JPH1022351A - Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージ - Google Patents
Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージInfo
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- JPH1022351A JPH1022351A JP8188534A JP18853496A JPH1022351A JP H1022351 A JPH1022351 A JP H1022351A JP 8188534 A JP8188534 A JP 8188534A JP 18853496 A JP18853496 A JP 18853496A JP H1022351 A JPH1022351 A JP H1022351A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電体パターンを表面に形成したプラスチッ
クフィルムからなるインターポーザにＩＣチップを実装
したＩＣチップパッケージ及び該ＩＣチップパッケージ
を樹脂モールドしてプラスチックモールド型としたＩＣ
チップパッケージにおいて、金属電極部分におけるクラ
ックの発生を防止するとともに、プラスチック型ＩＣチ
ップパッケージにおけるパッケージクラックの発生を防
止することをその課題とし、さらに導電体パターンを表
面に形成した液晶ポリマーフィルムからなるインターポ
ーザを提供する。 【解決手段】 表面に導電体パターンを有する液晶ポリ
マー分子が平面方向にランダムに配向した均方向性を有
する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフ
ィルムは、３〜９ｐｐｍ／℃の線膨張係数と２８０℃以
上の融点を有し、かつ該フィルムにおける１つの平面方
向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂの比Ａ
／Ｂが０．３〜３の範囲にあることを特徴とするＩＣチ
ップ実装用インターポーザ及び前記インターポーザにＩ
Ｃチップを実装したＩＣチップパッケージ。
クフィルムからなるインターポーザにＩＣチップを実装
したＩＣチップパッケージ及び該ＩＣチップパッケージ
を樹脂モールドしてプラスチックモールド型としたＩＣ
チップパッケージにおいて、金属電極部分におけるクラ
ックの発生を防止するとともに、プラスチック型ＩＣチ
ップパッケージにおけるパッケージクラックの発生を防
止することをその課題とし、さらに導電体パターンを表
面に形成した液晶ポリマーフィルムからなるインターポ
ーザを提供する。 【解決手段】 表面に導電体パターンを有する液晶ポリ
マー分子が平面方向にランダムに配向した均方向性を有
する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフ
ィルムは、３〜９ｐｐｍ／℃の線膨張係数と２８０℃以
上の融点を有し、かつ該フィルムにおける１つの平面方
向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂの比Ａ
／Ｂが０．３〜３の範囲にあることを特徴とするＩＣチ
ップ実装用インターポーザ及び前記インターポーザにＩ
Ｃチップを実装したＩＣチップパッケージ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック材料
からなるインターポーザ及びこれにＩＣチップを実装し
たＩＣチップパッケージに関するものである。
からなるインターポーザ及びこれにＩＣチップを実装し
たＩＣチップパッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、インターポーザとしてポリイミド
フィルムを用い、これにＩＣチップをフリップチップ方
式で実装したＩＣパッケージは知られている。その断面
図を図１に示す。図１において、１はＩＣチップ、２は
半田バンプ、３はインナーパッド、４はアウターパッ
ド、５はポリイミドフィルム、６はスルーホールを示
し、７はそれらから構成されるＩＣパッケージを示す。
このような従来のＩＣパッケージにおいては、そのイン
ターポーザとしてのポリイミドフィルムの線膨張係数
（α）は１５〜２５ｐｐｍ／℃の範囲にあり、ＩＣチッ
プ（Ｓｉ製）の線膨張係数３ｐｐｍ／℃に比べてかなり
大きいため、電気的な接合部である金属電極部分（半田
バンプ、金バンプ、Ａｌパッド、Ａｌパッド下地、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｗ等の電極保護被膜等）にクラックが入り易
く、接合部の信頼性に問題があった。また、急激な温度
差が生じた場合には、ＩＣチップ自体にもクラックを生
じる等の問題もあった。一般的に、接合部の信頼性は、
温度サイクルやヒートショック試験等の加速試験で評価
されるが、接合部のクラックの原因は繰返し応力による
疲労破壊である。この応力は、ＩＣチップとインターポ
ーザの材質との間の線膨張係数（α）の差より生じるも
のである。現在、インターポーザとしては、ポリイミド
フィルム（α＝１５〜２５ｐｐｍ／℃）、ガラス布ＢＴ
レジン基板（α＝１５ｐｐｍ／℃）が用いられている
が、ＩＣチップ（α＝３ｐｐｍ／℃）から大きくはなれ
た線膨張係数をもつために、疲労破壊を生じさせる程の
応力が生じるという問題を有している。一方、プラスチ
ックモールドされたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）の場合には、パッケージクラックの問題が
ある。図２に、図１に示したＩＣパッケージを樹脂モー
ルドしてプラスチック型ＣＳＰとした製品の断面図を示
す。この図２において、符号１〜７は前記と同じ意味を
有し、９は封止レジン、１０はプラスチック型ＣＳＰを
示す。このようなＣＳＰにおいては、図２に示すよう
に、プラスチック封止ＣＳＰのポリイミドフィルム露出
部（サイド又はパッケージ裏面（外部端子側）から、ポ
リイミドフィルムの吸水率が高い（２．４％程度）ため
に、水分がパッケージ内に浸入し易く、これによりたま
った水分が高温下で水蒸気となり、その応力でパッケー
ジクラックを生じさせる。
フィルムを用い、これにＩＣチップをフリップチップ方
式で実装したＩＣパッケージは知られている。その断面
図を図１に示す。図１において、１はＩＣチップ、２は
半田バンプ、３はインナーパッド、４はアウターパッ
ド、５はポリイミドフィルム、６はスルーホールを示
し、７はそれらから構成されるＩＣパッケージを示す。
このような従来のＩＣパッケージにおいては、そのイン
ターポーザとしてのポリイミドフィルムの線膨張係数
（α）は１５〜２５ｐｐｍ／℃の範囲にあり、ＩＣチッ
プ（Ｓｉ製）の線膨張係数３ｐｐｍ／℃に比べてかなり
大きいため、電気的な接合部である金属電極部分（半田
バンプ、金バンプ、Ａｌパッド、Ａｌパッド下地、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｗ等の電極保護被膜等）にクラックが入り易
く、接合部の信頼性に問題があった。また、急激な温度
差が生じた場合には、ＩＣチップ自体にもクラックを生
じる等の問題もあった。一般的に、接合部の信頼性は、
温度サイクルやヒートショック試験等の加速試験で評価
されるが、接合部のクラックの原因は繰返し応力による
疲労破壊である。この応力は、ＩＣチップとインターポ
ーザの材質との間の線膨張係数（α）の差より生じるも
のである。現在、インターポーザとしては、ポリイミド
フィルム（α＝１５〜２５ｐｐｍ／℃）、ガラス布ＢＴ
レジン基板（α＝１５ｐｐｍ／℃）が用いられている
が、ＩＣチップ（α＝３ｐｐｍ／℃）から大きくはなれ
た線膨張係数をもつために、疲労破壊を生じさせる程の
応力が生じるという問題を有している。一方、プラスチ
ックモールドされたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）の場合には、パッケージクラックの問題が
ある。図２に、図１に示したＩＣパッケージを樹脂モー
ルドしてプラスチック型ＣＳＰとした製品の断面図を示
す。この図２において、符号１〜７は前記と同じ意味を
有し、９は封止レジン、１０はプラスチック型ＣＳＰを
示す。このようなＣＳＰにおいては、図２に示すよう
に、プラスチック封止ＣＳＰのポリイミドフィルム露出
部（サイド又はパッケージ裏面（外部端子側）から、ポ
リイミドフィルムの吸水率が高い（２．４％程度）ため
に、水分がパッケージ内に浸入し易く、これによりたま
った水分が高温下で水蒸気となり、その応力でパッケー
ジクラックを生じさせる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電体パタ
ーンを表面に形成したプラスチックフィルムからなるイ
ンターポーザにＩＣチップを実装したＩＣチップパッケ
ージ及び該ＩＣチップパッケージを樹脂モールドしてプ
ラスチックモールド型としたＩＣチップパッケージにお
いて、金属電極部分におけるクラックの発生を防止する
とともに、プラスチック型ＩＣチップパッケージにおけ
るパッケージクラックの発生を防止することをその課題
とし、さらに導電体パターンを表面に形成した液晶ポリ
マーフィルムからなるインターポーザを提供することを
その課題とする。
ーンを表面に形成したプラスチックフィルムからなるイ
ンターポーザにＩＣチップを実装したＩＣチップパッケ
ージ及び該ＩＣチップパッケージを樹脂モールドしてプ
ラスチックモールド型としたＩＣチップパッケージにお
いて、金属電極部分におけるクラックの発生を防止する
とともに、プラスチック型ＩＣチップパッケージにおけ
るパッケージクラックの発生を防止することをその課題
とし、さらに導電体パターンを表面に形成した液晶ポリ
マーフィルムからなるインターポーザを提供することを
その課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、表面に導電体パター
ンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配
向した均方向性を有する液晶ポリマーフィルムからな
り、該液晶ポリマーフィルムは、３〜１５ｐｐｍ／℃の
線膨張係数と２８０℃以上の融点を有し、かつ該フィル
ムにおける１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面方
向の線膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが０．３〜３の範囲にある
ことを特徴とするＩＣチップ実装用インターポーザが提
供される。また、本発明によれば、前記インターポーザ
にＩＣチップを実装したＩＣチップパッケージが提供さ
れる。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、表面に導電体パター
ンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配
向した均方向性を有する液晶ポリマーフィルムからな
り、該液晶ポリマーフィルムは、３〜１５ｐｐｍ／℃の
線膨張係数と２８０℃以上の融点を有し、かつ該フィル
ムにおける１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面方
向の線膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが０．３〜３の範囲にある
ことを特徴とするＩＣチップ実装用インターポーザが提
供される。また、本発明によれば、前記インターポーザ
にＩＣチップを実装したＩＣチップパッケージが提供さ
れる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明で用いる液晶ポリマー（Ｌ
ＣＰ）フィルムにおいて、そのＬＣＰとしては、２８０
℃以上の融点を持つサーモトロピック液晶ポリマーであ
れば従来公知の各種のものを用いることができる。この
ような液晶ポリマーとしては、例えば、芳香族ジオー
ル、芳香族カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等のモノ
マーから合成される、溶融時に液晶性を示す芳香族ポリ
エステルがあり、その代表的なものとしては、パラヒド
ロキシ安息香酸（ＰＨＢ）とテレフタル酸とビフェノー
ルからなる第１のタイプのもの（下記式１）や、ＰＨＢ
と２，６−ヒドロキシナフトエ酸からなる第２のタイプ
のもの（下記式２）がある。
ＣＰ）フィルムにおいて、そのＬＣＰとしては、２８０
℃以上の融点を持つサーモトロピック液晶ポリマーであ
れば従来公知の各種のものを用いることができる。この
ような液晶ポリマーとしては、例えば、芳香族ジオー
ル、芳香族カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等のモノ
マーから合成される、溶融時に液晶性を示す芳香族ポリ
エステルがあり、その代表的なものとしては、パラヒド
ロキシ安息香酸（ＰＨＢ）とテレフタル酸とビフェノー
ルからなる第１のタイプのもの（下記式１）や、ＰＨＢ
と２，６−ヒドロキシナフトエ酸からなる第２のタイプ
のもの（下記式２）がある。
【０００６】
【化１】
【０００７】
【化２】
【０００８】前記一般式（１）のＬＣＰとしては、例え
ば、スミカスーパー（住友化学社）や、Ｘｙｄｅｒ（Ａ
ｍｏｃｏ社）等があり、前記一般式（２）のＬＰＣとし
ては、Ｖｅｃｔｒａ（ヘキスト社）等がある。
ば、スミカスーパー（住友化学社）や、Ｘｙｄｅｒ（Ａ
ｍｏｃｏ社）等があり、前記一般式（２）のＬＰＣとし
ては、Ｖｅｃｔｒａ（ヘキスト社）等がある。
【０００９】本発明で用いるＬＣＰフィルムは、ＬＣＰ
分子が平面方向にランダムに配向したもので、ＬＣＰフ
ィルムに通常見られる異方向性の大幅に解消されたもの
（本明細書では等方向性フィルムと言う）である。前記
等方向性ＬＣＰフィルムは、ＬＣＰフィルムの一方の面
又は両方の面に熱可塑性樹脂多孔質体フィルムを加圧下
及び加熱下で接触させ、少なくとも表面部が軟化した状
態の該ＬＣＰフィルムに該多孔質体フィルムを熱圧着さ
せ、必要に応じて冷却して、該多孔質体フィルムが該Ｌ
ＣＰフィルムに対して１〜５００ｇ／ｃｍの剥離強度で
接合している積層体を得る熱圧着工程と、得られた積層
体を、該ＬＣＰフィルムは溶融するが多孔質体フィルム
は軟化するが（ガラス転移点以上の温度）実質的に溶融
しない温度条件下で、該ＬＣＰの配向方向に対し垂直の
方向に延伸するか又は該ＬＣＰの配向方向と同じ方向に
延伸するとともに、該ＬＣＰ配向方向に対し垂直の方向
に延伸する延伸工程と、得られた積層体延伸物を冷却す
る工程と、冷却された積層体延伸物から多孔質体フィル
ムを剥離する剥離工程によって工業的に有利に製造する
ことができる。
分子が平面方向にランダムに配向したもので、ＬＣＰフ
ィルムに通常見られる異方向性の大幅に解消されたもの
（本明細書では等方向性フィルムと言う）である。前記
等方向性ＬＣＰフィルムは、ＬＣＰフィルムの一方の面
又は両方の面に熱可塑性樹脂多孔質体フィルムを加圧下
及び加熱下で接触させ、少なくとも表面部が軟化した状
態の該ＬＣＰフィルムに該多孔質体フィルムを熱圧着さ
せ、必要に応じて冷却して、該多孔質体フィルムが該Ｌ
ＣＰフィルムに対して１〜５００ｇ／ｃｍの剥離強度で
接合している積層体を得る熱圧着工程と、得られた積層
体を、該ＬＣＰフィルムは溶融するが多孔質体フィルム
は軟化するが（ガラス転移点以上の温度）実質的に溶融
しない温度条件下で、該ＬＣＰの配向方向に対し垂直の
方向に延伸するか又は該ＬＣＰの配向方向と同じ方向に
延伸するとともに、該ＬＣＰ配向方向に対し垂直の方向
に延伸する延伸工程と、得られた積層体延伸物を冷却す
る工程と、冷却された積層体延伸物から多孔質体フィル
ムを剥離する剥離工程によって工業的に有利に製造する
ことができる。
【００１０】前記熱可塑性樹脂多孔質体フィルムとして
は、多孔質構造を有する各種のものが用いられ、その平
均細孔径は０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．２〜
１μｍであり、空孔率は４０〜９５％、好ましくは６０
〜８５％である。このような多孔質体フィルムを形成す
る熱可塑性樹脂としては、具体的には、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミ
ドの他、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化
エチレン等のフッ素樹脂等を例示することができる。こ
れらの熱可塑性樹脂のうち、フッ素樹脂は、その高い耐
熱性によって熱圧着温度を高くすることができ、使用す
る液晶ポリマーを広く選択できるので好ましい。本発明
で用いる好ましい多孔質体フィルムは、耐熱性、耐薬品
性の点で延伸多孔質フッ素樹脂フィルム、特に、延伸多
孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムである。熱可
塑性樹脂多孔質体フィルムは、発泡法や溶媒抽出法、固
相延伸法、フィブリル化法等の従来公知の方法で得るこ
とができる。
