JPH1022209A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH1022209A JPH1022209A JP8178134A JP17813496A JPH1022209A JP H1022209 A JPH1022209 A JP H1022209A JP 8178134 A JP8178134 A JP 8178134A JP 17813496 A JP17813496 A JP 17813496A JP H1022209 A JPH1022209 A JP H1022209A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- light
- illumination system
- intensity distribution
- pattern
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 照明系の強度分布を自由に変化できるように
することにより、解像度や焦点深度、パターンの疎密依
存性を最適化して露光を行うことができる露光装置を提
供する。 【解決手段】 透過率を制御して透過光Ｉの強度分布が
任意に制御可能な照明系フィルタＦを備えた露光装置８
を構成する。
することにより、解像度や焦点深度、パターンの疎密依
存性を最適化して露光を行うことができる露光装置を提
供する。 【解決手段】 透過率を制御して透過光Ｉの強度分布が
任意に制御可能な照明系フィルタＦを備えた露光装置８
を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターンの形
成のための露光工程に用いて好適な露光装置に係わる。
成のための露光工程に用いて好適な露光装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造工程の１つ
であるリソグラフィ工程において、縮小露光投影が行わ
れている。この縮小露光投影は、図８に露光装置の構成
図を示すように、Ｃｒ（クロム）によりパターニングさ
れたマスクＭを透過した任意の強度分布を有する光を、
半導体デバイスを形成する半導体ウエハＷ上に照射する
ことによって行っている。
であるリソグラフィ工程において、縮小露光投影が行わ
れている。この縮小露光投影は、図８に露光装置の構成
図を示すように、Ｃｒ（クロム）によりパターニングさ
れたマスクＭを透過した任意の強度分布を有する光を、
半導体デバイスを形成する半導体ウエハＷ上に照射する
ことによって行っている。
【０００３】即ち、図８の露光装置（いわゆる縮小露光
投影装置）３８においては、水銀ランプ（いわゆるＵＶ
ランプ）３６及び楕円鏡３７からなる光源で発生した光
Ｉがミラー３２により反射され、シャッタ３５を通し
て、フライアレンズ３４にて光Ｉが均一化され、開口部
を有し光の強度分布を調節するレボルバーＲにて露光の
強度分布が設定され、レクチルブラインド３３にて露光
の範囲が設定される。更に、光Ｉはミラー３１で反射さ
れ、コンデンサレンズＤで均一化された後、Ｃｒにより
所定のパターンが形成されたマスク（レクチル）Ｍを透
過する。即ち、マスクＭにおいて、Ｃｒのある部分で遮
光され、Ｃｒのない部分では光が透過することにより、
光Ｉがパターン化される。マスクＭを透過した光Ｉは、
縮小投影レンズＬにより所定の大きさに縮小されて、レ
ジスト（感光剤）を塗布した半導体ウエハＷ上に照射さ
れ、レジストを露光する。
投影装置）３８においては、水銀ランプ（いわゆるＵＶ
ランプ）３６及び楕円鏡３７からなる光源で発生した光
Ｉがミラー３２により反射され、シャッタ３５を通し
て、フライアレンズ３４にて光Ｉが均一化され、開口部
を有し光の強度分布を調節するレボルバーＲにて露光の
強度分布が設定され、レクチルブラインド３３にて露光
の範囲が設定される。更に、光Ｉはミラー３１で反射さ
れ、コンデンサレンズＤで均一化された後、Ｃｒにより
所定のパターンが形成されたマスク（レクチル）Ｍを透
過する。即ち、マスクＭにおいて、Ｃｒのある部分で遮
光され、Ｃｒのない部分では光が透過することにより、
