JPH10221704A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

反射型液晶表示装置およびその製造方法

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JPH10221704A
JPH10221704A JP9024201A JP2420197A JPH10221704A JP H10221704 A JPH10221704 A JP H10221704A JP 9024201 A JP9024201 A JP 9024201A JP 2420197 A JP2420197 A JP 2420197A JP H10221704 A JPH10221704 A JP H10221704A
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wiring
pixel electrode
scanning
liquid crystal
display device
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JP9024201A
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English (en)
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Yoichi Hiraishi
洋一 平石
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Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 走査配線及び信号配線と画素電極の間の寄生
容量を減少させ、表示品位の向上を図る。また、干渉光
の影響などで表示品位が低下するのを防止しながら、画
素電極を大きく形成し輝度を向上させる。 【解決手段】 画素電極４と絶縁膜を間に介して重ね合
わされた、ゲート配線２やソース配線３を蛇行して形成
し、該ゲート配線ソース配線３を利用して画素電極４の
表面に凹凸を形成し、外部光を画素電極４で均一に反射
させ、干渉などによる着色などの表示品位を低下させる
と同時に画素電極４を大きく形成でき輝度を向上させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴという）などのスイッチング素子を備えた
アクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置に関し、
特に、走査配線、信号配線及び画素電極の形状及びその
製造方法に特徴を有するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、外部から入射した光を反射させて
表示を行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要
であり、消費電力が低く、薄型であり、軽量化が可能で
あるため、例えばＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉ
ｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などの携帯情報端末用デ
ィスプレイに利用されて有用であることから、注目され
ている。反射型液晶表示装置の反射光の波長依存性を少
なくし、屋外での太陽光の下、屋内での任意の照明光の
下での表示品位の向上を図るために、反射板の表面に凹
凸を形成する技術が、例えば特開平７−１５９７７６号
公報に開示されている。
【０００３】図１１は、上記公報に開示された反射型液
晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の部分
平面図を示す。
【０００４】図１１において、アクティブマトリクス基
板上には、高反射率の金属材料よりなる複数の画素電極
５４がマトリクス状に設けられており、これら画素電極
５４の周囲を通り、互いに直交差するように、ゲート配
線５２とソース配線５３とが設けられている。そして、
ゲート配線５２とソース配線５３の交差部分には、前記
画素電極５４に接続されるスイッチング素子としてＴＦ
Ｔ５１が設けられている。このＴＦＴ５１のゲート電極
には前記ゲート配線５２が接続され、ゲート電極に入力
される信号によってＴＦＴ５１が駆動制御される。ま
た、ＴＦＴ５１のソース電極は前記ソース配線５３に接
続され、ソース電極に入力されるデータ信号をＴＦＴ５
１を介して画素電極５４に供給する。画素電極５４の一
部下方にゲート絶縁膜を介して付加容量用配線（以下Ｃ
ｓ配線という）５５を引き延ばして、付加容量を形成し
ている。ここで、Ｃｓ配線に凹部５５ａを形成して、画
素電極５４の表面に凹凸形状を形成している。
【０００５】図１２は、図１１の反射型液晶表示装置の
Ｅ−Ｅ'線断面図を示す。
【０００６】図１２において、アクティブマトリクス基
板６０上に、図１１で説明したゲート配線５２から枝分
かれしたゲート電極６２が設けられ、このゲート電極６
２の上を覆ってゲート絶縁膜５７が形成されている。さ
らに、前記ゲート絶縁膜５７上には、半導体層６５およ
びｎ+Ｓｉ層６７，６８が形成され、その上にソース配
線５３から枝分かれしたソース電極６３と、画素電極５
４と一続きになっているドレイン電極６４が形成され
る。
【０００７】また、対向基板７０には、前記画素電極５
４と対向する位置に対向電極７１が形成され、ＴＦＴ５
１と対向する位置に遮光膜７３が形成されている。そし
て、アクティブマトリクス基板６０と対向基板７０を対
向配置し、その間に配向膜（図示しない）、液晶層８０
が設けられ、液晶表示装置を構成している。なお、必要
に応じて対向電極７１の箇所にカラーフィルターを設け
ても良い。図１１、図１２より明らかなように、Ｃｓ電
極５５に凹部５５ａが形成され、この上にゲート絶縁膜
５７を介して画素電極５７が形成されるから、画素電極
５７の表面は凹部５５ａに応じた凹凸が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１１、図１２の液晶
表示装置において、光の利用効率を高めるためには、ゲ
ート配線５２及びソース配線５３に画素電極５４を近づ
けて配置し、画素電極５４を可能な限り大きくする必要
があるが、ゲート配線５２及びソース配線５３と、画素
電極５４が接近した部分では横方向の電界の影響で、液
晶にリバースチルトドメインが起こり表示品位が悪化し
たり、リーク不良が多く発生する。また、上記課題を解
決するために、ゲート配線及びソース配線と画素電極を
絶縁膜を介して重畳させると、ゲート配線及びソース配
線と画素電極の重畳部に寄生容量が生じ、クロストーク
などの表示不良が起こり易くなる。また、上記液晶表示
装置では画素電極の周辺端部が直線状であるので、干渉
光の影響などで波長依存性ができ着色など表示品位が悪
くなってしまう。
【０００９】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたもので、光の利用効率を高めると同時に、
寄生容量を低減して、表示品位の低下を防止することを
目的とする。また、本発明の別の目的は画素電極の周辺
端部で干渉光の影響など表示品位が低下するのを防止す
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の反射型液晶表示装置は、複数の走査配線
と、該走査配線と交差する方向に配線された複数の信号
配線と、その交差部近傍にスイッチング素子を設け、前
記走査配線及び信号配線に画素電極が層間絶縁膜を介し
て重ね合わされた反射型液晶表示装置であって、前記走
査配線と信号配線の少なくとも一方の配線が曲折、切り
欠き、突部、孔部のいずれか一つ以上を有することを特
徴とする。
【００１１】この構成により、走査配線及び信号配線と