は、多孔質構造を有する各種のものが用いられ、その平
均細孔径は０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．２〜
１μｍであり、空孔率は４０〜９５％、好ましくは６０
〜８５％である。このような多孔質体フィルムを形成す
る熱可塑性樹脂としては、具体的には、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミ
ドの他、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化
エチレン等のフッ素樹脂等を例示することができる。こ
れらの熱可塑性樹脂のうち、フッ素樹脂は、その高い耐
熱性によって熱圧着温度を高くすることができ、使用す
る液晶ポリマーを広く選択できるので好ましい。本発明
で用いる好ましい多孔質体フィルムは、耐熱性、耐薬品
性の点で延伸多孔質フッ素樹脂フィルム、特に、延伸多
孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムである。熱可
塑性樹脂多孔質体フィルムは、発泡法や溶媒抽出法、固
相延伸法、フィブリル化法等の従来公知の方法で得るこ
とができる。
【００１１】本発明でインターポーザ用材料として用い
る等方向性ＬＣＰのフィルムを得るには、先ず、ＬＣＰ
又はそのポリマーアロイ（以下、これらを単にＬＣＰと
も言う）の押出し成形フィルムを用意する。この場合の
ＬＣＰの押出し成形フィルムは、異方向性を有し、ＬＣ
Ｐの溶融物を、押出機を用い、その先端のＴダイやイン
フレーションダイを通してフィルム状に押出し成形する
ことによって得ることができる。前記溶融温度は、液晶
ポリマーが溶融状態を示す温度である。押出し成形装置
としては、二軸押出機や、単軸押出機等の慣用の装置が
用いられる。押出し成形フィルムの厚さは、２０μｍ〜
５ｍｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。
る等方向性ＬＣＰのフィルムを得るには、先ず、ＬＣＰ
又はそのポリマーアロイ（以下、これらを単にＬＣＰと
も言う）の押出し成形フィルムを用意する。この場合の
ＬＣＰの押出し成形フィルムは、異方向性を有し、ＬＣ
Ｐの溶融物を、押出機を用い、その先端のＴダイやイン
フレーションダイを通してフィルム状に押出し成形する
ことによって得ることができる。前記溶融温度は、液晶
ポリマーが溶融状態を示す温度である。押出し成形装置
としては、二軸押出機や、単軸押出機等の慣用の装置が
用いられる。押出し成形フィルムの厚さは、２０μｍ〜
５ｍｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。
【００１２】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におけ
る各工程について詳述すると、以下の通りである。 （熱圧着工程）この工程は、ＬＣＰフィルムＡの両方又
は片方の表面、好ましくは両方の面に多孔質体フィルム
Ｂ−１及びＢ−２をそれぞれ熱圧着させる工程である。
熱圧着温度は、多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２は実質
的に溶融させないが、ＬＣＰフィルムＡの少なくとも表
面部、即ち、多孔質体フィルムＢ−１及びＢ−２に接触
するフィルムＡの表面部のみ又は全体を軟化させる温度
である。
る各工程について詳述すると、以下の通りである。 （熱圧着工程）この工程は、ＬＣＰフィルムＡの両方又
は片方の表面、好ましくは両方の面に多孔質体フィルム
Ｂ−１及びＢ−２をそれぞれ熱圧着させる工程である。
熱圧着温度は、多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２は実質
的に溶融させないが、ＬＣＰフィルムＡの少なくとも表
面部、即ち、多孔質体フィルムＢ−１及びＢ−２に接触
するフィルムＡの表面部のみ又は全体を軟化させる温度
である。
【００１３】この熱圧着工程においては、ＬＣＰフィル
ムＡは、２つの多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２によ
り、両側から挟まれていることから、その表面部のみに
限らず、全体が軟化状態であってもよい。このような熱
圧着により、ＬＣＰフィルムＡの両面に、多孔質体フィ
ルムＢ−１、Ｂ−２が接合された積層体が形成される。
ムＡは、２つの多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２によ
り、両側から挟まれていることから、その表面部のみに
限らず、全体が軟化状態であってもよい。このような熱
圧着により、ＬＣＰフィルムＡの両面に、多孔質体フィ
ルムＢ−１、Ｂ−２が接合された積層体が形成される。
【００１４】前記のようにして積層体を製造する場合、
その熱圧着装置としては、一対の熱圧着ロールや、熱プ
レス装置が用いられる。熱圧着ロールを用いる場合、液
晶ポリマーフィルムＡと２枚の多孔質体フィルムＢ−
１、Ｂ−２を、一対の熱圧着ロールの間の間隙部（クレ
アランス）に供給し、この熱圧着ロール間の間隙部で熱
圧着する。この場合、ＬＣＰフィルムＡの両側に多孔質
体フィルムＢ−１、Ｂ−２を供給する。ＬＣＰフィルム
Ａは固体フィルム又は押出機のＴ−ダイから押出された
溶融物フィルム等であることができる。一方、熱プレス
装置を用いる場合、その熱プレス装置の底板上に第１の
多孔質体フィルムを敷設し、その上にＬＣＰフィルムを
重ね、その上に第２の多孔質体フィルムを重ね、その上
から上板で所定時間加圧して熱圧着し、冷却する。この
場合、底板及び／又は上板を加熱し、ＬＣＰフィルムの
少なくとも表面部を軟化させる。前記のようにして、Ｌ
ＣＰフィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２との
積層体が得られるが、この積層体において、そのＬＣＰ
フィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１又はＢ−２との間
の剥離強度は、１〜５００ｇ／ｃｍ、好ましくは２〜１
００ｇ／ｃｍである。剥離強度が前記範囲よりも小さく
なると、積層体フィルムの延伸に際し、ＬＣＰフィルム
と多孔質体フィルムとの間に剥離が生じ、ＬＣＰフィル
ムの円滑な延伸を行うことが困難になるので好ましくな
い。一方、剥離強度が前記範囲より大きくなると、延伸
後に、多孔質体フィルムを剥離する場合に、その剥離が
困難になるので好ましくない。ＬＣＰフィルムと多孔質
体フィルムとの間の剥離強度は、両者のフィルムの熱圧
着条件により調節することができる。前記で得られた積
層体は、その熱融着の状態のまま又はいったん冷却した
後、次の延伸工程へ送られる。
その熱圧着装置としては、一対の熱圧着ロールや、熱プ
レス装置が用いられる。熱圧着ロールを用いる場合、液
晶ポリマーフィルムＡと２枚の多孔質体フィルムＢ−
１、Ｂ−２を、一対の熱圧着ロールの間の間隙部（クレ
アランス）に供給し、この熱圧着ロール間の間隙部で熱
圧着する。この場合、ＬＣＰフィルムＡの両側に多孔質
体フィルムＢ−１、Ｂ−２を供給する。ＬＣＰフィルム
Ａは固体フィルム又は押出機のＴ−ダイから押出された
溶融物フィルム等であることができる。一方、熱プレス
装置を用いる場合、その熱プレス装置の底板上に第１の
多孔質体フィルムを敷設し、その上にＬＣＰフィルムを
重ね、その上に第２の多孔質体フィルムを重ね、その上
から上板で所定時間加圧して熱圧着し、冷却する。この
場合、底板及び／又は上板を加熱し、ＬＣＰフィルムの
少なくとも表面部を軟化させる。前記のようにして、Ｌ
ＣＰフィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２との
積層体が得られるが、この積層体において、そのＬＣＰ
フィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１又はＢ−２との間
の剥離強度は、１〜５００ｇ／ｃｍ、好ましくは２〜１
００ｇ／ｃｍである。剥離強度が前記範囲よりも小さく
なると、積層体フィルムの延伸に際し、ＬＣＰフィルム
と多孔質体フィルムとの間に剥離が生じ、ＬＣＰフィル
ムの円滑な延伸を行うことが困難になるので好ましくな
い。一方、剥離強度が前記範囲より大きくなると、延伸
後に、多孔質体フィルムを剥離する場合に、その剥離が
困難になるので好ましくない。ＬＣＰフィルムと多孔質
体フィルムとの間の剥離強度は、両者のフィルムの熱圧
着条件により調節することができる。前記で得られた積
層体は、その熱融着の状態のまま又はいったん冷却した
後、次の延伸工程へ送られる。
【００１５】（延伸工程）この工程は、前記積層体フィ
ルム形成工程で得られた積層体フィルムを、その多孔質
フィルムは軟化させるが実質的に溶融せずにＬＣＰフィ
ルムを溶融させる温度条件下で、１軸方向、即ち、その
ＬＣＰの配向方向とは垂直の方向（ＴＤ）へ延伸するか
又は２軸方向、即ち、そのＬＣＰの配向と同じ方向（Ｍ
Ｄ）へ延伸するとともに、それとは垂直方向（ＴＤ）へ
延伸する工程である。１軸延伸の場合、ＴＤへの延伸倍
率は１．５〜１０倍、好ましくは２〜５倍である。２軸
延伸の場合、ＭＤへの延伸倍率は１〜１０倍、好ましく
は１〜５倍であり、ＴＤへの延伸倍率は１．５〜２０
倍、好ましくは３〜１５倍である。また、ＴＤへの延伸
倍率は、ＭＤへの延伸倍率の１．０〜５．０倍、好まし
くは１．５〜３．０倍に規定するのがよい。延伸スピー
ドは、１〜２００％／秒、好ましくは５〜５０％／秒に
するのがよい。延伸装置としては、従来公知の１軸又は
２軸延伸装置を用いることができる。
ルム形成工程で得られた積層体フィルムを、その多孔質
フィルムは軟化させるが実質的に溶融せずにＬＣＰフィ
ルムを溶融させる温度条件下で、１軸方向、即ち、その
ＬＣＰの配向方向とは垂直の方向（ＴＤ）へ延伸するか
又は２軸方向、即ち、そのＬＣＰの配向と同じ方向（Ｍ
Ｄ）へ延伸するとともに、それとは垂直方向（ＴＤ）へ
延伸する工程である。１軸延伸の場合、ＴＤへの延伸倍
率は１．５〜１０倍、好ましくは２〜５倍である。２軸
延伸の場合、ＭＤへの延伸倍率は１〜１０倍、好ましく
は１〜５倍であり、ＴＤへの延伸倍率は１．５〜２０
倍、好ましくは３〜１５倍である。また、ＴＤへの延伸
倍率は、ＭＤへの延伸倍率の１．０〜５．０倍、好まし
くは１．５〜３．０倍に規定するのがよい。延伸スピー
ドは、１〜２００％／秒、好ましくは５〜５０％／秒に
するのがよい。延伸装置としては、従来公知の１軸又は
２軸延伸装置を用いることができる。
【００１６】（冷却工程）この工程は、前記延伸工程で
得られた積層体フィルム延伸物を冷却し、溶融状態の液
晶ポリマーフィルムを冷却固化する工程であり、一対の
冷却ロールを用いて実施することができる。また自然放
冷で行ってもよい。
得られた積層体フィルム延伸物を冷却し、溶融状態の液
晶ポリマーフィルムを冷却固化する工程であり、一対の
冷却ロールを用いて実施することができる。また自然放
冷で行ってもよい。
【００１７】（剥離工程）この工程は、前記冷却工程で
得られた積層体フィルムから、その両表面に熱圧着され
ている多孔質体フィルムを剥離する工程である。前記し
たように、この多孔質体フィルムは、ＬＣＰフィルムに
対しては、剥離可能に接合しているので、その多孔質体
フィルムを、ＬＣＰフィルムより上方に引張ることによ
り容易に剥離することができる。
得られた積層体フィルムから、その両表面に熱圧着され
ている多孔質体フィルムを剥離する工程である。前記し
たように、この多孔質体フィルムは、ＬＣＰフィルムに
対しては、剥離可能に接合しているので、その多孔質体
フィルムを、ＬＣＰフィルムより上方に引張ることによ
り容易に剥離することができる。
【００１８】以上のようにして、等方向性ＬＣＰフィル
ムを得ることができる。このフィルムは、延伸用原料フ
ィルムとして用いたＬＣＰフィルムにみられる異方向性
の解消されたもので、平面物性の等方向性にすぐれたも
のである。
ムを得ることができる。このフィルムは、延伸用原料フ
ィルムとして用いたＬＣＰフィルムにみられる異方向性
の解消されたもので、平面物性の等方向性にすぐれたも
のである。
【００１９】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におい
て、その原料ＬＣＰフィルムとしては、充填剤を含有す
るＬＣＰの押出し成形フィルムを用いるのが好ましい。
この場合、充填剤には、無機系及び有機系のものが包含
される。無機系充填剤としては、たとえば、シリカ、ア
ルミナ、酸化チタン等の金属酸化物；炭酸カルシウム、
炭酸バリウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バ
リウム等の金属硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス等のケイ酸塩の他、チタン酸カリウム、チタン酸カル
シウム、ガラス繊維等が挙げられる。有機系充填剤とし
ては、液晶ポリマーの加工温度において溶融しない耐熱
性樹脂粉末や、カーボン、グラファイト、カーボン繊維
等が挙げられる。前記耐熱性樹脂粉末としては、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＣＴＦＥ、ＰＶＤ
Ｆ、Ｅ−ＣＴＦＥ等）、ＬＣＰ等が挙げられる。前記充
填剤において、その平均粒径は０．０１〜５０μｍ、好
ましくは０．１〜１０μｍである。また、充填剤を含有
するＬＣＰ中のその充填剤の含有量は、５〜３０容量
％、好ましくは１０〜２０容量％である。前記押出し成
形フィルムを得るには、ＬＣＰに充填剤を加えて溶融混
合し、得られた混合物を押出機を用い、その先端のＴダ
イやインフレーションダイを通してフィルム状に押出成
形する。前記溶融混合温度は、ＬＣＰが溶融状態を示す
温度である。もちろん、充填剤が樹脂粉末の場合には、
その樹脂粉末が溶融する温度より低い温度である。混合
装置としては、二軸押出機、単軸押出機、ニーダー、ミ
キサー等の慣用の混合装置が用いられる。
て、その原料ＬＣＰフィルムとしては、充填剤を含有す
るＬＣＰの押出し成形フィルムを用いるのが好ましい。
この場合、充填剤には、無機系及び有機系のものが包含
される。無機系充填剤としては、たとえば、シリカ、ア
ルミナ、酸化チタン等の金属酸化物；炭酸カルシウム、
炭酸バリウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バ
リウム等の金属硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス等のケイ酸塩の他、チタン酸カリウム、チタン酸カル
シウム、ガラス繊維等が挙げられる。有機系充填剤とし
ては、液晶ポリマーの加工温度において溶融しない耐熱
性樹脂粉末や、カーボン、グラファイト、カーボン繊維
等が挙げられる。前記耐熱性樹脂粉末としては、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＣＴＦＥ、ＰＶＤ
Ｆ、Ｅ−ＣＴＦＥ等）、ＬＣＰ等が挙げられる。前記充
填剤において、その平均粒径は０．０１〜５０μｍ、好
ましくは０．１〜１０μｍである。また、充填剤を含有
するＬＣＰ中のその充填剤の含有量は、５〜３０容量
％、好ましくは１０〜２０容量％である。前記押出し成
形フィルムを得るには、ＬＣＰに充填剤を加えて溶融混
合し、得られた混合物を押出機を用い、その先端のＴダ
イやインフレーションダイを通してフィルム状に押出成
形する。前記溶融混合温度は、ＬＣＰが溶融状態を示す
温度である。もちろん、充填剤が樹脂粉末の場合には、
その樹脂粉末が溶融する温度より低い温度である。混合
装置としては、二軸押出機、単軸押出機、ニーダー、ミ
キサー等の慣用の混合装置が用いられる。
【００２０】前記のようにして得られる充填剤を含有す
る押出し成形フィルムは、表面状態の良好なフィルムで
あって、厚さ分布の平均値Ｃに対する厚さ分布の標準偏
差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下という厚さ精度にすぐれた
ものである。そして、このような充填剤を含有する押出
し成形フィルムを原料として用いて得られる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、表面状態の非常にすぐれたもので、そ
のフィルムの厚さ分布の平均値Ｃに対するその厚さ分布
の標準偏差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下、特に０．１５〜
０．０２の範囲にある。
る押出し成形フィルムは、表面状態の良好なフィルムで
あって、厚さ分布の平均値Ｃに対する厚さ分布の標準偏
差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下という厚さ精度にすぐれた
ものである。そして、このような充填剤を含有する押出
し成形フィルムを原料として用いて得られる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、表面状態の非常にすぐれたもので、そ
のフィルムの厚さ分布の平均値Ｃに対するその厚さ分布
