JPH10223690A - 光素子の実装方法 - Google Patents
光素子の実装方法Info
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- JPH10223690A JPH10223690A JP9029030A JP2903097A JPH10223690A JP H10223690 A JPH10223690 A JP H10223690A JP 9029030 A JP9029030 A JP 9029030A JP 2903097 A JP2903097 A JP 2903097A JP H10223690 A JPH10223690 A JP H10223690A
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- Japan
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- metal foil
- metal
- substrate
- pad
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
-
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- H10W72/90—Bond pads, in general
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- Led Device Packages (AREA)
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- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 規定された接合位置に対する光素子の位置決
め精度を向上させることができる光素子の実装方法を提
供する。 【解決手段】 微小ポンチ１を下降させて接合金属箔３
を打ち抜くと同時に、打ち抜かれた金属箔片３ａを基板
４上の金属パッド５に固着させる。そして、接合金属箔
３をずらして微小ポンチ１で打ち抜くことを繰り返すこ
とにより、同一の金属パッド５に、金属パッド５より小
径の金属箔片３ａを多段に積層する。その後、多段の金
属箔片３ａの上に光素子８を仮置きし、多段の金属箔片
３ａの溶融により形成される微小接合バンプ６を介して
基板４に光素子８を実装する。
め精度を向上させることができる光素子の実装方法を提
供する。 【解決手段】 微小ポンチ１を下降させて接合金属箔３
を打ち抜くと同時に、打ち抜かれた金属箔片３ａを基板
４上の金属パッド５に固着させる。そして、接合金属箔
３をずらして微小ポンチ１で打ち抜くことを繰り返すこ
とにより、同一の金属パッド５に、金属パッド５より小
径の金属箔片３ａを多段に積層する。その後、多段の金
属箔片３ａの上に光素子８を仮置きし、多段の金属箔片
３ａの溶融により形成される微小接合バンプ６を介して
基板４に光素子８を実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光素子の実装方法に
関し、特に光通信用光モジュールなどに用いられる光素
子を基板上に高精度に実装するための光素子の実装方法
に関する。
関し、特に光通信用光モジュールなどに用いられる光素
子を基板上に高精度に実装するための光素子の実装方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は、半導体レーザ（ＬＤ）、発光
ダイオード（ＬＥＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）、光
変調器を始めとして、光ファイバ、光スイッチ、光アイ
ソレータ、光導波路などの能動、受動素子の高性能、高
機能化により応用範囲が拡大されつつある。近年、この
応用範囲の一つとして一般加入者系への適用が考えられ
ており、これに伴い、光素子を搭載したモジュールの低
価格化が要求されている。モジュール低価格化の有効な
手段として、金属パッド上の微小接合バンプを介して光
素子を無調整で基板上に実装する無調整光実装が注目さ
れている。この無調整光実装は、溶融したバンプの表面
張力に起因するセルフアライン効果により、パッド位置
で規定された接合位置に光素子を位置決めできるという
特徴も持つ。
ダイオード（ＬＥＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）、光
変調器を始めとして、光ファイバ、光スイッチ、光アイ
ソレータ、光導波路などの能動、受動素子の高性能、高
機能化により応用範囲が拡大されつつある。近年、この
応用範囲の一つとして一般加入者系への適用が考えられ
ており、これに伴い、光素子を搭載したモジュールの低
価格化が要求されている。モジュール低価格化の有効な
手段として、金属パッド上の微小接合バンプを介して光
素子を無調整で基板上に実装する無調整光実装が注目さ
れている。この無調整光実装は、溶融したバンプの表面
張力に起因するセルフアライン効果により、パッド位置
で規定された接合位置に光素子を位置決めできるという
特徴も持つ。
【０００３】微小接合バンプは、微小ポンチとダイスを
用いてリボン状の接合金属箔を打ち抜くと同時に基板上