光Ｉがパターン化される。マスクＭを透過した光Ｉは、
縮小投影レンズＬにより所定の大きさに縮小されて、レ
ジスト（感光剤）を塗布した半導体ウエハＷ上に照射さ
れ、レジストを露光する。
【０００４】このとき、照度の強度分布は、図８のレボ
ルバーＲの開口部の形状によって決定される。このレボ
ルバーＲは、円形の金属板に、回転軸を中心にしてそれ
ぞれ形状の異なる開口が形成されてなる。そして、例え
ばレボルバーＲを回転させて、レボルバーＲの開口部の
形状を変えることにより、照明の強度分布を変えること
ができる。
ルバーＲの開口部の形状によって決定される。このレボ
ルバーＲは、円形の金属板に、回転軸を中心にしてそれ
ぞれ形状の異なる開口が形成されてなる。そして、例え
ばレボルバーＲを回転させて、レボルバーＲの開口部の
形状を変えることにより、照明の強度分布を変えること
ができる。
【０００５】通常は、開口部の形状を数パターン有する
レボルバーＲを用いて、任意に回転させて選択してい
る。これにより、開口部の形状の異なるフィルターを付
け替える場合と比較して、フィルターを取り替える手間
を省くことができる。
レボルバーＲを用いて、任意に回転させて選択してい
る。これにより、開口部の形状の異なるフィルターを付
け替える場合と比較して、フィルターを取り替える手間
を省くことができる。
【０００６】図９に図８の露光装置３８に用いるレボル
バーＲの一例を示す。このレボルバーＲは、形状が４種
類の開口ＲA ，ＲB ，ＲC ，ＲD を有してなる。開口Ｒ
A は、強度分布が均一な正規分布である通常露光にする
場合の開口である。開口ＲB は、リング状の強度分布に
する場合（輪帯照明）の開口で、中央の金属板は細いワ
イヤー等で吊って支持する。開口ＲC は、十字形に遮光
する場合の開口で、これにより４つのピークを有する光
強度分布を構成できる。開口ＲD は、強度分布を中央に
細く絞る場合の開口である。
バーＲの一例を示す。このレボルバーＲは、形状が４種
類の開口ＲA ，ＲB ，ＲC ，ＲD を有してなる。開口Ｒ
A は、強度分布が均一な正規分布である通常露光にする
場合の開口である。開口ＲB は、リング状の強度分布に
する場合（輪帯照明）の開口で、中央の金属板は細いワ
イヤー等で吊って支持する。開口ＲC は、十字形に遮光
する場合の開口で、これにより４つのピークを有する光
強度分布を構成できる。開口ＲD は、強度分布を中央に
細く絞る場合の開口である。
【０００７】そして、通常露光で使用する場合には、円
形の開口ＲA の中心と、光Ｉの光軸が一致するように位
置合わせする。一方、その他の変形照明を使用したい場
合には、図１０に示すように、レボルバーＲをその軸Ｒ
1 の周囲に回転させ、使用したい開口を光Ｉの光軸と合
わせて使用する。
形の開口ＲA の中心と、光Ｉの光軸が一致するように位
置合わせする。一方、その他の変形照明を使用したい場
合には、図１０に示すように、レボルバーＲをその軸Ｒ
1 の周囲に回転させ、使用したい開口を光Ｉの光軸と合
わせて使用する。
【０００８】このようにレボルバーＲの開口部の形状
は、目的に応じて選択され、その選択により解像度、焦
点深度、パターンの疎密依存性が大きく影響される。
は、目的に応じて選択され、その選択により解像度、焦
点深度、パターンの疎密依存性が大きく影響される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の照度の強度分布の選択方法は、予め設計されてい
るレボルバーＲの開口部の形状の種類にのみ依存してお
り、照度の強度分布を自由に変更できないという問題が
あった。
従来の照度の強度分布の選択方法は、予め設計されてい
るレボルバーＲの開口部の形状の種類にのみ依存してお
り、照度の強度分布を自由に変更できないという問題が
あった。
【００１０】また、図９及び図１０に示したように、予
め数種類の開口部の形状パターンを有するレボルバーＲ
を用意した場合にも、必要とされるパターンを推定して
予め作製しておくことは困難であり、また細かい微調整
を必要とするとき即対応することができないことがあり
問題になる。
め数種類の開口部の形状パターンを有するレボルバーＲ