の標準偏差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下、特に０．１５〜
０．０２の範囲にある。
【００２１】本発明で用いる等方向性ＬＣＰフィルム
は、通常のＬＣＰフィルムにみられる平面物性の異方向
性の解消されたものであり、平面物性の等方向性にすぐ
れたものである。この場合の平面物性には、線膨張係
数、熱膨張率、熱収縮率、引張り伸度、引張り強度、引
張り弾性率等が包含される。本発明で用いる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、低められた線膨張係数を有する。即
ち、本発明で用いるＬＣＰフィルムは、３〜１５ｐｐｍ
／℃、好ましくは３〜９ｐｐｍ／℃の線膨張係数を有す
る。線膨張係数の下限値は、通常、３ｐｐｍ／℃程度で
ある。本発明で用いるＬＣＰフィルムは、前記のよう
に、低められた線膨張係数を有すると同時に、その線膨
張係数の等方向性にすぐれ、フィルムの１つの平面方向
の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂとの比の
Ａ／Ｂは、０．３〜３、好ましくは、０．５〜２の範囲
にある。インターポーザとして用いるＬＣＰフィルムに
おける前記線膨張係数の等方向性は非常に重要であり、
その線膨張係数に大きな異方向性があると、信頼性のあ
るインターポーザ及びＩＣチップパッケージを得ること
ができなくなる。
は、通常のＬＣＰフィルムにみられる平面物性の異方向
性の解消されたものであり、平面物性の等方向性にすぐ
れたものである。この場合の平面物性には、線膨張係
数、熱膨張率、熱収縮率、引張り伸度、引張り強度、引
張り弾性率等が包含される。本発明で用いる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、低められた線膨張係数を有する。即
ち、本発明で用いるＬＣＰフィルムは、３〜１５ｐｐｍ
／℃、好ましくは３〜９ｐｐｍ／℃の線膨張係数を有す
る。線膨張係数の下限値は、通常、３ｐｐｍ／℃程度で
ある。本発明で用いるＬＣＰフィルムは、前記のよう
に、低められた線膨張係数を有すると同時に、その線膨
張係数の等方向性にすぐれ、フィルムの１つの平面方向
の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂとの比の
Ａ／Ｂは、０．３〜３、好ましくは、０．５〜２の範囲
にある。インターポーザとして用いるＬＣＰフィルムに
おける前記線膨張係数の等方向性は非常に重要であり、
その線膨張係数に大きな異方向性があると、信頼性のあ
るインターポーザ及びＩＣチップパッケージを得ること
ができなくなる。
【００２２】本発明のインターポーザとして用いる等方
向性ＬＣＰフィルムにおいて、その厚さは１０〜１００
０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍ、その線膨張係数
は、３〜１５ｐｐｐｍ／℃、好ましくは３〜９ｐｐｍ／
℃及びその吸水率は０．５重量％以下、好ましくは０．
３重量％以下である。また、その吸湿膨張率（２３℃、
８０％ＲＨ）は、通常、０．１％以下、好ましくは０．
０５％以下である。これらの物性は、ＬＣＰの種類や、
ＬＣＰの押出し成形条件、ＬＣＰフィルムの延伸条件等
によって調節することができる。本発明においては、Ｌ
ＣＰフィルムには、特に、無機充填剤を含有させること
が好ましい。無機充填剤を含有するＬＣＰフィルムは、
熱伝導性が向上し、高い放熱効果を有することから、イ
ンターポーザとしての機能においてすぐれている。この
場合の無機充填剤としては、特に、シリカ、アルミナ、
チタニア等を粉末状やウイスカー状で用いるのが好まし
く、その含有量は、特に、５〜３０容量％、好ましくは
１０〜２０容量％である。
向性ＬＣＰフィルムにおいて、その厚さは１０〜１００
０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍ、その線膨張係数
は、３〜１５ｐｐｐｍ／℃、好ましくは３〜９ｐｐｍ／
℃及びその吸水率は０．５重量％以下、好ましくは０．
３重量％以下である。また、その吸湿膨張率（２３℃、
８０％ＲＨ）は、通常、０．１％以下、好ましくは０．
０５％以下である。これらの物性は、ＬＣＰの種類や、
ＬＣＰの押出し成形条件、ＬＣＰフィルムの延伸条件等
によって調節することができる。本発明においては、Ｌ
ＣＰフィルムには、特に、無機充填剤を含有させること
が好ましい。無機充填剤を含有するＬＣＰフィルムは、
熱伝導性が向上し、高い放熱効果を有することから、イ
ンターポーザとしての機能においてすぐれている。この
場合の無機充填剤としては、特に、シリカ、アルミナ、
チタニア等を粉末状やウイスカー状で用いるのが好まし
く、その含有量は、特に、５〜３０容量％、好ましくは
１０〜２０容量％である。
【００２３】本発明で用いる前記ＬＣＰフィルムは、そ
の表面に導電体パターンを形成させて、ＩＣチップを実
装する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示
す。即ち、ＬＣＰフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）は、
平面のどの方向をとっても３〜１５ｐｐｍ／℃の範囲に
あり、ＩＣチップの線膨張係数３ｐｐｍ／℃とほぼマッ
チングしている。従って、ＩＣチップをＬＣＰフィルム
に実装する場合に、半田バンプ等の金属接合部に生じる
熱応力を著しく軽減することができ、接合部の信頼性を
大幅に向上させることができる上、ＩＣチップ自体に生
じる応力を軽減できるので、ＩＣチップの機能低下も防
ぐことができ、さらに、ＩＣチップ自体のクラック（引
張応力で１００ＭＰａ以上、圧縮応力で５００ＭＰａ以
上で一般的にはクラックを生じる）も効果的に防止する
ことができる。以上のように、本発明による等方向性Ｌ
ＣＰフィルムからなるインターポーザとするＩＣチップ
パッケージは、ＩＣチップとインターポーザとの間の熱
応力の発生を減じ、パッケージ信頼性が著しく向上した
ものである。また、本発明による前記ＩＣチップパッケ
ージをプラスチックモールドしたプラスチック型ＩＣチ
ップパッケージ（ＣＳＰ、ＢＧＡ等）は、ＬＣＰフィル
ムが非常に低い吸水率（０．１％以下）を示し、ＰＣＴ
（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）（１２
１℃、２ａｔｍ、湿度１００％）、６５℃／９５％ＲＨ
及び８５℃／８５％ＲＨ等の吸湿試験においても、性能
劣化やパッケージクラックを何ら生じることはなく、非
常に高いパッケージ信頼性を有する。
の表面に導電体パターンを形成させて、ＩＣチップを実
装する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示
す。即ち、ＬＣＰフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）は、
平面のどの方向をとっても３〜１５ｐｐｍ／℃の範囲に
あり、ＩＣチップの線膨張係数３ｐｐｍ／℃とほぼマッ
チングしている。従って、ＩＣチップをＬＣＰフィルム
に実装する場合に、半田バンプ等の金属接合部に生じる
熱応力を著しく軽減することができ、接合部の信頼性を
大幅に向上させることができる上、ＩＣチップ自体に生
じる応力を軽減できるので、ＩＣチップの機能低下も防
ぐことができ、さらに、ＩＣチップ自体のクラック（引
張応力で１００ＭＰａ以上、圧縮応力で５００ＭＰａ以
上で一般的にはクラックを生じる）も効果的に防止する
ことができる。以上のように、本発明による等方向性Ｌ
ＣＰフィルムからなるインターポーザとするＩＣチップ
パッケージは、ＩＣチップとインターポーザとの間の熱
応力の発生を減じ、パッケージ信頼性が著しく向上した
ものである。また、本発明による前記ＩＣチップパッケ
ージをプラスチックモールドしたプラスチック型ＩＣチ
ップパッケージ（ＣＳＰ、ＢＧＡ等）は、ＬＣＰフィル
ムが非常に低い吸水率（０．１％以下）を示し、ＰＣＴ
（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）（１２
１℃、２ａｔｍ、湿度１００％）、６５℃／９５％ＲＨ
及び８５℃／８５％ＲＨ等の吸湿試験においても、性能
劣化やパッケージクラックを何ら生じることはなく、非
常に高いパッケージ信頼性を有する。
【００２４】ＬＣＰフィルム上に形成する導電体パター
ンにおいて、その導電体としては、各種の導電性金属、
例えば、銅、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金等のインバー型合金
等が用いられる。インバー型合金としては、特に、線膨
張係数が７ｐｐｍ／℃以下のものの使用が好ましく、こ
れにより、そりや歪の低減されたインターポーザを得る
ことができる。また、ＬＣＰフィルム上にＩＣチップを
実装する場合、その実装方式としては、従来公知の各種
の方式、例えば、ワイヤーボンディングの他、フリップ
チップ方式、ビームリード方式、ＴＡＢ方式、ＳＴＤ方
式等を採用することができる。本発明によるＬＣＰフィ
ルムからなるインターポーザは、前記のように、線膨張
係数が小さく、ＩＣチップの線膨張係数に近いことか
ら、特に、フリップチップ方式によりＩＣチップを実装
する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示す。
ンにおいて、その導電体としては、各種の導電性金属、
例えば、銅、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金等のインバー型合金
等が用いられる。インバー型合金としては、特に、線膨
張係数が７ｐｐｍ／℃以下のものの使用が好ましく、こ
れにより、そりや歪の低減されたインターポーザを得る
ことができる。また、ＬＣＰフィルム上にＩＣチップを
実装する場合、その実装方式としては、従来公知の各種
の方式、例えば、ワイヤーボンディングの他、フリップ
チップ方式、ビームリード方式、ＴＡＢ方式、ＳＴＤ方
式等を採用することができる。本発明によるＬＣＰフィ
ルムからなるインターポーザは、前記のように、線膨張
係数が小さく、ＩＣチップの線膨張係数に近いことか
ら、特に、フリップチップ方式によりＩＣチップを実装
する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示す。
【００２５】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。
する。
【００２６】参考例１ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）を、単軸押出機（スクリュー径５
０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リップ
長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダイ
温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却して厚
さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、Ｔ
Ｄ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であった。
最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィル
ムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸
フィルム（ａ−１）を得た。
スーパーＥ６０００）を、単軸押出機（スクリュー径５
０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リップ
長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダイ
温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却して厚
さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、Ｔ
Ｄ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であった。
最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィル
ムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸
フィルム（ａ−１）を得た。
【００２７】参考例２ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−２）を得た。
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−２）を得た。
【００２８】参考例３ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ６５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ１２５μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−３）を得た。
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ６５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ１２５μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−３）を得た。
【００２９】参考例４ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）を、単軸押出機（スクリュー径
５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リッ
プ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダ
イ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷却して
厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液
晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均
孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１００
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６倍、
ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−４）を得た。
製、ベクトラＡ９５０）を、単軸押出機（スクリュー径
５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リッ
プ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダ
イ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷却して
厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液
晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均
孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１００
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６倍、
ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−４）を得た。
【００３０】参考例５ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）９０重量部と天然シリカ（平均
粒径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部と
を、二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先
端のストランドダイから押出してペレタイザーをペレッ
トに成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリ
ュー径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ
（リップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍ
ｍ、ダイ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷
却して厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。
