JPH1022351A - IC chip mounting interposer and IC chip package - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電体パターンを表面に形成したプラスチッ
クフィルムからなるインターポーザにＩＣチップを実装
したＩＣチップパッケージ及び該ＩＣチップパッケージ
を樹脂モールドしてプラスチックモールド型としたＩＣ
チップパッケージにおいて、金属電極部分におけるクラ
ックの発生を防止するとともに、プラスチック型ＩＣチ
ップパッケージにおけるパッケージクラックの発生を防
止することをその課題とし、さらに導電体パターンを表
面に形成した液晶ポリマーフィルムからなるインターポ
ーザを提供する。
【解決手段】 表面に導電体パターンを有する液晶ポリ
マー分子が平面方向にランダムに配向した均方向性を有
する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフ
ィルムは、３〜９ｐｐｍ／℃の線膨張係数と２８０℃以
上の融点を有し、かつ該フィルムにおける１つの平面方
向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂの比Ａ
／Ｂが０．３〜３の範囲にあることを特徴とするＩＣチ
ップ実装用インターポーザ及び前記インターポーザにＩ
Ｃチップを実装したＩＣチップパッケージ。(57) Abstract: An IC chip package in which an IC chip is mounted on an interposer made of a plastic film having a conductor pattern formed on a surface thereof, and an IC formed by plastic molding the IC chip package.
An interposer made of a liquid crystal polymer film having a conductor pattern formed on the surface thereof, while preventing cracks in metal electrode portions in a chip package and preventing package cracks in a plastic IC chip package. I will provide a. SOLUTION: The liquid crystal polymer film having a uniform direction in which liquid crystal polymer molecules having a conductor pattern on the surface are randomly oriented in a plane direction, has a linear expansion coefficient of 3 to 9 ppm / ° C. Has a melting point of 280 ° C. or more, and has a ratio A between a linear expansion coefficient A in one plane direction and a linear expansion coefficient B in another plane direction of the film.
/ B is in the range of 0.3 to 3, and the interposer for mounting an IC chip and
IC chip package with C chip mounted.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック材料
からなるインターポーザ及びこれにＩＣチップを実装し
たＩＣチップパッケージに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an interposer made of a plastic material and an IC chip package on which an IC chip is mounted.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、インターポーザとしてポリイミド
フィルムを用い、これにＩＣチップをフリップチップ方
式で実装したＩＣパッケージは知られている。その断面
図を図１に示す。図１において、１はＩＣチップ、２は
半田バンプ、３はインナーパッド、４はアウターパッ
ド、５はポリイミドフィルム、６はスルーホールを示
し、７はそれらから構成されるＩＣパッケージを示す。
このような従来のＩＣパッケージにおいては、そのイン
ターポーザとしてのポリイミドフィルムの線膨張係数
（α）は１５〜２５ｐｐｍ／℃の範囲にあり、ＩＣチッ
プ（Ｓｉ製）の線膨張係数３ｐｐｍ／℃に比べてかなり
大きいため、電気的な接合部である金属電極部分（半田
バンプ、金バンプ、Ａｌパッド、Ａｌパッド下地、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｗ等の電極保護被膜等）にクラックが入り易
く、接合部の信頼性に問題があった。また、急激な温度
差が生じた場合には、ＩＣチップ自体にもクラックを生
じる等の問題もあった。一般的に、接合部の信頼性は、
温度サイクルやヒートショック試験等の加速試験で評価
されるが、接合部のクラックの原因は繰返し応力による
疲労破壊である。この応力は、ＩＣチップとインターポ
ーザの材質との間の線膨張係数（α）の差より生じるも
のである。現在、インターポーザとしては、ポリイミド
フィルム（α＝１５〜２５ｐｐｍ／℃）、ガラス布ＢＴ
レジン基板（α＝１５ｐｐｍ／℃）が用いられている
が、ＩＣチップ（α＝３ｐｐｍ／℃）から大きくはなれ
た線膨張係数をもつために、疲労破壊を生じさせる程の
応力が生じるという問題を有している。一方、プラスチ
ックモールドされたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）の場合には、パッケージクラックの問題が
ある。図２に、図１に示したＩＣパッケージを樹脂モー
ルドしてプラスチック型ＣＳＰとした製品の断面図を示
す。この図２において、符号１〜７は前記と同じ意味を
有し、９は封止レジン、１０はプラスチック型ＣＳＰを
示す。このようなＣＳＰにおいては、図２に示すよう
に、プラスチック封止ＣＳＰのポリイミドフィルム露出
部（サイド又はパッケージ裏面（外部端子側）から、ポ
リイミドフィルムの吸水率が高い（２．４％程度）ため
に、水分がパッケージ内に浸入し易く、これによりたま
った水分が高温下で水蒸気となり、その応力でパッケー
ジクラックを生じさせる。2. Description of the Related Art Heretofore, there has been known an IC package in which a polyimide film is used as an interposer, and an IC chip is mounted on the polyimide film by a flip chip method. FIG. 1 shows a cross-sectional view thereof. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an IC chip, 2 denotes a solder bump, 3 denotes an inner pad, 4 denotes an outer pad, 5 denotes a polyimide film, 6 denotes a through hole, and 7 denotes an IC package formed therefrom.
In such a conventional IC package, the linear expansion coefficient (α) of the polyimide film as the interposer is in the range of 15 to 25 ppm / ° C., which is smaller than the linear expansion coefficient of the IC chip (made of Si) of 3 ppm / ° C. Because it is quite large, the metal electrode portion (solder bump, gold bump, Al pad, Al pad base, P
(e.g., electrode protective coatings such as d, Ti, W, etc.) are apt to crack, and there is a problem in the reliability of the joint. Further, when a sudden temperature difference occurs, there is a problem that a crack occurs in the IC chip itself. Generally, the joint reliability is
Although evaluated by accelerated tests such as temperature cycles and heat shock tests, the cause of cracks in the joint is fatigue fracture due to repeated stress. This stress is caused by a difference in linear expansion coefficient (α) between the IC chip and the material of the interposer. At present, as an interposer, polyimide film (α = 15 to 25 ppm / ° C.), glass cloth BT
Although a resin substrate (α = 15 ppm / ° C.) is used, it has a linear expansion coefficient far from that of an IC chip (α = 3 ppm / ° C.). Have. On the other hand, CSP (Chip Size Pa)
Cage), there is a problem of a package crack. FIG. 2 is a cross-sectional view of a product obtained by forming a plastic CSP by resin-molding the IC package shown in FIG. In FIG. 2, reference numerals 1 to 7 have the same meaning as described above, 9 denotes a sealing resin, and 10 denotes a plastic type CSP. In such a CSP, as shown in FIG. 2, since the polyimide film has a high water absorption (about 2.4% from the side of the polyimide film or the back surface of the package (external terminal side)), as shown in FIG. In addition, moisture easily penetrates into the package, and the accumulated moisture turns into steam at a high temperature, and the stress causes a package crack.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電体パタ
ーンを表面に形成したプラスチックフィルムからなるイ
ンターポーザにＩＣチップを実装したＩＣチップパッケ
ージ及び該ＩＣチップパッケージを樹脂モールドしてプ
ラスチックモールド型としたＩＣチップパッケージにお
いて、金属電極部分におけるクラックの発生を防止する
とともに、プラスチック型ＩＣチップパッケージにおけ
るパッケージクラックの発生を防止することをその課題
とし、さらに導電体パターンを表面に形成した液晶ポリ
マーフィルムからなるインターポーザを提供することを
その課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an IC chip package in which an IC chip is mounted on an interposer made of a plastic film having a conductor pattern formed on a surface thereof, and the IC chip package is formed into a plastic mold by resin molding. The object of the present invention is to prevent the occurrence of cracks in metal electrode portions of an IC chip package and to prevent the occurrence of package cracks in a plastic IC chip package, and further comprises a liquid crystal polymer film having a conductor pattern formed on the surface. The task is to provide an interposer.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、表面に導電体パター
ンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配
向した均方向性を有する液晶ポリマーフィルムからな
り、該液晶ポリマーフィルムは、３〜１５ｐｐｍ／℃の
線膨張係数と２８０℃以上の融点を有し、かつ該フィル
ムにおける１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面方
向の線膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが０．３〜３の範囲にある
ことを特徴とするＩＣチップ実装用インターポーザが提
供される。また、本発明によれば、前記インターポーザ
にＩＣチップを実装したＩＣチップパッケージが提供さ
れる。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have completed the present invention. That is, according to the present invention, the liquid crystal polymer film has a uniform orientation property in which liquid crystal polymer molecules having a conductor pattern on the surface are randomly oriented in a plane direction, and the liquid crystal polymer film has a line of 3 to 15 ppm / ° C. It has an expansion coefficient and a melting point of 280 ° C. or more, and the ratio A / B of the linear expansion coefficient A in one plane direction to the linear expansion coefficient B in another plane direction of the film is in the range of 0.3 to 3. An interposer for mounting an IC chip is provided. Further, according to the present invention, there is provided an IC chip package in which an IC chip is mounted on the interposer.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】本発明で用いる液晶ポリマー（Ｌ
ＣＰ）フィルムにおいて、そのＬＣＰとしては、２８０
℃以上の融点を持つサーモトロピック液晶ポリマーであ
れば従来公知の各種のものを用いることができる。この
ような液晶ポリマーとしては、例えば、芳香族ジオー
ル、芳香族カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等のモノ
マーから合成される、溶融時に液晶性を示す芳香族ポリ
エステルがあり、その代表的なものとしては、パラヒド
ロキシ安息香酸（ＰＨＢ）とテレフタル酸とビフェノー
ルからなる第１のタイプのもの（下記式１）や、ＰＨＢ
と２，６−ヒドロキシナフトエ酸からなる第２のタイプ
のもの（下記式２）がある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The liquid crystal polymer (L
CP) film, its LCP is 280
Any conventionally known thermotropic liquid crystal polymer having a melting point of not less than ° C. can be used. As such a liquid crystal polymer, for example, aromatic diol, aromatic carboxylic acid, aromatic polyester synthesized from monomers such as hydroxycarboxylic acid, there is an aromatic polyester that exhibits liquid crystallinity when melted, as typical examples thereof, A first type of parahydroxybenzoic acid (PHB), terephthalic acid and biphenol (formula 1 below), PHB
And 2,6-hydroxynaphthoic acid (formula 2 below).
【０００６】[0006]
【化１】 Embedded image
【０００７】[0007]
【化２】 Embedded image
【０００８】前記一般式（１）のＬＣＰとしては、例え
ば、スミカスーパー（住友化学社）や、Ｘｙｄｅｒ（Ａ
ｍｏｃｏ社）等があり、前記一般式（２）のＬＰＣとし
ては、Ｖｅｃｔｒａ（ヘキスト社）等がある。As the LCP of the general formula (1), for example, Sumika Super (Sumitomo Chemical Co., Ltd.) or Xyder (A
moco), and the LPC of the general formula (2) includes Vectra (Hoechst).
【０００９】本発明で用いるＬＣＰフィルムは、ＬＣＰ
分子が平面方向にランダムに配向したもので、ＬＣＰフ
ィルムに通常見られる異方向性の大幅に解消されたもの
（本明細書では等方向性フィルムと言う）である。前記
等方向性ＬＣＰフィルムは、ＬＣＰフィルムの一方の面
又は両方の面に熱可塑性樹脂多孔質体フィルムを加圧下
及び加熱下で接触させ、少なくとも表面部が軟化した状
態の該ＬＣＰフィルムに該多孔質体フィルムを熱圧着さ
せ、必要に応じて冷却して、該多孔質体フィルムが該Ｌ
ＣＰフィルムに対して１〜５００ｇ／ｃｍの剥離強度で
接合している積層体を得る熱圧着工程と、得られた積層
体を、該ＬＣＰフィルムは溶融するが多孔質体フィルム
は軟化するが（ガラス転移点以上の温度）実質的に溶融
しない温度条件下で、該ＬＣＰの配向方向に対し垂直の
方向に延伸するか又は該ＬＣＰの配向方向と同じ方向に
延伸するとともに、該ＬＣＰ配向方向に対し垂直の方向
に延伸する延伸工程と、得られた積層体延伸物を冷却す
る工程と、冷却された積層体延伸物から多孔質体フィル
ムを剥離する剥離工程によって工業的に有利に製造する
ことができる。The LCP film used in the present invention is LCP
It is a molecule in which molecules are randomly oriented in a planar direction, and in which the anomalous directionality usually seen in the LCP film is largely eliminated (referred to as an isotropic film in this specification). The isotropic LCP film is obtained by bringing a thermoplastic resin porous film into contact with one or both surfaces of the LCP film under pressure and heating, and applying the porous material to at least the surface of the LCP film in a softened state. The porous body film is thermocompressed and cooled if necessary, and the porous body film is
A thermocompression bonding step for obtaining a laminate bonded to the CP film with a peel strength of 1 to 500 g / cm, and the obtained laminate is melted with the LCP film but softened with the porous film ( Under a temperature condition that does not substantially melt, the film is stretched in a direction perpendicular to the orientation direction of the LCP or stretched in the same direction as the orientation direction of the LCP. Industrially advantageously produced by a stretching step of stretching in a direction perpendicular to the film, a step of cooling the obtained stretched laminate, and a peeling step of peeling the porous film from the cooled stretched laminate. Can be.
【００１０】前記熱可塑性樹脂多孔質体フィルムとして
は、多孔質構造を有する各種のものが用いられ、その平
均細孔径は０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．２〜
１μｍであり、空孔率は４０〜９５％、好ましくは６０
〜８５％である。このような多孔質体フィルムを形成す
る熱可塑性樹脂としては、具体的には、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミ
ドの他、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化
エチレン等のフッ素樹脂等を例示することができる。こ
れらの熱可塑性樹脂のうち、フッ素樹脂は、その高い耐
熱性によって熱圧着温度を高くすることができ、使用す
る液晶ポリマーを広く選択できるので好ましい。本発明
で用いる好ましい多孔質体フィルムは、耐熱性、耐薬品
性の点で延伸多孔質フッ素樹脂フィルム、特に、延伸多
孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムである。熱可
塑性樹脂多孔質体フィルムは、発泡法や溶媒抽出法、固
相延伸法、フィブリル化法等の従来公知の方法で得るこ
とができる。As the porous film of the thermoplastic resin, various films having a porous structure are used, and the average pore diameter is 0.05 to 5.0 μm, preferably 0.2 to 5.0 μm.
1 μm and a porosity of 40 to 95%, preferably 60 to 95%.