画素電極間の寄生容量を低減することができ、クロスト
ークなどの表示品位の低下を防止することができる。こ
のとき、信号配線側のパターンをランダムにすること
で、信号配線と画素電極との間に生じる寄生容量が画素
電極毎に微妙に異なることになりステッパ露光などの方
法で生じやすいブロック別れを防止することができる。
また、画素電極の周辺端部の波長依存性を少なくし、画
素電極の周辺端部で干渉光の影響をなくすことができ
る。
【００１２】また、前記走査配線及び信号配線の切り欠
きを、走査配線又は信号配線に沿った線対称でない位置
に設けることを特徴とし、この特徴的構成を有すること
により、走査配線及び信号配線の幅が極端に狭い部分が
生じないので断線を防止することができる。
【００１３】また、走査配線と画素電極との間の寄生容
量は、各々の画素電極で一定であることを特徴とし、こ
の特徴的構成を有することにより、液晶に印加される直
流成分を無くすことができ表示品位の向上及び、信頼性
の向上が図れる。
【００１４】また、本発明の反射型液晶表示装置の製造
方法は、複数の走査配線と、該走査配線と交差する方向
に配線された複数の信号配線と、その交差部近傍にスイ
ッチング素子を形成し、前記走査配線及び信号配線上に
層間絶縁膜を介して画素電極を形成する際に、前記走査
配線と信号配線の少なくとも一方の配線に曲折、切り欠
き、突部、孔部のいずれか一つ以上を形成し、前記画素
電極が走査配線及び信号配線と重畳する部分に凹凸表面
を形成することを特徴とする。この製造方法により、画
素の端部まで波長依存性の少ない明るい反射型液晶表示
装置を工程の増加無く形成することができる。
【００１５】また、前記凹凸表面は、走査配線及び信号
配線をマスクにした裏面露光で形成することを特徴と
し、この特徴的構成により、層間絶縁膜を厚く設けるこ
とが可能になり、走査配線及び信号配線と画素電極間の
寄生容量を低減することができる。
【００１６】また、前記層間絶縁膜をポジ型感光性樹脂
で形成することを特徴とし、これにより、走査配線及び
信号配線が遮光膜となり、走査配線及び信号配線上の層
間絶縁膜は露光時に残すことができるため、走査配線及
び信号配線と画素電極間に層間絶縁膜が多く残ることに
なり、寄生容量が低減されると共に、リーク不良を低減
することができる。
【００１７】また、前記走査配線及び信号配線と画素電
極とが重畳していない部分の凹凸を、隣り合うパターン
間で別の層に形成される前記走査配線及び信号配線材を
用いて形成することにより、凹凸パターン間のパターニ
ング時のリークを防止することができ、より確実に凹凸
パターンを形成することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
【００１９】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１の液晶表示装置における１画素分の平面図を示す。
【００２０】図１において、複数の平行な走査配線とし
てのゲート配線２と、このゲート配線２と交差する方向
に、複数の平行な信号配線としてのソース配線３が、少
なくとも交差部分にゲート絶縁膜等の絶縁膜を介して配
線され、ゲート配線２とソース配線３の各交差部近傍に
スイッチング素子としてＴＦＴ１が形成される。このＴ
ＦＴ１、ゲート配線２とソース配線３の上には全面に層
間絶縁膜８が形成され、層間絶縁膜８上にＴＦＴ１、ゲ
ート配線２とソース配線３と一部オーバーラップするよ
うに画素電極４が形成される。また、ゲート配線２と同
時にＣｓ配線５が形成され、ソース配線３と同時に形成
された付加容量電極６との重畳部で付加容量を形成して
いる（Ｃｓ ｏｎ Ｃｏｍｍｏｎ方式）。反射型液晶表
示装置の場合、ゲート配線２及びソース配線３は、液晶
表示装置の開口率を低下させないので、配線抵抗が低下
するよう一定の幅を有して直線的に設けられる。しか
し、この構造の場合、画素電極４の面積を大きくして開
口率を高くすると、ゲート配線２及びソース配線３と画
素電極４の重畳面積は増加し、寄生容量が大きくなりク
ロストークなどの表示品位の低下が起こる。また、寄生
容量を減少させるためにゲート配線２及びソース配線３
を細くすると抵抗が増加したり、製造時における断線を
起こしやすくなる。
【００２１】そのため、本実施形態１では、これらゲー
ト配線２及びソース配線３は、配線抵抗が小さくなるよ
う一定の幅を有しながら、図示するように、部分的に曲
折、切り欠き、突部、孔部の少なくともいずれか一つを
設けて、ゲート配線２及びソース配線３と画素電極４と
の重畳面積を減少させて寄生容量を減少させている。例
えば、ソース配線３の線幅を１０μｍ、画素電極４とソ
ース配線３との重なり幅を３μｍとすると、画素電極４
の長さ分（例えば、２００μｍ）と重なり幅の積（２０
０×３μｍ）が重畳面積となるが、曲折、切り欠きや孔
部を設けると、その面積分は寄生容量が減少する。ま
た、ソース配線３を、鉤型やノコギリ歯形などに曲折さ
せて配置させても重畳面積は減少し、寄生容量が減少す
ることになる。このとき、ゲート配線２及びソース配線
３と画素電極４の重なり部分のみ開口するように、上記
曲折、切り欠き、孔部を設けることにより、ゲート配線
２及びソース配線３と画素電極４の隙間からの不要な光
もれが防げるので望ましい。また、切り欠きを設ける場
合、上下・左右線対称的に同じ部分に切り欠きを設ける
と、その部分が極端に細くなり、製造時に断線を起こし
やすくなるので、ゲート配線又はソース配線に沿った線
対称でない位置に設けることが望ましい。
【００２２】ここで、ゲート配線２と画素電極４によっ
て形成される寄生容量は、液晶表示装置の全画素で一定
になるように形成した。また、ソース配線３と画素電極
４によって形成される寄生容量は、全画素である程度の
範囲内で変化するよう曲折、切り欠き、突部、孔部を設
けた。これは、ゲート配線２に印加される電圧は直流成
分が多く含まれ、液晶に直流成分が印加されやすいの
で、液晶に直流成分が印加されない様に寄生容量の値を
一定にしておく必要があるからである。また、ソース配
線３側はステッパ露光によって生じる露光のズレ、所謂
ブロック分れを原因とする表示ムラを、寄生容量に少し
幅を持たせて変化させることにより、露光マスクのつな
ぎ目を見えにくくするためである。
【００２３】図２は、図１のＡ−Ａ'線間の断面図であ
る。ガラスなどの透明絶縁性基板１０上に、ゲート配線
２より枝分かれしたゲート電極１２を形成する。ゲート
電極はスパッタリング法により、タンタル、アルミなど
を厚さ３５０ｎｍに形成する。このゲート配線２及びゲ
ート電極１２に陽極酸化法により陽極酸化膜を形成して
ゲート絶縁膜としても良い。その上にチッ化シリコンな
どよりなるゲート絶縁膜７を、プラズマＣＶＤ法により
厚さ４００ｎｍ形成する。さらにその上にゲート電極１
２を重畳するように、アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）などの半導体層１５を、プラズマＣＶＤ法により厚
さ１００ｎｍに形成する。この半導体層１５の一部を覆
い、中央部が分断された状態で、マイクロクリスタルの
ｎ型シリコン（μＣ−ｎ+Ｓｉ）などでオーミックコン
タクト層１７、１８が厚さ８０ｎｍ形成される。一方の
コンタクト層１７上には、図１のソース配線３と接続さ
れたソース電極１３がタンタル、アルミなどで３００ｎ
ｍ形成され、他方のコンタクト層１８上には画素電極４
と接続されるドレイン電極１４が形成されている。この
とき、ゲート配線２、ソース配線３の上部に酸化クロ
ム、チッ化タンタルなど低反射膜を設けるとより表示品
位が良くなる。
【００２４】さらに、その上に、層間絶縁膜８として感
光性アクリル樹脂をスピン塗布法により１〜１０μｍ、
例えば３μｍの膜厚で形成する。この感光性アクリル樹
脂に対して所望のパターンで露光、アルカリ溶液で現像
し、ドレイン電極１４に接触するコンタクトホール９
ａ、Ｃｓ電極６に接触するコンタクトホール９ｂを設
け、熱硬化した。