に形成された金属パッド上に仮固定し、その後、打ち抜
いた金属箔片を溶融して球状にしたものである。この微
小接合バンプとして信頼性の高いＡｕＳｎバンプを用い
たものが特願平２−２７８０８８号（伊藤ほか、「アレ
イ状光素子用サブ基板の作製方法」）に詳細に記されて
いる。
用いてリボン状の接合金属箔を打ち抜くと同時に基板上
に形成された金属パッド上に仮固定し、その後、打ち抜
いた金属箔片を溶融して球状にしたものである。この微
小接合バンプとして信頼性の高いＡｕＳｎバンプを用い
たものが特願平２−２７８０８８号（伊藤ほか、「アレ
イ状光素子用サブ基板の作製方法」）に詳細に記されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】溶融したバンプの表面
張力に起因するセルフアライン効果によって光素子の位
置決め精度を向上させるには、基板及び光素子のパッド
間において、溶融したバンプの形状が基板及び光素子の
金属パッド中心に対して対称形状になっていること、及
び溶融したバンプの高さと径が同様であることが重要で
ある。バンプ高さをバンプ径と同等にするには接合金属
箔の打ち抜き量を増やせば良く、この手段として、リボ
ン厚を厚くすること、或いはポンチ径を太くすることが
考えられる。しかしながら、前者はリボン厚が厚くなる
ために必要な打ち抜き強度が増し、装置が大掛かりとな
る問題がある。また、後者は、基板の金属パッドの径よ
りも打ち抜いた金属箔片の径が大きくなり、打ち抜いた
金属箔片が金属パッド外にはみ出してしまう。この状態
で光素子を金属箔片の上に仮置きし、その金属薄片を溶
融すると、はみ出した金属箔片は光素子のパッド外に接
触する。パッド外は濡れ性が悪いため溶融したバンプの
表面張力が阻害され、バンプ形状が変形し基板及び光素
子の金属パッド中心に対して対称にならない。これによ
り、光素子の位置決め精度の低下を招くという問題があ
った。
張力に起因するセルフアライン効果によって光素子の位
置決め精度を向上させるには、基板及び光素子のパッド
間において、溶融したバンプの形状が基板及び光素子の
金属パッド中心に対して対称形状になっていること、及
び溶融したバンプの高さと径が同様であることが重要で
ある。バンプ高さをバンプ径と同等にするには接合金属
箔の打ち抜き量を増やせば良く、この手段として、リボ
ン厚を厚くすること、或いはポンチ径を太くすることが
考えられる。しかしながら、前者はリボン厚が厚くなる
ために必要な打ち抜き強度が増し、装置が大掛かりとな
る問題がある。また、後者は、基板の金属パッドの径よ
りも打ち抜いた金属箔片の径が大きくなり、打ち抜いた
金属箔片が金属パッド外にはみ出してしまう。この状態
で光素子を金属箔片の上に仮置きし、その金属薄片を溶
融すると、はみ出した金属箔片は光素子のパッド外に接
触する。パッド外は濡れ性が悪いため溶融したバンプの
表面張力が阻害され、バンプ形状が変形し基板及び光素
子の金属パッド中心に対して対称にならない。これによ
り、光素子の位置決め精度の低下を招くという問題があ
った。
【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、規定された接合位置に対する光素子の位置決め精
度を向上させることができる光素子の実装方法を提供す
ることにある。
鑑み、規定された接合位置に対する光素子の位置決め精
度を向上させることができる光素子の実装方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板上に形成された第１の金属パッド上
に、該第１の金属パッドより小径の金属箔片を所望の厚
さになるように多段に積層し、多段の金属箔の上に、前
記金属箔片より大径の第２の金属パッドが形成された光
素子を置き、前記多段の金属箔片を溶融して形成される
微小接合バンプを介して前記基板上に前記光素子を実装
する、光素子の実装方法を特徴とする。
に本発明は、基板上に形成された第１の金属パッド上
に、該第１の金属パッドより小径の金属箔片を所望の厚
さになるように多段に積層し、多段の金属箔の上に、前
記金属箔片より大径の第２の金属パッドが形成された光
素子を置き、前記多段の金属箔片を溶融して形成される
微小接合バンプを介して前記基板上に前記光素子を実装
する、光素子の実装方法を特徴とする。
【０００７】この光素子の実装方法において、前記多段
の金属箔は、前記第１及び第２の金属パッドより小径の
微小ポンチとダイスを用いてリボン状の接合金属箔を打
ち抜くことを繰り返すことにより形成されるものであ
る。また前記所望の厚さは、前記基板及び光素子のパッ
ド間にて前記微小接合バンプの高さと径が同等になる厚
さであることが好ましい。さらに、前記金属箔片の材料
はＡｕＳｎであることが好ましい。
の金属箔は、前記第１及び第２の金属パッドより小径の
微小ポンチとダイスを用いてリボン状の接合金属箔を打
ち抜くことを繰り返すことにより形成されるものであ
る。また前記所望の厚さは、前記基板及び光素子のパッ
ド間にて前記微小接合バンプの高さと径が同等になる厚
さであることが好ましい。さらに、前記金属箔片の材料
はＡｕＳｎであることが好ましい。
【０００８】上記のとおりの発明では、基板の金属パッ
ド上に、基板及び光素子の金属パッドより小径の金属箔