~ 85%. As the thermoplastic resin forming such a porous film, specifically, polyethylene,
Polytetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene in addition to polypropylene, polyetheretherketone, polyethersulfone, polyimide, polyetherimide, polyarylate, polycarbonate, polystyrene, polyvinyl chloride, polyester, polyamide, polyamideimide Copolymers, fluorine resins such as polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride, and poly (chlorotrifluoroethylene) can be exemplified. Among these thermoplastic resins, a fluororesin is preferable because its high heat resistance can increase the thermocompression bonding temperature and a wide selection of a liquid crystal polymer to be used. A preferred porous film used in the present invention is a stretched porous fluororesin film, particularly a stretched porous polytetrafluoroethylene film in terms of heat resistance and chemical resistance. The porous thermoplastic resin film can be obtained by a conventionally known method such as a foaming method, a solvent extraction method, a solid phase drawing method, a fibrillation method, and the like.
【００１１】本発明でインターポーザ用材料として用い
る等方向性ＬＣＰのフィルムを得るには、先ず、ＬＣＰ
又はそのポリマーアロイ（以下、これらを単にＬＣＰと
も言う）の押出し成形フィルムを用意する。この場合の
ＬＣＰの押出し成形フィルムは、異方向性を有し、ＬＣ
Ｐの溶融物を、押出機を用い、その先端のＴダイやイン
フレーションダイを通してフィルム状に押出し成形する
ことによって得ることができる。前記溶融温度は、液晶
ポリマーが溶融状態を示す温度である。押出し成形装置
としては、二軸押出機や、単軸押出機等の慣用の装置が
用いられる。押出し成形フィルムの厚さは、２０μｍ〜
５ｍｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。To obtain an isotropic LCP film used as an interposer material in the present invention, first, an LCP
Alternatively, an extruded film of the polymer alloy (hereinafter, also simply referred to as LCP) is prepared. The extruded film of LCP in this case has an opposite direction, LC
The melt of P can be obtained by extruding into a film through a T die or an inflation die at the tip of the extruder using an extruder. The melting temperature is a temperature at which the liquid crystal polymer shows a molten state. As the extruder, a conventional device such as a twin-screw extruder or a single-screw extruder is used. The thickness of the extruded film is from 20 μm
5 mm, preferably 50-800 μm.
【００１２】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におけ
る各工程について詳述すると、以下の通りである。 （熱圧着工程）この工程は、ＬＣＰフィルムＡの両方又
は片方の表面、好ましくは両方の面に多孔質体フィルム
Ｂ−１及びＢ−２をそれぞれ熱圧着させる工程である。
熱圧着温度は、多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２は実質
的に溶融させないが、ＬＣＰフィルムＡの少なくとも表
面部、即ち、多孔質体フィルムＢ−１及びＢ−２に接触
するフィルムＡの表面部のみ又は全体を軟化させる温度
である。The steps in the production of the isotropic LCP film will be described in detail below. (Thermo-compression bonding step) This step is a step of bonding the porous body films B-1 and B-2 to both or one surface of the LCP film A, preferably both surfaces, respectively.
The thermocompression bonding temperature is such that the porous body films B-1 and B-2 do not substantially melt, but the film A which contacts at least the surface portion of the LCP film A, that is, the porous body films B-1 and B-2. Is a temperature at which only the surface portion or the whole is softened.
【００１３】この熱圧着工程においては、ＬＣＰフィル
ムＡは、２つの多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２によ
り、両側から挟まれていることから、その表面部のみに
限らず、全体が軟化状態であってもよい。このような熱
圧着により、ＬＣＰフィルムＡの両面に、多孔質体フィ
ルムＢ−１、Ｂ−２が接合された積層体が形成される。In this thermocompression bonding step, since the LCP film A is sandwiched from both sides by the two porous films B-1 and B-2, not only the surface but also the whole is softened. It may be in a state. By such thermocompression bonding, a laminate in which the porous films B-1 and B-2 are bonded to both surfaces of the LCP film A is formed.
【００１４】前記のようにして積層体を製造する場合、
その熱圧着装置としては、一対の熱圧着ロールや、熱プ
レス装置が用いられる。熱圧着ロールを用いる場合、液
晶ポリマーフィルムＡと２枚の多孔質体フィルムＢ−
１、Ｂ−２を、一対の熱圧着ロールの間の間隙部（クレ
アランス）に供給し、この熱圧着ロール間の間隙部で熱
圧着する。この場合、ＬＣＰフィルムＡの両側に多孔質
体フィルムＢ−１、Ｂ−２を供給する。ＬＣＰフィルム
Ａは固体フィルム又は押出機のＴ−ダイから押出された
溶融物フィルム等であることができる。一方、熱プレス
装置を用いる場合、その熱プレス装置の底板上に第１の
多孔質体フィルムを敷設し、その上にＬＣＰフィルムを
重ね、その上に第２の多孔質体フィルムを重ね、その上
から上板で所定時間加圧して熱圧着し、冷却する。この
場合、底板及び／又は上板を加熱し、ＬＣＰフィルムの
少なくとも表面部を軟化させる。前記のようにして、Ｌ
ＣＰフィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２との
積層体が得られるが、この積層体において、そのＬＣＰ
フィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１又はＢ−２との間
の剥離強度は、１〜５００ｇ／ｃｍ、好ましくは２〜１
００ｇ／ｃｍである。剥離強度が前記範囲よりも小さく
なると、積層体フィルムの延伸に際し、ＬＣＰフィルム
と多孔質体フィルムとの間に剥離が生じ、ＬＣＰフィル
ムの円滑な延伸を行うことが困難になるので好ましくな
い。一方、剥離強度が前記範囲より大きくなると、延伸
後に、多孔質体フィルムを剥離する場合に、その剥離が
困難になるので好ましくない。ＬＣＰフィルムと多孔質
体フィルムとの間の剥離強度は、両者のフィルムの熱圧
着条件により調節することができる。前記で得られた積
層体は、その熱融着の状態のまま又はいったん冷却した
後、次の延伸工程へ送られる。When manufacturing a laminate as described above,
As the thermocompression device, a pair of thermocompression rolls or a thermopress device is used. When a thermocompression bonding roll is used, a liquid crystal polymer film A and two porous films B-
1, B-2 is supplied to a gap (clearance) between a pair of thermocompression rolls, and thermocompression is performed in the gap between the thermocompression rolls. In this case, the porous body films B-1 and B-2 are supplied to both sides of the LCP film A. The LCP film A can be a solid film or a melt film extruded from a T-die of an extruder. On the other hand, when using a hot press device, a first porous film is laid on the bottom plate of the hot press device, an LCP film is laid thereon, and a second porous film is laid thereon. Pressing is carried out for a predetermined period of time with an upper plate from above, followed by thermocompression and cooling. In this case, the bottom plate and / or the top plate are heated to soften at least the surface of the LCP film. As described above, L
A laminate of the CP film A and the porous films B-1 and B-2 is obtained.
The peel strength between the film A and the porous film B-1 or B-2 is 1 to 500 g / cm, preferably 2 to 1 g / cm.
00 g / cm. If the peel strength is less than the above range, peeling occurs between the LCP film and the porous film when the laminate film is stretched, which makes it difficult to smoothly stretch the LCP film. On the other hand, if the peel strength is higher than the above range, it is not preferable because the peeling becomes difficult when the porous film is peeled after stretching. The peel strength between the LCP film and the porous film can be adjusted by the thermocompression bonding conditions of both films. The laminate obtained above is sent to the next stretching step in the state of the heat fusion or after being cooled once.
【００１５】（延伸工程）この工程は、前記積層体フィ
ルム形成工程で得られた積層体フィルムを、その多孔質
フィルムは軟化させるが実質的に溶融せずにＬＣＰフィ
ルムを溶融させる温度条件下で、１軸方向、即ち、その
ＬＣＰの配向方向とは垂直の方向（ＴＤ）へ延伸するか
又は２軸方向、即ち、そのＬＣＰの配向と同じ方向（Ｍ
Ｄ）へ延伸するとともに、それとは垂直方向（ＴＤ）へ
延伸する工程である。１軸延伸の場合、ＴＤへの延伸倍
率は１．５〜１０倍、好ましくは２〜５倍である。２軸
延伸の場合、ＭＤへの延伸倍率は１〜１０倍、好ましく
は１〜５倍であり、ＴＤへの延伸倍率は１．５〜２０
倍、好ましくは３〜１５倍である。また、ＴＤへの延伸
倍率は、ＭＤへの延伸倍率の１．０〜５．０倍、好まし
くは１．５〜３．０倍に規定するのがよい。延伸スピー
ドは、１〜２００％／秒、好ましくは５〜５０％／秒に
するのがよい。延伸装置としては、従来公知の１軸又は
２軸延伸装置を用いることができる。(Stretching Step) In this step, the laminated film obtained in the laminated film forming step is subjected to a temperature condition under which the LCP film is melted without softening the porous film but substantially melting the porous film. Stretching in the uniaxial direction, ie, the direction (TD) perpendicular to the orientation direction of the LCP, or in the biaxial direction, ie, the same direction as the orientation of the LCP (M
This is a step of stretching in the vertical direction (TD) while stretching in D). In the case of uniaxial stretching, the stretching ratio to TD is 1.5 to 10 times, preferably 2 to 5 times. In the case of biaxial stretching, the stretching ratio to MD is 1 to 10 times, preferably 1 to 5 times, and the stretching ratio to TD is 1.5 to 20 times.
Times, preferably 3 to 15 times. Further, the stretching ratio to TD is 1.0 to 5.0 times, preferably 1.5 to 3.0 times the stretching ratio to MD. The stretching speed is 1 to 200% / sec, preferably 5 to 50% / sec. As the stretching device, a conventionally known uniaxial or biaxial stretching device can be used.
【００１６】（冷却工程）この工程は、前記延伸工程で
得られた積層体フィルム延伸物を冷却し、溶融状態の液
晶ポリマーフィルムを冷却固化する工程であり、一対の
冷却ロールを用いて実施することができる。また自然放
冷で行ってもよい。(Cooling Step) This step is a step of cooling the stretched product of the laminated film obtained in the stretching step and cooling and solidifying the liquid crystal polymer film in a molten state, and is carried out using a pair of cooling rolls. be able to. Alternatively, it may be performed by natural cooling.
【００１７】（剥離工程）この工程は、前記冷却工程で
得られた積層体フィルムから、その両表面に熱圧着され
ている多孔質体フィルムを剥離する工程である。前記し
たように、この多孔質体フィルムは、ＬＣＰフィルムに
対しては、剥離可能に接合しているので、その多孔質体
フィルムを、ＬＣＰフィルムより上方に引張ることによ
り容易に剥離することができる。(Peeling Step) This step is a step of peeling the porous film thermocompression-bonded to both surfaces from the laminated film obtained in the cooling step. As described above, since the porous body film is peelably bonded to the LCP film, the porous body film can be easily peeled by pulling the porous body film upward from the LCP film. .
【００１８】以上のようにして、等方向性ＬＣＰフィル
ムを得ることができる。このフィルムは、延伸用原料フ
ィルムとして用いたＬＣＰフィルムにみられる異方向性
の解消されたもので、平面物性の等方向性にすぐれたも
のである。As described above, an isotropic LCP film can be obtained. This film is one in which the anomalous direction observed in the LCP film used as the raw material film for stretching has been eliminated, and is excellent in the isodirectionality of the planar physical properties.
【００１９】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におい
て、その原料ＬＣＰフィルムとしては、充填剤を含有す
るＬＣＰの押出し成形フィルムを用いるのが好ましい。
この場合、充填剤には、無機系及び有機系のものが包含
される。無機系充填剤としては、たとえば、シリカ、ア
ルミナ、酸化チタン等の金属酸化物；炭酸カルシウム、
炭酸バリウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バ
リウム等の金属硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス等のケイ酸塩の他、チタン酸カリウム、チタン酸カル
シウム、ガラス繊維等が挙げられる。有機系充填剤とし
ては、液晶ポリマーの加工温度において溶融しない耐熱
性樹脂粉末や、カーボン、グラファイト、カーボン繊維
等が挙げられる。前記耐熱性樹脂粉末としては、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＣＴＦＥ、ＰＶＤ
Ｆ、Ｅ−ＣＴＦＥ等）、ＬＣＰ等が挙げられる。前記充
填剤において、その平均粒径は０．０１〜５０μｍ、好
ましくは０．１〜１０μｍである。また、充填剤を含有
するＬＣＰ中のその充填剤の含有量は、５〜３０容量
％、好ましくは１０〜２０容量％である。前記押出し成
形フィルムを得るには、ＬＣＰに充填剤を加えて溶融混
合し、得られた混合物を押出機を用い、その先端のＴダ
イやインフレーションダイを通してフィルム状に押出成
形する。前記溶融混合温度は、ＬＣＰが溶融状態を示す
温度である。もちろん、充填剤が樹脂粉末の場合には、
その樹脂粉末が溶融する温度より低い温度である。混合
装置としては、二軸押出機、単軸押出機、ニーダー、ミ
キサー等の慣用の混合装置が用いられる。In the production of the isotropic LCP film, it is preferable to use an extruded LCP film containing a filler as the raw LCP film.
In this case, the filler includes inorganic and organic fillers. Examples of the inorganic filler include metal oxides such as silica, alumina, and titanium oxide; calcium carbonate,
Metal carbonates such as barium carbonate; metal sulfates such as calcium sulfate and barium sulfate; silicates such as talc, clay, mica, and glass, as well as potassium titanate, calcium titanate, and glass fibers. Examples of the organic filler include a heat-resistant resin powder that does not melt at the processing temperature of the liquid crystal polymer, carbon, graphite, carbon fiber, and the like. Examples of the heat-resistant resin powder include polyimide, polyetherimide, polyamideimide, polyetheretherketone (PEEK), and fluororesin (PT
FE, FEP, PFA, ETFE, CTFE, PVD
F, E-CTFE, etc.), LCP and the like. The filler has an average particle size of 0.01 to 50 μm, preferably 0.1 to 10 μm. The content of the filler in the LCP containing the filler is 5 to 30% by volume, preferably 10 to 20% by volume. In order to obtain the extruded film, a filler is added to LCP and melt-mixed, and the obtained mixture is extruded into a film through an extruder using a T die or an inflation die. The melt mixing temperature is a temperature at which the LCP indicates a molten state. Of course, if the filler is resin powder,
The temperature is lower than the temperature at which the resin powder melts. As the mixing device, a conventional mixing device such as a twin-screw extruder, a single-screw extruder, a kneader, and a mixer is used.
【００２０】前記のようにして得られる充填剤を含有す
る押出し成形フィルムは、表面状態の良好なフィルムで
あって、厚さ分布の平均値Ｃに対する厚さ分布の標準偏
差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下という厚さ精度にすぐれた
ものである。そして、このような充填剤を含有する押出
し成形フィルムを原料として用いて得られる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、表面状態の非常にすぐれたもので、そ
のフィルムの厚さ分布の平均値Ｃに対するその厚さ分布
の標準偏差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下、特に０．１５〜
０．０２の範囲にある。The extruded film containing the filler obtained as described above is a film having a good surface condition and has a ratio D / C of the standard deviation D of the thickness distribution to the average value C of the thickness distribution. Is excellent in thickness accuracy of 0.2 or less. Then, the isotropic L obtained by using an extruded film containing such a filler as a raw material.