を用意した場合にも、必要とされるパターンを推定して
予め作製しておくことは困難であり、また細かい微調整
を必要とするとき即対応することができないことがあり
問題になる。
【００１１】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、照明系の強度分布を自由に変化できるようにす
ることにより、解像度や焦点深度、パターンの疎密依存
性を最適化して露光を行うことができる露光装置を提供
するものである。
いては、照明系の強度分布を自由に変化できるようにす
ることにより、解像度や焦点深度、パターンの疎密依存
性を最適化して露光を行うことができる露光装置を提供
するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、透過率を制御
して透過光の強度分布が任意に制御可能な照明系フィル
タを備えた露光装置である。
して透過光の強度分布が任意に制御可能な照明系フィル
タを備えた露光装置である。
【００１３】上述の本発明の構成によれば、透過率の制
御によって透過光の強度分布が任意に制御可能な照明系
フィルタを備えることにより、透過光の強度分布を任意
に形成することができ、任意のパターンの露光に適用す
ることができる。
御によって透過光の強度分布が任意に制御可能な照明系
フィルタを備えることにより、透過光の強度分布を任意
に形成することができ、任意のパターンの露光に適用す
ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の露光装置は、透過率の制
御によって透過光の強度分布が任意に制御可能な照明系
フィルタを備えた構成である。
御によって透過光の強度分布が任意に制御可能な照明系
フィルタを備えた構成である。
【００１５】また本発明は、上記露光装置において、照
明系フィルターが液晶からなる構成である。
明系フィルターが液晶からなる構成である。
【００１６】以下、図面を参照して本発明の露光装置の
実施例を説明する。図１に本発明の露光装置の実施例の
概略構成図を示す。本例では、半導体製造工程における
半導体ウエハへの縮小露光投影に適用した場合である。
この露光装置８は、水銀ランプ（ＵＶランプ）６及び楕
円鏡７からなる光源部と、光路を変えるための２つのミ
ラー１，２と、シャッター５と、フライアレンズ４と、
本発明に係る照明系フィルターＦと、レクチルブライン
ド３と、光を均一化するコンデンサレンズＤと、所定の
露光用パターンを有するマスクＭと、光を所定の大きさ
に縮小する縮小投影レンズＬとを有してなる。Ｗは、表
面にレジスト（感光剤）が塗布された露光されるべき半
導体ウエハを示す。
実施例を説明する。図１に本発明の露光装置の実施例の
概略構成図を示す。本例では、半導体製造工程における
半導体ウエハへの縮小露光投影に適用した場合である。
この露光装置８は、水銀ランプ（ＵＶランプ）６及び楕
円鏡７からなる光源部と、光路を変えるための２つのミ
ラー１，２と、シャッター５と、フライアレンズ４と、
本発明に係る照明系フィルターＦと、レクチルブライン
ド３と、光を均一化するコンデンサレンズＤと、所定の
露光用パターンを有するマスクＭと、光を所定の大きさ
に縮小する縮小投影レンズＬとを有してなる。Ｗは、表
面にレジスト（感光剤）が塗布された露光されるべき半
導体ウエハを示す。
【００１７】この露光装置８では、光源部の水銀ランプ
６から発射した光が、ミラー２により光路が変えられ
て、シャッタ５を通過して、フライアレンズ４にて均一
化され、照明系フィルターＦにおいて光の強度分布が調
節される。光強度分布が調節された光Ｉは、レクチルブ
ラインド３を通り、ミラー１で光路変更されてコンデン
サレンズＤ及び例えばＣｒにより所定の露光用パターン
が形成されたマスク（レクチル）Ｍを通り、さらに縮小
投影レンズＬにより所定の大きさに縮小されて半導体ウ
エハＷ上に照射させ、半導体ウエハＷに塗布されている
レジストを露光するようになされる。
６から発射した光が、ミラー２により光路が変えられ
て、シャッタ５を通過して、フライアレンズ４にて均一
化され、照明系フィルターＦにおいて光の強度分布が調