【００２５】ここで用いた層間絶縁膜８を構成する感光
性アクリル樹脂は、比誘電率が３．４〜３．５と無機膜
（チッ化シリコンの比誘電率８）に比べて低く、また、
その透明度も高くスピン塗布法などにより容易に３μｍ
程度の厚い膜厚にすることができる。このため、ゲート
配線２と画素電極４との間の容量および、ソース配線３
と画素電極４との間に形成される寄生容量を低くするこ
とができ、これらの容量成分が表示に与えるクロストー
クなどの影響をより低減することができて、良好で明る
い表示を得ることができる。さらに、感光性のアクリル
樹脂を用いることにより、スピン塗布法などを用いて厚
膜が形成できるので、数μｍ程度の膜厚の薄膜を容易に
形成でき、しかも、パターニングにフォトレジスト工程
も不要であるので、生産性の点で有利である。
【００２６】この様な層間絶縁膜８は、感光性アクリル
樹脂以外にも、比誘電率が低いものを用いることが好ま
しく、例えば、ポリアミドイミド、ポリアリレート、ポ
リエーテルイミド、エポキシ、透明度の高いポリイミド
（例えばヘキサフルオロプロピレンを含む酸二無水物と
ジアミンとの組合わせ）等を用いることができる。
【００２７】その後、画素電極４となるアルミなどの反
射率の高い導電膜をスパッタリング法により１００ｎｍ
の膜厚に形成する。これにより画素電極４は、層間絶縁
膜８を貫くコンタクトホール９ａを介して、ＴＦＴ１の
ドレイン電極１４と接続されることになる。また、同時
にＣｓ電極６もコンタクトホール９ｂを介して接続する
ことができる。ここで、画素電極４をＴＦＴ上まで設け
てＴＦＴの遮光を行った。最後に図示しない配向膜を形
成する。このようにして、本実施形態１のアクティブマ
トリクス基板を製造することができる。
【００２８】対向基板は透明絶縁性基板２０上に、ＩＴ
Ｏなどの透明導電膜で対向電極２１を形成後、その上に
図示しない配向膜を形成している。このとき、カラーフ
ィルターを設けても良い。そして、両基板を対向配置し
その間に液晶３０を封入し液晶表示装置を形成する。
【００２９】上記のように、本実施形態１では、ゲート
配線２及びソース配線３と画素電極４の間に低誘電率の
層間絶縁膜８を厚く設け、ゲート配線２及びソース配線
３に曲折、切り欠き、突部、孔部のいずれか一つ以上を
設けて重畳面積を減少させることにより、寄生容量を減
少し、クロストークなどの表示不良を防止し、表示品位
を向上させることができる。また、画素電極４の周辺端
部に、ゲート配線２及びソース配線３に設けた曲折、切
り欠き、突部、孔部に応じた凹凸を形成することがで
き、干渉光の影響などで波長依存性が生じるのを防止し
て着色をなくすことができる。
【００３０】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
部分平面図を示す。図４は、図３のＢ−Ｂ'線間断面図
である。なお、実施形態１と同一部分は同一符号を付し
て説明は省略する。
【００３１】本実施形態では、反射電極を兼ねる画素電
極４の表面に凹凸を設けて、波長依存性を無くし、反射
電極の反射光同士の干渉光による着色を起こりにくくし
て、美しい表示を得ると同時に、輝度を向上させる。こ
こで、前記実施形態１と同様にゲート配線２及びソース
配線３の曲折、切り欠き、突部、孔部を設けて、反射電
極を兼ねる画素電極４の端部表面にも凹凸を形成する。
そして画素電極４とゲート配線及びソース配線がオーバ
ーラップしない部分、即ち画素電極４の中央部は、ゲー
ト配線２やソース配線３の形成時に同じ材料を用いて島
状に凸部１１ａ、１１ｂを形成する。なお、ここでは反
射光の波長依存性を低減するためにゲート配線２材を用
いて凸部１１ａを、ソース配線３材を用いて凸部１１ｂ
を形成した。ゲート配線２とソース配線３の膜厚は異な
っているので、各々異なる高さの２種類の凸部が形成さ
れる。また、凸部１１ａ、１１ｂの配置、形状によるパ
ターンは１画素内にランダムになるよう、つまり凸部１
１ａ、１１ｂ間の相互の間隔、形状が一定しないように
形成した。しかし、全画素電極では同じパターンの凸部
１１ａ、１１ｂが形成される。また、隣り合う凸部はゲ
ート配線２材による凸部１１ａとソース配線３材による
凸部１１ｂとを交互に配置することにより、隣り合う凸
部パターン同士のリークを防止することができる。
【００３２】本実施形態の製造方法を説明すると、まず
ガラスなどの透明絶縁性基板１０上に、ゲート配線２、
ゲート電極１２、凸部１１ａをスパッタリング法により
タンタル、アルミなどで、２５０〜４５０ｎｍ、好まし
くは３５０ｎｍの膜厚に形成する。その上を覆ってゲー
ト絶縁膜７がプラズマＣＶＤ法によりチッ化シリコンな
どで４００ｎｍの膜厚に形成される。さらに、その上に
プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）などの半導体層１５、マイクロクリスタルのｎ+型
シリコン（μＣ−ｎ+Ｓｉ）などよりなるオーミックコ
ンタクト層１７が形成される。そして、ソース配線３、
ソース電極１３、ドレイン電極１４、凸部１１ｂがスパ
ッタリング法により、タンタル、アルミなどで、２００
〜４００ｎｍ、好ましくは３００ｎｍの膜厚に形成され
る。
【００３３】さらに、その上に、層間絶縁膜８としてポ
リイミドをスピン塗布法により例えば０．５μｍの膜厚
で形成する。このとき、ポリイミドの粘度、膜厚、スピ
ン塗布時の回転数を調整して、層間絶縁膜８が下地膜で
あるゲート配線２及びソース配線３、凸部１１ａ、１１
ｂの凹凸を滑らかに反映して、表面に凹凸形状が形成さ
れるようにする。なお、ここではより滑らかな凹凸表面
が形成されるように、ポリイミドを熱だれさせて滑らか
な形状にした。熱だれは、硬化させる際にオーブンの温
度を急激に上げて溶剤を急激に揮発させたり、通常の硬
化温度よりも高くすることで実現できる。また、図３、
図４に図示していないが、ゲート配線２の上にソース配
線３材による凸部１１ｂを形成して、より波長依存性を
除去するようにしても良い。更に、ソース配線３の下方
にゲート配線材による凸部１１ａを予め形成し、ソース
配線３の表面に凹凸を形成してもよい。この層間絶縁膜
８に対して、レジストを塗布し所望のパターンに従って
露光し、エッチングを行いコンタクトホールを形成す
る。この工程で、凹凸をより強くつけたい場合は、ゲー
ト配線２及びソース配線３や凸部１１ａ、１１ｂが無い
部分をエッチングで除去すると良い。また、レジストを
除去するアッシング工程で、層間絶縁膜８であるポリイ
ミドと画素電極の密着性を向上させるため、レジスト除
去後、同じ装置でアッシングをそのまま行い、層間絶縁
膜８の表面に微小な凹凸を形成するとよい。
【００３４】その後、画素電極４となるアルミなどの反
射率の高い導電膜をスパッタリング法により１００ｎｍ
の膜厚に形成する。これにより画素電極４は、層間絶縁
膜８を貫くコンタクトホールを介して、ＴＦＴ１のドレ
イン電極１４と接続されることになる。この工程で画素
電極４材を用いてＴＦＴの上に遮光膜を形成して、ＴＦ
Ｔの光リークを防止する構造としても良い。最後に図示
しない配向膜を形成する。このようにして、本実施形態
２のアクティブマトリクス基板を製造することができ
る。
【００３５】また、透明絶縁性基板２０上に、ＴＦＴ１
の光リークを防止する遮光膜２３を形成し、ＩＴＯなど
の透明導電膜で対向電極２１を形成後、その上に図示し
ない配向膜を形成する。このとき、カラーフィルターを
設けても良い。そして、両基板を対向配置しその間に液
晶３０を封入し液晶表示装置を形成する。
【００３６】本実施形態において、ゲート配線２及びＣ
ｓ配線５の最大部分の幅を２０μｍとし、１０μｍと５
μｍの２種類の切り欠きを設けた。Ｃｓ配線５は上下方
向に交互になるように曲折させた。ゲート配線２は自段
の画素電極より、走査信号順に次段の画素電極と大きく
重畳するようにし、ＴＦＴ１が形成される側とは逆の側
に切り欠きを設けた。ソース配線３は、１０μｍのほぼ
一定の幅で曲折させた。そして、画素電極４と配線が重
畳していない部分の凸部１１ａ、１１ｂの幅を１０μｍ