The CP film has a very good surface condition, and the ratio D / C of the standard deviation D of the thickness distribution to the average value C of the thickness distribution of the film is 0.2 or less, particularly 0.15 to 0.15.
It is in the range of 0.02.
【００２１】本発明で用いる等方向性ＬＣＰフィルム
は、通常のＬＣＰフィルムにみられる平面物性の異方向
性の解消されたものであり、平面物性の等方向性にすぐ
れたものである。この場合の平面物性には、線膨張係
数、熱膨張率、熱収縮率、引張り伸度、引張り強度、引
張り弾性率等が包含される。本発明で用いる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、低められた線膨張係数を有する。即
ち、本発明で用いるＬＣＰフィルムは、３〜１５ｐｐｍ
／℃、好ましくは３〜９ｐｐｍ／℃の線膨張係数を有す
る。線膨張係数の下限値は、通常、３ｐｐｍ／℃程度で
ある。本発明で用いるＬＣＰフィルムは、前記のよう
に、低められた線膨張係数を有すると同時に、その線膨
張係数の等方向性にすぐれ、フィルムの１つの平面方向
の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂとの比の
Ａ／Ｂは、０．３〜３、好ましくは、０．５〜２の範囲
にある。インターポーザとして用いるＬＣＰフィルムに
おける前記線膨張係数の等方向性は非常に重要であり、
その線膨張係数に大きな異方向性があると、信頼性のあ
るインターポーザ及びＩＣチップパッケージを得ること
ができなくなる。The isotropic LCP film used in the present invention is one in which the anisotropic property of the flat physical properties found in the ordinary LCP film is eliminated, and is excellent in the isotropic property of the flat physical properties. The planar physical properties in this case include a coefficient of linear expansion, a coefficient of thermal expansion, a coefficient of thermal shrinkage, a tensile elongation, a tensile strength, a tensile elastic modulus, and the like. Isotropic L used in the present invention
CP films have a reduced coefficient of linear expansion. That is, the LCP film used in the present invention is 3 to 15 ppm.
/ ° C, preferably 3 to 9 ppm / ° C. The lower limit of the linear expansion coefficient is usually about 3 ppm / ° C. As described above, the LCP film used in the present invention has a reduced coefficient of linear expansion, has excellent linear expansion coefficient isotropic properties, and has a linear expansion coefficient A in one plane direction of the film and another plane expansion coefficient. The ratio A / B to the linear expansion coefficient B in the direction is in the range of 0.3 to 3, preferably 0.5 to 2. The isotropic direction of the linear expansion coefficient in the LCP film used as an interposer is very important,
If the coefficient of linear expansion has a large directionality, a reliable interposer and IC chip package cannot be obtained.
【００２２】本発明のインターポーザとして用いる等方
向性ＬＣＰフィルムにおいて、その厚さは１０〜１００
０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍ、その線膨張係数
は、３〜１５ｐｐｐｍ／℃、好ましくは３〜９ｐｐｍ／
℃及びその吸水率は０．５重量％以下、好ましくは０．
３重量％以下である。また、その吸湿膨張率（２３℃、
８０％ＲＨ）は、通常、０．１％以下、好ましくは０．
０５％以下である。これらの物性は、ＬＣＰの種類や、
ＬＣＰの押出し成形条件、ＬＣＰフィルムの延伸条件等
によって調節することができる。本発明においては、Ｌ
ＣＰフィルムには、特に、無機充填剤を含有させること
が好ましい。無機充填剤を含有するＬＣＰフィルムは、
熱伝導性が向上し、高い放熱効果を有することから、イ
ンターポーザとしての機能においてすぐれている。この
場合の無機充填剤としては、特に、シリカ、アルミナ、
チタニア等を粉末状やウイスカー状で用いるのが好まし
く、その含有量は、特に、５〜３０容量％、好ましくは
１０〜２０容量％である。The thickness of the isotropic LCP film used as the interposer of the present invention is 10 to 100.
0 μm, preferably 20 to 100 μm, and its linear expansion coefficient is 3 to 15 ppm / ° C., preferably 3 to 9 ppm /
C. and its water absorption are 0.5% by weight or less, preferably 0.1% by weight.
Not more than 3% by weight. In addition, its coefficient of hygroscopic expansion (23 ° C.,
(80% RH) is usually 0.1% or less, preferably 0.1%.
Not more than 05%. These properties depend on the type of LCP,
It can be adjusted by the conditions for extrusion molding of the LCP, the conditions for stretching the LCP film and the like. In the present invention, L
It is particularly preferable that the CP film contains an inorganic filler. LCP film containing inorganic filler,
Since it has improved thermal conductivity and a high heat dissipation effect, it is excellent in function as an interposer. As the inorganic filler in this case, in particular, silica, alumina,
It is preferable to use titania or the like in the form of powder or whiskers, and the content thereof is particularly 5 to 30% by volume, preferably 10 to 20% by volume.
【００２３】本発明で用いる前記ＬＣＰフィルムは、そ
の表面に導電体パターンを形成させて、ＩＣチップを実
装する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示
す。即ち、ＬＣＰフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）は、
平面のどの方向をとっても３〜１５ｐｐｍ／℃の範囲に
あり、ＩＣチップの線膨張係数３ｐｐｍ／℃とほぼマッ
チングしている。従って、ＩＣチップをＬＣＰフィルム
に実装する場合に、半田バンプ等の金属接合部に生じる
熱応力を著しく軽減することができ、接合部の信頼性を
大幅に向上させることができる上、ＩＣチップ自体に生
じる応力を軽減できるので、ＩＣチップの機能低下も防
ぐことができ、さらに、ＩＣチップ自体のクラック（引
張応力で１００ＭＰａ以上、圧縮応力で５００ＭＰａ以
上で一般的にはクラックを生じる）も効果的に防止する
ことができる。以上のように、本発明による等方向性Ｌ
ＣＰフィルムからなるインターポーザとするＩＣチップ
パッケージは、ＩＣチップとインターポーザとの間の熱
応力の発生を減じ、パッケージ信頼性が著しく向上した
ものである。また、本発明による前記ＩＣチップパッケ
ージをプラスチックモールドしたプラスチック型ＩＣチ
ップパッケージ（ＣＳＰ、ＢＧＡ等）は、ＬＣＰフィル
ムが非常に低い吸水率（０．１％以下）を示し、ＰＣＴ
（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）（１２
１℃、２ａｔｍ、湿度１００％）、６５℃／９５％ＲＨ
及び８５℃／８５％ＲＨ等の吸湿試験においても、性能
劣化やパッケージクラックを何ら生じることはなく、非
常に高いパッケージ信頼性を有する。The LCP film used in the present invention exhibits an excellent effect as an interposer when an IC chip is mounted by forming a conductor pattern on the surface thereof. That is, the linear expansion coefficient (CTE) of the LCP film is
In any direction of the plane, it is in the range of 3 to 15 ppm / ° C., which almost matches the linear expansion coefficient of the IC chip of 3 ppm / ° C. Therefore, when the IC chip is mounted on the LCP film, the thermal stress generated in the metal joint such as a solder bump can be significantly reduced, and the reliability of the joint can be greatly improved. Can reduce the stress generated in the IC chip, thereby preventing the function of the IC chip from deteriorating. Further, cracking of the IC chip itself (generally cracking at a tensile stress of 100 MPa or more and a compressive stress of 500 MPa or more) is also effective. Can be prevented. As described above, according to the present invention, the isotropic L
In an IC chip package which is an interposer made of a CP film, generation of thermal stress between the IC chip and the interposer is reduced, and package reliability is significantly improved. Also, the plastic IC chip package (CSP, BGA, etc.) obtained by plastic-molding the IC chip package according to the present invention has a very low water absorption rate (0.1% or less) of the LCP film, and a PCT.
(Pressure Cooker Test) (12
1 ° C, 2atm, humidity 100%), 65 ° C / 95% RH
Even in a moisture absorption test at 85 ° C./85% RH, etc., there is no performance deterioration or package cracking, and the package has very high package reliability.
【００２４】ＬＣＰフィルム上に形成する導電体パター
ンにおいて、その導電体としては、各種の導電性金属、
例えば、銅、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金等のインバー型合金
等が用いられる。インバー型合金としては、特に、線膨
張係数が７ｐｐｍ／℃以下のものの使用が好ましく、こ
れにより、そりや歪の低減されたインターポーザを得る
ことができる。また、ＬＣＰフィルム上にＩＣチップを
実装する場合、その実装方式としては、従来公知の各種
の方式、例えば、ワイヤーボンディングの他、フリップ
チップ方式、ビームリード方式、ＴＡＢ方式、ＳＴＤ方
式等を採用することができる。本発明によるＬＣＰフィ
ルムからなるインターポーザは、前記のように、線膨張
係数が小さく、ＩＣチップの線膨張係数に近いことか
ら、特に、フリップチップ方式によりＩＣチップを実装
する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示す。In the conductor pattern formed on the LCP film, the conductor may be any of various conductive metals,
For example, an invar-type alloy such as copper and a 42% Ni-Fe alloy is used. As the Invar type alloy, it is particularly preferable to use an alloy having a coefficient of linear expansion of 7 ppm / ° C. or less, whereby an interposer with reduced warpage and distortion can be obtained. In the case of mounting an IC chip on an LCP film, as a mounting method, various conventionally known methods, for example, a flip chip method, a beam lead method, a TAB method, an STD method, etc. are adopted in addition to wire bonding. be able to. As described above, the interposer made of the LCP film according to the present invention has a small linear expansion coefficient and is close to the linear expansion coefficient of the IC chip. Therefore, the interposer is excellent as an interposer particularly when an IC chip is mounted by a flip chip method. Is shown.
【００２５】[0025]
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
【００２６】参考例１ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）を、単軸押出機（スクリュー径５
０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リップ
長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダイ
温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却して厚
さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、Ｔ
Ｄ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であった。
最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィル
ムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸
フィルム（ａ−１）を得た。Reference Example 1 A thermotropic liquid crystal polymer (Sumika Super E6000, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was fed into a single screw extruder (screw diameter 5).
0 mm), extruded into a film from a T-die (lip length 300 mm, lip clearance 1.0 mm, die temperature 350 ° C.) at the tip of the extruder, and cooled to obtain a 250 μm thick liquid crystal polymer film. Was. A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.2 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 330 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min) and a pair of cooling rolls (temperature 150 ° C) after thermocompression bonding with a laminator having
And cooled. The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time were as follows: a stretching temperature of 350 ° C., a stretching ratio of 1.3 in the MD direction, and T
The drawing direction was 3.9 times, and the stretching speed was 20% / sec.
Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a stretched liquid crystal polymer film (a-1) having a thickness of 50 μm.
【００２７】参考例２ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−２）を得た。Reference Example 2 90 parts by weight of a thermotropic liquid crystal polymer (Sumika Super E6000, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and 10 parts by weight of natural silica (average particle size: 3 μm, FS-15 manufactured by Denki Kagaku Co., Ltd.)
The mixture was melt-mixed using a twin-screw extruder, extruded from a strand die at the tip, and formed into pellets with a pelletizer. Next, the pellet was melted in a single screw extruder (screw diameter 50 mm), and a T die (lip length 300 mm, lip clearance 1.0 mm,
(Die temperature: 350 ° C.), extruded into a film, and cooled to obtain a liquid crystal polymer film having a thickness of 250 μm. A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.2 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 330 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min), and a pair of chill rolls (temperature 150).
° C). The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time were a stretching temperature of 350 ° C., a stretching ratio of 1.3 in the MD direction,
It was 3.9 times in the TD direction and the stretching speed was 20% / sec. Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a stretched liquid crystal polymer film (a-2) having a thickness of 50 μm.
【００２８】参考例３ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ６５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ１２５μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−３）を得た。Reference Example 3 90 parts by weight of a thermotropic liquid crystal polymer (Sumika Super E6000 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and 10 parts by weight of natural silica (average particle size: 3 μm, FS-15 manufactured by Denki Kagaku Co., Ltd.)
The mixture was melt-mixed using a twin-screw extruder, extruded from a strand die at the tip, and formed into pellets with a pelletizer. Next, this pellet was melted in a single screw extruder (screw diameter 50 mm), and a T die (lip length 300 mm, lip clearance 2.5 mm,
The film was extruded from a die temperature of 350 ° C.) and cooled to obtain a liquid crystal polymer film having a thickness of 650 μm. A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.2 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 330 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min), and a pair of chill rolls (temperature 150).
° C). The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time were a stretching temperature of 350 ° C., a stretching ratio of 1.3 in the MD direction,
It was 3.9 times in the TD direction and the stretching speed was 20% / sec. Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a liquid crystal polymer stretched film (a-3) having a thickness of 125 μm.
【００２９】参考例４ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）を、単軸押出機（スクリュー径
５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リッ
プ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダ
イ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷却して
厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液
晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均
孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１００
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６倍、
ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−４）を得た。Reference Example 4 A thermotropic liquid crystal polymer (Vectra A950, manufactured by Polyplastics Co., Ltd.) was melted in a single screw extruder (screw diameter: 50 mm), and a T die (lip length: 300 mm, lip length) at the tip of the extruder was melted. The film was extruded from a film with a clearance of 1.0 mm and a die temperature of 300 ° C., and cooled to obtain a liquid crystal polymer film having a thickness of 250 μm. A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.5 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 280 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min), and a pair of cooling rolls (temperature 100
° C). The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time were a stretching temperature of 300 ° C., a stretching ratio of 1.6 times in the MD direction,
It was 3.2 times in the TD direction and the stretching speed was 20% / sec. Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a 50 μm thick liquid crystal polymer stretched film (a-4).
【００３０】参考例５ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）９０重量部と天然シリカ（平均
粒径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部と
を、二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先
端のストランドダイから押出してペレタイザーをペレッ
トに成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリ
ュー径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ
（リップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍ
ｍ、ダイ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷
却して厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。
この液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多
孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム
（平均孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロ
ール（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラ
ミネーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１
００℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィ
ルムの剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このよう
にして得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延
伸条件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６
倍、ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であ
った。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマー
フィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−５）を得た。Reference Example 5 A twin-screw extruder comprising 90 parts by weight of a thermotropic liquid crystal polymer (Vectra A950, manufactured by Polyplastics Co., Ltd.) and 10 parts by weight of natural silica (average particle size: 3 μm, FS-15 manufactured by Denki Kagaku Co., Ltd.) , And extruded from a strand die at the tip to form a pelletizer into pellets. Next, the pellet is melted in a single screw extruder (screw diameter 50 mm), and a T die (lip length 300 mm, lip clearance 2.5 m) at the tip of the extruder is melted.
m, a die temperature of 300 ° C.) and cooled to obtain a liquid crystal polymer film having a thickness of 250 μm.