節される。光強度分布が調節された光Ｉは、レクチルブ
ラインド３を通り、ミラー１で光路変更されてコンデン
サレンズＤ及び例えばＣｒにより所定の露光用パターン
が形成されたマスク（レクチル）Ｍを通り、さらに縮小
投影レンズＬにより所定の大きさに縮小されて半導体ウ
エハＷ上に照射させ、半導体ウエハＷに塗布されている
レジストを露光するようになされる。
【００１８】そして、照明系フィルターＦは、原理的に
は多数の微小シャッタを配列してなり、各シャッタセル
を電気的制御によってオン・オフ制御して所望の開口パ
ターン形状を作り、透過光の強度分布を任意に制御でき
るように構成されてるもので、特に、本実施例では、こ
の照明系フィルターＦを微細な液晶セルを多数配列して
なる液晶板で構成する。
は多数の微小シャッタを配列してなり、各シャッタセル
を電気的制御によってオン・オフ制御して所望の開口パ
ターン形状を作り、透過光の強度分布を任意に制御でき
るように構成されてるもので、特に、本実施例では、こ
の照明系フィルターＦを微細な液晶セルを多数配列して
なる液晶板で構成する。
【００１９】即ち、本実施例に係る照明系フィルターＦ
は、図２に示すように、多数の微細な単位液晶セル（以
下液晶セルという）を配列してなる液晶板１０をフィル
ターフレーム９にて支持して構成される。
は、図２に示すように、多数の微細な単位液晶セル（以
下液晶セルという）を配列してなる液晶板１０をフィル
ターフレーム９にて支持して構成される。
【００２０】フィルターフレーム９には、図示しない
が、液晶板１０の各液晶セルを制御する回路を組み込
み、ソフトウエア的に液晶板１０を制御できるようにす
る。ソフトウエアでフィルターフレーム９中の制御回路
に電気信号を送り、液晶板１０中の任意の位置の液晶セ
ルの配向を変化させることにより、開口部１１及び遮光
部１２を形成して例えば図３に示すような細くした分布
や、図４に示すような形状の分布等、フィルターＦ内部
に自由に開口形状を形成することができるものである。
が、液晶板１０の各液晶セルを制御する回路を組み込
み、ソフトウエア的に液晶板１０を制御できるようにす
る。ソフトウエアでフィルターフレーム９中の制御回路
に電気信号を送り、液晶板１０中の任意の位置の液晶セ
ルの配向を変化させることにより、開口部１１及び遮光
部１２を形成して例えば図３に示すような細くした分布
や、図４に示すような形状の分布等、フィルターＦ内部
に自由に開口形状を形成することができるものである。
【００２１】このとき、制御回路に送る電気信号は、液
晶セルの位置（番地）と配向の状態を示す信号を有す
る。各液晶セルはフィルターＦ内の任意の番地に配置さ
れており、光路を開いた状態と光路を閉じた状態の２種
類の配向の状態を示す。
晶セルの位置（番地）と配向の状態を示す信号を有す
る。各液晶セルはフィルターＦ内の任意の番地に配置さ
れており、光路を開いた状態と光路を閉じた状態の２種
類の配向の状態を示す。
【００２２】この液晶板１０の動作を図５〜図７に示
す。図５は、液晶板１０の各液晶セルの液晶の配向の状
態が、光路を開いた状態の場合の図である。液晶セル１
０の各液晶セルの液晶層１５内の液晶１４が、透過する
光に平行に配向していて、入射光１３はそのまま通過し
て透過光１６となる。これにより通常露光を行うことが
できる。
す。図５は、液晶板１０の各液晶セルの液晶の配向の状
態が、光路を開いた状態の場合の図である。液晶セル１
０の各液晶セルの液晶層１５内の液晶１４が、透過する
光に平行に配向していて、入射光１３はそのまま通過し
て透過光１６となる。これにより通常露光を行うことが
できる。
【００２３】電気信号を与えることにより、図５中右の
３つの液晶に対応する液晶セルに光路を閉じた状態にな
るようにすると、図６に示すように、右の３つの液晶が
配向して光路を閉じる。このとき、右の３つの液晶に対
応する液晶セルは光が透過しないので、入射光１３は左
の２つの液晶に対応する液晶セルを通過した透過光１７
となる。
３つの液晶に対応する液晶セルに光路を閉じた状態にな
るようにすると、図６に示すように、右の３つの液晶が
配向して光路を閉じる。このとき、右の３つの液晶に対