とした。なお、凸部の大きさを５μｍと１０μｍなどの
２種類以上にした方がより干渉光の影響による波長依存
性を低減できる。また、ここでは四角のパターンにして
いるが菱形、十文字型、３角形、６角形などの多角形、
円形、楕円形、その他任意の曲線などでも良い。
【００３７】さらに、この実施形態ではゲート配線とソ
ース配線の膜厚が異なることにより、ゲート配線及びソ
ース配線の膜厚に対応して高さの異なる２種類の凸部１
１ａ、１１ｂが形成され、より波長依存性を無くすこと
ができる。つまり、配線材の大きさと高さを変更して組
み合わせることにより色々な凸部が形成できる。これに
より、反射電極の反射光同士の干渉光による着色が起こ
りにくくなり美しい表示得られるだけでなく、輝度も向
上する。
【００３８】（実施形態３）図５は、本発明の実施形態
３の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
部分平面図を示す。図６は、図５のＣ−Ｃ'線間断面図
である。また、図７は、本実施形態の製造方法を説明す
るプロセスフロー図である。なお、実施形態１、２と同
一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００３９】本実施形態では、層間絶縁膜８として感光
性アクリル樹脂を用いて、１〜１０μｍ、好ましくは、
３μｍ程度に膜厚を厚く形成し、ゲート配線及びソース
配線等の下地膜の凹凸を吸収して表面が平坦になるよう
にする。そして、層間絶縁膜８をゲート配線及びソース
配線や凸部１１をマスクにして裏面露光を行い凹凸を形
成するものである。
【００４０】本実施形態の製造方法を図７を用い説明す
ると、まず、ガラスなどの透明絶縁性基板１０上に、ゲ
ート配線２、ゲート電極１２、凸部１１を形成する（工
程１）。その上を覆ってゲート絶縁膜７、半導体層１
５、オーミックコンタクト層１７の３層を連続デポする
（工程２）。その後、半導体層１５とオーミックコンタ
クト層１７を島状にパターニングする（工程３）。次
に、ソース配線３、ソース電極１３、ドレイン電極１４
をデポし（工程４）、パターニングする（工程５）。こ
のとき同時に、オーミックコンタクト層１７のギャップ
も形成する。
【００４１】さらに、その上に、層間絶縁膜８として感
光性アクリル樹脂をスピン塗布法により例えば３μｍの
膜厚で形成する（工程６）。この感光性アクリル樹脂に
対してゲート配線２、ソース配線３、凸部１１をマスク
に基板裏面から露光を行う（工程７）。この実施形態で
は、ポジ型の感光性樹脂を用いたので、ゲート配線２、
ソース配線３や凸部１１などによって遮光された部分の
層間絶縁膜８を残し、その他の透過部分を除去するよう
にした。この構成により、ゲート配線２及びソース配線
３と画素電極４のリーク不良が防止でき、また、ゲート
配線２及びソース配線３と画素電極４間の寄生容量が減
少できるので、寄生容量に起因する表示品位の低下、例
えばクロストークなどが防止できる。所望のパターンで
露光、アルカリ溶液で現像し、コンタクトホール９ａ、
９ｂを設け熱硬化した。このとき、熱だれを利用して凸
部を滑らかにするとよりよい。
【００４２】その後、画素電極４となるアルミなどの反
射率の高い導電膜をスパッタリング法により１００ｎｍ
程度の膜厚に形成する。これにより画素電極４は、層間
絶縁膜８を貫くコンタクトホールを介して、ＴＦＴ１の
ドレイン電極１４と接続されることになる。この工程に
おいて、画素電極４材を用いてＴＦＴの上に遮光膜を形
成して、ＴＦＴの光リークを防止する構造としても良
い。最後に図示しない配向膜を形成する。このようにし
て、本実施形態３のアクティブマトリクス基板を製造す
ることができる。
【００４３】そして、ＩＴＯなどの透明導電膜で対向電
極２１を形成後、その上に図示しない配向膜を形成した
対向基板２０を貼り合わせ、その間に液晶３０を封入し
液晶表示装置を形成する。
【００４４】このように本実施形態では、配線と画素電
極４の間に低誘電率の層間絶縁膜８を厚く設けることに
より、画素電極４を配線と大きく重畳させることが可能
になるため明るい表示が得られる。さらに、ＴＦＴ１の
上にも画素電極４を延長して形成することでＴＦＴ１の
遮光を兼ねることができる。
【００４５】（実施形態４）図８は、本発明の実施形態
４の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
部分平面図を示す。図９は、図８のＤ−Ｄ'線間断面図
である。なお、実施形態１〜３と同一部分に同一符号を
付して説明を省略する。
【００４６】本実施形態では、ソース配線３をソース配
線３ａとソース補助配線３ｂの２本に分割して配置し、
途中数箇所で接続線３ｃを用いて接続する構造である。
ソース配線３ａ、ソース補助配線３ｂは同一工程で同時
に形成することが可能である。ソース配線３ａとソース
補助配線３ｂは互いに別形状に曲折されている。曲折以
外に、切り欠き、突部、孔部のいずれを形成してもよ
い。この構造によりソース配線に断線冗長性を持たせる
ことができる。これは、もちろんゲート配線２にも適用
できる。この構成により、ソース配線３に断線があった
場合は、ソース補助配線３ａを利用して迂回することに
より、断線を救済することができ、良品率を向上するこ
とができる。
【００４７】本実施形態では画素電極４の全ての表面凹
凸の形成を、実施形態３と同様にゲート配線２、ソース
配線３ａ、ソース補助配線３ｂをマスクに用いて、層間
絶縁膜８となる感光性アクリル樹脂を裏面露光すること
により行った。勿論、実施形態２ど同様に層間絶縁膜８
としてポリイミドを０．５μｍ程度の薄い膜厚を形成
し、ゲート配線２、ソース配線３ａ、３ｂの凹凸を反映
させて、表面に凹凸形状を形成してもよい。この様に、
ゲート配線２、ソース配線３だけで凹凸パターンを形成
することも可能である。
【００４８】（実施形態５）図１０は、本発明の実施形
態５の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板
の部分平面図を示す。図１０において、実施形態１から
３と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４９】本実施形態では、ソース配線３と並行して
ソース信号と逆極性の信号を入力する配線（以下、逆極
性配線という）３１を設けた。この構成により、ソース
配線３と画素電極４の間で生じる寄生容量をキャンセル
することができる。
【００５０】具体的には、ソース配線３と逆極性配線３
１の各々と画素電極４の重畳面積が同じである場合は中
心電位を基に逆極性の信号を、重畳面積が違う場合は違
いに応じた定数を掛けた逆極性の信号を印加する。これ
により、ソース配線３と画素電極４との間に生じる寄生
容量に起因するクロストークなどの表示品位の低下を防
止することができ、表示品位の高い反射型液晶表示装置
が形成できる。
【００５１】この実施形態では、断面図を図示していな
いが、前記実施形態４と同様に、ゲート配線２及びソー
ス配線３、逆極性配線３１の凹凸を利用して、画素電極
４の表面に凹凸を形成した。
【００５２】（実施形態６）実施形態３、４では裏面露
光により凹凸形成を行ったが、基本的には同じ高さの凸
部が形成される。そこで、より波長依存性を無くすため
に、１回目の露光では配線や凸部をマスクに裏面露光を
行い、２回目の露光では別のマスクを用いて露光を行
う。この方法で行えば、１工程増加するだけで２種類の
高さの異なる凸部を形成できる。ここで、ＴＦＴと接続
する部分などのコンタクトホールを形成する部分の下部
導電膜を、透明導電膜で形成し、コンタクトホールを２
回の露光であければ工程の増加無く行うことができる。
このとき、下部導電膜をｎ+層で形成すれば工程の増加
はない。
【００５３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、複数の走
査配線と、該走査配線と交差する方向に配線された信号