A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.5 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 280 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min), and a pair of cooling rolls (temperature 1)
00 ° C.). The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time are a stretching temperature of 300 ° C. and a stretching ratio of 1.6 in the MD direction.
Times, 3.2 times in the TD direction, and a stretching speed of 20% / sec. Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a liquid crystal polymer stretched film (a-5) having a thickness of 50 μm.
【００３１】以上で得た各々の液晶ポリマーフィルムの
物性を以下のようにして測定し、その結果を表１に示
す。 （１）ＴＤ厚さ分布 ダイヤルゲージのニードル型測定子（ミツトヨ社製、先
端Ｒ：０．４ｍｍ）を鉛直方向に向かい合わせて固定
し、１００ｇの力で接触させる。つぎにこの測定子間に
サンプルフィルムをはさみ、ＴＤ方向に移動させる。こ
のようにして、フィルムのＴＤの厚さ分布データを得
る。（ｉ）平均値Ｃ １０００ｍｍ幅、０．５ｍｍ間隔で２０００ポイント測
定し、その平均値を求めた。 （ii）標準偏差Ｄ 前記平均値Ｃに対する２０００ポイントの標準偏差Ｄを
求めた。 （２）線膨張係数 ＴＭＡ法：荷重５ｇ、２００℃まで昇温後、１５０℃か
ら２５℃への降温時に測定。試料幅４．０ｍｍ、チャッ
ク間隔１０ｍｍ。 （３）吸水率 ５×５ｃｍのフィルムを真水中に２４時間浸漬し、その
前後の重量を測定して吸水量を算出し、その浸漬前のフ
ィルム重量に対する％で示した。The physical properties of each of the liquid crystal polymer films obtained as described above were measured as follows, and the results are shown in Table 1. (1) TD thickness distribution A needle-type measuring element of a dial gauge (manufactured by Mitutoyo Corporation, tip R: 0.4 mm) is vertically opposed and fixed, and is contacted with a force of 100 g. Next, a sample film is sandwiched between the probes and moved in the TD direction. In this way, TD thickness distribution data of the film is obtained. (I) Average value C 2000 points were measured at 1000 mm width and 0.5 mm interval, and the average value was obtained. (Ii) Standard deviation D A standard deviation D of 2000 points with respect to the average value C was obtained. (2) Coefficient of linear expansion TMA method: Measured at a load of 5 g, after the temperature was raised to 200 ° C, and when the temperature was lowered from 150 ° C to 25 ° C. Sample width 4.0 mm, chuck interval 10 mm. (3) Water Absorption A 5 × 5 cm film was immersed in fresh water for 24 hours, the weight before and after the immersion was measured to calculate the amount of water absorption, and the result was shown as a percentage of the film weight before immersion.
【００３２】[0032]
【表１】 [Table 1]
【００３３】実施例１ 参考例１で示した厚さ５０μｍのＬＣＰフィルムに、図
３に示すように、銅を蒸着して導電体部を形成した。こ
のフィルムの幅は３５ｍｍで、導電体部は幅２６ｍｍ
で、両サイドにスプロケット孔を設けた３５ｍｍ幅のス
タンダードＴＡＢフィルムキャリアの仕様とした。テー
プは長さ２０ｍの長尺で、連続蒸着した後、メッキ法で
厚さ１０μｍに銅を厚くした。導電体は両面に形成し
た。エキシマレーザを用いて直径４０μｍのスルーホー
ルをあけ、スルーホールメッキを行い、両面にそれぞれ
電極パターンを形成した。片面の基板実装側の外部端子
には、さらに半田バンプを形成した。以上の工程によ
り、ＣＳＰ用のインターポーザを得た。Example 1 As shown in FIG. 3, copper was vapor-deposited on the 50 μm thick LCP film shown in Reference Example 1 to form a conductor portion. The width of this film is 35 mm, and the width of the conductor is 26 mm.
Thus, a standard TAB film carrier having a width of 35 mm with sprocket holes on both sides was used. The tape was as long as 20 m long, and after continuous vapor deposition, copper was thickened to a thickness of 10 μm by plating. Conductors were formed on both sides. Using an excimer laser, a through hole having a diameter of 40 μm was formed, plated through the hole, and an electrode pattern was formed on each side. Solder bumps were further formed on the external terminals on one side of the substrate. Through the above steps, an interposer for CSP was obtained.
【００３４】実施例２ 図４に示すように、実施例１で得たインターポーザにＩ
Ｃチップをフリップチップ方式で実装した。接合部はＰ
ｂリッチの高融点半田バンプとした。さらにこれをエポ
キシ系レジンでトランスファーモールドで封止し、４箇
所の吊り部を切断して、ＣＳＰを得た。Example 2 As shown in FIG. 4, the interposer obtained in Example 1
The C chip was mounted by the flip chip method. The joint is P
A b-rich high melting point solder bump was used. This was further sealed with an epoxy resin by transfer molding, and four hanging portions were cut to obtain a CSP.
【００３５】実施例３ 図５に示すように、インナーリード部を熱圧着するタイ
プのインターポーザを作製した。これは、参考例２のＬ
ＣＰフィルムの表面をＫＯＨ溶液で処理して、銅を０．
５μｍ蒸着し、電気メッキで２５ｍｍ厚にして導電体部
を形成した。エキシマレーザでスルーホールをあけ、ス
ルーホールメッキしたのち、エッチングでパターンを形
成した。さらに、外部端子に半田バンプを形成した。こ
うして、インナーリード付ＢＧＡタイプのインターポー
ザを得た。Example 3 As shown in FIG. 5, an interposer of a type in which an inner lead portion is thermocompression-bonded was manufactured. This is equivalent to L in Reference Example 2.
The surface of the CP film is treated with a KOH solution to remove copper from the surface.
5 μm was deposited, and the thickness was 25 mm by electroplating to form a conductor portion. After forming a through hole with an excimer laser and plating the through hole, a pattern was formed by etching. Further, solder bumps were formed on the external terminals. Thus, a BGA type interposer with inner leads was obtained.
【００３６】実施例４ 図６に示すように、実施例３のインターポーザにＡｕバ
ンプ付ＩＣチップをインターポーザのインナーリード部
に５００℃で熱圧着した。これを、エポキシ系レジンで
封止して、ＢＧＡタイプのＣＳＰができた。Example 4 As shown in FIG. 6, an IC chip with an Au bump was thermocompression-bonded to the inner lead portion of the interposer at 500.degree. This was sealed with an epoxy resin to obtain a BGA type CSP.
【００３７】実施例５ 図７に示すように、ＩＣチップの放熱性を高めるため、
参考例３で得たＳｉＯ2フィラー１０重量％を含有する
ＬＣＰフィルム（厚さ１２５μｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：７
ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：８ｐｐｍ／℃）にスルーホール、
インナーパッド、アウターパッドを設けたものにＩＣチ
ップを熱伝導性の高いダイボンディング樹脂で接着し、
ワイヤーボンディングした後、保護用樹脂で封止して、
ＩＣパッケージを得た。このものは、ＩＣチップに生じ
る熱応力が小さく良好なパッケージである。Embodiment 5 As shown in FIG. 7, in order to enhance the heat dissipation of the IC chip,
LCP film containing 10% by weight of SiO 2 filler obtained in Reference Example 3 (thickness: 125 μm, CTE; X direction: 7)
ppm / ° C, Y direction: 8 ppm / ° C)
The IC chip is bonded to the one with the inner pad and outer pad with a die bonding resin with high thermal conductivity.
After wire bonding, seal with protective resin,
An IC package was obtained. This is a good package with small thermal stress generated in the IC chip.
【００３８】実施例６ 図８に示すように、リードフレームタイプのＣＳＰに、
ＬＣＰフィルムの保護及び絶縁のための層を設けたもの
である。まず、リードフレームのワイヤーボンディング
のセカンド面に対して裏面に実施例５で示したＬＣＰフ
ィルムを貼り付ける。この絶縁体付リードフレームにＩ
Ｃチップをフェースダウンで接着し、ワイヤーボンディ
ングを行う。さらに樹脂で封止してＣＳＰができ上が
る。このものは、ＩＣチップとＣＴＥ値が近いＬＣＰフ
ィルムを用いたことで、リードフレームとＩＣチップと
のＣＴＥ値のミスマッチによって生じる熱応力が軽減で
き、良好なＣＳＰを得ることができた。Embodiment 6 As shown in FIG. 8, a lead frame type CSP is
It is provided with a layer for protecting and insulating the LCP film. First, the LCP film shown in Example 5 is attached to the back surface of the second surface of the lead frame for wire bonding. This lead frame with insulator
The C chip is bonded face down, and wire bonding is performed. CSP is completed by sealing with resin. In this case, by using an LCP film having a CTE value close to that of the IC chip, thermal stress caused by mismatch of the CTE value between the lead frame and the IC chip could be reduced, and a good CSP could be obtained.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明のインターポーザは、融点が２８
０℃以上と高く、半田耐熱性にすぐれ、かつ線膨張率を
低くコントロールした特定物性のＬＣＰフィルムを用い
て構成したことから、信頼性の高いＩＣチップパッケー
ジを与えるもので、その産業的意義は非常に高い。本発
明のＩＣチップパッケージは、そのインターポーザに線
膨張係数がＩＣチップの線膨張係数である３ｐｐｍ／℃
に近いＬＣＰフィルムからなるインターポーザを用いた
ことにより、従来のポリイミドフィルムをインターポー
ザとして用いたものよりも接合部の信頼性が高く、さら
にこれを樹脂モールドしたパッケージにおいては、ＬＣ
Ｐフィルムの吸水率が低いことにより、パッケージクラ
ックを低減できる。また、従来のセラミックスインター
ポーザに比べ、安価でかつ薄いパッケージとすることが
できる。さらに、本発明のＩＣチップパッケージの場
合、そのＬＣＰフィルムの吸水率が低く、かつそのモー
ルド樹脂との接着性が良いことから、モールドする樹脂
の量を少なくでき、安価で、薄く、軽くすることができ
る。そして、軽いＣＳＰ、ＢＧＡは大変な利点がある。
これはこのようなパッケージを基板に実装する際に行
う、半田バンプを用いたＣＣＢ（コントロール、コラッ
プス、ボンディング）法による接合の際、軽い方がより
セルフアライメントがききやすい点である。The interposer of the present invention has a melting point of 28.
Since it is composed of LCP film with high specificity of 0 ° C or higher, excellent solder heat resistance and low linear expansion coefficient, it provides a highly reliable IC chip package, and its industrial significance is Very high. In the IC chip package of the present invention, the linear expansion coefficient of the interposer is 3 ppm / ° C., which is the linear expansion coefficient of the IC chip.
The use of an interposer made of an LCP film close to that of the conventional technology makes the reliability of the joint higher than that of a conventional product using a polyimide film as the interposer.
Due to the low water absorption of the P film, package cracks can be reduced. In addition, compared to the conventional ceramic interposer, it is possible to make the package cheaper and thinner. Furthermore, in the case of the IC chip package of the present invention, since the water absorption of the LCP film is low and the adhesiveness to the molding resin is good, the amount of resin to be molded can be reduced, and the cost can be reduced, thin, and light. Can be. Light CSP and BGA have great advantages.
This is because, when such a package is mounted on a substrate, the self-alignment is more easily performed when the package is mounted by a CCB (control, collapse, bonding) method using solder bumps.
【図１】ポリイミドフィルムを用いた従来のＩＣチップ
パッケージの断面図を示す。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a conventional IC chip package using a polyimide film.
【図２】図１のＩＣチップパッケージを樹脂モールドし
て形成したプラスチックモール度型ＣＳＰの構造説明図
を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＡ−Ａ’断面図FIG. 2 is a structural explanatory view of a plastic molding type CSP formed by resin-molding the IC chip package of FIG. 1; a: Schematic diagram b: AA 'cross-sectional view
【図３】本発明のインターポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図FIG. 3 shows a structural explanatory view of the interposer of the present invention. a: Schematic diagram b: B-B 'sectional view
【図４】図３に示すインターポーザにＩＣチップを実装
し、さらに樹脂モールドして形成したプラスチックモー
ルド型ＣＳＰの断面図を示す。FIG. 4 is a cross-sectional view of a plastic mold type CSP formed by mounting an IC chip on the interposer shown in FIG. 3 and further performing resin molding.
【図５】本発明によるインナーリード付ＣＳＰ用インタ
ーポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図FIG. 5 is a structural explanatory view of a CSP interposer with inner leads according to the present invention. a: Schematic diagram b: BB 'cross-sectional view
【図６】図５に示すインターポーザを用いて形成したＣ
ＳＰの断面図を示す。FIG. 6 shows a C formed using the interposer shown in FIG.
2 shows a cross-sectional view of SP.
【図７】本発明のシリカ含有インターポーザを用いて形
成したＩＣチップパッケージの断面図を示す。FIG. 7 shows a cross-sectional view of an IC chip package formed using the silica-containing interposer of the present invention.
【図８】本発明のインターポーザを用いたリードフレー
ムタイプＣＳＰの断面図を示す。FIG. 8 is a cross-sectional view of a lead frame type CSP using the interposer of the present invention.