応する液晶セルは光が透過しないので、入射光１３は左
の２つの液晶に対応する液晶セルを通過した透過光１７
となる。
【００２４】このように、各番地の液晶セルの配向を制
御することにより、光を透過する部分と光が遮断される
部分とを形成し、任意の開口形状を得ることができる。
御することにより、光を透過する部分と光が遮断される
部分とを形成し、任意の開口形状を得ることができる。
【００２５】上述の例では、液晶セルの配向の状態が光
路を開いた状態と閉じた状態の２つの状態である例であ
ったが、その他例えば光路を半開にした状態を形成する
こともできる。その例を次に示す。
路を開いた状態と閉じた状態の２つの状態である例であ
ったが、その他例えば光路を半開にした状態を形成する
こともできる。その例を次に示す。
【００２６】上述の例と同様に、図５のように光路が開
いた状態から、電気信号を与えることにより、図７に示
すように、液晶セルが光路を少し閉じた半開の状態にな
るようにする。このとき、入射光１３の強度が弱められ
た透過光１８となり、中間調の光強度分布を得ることが
できる。
いた状態から、電気信号を与えることにより、図７に示
すように、液晶セルが光路を少し閉じた半開の状態にな
るようにする。このとき、入射光１３の強度が弱められ
た透過光１８となり、中間調の光強度分布を得ることが
できる。
【００２７】また、液晶板１０の制御回路をさらにコン
ピューター等に接続して、各位置の液晶セルの配向の状
態をプログラム制御することも可能である。
ピューター等に接続して、各位置の液晶セルの配向の状
態をプログラム制御することも可能である。
【００２８】上述の各例では、多数の液晶セルを組み込
んだフィルターを使用して遮光をした例であったが、そ
の他の構成の遮光部を形成して遮光する場合において
も、同様に本発明の露光装置を適用することができる。
例えば、開口面積が可変であるブラインド状の遮光部を
形成して、開口の面積・形状を制御することにより、光
強度分布を自由に設定できる。
んだフィルターを使用して遮光をした例であったが、そ
の他の構成の遮光部を形成して遮光する場合において
も、同様に本発明の露光装置を適用することができる。
例えば、開口面積が可変であるブラインド状の遮光部を
形成して、開口の面積・形状を制御することにより、光
強度分布を自由に設定できる。
【００２９】また、本発明の露光装置は、半導体デバイ
スの微細パターンの形成の他、ＴＦＴ液晶のパターン形
成や、薄膜磁気ヘッドの各部のパターン形成や光学記録
媒体のピットパターンの形成や、回路基板のパターン
等、その他のパターン形成にも適用することができる。
スの微細パターンの形成の他、ＴＦＴ液晶のパターン形
成や、薄膜磁気ヘッドの各部のパターン形成や光学記録
媒体のピットパターンの形成や、回路基板のパターン
等、その他のパターン形成にも適用することができる。
【００３０】本発明の露光装置は、上述の例に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその
他様々な構成が取り得る。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその
他様々な構成が取り得る。
【００３１】
【発明の効果】上述の本発明による露光装置によれば、
様々な照度分布の照明系で露光を行うことができる。
様々な照度分布の照明系で露光を行うことができる。
【００３２】照明系フィルターを液晶で構成することに
より、電気的制御によって各微細液晶セルをオン・オフ
し、光を透過しうる任意形状の開口パターンを形成する
ことが可能となる。
より、電気的制御によって各微細液晶セルをオン・オフ
し、光を透過しうる任意形状の開口パターンを形成する
ことが可能となる。
【００３３】従って本発明により、解像度、焦点深度、
パターンの疎密依存性が最適化された照明系を容易に選
択することができる。
パターンの疎密依存性が最適化された照明系を容易に選
択することができる。
【図１】本発明の露光装置の実施例の概略構成図であ
る。
る。
【図２】図１の露光装置の照明系フィルターの構成図で
ある。
ある。
【図３】図２の照明系フィルターの一状態における状態
