JPH10223142A - 電界放射型ディスプレイ及びこの製造方法 - Google Patents
電界放射型ディスプレイ及びこの製造方法Info
- Publication number
- JPH10223142A JPH10223142A JP2394497A JP2394497A JPH10223142A JP H10223142 A JPH10223142 A JP H10223142A JP 2394497 A JP2394497 A JP 2394497A JP 2394497 A JP2394497 A JP 2394497A JP H10223142 A JPH10223142 A JP H10223142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- panel
- glass
- field emission
- substrate
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】パネルの貼り合わせを真空中で行うことで、電
極の酸化が軽減される。また、排気管が不要な構造であ
るために排気管のチップオフに起因するリークや蓄積内
部応力による割れ等が無い信頼性の高いパネルが作製で
きる。 【解決手段】電界放射型電子放出素子基板１０と蛍光体
基板１の貼り合わせにおいて、真空中で貼り合わせ、パ
ネルの真空排気は、排気口１４から行う。その排気口の
回りを取り囲むようにして、予めリング状に成形した低
融点ガラス７を２枚重ね、その上にガラスキャップ８を
被せる。そのガラスキャップ中には加熱が可能なゲッタ
ー９をＮｉワーヤーで浮かして設置してある。前記リン
グ状の低融点ガラス７の２枚のうち１枚は、放射線状に
分割してある。このパネルを１０-7torrまで排気可能な
真空炉に入れて焼成し、パネルの貼合わせ、排気、ゲッ
ターの活性化と排気口の封止をする。
極の酸化が軽減される。また、排気管が不要な構造であ
るために排気管のチップオフに起因するリークや蓄積内
部応力による割れ等が無い信頼性の高いパネルが作製で
きる。 【解決手段】電界放射型電子放出素子基板１０と蛍光体
基板１の貼り合わせにおいて、真空中で貼り合わせ、パ
ネルの真空排気は、排気口１４から行う。その排気口の
回りを取り囲むようにして、予めリング状に成形した低
融点ガラス７を２枚重ね、その上にガラスキャップ８を
被せる。そのガラスキャップ中には加熱が可能なゲッタ
ー９をＮｉワーヤーで浮かして設置してある。前記リン
グ状の低融点ガラス７の２枚のうち１枚は、放射線状に
分割してある。このパネルを１０-7torrまで排気可能な
真空炉に入れて焼成し、パネルの貼合わせ、排気、ゲッ
ターの活性化と排気口の封止をする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば平板型画像
表示装置に用いられる電界放射型ディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）の製造方法に関するものである。
表示装置に用いられる電界放射型ディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、情報化社会の進展によりテレビや
コンピュータ等に用いられるディスプレイ装置は、マン
・マシン・インターフェースとして今や不可欠のものと
なっている。そして、このディスプレイ装置の様々な用
途への拡大と共に、表示品質（視野角依存のないこと、
輝度が高いこと、色ずれがないこと、にじみが無いこ
と）や性能（動画表示が可能で、像が流れないこと）に
対する要求は、より厳しくなってきている。
コンピュータ等に用いられるディスプレイ装置は、マン
・マシン・インターフェースとして今や不可欠のものと
なっている。そして、このディスプレイ装置の様々な用
途への拡大と共に、表示品質（視野角依存のないこと、
輝度が高いこと、色ずれがないこと、にじみが無いこ
と）や性能（動画表示が可能で、像が流れないこと）に
対する要求は、より厳しくなってきている。
【０００３】現状の開発動向は、特に大型化と高精細化
と平面化であり、平面ディスプレイとして液晶ディスプ
レイが伸びてきており、その理由としては、従来のＣＲ
Ｔ表示に比べて小型で、重量が軽く、薄型であること、
そのため航空機、鉄道、車等の狭い空間でのディスプレ
イ装置として新たに用途が拡大した。
と平面化であり、平面ディスプレイとして液晶ディスプ
レイが伸びてきており、その理由としては、従来のＣＲ
Ｔ表示に比べて小型で、重量が軽く、薄型であること、
そのため航空機、鉄道、車等の狭い空間でのディスプレ
イ装置として新たに用途が拡大した。
【０００４】この液晶ディスプレイの欠点は動画表示で
像が若干流れること、バックライトの消費電力が大きい
こと等である。そこで、新しい薄型の自発光型ディスプ
レイ装置の開発が望まれている。その薄型の自発光型デ
ィスプレイ装置に用いられる電子放出源として、熱電子
よりも低消費電力が可能な冷陰極の開発が活発に行なわ
れている。特に電界放出型電子放出（放射）素子は、強
電界（１０7 Ｖ／ｃｍ）が冷陰極に集中するように、陰
極の先端の曲率半径がサブミクロン以下になるように加
工されている。このような電界放出型電子放出素子は、