配線と、その交差部近傍にスイッチング素子をが設け、
前記走査配線及び信号配線に画素電極が層間絶縁膜を介
して重ね合わされ、前記走査配線と信号配線の少なくと
も一方の配線が曲折、切り欠き、突部、孔部のいずれか
一つ以上を有することにより、配線と画素間の寄生容量
を低減することができクロストークなどの表示品位の低
下を防止することができる。このとき、信号配線側のパ
ターンをランダムにすることで、信号配線と画素電極と
の間に生じる寄生容量が画素毎に微妙に異なることにな
りステッパ露光などの方法で生じやすいブロック別れを
防止することができる。また、画素電極の周辺端部の波
長依存性を少なくし、干渉光の影響をなくすことができ
る。
【００５４】また、前記走査配線及び信号配線の切り欠
きを、線対称でない位置に設けることにより、走査配線
及び信号配線の幅が極端に狭い部分が生じないので断線
を防止することができる。
【００５５】また、走査配線と画素電極との間の寄生容
量は各々の画素電極で一定になっていることにより、液
晶に印加される直流成分を無くすことができ表示品位の
向上及び、信頼性の向上が図れる。
【００５６】また、複数の走査配線と、該走査配線と交
差する方向に配線された複数の信号配線と、その交差部
近傍にスイッチング素子を形成し、走査配線及び信号配
線上に層間絶縁膜を介して、画素電極を形成する際に、
走査配線と信号配線の少なくとも一方の配線に曲折、切
り欠き、突部、孔部の少なくも一つ以上を形成し、走査
配線及び信号配線と画素電極が重畳する部分に凹凸表面
を形成することにより、画素の端部まで波長依存性の少
ない明るい反射型液晶表示装置を工程の増加無く形成す
ることができる。
【００５７】また、前記凹凸表面は、走査配線及び信号
配線をマスクにした裏面露光で形成することにより、層
間絶縁膜を厚く設けることが可能になり、走査配線及び
信号配線と画素電極間の寄生容量を低減することができ
る。
【００５８】また、前記層間絶縁膜をポジ型感光性樹脂
で形成することにより、走査配線及び信号配線が遮光膜
となり、走査配線及び信号配線上の層間絶縁膜は露光時
に残るため、走査配線及び信号配線と画素電極間に層間
絶縁膜が多く残ることになり寄生容量が低減されると共
に、リーク不良を低減することができる。
【００５９】また、前記走査配線及び信号配線と画素電
極とが重畳していない部分の凹凸を、隣り合うパターン
間で別の層に形成される前記走査配線及び信号配線材を
用いて形成することにより、凹凸パターン間のパターニ
ング時のリークを防止することができ、より確実に凹凸
パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の部分平面図である。
【図２】図１の液晶表示装置のＡ−Ａ'線断面図であ
る。
【図３】本発明の実施形態２の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の部分平面図である。
【図４】図３の液晶表示装置のＢ−Ｂ'線断面図であ
る。
【図５】本発明の実施形態３の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の部分平面図である。
【図６】図５の液晶表示装置のＣ−Ｃ'線断面図であ
る。
【図７】本発明の実施形態３の製造方法を示すプロセス
図である。
【図８】本発明の実施形態４の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の部分平面図である。
【図９】図８の液晶表示装置のＤ−Ｄ'線断面図であ
る。
【図１０】本発明の実施形態５の液晶表示装置における
アクティブマトリクス基板の部分平面図である。
【図１１】従来の液晶表示装置におけるアクティブマト
リクス基板の部分平面図である。
【図１２】図１１の液晶表示装置のＥ−Ｅ'線断面図で
ある。
【符号の説明】
１ ＴＦＴ ２ 走査配線（ゲート配線） ３ 信号配線（ソース配線） ４ 画素電極 ５ Ｃｓ配線 ６ Ｃｓ電極 ７ ゲート絶縁膜 ８ 層間絶縁膜 ９ａ コンタクトホール １０ 透明絶縁性基板 １１ａ、１１ｂ 凸部 １２ ゲート電極 １３ ソース電極 １４ ドレイン電極 １５ 半導体層 １７、１８ コンタクト層 ２０ 透明絶縁性基板 ２１ 対向基板 ３０ 液晶

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の走査配線と、該走査配線と交差す
    る方向に配線された複数の信号配線と、その各交差部近
    傍にスイッチング素子を設け、前記走査配線及び信号配
    線に反射板兼用の画素電極が層間絶縁膜を介して重ね合
    わされた反射型液晶表示装置において、 前記走査配線と信号配線の少なくとも一方の配線が、曲
    折、切り欠き、突部、孔部のいずれか一つ以上を有する
    ことを特徴とする反射型液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記走査配線及び信号配線の切り欠き
    を、走査配線又は信号配線に沿った線対称でない位置に
    設けることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表
    示装置。
  3. 【請求項３】 走査配線と画素電極との間の寄生容量
    は、各々の画素電極で一定であることを特徴とする請求
    項１に記載の反射型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 複数の走査配線と、該走査配線と交差す
    る方向に配線された複数の信号配線と、その交差部近傍
    にスイッチング素子を形成し、前記走査配線及び信号配
    線上に層間絶縁膜を介して画素電極を形成する反射型液
    晶表示装置の製造方法において、 前記走査配線と信号配線の少なくとも一方の配線に曲
    折、切り欠き、突部、孔部のいずれか一つ以上を形成
    し、前記画素電極が走査配線及び信号配線と重畳する部
    分に凹凸表面を形成することを特徴とする反射型液晶表
    示装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記凹凸表面は、走査配線及び信号配線
    をマスクにした裏面露光で形成することを特徴とする請
    求項４に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記層間絶縁膜をポジ型感光性樹脂で形
    成することを特徴とする請求項４に記載の反射型液晶表
    示装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記走査配線及び信号配線と画素電極と
    が重畳していない部分の凹凸を、前記走査配線及び信号
    配線材を用いて形成することを特徴とする請求項５に記
    載の反射型液晶表示装置の製造方法。
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Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347219A (ja) * 1999-03-29 2000-12-15 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2002014337A (ja) * 2000-04-27 2002-01-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2003029253A (ja) * 2001-07-09 2003-01-29 Koninkl Philips Electronics Nv 反射電極を形成する方法及び液晶表示装置
EP1069458A3 (en) * 1999-07-14 2004-03-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Manufacturing method for reflection type liquid crystal display