片が、所望の厚さになるように多段に積層される。この
ような多段の金属箔片は光素子の金属パッドよりはみ出
していないので、金属箔片の上に光素子を置いて金属薄
片を溶融すると、溶融してできるバンプ形状は基板及び
光素子の金属パッド中心に対して対称になる。また、金
属箔片を多段に積層することにより、従来技術のように
接合金属箔自体の厚みを厚くすることなく、所望の厚
さ、すなわち基板及び光素子の金属パッド間における微
小接合バンプの高さと径を同等にできる厚さが得られる
ので、接合金属箔の打ち抜き装置が大掛かりにならずに
済む。
ド上に、基板及び光素子の金属パッドより小径の金属箔
片が、所望の厚さになるように多段に積層される。この
ような多段の金属箔片は光素子の金属パッドよりはみ出
していないので、金属箔片の上に光素子を置いて金属薄
片を溶融すると、溶融してできるバンプ形状は基板及び
光素子の金属パッド中心に対して対称になる。また、金
属箔片を多段に積層することにより、従来技術のように
接合金属箔自体の厚みを厚くすることなく、所望の厚
さ、すなわち基板及び光素子の金属パッド間における微
小接合バンプの高さと径を同等にできる厚さが得られる
ので、接合金属箔の打ち抜き装置が大掛かりにならずに
済む。
【０００９】さらに、上記のように基板及び光素子の金
属パッド間にて溶融したバンプ形状が金属パッド中心に
対して対称で、かつ、バンプ高さがバンプ径と同様にな
るので、溶融したバンプの表面張力に起因するセルフア
ライン効果が十分に生じる。この結果、基板上の金属パ
ッドで規制される接合位置に対して光素子は高精度に位
置決めされる。
属パッド間にて溶融したバンプ形状が金属パッド中心に
対して対称で、かつ、バンプ高さがバンプ径と同様にな
るので、溶融したバンプの表面張力に起因するセルフア
ライン効果が十分に生じる。この結果、基板上の金属パ
ッドで規制される接合位置に対して光素子は高精度に位
置決めされる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１１】図１は本発明の光素子の実装方法の一実施
形態を表した工程図である。ここでは光素子用基板の製
造方法に本発明を適用した場合を例に採って説明する。
形態を表した工程図である。ここでは光素子用基板の製
造方法に本発明を適用した場合を例に採って説明する。
【００１２】まず同図（ａ）に示すように、厚さ３０μ
ｍのリボン状のＡｕＳｎ箔からなる接合金属箔３を、外
径４０μｍの超鋼製の微小ポンチ１と穴直径４５μｍの
ステンレス製のダイス２との間に挿入する。微小ポンチ
１とダイス２の穴の中心は、目的とするＳｉ製の基板４
の金属パッド５の中心に位置合わせされる。ここで、基
板４の金属パッド５はＡｕ製で直径が５０μｍであり、
微小ポンチ１の直径より大きい。
ｍのリボン状のＡｕＳｎ箔からなる接合金属箔３を、外
径４０μｍの超鋼製の微小ポンチ１と穴直径４５μｍの
ステンレス製のダイス２との間に挿入する。微小ポンチ
１とダイス２の穴の中心は、目的とするＳｉ製の基板４
の金属パッド５の中心に位置合わせされる。ここで、基
板４の金属パッド５はＡｕ製で直径が５０μｍであり、
微小ポンチ１の直径より大きい。
【００１３】次に同図（ｂ）に示すように、微小ポンチ
１を下降させて接合金属箔３を打ち抜くと同時に、打ち
抜かれた金属箔片３ａを基板４上の金属パッド５に固着
させる。
１を下降させて接合金属箔３を打ち抜くと同時に、打ち
抜かれた金属箔片３ａを基板４上の金属パッド５に固着
させる。
【００１４】そして、上記のように微小ポンチ１で打ち
抜くことを接合金属箔３をずらして繰り返すことによ
り、同図（ｃ）に示すように同一の金属パッド５に、金
属パッド５より小径の金属箔片３ａを所望の厚さに多段
に積層する。
抜くことを接合金属箔３をずらして繰り返すことによ
り、同図（ｃ）に示すように同一の金属パッド５に、金
属パッド５より小径の金属箔片３ａを所望の厚さに多段
に積層する。
【００１５】さらに、上記のように金属パッド５より小
径で、かつ所望の厚さに積層された金属箔片３ａの上
に、同図（ｄ）に示すように、金属箔片３ａの径より大
きな直径（例えば５０μｍ）のＡｕ製の金属パッド７が
形成された光素子（例えば半導体レーザ）８を仮置きす
る。ただし、同図（ｃ）及び（ｄ）には３段の金属箔片
３ａを示したが、所望の厚さに積層するための金属箔片
３ａの数は、後述のようなバンプ（基板４及び光素子８
のパッド間にて高さと径が同等の微小接合バンプ）が形
成されるように、接合金属箔３の厚みに応じて決定す
る。
径で、かつ所望の厚さに積層された金属箔片３ａの上
に、同図（ｄ）に示すように、金属箔片３ａの径より大
きな直径（例えば５０μｍ）のＡｕ製の金属パッド７が
形成された光素子（例えば半導体レーザ）８を仮置きす
る。ただし、同図（ｃ）及び（ｄ）には３段の金属箔片
３ａを示したが、所望の厚さに積層するための金属箔片
３ａの数は、後述のようなバンプ（基板４及び光素子８
のパッド間にて高さと径が同等の微小接合バンプ）が形
成されるように、接合金属箔３の厚みに応じて決定す
る。
【００１６】その後、上記の形態の金属箔片３ａを溶融
すると、同図（ｅ）に示すように、基板４及び光素子８
のパッド中心に対して対称で、かつ基板４及び光素子８
のパッド間において高さと径が同等の微小接合バンプ６