以下の特徴を持っている。（１）電流密度が高い。
（２）電力消費が少ない。（３）近年のＬＳＩの製造技
術である微細加工技術が利用できる。
像が若干流れること、バックライトの消費電力が大きい
こと等である。そこで、新しい薄型の自発光型ディスプ
レイ装置の開発が望まれている。その薄型の自発光型デ
ィスプレイ装置に用いられる電子放出源として、熱電子
よりも低消費電力が可能な冷陰極の開発が活発に行なわ
れている。特に電界放出型電子放出（放射）素子は、強
電界（１０7 Ｖ／ｃｍ）が冷陰極に集中するように、陰
極の先端の曲率半径がサブミクロン以下になるように加
工されている。このような電界放出型電子放出素子は、
以下の特徴を持っている。（１）電流密度が高い。
（２）電力消費が少ない。（３）近年のＬＳＩの製造技
術である微細加工技術が利用できる。
【０００５】従来、この電界放射型の電子放出（放射）
素子および製造方法として、幾つか提案がなされてい
る。すなわち、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス（１９６８年，第３９巻７号，ｐ．３５０４〜３
５０５）や、特開昭６１ー２２１７８３号公報等に記載
されている。
素子および製造方法として、幾つか提案がなされてい
る。すなわち、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス（１９６８年，第３９巻７号，ｐ．３５０４〜３
５０５）や、特開昭６１ー２２１７８３号公報等に記載
されている。
【０００６】この開発中の電界放射型ディスプレイパネ
ルの代表的構造例を図４の断面図に示す。図中の蛍光体
基板２１はガラス基板等の絶縁性基板であり、この基板
２１上に蛍光体２２と透明電極２３が形成されている。
また、電界放射型電子放出素子アレイ基板（以下、ＦＥ
Ａ基板とする。）３１もガラス基板等の絶縁性基板であ
り、電界放射型電子放出素子アレイ３２が形成されてい
る。上記、２枚の絶縁性基板は、ギャップを一定に保つ
スペーサ３３を挟んで、フリットシール（パネル封止用
低融点ガラス）３４で 封着密封されており、２枚の絶
縁性基板で挟まれた空間３５は、例えば１０-6〜１０-8
torr台の高真空に保たれている。
ルの代表的構造例を図４の断面図に示す。図中の蛍光体
基板２１はガラス基板等の絶縁性基板であり、この基板
２１上に蛍光体２２と透明電極２３が形成されている。
また、電界放射型電子放出素子アレイ基板（以下、ＦＥ
Ａ基板とする。）３１もガラス基板等の絶縁性基板であ
り、電界放射型電子放出素子アレイ３２が形成されてい
る。上記、２枚の絶縁性基板は、ギャップを一定に保つ
スペーサ３３を挟んで、フリットシール（パネル封止用
低融点ガラス）３４で 封着密封されており、２枚の絶
縁性基板で挟まれた空間３５は、例えば１０-6〜１０-8
torr台の高真空に保たれている。
【０００７】上記従来の電界放射型ディスプレイの製造
工程図を図５に示す。工程図に示すように電界放射型デ
ィスプレイの製造方法は、まず蛍光体基板（アノード基
板）２１に低融点ガラスのフリットシールを印刷する。
その後溶剤を飛ばすために１２０℃、２０分程度の乾燥
を行う。さらにフリットシール中のバインダーを飛ばす
ために空気中で３００〜４００℃、３０分程度の仮焼成
を行う。
工程図を図５に示す。工程図に示すように電界放射型デ
ィスプレイの製造方法は、まず蛍光体基板（アノード基
板）２１に低融点ガラスのフリットシールを印刷する。
その後溶剤を飛ばすために１２０℃、２０分程度の乾燥
を行う。さらにフリットシール中のバインダーを飛ばす
ために空気中で３００〜４００℃、３０分程度の仮焼成
を行う。
【０００８】続いて、電界放射型電子放出素子アレイが
形成されたＦＥＡ基板に排気管３７を排気管接着用低融
点ガラス（ガラスフリット）３８で取り付ける。次に上
記ＦＥＡ基板と上記蛍光体基板を貼り合わせる。続い
て、４００〜５００℃の不活性ガス（例えば、Ａｒガ
ス）雰囲気下で１０〜３０分本焼成し、前記印刷したフ
リットシール（パネル封止用低融点ガラス）３４を溶か
し、ＦＥＡ基板３１と蛍光体基板２１を接着する。
形成されたＦＥＡ基板に排気管３７を排気管接着用低融
点ガラス（ガラスフリット）３８で取り付ける。次に上
記ＦＥＡ基板と上記蛍光体基板を貼り合わせる。続い
て、４００〜５００℃の不活性ガス（例えば、Ａｒガ
ス）雰囲気下で１０〜３０分本焼成し、前記印刷したフ
リットシール（パネル封止用低融点ガラス）３４を溶か
し、ＦＥＡ基板３１と蛍光体基板２１を接着する。
【０００９】続いて、パネル内を排気する。真空排気装
置に排気管３７を取り付けて、排気管からパネルの内部
を真空排気する。まず、パネル内に吸着したガスを追い
出すために、パネル全体を室温から徐々に昇温して３０
０℃程度で数時間加熱しながら液体窒素トラップが付い
た油拡散ポンプまたは、ターボ分子ポンプを主ポンプと
する真空排気装置でパネルの排気管から排気し、１０-7
torr以下にパネル内を排気する。
置に排気管３７を取り付けて、排気管からパネルの内部
を真空排気する。まず、パネル内に吸着したガスを追い
出すために、パネル全体を室温から徐々に昇温して３０
０℃程度で数時間加熱しながら液体窒素トラップが付い
た油拡散ポンプまたは、ターボ分子ポンプを主ポンプと
する真空排気装置でパネルの排気管から排気し、１０-7