US6784959B2 (en) 2000-02-02 2004-08-31 Sanyo Electric Co., Ltd. Reflective liquid crystal display
US6806927B2 (en) 2002-01-23 2004-10-19 Seiko Epson Corporation Step-eliminating film and island-shaped pattern composed of conductive film for a reflective electrooptic device and electronic apparatus
JP2005208085A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Sony Corp 表示装置及び補助信号線駆動回路
JP2007052419A (ja) * 2005-08-12 2007-03-01 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置
JP2007232818A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Mitsubishi Electric Corp 画像表示装置
JP2008083731A (ja) * 2000-01-26 2008-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR100848551B1 (ko) * 2001-08-14 2008-07-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이 구조
JP2008257077A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Ips Alpha Technology Ltd 表示装置
JP2009194174A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Koizumi Lighting Technology Corp 発光ダイオードモジュール、照明装置、および発光ダイオードモジュールの配線パターン設定方法
JP2009194008A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Koizumi Lighting Technology Corp 発光ダイオードモジュール、照明装置、および発光ダイオードモジュールの配線パターン設定方法
JP2009265348A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Ips Alpha Technology Ltd 表示装置及びその製造方法
WO2009139104A1 (ja) * 2008-05-13 2009-11-19 シャープ株式会社 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法
JP2010093234A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Lg Display Co Ltd 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法、液晶表示装置
US7999879B2 (en) 2001-10-12 2011-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JPWO2010134236A1 (ja) * 2009-05-18 2012-11-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを用いた液晶表示装置
JP2013250568A (ja) * 2000-07-31 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2014041372A (ja) * 2013-10-02 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8934066B2 (en) 2000-03-13 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having stick drivers and a method of manufacturing the same
CN104733476A (zh) * 2015-03-27 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN107077034A (zh) * 2014-09-12 2017-08-18 夏普株式会社 显示装置

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3085530B2 (ja) 1998-11-18 2000-09-11 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100474003B1 (ko) * 1998-11-27 2005-09-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
JP4674926B2 (ja) * 1999-02-12 2011-04-20 エーユー オプトロニクス コーポレイション 液晶ディスプレイパネル及びその製造方法
US6677613B1 (en) * 1999-03-03 2004-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
CN1174359C (zh) * 1999-03-04 2004-11-03 三星电子株式会社 反射型液晶显示器及其制造方法
US7122835B1 (en) * 1999-04-07 2006-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and a method of manufacturing the same
KR100292049B1 (ko) * 1999-04-15 2001-06-01 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치
US6876145B1 (en) 1999-09-30 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
KR100322970B1 (ko) * 1999-12-24 2002-02-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법
US6825488B2 (en) 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) * 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4683688B2 (ja) * 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) * 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6900084B1 (en) * 2000-05-09 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a display device
