH1021836A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312650B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-12-28 | 박종섭 | 플라즈마디스플레이패널의전극형성방법 |
| US6657396B2 (en) | 2000-01-11 | 2003-12-02 | Sony Corporation | Alternating current driven type plasma display device and method for production thereof |
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