torr以下にパネル内を排気する。
【００１０】その後、排気管内に設けたリング状のゲッ
ター３６を高周波誘導加熱により５００℃以上に加熱し
て活性化し、ガラス製の排気管３７をガスバーナーもし
くは、電封ヒータで加熱し、ガラスを軟化させ大気圧で
つぶし、引っ張ることによりガラス管を細くしてチップ
オフする。その後、バーナーで徐冷してガラス製の排気
管の内部応力を緩和する工程を経る。十分冷却したとこ
ろでパネルを完成する。
ター３６を高周波誘導加熱により５００℃以上に加熱し
て活性化し、ガラス製の排気管３７をガスバーナーもし
くは、電封ヒータで加熱し、ガラスを軟化させ大気圧で
つぶし、引っ張ることによりガラス管を細くしてチップ
オフする。その後、バーナーで徐冷してガラス製の排気
管の内部応力を緩和する工程を経る。十分冷却したとこ
ろでパネルを完成する。
【００１１】上記従来の電界放射型ディスプレイの構造
と製造方法では、排気管径を小さくすることで排気管チ
ップオフ後の出っ張りを小さくしていた。また、３００
℃以上の空気中での熱プロセスが多くＦＥＡ基板の酸化
等の問題から、減少させるプロセスが望まれていた。
と製造方法では、排気管径を小さくすることで排気管チ
ップオフ後の出っ張りを小さくしていた。また、３００
℃以上の空気中での熱プロセスが多くＦＥＡ基板の酸化
等の問題から、減少させるプロセスが望まれていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
電界放射型ディスプレイのパネル化においては、３００
℃以上で且つ空気中で行うプロセスが多く基板の酸化等
の問題があった。また、チップオフ後の排気管に蓄積し
た応力による割れ等の可能性があり信頼性に問題があっ
た。
電界放射型ディスプレイのパネル化においては、３００
℃以上で且つ空気中で行うプロセスが多く基板の酸化等
の問題があった。また、チップオフ後の排気管に蓄積し
た応力による割れ等の可能性があり信頼性に問題があっ
た。
【００１３】本発明は前記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、熱プロセスの回数を
減らし、基板の酸化や、熱膨張による膜及びその界面の
劣化を減少させることである。また、排気管をチップオ
フする工程が無いため、チップオフの際の応力発生等に
よる割れの発生が無くなり、信頼性の高い基板のまま、
パネル化できることにある。
であり、その目的とするところは、熱プロセスの回数を
減らし、基板の酸化や、熱膨張による膜及びその界面の
劣化を減少させることである。また、排気管をチップオ
フする工程が無いため、チップオフの際の応力発生等に
よる割れの発生が無くなり、信頼性の高い基板のまま、
パネル化できることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、電界放射型電子放出素子
アレイ基板（ＦＥＡ基板）と蛍光体と透明電極が形成さ
れた蛍光体基板を貼り合わせた電界放射型ディスプレイ
の真空排気及び封止のパネル化プロセスにおいて、高真
空排気が可能な真空焼成炉に電界放射型パネルを設置
し、加熱しながら排気口から真空排気を行うプロセス
で、排気口の外周を取り囲むパネルガラス基板上に予め
仮焼成してリング状に形成した低融点ガラスを最低２枚
重ねて設置し、その上に排気口を塞ぐガラスのキャップ
を設置して、加熱焼成し、パネル化することを特徴とす
る電界放射型ディスプレイの製造方法である。
に本発明が提供する手段とは、電界放射型電子放出素子
アレイ基板（ＦＥＡ基板）と蛍光体と透明電極が形成さ
れた蛍光体基板を貼り合わせた電界放射型ディスプレイ
の真空排気及び封止のパネル化プロセスにおいて、高真
空排気が可能な真空焼成炉に電界放射型パネルを設置
し、加熱しながら排気口から真空排気を行うプロセス
で、排気口の外周を取り囲むパネルガラス基板上に予め
仮焼成してリング状に形成した低融点ガラスを最低２枚
重ねて設置し、その上に排気口を塞ぐガラスのキャップ
を設置して、加熱焼成し、パネル化することを特徴とす
る電界放射型ディスプレイの製造方法である。
【００１５】請求項２に対する発明は、請求項１記載の
加熱焼成によって、仮焼成しておいた低融点ガラスを溶
融し、ガラスキャップをパネルガラスに接着する工程に
おいて、仮焼成しておいたリング状の低融点ガラスの２
枚のうち一方は、放射状に３〜１２分割されたリングと
なって、その分割部のすき間から真空排気を行うことを
特徴とする電界放射型ディスプレイの製造方法である。
加熱焼成によって、仮焼成しておいた低融点ガラスを溶
融し、ガラスキャップをパネルガラスに接着する工程に
おいて、仮焼成しておいたリング状の低融点ガラスの２
枚のうち一方は、放射状に３〜１２分割されたリングと
なって、その分割部のすき間から真空排気を行うことを
特徴とする電界放射型ディスプレイの製造方法である。
【００１６】請求項３に対する発明は、請求項１記載の
仮焼成しておいたリング状の低融点ガラスは、真空焼成
炉で、はじめ空気を導入し、３００〜４００℃、約１時
間の仮焼成でバインダーを飛ばした後、その最高温度が
約４００℃で１０-6torr以下に真空引きしながらガス出
し仮焼成を行ったものであることを特徴とする電界放射
型ディスプレイの製造方法である。
仮焼成しておいたリング状の低融点ガラスは、真空焼成