KR100367009B1 (ko) * 2000-05-19 2003-01-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2002323705A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
KR100469342B1 (ko) * 2001-07-11 2005-02-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
KR100757789B1 (ko) * 2001-08-06 2007-09-11 삼성전자주식회사 반사형 액정표시장치
KR100462376B1 (ko) * 2001-12-31 2004-12-17 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법
US7297122B2 (en) * 2002-04-19 2007-11-20 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
JP2004061775A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Alps Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
KR101006436B1 (ko) * 2003-11-18 2011-01-06 삼성전자주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
JP2005164854A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
KR100606970B1 (ko) * 2004-04-14 2006-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100685955B1 (ko) * 2004-12-30 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치
TWI271575B (en) * 2005-01-12 2007-01-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and method of making the same
KR100933455B1 (ko) * 2005-06-27 2009-12-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101147090B1 (ko) * 2005-06-29 2012-05-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
WO2007091346A1 (ja) * 2006-02-10 2007-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
TWI329773B (en) * 2006-03-20 2010-09-01 Au Optronics Corp Pixel structure and liquid crystal display panel
TWI366703B (en) * 2006-12-15 2012-06-21 Au Optronics Corp A liquid crystal display panel and a producing method thereof
CN101598872B (zh) * 2008-06-04 2011-06-29 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
TWI370311B (en) * 2008-09-05 2012-08-11 Au Optronics Corp Pixel structure of a display panel
KR101820032B1 (ko) 2010-09-30 2018-01-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법
KR102254619B1 (ko) * 2013-11-15 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그의 제조 방법
CN108983512B (zh) * 2018-08-21 2021-08-17 昆山龙腾光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
US11201175B2 (en) * 2018-11-21 2021-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha Array substrate with capacitance forming portion to hold potential at electrode
CN112379552A (zh) * 2020-12-03 2021-02-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0376329B1 (en) * 1988-12-28 1995-03-08 Sony Corporation Liquid crystal display device
JPH07159776A (ja) 1993-12-07 1995-06-23 Casio Comput Co Ltd 反射型液晶表示装置
US5822026A (en) * 1994-02-17 1998-10-13 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate and color liquid crystal display
US5610739A (en) * 1994-05-31 1997-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display unit with a plurality of subpixels
KR0163933B1 (ko) * 1995-01-27 1999-01-15 김광호 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조 및 그 제조 방법
JP3688786B2 (ja) * 1995-07-24 2005-08-31 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 トランジスタマトリクス装置
JP3209317B2 (ja) * 1995-10-31 2001-09-17 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置およびその製造方法
KR980003739A (ko) * 1996-06-14 1998-03-30 구자홍 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
JP3708637B2 (ja) * 1996-07-15 2005-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR100209281B1 (ko) * 1996-10-16 1999-07-15 김영환 액정 표시 소자 및 그 제조방법
US6001517A (en) * 1996-10-31 1999-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Positive photosensitive polymer composition, method of forming a pattern and electronic parts
KR100228431B1 (ko) * 1996-12-30 1999-11-01 김영환 액정 표시 소자 및 그 제조방법