１ ＩＣチップ ２ 半田バンプ ３ インナーパッド ４ アウターパッド ５ ポリイミドフィルム ６ スルーホール ７ インターポーザ ８ ＬＣＰフィルム ９ 封止レジン １０ ＣＳＰ １１ 吊り部 １２ スプロケットホール １３ 外部端子用半田バンプ １４ インナーリード １５ Ａｕバンプ １６ 接着樹脂 １７ Ａｕワイヤー １８ ダイボンド樹脂 １９ リードフレーム ２０ Ａｌパッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 IC chip 2 Solder bump 3 Inner pad 4 Outer pad 5 Polyimide film 6 Through hole 7 Interposer 8 LCP film 9 Sealing resin 10 CSP 11 Hanging part 12 Sprocket hole 13 Solder bump for external terminal 14 Inner lead 15 Au bump 16 Adhesive resin 17 Au wire 18 Die bond resin 19 Lead frame 20 Al pad
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────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成９年２月１９日[Submission date] February 19, 1997
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【書類名】 明細書[Document Name] Statement
【発明の名称】 ＩＣチップ実装用インターポーザ及び
ＩＣチップパッケージPatent application title: Interposer for mounting IC chip and IC chip package
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック材料
からなるインターポーザ及びこれにＩＣチップを実装し
たＩＣチップパッケージに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an interposer made of a plastic material and an IC chip package on which an IC chip is mounted.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、インターポーザとしてポリイミド
フィルムを用い、これにＩＣチップをフリップチップ方
式で実装したＩＣパッケージは知られている。その断面
図を図１に示す。図１において、１はＩＣチップ、２は
半田バンプ、３はインナーパッド、４はアウターパッ
ド、５はポリイミドフィルム、６はスルーホールを示
し、７はそれらから構成されるＩＣパッケージを示す。
このような従来のＩＣパッケージにおいては、そのイン
ターポーザとしてのポリイミドフィルムの線膨張係数
（α）は１５〜２５ｐｐｍ／℃の範囲にあり、ＩＣチッ
プ（Ｓｉ製）の線膨張係数３ｐｐｍ／℃に比べてかなり
大きいため、電気的な接合部である金属電極部分（半田
バンプ、金バンプ、Ａｌパッド、Ａｌパッド下地、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｗ等の電極保護被膜等）にクラックが入り易
く、接合部の信頼性に問題があった。また、急激な温度
差が生じた場合には、ＩＣチップ自体にもクラックを生
じる等の問題もあった。一般的に、接合部の信頼性は、
温度サイクルやヒートショック試験等の加速試験で評価
されるが、接合部のクラックの原因は繰返し応力による
疲労破壊である。この応力は、ＩＣチップとインターポ
ーザの材質との間の線膨張係数（α）の差より生じるも
のである。現在、インターポーザとしては、ポリイミド
フィルム（α＝１５〜２５ｐｐｍ／℃）、ガラス布ＢＴ
レジン基板（α＝１５ｐｐｍ／℃）が用いられている
が、ＩＣチップ（α＝３ｐｐｍ／℃）から大きくはなれ
た線膨張係数をもつために、疲労破壊を生じさせる程の
応力が生じるという問題を有している。一方、プラスチ
ックモールドされたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）の場合には、パッケージクラックの問題が
ある。図２に、図１に示したＩＣパッケージを樹脂モー
ルドしてプラスチック型ＣＳＰとした製品の断面図を示
す。この図２において、符号１〜７は前記と同じ意味を
有し、９は封止レジン、１０はプラスチック型ＣＳＰを
示す。このようなＣＳＰにおいては、図２に示すよう
に、プラスチック封止ＣＳＰのポリイミドフィルム露出
部（サイド又はパッケージ裏面（外部端子側）から、ポ
リイミドフィルムの吸水率が高い（２．４％程度）ため
に、水分がパッケージ内に浸入し易く、これによりたま
った水分が高温下で水蒸気となり、その応力でパッケー
ジクラックを生じさせる。2. Description of the Related Art Heretofore, there has been known an IC package in which a polyimide film is used as an interposer, and an IC chip is mounted on the polyimide film by a flip chip method. FIG. 1 shows a cross-sectional view thereof. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an IC chip, 2 denotes a solder bump, 3 denotes an inner pad, 4 denotes an outer pad, 5 denotes a polyimide film, 6 denotes a through hole, and 7 denotes an IC package formed therefrom.
In such a conventional IC package, the linear expansion coefficient (α) of the polyimide film as the interposer is in the range of 15 to 25 ppm / ° C., which is smaller than the linear expansion coefficient of the IC chip (made of Si) of 3 ppm / ° C. Because it is quite large, the metal electrode portion (solder bump, gold bump, Al pad, Al pad base, P
(e.g., electrode protective coatings such as d, Ti, W, etc.) are apt to crack, and there is a problem in the reliability of the joint. Further, when a sudden temperature difference occurs, there is a problem that a crack occurs in the IC chip itself. Generally, the joint reliability is
Although evaluated by accelerated tests such as temperature cycles and heat shock tests, the cause of cracks in the joint is fatigue fracture due to repeated stress. This stress is caused by a difference in linear expansion coefficient (α) between the IC chip and the material of the interposer. At present, as an interposer, polyimide film (α = 15 to 25 ppm / ° C.), glass cloth BT
Although a resin substrate (α = 15 ppm / ° C.) is used, it has a linear expansion coefficient far from that of an IC chip (α = 3 ppm / ° C.). Have. On the other hand, CSP (Chip Size Pa)
Cage), there is a problem of a package crack. FIG. 2 is a cross-sectional view of a product obtained by forming a plastic CSP by resin-molding the IC package shown in FIG. In FIG. 2, reference numerals 1 to 7 have the same meaning as described above, 9 denotes a sealing resin, and 10 denotes a plastic type CSP. In such a CSP, as shown in FIG. 2, since the polyimide film has a high water absorption (about 2.4% from the side of the polyimide film or the back surface of the package (external terminal side)), as shown in FIG. In addition, moisture easily penetrates into the package, and the accumulated moisture turns into steam at a high temperature, and the stress causes a package crack.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電体パタ
ーンを表面に形成したプラスチックフィルムからなるイ
ンターポーザにＩＣチップを実装したＩＣチップパッケ
ージ及び該ＩＣチップパッケージを樹脂モールドしてプ
ラスチックモールド型としたＩＣチップパッケージにお
いて、金属電極部分におけるクラックの発生を防止する
とともに、プラスチック型ＩＣチップパッケージにおけ
るパッケージクラックの発生を防止することをその課題
とし、さらに導電体パターンを表面に形成した液晶ポリ
マーフィルムからなるインターポーザを提供することを
その課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an IC chip package in which an IC chip is mounted on an interposer made of a plastic film having a conductor pattern formed on a surface thereof, and the IC chip package is formed into a plastic mold by resin molding. The object of the present invention is to prevent the occurrence of cracks in metal electrode portions of an IC chip package and to prevent the occurrence of package cracks in a plastic IC chip package, and further comprises a liquid crystal polymer film having a conductor pattern formed on the surface. The task is to provide an interposer.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、表面に導電体パター
ンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配
向した等向性を有する液晶ポリマーフィルムからなり、
該液晶ポリマーフィルムは、３〜９ｐｐｍ／℃の線膨張
係数と２８０℃以上の融点を有し、かつ該フィルムにお
ける１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線
膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが０．３〜３の範囲にあることを
特徴とするＩＣチップ実装用インターポーザが提供され
る。また、本発明によれば、前記インターポーザにＩＣ
チップを実装したＩＣチップパッケージが提供される。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have completed the present invention. That is, according to the present invention, the liquid crystal polymer molecules having a conductor pattern on the surface are composed of a liquid crystal polymer film having an isotropic orientation randomly aligned in a planar direction,
The liquid crystal polymer film has a linear expansion coefficient of 3 to 9 ppm / ° C. and a melting point of 280 ° C. or higher, and a linear expansion coefficient A in one plane direction and a linear expansion coefficient B in another plane direction of the film. An interposer for mounting an IC chip, wherein the ratio A / B is in the range of 0.3 to 3 is provided. Further, according to the present invention, the interposer includes an IC.
An IC chip package on which a chip is mounted is provided.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】本発明で用いる液晶ポリマー（Ｌ
ＣＰ）フィルムにおいて、そのＬＣＰとしては、２８０
℃以上の融点を持つサーモトロピック液晶ポリマーであ
れば従来公知の各種のものを用いることができる。この
ような液晶ポリマーとしては、例えば、芳香族ジオー
ル、芳香族カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等のモノ
マーから合成される、溶融時に液晶性を示す芳香族ポリ
エステルがあり、その代表的なものとしては、パラヒド
ロキシ安息香酸（ＰＨＢ）とテレフタル酸とビフェノー
ルからなる第１のタイプのもの（下記式１）や、ＰＨＢ
と２，６−ヒドロキシナフトエ酸からなる第２のタイプ
のもの（下記式２）がある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The liquid crystal polymer (L
CP) film, its LCP is 280
Any conventionally known thermotropic liquid crystal polymer having a melting point of not less than ° C. can be used. As such a liquid crystal polymer, for example, aromatic diol, aromatic carboxylic acid, aromatic polyester synthesized from monomers such as hydroxycarboxylic acid, there is an aromatic polyester that exhibits liquid crystallinity when melted, as typical examples thereof, A first type of parahydroxybenzoic acid (PHB), terephthalic acid and biphenol (formula 1 below), PHB
And 2,6-hydroxynaphthoic acid (formula 2 below).
【０００６】[0006]
【化１】 Embedded image
【０００７】[0007]
【化２】 Embedded image
【０００８】前記一般式（１）のＬＣＰとしては、例え
ば、スミカスーパー（住友化学社）や、Ｘｙｄｅｒ（Ａ
ｍｏｃｏ社）等があり、前記一般式（２）のＬＰＣとし
ては、Ｖｅｃｔｒａ（ヘキスト社）等がある。As the LCP of the general formula (1), for example, Sumika Super (Sumitomo Chemical Co., Ltd.) or Xyder (A
moco), and the LPC of the general formula (2) includes Vectra (Hoechst).
【０００９】本発明で用いるＬＣＰフィルムは、ＬＣＰ
分子が平面方向にランダムに配向したもので、ＬＣＰフ
ィルムに通常見られる異方向性の大幅に解消されたもの
（本明細書では等方向性フィルムと言う）である。前記
等方向性ＬＣＰフィルムは、ＬＣＰフィルムの一方の面
又は両方の面に熱可塑性樹脂多孔質体フィルムを加圧下
及び加熱下で接触させ、少なくとも表面部が軟化した状
態の該ＬＣＰフィルムに該多孔質体フィルムを熱圧着さ
せ、必要に応じて冷却して、該多孔質体フィルムが該Ｌ
ＣＰフィルムに対して１〜５００ｇ／ｃｍの剥離強度で
接合している積層体を得る熱圧着工程と、得られた積層
体を、該ＬＣＰフィルムは溶融するが多孔質体フィルム
は軟化するが（ガラス転移点以上の温度）実質的に溶融
しない温度条件下で、該ＬＣＰの配向方向に対し垂直の
方向に延伸するか又は該ＬＣＰの配向方向と同じ方向に
延伸するとともに、該ＬＣＰ配向方向に対し垂直の方向
に延伸する延伸工程と、得られた積層体延伸物を冷却す
る工程と、冷却された積層体延伸物から多孔質体フィル
ムを剥離する剥離工程によって工業的に有利に製造する
ことができる。The LCP film used in the present invention is LCP
It is a molecule in which molecules are randomly oriented in a planar direction, and in which the anomalous directionality usually seen in the LCP film is largely eliminated (referred to as an isotropic film in this specification). The isotropic LCP film is formed by bringing a thermoplastic resin porous film into contact with one or both surfaces of the LCP film under pressure and heating, and applying the porous material to at least the surface of the LCP film in a softened state. The porous body film is thermocompressed and cooled if necessary, and the porous body film is
A thermocompression bonding step for obtaining a laminate bonded to the CP film with a peel strength of 1 to 500 g / cm, and the obtained laminate is melted with the LCP film but softened with the porous film ( Under a temperature condition that does not substantially melt, the film is stretched in a direction perpendicular to the orientation direction of the LCP or stretched in the same direction as the orientation direction of the LCP. Industrially advantageously produced by a stretching step of stretching in a direction perpendicular to the film, a step of cooling the obtained stretched laminate, and a peeling step of peeling the porous film from the cooled stretched laminate. Can be.
【００１０】前記熱可塑性樹脂多孔質体フィルムとして
は、多孔質構造を有する各種のものが用いられ、その平
均細孔径は０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．２〜
１μｍであり、空孔率は４０〜９５％、好ましくは６０
〜８５％である。このような多孔質体フィルムを形成す
る熱可塑性樹脂としては、具体的には、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミ
ドの他、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化
エチレン等のフッ素樹脂等を例示することができる。こ
れらの熱可塑性樹脂のうち、フッ素樹脂は、その高い耐
熱性によって熱圧着温度を高くすることができ、使用す
る液晶ポリマーを広く選択できるので好ましい。本発明
で用いる好ましい多孔質体フィルムは、耐熱性、耐薬品
性の点で延伸多孔質フッ素樹脂フィルム、特に、延伸多
孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムである。熱可
塑性樹脂多孔質体フィルムは、発泡法や溶媒抽出法、固
相延伸法、フィブリル化法等の従来公知の方法で得るこ
とができる。As the porous film of the thermoplastic resin, various films having a porous structure are used, and the average pore diameter is 0.05 to 5.0 μm, preferably 0.2 to 5.0 μm.
1 μm and a porosity of 40 to 95%, preferably 60 to 95%.
~ 85%. As the thermoplastic resin forming such a porous film, specifically, polyethylene,
Polytetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene in addition to polypropylene, polyetheretherketone, polyethersulfone, polyimide, polyetherimide, polyarylate, polycarbonate, polystyrene, polyvinyl chloride, polyester, polyamide, polyamideimide Copolymers, fluorine resins such as polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride, and poly (chlorotrifluoroethylene) can be exemplified. Among these thermoplastic resins, a fluororesin is preferable because its high heat resistance can increase the thermocompression bonding temperature and a wide selection of a liquid crystal polymer to be used. A preferred porous film used in the present invention is a stretched porous fluororesin film, particularly a stretched porous polytetrafluoroethylene film in terms of heat resistance and chemical resistance. The porous thermoplastic resin film can be obtained by a conventionally known method such as a foaming method, a solvent extraction method, a solid phase drawing method, a fibrillation method, and the like.
【００１１】本発明でインターポーザ用材料として用い
る等方向性ＬＣＰのフィルムを得るには、先ず、ＬＣＰ
又はそのポリマーアロイ（以下、これらを単にＬＣＰと
も言う）の押出し成形フィルムを用意する。この場合の
ＬＣＰの押出し成形フィルムは、異方向性を有し、ＬＣ
Ｐの溶融物を、押出機を用い、その先端のＴダイやイン
フレーションダイを通してフィルム状に押出し成形する
ことによって得ることができる。前記溶融温度は、液晶
ポリマーが溶融状態を示す温度である。押出し成形装置
としては、二軸押出機や、単軸押出機等の慣用の装置が
用いられる。押出し成形フィルムの厚さは、２０μｍ〜
５ｍｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。To obtain an isotropic LCP film used as an interposer material in the present invention, first, an LCP
Alternatively, an extruded film of the polymer alloy (hereinafter, also simply referred to as LCP) is prepared. The extruded film of LCP in this case has an opposite direction, LC
The melt of P can be obtained by extruding into a film using an extruder through a T-die or an inflation die at the tip thereof. The melting temperature is a temperature at which the liquid crystal polymer shows a molten state. As the extruder, a conventional device such as a twin-screw extruder or a single-screw extruder is used. The thickness of the extruded film is from 20 μm
5 mm, preferably 50-800 μm.