炉で、はじめ空気を導入し、３００〜４００℃、約１時
間の仮焼成でバインダーを飛ばした後、その最高温度が
約４００℃で１０-6torr以下に真空引きしながらガス出
し仮焼成を行ったものであることを特徴とする電界放射
型ディスプレイの製造方法である。
【００１７】請求項４に対する発明は、請求項１記載の
パネル化において、パネル内の真空排気とパネル化後の
真空維持のために用いるゲッター（ガス吸着材）の活性
化温度が、前記低融点ガラスの溶融温度より、５０℃を
越えない範囲で低いことを特徴とする電界放射型ディス
プレイの製造方法である。
パネル化において、パネル内の真空排気とパネル化後の
真空維持のために用いるゲッター（ガス吸着材）の活性
化温度が、前記低融点ガラスの溶融温度より、５０℃を
越えない範囲で低いことを特徴とする電界放射型ディス
プレイの製造方法である。
【００１８】請求項５に対する発明は、請求項１記載の
パネル化において、ゲッターに非蒸発型で非フリッタブ
ル型及び非蒸発型でフリッタブル型の両方を用いること
が可能なことを特徴とする電界放射型ディスプレイであ
る。
パネル化において、ゲッターに非蒸発型で非フリッタブ
ル型及び非蒸発型でフリッタブル型の両方を用いること
が可能なことを特徴とする電界放射型ディスプレイであ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明によれば、電界放射型電子
放出素子基板（ＦＥＡ基板）１０と蛍光体と透明電極が
形成された蛍光体基板１とを対向させて貼り合わせを行
った後、真空焼成炉中で加熱してフリットシール（パネ
ル封止用低融点ガラス）６を溶かして融着させる。
放出素子基板（ＦＥＡ基板）１０と蛍光体と透明電極が
形成された蛍光体基板１とを対向させて貼り合わせを行
った後、真空焼成炉中で加熱してフリットシール（パネ
ル封止用低融点ガラス）６を溶かして融着させる。
【００２０】その後、パネル排気口１４をガラスキャッ
プ８で覆い、予め真空中で仮焼成しリング状に成形した
低融点ガラスの分割した隙間からパネル内を真空排気す
る。
プ８で覆い、予め真空中で仮焼成しリング状に成形した
低融点ガラスの分割した隙間からパネル内を真空排気す
る。
【００２１】その後、昇温してリング状の低融点ガラス
（１２、１３）を溶かして、ガラスキャップ８をパネル
に接着して、パネル排気口１４を塞ぐ。その間ゲッター
９に吸着したガスは排気される。この低融点ガラス（１
２、１３）を溶かす温度で、ゲッターを活性化され、電
界放射型ディスプレイのパネルが完成する。
（１２、１３）を溶かして、ガラスキャップ８をパネル
に接着して、パネル排気口１４を塞ぐ。その間ゲッター
９に吸着したガスは排気される。この低融点ガラス（１
２、１３）を溶かす温度で、ゲッターを活性化され、電
界放射型ディスプレイのパネルが完成する。
【００２２】このように、排気管が不要なため、チップ
オフ作業が不要になり、また、チップオフしたガラス管
の排気管先端部４０からのリークや割れの心配もなくな
り、信頼性の高いパネル化が可能となる。したがって歩
留まりの高い電界放射型ディスプレイの提供が可能とな
っている。
オフ作業が不要になり、また、チップオフしたガラス管
の排気管先端部４０からのリークや割れの心配もなくな
り、信頼性の高いパネル化が可能となる。したがって歩
留まりの高い電界放射型ディスプレイの提供が可能とな
っている。
【００２３】本発明の用いるリング状に成形したとは、
同心円からなる円周部分を交互にガラス出成形したもの
であり、２個の同心円のときはドーナッツ状になり、こ
れ以上の時は大きいドーナッツ状の中に小さいドーナッ
ツ状が配置され空間部とガラス部が交互に形成された状
態の形状となっているものである。
同心円からなる円周部分を交互にガラス出成形したもの
であり、２個の同心円のときはドーナッツ状になり、こ
れ以上の時は大きいドーナッツ状の中に小さいドーナッ
ツ状が配置され空間部とガラス部が交互に形成された状
態の形状となっているものである。
【００２４】ガラスフリットは、低融点ガラスの粉末に
バインダーや溶剤でペースト化したもので、これを用い
て型を作成し低い温度（３００〜４００℃で３０〜６０
分）で仮焼成することで、低融点ガラス製の所望の形状
を有するものを得ることができる。これを高い温度（４
００〜５００℃）で焼成すると低融点ガラスが溶けてパ
ネルガラスに接着させることができる。
バインダーや溶剤でペースト化したもので、これを用い
て型を作成し低い温度（３００〜４００℃で３０〜６０
分）で仮焼成することで、低融点ガラス製の所望の形状
を有するものを得ることができる。これを高い温度（４
００〜５００℃）で焼成すると低融点ガラスが溶けてパ
ネルガラスに接着させることができる。
【００２５】フリットシールは、ペースト状のガラスフ
リットを塗料化、インキ化して封止するため印刷したも
のである。
リットを塗料化、インキ化して封止するため印刷したも
のである。
【００２６】又、ゲッターは、ジルコニウムとグラファ
イトのパウダーで特殊熱処理をし、表面積が非常に大き
い多孔質物質であり、これを保護膜で覆ってある。加熱
によりこの保護膜を取り去り活性化させ、水蒸気、酸
素、窒素、炭酸ガス等の大気中に存在するガスを吸着さ
せるものである。
イトのパウダーで特殊熱処理をし、表面積が非常に大き