JP3376379B2 (ja) * 1997-02-20 2003-02-10 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 液晶表示パネル、液晶表示装置及びその製造方法
US5999234A (en) * 1997-04-15 1999-12-07 International Business Machines Corporation Transmissive cell for ultra small pixel applications

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347219A (ja) * 1999-03-29 2000-12-15 Sharp Corp 液晶表示装置
EP1069458A3 (en) * 1999-07-14 2004-03-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Manufacturing method for reflection type liquid crystal display
JP2008083731A (ja) * 2000-01-26 2008-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US6784959B2 (en) 2000-02-02 2004-08-31 Sanyo Electric Co., Ltd. Reflective liquid crystal display
US8934066B2 (en) 2000-03-13 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having stick drivers and a method of manufacturing the same
JP2002014337A (ja) * 2000-04-27 2002-01-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2013250568A (ja) * 2000-07-31 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2003029253A (ja) * 2001-07-09 2003-01-29 Koninkl Philips Electronics Nv 反射電極を形成する方法及び液晶表示装置
KR100848551B1 (ko) * 2001-08-14 2008-07-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이 구조
US7999879B2 (en) 2001-10-12 2011-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8638403B2 (en) 2001-10-12 2014-01-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8294860B2 (en) 2001-10-12 2012-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US6806927B2 (en) 2002-01-23 2004-10-19 Seiko Epson Corporation Step-eliminating film and island-shaped pattern composed of conductive film for a reflective electrooptic device and electronic apparatus
JP2005208085A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Sony Corp 表示装置及び補助信号線駆動回路
JP2007052419A (ja) * 2005-08-12 2007-03-01 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置
US7582900B2 (en) 2006-02-28 2009-09-01 Mitsubishi Electric Corporation Array substrate for an image display device
JP2007232818A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Mitsubishi Electric Corp 画像表示装置
JP2008257077A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Ips Alpha Technology Ltd 表示装置
JP2009194008A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Koizumi Lighting Technology Corp 発光ダイオードモジュール、照明装置、および発光ダイオードモジュールの配線パターン設定方法
JP2009194174A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Koizumi Lighting Technology Corp 発光ダイオードモジュール、照明装置、および発光ダイオードモジュールの配線パターン設定方法
JP2009265348A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Ips Alpha Technology Ltd 表示装置及びその製造方法
WO2009139104A1 (ja) * 2008-05-13 2009-11-19 シャープ株式会社 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法
KR101337195B1 (ko) * 2008-10-10 2013-12-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조방법, 이를 구비한액정표시장치
US8879012B2 (en) 2008-10-10 2014-11-04 Lg Display Co., Ltd. Array substrate having a shielding pattern, and a liquid crystal display device having the same
JP2010093234A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Lg Display Co Ltd 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法、液晶表示装置
JPWO2010134236A1 (ja) * 2009-05-18 2012-11-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを用いた液晶表示装置
JP2014041372A (ja) * 2013-10-02 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN107077034A (zh) * 2014-09-12 2017-08-18 夏普株式会社 显示装置
CN107077034B (zh) * 2014-09-12 2020-11-17 夏普株式会社 显示装置
CN104733476A (zh) * 2015-03-27 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6172728B1 (en) 2001-01-09

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