【００１２】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におけ
る各工程について詳述すると、以下の通りである。 （熱圧着工程）この工程は、ＬＣＰフィルムＡの両方又
は片方の表面、好ましくは両方の面に多孔質体フィルム
Ｂ−１及びＢ−２をそれぞれ熱圧着させる工程である。
熱圧着温度は、多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２は実質
的に溶融させないが、ＬＣＰフィルムＡの少なくとも表
面部、即ち、多孔質体フィルムＢ−１及びＢ−２に接触
するフィルムＡの表面部のみ又は全体を軟化させる温度
である。The steps in the production of the isotropic LCP film will be described in detail below. (Thermo-compression bonding step) This step is a step of bonding the porous body films B-1 and B-2 to both or one surface of the LCP film A, preferably both surfaces, respectively.
The thermocompression bonding temperature is such that the porous body films B-1 and B-2 do not substantially melt, but the film A which contacts at least the surface portion of the LCP film A, that is, the porous body films B-1 and B-2. Is a temperature at which only the surface portion or the whole is softened.
【００１３】この熱圧着工程においては、ＬＣＰフィル
ムＡは、２つの多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２によ
り、両側から挟まれていることから、その表面部のみに
限らず、全体が軟化状態であってもよい。このような熱
圧着により、ＬＣＰフィルムＡの両面に、多孔質体フィ
ルムＢ−１、Ｂ−２が接合された積層体が形成される。In this thermocompression bonding step, since the LCP film A is sandwiched from both sides by the two porous films B-1 and B-2, not only the surface but also the whole is softened. It may be in a state. By such thermocompression bonding, a laminate in which the porous films B-1 and B-2 are bonded to both surfaces of the LCP film A is formed.
【００１４】前記のようにして積層体を製造する場合、
その熱圧着装置としては、一対の熱圧着ロールや、熱プ
レス装置が用いられる。熱圧着ロールを用いる場合、液
晶ポリマーフィルムＡと２枚の多孔質体フィルムＢ−
１、Ｂ−２を、一対の熱圧着ロールの間の間隙部（クレ
アランス）に供給し、この熱圧着ロール間の間隙部で熱
圧着する。この場合、ＬＣＰフィルムＡの両側に多孔質
体フィルムＢ−１、Ｂ−２を供給する。ＬＣＰフィルム
Ａは固体フィルム又は押出機のＴ−ダイから押出された
溶融物フィルム等であることができる。一方、熱プレス
装置を用いる場合、その熱プレス装置の底板上に第１の
多孔質体フィルムを敷設し、その上にＬＣＰフィルムを
重ね、その上に第２の多孔質体フィルムを重ね、その上
から上板で所定時間加圧して熱圧着し、冷却する。この
場合、底板及び／又は上板を加熱し、ＬＣＰフィルムの
少なくとも表面部を軟化させる。前記のようにして、Ｌ
ＣＰフィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２との
積層体が得られるが、この積層体において、そのＬＣＰ
フィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１又はＢ−２との間
の剥離強度は、１〜５００ｇ／ｃｍ、好ましくは２〜１
００ｇ／ｃｍである。剥離強度が前記範囲よりも小さく
なると、積層体フィルムの延伸に際し、ＬＣＰフィルム
と多孔質体フィルムとの間に剥離が生じ、ＬＣＰフィル
ムの円滑な延伸を行うことが困難になるので好ましくな
い。一方、剥離強度が前記範囲より大きくなると、延伸
後に、多孔質体フィルムを剥離する場合に、その剥離が
困難になるので好ましくない。ＬＣＰフィルムと多孔質
体フィルムとの間の剥離強度は、両者のフィルムの熱圧
着条件により調節することができる。前記で得られた積
層体は、その熱融着の状態のまま又はいったん冷却した
後、次の延伸工程へ送られる。When manufacturing a laminate as described above,
As the thermocompression device, a pair of thermocompression rolls or a thermopress device is used. When a thermocompression bonding roll is used, a liquid crystal polymer film A and two porous films B-
1, B-2 is supplied to a gap (clearance) between a pair of thermocompression rolls, and thermocompression is performed in the gap between the thermocompression rolls. In this case, the porous body films B-1 and B-2 are supplied to both sides of the LCP film A. The LCP film A can be a solid film or a melt film extruded from a T-die of an extruder. On the other hand, when using a hot press device, a first porous film is laid on the bottom plate of the hot press device, an LCP film is laid thereon, and a second porous film is laid thereon. Pressing is carried out for a predetermined period of time with an upper plate from above, followed by thermocompression and cooling. In this case, the bottom plate and / or the top plate are heated to soften at least the surface of the LCP film. As described above, L
A laminate of the CP film A and the porous films B-1 and B-2 is obtained.
The peel strength between the film A and the porous film B-1 or B-2 is 1 to 500 g / cm, preferably 2 to 1 g / cm.
00 g / cm. If the peel strength is less than the above range, peeling occurs between the LCP film and the porous film when the laminate film is stretched, which makes it difficult to smoothly stretch the LCP film. On the other hand, if the peel strength is higher than the above range, it is not preferable because the peeling becomes difficult when the porous film is peeled after stretching. The peel strength between the LCP film and the porous film can be adjusted by the thermocompression bonding conditions of both films. The laminate obtained above is sent to the next stretching step in the state of the heat fusion or after being cooled once.
【００１５】（延伸工程）この工程は、前記積層体フィ
ルム形成工程で得られた積層体フィルムを、その多孔質
フィルムは軟化させるが実質的に溶融せずにＬＣＰフィ
ルムを溶融させる温度条件下で、１軸方向、即ち、その
ＬＣＰの配向方向とは垂直の方向（ＴＤ）へ延伸するか
又は２軸方向、即ち、そのＬＣＰの配向と同じ方向（Ｍ
Ｄ）へ延伸するとともに、それとは垂直方向（ＴＤ）へ
延伸する工程である。１軸延伸の場合、ＴＤへの延伸倍
率は１．５〜１０倍、好ましくは２〜５倍である。２軸
延伸の場合、ＭＤへの延伸倍率は１〜１０倍、好ましく
は１〜５倍であり、ＴＤへの延伸倍率は１．５〜２０
倍、好ましくは３〜１５倍である。また、ＴＤへの延伸
倍率は、ＭＤへの延伸倍率の１．０〜５．０倍、好まし
くは１．５〜３．０倍に規定するのがよい。延伸スピー
ドは、１〜２００％／秒、好ましくは５〜５０％／秒に
するのがよい。延伸装置としては、従来公知の１軸又は
２軸延伸装置を用いることができる。(Stretching Step) In this step, the laminated film obtained in the laminated film forming step is subjected to a temperature condition under which the LCP film is melted without softening the porous film but substantially melting the porous film. Stretching in the uniaxial direction, ie, the direction (TD) perpendicular to the orientation direction of the LCP, or in the biaxial direction, ie, the same direction as the orientation of the LCP (M
This is a step of stretching in the vertical direction (TD) while stretching in D). In the case of uniaxial stretching, the stretching ratio to TD is 1.5 to 10 times, preferably 2 to 5 times. In the case of biaxial stretching, the stretching ratio to MD is 1 to 10 times, preferably 1 to 5 times, and the stretching ratio to TD is 1.5 to 20 times.
Times, preferably 3 to 15 times. Further, the stretching ratio to TD is 1.0 to 5.0 times, preferably 1.5 to 3.0 times the stretching ratio to MD. The stretching speed is 1 to 200% / sec, preferably 5 to 50% / sec. As the stretching device, a conventionally known uniaxial or biaxial stretching device can be used.
【００１６】（冷却工程）この工程は、前記延伸工程で
得られた積層体フィルム延伸物を冷却し、溶融状態の液
晶ポリマーフィルムを冷却固化する工程であり、一対の
冷却ロールを用いて実施することができる。また自然放
冷で行ってもよい。(Cooling Step) This step is a step of cooling the stretched product of the laminated film obtained in the stretching step and cooling and solidifying the liquid crystal polymer film in a molten state, and is carried out using a pair of cooling rolls. be able to. Alternatively, it may be performed by natural cooling.
【００１７】（剥離工程）この工程は、前記冷却工程で
得られた積層体フィルムから、その両表面に熱圧着され
ている多孔質体フィルムを剥離する工程である。前記し
たように、この多孔質体フィルムは、ＬＣＰフィルムに
対しては、剥離可能に接合しているので、その多孔質体
フィルムを、ＬＣＰフィルムより上方に引張ることによ
り容易に剥離することができる。(Peeling Step) This step is a step of peeling the porous film thermocompression-bonded to both surfaces from the laminated film obtained in the cooling step. As described above, since the porous body film is peelably bonded to the LCP film, the porous body film can be easily peeled by pulling the porous body film upward from the LCP film. .
【００１８】以上のようにして、等方向性ＬＣＰフィル
ムを得ることができる。このフィルムは、延伸用原料フ
ィルムとして用いたＬＣＰフィルムにみられる異方向性
の解消されたもので、平面物性の等方向性にすぐれたも
のである。As described above, an isotropic LCP film can be obtained. This film is one in which the anomalous direction observed in the LCP film used as the raw material film for stretching has been eliminated, and is excellent in the isodirectionality of the planar physical properties.
【００１９】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におい
て、その原料ＬＣＰフィルムとしては、充填剤を含有す
るＬＣＰの押出し成形フィルムを用いるのが好ましい。
この場合、充填剤には、無機系及び有機系のものが包含
される。無機系充填剤としては、たとえば、シリカ、ア
ルミナ、酸化チタン等の金属酸化物，炭酸カルシウム、
炭酸バリウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バ
リウム等の金属硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス等のケイ酸塩の他、チタン酸カリウム、チタン酸カル
シウム、ガラス繊維等が挙げられる。有機系充填剤とし
ては、液晶ポリマーの加工温度において溶融しない耐熱
性樹脂粉末や、カーボン、グラファイト、カーボン繊維
等が挙げられる。前記耐熱性樹脂粉末としては、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＣＴＦＥ、ＰＶＤ
Ｆ、Ｅ−ＣＴＦＥ等）、ＬＣＰ等が挙げられる。前記充
填剤において、その平均粒径は０．０１〜５０μｍ、好
ましくは０．１〜１０μｍである。また、充填剤を含有
するＬＣＰ中のその充填剤の含有量は、５〜３０容量
％、好ましくは１０〜２０容量％である。前記押出し成
形フィルムを得るには、ＬＣＰに充填剤を加えて溶融混
合し、得られた混合物を押出機を用い、その先端のＴダ
イやインフレーションダイを通してフィルム状に押出成
形する。前記溶融混合温度は、ＬＣＰが溶融状態を示す
温度である。もちろん、充填剤が樹脂粉末の場合には、
その樹脂粉末が溶融する温度より低い温度である。混合
装置としては、二軸押出機、単軸押出機、ニーダー、ミ
キサー等の慣用の混合装置が用いられる。In the production of the isotropic LCP film, it is preferable to use an extruded LCP film containing a filler as the raw LCP film.
In this case, the filler includes inorganic and organic fillers. Examples of the inorganic filler include metal oxides such as silica, alumina and titanium oxide, calcium carbonate,
Metal carbonates such as barium carbonate; metal sulfates such as calcium sulfate and barium sulfate; silicates such as talc, clay, mica, and glass, as well as potassium titanate, calcium titanate, and glass fibers. Examples of the organic filler include a heat-resistant resin powder that does not melt at the processing temperature of the liquid crystal polymer, carbon, graphite, carbon fiber, and the like. Examples of the heat-resistant resin powder include polyimide, polyetherimide, polyamideimide, polyetheretherketone (PEEK), and fluororesin (PT
FE, FEP, PFA, ETFE, CTFE, PVD
F, E-CTFE, etc.), LCP and the like. The filler has an average particle size of 0.01 to 50 μm, preferably 0.1 to 10 μm. The content of the filler in the LCP containing the filler is 5 to 30% by volume, preferably 10 to 20% by volume. In order to obtain the extruded film, a filler is added to LCP and melt-mixed, and the obtained mixture is extruded into a film through an extruder using a T die or an inflation die. The melt mixing temperature is a temperature at which the LCP indicates a molten state. Of course, if the filler is resin powder,
The temperature is lower than the temperature at which the resin powder melts. As the mixing device, a conventional mixing device such as a twin-screw extruder, a single-screw extruder, a kneader, and a mixer is used.
【００２０】前記のようにして得られる充填剤を含有す
る押出し成形フィルムは、表面状態の良好なフィルムで
あって、厚さ分布の平均値Ｃに対する厚さ分布の標準偏
差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下という厚さ精度にすぐれた
ものである。そして、このような充填剤を含有する押出
し成形フィルムを原料として用いて得られる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、表面状態の非常にすぐれたもので、そ
のフィルムの厚さ分布の平均値Ｃに対するその厚さ分布
の標準偏差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下、特に０．１５〜
０．０２の範囲にある。The extruded film containing the filler obtained as described above is a film having a good surface condition and has a ratio D / C of the standard deviation D of the thickness distribution to the average value C of the thickness distribution. Is excellent in thickness accuracy of 0.2 or less. Then, the isotropic L obtained by using an extruded film containing such a filler as a raw material.
The CP film has a very good surface condition, and the ratio D / C of the standard deviation D of the thickness distribution to the average value C of the thickness distribution of the film is 0.2 or less, particularly 0.15 to 0.15.
It is in the range of 0.02.
【００２１】本発明で用いる等方向性ＬＣＰフィルム
は、通常のＬＣＰフィルムにみられる平面物性の異方向
性の解消されたものであり、平面物性の等方向性にすぐ
れたものである。この場合の平面物性には、線膨張係
数、熱膨張率、熱収縮率、引張り伸度、引張り強度、引
張り弾性率等が包含される。本発明で用いる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、低められた線膨張係数を有する。即
ち、本発明で用いるＬＣＰフィルムは、３〜９ｐｐｍ／
℃の線膨張係数を有する。線膨張係数の下限値は、通
常、３ｐｐｍ／℃程度である。本発明で用いるＬＣＰフ
ィルムは、前記のように、低められた線膨張係数を有す
ると同時に、その線膨張係数の等方向性にすぐれ、フィ
ルムの１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面方向の
線膨張係数Ｂとの比のＡ／Ｂは、０．３〜３、好ましく
は、０．５〜２の範囲にある。インターポーザとして用
いるＬＣＰフィルムにおける前記線膨張係数の等方向性
は非常に重要であり、その線膨張係数に大きな異方向性
があると、信頼性のあるインターポーザ及びＩＣチップ
パッケージを得ることができなくなる。The isotropic LCP film used in the present invention is one in which the anisotropic property of the flat physical properties found in the ordinary LCP film is eliminated, and is excellent in the isotropic property of the flat physical properties. The planar physical properties in this case include a coefficient of linear expansion, a coefficient of thermal expansion, a coefficient of thermal shrinkage, a tensile elongation, a tensile strength, a tensile elastic modulus, and the like. Isotropic L used in the present invention
CP films have a reduced coefficient of linear expansion. That is, the LCP film used in the present invention is 3 to 9 ppm /
It has a linear expansion coefficient of ° C. The lower limit of the linear expansion coefficient is usually about 3 ppm / ° C. As described above, the LCP film used in the present invention has a reduced coefficient of linear expansion, has excellent linear expansion coefficient isotropic properties, and has a linear expansion coefficient A in one plane direction of the film and another plane expansion coefficient. The ratio A / B to the linear expansion coefficient B in the direction is in the range of 0.3 to 3, preferably 0.5 to 2. It is very important that the linear expansion coefficient of the LCP film used as the interposer is isotropic. If the linear expansion coefficient has a large eccentricity, a reliable interposer and IC chip package cannot be obtained.