い多孔質物質であり、これを保護膜で覆ってある。加熱
によりこの保護膜を取り去り活性化させ、水蒸気、酸
素、窒素、炭酸ガス等の大気中に存在するガスを吸着さ
せるものである。
【００２７】
【実施例】本発明における電界放射型ディスプレイパネ
ルの構造は、図１の断面図及び図２の拡大図に示すよう
に、電界放射型電子放射素子アレイ（ＦＥＡ）基板１０
と蛍光体３と透明電極２（アノード電極）が形成された
蛍光体基板１の貼り合わせにおいて、真空中で貼り合わ
せ、パネルの真空排気は、パネル排気口１４から行う。
その排気口の回りを取り囲むようにして、予めリング状
に成形した０．４ｍｍ程度の厚さリング状低融点ガラス
７を２枚重ね、その上にガラスキャップ８を被せる。そ
のガラスキャップ８中には高周波（ＲＦ）誘導加熱が可
能なリング状のゲッター９をＮｉワーヤーで浮かして設
置してある。前記ドーナッツ状の低融点ガラス（１２、
１３）の２枚のうち１枚１２は、ドーナッツ状の低融点
ガラス１２を放射線状に分割してある。そのような構造
のパネルを１０-7torrまで排気可能な真空炉に入れて焼
成し、パネルの貼り合わせ、パネルの真空排気、ゲッタ
ー９の活性化、排気口１４の封止とをする。
ルの構造は、図１の断面図及び図２の拡大図に示すよう
に、電界放射型電子放射素子アレイ（ＦＥＡ）基板１０
と蛍光体３と透明電極２（アノード電極）が形成された
蛍光体基板１の貼り合わせにおいて、真空中で貼り合わ
せ、パネルの真空排気は、パネル排気口１４から行う。
その排気口の回りを取り囲むようにして、予めリング状
に成形した０．４ｍｍ程度の厚さリング状低融点ガラス
７を２枚重ね、その上にガラスキャップ８を被せる。そ
のガラスキャップ８中には高周波（ＲＦ）誘導加熱が可
能なリング状のゲッター９をＮｉワーヤーで浮かして設
置してある。前記ドーナッツ状の低融点ガラス（１２、
１３）の２枚のうち１枚１２は、ドーナッツ状の低融点
ガラス１２を放射線状に分割してある。そのような構造
のパネルを１０-7torrまで排気可能な真空炉に入れて焼
成し、パネルの貼り合わせ、パネルの真空排気、ゲッタ
ー９の活性化、排気口１４の封止とをする。
【００２８】本発明における電界放射型ディスプレイの
製造方法は、図１、２の断面図及び図３の工程に示すよ
うに、例えば、蛍光体３と透明電極２（アノード電極）
が形成された蛍光体基板１上にフリットシール６（パネ
ル封止用低融点ガラス）、例えば日本電気硝子（株）製
のＬＳ１３０１等の低融点ガラスを含有したペースト
（フリットシール）を幅２ｍｍでスクリーン印刷する。
その後溶剤を飛ばすために１２０℃２０分程度の乾燥を
行う。さらにフリットシール中のバインダーを飛ばすた
めに空気中で３００〜４００℃、３０分程度の仮焼成を
行う。
製造方法は、図１、２の断面図及び図３の工程に示すよ
うに、例えば、蛍光体３と透明電極２（アノード電極）
が形成された蛍光体基板１上にフリットシール６（パネ
ル封止用低融点ガラス）、例えば日本電気硝子（株）製
のＬＳ１３０１等の低融点ガラスを含有したペースト
（フリットシール）を幅２ｍｍでスクリーン印刷する。
その後溶剤を飛ばすために１２０℃２０分程度の乾燥を
行う。さらにフリットシール中のバインダーを飛ばすた
めに空気中で３００〜４００℃、３０分程度の仮焼成を
行う。
【００２９】続いて、真空焼成炉に電界放射型素子アレ
イが形成されたＦＥＡ基板１０と上記蛍光体基板１を位
置決めして貼り合わせたパネルを設置する。さらにパネ
ルの排気口１４を取り囲むようにして、予め空気中での
仮焼成後、真空中で４００℃２０分程度の焼成でガス出
しを終えたリング状に成形した厚さ０．３〜０．４ｍｍ
の低融点ガラス（１２、１３）を２枚重ねて設置する。
そのうち１枚の低融点ガラス１２は、放射状に３〜１２
分割したものを用いた。その上に高さ６ｍｍ程度のキャ
ップ状のガラスを設置した。なかには、Ｎｉワイヤー等
で宙に浮かせたリング状のゲッター９が入っている。以
上のような電界放射型ディスプレイパネルを真空焼成炉
にセットする。
イが形成されたＦＥＡ基板１０と上記蛍光体基板１を位
置決めして貼り合わせたパネルを設置する。さらにパネ
ルの排気口１４を取り囲むようにして、予め空気中での
仮焼成後、真空中で４００℃２０分程度の焼成でガス出
しを終えたリング状に成形した厚さ０．３〜０．４ｍｍ
の低融点ガラス（１２、１３）を２枚重ねて設置する。
そのうち１枚の低融点ガラス１２は、放射状に３〜１２
分割したものを用いた。その上に高さ６ｍｍ程度のキャ
ップ状のガラスを設置した。なかには、Ｎｉワイヤー等
で宙に浮かせたリング状のゲッター９が入っている。以
上のような電界放射型ディスプレイパネルを真空焼成炉
にセットする。
【００３０】まず、ゆっくり（１torrまで１０分程度時
間をかけて）ロータリーポンプ等で真空焼成炉内を排気
する。その後、排気速度を上げて、排気し５×１０-3to
rr以下で、主ポンプのターボ分子ポンプに切り替えた。
その後２００℃まで約３０分で上昇させた。このように
して、パネルに付着した水分を気化させた。その後、約
３０分かけて４００℃まで上昇させた。ここで真空度が
１０-6torr以下であることを確認後３０分かけて４５０
℃まで上昇させた。まず、ＦＥＡ基板１０と蛍光体基板
１の２枚のガラス板がフリットシール６（パネル封止用
低封点ガラス）で接着される。