この液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多
孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム
（平均孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロ
ール（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラ
ミネーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１
００℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィ
ルムの剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このよう
にして得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延
伸条件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６
倍、ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であ
った。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマー
フィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−５）を得た。
製、ベクトラＡ９５０）９０重量部と天然シリカ（平均
粒径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部と
を、二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先
端のストランドダイから押出してペレタイザーをペレッ
トに成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリ
ュー径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ
（リップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍ
ｍ、ダイ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷
却して厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。
この液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多
孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム
（平均孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロ
ール（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラ
ミネーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１
００℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィ
ルムの剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このよう
にして得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延
伸条件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６
倍、ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であ
った。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマー
フィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−５）を得た。
【００３１】以上で得た各々の液晶ポリマーフィルムの
物性を以下のようにして測定し、その結果を表１に示
す。 （１）ＴＤ厚さ分布 ダイヤルゲージのニードル型測定子（ミツトヨ社製、先
端Ｒ：０．４ｍｍ）を鉛直方向に向かい合わせて固定
し、１００ｇの力で接触させる。つぎにこの測定子間に
サンプルフィルムをはさみ、ＴＤ方向に移動させる。こ
のようにして、フィルムのＴＤの厚さ分布データを得
る。（ｉ）平均値Ｃ １０００ｍｍ幅、０．５ｍｍ間隔で２０００ポイント測
定し、その平均値を求めた。 （ii）標準偏差Ｄ 前記平均値Ｃに対する２０００ポイントの標準偏差Ｄを
求めた。 （２）線膨張係数 ＴＭＡ法：荷重５ｇ、２００℃まで昇温後、１５０℃か
ら２５℃への降温時に測定。試料幅４．０ｍｍ、チャッ
ク間隔１０ｍｍ。 （３）吸水率 ５×５ｃｍのフィルムを真水中に２４時間浸漬し、その
前後の重量を測定して吸水量を算出し、その浸漬前のフ
ィルム重量に対する％で示した。
物性を以下のようにして測定し、その結果を表１に示
す。 （１）ＴＤ厚さ分布 ダイヤルゲージのニードル型測定子（ミツトヨ社製、先
端Ｒ：０．４ｍｍ）を鉛直方向に向かい合わせて固定
し、１００ｇの力で接触させる。つぎにこの測定子間に
サンプルフィルムをはさみ、ＴＤ方向に移動させる。こ
のようにして、フィルムのＴＤの厚さ分布データを得
る。（ｉ）平均値Ｃ １０００ｍｍ幅、０．５ｍｍ間隔で２０００ポイント測
定し、その平均値を求めた。 （ii）標準偏差Ｄ 前記平均値Ｃに対する２０００ポイントの標準偏差Ｄを
求めた。 （２）線膨張係数 ＴＭＡ法：荷重５ｇ、２００℃まで昇温後、１５０℃か
ら２５℃への降温時に測定。試料幅４．０ｍｍ、チャッ
ク間隔１０ｍｍ。 （３）吸水率 ５×５ｃｍのフィルムを真水中に２４時間浸漬し、その
前後の重量を測定して吸水量を算出し、その浸漬前のフ
ィルム重量に対する％で示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】実施例１ 参考例１で示した厚さ５０μｍのＬＣＰフィルムに、図
３に示すように、銅を蒸着して導電体部を形成した。こ
のフィルムの幅は３５ｍｍで、導電体部は幅２６ｍｍ
で、両サイドにスプロケット孔を設けた３５ｍｍ幅のス
タンダードＴＡＢフィルムキャリアの仕様とした。テー
プは長さ２０ｍの長尺で、連続蒸着した後、メッキ法で
厚さ１０μｍに銅を厚くした。導電体は両面に形成し
た。エキシマレーザを用いて直径４０μｍのスルーホー
ルをあけ、スルーホールメッキを行い、両面にそれぞれ
電極パターンを形成した。片面の基板実装側の外部端子
には、さらに半田バンプを形成した。以上の工程によ
り、ＣＳＰ用のインターポーザを得た。
３に示すように、銅を蒸着して導電体部を形成した。こ
のフィルムの幅は３５ｍｍで、導電体部は幅２６ｍｍ
で、両サイドにスプロケット孔を設けた３５ｍｍ幅のス
タンダードＴＡＢフィルムキャリアの仕様とした。テー
プは長さ２０ｍの長尺で、連続蒸着した後、メッキ法で
厚さ１０μｍに銅を厚くした。導電体は両面に形成し
た。エキシマレーザを用いて直径４０μｍのスルーホー
ルをあけ、スルーホールメッキを行い、両面にそれぞれ
電極パターンを形成した。片面の基板実装側の外部端子
には、さらに半田バンプを形成した。以上の工程によ
り、ＣＳＰ用のインターポーザを得た。
【００３４】実施例２ 図４に示すように、実施例１で得たインターポーザにＩ
Ｃチップをフリップチップ方式で実装した。接合部はＰ
ｂリッチの高融点半田バンプとした。さらにこれをエポ
キシ系レジンでトランスファーモールドで封止し、４箇
所の吊り部を切断して、ＣＳＰを得た。
Ｃチップをフリップチップ方式で実装した。接合部はＰ
ｂリッチの高融点半田バンプとした。さらにこれをエポ
キシ系レジンでトランスファーモールドで封止し、４箇
所の吊り部を切断して、ＣＳＰを得た。
【００３５】実施例３ 図５に示すように、インナーリード部を熱圧着するタイ
プのインターポーザを作製した。これは、参考例２のＬ
ＣＰフィルムの表面をＫＯＨ溶液で処理して、銅を０．
５μｍ蒸着し、電気メッキで２５ｍｍ厚にして導電体部
を形成した。エキシマレーザでスルーホールをあけ、ス
ルーホールメッキしたのち、エッチングでパターンを形
成した。さらに、外部端子に半田バンプを形成した。こ
うして、インナーリード付ＢＧＡタイプのインターポー
ザを得た。
プのインターポーザを作製した。これは、参考例２のＬ
ＣＰフィルムの表面をＫＯＨ溶液で処理して、銅を０．
５μｍ蒸着し、電気メッキで２５ｍｍ厚にして導電体部
を形成した。エキシマレーザでスルーホールをあけ、ス
ルーホールメッキしたのち、エッチングでパターンを形
成した。さらに、外部端子に半田バンプを形成した。こ
うして、インナーリード付ＢＧＡタイプのインターポー
ザを得た。
【００３６】実施例４ 図６に示すように、実施例３のインターポーザにＡｕバ
ンプ付ＩＣチップをインターポーザのインナーリード部
に５００℃で熱圧着した。これを、エポキシ系レジンで
封止して、ＢＧＡタイプのＣＳＰができた。
ンプ付ＩＣチップをインターポーザのインナーリード部
に５００℃で熱圧着した。これを、エポキシ系レジンで
封止して、ＢＧＡタイプのＣＳＰができた。
【００３７】実施例５ 図７に示すように、ＩＣチップの放熱性を高めるため、
参考例３で得たＳｉＯ2フィラー１０重量％を含有する
ＬＣＰフィルム（厚さ１２５μｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：７
ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：８ｐｐｍ／℃）にスルーホール、
インナーパッド、アウターパッドを設けたものにＩＣチ
ップを熱伝導性の高いダイボンディング樹脂で接着し、
ワイヤーボンディングした後、保護用樹脂で封止して、
ＩＣパッケージを得た。このものは、ＩＣチップに生じ
る熱応力が小さく良好なパッケージである。
参考例３で得たＳｉＯ2フィラー１０重量％を含有する
ＬＣＰフィルム（厚さ１２５μｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：７
ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：８ｐｐｍ／℃）にスルーホール、
インナーパッド、アウターパッドを設けたものにＩＣチ
ップを熱伝導性の高いダイボンディング樹脂で接着し、
ワイヤーボンディングした後、保護用樹脂で封止して、
ＩＣパッケージを得た。このものは、ＩＣチップに生じ
る熱応力が小さく良好なパッケージである。
【００３８】実施例６ 図８に示すように、リードフレームタイプのＣＳＰに、
ＬＣＰフィルムの保護及び絶縁のための層を設けたもの
である。まず、リードフレームのワイヤーボンディング
のセカンド面に対して裏面に実施例５で示したＬＣＰフ
ィルムを貼り付ける。この絶縁体付リードフレームにＩ
Ｃチップをフェースダウンで接着し、ワイヤーボンディ
ングを行う。さらに樹脂で封止してＣＳＰができ上が
る。このものは、ＩＣチップとＣＴＥ値が近いＬＣＰフ
ィルムを用いたことで、リードフレームとＩＣチップと
のＣＴＥ値のミスマッチによって生じる熱応力が軽減で
き、良好なＣＳＰを得ることができた。
ＬＣＰフィルムの保護及び絶縁のための層を設けたもの
である。まず、リードフレームのワイヤーボンディング
のセカンド面に対して裏面に実施例５で示したＬＣＰフ
ィルムを貼り付ける。この絶縁体付リードフレームにＩ
Ｃチップをフェースダウンで接着し、ワイヤーボンディ
ングを行う。さらに樹脂で封止してＣＳＰができ上が
る。このものは、ＩＣチップとＣＴＥ値が近いＬＣＰフ
ィルムを用いたことで、リードフレームとＩＣチップと
のＣＴＥ値のミスマッチによって生じる熱応力が軽減で
き、良好なＣＳＰを得ることができた。
【００３９】
【発明の効果】本発明のインターポーザは、融点が２８
０℃以上と高く、半田耐熱性にすぐれ、かつ線膨張率を
低くコントロールした特定物性のＬＣＰフィルムを用い
て構成したことから、信頼性の高いＩＣチップパッケー
ジを与えるもので、その産業的意義は非常に高い。本発
明のＩＣチップパッケージは、そのインターポーザに線
膨張係数がＩＣチップの線膨張係数である３ｐｐｍ／℃
に近いＬＣＰフィルムからなるインターポーザを用いた
ことにより、従来のポリイミドフィルムをインターポー
ザとして用いたものよりも接合部の信頼性が高く、さら
にこれを樹脂モールドしたパッケージにおいては、ＬＣ
Ｐフィルムの吸水率が低いことにより、パッケージクラ
ックを低減できる。また、従来のセラミックスインター
ポーザに比べ、安価でかつ薄いパッケージとすることが
できる。さらに、本発明のＩＣチップパッケージの場
合、そのＬＣＰフィルムの吸水率が低く、かつそのモー
ルド樹脂との接着性が良いことから、モールドする樹脂
の量を少なくでき、安価で、薄く、軽くすることができ
る。そして、軽いＣＳＰ、ＢＧＡは大変な利点がある。
これはこのようなパッケージを基板に実装する際に行
う、半田バンプを用いたＣＣＢ（コントロール、コラッ
プス、ボンディング）法による接合の際、軽い方がより
セルフアライメントがききやすい点である。
０℃以上と高く、半田耐熱性にすぐれ、かつ線膨張率を
低くコントロールした特定物性のＬＣＰフィルムを用い
て構成したことから、信頼性の高いＩＣチップパッケー
ジを与えるもので、その産業的意義は非常に高い。本発
明のＩＣチップパッケージは、そのインターポーザに線
膨張係数がＩＣチップの線膨張係数である３ｐｐｍ／℃
に近いＬＣＰフィルムからなるインターポーザを用いた
ことにより、従来のポリイミドフィルムをインターポー
ザとして用いたものよりも接合部の信頼性が高く、さら
にこれを樹脂モールドしたパッケージにおいては、ＬＣ
Ｐフィルムの吸水率が低いことにより、パッケージクラ
ックを低減できる。また、従来のセラミックスインター
ポーザに比べ、安価でかつ薄いパッケージとすることが
できる。さらに、本発明のＩＣチップパッケージの場
合、そのＬＣＰフィルムの吸水率が低く、かつそのモー
ルド樹脂との接着性が良いことから、モールドする樹脂
の量を少なくでき、安価で、薄く、軽くすることができ
る。そして、軽いＣＳＰ、ＢＧＡは大変な利点がある。
これはこのようなパッケージを基板に実装する際に行
う、半田バンプを用いたＣＣＢ（コントロール、コラッ
プス、ボンディング）法による接合の際、軽い方がより
セルフアライメントがききやすい点である。
【図１】ポリイミドフィルムを用いた従来のＩＣチップ
パッケージの断面図を示す。
パッケージの断面図を示す。
【図２】図１のＩＣチップパッケージを樹脂モールドし
て形成したプラスチックモール度型ＣＳＰの構造説明図
を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＡ−Ａ’断面図
て形成したプラスチックモール度型ＣＳＰの構造説明図
を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＡ−Ａ’断面図
【図３】本発明のインターポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図
【図４】図３に示すインターポーザにＩＣチップを実装
し、さらに樹脂モールドして形成したプラスチックモー
ルド型ＣＳＰの断面図を示す。
し、さらに樹脂モールドして形成したプラスチックモー
ルド型ＣＳＰの断面図を示す。
【図５】本発明によるインナーリード付ＣＳＰ用インタ
ーポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図
ーポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図
【図６】図５に示すインターポーザを用いて形成したＣ
ＳＰの断面図を示す。
ＳＰの断面図を示す。
【図７】本発明のシリカ含有インターポーザを用いて形
成したＩＣチップパッケージの断面図を示す。
成したＩＣチップパッケージの断面図を示す。
【図８】本発明のインターポーザを用いたリードフレー
ムタイプＣＳＰの断面図を示す。
ムタイプＣＳＰの断面図を示す。
１ ＩＣチップ ２ 半田バンプ ３ インナーパッド ４ アウターパッド ５ ポリイミドフィルム ６ スルーホール ７ インターポーザ ８ ＬＣＰフィルム ９ 封止レジン １０ ＣＳＰ １１ 吊り部 １２ スプロケットホール １３ 外部端子用半田バンプ １４ インナーリード １５ Ａｕバンプ １６ 接着樹脂 １７ Ａｕワイヤー １８ ダイボンド樹脂 １９ リードフレーム ２０ Ａｌパッド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年２月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 ＩＣチップ実装用インターポーザ及び
ＩＣチップパッケージ
ＩＣチップパッケージ
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック材料
からなるインターポーザ及びこれにＩＣチップを実装し
たＩＣチップパッケージに関するものである。