【００２２】本発明のインターポーザとして用いる等方
向性ＬＣＰフィルムにおいて、その厚さは１０〜１００
０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍ、その線膨張係数
は、３〜９ｐｐｍ／℃及びその吸水率は０．５重量％以
下、好ましくは０．３重量％以下である。また、その吸
湿膨張率（２３℃、８０％ＲＨ）は、通常、０．１％以
下、好ましくは０．０５％以下である。これらの物性
は、ＬＣＰの種類や、ＬＣＰの押出し成形条件、ＬＣＰ
フィルムの延伸条件等によって調節することができる。
本発明においては、ＬＣＰフィルムには、特に、無機充
填剤を含有させることが好ましい。無機充填剤を含有す
るＬＣＰフィルムは、熱伝導性が向上し、高い放熱効果
を有することから、インターポーザとしての機能におい
てすぐれている。この場合の無機充填剤としては、特
に、シリカ、アルミナ、チタニア等を粉末状やウイスカ
ー状で用いるのが好ましく、その含有量は、特に、５〜
３０容量％、好ましくは１０〜２０容量％である。The thickness of the isotropic LCP film used as the interposer of the present invention is 10 to 100.
0 μm, preferably 20 to 100 μm, its coefficient of linear expansion is 3 to 9 ppm / ° C., and its water absorption is 0.5% by weight or less, preferably 0.3% by weight or less. The coefficient of hygroscopic expansion (23 ° C., 80% RH) is usually 0.1% or less, preferably 0.05% or less. These properties are determined by the type of LCP, the extrusion molding conditions of LCP, LCP
It can be adjusted by stretching conditions of the film.
In the present invention, it is particularly preferable that the LCP film contains an inorganic filler. The LCP film containing an inorganic filler has an excellent function as an interposer because it has improved thermal conductivity and a high heat dissipation effect. As the inorganic filler in this case, it is particularly preferable to use silica, alumina, titania, or the like in the form of a powder or whisker.
It is 30% by volume, preferably 10 to 20% by volume.
【００２３】本発明で用いる前記ＬＣＰフィルムは、そ
の表面に導電体パターンを形成させて、ＩＣチップを実
装する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示
す。即ち、ＬＣＰフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）は、
平面のどの方向をとっても３〜９ｐｐｍ／℃の範囲にあ
り、ＩＣチップの線膨張係数３ｐｐｍ／℃とほぼマッチ
ングしている。従って、ＩＣチップをＬＣＰフィルムに
実装する場合に、半田バンプ等の金属接合部に生じる熱
応力を著しく軽減することができ、接合部の信頼性を大
幅に向上させることができる上、ＩＣチップ自体に生じ
る応力を軽減できるので、ＩＣチップの機能低下も防ぐ
ことができ、さらに、ＩＣチップ自体のクラック（引張
応力で１００ＭＰａ以上、圧縮応力で５００ＭＰａ以上
で一般的にはクラックを生じる）も効果的に防止するこ
とができる。以上のように、本発明による等方向性ＬＣ
ＰフィルムからなるインターポーザとするＩＣチップパ
ッケージは、ＩＣチップとインターポーザとの間の熱応
力の発生を減じ、パッケージ信頼性が著しく向上したも
のである。また、本発明による前記ＩＣチップパッケー
ジをプラスチックモールドしたプラスチック型ＩＣチッ
プパッケージ（ＣＳＰ、ＢＧＡ等）は、ＬＣＰフィルム
が非常に低い吸水率（０．１％以下）を示し、ＰＣＴ
（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）（１２
１℃、２ａｔｍ、湿度１００％）、６５℃／９５％ＲＨ
及び８５℃／８５％ＲＨ等の吸湿試験においても、性能
劣化やパッケージクラックを何ら生じることはなく、非
常に高いパッケージ信頼性を有する。The LCP film used in the present invention exhibits an excellent effect as an interposer when an IC chip is mounted by forming a conductor pattern on the surface thereof. That is, the linear expansion coefficient (CTE) of the LCP film is
In any direction of the plane, it is in the range of 3 to 9 ppm / ° C., which almost matches the linear expansion coefficient of the IC chip of 3 ppm / ° C. Therefore, when the IC chip is mounted on the LCP film, the thermal stress generated in the metal joint such as a solder bump can be significantly reduced, and the reliability of the joint can be greatly improved. Can reduce the stress generated in the IC chip, thereby preventing the function of the IC chip from deteriorating. Further, cracking of the IC chip itself (generally cracking at a tensile stress of 100 MPa or more and a compressive stress of 500 MPa or more) is also effective. Can be prevented. As described above, the isotropic LC according to the present invention
In an IC chip package which is an interposer made of a P film, generation of thermal stress between the IC chip and the interposer is reduced, and package reliability is significantly improved. Also, the plastic IC chip package (CSP, BGA, etc.) obtained by plastic-molding the IC chip package according to the present invention has a very low water absorption rate (0.1% or less) of the LCP film, and a PCT.
(Pressure Cooker Test) (12
1 ° C, 2atm, humidity 100%), 65 ° C / 95% RH
Even in a moisture absorption test at 85 ° C./85% RH, etc., there is no performance deterioration or package cracking, and the package has very high package reliability.
【００２４】ＬＣＰフィルム上に形成する導電体パター
ンにおいて、その導電体としては、各種の導電性金属、
例えば、銅、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金等のインバー型合金
等が用いられる。インバー型合金としては、特に、線膨
張係数が７ｐｐｍ／℃以下のものの使用が好ましく、こ
れにより、そりや歪の低減されたインターポーザを得る
ことができる。また、ＬＣＰフィルム上にＩＣチップを
実装する場合、その実装方式としては、従来公知の各種
の方式、例えば、ワイヤーボンディングの他、フリップ
チップ方式、ビームリード方式、ＴＡＢ方式、ＳＴＤ方
式等を採用することができる。本発明によるＬＣＰフィ
ルムからなるインターポーザは、前記のように、線膨張
係数が小さく、ＩＣチップの線膨張係数に近いことか
ら、特に、フリップチップ方式によりＩＣチップを実装
する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示す。In the conductor pattern formed on the LCP film, the conductor may be any of various conductive metals,
For example, an invar-type alloy such as copper and a 42% Ni-Fe alloy is used. As the Invar type alloy, it is particularly preferable to use an alloy having a coefficient of linear expansion of 7 ppm / ° C. or less, whereby an interposer with reduced warpage and distortion can be obtained. In the case of mounting an IC chip on an LCP film, as a mounting method, various conventionally known methods, for example, a flip chip method, a beam lead method, a TAB method, an STD method, etc. are adopted in addition to wire bonding. be able to. As described above, the interposer made of the LCP film according to the present invention has a small linear expansion coefficient and is close to the linear expansion coefficient of the IC chip. Therefore, the interposer is excellent as an interposer particularly when an IC chip is mounted by a flip chip method. Is shown.
【００２５】[0025]
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
【００２６】参考例１ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）を、単軸押出機（スクリュー径５
０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リップ
長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダイ
温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却して厚
さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、Ｔ
Ｄ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であった。
最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィル
ムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸
フィルム（ａ−１）を得た。Reference Example 1 A thermotropic liquid crystal polymer (Sumika Super E6000, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was fed into a single screw extruder (screw diameter 5).
0 mm), extruded into a film from a T-die (lip length 300 mm, lip clearance 1.0 mm, die temperature 350 ° C.) at the tip of the extruder, and cooled to obtain a 250 μm thick liquid crystal polymer film. Was. A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.2 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 330 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min) and a pair of cooling rolls (temperature 150 ° C) after thermocompression bonding with a laminator having
And cooled. The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time were as follows: a stretching temperature of 350 ° C., a stretching ratio of 1.3 in the MD direction, and T
The drawing direction was 3.9 times, and the stretching speed was 20% / sec.
Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a stretched liquid crystal polymer film (a-1) having a thickness of 50 μm.
【００２７】参考例２ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−２）を得た。Reference Example 2 90 parts by weight of a thermotropic liquid crystal polymer (Sumika Super E6000, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and 10 parts by weight of natural silica (average particle size: 3 μm, FS-15 manufactured by Denki Kagaku Co., Ltd.)
The mixture was melt-mixed using a twin-screw extruder, extruded from a strand die at the tip, and formed into pellets with a pelletizer. Next, the pellet was melted in a single screw extruder (screw diameter 50 mm), and a T die (lip length 300 mm, lip clearance 1.0 mm,
(Die temperature: 350 ° C.), extruded into a film, and cooled to obtain a liquid crystal polymer film having a thickness of 250 μm. A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.2 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 330 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min), and a pair of chill rolls (temperature 150).
° C). The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time were a stretching temperature of 350 ° C., a stretching ratio of 1.3 in the MD direction,
It was 3.9 times in the TD direction and the stretching speed was 20% / sec. Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a stretched liquid crystal polymer film (a-2) having a thickness of 50 μm.
【００２８】参考例３ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ６５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ１２５μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−３）を得た。Reference Example 3 90 parts by weight of a thermotropic liquid crystal polymer (Sumika Super E6000 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and 10 parts by weight of natural silica (average particle size: 3 μm, FS-15 manufactured by Denki Kagaku Co., Ltd.)
The mixture was melt-mixed using a twin-screw extruder, extruded from a strand die at the tip, and formed into pellets with a pelletizer. Next, this pellet was melted in a single screw extruder (screw diameter 50 mm), and a T die (lip length 300 mm, lip clearance 2.5 mm,
The film was extruded from a die temperature of 350 ° C.) and cooled to obtain a liquid crystal polymer film having a thickness of 650 μm. A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.2 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 330 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min), and a pair of chill rolls (temperature 150).
° C). The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time were a stretching temperature of 350 ° C., a stretching ratio of 1.3 in the MD direction,
It was 3.9 times in the TD direction and the stretching speed was 20% / sec. Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a liquid crystal polymer stretched film (a-3) having a thickness of 125 μm.
【００２９】参考例４ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）を、単軸押出機（スクリュー径
５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リッ
プ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダ
イ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷却して
厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液
晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均
孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１００
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６倍、
ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−４）を得た。Reference Example 4 A thermotropic liquid crystal polymer (Vectra A950, manufactured by Polyplastics Co., Ltd.) was melted in a single screw extruder (screw diameter: 50 mm), and a T die (lip length: 300 mm, lip length) at the tip of the extruder was melted. The film was extruded from a film with a clearance of 1.0 mm and a die temperature of 300 ° C., and cooled to obtain a liquid crystal polymer film having a thickness of 250 μm. A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.5 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 280 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min), and a pair of cooling rolls (temperature 100
° C). The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time were a stretching temperature of 300 ° C., a stretching ratio of 1.6 times in the MD direction,
It was 3.2 times in the TD direction and the stretching speed was 20% / sec. Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a 50 μm thick liquid crystal polymer stretched film (a-4).
【００３０】参考例５ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）９０重量部と天然シリカ（平均
粒径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部と
を、二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先
端のストランドダイから押出してペレタイザーをペレッ
トに成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリ
ュー径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ
（リップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍ
ｍ、ダイ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷
却して厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。
この液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多
孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム
（平均孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロ
ール（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラ
ミネーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１
００℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィ
ルムの剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このよう
にして得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延
伸条件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６
倍、ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であ
った。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマー
フィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−５）を得た。Reference Example 5 A twin-screw extruder comprising 90 parts by weight of a thermotropic liquid crystal polymer (Vectra A950, manufactured by Polyplastics Co., Ltd.) and 10 parts by weight of natural silica (average particle size: 3 μm, FS-15 manufactured by Denki Kagaku Co., Ltd.) , And extruded from a strand die at the tip to form a pelletizer into pellets. Next, the pellet is melted in a single screw extruder (screw diameter 50 mm), and a T die (lip length 300 mm, lip clearance 2.5 m) at the tip of the extruder is melted.
m, a die temperature of 300 ° C.) and cooled to obtain a liquid crystal polymer film having a thickness of 250 μm.
A porous polytetrafluoroethylene (PTFE) film having a thickness of 40 μm (average pore diameter: 0.5 μm, porosity: 80%) is provided on both sides of the liquid crystal polymer film by a pair of heat rolls (temperature: 280 ° C., roll peripheral speed: 2 m). / Min), and a pair of cooling rolls (temperature 1)
00 ° C.). The peel strength of the PTFE film of this laminate was 5 g / cm. Next, the laminate thus obtained was stretched by a biaxial stretching machine. The stretching conditions at this time are a stretching temperature of 300 ° C. and a stretching ratio of 1.6 in the MD direction.
Times, 3.2 times in the TD direction, and a stretching speed of 20% / sec. Finally, the porous PTFE film was peeled off from both sides of the liquid crystal polymer film to obtain a liquid crystal polymer stretched film (a-5) having a thickness of 50 μm.
【００３１】以上で得た各々の液晶ポリマーフィルムの
物性を以下のようにして測定し、その結果を表１に示
す。 （１）ＴＤ厚さ分布 ダイヤルゲージのニードル型測定子（ミツトヨ社製、先
端Ｒ：０．４ｍｍ）を鉛直方向に向かい合わせて固定
し、１００ｇの力で接触させる。つぎにこの測定子間に
サンプルフィルムをはさみ、ＴＤ方向に移動させる。こ
のようにして、フィルムのＴＤの厚さ分布データを得
る。 （ｉ）平均値Ｃ １０００ｍｍ幅、０．５ｍｍ間隔で２０００ポイント測
定し、その平均値を求めた。 （ｉｉ）標準偏差Ｄ 前記平均値Ｃに対する２０００ポイントの標準偏差Ｄを
求めた。 （２）線膨張係数 ＴＭＡ法：荷重５ｇ、２００℃まで昇温後、１５０℃か
ら２５℃への降温時に測定。試料幅４．０ｍｍ、チャッ
ク間隔１０ｍｍ。 （３）吸水率 ５×５ｃｍのフィルムを真水中に２４時間浸漬し、その
前後の重量を測定して吸水量を算出し、その浸漬前のフ
ィルム重量に対する％で示した。The physical properties of each of the liquid crystal polymer films obtained as described above were measured as follows, and the results are shown in Table 1. (1) TD thickness distribution A needle-type measuring element of a dial gauge (manufactured by Mitutoyo Corporation, tip R: 0.4 mm) is vertically opposed and fixed, and is contacted with a force of 100 g. Next, a sample film is sandwiched between the probes and moved in the TD direction. In this way, TD thickness distribution data of the film is obtained. (I) Average value C 2000 points were measured at 1000 mm width and 0.5 mm interval, and the average value was obtained. (Ii) Standard deviation D A standard deviation D of 2000 points with respect to the average value C was obtained. (2) Coefficient of linear expansion TMA method: Measured at a load of 5 g, after the temperature was raised to 200 ° C, and when the temperature was lowered from 150 ° C to 25 ° C. Sample width 4.0 mm, chuck interval 10 mm. (3) Water Absorption A 5 × 5 cm film was immersed in fresh water for 24 hours, the weight before and after the immersion was measured to calculate the amount of water absorption, and the result was shown as a percentage of the film weight before immersion.