が形成されることになる。これにより、十分なセルフア
ライン効果が生じ、基板４上の電極パッド５で規制され
る接合位置に対して光素子８を高精度に位置決めするこ
とが可能になる。本形態では、光素子８の位置決め精度
として１μｍ以下の高精度な接合精度が得られた。
すると、同図（ｅ）に示すように、基板４及び光素子８
のパッド中心に対して対称で、かつ基板４及び光素子８
のパッド間において高さと径が同等の微小接合バンプ６
が形成されることになる。これにより、十分なセルフア
ライン効果が生じ、基板４上の電極パッド５で規制され
る接合位置に対して光素子８を高精度に位置決めするこ
とが可能になる。本形態では、光素子８の位置決め精度
として１μｍ以下の高精度な接合精度が得られた。
【００１７】なお、金属箔片３ａを溶融する前に光素子
８を仮置きしておくのは、金属箔片溶融時の酸化によっ
て濡れ性が阻害されることを防ぐためである。
８を仮置きしておくのは、金属箔片溶融時の酸化によっ
て濡れ性が阻害されることを防ぐためである。
【００１８】上述の実施形態では、微小パンチ１とダイ
ス２とを用いてリボン状の接合金属箔３を打ち抜いて多
段に接合金属片３ａを積層する例を示したが、予め成形
された接合金属片を多段に積層する場合でも同様の効果
が得られる。
ス２とを用いてリボン状の接合金属箔３を打ち抜いて多
段に接合金属片３ａを積層する例を示したが、予め成形
された接合金属片を多段に積層する場合でも同様の効果
が得られる。
【００１９】また本実施形態では微小ポンチ１の数を一
つとしたが、これに限定されず、多数個の微小ポンチを
用いてもよい。
つとしたが、これに限定されず、多数個の微小ポンチを
用いてもよい。
【００２０】さらに本実施形態では接合金属箔３の材料
としてＡｕＳｎを用いたが、これに限定されず、例えば
ＰｂＳｎ、ＡｕＳｉ等でも良い。しかし、バンプ材料に
ＡｕＳｎを用いた方が、ＰｂＳｎバンプを用いてセルフ
アライメントする場合に比べて、はんだクリープ現象に
よって起こる光素子の位置ずれを少なくすることができ
る。
としてＡｕＳｎを用いたが、これに限定されず、例えば
ＰｂＳｎ、ＡｕＳｉ等でも良い。しかし、バンプ材料に
ＡｕＳｎを用いた方が、ＰｂＳｎバンプを用いてセルフ
アライメントする場合に比べて、はんだクリープ現象に
よって起こる光素子の位置ずれを少なくすることができ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板及び
光素子の金属パッドより小径の金属箔片を基板の金属パ
ッド上に多段に積層することにより、溶融時のバンプの
高さと径を同等にできる所望の厚さの金属箔片を得るこ
とができる。このように接合金属箔自体の厚さを厚くす
ることなく、高さと径が同等の微小接合バンプを得るこ
とができるため、打ち抜き装置が大掛かりにならずに済
む。しかも、金属箔片は光素子の金属パッドよりはみ出
さないので、基板及び光素子の金属パッド間にて溶融し
てできるバンプ形状を基板及び光素子の金属パッド中心
に対して対称にすることができる。
光素子の金属パッドより小径の金属箔片を基板の金属パ
ッド上に多段に積層することにより、溶融時のバンプの
高さと径を同等にできる所望の厚さの金属箔片を得るこ
とができる。このように接合金属箔自体の厚さを厚くす
ることなく、高さと径が同等の微小接合バンプを得るこ
とができるため、打ち抜き装置が大掛かりにならずに済
む。しかも、金属箔片は光素子の金属パッドよりはみ出
さないので、基板及び光素子の金属パッド間にて溶融し
てできるバンプ形状を基板及び光素子の金属パッド中心
に対して対称にすることができる。
【００２２】さらには、バンプ形状が金属パッド中心に
対して対称で、かつ、バンプ高さがバンプ径と同様であ
る微小接合バンプが得られるので、十分なセルフアライ
ン効果が生じ、基板の金属パッドで規制される接合位置
に対して光素子を高精度に位置決めすることができる。
対して対称で、かつ、バンプ高さがバンプ径と同様であ
る微小接合バンプが得られるので、十分なセルフアライ
ン効果が生じ、基板の金属パッドで規制される接合位置
に対して光素子を高精度に位置決めすることができる。
【図１】本発明の光素子の実装方法の一実施形態を表し
た工程図である。
た工程図である。
１ 微小ポンチ ２ ダイス ３ 接合金属箔 ３ａ 金属箔片 ４ 基板 ５、７ 金属パッド ６ 微小接合バンプ ８ 光素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 正隆 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成された第１の金属パッド上
に、該第１の金属パッドより小径の金属箔片を所望の厚
さになるように多段に積層し、多段の金属箔の上に、前
記金属箔片より大径の第２の金属パッドが形成された光
素子を置き、前記多段の金属箔片を溶融して形成される
微小接合バンプを介して前記基板上に前記光素子を実装
する、光素子の実装方法。 - 【請求項２】 前記多段の金属箔は、前記第１及び第２
の金属パッドより小径の微小ポンチとダイスを用いてリ
ボン状の接合金属箔を打ち抜くことを繰り返すことによ
り形成される、請求項１に記載の光素子の実装方法。 - 【請求項３】 前記所望の厚さは、前記基板及び光素子
のパッド間にて前記微小接合バンプの高さと径が同等に
なる厚さである請求項１に記載の光素子の実装方法。 - 【請求項４】 前記金属箔片の材料はＡｕＳｎであるこ
とを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の光
素子の実装方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9029030A JPH10223690A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 光素子の実装方法 |
| GB9802839A GB2322234A (en) | 1997-02-13 | 1998-02-10 | Method of mounting an optical device and mounting therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9029030A JPH10223690A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 光素子の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223690A true JPH10223690A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12265020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9029030A Pending JPH10223690A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 光素子の実装方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223690A (ja) |
| GB (1) | GB2322234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140060542A (ko) * | 2011-08-31 | 2014-05-20 | 렉스마크 인터내셔널, 인코포레이티드 | 인쇄 회로 기판용의 z-방향 부품을 제조하기 위한 다이 프레스 공정 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4832255A (en) * | 1988-07-25 | 1989-05-23 | International Business Machines Corporation | Precision solder transfer method and means |
| US5192835A (en) * | 1990-10-09 | 1993-03-09 | Eastman Kodak Company | Bonding of solid state device to terminal board |
| JP2629435B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1997-07-09 | 日本電気株式会社 | アレイ状光素子用サブ基板の作製方法 |
| EP0622837B1 (en) * | 1993-04-27 | 2000-10-11 | Nec Corporation | A method of manufacturing an optical semiconductor device |
| WO1997019466A1 (en) * | 1995-11-22 | 1997-05-29 | Fry's Metals, Inc. | Method and apparatus for forming solder bumps on a substrate |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP9029030A patent/JPH10223690A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-10 GB GB9802839A patent/GB2322234A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140060542A (ko) * | 2011-08-31 | 2014-05-20 | 렉스마크 인터내셔널, 인코포레이티드 | 인쇄 회로 기판용의 z-방향 부품을 제조하기 위한 다이 프레스 공정 |
| KR20190011319A (ko) * | 2011-08-31 | 2019-02-01 | 렉스마크 인터내셔널, 인코포레이티드 | 인쇄 회로 기판용의 z-방향 부품을 제조하기 위한 다이 프레스 공정 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2322234A (en) | 1998-08-19 |
| GB9802839D0 (en) | 1998-04-08 |
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