からなるインターポーザ及びこれにＩＣチップを実装し
たＩＣチップパッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、インターポーザとしてポリイミド
フィルムを用い、これにＩＣチップをフリップチップ方
式で実装したＩＣパッケージは知られている。その断面
図を図１に示す。図１において、１はＩＣチップ、２は
半田バンプ、３はインナーパッド、４はアウターパッ
ド、５はポリイミドフィルム、６はスルーホールを示
し、７はそれらから構成されるＩＣパッケージを示す。
このような従来のＩＣパッケージにおいては、そのイン
ターポーザとしてのポリイミドフィルムの線膨張係数
（α）は１５〜２５ｐｐｍ／℃の範囲にあり、ＩＣチッ
プ（Ｓｉ製）の線膨張係数３ｐｐｍ／℃に比べてかなり
大きいため、電気的な接合部である金属電極部分（半田
バンプ、金バンプ、Ａｌパッド、Ａｌパッド下地、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｗ等の電極保護被膜等）にクラックが入り易
く、接合部の信頼性に問題があった。また、急激な温度
差が生じた場合には、ＩＣチップ自体にもクラックを生
じる等の問題もあった。一般的に、接合部の信頼性は、
温度サイクルやヒートショック試験等の加速試験で評価
されるが、接合部のクラックの原因は繰返し応力による
疲労破壊である。この応力は、ＩＣチップとインターポ
ーザの材質との間の線膨張係数（α）の差より生じるも
のである。現在、インターポーザとしては、ポリイミド
フィルム（α＝１５〜２５ｐｐｍ／℃）、ガラス布ＢＴ
レジン基板（α＝１５ｐｐｍ／℃）が用いられている
が、ＩＣチップ（α＝３ｐｐｍ／℃）から大きくはなれ
た線膨張係数をもつために、疲労破壊を生じさせる程の
応力が生じるという問題を有している。一方、プラスチ
ックモールドされたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）の場合には、パッケージクラックの問題が
ある。図２に、図１に示したＩＣパッケージを樹脂モー
ルドしてプラスチック型ＣＳＰとした製品の断面図を示
す。この図２において、符号１〜７は前記と同じ意味を
有し、９は封止レジン、１０はプラスチック型ＣＳＰを
示す。このようなＣＳＰにおいては、図２に示すよう
に、プラスチック封止ＣＳＰのポリイミドフィルム露出
部（サイド又はパッケージ裏面（外部端子側）から、ポ
リイミドフィルムの吸水率が高い（２．４％程度）ため
に、水分がパッケージ内に浸入し易く、これによりたま
った水分が高温下で水蒸気となり、その応力でパッケー
ジクラックを生じさせる。
フィルムを用い、これにＩＣチップをフリップチップ方
式で実装したＩＣパッケージは知られている。その断面
図を図１に示す。図１において、１はＩＣチップ、２は
半田バンプ、３はインナーパッド、４はアウターパッ
ド、５はポリイミドフィルム、６はスルーホールを示
し、７はそれらから構成されるＩＣパッケージを示す。
このような従来のＩＣパッケージにおいては、そのイン
ターポーザとしてのポリイミドフィルムの線膨張係数
（α）は１５〜２５ｐｐｍ／℃の範囲にあり、ＩＣチッ
プ（Ｓｉ製）の線膨張係数３ｐｐｍ／℃に比べてかなり
大きいため、電気的な接合部である金属電極部分（半田
バンプ、金バンプ、Ａｌパッド、Ａｌパッド下地、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｗ等の電極保護被膜等）にクラックが入り易
く、接合部の信頼性に問題があった。また、急激な温度
差が生じた場合には、ＩＣチップ自体にもクラックを生
じる等の問題もあった。一般的に、接合部の信頼性は、
温度サイクルやヒートショック試験等の加速試験で評価
されるが、接合部のクラックの原因は繰返し応力による
疲労破壊である。この応力は、ＩＣチップとインターポ
ーザの材質との間の線膨張係数（α）の差より生じるも
のである。現在、インターポーザとしては、ポリイミド
フィルム（α＝１５〜２５ｐｐｍ／℃）、ガラス布ＢＴ
レジン基板（α＝１５ｐｐｍ／℃）が用いられている
が、ＩＣチップ（α＝３ｐｐｍ／℃）から大きくはなれ
た線膨張係数をもつために、疲労破壊を生じさせる程の
応力が生じるという問題を有している。一方、プラスチ
ックモールドされたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）の場合には、パッケージクラックの問題が
ある。図２に、図１に示したＩＣパッケージを樹脂モー
ルドしてプラスチック型ＣＳＰとした製品の断面図を示
す。この図２において、符号１〜７は前記と同じ意味を
有し、９は封止レジン、１０はプラスチック型ＣＳＰを
示す。このようなＣＳＰにおいては、図２に示すよう
に、プラスチック封止ＣＳＰのポリイミドフィルム露出
部（サイド又はパッケージ裏面（外部端子側）から、ポ
リイミドフィルムの吸水率が高い（２．４％程度）ため
に、水分がパッケージ内に浸入し易く、これによりたま
った水分が高温下で水蒸気となり、その応力でパッケー
ジクラックを生じさせる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電体パタ
ーンを表面に形成したプラスチックフィルムからなるイ
ンターポーザにＩＣチップを実装したＩＣチップパッケ
ージ及び該ＩＣチップパッケージを樹脂モールドしてプ
ラスチックモールド型としたＩＣチップパッケージにお
いて、金属電極部分におけるクラックの発生を防止する
とともに、プラスチック型ＩＣチップパッケージにおけ
るパッケージクラックの発生を防止することをその課題
とし、さらに導電体パターンを表面に形成した液晶ポリ
マーフィルムからなるインターポーザを提供することを
その課題とする。
ーンを表面に形成したプラスチックフィルムからなるイ
ンターポーザにＩＣチップを実装したＩＣチップパッケ
ージ及び該ＩＣチップパッケージを樹脂モールドしてプ
ラスチックモールド型としたＩＣチップパッケージにお
いて、金属電極部分におけるクラックの発生を防止する
とともに、プラスチック型ＩＣチップパッケージにおけ
るパッケージクラックの発生を防止することをその課題
とし、さらに導電体パターンを表面に形成した液晶ポリ
マーフィルムからなるインターポーザを提供することを
その課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、表面に導電体パター
ンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配
向した等向性を有する液晶ポリマーフィルムからなり、
該液晶ポリマーフィルムは、３〜９ｐｐｍ／℃の線膨張
係数と２８０℃以上の融点を有し、かつ該フィルムにお
ける１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線
膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが０．３〜３の範囲にあることを
特徴とするＩＣチップ実装用インターポーザが提供され
る。また、本発明によれば、前記インターポーザにＩＣ
チップを実装したＩＣチップパッケージが提供される。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、表面に導電体パター
ンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配
向した等向性を有する液晶ポリマーフィルムからなり、
該液晶ポリマーフィルムは、３〜９ｐｐｍ／℃の線膨張
係数と２８０℃以上の融点を有し、かつ該フィルムにお
ける１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線
膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが０．３〜３の範囲にあることを
特徴とするＩＣチップ実装用インターポーザが提供され
る。また、本発明によれば、前記インターポーザにＩＣ
チップを実装したＩＣチップパッケージが提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明で用いる液晶ポリマー（Ｌ
ＣＰ）フィルムにおいて、そのＬＣＰとしては、２８０
℃以上の融点を持つサーモトロピック液晶ポリマーであ
れば従来公知の各種のものを用いることができる。この
ような液晶ポリマーとしては、例えば、芳香族ジオー
ル、芳香族カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等のモノ
マーから合成される、溶融時に液晶性を示す芳香族ポリ
エステルがあり、その代表的なものとしては、パラヒド
ロキシ安息香酸（ＰＨＢ）とテレフタル酸とビフェノー
ルからなる第１のタイプのもの（下記式１）や、ＰＨＢ
と２，６−ヒドロキシナフトエ酸からなる第２のタイプ
のもの（下記式２）がある。
ＣＰ）フィルムにおいて、そのＬＣＰとしては、２８０
℃以上の融点を持つサーモトロピック液晶ポリマーであ
れば従来公知の各種のものを用いることができる。この
ような液晶ポリマーとしては、例えば、芳香族ジオー
ル、芳香族カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等のモノ
マーから合成される、溶融時に液晶性を示す芳香族ポリ
エステルがあり、その代表的なものとしては、パラヒド
ロキシ安息香酸（ＰＨＢ）とテレフタル酸とビフェノー
ルからなる第１のタイプのもの（下記式１）や、ＰＨＢ
と２，６−ヒドロキシナフトエ酸からなる第２のタイプ
のもの（下記式２）がある。
【０００６】
【化１】
【０００７】
【化２】
【０００８】前記一般式（１）のＬＣＰとしては、例え
ば、スミカスーパー（住友化学社）や、Ｘｙｄｅｒ（Ａ
ｍｏｃｏ社）等があり、前記一般式（２）のＬＰＣとし
ては、Ｖｅｃｔｒａ（ヘキスト社）等がある。
ば、スミカスーパー（住友化学社）や、Ｘｙｄｅｒ（Ａ
ｍｏｃｏ社）等があり、前記一般式（２）のＬＰＣとし
ては、Ｖｅｃｔｒａ（ヘキスト社）等がある。
【０００９】本発明で用いるＬＣＰフィルムは、ＬＣＰ
分子が平面方向にランダムに配向したもので、ＬＣＰフ
ィルムに通常見られる異方向性の大幅に解消されたもの
（本明細書では等方向性フィルムと言う）である。前記
等方向性ＬＣＰフィルムは、ＬＣＰフィルムの一方の面
又は両方の面に熱可塑性樹脂多孔質体フィルムを加圧下
及び加熱下で接触させ、少なくとも表面部が軟化した状
態の該ＬＣＰフィルムに該多孔質体フィルムを熱圧着さ
せ、必要に応じて冷却して、該多孔質体フィルムが該Ｌ
ＣＰフィルムに対して１〜５００ｇ／ｃｍの剥離強度で
接合している積層体を得る熱圧着工程と、得られた積層
体を、該ＬＣＰフィルムは溶融するが多孔質体フィルム
は軟化するが（ガラス転移点以上の温度）実質的に溶融
しない温度条件下で、該ＬＣＰの配向方向に対し垂直の
方向に延伸するか又は該ＬＣＰの配向方向と同じ方向に
延伸するとともに、該ＬＣＰ配向方向に対し垂直の方向
に延伸する延伸工程と、得られた積層体延伸物を冷却す
る工程と、冷却された積層体延伸物から多孔質体フィル
ムを剥離する剥離工程によって工業的に有利に製造する
ことができる。
分子が平面方向にランダムに配向したもので、ＬＣＰフ
ィルムに通常見られる異方向性の大幅に解消されたもの
（本明細書では等方向性フィルムと言う）である。前記
等方向性ＬＣＰフィルムは、ＬＣＰフィルムの一方の面
又は両方の面に熱可塑性樹脂多孔質体フィルムを加圧下
及び加熱下で接触させ、少なくとも表面部が軟化した状
態の該ＬＣＰフィルムに該多孔質体フィルムを熱圧着さ
せ、必要に応じて冷却して、該多孔質体フィルムが該Ｌ
ＣＰフィルムに対して１〜５００ｇ／ｃｍの剥離強度で
接合している積層体を得る熱圧着工程と、得られた積層
体を、該ＬＣＰフィルムは溶融するが多孔質体フィルム
は軟化するが（ガラス転移点以上の温度）実質的に溶融
しない温度条件下で、該ＬＣＰの配向方向に対し垂直の
方向に延伸するか又は該ＬＣＰの配向方向と同じ方向に
延伸するとともに、該ＬＣＰ配向方向に対し垂直の方向
に延伸する延伸工程と、得られた積層体延伸物を冷却す
る工程と、冷却された積層体延伸物から多孔質体フィル
ムを剥離する剥離工程によって工業的に有利に製造する
ことができる。
【００１０】前記熱可塑性樹脂多孔質体フィルムとして
は、多孔質構造を有する各種のものが用いられ、その平
均細孔径は０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．２〜
１μｍであり、空孔率は４０〜９５％、好ましくは６０
〜８５％である。このような多孔質体フィルムを形成す
る熱可塑性樹脂としては、具体的には、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミ
ドの他、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化
エチレン等のフッ素樹脂等を例示することができる。こ
れらの熱可塑性樹脂のうち、フッ素樹脂は、その高い耐
熱性によって熱圧着温度を高くすることができ、使用す
る液晶ポリマーを広く選択できるので好ましい。本発明
で用いる好ましい多孔質体フィルムは、耐熱性、耐薬品
性の点で延伸多孔質フッ素樹脂フィルム、特に、延伸多
孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムである。熱可
塑性樹脂多孔質体フィルムは、発泡法や溶媒抽出法、固
相延伸法、フィブリル化法等の従来公知の方法で得るこ
とができる。
は、多孔質構造を有する各種のものが用いられ、その平
均細孔径は０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．２〜
１μｍであり、空孔率は４０〜９５％、好ましくは６０
〜８５％である。このような多孔質体フィルムを形成す
る熱可塑性樹脂としては、具体的には、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミ
ドの他、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化
エチレン等のフッ素樹脂等を例示することができる。こ
れらの熱可塑性樹脂のうち、フッ素樹脂は、その高い耐
熱性によって熱圧着温度を高くすることができ、使用す
る液晶ポリマーを広く選択できるので好ましい。本発明
で用いる好ましい多孔質体フィルムは、耐熱性、耐薬品
性の点で延伸多孔質フッ素樹脂フィルム、特に、延伸多
孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムである。熱可
塑性樹脂多孔質体フィルムは、発泡法や溶媒抽出法、固
相延伸法、フィブリル化法等の従来公知の方法で得るこ
とができる。
【００１１】本発明でインターポーザ用材料として用い
る等方向性ＬＣＰのフィルムを得るには、先ず、ＬＣＰ
又はそのポリマーアロイ（以下、これらを単にＬＣＰと
も言う）の押出し成形フィルムを用意する。この場合の
ＬＣＰの押出し成形フィルムは、異方向性を有し、ＬＣ
Ｐの溶融物を、押出機を用い、その先端のＴダイやイン
フレーションダイを通してフィルム状に押出し成形する
ことによって得ることができる。前記溶融温度は、液晶
ポリマーが溶融状態を示す温度である。押出し成形装置
としては、二軸押出機や、単軸押出機等の慣用の装置が
用いられる。押出し成形フィルムの厚さは、２０μｍ〜
５ｍｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。
る等方向性ＬＣＰのフィルムを得るには、先ず、ＬＣＰ
又はそのポリマーアロイ（以下、これらを単にＬＣＰと
も言う）の押出し成形フィルムを用意する。この場合の
ＬＣＰの押出し成形フィルムは、異方向性を有し、ＬＣ
Ｐの溶融物を、押出機を用い、その先端のＴダイやイン
フレーションダイを通してフィルム状に押出し成形する
ことによって得ることができる。前記溶融温度は、液晶
ポリマーが溶融状態を示す温度である。押出し成形装置
としては、二軸押出機や、単軸押出機等の慣用の装置が
用いられる。押出し成形フィルムの厚さは、２０μｍ〜
５ｍｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。
【００１２】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におけ
る各工程について詳述すると、以下の通りである。 （熱圧着工程）この工程は、ＬＣＰフィルムＡの両方又
は片方の表面、好ましくは両方の面に多孔質体フィルム
Ｂ−１及びＢ−２をそれぞれ熱圧着させる工程である。
熱圧着温度は、多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２は実質
的に溶融させないが、ＬＣＰフィルムＡの少なくとも表
面部、即ち、多孔質体フィルムＢ−１及びＢ−２に接触
するフィルムＡの表面部のみ又は全体を軟化させる温度
である。
る各工程について詳述すると、以下の通りである。 （熱圧着工程）この工程は、ＬＣＰフィルムＡの両方又
は片方の表面、好ましくは両方の面に多孔質体フィルム
Ｂ−１及びＢ−２をそれぞれ熱圧着させる工程である。