間をかけて）ロータリーポンプ等で真空焼成炉内を排気
する。その後、排気速度を上げて、排気し５×１０-3to
rr以下で、主ポンプのターボ分子ポンプに切り替えた。
その後２００℃まで約３０分で上昇させた。このように
して、パネルに付着した水分を気化させた。その後、約
３０分かけて４００℃まで上昇させた。ここで真空度が
１０-6torr以下であることを確認後３０分かけて４５０
℃まで上昇させた。まず、ＦＥＡ基板１０と蛍光体基板
１の２枚のガラス板がフリットシール６（パネル封止用
低封点ガラス）で接着される。
【００３１】この間パネルの排気口１４の周りのリング
状の低融点ガラス１２の隙間からパネル内部のガスを排
気できる。このリング状の低融点ガラス（１２、１３）
の軟化温度をフリットシール６に比べ高め（今回は、約
３０℃）の材料とすれば溶けるまで、分割したリング状
の低融点ガラス１２の隙間から排気が可能である。
状の低融点ガラス１２の隙間からパネル内部のガスを排
気できる。このリング状の低融点ガラス（１２、１３）
の軟化温度をフリットシール６に比べ高め（今回は、約
３０℃）の材料とすれば溶けるまで、分割したリング状
の低融点ガラス１２の隙間から排気が可能である。
【００３２】続いて、温度を５００℃にまで上昇させて
リング状の低融点ガラス（１２、１３）を溶かして、ガ
ラスキャップ８をパネルに接着させ排気口１２を塞い
だ。その後徐冷して温度を室温まで戻すとともに、真空
焼成炉に空気を導入し大気に戻し、電界放射型ディスプ
レイのパネルが完成する。
リング状の低融点ガラス（１２、１３）を溶かして、ガ
ラスキャップ８をパネルに接着させ排気口１２を塞い
だ。その後徐冷して温度を室温まで戻すとともに、真空
焼成炉に空気を導入し大気に戻し、電界放射型ディスプ
レイのパネルが完成する。
【００３３】
【発明の効果】本発明は、電界放射型電子放出素子基板
と蛍光体と透明電極が形成された蛍光体基板の貼り合わ
せ後低融点ガラスによる接着に於いて、真空中で接着を
行うことで電極の酸化が軽減される。
と蛍光体と透明電極が形成された蛍光体基板の貼り合わ
せ後低融点ガラスによる接着に於いて、真空中で接着を
行うことで電極の酸化が軽減される。
【００３４】また、排気管が不要な構造であるために排
気管のチップオフに起因するリークや蓄積内部応力によ
る割れ等の心配が無く、信頼性の高いパネルが作製でき
る。
気管のチップオフに起因するリークや蓄積内部応力によ
る割れ等の心配が無く、信頼性の高いパネルが作製でき
る。
【図１】本発明の電界放射型ディスプレイの構造の完成
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の電界放射型ディスプレイの構造の拡大
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の電界放射型ディスプレイの製造工程図
である。
である。
【図４】従来の電界放射型ディスプレイの構造の完成断
面図である。
面図である。
【図５】従来の電界放射型ディスプレイの製造工程図で
ある。
ある。
１…蛍光体基板 ２…透明電極 ３…蛍光体 ４…２枚の絶縁性基板で挟まれた空間（真空） ５…スペーサ ６…フリットシール（パネル封止用低融点ガラス） ７…リング状低融点ガラス ８…ガラスキャップ ９…ゲッター １０…電界放射型電子放出素子アレイ（ＦＥＡ）基板 １１…電界放射型素子アレイ １２…リング状低融点ガラス（分割） １３…リング状低融点ガラス １４…パネル排気口 ２１…蛍光体基板 ２２…蛍光体 ２３…透明電極 ３１…電界放射型電子放出素子アレイ（ＦＥＡ）基板 ３２…電界放射型電子放出素子アレイ ３３…スペーサ ３４…フリットシール（パネル封止用低融点ガラス） ３５…２枚の絶縁性基板で挟まれた空間（真空） ３６…ゲッター ３７…排気管 ３８…排気管接着用低融点ガラス（ガラスフリット） ４０…排気管先端部（チップオフ部）
Claims (5)
- 【請求項１】電界放射型電子放出素子アレイ基板（ＦＥ
Ａ基板）と蛍光体と透明電極が形成された蛍光体基板を
貼り合わせた電界放射型ディスプレイの真空排気及び封
止のパネル化プロセスにおいて、 高真空排気が可能な真空焼成炉に電界放射型パネルを設
置し、加熱しながら排気口から真空排気を行うプロセス
で、排気口の外周を取り囲むパネルガラス基板上に予め
仮焼成してリング状に形成した低融点ガラスを最低２枚
重ねて設置し、その上に排気口を塞ぐガラスのキャップ
を設置して、加熱焼成し、パネル化することを特徴とす
る電界放射型ディスプレイの製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の加熱焼成によって、仮焼成
しておいた低融点ガラスを溶融し、ガラスキャップをパ
ネルガラスに接着する工程において、仮焼成しておいた
リング状の低融点ガラスの２枚のうち一方は、放射状に
３〜１２分割されたリング状であり、その分割部のすき
間から真空排気を行うことを特徴とする電界放射型ディ
スプレイの製造方法。 - 【請求項３】請求項１記載の仮焼成しておいたリング状
の低融点ガラスは、真空焼成炉で、はじめ空気を導入
し、３００〜４００℃、約１時間の仮焼成でバインダー
を飛ばした後、その最高温度が約４００℃で１０-6torr
以下に真空引きしながらガス出し仮焼成を行ったもので