【００３２】[0032]
【表１】 [Table 1]
【００３３】実施例１ 参考例１で示した厚さ５０μｍのＬＣＰフィルムに、図
３に示すように、銅を蒸着して導電体部を形成した。こ
のフィルムの幅は３５ｍｍで、導電体部は幅２６ｍｍ
で、両サイドにスプロケット孔を設けた３５ｍｍ幅のス
タンダードＴＡＢフィルムキャリアの仕様とした。テー
プは長さ２０ｍの長尺で、連続蒸着した後、メッキ法で
厚さ１０μｍに銅を厚くした。導電体は両面に形成し
た。エキシマレーザを用いて直径４０μｍのスルーホー
ルをあけ、スルーホールメッキを行い、両面にそれぞれ
電極パターンを形成した。片面の基板実装側の外部端子
には、さらに半田バンプを形成した。以上の工程によ
り、ＣＳＰ用のインターポーザを得た。Example 1 As shown in FIG. 3, copper was vapor-deposited on the 50 μm thick LCP film shown in Reference Example 1 to form a conductor portion. The width of this film is 35 mm, and the width of the conductor is 26 mm.
Thus, a standard TAB film carrier having a width of 35 mm with sprocket holes on both sides was used. The tape was as long as 20 m long, and after continuous vapor deposition, copper was thickened to a thickness of 10 μm by plating. Conductors were formed on both sides. Using an excimer laser, a through hole having a diameter of 40 μm was formed, plated through the hole, and an electrode pattern was formed on each side. Solder bumps were further formed on the external terminals on one side of the substrate. Through the above steps, an interposer for CSP was obtained.
【００３４】実施例２ 図４に示すように、実施例１で得たインターポーザにＩ
Ｃチップをフリップチップ方式で実装した。接合部はＰ
ｂリッチの高融点半田バンプとした。さらにこれをエポ
キシ系レジンでトランスファーモールドで封止し、４箇
所の吊り部を切断して、ＣＳＰを得た。Example 2 As shown in FIG. 4, the interposer obtained in Example 1
The C chip was mounted by the flip chip method. The joint is P
A b-rich high melting point solder bump was used. This was further sealed with an epoxy resin by transfer molding, and four hanging portions were cut to obtain a CSP.
【００３５】実施例３ 図５に示すように、インナーリード部を熱圧着するタイ
プのインターポーザを作製した。これは、参考例２のＬ
ＣＰフィルムの表面をＫＯＨ溶液で処理して、銅を０．
５μｍ蒸着し、電気メッキで２５ｍｍ厚にして導電体部
を形成した。エキシマレーザでスルーホールをあけ、ス
ルーホールメッキしたのち、エッチングでパターンを形
成した。さらに、外部端子に半田バンプを形成した。こ
うして、インナーリード付ＢＧＡタイプのインターポー
ザを得た。Example 3 As shown in FIG. 5, an interposer of a type in which an inner lead portion is thermocompression-bonded was manufactured. This is equivalent to L in Reference Example 2.
The surface of the CP film is treated with a KOH solution to remove copper from the surface.
5 μm was deposited, and the thickness was 25 mm by electroplating to form a conductor portion. After forming a through hole with an excimer laser and plating the through hole, a pattern was formed by etching. Further, solder bumps were formed on the external terminals. Thus, a BGA type interposer with inner leads was obtained.
【００３６】実施例４ 図６に示すように、実施例３のインターポーザにＡｕバ
ンプ付ＩＣチップをインターポーザのインナーリード部
に５００℃で熱圧着した。これを、エポキシ系レジンで
封止して、ＢＧＡタイプのＣＳＰができた。Example 4 As shown in FIG. 6, an IC chip with an Au bump was thermocompression-bonded to the inner lead portion of the interposer at 500.degree. This was sealed with an epoxy resin to obtain a BGA type CSP.
【００３７】実施例５ 図７に示すように、ＩＣチップの放熱性を高めるため、
参考例３で得たＳｉＯ２フィラー１０重量％を含有する
ＬＣＰフィルム（厚さ１２５μｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：７
ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：８ｐｐｍ／℃）にスルーホール、
インナーパッド、アウターパッドを設けたものにＩＣチ
ップを熱伝導性の高いダイボンディング樹脂で接着し、
ワイヤーボンディングした後、保護用樹脂で封止して、
ＩＣパッケージを得た。このものは、ＩＣチップに生じ
る熱応力が小さく良好なパッケージである。Embodiment 5 As shown in FIG. 7, in order to enhance the heat dissipation of the IC chip,
LCP film containing 10% by weight of SiO 2 filler obtained in Reference Example 3 (thickness: 125 μm, CTE; X direction: 7)
ppm / ° C, Y direction: 8 ppm / ° C)
The IC chip is bonded to the one with the inner pad and outer pad with a die bonding resin with high thermal conductivity.
After wire bonding, seal with protective resin,
An IC package was obtained. This is a good package with small thermal stress generated in the IC chip.
【００３８】実施例６ 図８に示すように、リードフレームタイプのＣＳＰに、
ＬＣＰフィルムの保護及び絶縁のための層を設けたもの
である。まず、リードフレームのワイヤーボンディング
のセカンド面に対して裏面に実施例５で示したＬＣＰフ
ィルムを貼り付ける。この絶縁体付リードフレームにＩ
Ｃチップをフェースダウンで接着し、ワイヤーボンディ
ングを行う。さらに樹脂で封止してＣＳＰができ上が
る。このものは、ＩＣチップとＣＴＥ値が近いＬＣＰフ
ィルムを用いたことで、リードフレームとＩＣチップと
のＣＴＥ値のミスマッチによって生じる熱応力が軽減で
き、良好なＣＳＰを得ることができた。Embodiment 6 As shown in FIG. 8, a lead frame type CSP is
It is provided with a layer for protecting and insulating the LCP film. First, the LCP film shown in Example 5 is attached to the back surface of the second surface of the lead frame for wire bonding. This lead frame with insulator
The C chip is bonded face down, and wire bonding is performed. CSP is completed by sealing with resin. In this case, by using an LCP film having a CTE value close to that of the IC chip, thermal stress caused by mismatch of the CTE value between the lead frame and the IC chip could be reduced, and a good CSP could be obtained.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明のインターポーザは、融点が２８
０℃以上と高く、半田耐熱性にすぐれ、かつ線膨張率を
低くコントロールした特定物性のＬＣＰフィルムを用い
て構成したことから、信頼性の高いＩＣチップパッケー
ジを与えるもので、その産業的意義は非常に高い。本発
明のＩＣチップパッケージは、そのインターポーザに線
膨張係数がＩＣチップの線膨張係数である３ｐｐｍ／℃
に近いＬＣＰフィルムからなるインターポーザを用いた
ことにより、従来のポリイミドフィルムをインターポー
ザとして用いたものよりも接合部の信頼性が高く、さら
にこれを樹脂モールドしたパッケージにおいては、ＬＣ
Ｐフィルムの吸水率が低いことにより、パッケージクラ
ックを低減できる。また、従来のセラミックスインター
ポーザに比べ、安価でかつ薄いパッケージとすることが
できる。さらに、本発明のＩＣチップパッケージの場
合、そのＬＣＰフィルムの吸水率が低く、かつそのモー
ルド樹脂との接着性が良いことから、モールドする樹脂
の量を少なくでき、安価で、薄く、軽くすることができ
る。そして、軽いＣＳＰ、ＢＧＡは大変な利点がある。
これはこのようなパッケージを基板に実装する際に行
う、半田バンプを用いたＣＣＢ（コントロール、コラッ
プス、ボンディング）法による接合の際、軽い方がより
セルファライメントがききやすい点である。The interposer of the present invention has a melting point of 28.
Since it is composed of LCP film with high specificity of 0 ° C or higher, excellent solder heat resistance and low linear expansion coefficient, it provides a highly reliable IC chip package, and its industrial significance is Very high. In the IC chip package of the present invention, the linear expansion coefficient of the interposer is 3 ppm / ° C., which is the linear expansion coefficient of the IC chip.
The use of an interposer made of an LCP film close to that of the conventional technology makes the reliability of the joint higher than that of a conventional product using a polyimide film as the interposer.
Due to the low water absorption of the P film, package cracks can be reduced. In addition, compared to the conventional ceramic interposer, it is possible to make the package cheaper and thinner. Furthermore, in the case of the IC chip package of the present invention, since the water absorption of the LCP film is low and the adhesiveness to the molding resin is good, the amount of resin to be molded can be reduced, and the cost can be reduced, thin, and light. Can be. Light CSP and BGA have great advantages.
This is because, when such a package is mounted on a substrate, when the bonding is performed by a CCB (control, collapse, bonding) method using solder bumps, the lighter the cell, the easier the self-alignment becomes.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】ポリイミドフィルムを用いた従来のＩＣチップ
パッケージの断面図を示す。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a conventional IC chip package using a polyimide film.
【図２】図１のＩＣチップパッケージを樹脂モールドし
て形成したプラスチックモールド型ＣＳＰの断面図を示
す。[2] The IC chip package of FIG. 1 shows a cross-sectional view of the plastic molding de type CSP formed by resin molding.
【図３】本発明のインターポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＡ−Ａ’断面図FIG. 3 shows a structural explanatory view of the interposer of the present invention. a: Schematic diagram b: AA ' cross - sectional view
【図４】図３に示すインターポーザにＩＣチップを実装
し、さらに樹脂モールドして形成したプラスチックモー
ルド型ＣＳＰの断面図を示す。FIG. 4 is a cross-sectional view of a plastic mold type CSP formed by mounting an IC chip on the interposer shown in FIG. 3 and further performing resin molding.
【図５】本発明によるインナーリード付ＣＳＰ用インタ
ーポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図FIG. 5 is a structural explanatory view of a CSP interposer with inner leads according to the present invention. a: Schematic diagram b: BB 'cross-sectional view
【図６】図５に示すインターポーザを用いて形成したＣ
ＳＰの断面図を示す。FIG. 6 shows a C formed using the interposer shown in FIG.
2 shows a cross-sectional view of SP.
【図７】本発明のシリカ含有インターポーザを用いて形
成したワイヤーボンディングタイプＩＣチップパッケー
ジの断面図を示す。FIG. 7 is a cross-sectional view of a wire bonding type IC chip package formed using the silica-containing interposer of the present invention.
【図８】本発明のインターポーザを用いたリードフレー
ムタイプＣＳＰの断面図を示す。FIG. 8 is a cross-sectional view of a lead frame type CSP using the interposer of the present invention.
【符号の説明】 １ ＩＣチップ ２ 半田バンプ ３ インナーパッド ４ アウターパッド ５ ポリイミドフィルム ６ スルーホール ７ インターポーザ ８ ＬＣＰフィルム ９ 封止レジン １０ ＣＳＰ １１ 吊り部 １２ スプロケットホール １３ 外部端子用半田バンプ １４ インナーリード １５ Ａｕバンプ １６ 接着樹脂 １７ Ａｕワイヤー １８ ダイボンド樹脂 １９ リードフレーム ２０ Ａｌパッド[Description of Signs] 1 IC chip 2 Solder bump 3 Inner pad 4 Outer pad 5 Polyimide film 6 Through hole 7 Interposer 8 LCP film 9 Sealing resin 10 CSP 11 Hanging part 12 Sprocket hole 13 Solder bump for external terminal 14 Inner lead 15 Au bump 16 Adhesive resin 17 Au wire 18 Die bond resin 19 Lead frame 20 Al pad
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浦上 明 東京都世田谷区赤堤１丁目42番５号 ジャ パンゴアテックス株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Akira Urakami 1-42-5 Akatsutsumi, Setagaya-ku, Tokyo Inside Japango Tex Co., Ltd.
Claims (5)
マー分子が平面方向にランダムに配向した均方向性を有
する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフ
ィルムは、３〜１５ｐｐｍ／℃の線膨張係数と２８０℃
以上の融点を有し、かつ該フィルムにおける１つの平面
方向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂの比
Ａ／Ｂが０．３〜３の範囲にあることを特徴とするＩＣ
チップ実装用インターポーザ。1. A liquid crystal polymer film having uniformity in which liquid crystal polymer molecules having a conductor pattern on the surface are randomly oriented in a plane direction. The liquid crystal polymer film has a linear expansion coefficient of 3 to 15 ppm / ° C. 280 ° C
The film has the above melting point, and the ratio A / B of the linear expansion coefficient A in one plane direction to the linear expansion coefficient B in another plane direction of the film is in the range of 0.3 to 3. IC
Interposer for chip mounting.
の線膨張係数を有するインバー型合金からなる請求項１
のＩＣチップ実装用インターポーザ。2. The conductor pattern is made of an Invar alloy having a linear expansion coefficient of 7 ppm / ° C. or less.
Interposer for mounting IC chips.
チップを実装したＩＣチップパッケージ。3. The interposer according to claim 1, wherein the interposer is an IC.
IC chip package on which the chip is mounted.
型ＩＣチップパッケージとした請求項３のＩＣチップパ
ッケージ。4. The IC chip package according to claim 3, wherein said IC chip package is made of a plastic mold by resin molding.
ップ方式である請求項３又は４のＩＣチップパッケー
ジ。5. The IC chip package according to claim 3, wherein the mounting method of the IC chip is a flip chip method.
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|---|---|---|---|
| JP18853496A JP3642885B2 (en) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | IC chip mounting interposer and IC chip package |
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|---|---|
| JPH1022351A true JPH1022351A (en) | 1998-01-23 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762484B2 (en) | 2000-05-02 | 2004-07-13 | Gerhard Span | Thermoelectric element |
| JP2018026403A (en) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 株式会社フジクラ | Mounting body and method of manufacturing the mounting body |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP18853496A patent/JP3642885B2/en not_active Expired - Lifetime
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