熱圧着温度は、多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２は実質
的に溶融させないが、ＬＣＰフィルムＡの少なくとも表
面部、即ち、多孔質体フィルムＢ−１及びＢ−２に接触
するフィルムＡの表面部のみ又は全体を軟化させる温度
である。
【００１３】この熱圧着工程においては、ＬＣＰフィル
ムＡは、２つの多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２によ
り、両側から挟まれていることから、その表面部のみに
限らず、全体が軟化状態であってもよい。このような熱
圧着により、ＬＣＰフィルムＡの両面に、多孔質体フィ
ルムＢ−１、Ｂ−２が接合された積層体が形成される。
ムＡは、２つの多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２によ
り、両側から挟まれていることから、その表面部のみに
限らず、全体が軟化状態であってもよい。このような熱
圧着により、ＬＣＰフィルムＡの両面に、多孔質体フィ
ルムＢ−１、Ｂ−２が接合された積層体が形成される。
【００１４】前記のようにして積層体を製造する場合、
その熱圧着装置としては、一対の熱圧着ロールや、熱プ
レス装置が用いられる。熱圧着ロールを用いる場合、液
晶ポリマーフィルムＡと２枚の多孔質体フィルムＢ−
１、Ｂ−２を、一対の熱圧着ロールの間の間隙部（クレ
アランス）に供給し、この熱圧着ロール間の間隙部で熱
圧着する。この場合、ＬＣＰフィルムＡの両側に多孔質
体フィルムＢ−１、Ｂ−２を供給する。ＬＣＰフィルム
Ａは固体フィルム又は押出機のＴ−ダイから押出された
溶融物フィルム等であることができる。一方、熱プレス
装置を用いる場合、その熱プレス装置の底板上に第１の
多孔質体フィルムを敷設し、その上にＬＣＰフィルムを
重ね、その上に第２の多孔質体フィルムを重ね、その上
から上板で所定時間加圧して熱圧着し、冷却する。この
場合、底板及び／又は上板を加熱し、ＬＣＰフィルムの
少なくとも表面部を軟化させる。前記のようにして、Ｌ
ＣＰフィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２との
積層体が得られるが、この積層体において、そのＬＣＰ
フィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１又はＢ−２との間
の剥離強度は、１〜５００ｇ／ｃｍ、好ましくは２〜１
００ｇ／ｃｍである。剥離強度が前記範囲よりも小さく
なると、積層体フィルムの延伸に際し、ＬＣＰフィルム
と多孔質体フィルムとの間に剥離が生じ、ＬＣＰフィル
ムの円滑な延伸を行うことが困難になるので好ましくな
い。一方、剥離強度が前記範囲より大きくなると、延伸
後に、多孔質体フィルムを剥離する場合に、その剥離が
困難になるので好ましくない。ＬＣＰフィルムと多孔質
体フィルムとの間の剥離強度は、両者のフィルムの熱圧
着条件により調節することができる。前記で得られた積
層体は、その熱融着の状態のまま又はいったん冷却した
後、次の延伸工程へ送られる。
その熱圧着装置としては、一対の熱圧着ロールや、熱プ
レス装置が用いられる。熱圧着ロールを用いる場合、液
晶ポリマーフィルムＡと２枚の多孔質体フィルムＢ−
１、Ｂ−２を、一対の熱圧着ロールの間の間隙部（クレ
アランス）に供給し、この熱圧着ロール間の間隙部で熱
圧着する。この場合、ＬＣＰフィルムＡの両側に多孔質
体フィルムＢ−１、Ｂ−２を供給する。ＬＣＰフィルム
Ａは固体フィルム又は押出機のＴ−ダイから押出された
溶融物フィルム等であることができる。一方、熱プレス
装置を用いる場合、その熱プレス装置の底板上に第１の
多孔質体フィルムを敷設し、その上にＬＣＰフィルムを
重ね、その上に第２の多孔質体フィルムを重ね、その上
から上板で所定時間加圧して熱圧着し、冷却する。この
場合、底板及び／又は上板を加熱し、ＬＣＰフィルムの
少なくとも表面部を軟化させる。前記のようにして、Ｌ
ＣＰフィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２との
積層体が得られるが、この積層体において、そのＬＣＰ
フィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１又はＢ−２との間
の剥離強度は、１〜５００ｇ／ｃｍ、好ましくは２〜１
００ｇ／ｃｍである。剥離強度が前記範囲よりも小さく
なると、積層体フィルムの延伸に際し、ＬＣＰフィルム
と多孔質体フィルムとの間に剥離が生じ、ＬＣＰフィル
ムの円滑な延伸を行うことが困難になるので好ましくな
い。一方、剥離強度が前記範囲より大きくなると、延伸
後に、多孔質体フィルムを剥離する場合に、その剥離が
困難になるので好ましくない。ＬＣＰフィルムと多孔質
体フィルムとの間の剥離強度は、両者のフィルムの熱圧
着条件により調節することができる。前記で得られた積
層体は、その熱融着の状態のまま又はいったん冷却した
後、次の延伸工程へ送られる。
【００１５】（延伸工程）この工程は、前記積層体フィ
ルム形成工程で得られた積層体フィルムを、その多孔質
フィルムは軟化させるが実質的に溶融せずにＬＣＰフィ
ルムを溶融させる温度条件下で、１軸方向、即ち、その
ＬＣＰの配向方向とは垂直の方向（ＴＤ）へ延伸するか
又は２軸方向、即ち、そのＬＣＰの配向と同じ方向（Ｍ
Ｄ）へ延伸するとともに、それとは垂直方向（ＴＤ）へ
延伸する工程である。１軸延伸の場合、ＴＤへの延伸倍
率は１．５〜１０倍、好ましくは２〜５倍である。２軸
延伸の場合、ＭＤへの延伸倍率は１〜１０倍、好ましく
は１〜５倍であり、ＴＤへの延伸倍率は１．５〜２０
倍、好ましくは３〜１５倍である。また、ＴＤへの延伸
倍率は、ＭＤへの延伸倍率の１．０〜５．０倍、好まし
くは１．５〜３．０倍に規定するのがよい。延伸スピー
ドは、１〜２００％／秒、好ましくは５〜５０％／秒に
するのがよい。延伸装置としては、従来公知の１軸又は
２軸延伸装置を用いることができる。
ルム形成工程で得られた積層体フィルムを、その多孔質
フィルムは軟化させるが実質的に溶融せずにＬＣＰフィ
ルムを溶融させる温度条件下で、１軸方向、即ち、その
ＬＣＰの配向方向とは垂直の方向（ＴＤ）へ延伸するか
又は２軸方向、即ち、そのＬＣＰの配向と同じ方向（Ｍ
Ｄ）へ延伸するとともに、それとは垂直方向（ＴＤ）へ
延伸する工程である。１軸延伸の場合、ＴＤへの延伸倍
率は１．５〜１０倍、好ましくは２〜５倍である。２軸
延伸の場合、ＭＤへの延伸倍率は１〜１０倍、好ましく
は１〜５倍であり、ＴＤへの延伸倍率は１．５〜２０
倍、好ましくは３〜１５倍である。また、ＴＤへの延伸
倍率は、ＭＤへの延伸倍率の１．０〜５．０倍、好まし
くは１．５〜３．０倍に規定するのがよい。延伸スピー
ドは、１〜２００％／秒、好ましくは５〜５０％／秒に
するのがよい。延伸装置としては、従来公知の１軸又は
２軸延伸装置を用いることができる。
【００１６】（冷却工程）この工程は、前記延伸工程で
得られた積層体フィルム延伸物を冷却し、溶融状態の液
晶ポリマーフィルムを冷却固化する工程であり、一対の
冷却ロールを用いて実施することができる。また自然放
冷で行ってもよい。
得られた積層体フィルム延伸物を冷却し、溶融状態の液
晶ポリマーフィルムを冷却固化する工程であり、一対の
冷却ロールを用いて実施することができる。また自然放
冷で行ってもよい。
【００１７】（剥離工程）この工程は、前記冷却工程で
得られた積層体フィルムから、その両表面に熱圧着され
ている多孔質体フィルムを剥離する工程である。前記し
たように、この多孔質体フィルムは、ＬＣＰフィルムに
対しては、剥離可能に接合しているので、その多孔質体
フィルムを、ＬＣＰフィルムより上方に引張ることによ
り容易に剥離することができる。
得られた積層体フィルムから、その両表面に熱圧着され
ている多孔質体フィルムを剥離する工程である。前記し
たように、この多孔質体フィルムは、ＬＣＰフィルムに
対しては、剥離可能に接合しているので、その多孔質体
フィルムを、ＬＣＰフィルムより上方に引張ることによ
り容易に剥離することができる。
【００１８】以上のようにして、等方向性ＬＣＰフィル
ムを得ることができる。このフィルムは、延伸用原料フ
ィルムとして用いたＬＣＰフィルムにみられる異方向性
の解消されたもので、平面物性の等方向性にすぐれたも
のである。
ムを得ることができる。このフィルムは、延伸用原料フ
ィルムとして用いたＬＣＰフィルムにみられる異方向性
の解消されたもので、平面物性の等方向性にすぐれたも
のである。
【００１９】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におい
て、その原料ＬＣＰフィルムとしては、充填剤を含有す
るＬＣＰの押出し成形フィルムを用いるのが好ましい。
この場合、充填剤には、無機系及び有機系のものが包含
される。無機系充填剤としては、たとえば、シリカ、ア
ルミナ、酸化チタン等の金属酸化物，炭酸カルシウム、
炭酸バリウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バ
リウム等の金属硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス等のケイ酸塩の他、チタン酸カリウム、チタン酸カル
シウム、ガラス繊維等が挙げられる。有機系充填剤とし
ては、液晶ポリマーの加工温度において溶融しない耐熱
性樹脂粉末や、カーボン、グラファイト、カーボン繊維
等が挙げられる。前記耐熱性樹脂粉末としては、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＣＴＦＥ、ＰＶＤ
Ｆ、Ｅ−ＣＴＦＥ等）、ＬＣＰ等が挙げられる。前記充
填剤において、その平均粒径は０．０１〜５０μｍ、好
ましくは０．１〜１０μｍである。また、充填剤を含有
するＬＣＰ中のその充填剤の含有量は、５〜３０容量
％、好ましくは１０〜２０容量％である。前記押出し成
形フィルムを得るには、ＬＣＰに充填剤を加えて溶融混
合し、得られた混合物を押出機を用い、その先端のＴダ
イやインフレーションダイを通してフィルム状に押出成
形する。前記溶融混合温度は、ＬＣＰが溶融状態を示す
温度である。もちろん、充填剤が樹脂粉末の場合には、
その樹脂粉末が溶融する温度より低い温度である。混合
装置としては、二軸押出機、単軸押出機、ニーダー、ミ
キサー等の慣用の混合装置が用いられる。
て、その原料ＬＣＰフィルムとしては、充填剤を含有す
るＬＣＰの押出し成形フィルムを用いるのが好ましい。
この場合、充填剤には、無機系及び有機系のものが包含
される。無機系充填剤としては、たとえば、シリカ、ア
ルミナ、酸化チタン等の金属酸化物，炭酸カルシウム、
炭酸バリウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バ
リウム等の金属硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス等のケイ酸塩の他、チタン酸カリウム、チタン酸カル
シウム、ガラス繊維等が挙げられる。有機系充填剤とし
ては、液晶ポリマーの加工温度において溶融しない耐熱
性樹脂粉末や、カーボン、グラファイト、カーボン繊維
等が挙げられる。前記耐熱性樹脂粉末としては、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＣＴＦＥ、ＰＶＤ
Ｆ、Ｅ−ＣＴＦＥ等）、ＬＣＰ等が挙げられる。前記充
填剤において、その平均粒径は０．０１〜５０μｍ、好
ましくは０．１〜１０μｍである。また、充填剤を含有
するＬＣＰ中のその充填剤の含有量は、５〜３０容量
％、好ましくは１０〜２０容量％である。前記押出し成
形フィルムを得るには、ＬＣＰに充填剤を加えて溶融混
合し、得られた混合物を押出機を用い、その先端のＴダ
イやインフレーションダイを通してフィルム状に押出成
形する。前記溶融混合温度は、ＬＣＰが溶融状態を示す
温度である。もちろん、充填剤が樹脂粉末の場合には、
その樹脂粉末が溶融する温度より低い温度である。混合
装置としては、二軸押出機、単軸押出機、ニーダー、ミ
キサー等の慣用の混合装置が用いられる。
【００２０】前記のようにして得られる充填剤を含有す
る押出し成形フィルムは、表面状態の良好なフィルムで
あって、厚さ分布の平均値Ｃに対する厚さ分布の標準偏
差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下という厚さ精度にすぐれた
ものである。そして、このような充填剤を含有する押出
し成形フィルムを原料として用いて得られる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、表面状態の非常にすぐれたもので、そ
のフィルムの厚さ分布の平均値Ｃに対するその厚さ分布
の標準偏差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下、特に０．１５〜
０．０２の範囲にある。
る押出し成形フィルムは、表面状態の良好なフィルムで
あって、厚さ分布の平均値Ｃに対する厚さ分布の標準偏
差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下という厚さ精度にすぐれた
ものである。そして、このような充填剤を含有する押出
し成形フィルムを原料として用いて得られる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、表面状態の非常にすぐれたもので、そ
のフィルムの厚さ分布の平均値Ｃに対するその厚さ分布
の標準偏差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下、特に０．１５〜
０．０２の範囲にある。
【００２１】本発明で用いる等方向性ＬＣＰフィルム
は、通常のＬＣＰフィルムにみられる平面物性の異方向
性の解消されたものであり、平面物性の等方向性にすぐ
れたものである。この場合の平面物性には、線膨張係
数、熱膨張率、熱収縮率、引張り伸度、引張り強度、引
張り弾性率等が包含される。本発明で用いる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、低められた線膨張係数を有する。即
ち、本発明で用いるＬＣＰフィルムは、３〜９ｐｐｍ／
℃の線膨張係数を有する。線膨張係数の下限値は、通
常、３ｐｐｍ／℃程度である。本発明で用いるＬＣＰフ
ィルムは、前記のように、低められた線膨張係数を有す
ると同時に、その線膨張係数の等方向性にすぐれ、フィ
ルムの１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面方向の
線膨張係数Ｂとの比のＡ／Ｂは、０．３〜３、好ましく
は、０．５〜２の範囲にある。インターポーザとして用
いるＬＣＰフィルムにおける前記線膨張係数の等方向性
は非常に重要であり、その線膨張係数に大きな異方向性
があると、信頼性のあるインターポーザ及びＩＣチップ
パッケージを得ることができなくなる。
は、通常のＬＣＰフィルムにみられる平面物性の異方向
性の解消されたものであり、平面物性の等方向性にすぐ
れたものである。この場合の平面物性には、線膨張係
数、熱膨張率、熱収縮率、引張り伸度、引張り強度、引
張り弾性率等が包含される。本発明で用いる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、低められた線膨張係数を有する。即
ち、本発明で用いるＬＣＰフィルムは、３〜９ｐｐｍ／
℃の線膨張係数を有する。線膨張係数の下限値は、通
常、３ｐｐｍ／℃程度である。本発明で用いるＬＣＰフ
ィルムは、前記のように、低められた線膨張係数を有す
ると同時に、その線膨張係数の等方向性にすぐれ、フィ
ルムの１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面方向の
線膨張係数Ｂとの比のＡ／Ｂは、０．３〜３、好ましく
は、０．５〜２の範囲にある。インターポーザとして用
いるＬＣＰフィルムにおける前記線膨張係数の等方向性
は非常に重要であり、その線膨張係数に大きな異方向性
があると、信頼性のあるインターポーザ及びＩＣチップ
パッケージを得ることができなくなる。
【００２２】本発明のインターポーザとして用いる等方
向性ＬＣＰフィルムにおいて、その厚さは１０〜１００
０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍ、その線膨張係数
は、３〜９ｐｐｍ／℃及びその吸水率は０．５重量％以
下、好ましくは０．３重量％以下である。また、その吸
湿膨張率（２３℃、８０％ＲＨ）は、通常、０．１％以
下、好ましくは０．０５％以下である。これらの物性
は、ＬＣＰの種類や、ＬＣＰの押出し成形条件、ＬＣＰ
フィルムの延伸条件等によって調節することができる。
本発明においては、ＬＣＰフィルムには、特に、無機充
填剤を含有させることが好ましい。無機充填剤を含有す
るＬＣＰフィルムは、熱伝導性が向上し、高い放熱効果
を有することから、インターポーザとしての機能におい
てすぐれている。この場合の無機充填剤としては、特
に、シリカ、アルミナ、チタニア等を粉末状やウイスカ
ー状で用いるのが好ましく、その含有量は、特に、５〜
３０容量％、好ましくは１０〜２０容量％である。
向性ＬＣＰフィルムにおいて、その厚さは１０〜１００