あることを特徴とする電界放射型ディスプレイの製造方
法。 - 【請求項４】請求項１記載のパネル化において、パネル
内の真空排気とパネル化後の真空維持のために用いるゲ
ッター（ガス吸着材）の活性化温度が、前記低融点ガラ
スの溶融温度より、５０℃を越えない範囲で低いことを
特徴とする電界放射型ディスプレイの製造方法。 - 【請求項５】請求項１記載のパネル化において、ゲッタ
ーに非蒸発型で非フリッタブル型及び非蒸発型でフリッ
タブル型の両方を用いることが可能なことを特徴とする
電界放射型ディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02394497A JP3750250B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 電界放射型ディスプレイ及びこの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02394497A JP3750250B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 電界放射型ディスプレイ及びこの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223142A true JPH10223142A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3750250B2 JP3750250B2 (ja) | 2006-03-01 |
Family
ID=12124662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02394497A Expired - Fee Related JP3750250B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 電界放射型ディスプレイ及びこの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3750250B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442891B1 (ko) * | 1999-08-05 | 2004-08-02 | 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하 | 가스 방전 램프 및 그 제작 방법 |
| KR100447130B1 (ko) * | 2002-01-31 | 2004-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 표시소자의 캡 실링방법 및 그의 제조방법 |
| CN1323416C (zh) * | 2003-01-08 | 2007-06-27 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种平板玻璃真空显示器件的封口工艺方法 |
| JP2009277657A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Qinghua Univ | 真空素子の密封方法 |
| JP2009283464A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Qinghua Univ | 真空素子の密封装置及び真空素子の密封方法 |
-
1997
- 1997-02-06 JP JP02394497A patent/JP3750250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442891B1 (ko) * | 1999-08-05 | 2004-08-02 | 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하 | 가스 방전 램프 및 그 제작 방법 |
| KR100447130B1 (ko) * | 2002-01-31 | 2004-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 표시소자의 캡 실링방법 및 그의 제조방법 |
| CN1323416C (zh) * | 2003-01-08 | 2007-06-27 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种平板玻璃真空显示器件的封口工艺方法 |
| JP2009277657A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Qinghua Univ | 真空素子の密封方法 |
| US8484932B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-07-16 | Tsinghua University | Vacuum device and method for packaging same |