図である。
図である。
【図４】図２の照明系フィルターの他の状態における状
態図である。
態図である。
【図５】液晶の配向の状態が光路を開いた状態である状
態図である。
態図である。
【図６】一部の液晶の配向の状態を光路を開じた状態に
した状態図である。
した状態図である。
【図７】中間調の状態を可能にした場合の状態図であ
る。
る。
【図８】従来の露光装置の概略構成図である。
【図９】従来のレボルバーの構成例である。
【図１０】図９のレボルバーの使用状態を示す図であ
る。
る。
１，２ ミラー、３ レクチルブラインド、４ フライ
アレンズ、５ シャッタ、６ 水銀ランプ（ＵＶラン
プ）、７ 楕円鏡、８ 露光装置、９ フィルターフレ
ーム、１０ 液晶板、１１ 開口部、１２ 遮光部、１
３ 入射光、１４液晶、１５ 液晶層、１６，１７，１
８ 透過光、３１，３２ ミラー、３３レクチルブライ
ンド、３４ フライアレンズ、３５ シャッタ、３６
水銀ランプ（ＵＶランプ）、３７ 楕円鏡、３８ 露光
装置、Ｆ 照明系フィルター、Ｄコンデンサレンズ、Ｍ
マスク、Ｌ 縮小投影レンズ、Ｗ 半導体ウエハ、Ｒ
リボルバー、Ｉ 光線
アレンズ、５ シャッタ、６ 水銀ランプ（ＵＶラン
プ）、７ 楕円鏡、８ 露光装置、９ フィルターフレ
ーム、１０ 液晶板、１１ 開口部、１２ 遮光部、１
３ 入射光、１４液晶、１５ 液晶層、１６，１７，１
８ 透過光、３１，３２ ミラー、３３レクチルブライ
ンド、３４ フライアレンズ、３５ シャッタ、３６
水銀ランプ（ＵＶランプ）、３７ 楕円鏡、３８ 露光
装置、Ｆ 照明系フィルター、Ｄコンデンサレンズ、Ｍ
マスク、Ｌ 縮小投影レンズ、Ｗ 半導体ウエハ、Ｒ
リボルバー、Ｉ 光線
Claims (2)
- 【請求項１】 透過率の制御によって透過光の強度分布
が任意に制御可能な照明系フィルタを備えたことを特徴
とする露光装置。 - 【請求項２】 上記照明系フィルターが、液晶で構成さ
れてなることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178134A JPH1022209A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178134A JPH1022209A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022209A true JPH1022209A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16043253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8178134A Pending JPH1022209A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022209A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437862B1 (en) * | 1999-06-22 | 2002-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Defect inspection apparatus |
| WO2006085626A1 (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7283209B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
| US20100103400A1 (en) * | 2007-08-02 | 2010-04-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
-
1996
- 1996-07-08 JP JP8178134A patent/JPH1022209A/ja active Pending
Cited By (8)
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