０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍ、その線膨張係数
は、３〜９ｐｐｍ／℃及びその吸水率は０．５重量％以
下、好ましくは０．３重量％以下である。また、その吸
湿膨張率（２３℃、８０％ＲＨ）は、通常、０．１％以
下、好ましくは０．０５％以下である。これらの物性
は、ＬＣＰの種類や、ＬＣＰの押出し成形条件、ＬＣＰ
フィルムの延伸条件等によって調節することができる。
本発明においては、ＬＣＰフィルムには、特に、無機充
填剤を含有させることが好ましい。無機充填剤を含有す
るＬＣＰフィルムは、熱伝導性が向上し、高い放熱効果
を有することから、インターポーザとしての機能におい
てすぐれている。この場合の無機充填剤としては、特
に、シリカ、アルミナ、チタニア等を粉末状やウイスカ
ー状で用いるのが好ましく、その含有量は、特に、５〜
３０容量％、好ましくは１０〜２０容量％である。
【００２３】本発明で用いる前記ＬＣＰフィルムは、そ
の表面に導電体パターンを形成させて、ＩＣチップを実
装する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示
す。即ち、ＬＣＰフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）は、
平面のどの方向をとっても３〜９ｐｐｍ／℃の範囲にあ
り、ＩＣチップの線膨張係数３ｐｐｍ／℃とほぼマッチ
ングしている。従って、ＩＣチップをＬＣＰフィルムに
実装する場合に、半田バンプ等の金属接合部に生じる熱
応力を著しく軽減することができ、接合部の信頼性を大
幅に向上させることができる上、ＩＣチップ自体に生じ
る応力を軽減できるので、ＩＣチップの機能低下も防ぐ
ことができ、さらに、ＩＣチップ自体のクラック（引張
応力で１００ＭＰａ以上、圧縮応力で５００ＭＰａ以上
で一般的にはクラックを生じる）も効果的に防止するこ
とができる。以上のように、本発明による等方向性ＬＣ
ＰフィルムからなるインターポーザとするＩＣチップパ
ッケージは、ＩＣチップとインターポーザとの間の熱応
力の発生を減じ、パッケージ信頼性が著しく向上したも
のである。また、本発明による前記ＩＣチップパッケー
ジをプラスチックモールドしたプラスチック型ＩＣチッ
プパッケージ（ＣＳＰ、ＢＧＡ等）は、ＬＣＰフィルム
が非常に低い吸水率（０．１％以下）を示し、ＰＣＴ
（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）（１２
１℃、２ａｔｍ、湿度１００％）、６５℃／９５％ＲＨ
及び８５℃／８５％ＲＨ等の吸湿試験においても、性能
劣化やパッケージクラックを何ら生じることはなく、非
常に高いパッケージ信頼性を有する。
の表面に導電体パターンを形成させて、ＩＣチップを実
装する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示
す。即ち、ＬＣＰフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）は、
平面のどの方向をとっても３〜９ｐｐｍ／℃の範囲にあ
り、ＩＣチップの線膨張係数３ｐｐｍ／℃とほぼマッチ
ングしている。従って、ＩＣチップをＬＣＰフィルムに
実装する場合に、半田バンプ等の金属接合部に生じる熱
応力を著しく軽減することができ、接合部の信頼性を大
幅に向上させることができる上、ＩＣチップ自体に生じ
る応力を軽減できるので、ＩＣチップの機能低下も防ぐ
ことができ、さらに、ＩＣチップ自体のクラック（引張
応力で１００ＭＰａ以上、圧縮応力で５００ＭＰａ以上
で一般的にはクラックを生じる）も効果的に防止するこ
とができる。以上のように、本発明による等方向性ＬＣ
ＰフィルムからなるインターポーザとするＩＣチップパ
ッケージは、ＩＣチップとインターポーザとの間の熱応
力の発生を減じ、パッケージ信頼性が著しく向上したも
のである。また、本発明による前記ＩＣチップパッケー
ジをプラスチックモールドしたプラスチック型ＩＣチッ
プパッケージ（ＣＳＰ、ＢＧＡ等）は、ＬＣＰフィルム
が非常に低い吸水率（０．１％以下）を示し、ＰＣＴ
（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）（１２
１℃、２ａｔｍ、湿度１００％）、６５℃／９５％ＲＨ
及び８５℃／８５％ＲＨ等の吸湿試験においても、性能
劣化やパッケージクラックを何ら生じることはなく、非
常に高いパッケージ信頼性を有する。
【００２４】ＬＣＰフィルム上に形成する導電体パター
ンにおいて、その導電体としては、各種の導電性金属、
例えば、銅、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金等のインバー型合金
等が用いられる。インバー型合金としては、特に、線膨
張係数が７ｐｐｍ／℃以下のものの使用が好ましく、こ
れにより、そりや歪の低減されたインターポーザを得る
ことができる。また、ＬＣＰフィルム上にＩＣチップを
実装する場合、その実装方式としては、従来公知の各種
の方式、例えば、ワイヤーボンディングの他、フリップ
チップ方式、ビームリード方式、ＴＡＢ方式、ＳＴＤ方
式等を採用することができる。本発明によるＬＣＰフィ
ルムからなるインターポーザは、前記のように、線膨張
係数が小さく、ＩＣチップの線膨張係数に近いことか
ら、特に、フリップチップ方式によりＩＣチップを実装
する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示す。
ンにおいて、その導電体としては、各種の導電性金属、
例えば、銅、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金等のインバー型合金
等が用いられる。インバー型合金としては、特に、線膨
張係数が７ｐｐｍ／℃以下のものの使用が好ましく、こ
れにより、そりや歪の低減されたインターポーザを得る
ことができる。また、ＬＣＰフィルム上にＩＣチップを
実装する場合、その実装方式としては、従来公知の各種
の方式、例えば、ワイヤーボンディングの他、フリップ
チップ方式、ビームリード方式、ＴＡＢ方式、ＳＴＤ方
式等を採用することができる。本発明によるＬＣＰフィ
ルムからなるインターポーザは、前記のように、線膨張
係数が小さく、ＩＣチップの線膨張係数に近いことか
ら、特に、フリップチップ方式によりＩＣチップを実装
する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示す。
【００２５】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。
する。
【００２６】参考例１ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）を、単軸押出機（スクリュー径５
０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リップ
長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダイ
温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却して厚
さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、Ｔ
Ｄ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であった。
最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィル
ムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸
フィルム（ａ−１）を得た。
スーパーＥ６０００）を、単軸押出機（スクリュー径５
０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リップ
長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダイ
温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却して厚
さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、Ｔ
Ｄ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であった。
最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィル
ムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸
フィルム（ａ−１）を得た。
【００２７】参考例２ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−２）を得た。
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−２）を得た。
【００２８】参考例３ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ６５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ１２５μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−３）を得た。
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ６５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率ＭＤ方向１．３倍、
ＴＤ方向３．９倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ１２５μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−３）を得た。
【００２９】参考例４ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）を、単軸押出機（スクリュー径
５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リッ
プ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダ
イ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷却して
厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液
晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均
孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１００
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６倍、
ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−４）を得た。
製、ベクトラＡ９５０）を、単軸押出機（スクリュー径
５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リッ
プ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．０ｍｍ、ダ
イ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷却して
厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液
晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均
孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１００
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６倍、
ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であっ
た。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフ
ィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー
延伸フィルム（ａ−４）を得た。
【００３０】参考例５ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）９０重量部と天然シリカ（平均
粒径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部と
を、二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先
端のストランドダイから押出してペレタイザーをペレッ
トに成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリ
ュー径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ
（リップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍ
ｍ、ダイ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷
却して厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。
この液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多
孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム
（平均孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロ
ール（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラ
ミネーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１
００℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィ
ルムの剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このよう
にして得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延
伸条件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６
倍、ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であ
った。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマー
フィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−５）を得た。
製、ベクトラＡ９５０）９０重量部と天然シリカ（平均
粒径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部と
を、二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先
端のストランドダイから押出してペレタイザーをペレッ
トに成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリ
ュー径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ
（リップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス２．５ｍ
ｍ、ダイ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷
却して厚さ２５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。
この液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多
孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム
（平均孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロ
ール（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラ
ミネーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１
００℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィ
ルムの剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このよう
にして得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延
伸条件は、延伸温度３００℃、延伸倍率ＭＤ方向１．６
倍、ＴＤ方向３．２倍、延伸スピード２０％／秒、であ
った。最後に、多孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマー
フィルムの両面から剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマ
ー延伸フィルム（ａ−５）を得た。
【００３１】以上で得た各々の液晶ポリマーフィルムの
物性を以下のようにして測定し、その結果を表１に示
す。 （１）ＴＤ厚さ分布 ダイヤルゲージのニードル型測定子（ミツトヨ社製、先
端Ｒ：０．４ｍｍ）を鉛直方向に向かい合わせて固定
し、１００ｇの力で接触させる。つぎにこの測定子間に
サンプルフィルムをはさみ、ＴＤ方向に移動させる。こ
のようにして、フィルムのＴＤの厚さ分布データを得
る。 （ｉ）平均値Ｃ １０００ｍｍ幅、０．５ｍｍ間隔で２０００ポイント測
定し、その平均値を求めた。 （ｉｉ）標準偏差Ｄ 前記平均値Ｃに対する２０００ポイントの標準偏差Ｄを
求めた。 （２）線膨張係数 ＴＭＡ法：荷重５ｇ、２００℃まで昇温後、１５０℃か
ら２５℃への降温時に測定。試料幅４．０ｍｍ、チャッ
ク間隔１０ｍｍ。 （３）吸水率 ５×５ｃｍのフィルムを真水中に２４時間浸漬し、その
前後の重量を測定して吸水量を算出し、その浸漬前のフ
ィルム重量に対する％で示した。
物性を以下のようにして測定し、その結果を表１に示
す。 （１）ＴＤ厚さ分布 ダイヤルゲージのニードル型測定子（ミツトヨ社製、先
端Ｒ：０．４ｍｍ）を鉛直方向に向かい合わせて固定
し、１００ｇの力で接触させる。つぎにこの測定子間に
サンプルフィルムをはさみ、ＴＤ方向に移動させる。こ
のようにして、フィルムのＴＤの厚さ分布データを得
る。 （ｉ）平均値Ｃ １０００ｍｍ幅、０．５ｍｍ間隔で２０００ポイント測
定し、その平均値を求めた。 （ｉｉ）標準偏差Ｄ 前記平均値Ｃに対する２０００ポイントの標準偏差Ｄを
求めた。 （２）線膨張係数 ＴＭＡ法：荷重５ｇ、２００℃まで昇温後、１５０℃か
ら２５℃への降温時に測定。試料幅４．０ｍｍ、チャッ
ク間隔１０ｍｍ。 （３）吸水率 ５×５ｃｍのフィルムを真水中に２４時間浸漬し、その
前後の重量を測定して吸水量を算出し、その浸漬前のフ
ィルム重量に対する％で示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】実施例１ 参考例１で示した厚さ５０μｍのＬＣＰフィルムに、図
３に示すように、銅を蒸着して導電体部を形成した。こ
のフィルムの幅は３５ｍｍで、導電体部は幅２６ｍｍ
で、両サイドにスプロケット孔を設けた３５ｍｍ幅のス
タンダードＴＡＢフィルムキャリアの仕様とした。テー
プは長さ２０ｍの長尺で、連続蒸着した後、メッキ法で
厚さ１０μｍに銅を厚くした。導電体は両面に形成し
た。エキシマレーザを用いて直径４０μｍのスルーホー
ルをあけ、スルーホールメッキを行い、両面にそれぞれ
電極パターンを形成した。片面の基板実装側の外部端子
には、さらに半田バンプを形成した。以上の工程によ
り、ＣＳＰ用のインターポーザを得た。
３に示すように、銅を蒸着して導電体部を形成した。こ
のフィルムの幅は３５ｍｍで、導電体部は幅２６ｍｍ
で、両サイドにスプロケット孔を設けた３５ｍｍ幅のス
タンダードＴＡＢフィルムキャリアの仕様とした。テー
プは長さ２０ｍの長尺で、連続蒸着した後、メッキ法で
厚さ１０μｍに銅を厚くした。導電体は両面に形成し
た。エキシマレーザを用いて直径４０μｍのスルーホー
ルをあけ、スルーホールメッキを行い、両面にそれぞれ
電極パターンを形成した。片面の基板実装側の外部端子
には、さらに半田バンプを形成した。以上の工程によ
り、ＣＳＰ用のインターポーザを得た。
【００３４】実施例２ 図４に示すように、実施例１で得たインターポーザにＩ
Ｃチップをフリップチップ方式で実装した。接合部はＰ
ｂリッチの高融点半田バンプとした。さらにこれをエポ
キシ系レジンでトランスファーモールドで封止し、４箇
所の吊り部を切断して、ＣＳＰを得た。
Ｃチップをフリップチップ方式で実装した。接合部はＰ
ｂリッチの高融点半田バンプとした。さらにこれをエポ
キシ系レジンでトランスファーモールドで封止し、４箇
所の吊り部を切断して、ＣＳＰを得た。
【００３５】実施例３ 図５に示すように、インナーリード部を熱圧着するタイ
プのインターポーザを作製した。これは、参考例２のＬ
ＣＰフィルムの表面をＫＯＨ溶液で処理して、銅を０．
５μｍ蒸着し、電気メッキで２５ｍｍ厚にして導電体部
を形成した。エキシマレーザでスルーホールをあけ、ス
ルーホールメッキしたのち、エッチングでパターンを形
成した。さらに、外部端子に半田バンプを形成した。こ
うして、インナーリード付ＢＧＡタイプのインターポー
ザを得た。
プのインターポーザを作製した。これは、参考例２のＬ
ＣＰフィルムの表面をＫＯＨ溶液で処理して、銅を０．
５μｍ蒸着し、電気メッキで２５ｍｍ厚にして導電体部
を形成した。エキシマレーザでスルーホールをあけ、ス
ルーホールメッキしたのち、エッチングでパターンを形
成した。さらに、外部端子に半田バンプを形成した。こ
うして、インナーリード付ＢＧＡタイプのインターポー
ザを得た。
【００３６】実施例４ 図６に示すように、実施例３のインターポーザにＡｕバ
ンプ付ＩＣチップをインターポーザのインナーリード部
に５００℃で熱圧着した。これを、エポキシ系レジンで
封止して、ＢＧＡタイプのＣＳＰができた。
ンプ付ＩＣチップをインターポーザのインナーリード部
に５００℃で熱圧着した。これを、エポキシ系レジンで
封止して、ＢＧＡタイプのＣＳＰができた。
【００３７】実施例５ 図７に示すように、ＩＣチップの放熱性を高めるため、
参考例３で得たＳｉＯ２フィラー１０重量％を含有する
ＬＣＰフィルム（厚さ１２５μｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：７
ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：８ｐｐｍ／℃）にスルーホール、
インナーパッド、アウターパッドを設けたものにＩＣチ
ップを熱伝導性の高いダイボンディング樹脂で接着し、
ワイヤーボンディングした後、保護用樹脂で封止して、
ＩＣパッケージを得た。このものは、ＩＣチップに生じ
る熱応力が小さく良好なパッケージである。
参考例３で得たＳｉＯ２フィラー１０重量％を含有する
ＬＣＰフィルム（厚さ１２５μｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：７
ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：８ｐｐｍ／℃）にスルーホール、
インナーパッド、アウターパッドを設けたものにＩＣチ
ップを熱伝導性の高いダイボンディング樹脂で接着し、
ワイヤーボンディングした後、保護用樹脂で封止して、
ＩＣパッケージを得た。このものは、ＩＣチップに生じ
る熱応力が小さく良好なパッケージである。
【００３８】実施例６ 図８に示すように、リードフレームタイプのＣＳＰに、
ＬＣＰフィルムの保護及び絶縁のための層を設けたもの
である。まず、リードフレームのワイヤーボンディング
のセカンド面に対して裏面に実施例５で示したＬＣＰフ
ィルムを貼り付ける。この絶縁体付リードフレームにＩ
Ｃチップをフェースダウンで接着し、ワイヤーボンディ
ングを行う。さらに樹脂で封止してＣＳＰができ上が
る。このものは、ＩＣチップとＣＴＥ値が近いＬＣＰフ
ィルムを用いたことで、リードフレームとＩＣチップと
のＣＴＥ値のミスマッチによって生じる熱応力が軽減で
き、良好なＣＳＰを得ることができた。
ＬＣＰフィルムの保護及び絶縁のための層を設けたもの
である。まず、リードフレームのワイヤーボンディング
のセカンド面に対して裏面に実施例５で示したＬＣＰフ
ィルムを貼り付ける。この絶縁体付リードフレームにＩ
Ｃチップをフェースダウンで接着し、ワイヤーボンディ
ングを行う。さらに樹脂で封止してＣＳＰができ上が
る。このものは、ＩＣチップとＣＴＥ値が近いＬＣＰフ
ィルムを用いたことで、リードフレームとＩＣチップと
のＣＴＥ値のミスマッチによって生じる熱応力が軽減で
き、良好なＣＳＰを得ることができた。
【００３９】
【発明の効果】本発明のインターポーザは、融点が２８
０℃以上と高く、半田耐熱性にすぐれ、かつ線膨張率を
低くコントロールした特定物性のＬＣＰフィルムを用い
て構成したことから、信頼性の高いＩＣチップパッケー
ジを与えるもので、その産業的意義は非常に高い。本発
明のＩＣチップパッケージは、そのインターポーザに線
膨張係数がＩＣチップの線膨張係数である３ｐｐｍ／℃
に近いＬＣＰフィルムからなるインターポーザを用いた
ことにより、従来のポリイミドフィルムをインターポー
ザとして用いたものよりも接合部の信頼性が高く、さら
にこれを樹脂モールドしたパッケージにおいては、ＬＣ
Ｐフィルムの吸水率が低いことにより、パッケージクラ
ックを低減できる。また、従来のセラミックスインター
ポーザに比べ、安価でかつ薄いパッケージとすることが
できる。さらに、本発明のＩＣチップパッケージの場
合、そのＬＣＰフィルムの吸水率が低く、かつそのモー
ルド樹脂との接着性が良いことから、モールドする樹脂
の量を少なくでき、安価で、薄く、軽くすることができ
る。そして、軽いＣＳＰ、ＢＧＡは大変な利点がある。
これはこのようなパッケージを基板に実装する際に行
う、半田バンプを用いたＣＣＢ（コントロール、コラッ
プス、ボンディング）法による接合の際、軽い方がより
セルファライメントがききやすい点である。
０℃以上と高く、半田耐熱性にすぐれ、かつ線膨張率を
低くコントロールした特定物性のＬＣＰフィルムを用い
て構成したことから、信頼性の高いＩＣチップパッケー
ジを与えるもので、その産業的意義は非常に高い。本発
明のＩＣチップパッケージは、そのインターポーザに線
膨張係数がＩＣチップの線膨張係数である３ｐｐｍ／℃
に近いＬＣＰフィルムからなるインターポーザを用いた
ことにより、従来のポリイミドフィルムをインターポー
ザとして用いたものよりも接合部の信頼性が高く、さら
にこれを樹脂モールドしたパッケージにおいては、ＬＣ
Ｐフィルムの吸水率が低いことにより、パッケージクラ
ックを低減できる。また、従来のセラミックスインター
ポーザに比べ、安価でかつ薄いパッケージとすることが
できる。さらに、本発明のＩＣチップパッケージの場
合、そのＬＣＰフィルムの吸水率が低く、かつそのモー
ルド樹脂との接着性が良いことから、モールドする樹脂
の量を少なくでき、安価で、薄く、軽くすることができ
る。そして、軽いＣＳＰ、ＢＧＡは大変な利点がある。
これはこのようなパッケージを基板に実装する際に行
う、半田バンプを用いたＣＣＢ（コントロール、コラッ
プス、ボンディング）法による接合の際、軽い方がより
セルファライメントがききやすい点である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ポリイミドフィルムを用いた従来のＩＣチップ
パッケージの断面図を示す。
パッケージの断面図を示す。
【図２】図１のＩＣチップパッケージを樹脂モールドし
て形成したプラスチックモールド型ＣＳＰの断面図を示
す。
て形成したプラスチックモールド型ＣＳＰの断面図を示
す。
【図３】本発明のインターポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＡ−Ａ’断面図
【図４】図３に示すインターポーザにＩＣチップを実装
し、さらに樹脂モールドして形成したプラスチックモー
ルド型ＣＳＰの断面図を示す。
し、さらに樹脂モールドして形成したプラスチックモー
ルド型ＣＳＰの断面図を示す。
【図５】本発明によるインナーリード付ＣＳＰ用インタ
ーポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図
ーポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図
【図６】図５に示すインターポーザを用いて形成したＣ
ＳＰの断面図を示す。
ＳＰの断面図を示す。
【図７】本発明のシリカ含有インターポーザを用いて形
成したワイヤーボンディングタイプＩＣチップパッケー
ジの断面図を示す。
成したワイヤーボンディングタイプＩＣチップパッケー
ジの断面図を示す。
【図８】本発明のインターポーザを用いたリードフレー
ムタイプＣＳＰの断面図を示す。
ムタイプＣＳＰの断面図を示す。
【符号の説明】 １ ＩＣチップ ２ 半田バンプ ３ インナーパッド ４ アウターパッド ５ ポリイミドフィルム ６ スルーホール ７ インターポーザ ８ ＬＣＰフィルム ９ 封止レジン １０ ＣＳＰ １１ 吊り部 １２ スプロケットホール １３ 外部端子用半田バンプ １４ インナーリード １５ Ａｕバンプ １６ 接着樹脂 １７ Ａｕワイヤー １８ ダイボンド樹脂 １９ リードフレーム ２０ Ａｌパッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浦上 明 東京都世田谷区赤堤１丁目42番５号 ジャ パンゴアテックス株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に導電体パターンを有する液晶ポリ
マー分子が平面方向にランダムに配向した均方向性を有
する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフ
ィルムは、３〜１５ｐｐｍ／℃の線膨張係数と２８０℃
以上の融点を有し、かつ該フィルムにおける１つの平面
方向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂの比
Ａ／Ｂが０．３〜３の範囲にあることを特徴とするＩＣ
チップ実装用インターポーザ。 - 【請求項２】 該導電体パターンが、７ｐｐｍ／℃以下
の線膨張係数を有するインバー型合金からなる請求項１
のＩＣチップ実装用インターポーザ。 - 【請求項３】 請求項１又は２のインターポーザにＩＣ
チップを実装したＩＣチップパッケージ。 - 【請求項４】 樹脂モールドしてプラスチックモールド
型ＩＣチップパッケージとした請求項３のＩＣチップパ
ッケージ。 - 【請求項５】 該ＩＣチップの実装方式が、フリップチ
ップ方式である請求項３又は４のＩＣチップパッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18853496A JP3642885B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18853496A JP3642885B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022351A true JPH1022351A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3642885B2 JP3642885B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=16225393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18853496A Expired - Lifetime JP3642885B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3642885B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762484B2 (en) | 2000-05-02 | 2004-07-13 | Gerhard Span | Thermoelectric element |
| JP2018026403A (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 株式会社フジクラ | 実装体及び当該実装体の製造方法 |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP18853496A patent/JP3642885B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762484B2 (en) | 2000-05-02 | 2004-07-13 | Gerhard Span | Thermoelectric element |
| JP2018026403A (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 株式会社フジクラ | 実装体及び当該実装体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3642885B2 (ja) | 2005-04-27 |
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