| JP2009283464A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Qinghua Univ | 真空素子の密封装置及び真空素子の密封方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3750250B2 (ja) | 2006-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5997378A (en) | Method for evacuating and sealing field emission displays | |
| US6129603A (en) | Low temperature glass frit sealing for thin computer displays | |
| EP1258906A1 (en) | Image display device, method of manufacture thereof, and apparatus for charging sealing material | |
| JP2000323072A (ja) | 気密容器および画像形成装置 | |
| JP3750250B2 (ja) | 電界放射型ディスプレイ及びこの製造方法 | |
| JP4139699B2 (ja) | 電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法及びそのキャップ製造方法 | |
| KR100799092B1 (ko) | 디스플레이 디바이스들을 밀봉하는 방법 | |
| JP2000149791A (ja) | 封止容器及び封止方法及び封止装置及び画像形成装置 | |
| US6533632B1 (en) | Method of evacuating and sealing flat panel displays and flat panel displays using same | |
| JP2000208051A (ja) | 封止方法及び密封容器と画像表示装置及び真空排気装置 | |
| JPS58155624A (ja) | 表示管の製造方法 | |
| JP2000195426A (ja) | 封止方法及び密封容器と画像表示装置及び真空排気装置 | |
| JP3407347B2 (ja) | フラットディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP2005197050A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
| JPH07130304A (ja) | 平面型画像表示装置 | |
| JPH10208676A (ja) | 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP2000251731A (ja) | 真空気密容器の封止方法 | |
| JP2007207436A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
| JP2000260361A (ja) | 画像形成装置の製造装置及び画像形成装置 | |
| JP3401852B2 (ja) | フラットディスプレイ装置の製法および製造装置 | |
| JP2007188784A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
| JP2005005076A (ja) | 電子放出型表示装置の製造方法 | |
| JP2004349009A (ja) | 画像表示装置の製造方法、製造装置、およびこの製造方法により製造された画像表示装置 | |
| JPH11213923A (ja) | 平面型表示装置およびその製造方法 | |
| KR20040054183A (ko) | 전계방출 표시장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031215 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040901 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040914 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20041115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050621 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050727 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20051115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051128 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101216 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111216 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |