JPH0846094A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 凹凸があったポリイミド膜形状を平坦化し、
半導体装置の信頼性を向上させる。 【構成】 所定の集積回路製造工程を終了した半導体チ
ップ２１と銅系合金あるいは鉄系合金からなるリードフ
レームのダイパッド２２が銀ペーストもしくは半田接着
剤や金とシリコンの共晶によって接着されている。半導
体チップ２１周囲に設けられた複数個のボンディングパ
ッド２３と複数個のリードフレームのインナーリード２
４が、外部からの信号伝達、電気的導通のために金属細
線（金、銅、アルミニウム）からなるボンディングワイ
ヤー２５で接続されている。また、半導体チップ２１上
には平坦なポリイミド膜２７が形成され、これらを一体
的に封止樹脂２６でモールドしている。
半導体装置の信頼性を向上させる。 【構成】 所定の集積回路製造工程を終了した半導体チ
ップ２１と銅系合金あるいは鉄系合金からなるリードフ
レームのダイパッド２２が銀ペーストもしくは半田接着
剤や金とシリコンの共晶によって接着されている。半導
体チップ２１周囲に設けられた複数個のボンディングパ
ッド２３と複数個のリードフレームのインナーリード２
４が、外部からの信号伝達、電気的導通のために金属細
線（金、銅、アルミニウム）からなるボンディングワイ
ヤー２５で接続されている。また、半導体チップ２１上
には平坦なポリイミド膜２７が形成され、これらを一体
的に封止樹脂２６でモールドしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップ表面保護ポ
リイミド膜を用いる半導体装置およびその製造方法に関
するものである。
リイミド膜を用いる半導体装置およびその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体部品は高集積化、高密度化
の傾向にあり、それにともない半導体チップが微細化、
大型化している。一方、半導体チップのケースであるパ
ッケージは安価な樹脂封止型が多用される状況にある。
しかし、半導体チップの微細化、大型化は従来以上に封
止樹脂から応力の影響を強く受け、樹脂中のシリカ充填
剤で表面保護膜にクラックが発生したり、さらには配線
の断線、特性変動をひき起こしたりして、不良となる事
故がしばしば報告されている。
の傾向にあり、それにともない半導体チップが微細化、
大型化している。一方、半導体チップのケースであるパ
ッケージは安価な樹脂封止型が多用される状況にある。
しかし、半導体チップの微細化、大型化は従来以上に封
止樹脂から応力の影響を強く受け、樹脂中のシリカ充填
剤で表面保護膜にクラックが発生したり、さらには配線
の断線、特性変動をひき起こしたりして、不良となる事
故がしばしば報告されている。
【０００３】そこで多くの半導体メーカーでは、チップ
表面に緩衝材としてポリイミド膜を形成し、前記問題を
解決するようになっている。このポリイミド膜は、ウエ
ハ状態の半導体チップの表面にポリイミド前駆体を回転
塗布して不要なポリイミド前駆体を振り落とす。その
後、露光工程をへてウエットエッチング技術、ドライエ
ッチング技術を用いてパターンニングを行い、熱硬化、
硬化後の表面処理をして形成する方法が多用されてい
る。この方法は、膜の平坦性や膜厚の制御性に優れる反
面、高価な設備投資、製造工程の複雑化、多量の産業廃
棄物の発生による環境悪化が問題である。
表面に緩衝材としてポリイミド膜を形成し、前記問題を
解決するようになっている。このポリイミド膜は、ウエ
ハ状態の半導体チップの表面にポリイミド前駆体を回転
塗布して不要なポリイミド前駆体を振り落とす。その
後、露光工程をへてウエットエッチング技術、ドライエ
ッチング技術を用いてパターンニングを行い、熱硬化、
硬化後の表面処理をして形成する方法が多用されてい
る。この方法は、膜の平坦性や膜厚の制御性に優れる反
面、高価な設備投資、製造工程の複雑化、多量の産業廃
棄物の発生による環境悪化が問題である。
【０００４】これに対して、膜形成工程が簡略で設備投
資、製造コストが安価、さらに、産業廃棄物の発生を最
小限にできる非感光性ポリイミド前駆体のポッティング
法による膜形成工程について、図７を用いて説明する。
資、製造コストが安価、さらに、産業廃棄物の発生を最
小限にできる非感光性ポリイミド前駆体のポッティング
法による膜形成工程について、図７を用いて説明する。
【０００５】半導体チップ１とリードフレームのダイパ
ッド２とを接着する。次に、半導体チップ１のボンディ
ングパッド３とリードフレームのインナーリード４とを
ボンディングワイヤー５で接続してから、半導体チップ
１の上面に、エアー圧力を用いたディスペンサーと１本
もしくは数本のノズルを用いて非感光性ポリイミド前駆
体を所定量ポッティング塗布する。その後、不活性ガス
を５〜１００リットル／分の範囲内の流量で導入した硬
化炉に投入して、２００〜３００℃の範囲内の温度で加
熱して、非感光性ポリイミド前駆体のイミド化、溶剤の
乾燥をしてポリイミド膜を形成する。
ッド２とを接着する。次に、半導体チップ１のボンディ
ングパッド３とリードフレームのインナーリード４とを
ボンディングワイヤー５で接続してから、半導体チップ
１の上面に、エアー圧力を用いたディスペンサーと１本
もしくは数本のノズルを用いて非感光性ポリイミド前駆
体を所定量ポッティング塗布する。その後、不活性ガス
を５〜１００リットル／分の範囲内の流量で導入した硬
化炉に投入して、２００〜３００℃の範囲内の温度で加
熱して、非感光性ポリイミド前駆体のイミド化、溶剤の
乾燥をしてポリイミド膜を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体チッ
プ１の上面にポッティングされた非感光性ポリイミド前
駆体は、半導体チップ１の上面全面に広がり、いったん
凸形状の膜を形成する。その後の硬化工程でイミド化、
有機溶剤の乾燥をする。このとき、大気圧と、半導体チ
ップ１上面および側面に発生する表面張力によって、図
７や図８の表面段差計の測定データに示すように、半導
体チップ１の周囲の膜厚が厚く、中央部においては周囲
と比較して膜厚が薄い形状の、凹凸のあるポリイミド膜
６になる。その凹凸のあるポリイミド膜６を樹脂封止型
パッケージに搭載した場合、パッケージ内部の応力が不
均一になり、半田耐熱試験や温度サイクル試験時に封止
樹脂部７のクラック８や界面の剥離９を誘発する要因と
なる。また、半導体チップ１上面の集積回路の特に微細
パターンが集中する中央付近が薄くなるために、封止樹
脂に含まれるシリカ充填剤によって保護膜のクラック
や、配線の断線をひき起こす。また、薄型の樹脂封止型
半導体パッケージに搭載しようとする場合、樹脂封止工
程で膜の凹凸により封止樹脂の注入の際に流動が妨げら
れ、パッケージ内部ボイド１０を誘発する要因になる。
さらに、半導体チップ１の集積回路にかかる応力が不均
一となり特性変動を起こす要因となる。さらに、銅系合
金のリードフレームを使用してパッケージに搭載する場
合、ポリイミド前駆体の硬化時の熱によって、リードフ
レーム表面に酸化膜が形成され、樹脂封止後に界面剥離
を起こしてしまう。このように、ポッティング法による
平坦なポリイミド膜６の形成には多くの課題があり、ま
た、パッケージに搭載した場合の問題点もあり、樹脂封
止型半導体装置においては、前記したポッティングのメ
リットを活かした高信頼性半導体装置を実現することが
非常に困難であった。
プ１の上面にポッティングされた非感光性ポリイミド前
駆体は、半導体チップ１の上面全面に広がり、いったん
凸形状の膜を形成する。その後の硬化工程でイミド化、
有機溶剤の乾燥をする。このとき、大気圧と、半導体チ
ップ１上面および側面に発生する表面張力によって、図
７や図８の表面段差計の測定データに示すように、半導
体チップ１の周囲の膜厚が厚く、中央部においては周囲
と比較して膜厚が薄い形状の、凹凸のあるポリイミド膜
６になる。その凹凸のあるポリイミド膜６を樹脂封止型
パッケージに搭載した場合、パッケージ内部の応力が不
均一になり、半田耐熱試験や温度サイクル試験時に封止
樹脂部７のクラック８や界面の剥離９を誘発する要因と
なる。また、半導体チップ１上面の集積回路の特に微細
パターンが集中する中央付近が薄くなるために、封止樹
脂に含まれるシリカ充填剤によって保護膜のクラック
や、配線の断線をひき起こす。また、薄型の樹脂封止型
半導体パッケージに搭載しようとする場合、樹脂封止工
程で膜の凹凸により封止樹脂の注入の際に流動が妨げら
れ、パッケージ内部ボイド１０を誘発する要因になる。
さらに、半導体チップ１の集積回路にかかる応力が不均
一となり特性変動を起こす要因となる。さらに、銅系合
金のリードフレームを使用してパッケージに搭載する場
合、ポリイミド前駆体の硬化時の熱によって、リードフ
レーム表面に酸化膜が形成され、樹脂封止後に界面剥離
を起こしてしまう。このように、ポッティング法による
平坦なポリイミド膜６の形成には多くの課題があり、ま
た、パッケージに搭載した場合の問題点もあり、樹脂封
止型半導体装置においては、前記したポッティングのメ
リットを活かした高信頼性半導体装置を実現することが
非常に困難であった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の半導体装
置は、半導体チップの上面にポッティング法によって形
成した平坦なポリイミド膜、ならびに、半導体チップの
ボンディングパッドとリードフレームのインナーリード
とを接続するボンディングワイヤーを、樹脂で一体的に
封止している。
置は、半導体チップの上面にポッティング法によって形
成した平坦なポリイミド膜、ならびに、半導体チップの
ボンディングパッドとリードフレームのインナーリード
とを接続するボンディングワイヤーを、樹脂で一体的に
封止している。
【０００８】また、その製造方法は、半導体チップのボ
ンディングパッドとリードフレームのインナーリードと
をボンディングワイヤーで接続する工程と、半導体チッ
プの上面にポリイミド前駆体をポッティング塗布する工
程と、ポリイミド前駆体を減圧下で硬化させてポリイミ
ド膜を形成する工程とを有する。
ンディングパッドとリードフレームのインナーリードと
をボンディングワイヤーで接続する工程と、半導体チッ
プの上面にポリイミド前駆体をポッティング塗布する工
程と、ポリイミド前駆体を減圧下で硬化させてポリイミ
ド膜を形成する工程とを有する。
【０００９】
【作用】本発明のポッティング法を用いて平坦なポリイ
ミド膜を半導体チップ上に形成することにより、樹脂の
シリカ充填剤から半導体チップを保護でき、さらに、パ
ッケージ内部の応力が均一となる半導体装置を得ること
ができる。また、本発明の減圧雰囲気中で硬化させるこ
とによって、大気圧の影響が取り除かれ、平坦なポリイ
ミド膜を形成することが可能となり、さらに、減圧によ
って硬化炉内の残留酸素濃度が減少し、銅系リードフレ
ームの酸化が防止できる。
ミド膜を半導体チップ上に形成することにより、樹脂の
シリカ充填剤から半導体チップを保護でき、さらに、パ
ッケージ内部の応力が均一となる半導体装置を得ること
ができる。また、本発明の減圧雰囲気中で硬化させるこ
とによって、大気圧の影響が取り除かれ、平坦なポリイ
ミド膜を形成することが可能となり、さらに、減圧によ
って硬化炉内の残留酸素濃度が減少し、銅系リードフレ
ームの酸化が防止できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の半導体装置における一実施例
について、図１を参照して説明する。
について、図１を参照して説明する。
【００１１】図１において、２１は半導体チップ、２２
はダイパッド、２３はボンディングパッド、２４はイン
ナーリード、２５はボンディングワイヤー、２６は封止
樹脂、２７はポッティング法を用いて形成した平坦なポ
リイミド膜、２８はシリカ充填剤である。
はダイパッド、２３はボンディングパッド、２４はイン
ナーリード、２５はボンディングワイヤー、２６は封止
樹脂、２７はポッティング法を用いて形成した平坦なポ
リイミド膜、２８はシリカ充填剤である。
【００１２】所定の集積回路製造工程を終了した半導体
チップ２１と、銅系合金あるいは鉄系合金からなるリー
ドフレームのダイパッド２２とが、銀ペーストもしくは
半田接着剤や金とシリコンの共晶によって接着されてい
る。半導体チップ２１の周囲に設けられた複数個のボン
ディングパッド２３と、複数個のリードフレームのイン
ナーリード２４とが、外部からの信号伝達、電気的導通
のために金属細線（金、銅、アルミニウム）からなるボ
ンディングワイヤー２５で接続されている。また、半導
体チップ２１上には平坦なポリイミド膜２７が形成さ
れ、これらを一体的に封止樹脂２６でモールドしてい
る。この際の封止樹脂２６は、エポキシ樹脂を主材と
し、シリカ充填剤、硬化剤、難燃剤等を含有した熱硬化
型の樹脂である。また、平坦なポリイミド膜２７の材質
は、ポリイミド、ポリイミドとシリコーンの変性体、ま
たは、熱による膨張率を低減するためにフィラーを含有
するポリイミド等、パッケージ内部の応力緩和、界面密
着性の向上、封止樹脂に含まれるシリカ充填剤２８から
集積回路を保護する目的で形成するポリイミド系の膜で
ある。本実施例では、ポリイミドとシリコーンの変性体
を使用した。また、ポリイミド膜の形状は、実施例の図
２の膜の断面形状に示すように、半導体チップ２１の中
央部分がほぼ平坦で周囲を薄く形成する。さらにポリイ
ミド膜の厚みは、ボンディングワイヤー２５のループの
高さ以下（２〜３００μｍ）になるようなるべく薄く形
成するのが好ましい。
チップ２１と、銅系合金あるいは鉄系合金からなるリー
ドフレームのダイパッド２２とが、銀ペーストもしくは
半田接着剤や金とシリコンの共晶によって接着されてい
る。半導体チップ２１の周囲に設けられた複数個のボン
ディングパッド２３と、複数個のリードフレームのイン
ナーリード２４とが、外部からの信号伝達、電気的導通
のために金属細線（金、銅、アルミニウム）からなるボ
ンディングワイヤー２５で接続されている。また、半導
体チップ２１上には平坦なポリイミド膜２７が形成さ
れ、これらを一体的に封止樹脂２６でモールドしてい
る。この際の封止樹脂２６は、エポキシ樹脂を主材と
し、シリカ充填剤、硬化剤、難燃剤等を含有した熱硬化
型の樹脂である。また、平坦なポリイミド膜２７の材質
は、ポリイミド、ポリイミドとシリコーンの変性体、ま
たは、熱による膨張率を低減するためにフィラーを含有
するポリイミド等、パッケージ内部の応力緩和、界面密
着性の向上、封止樹脂に含まれるシリカ充填剤２８から
集積回路を保護する目的で形成するポリイミド系の膜で
ある。本実施例では、ポリイミドとシリコーンの変性体
を使用した。また、ポリイミド膜の形状は、実施例の図
２の膜の断面形状に示すように、半導体チップ２１の中
央部分がほぼ平坦で周囲を薄く形成する。さらにポリイ
ミド膜の厚みは、ボンディングワイヤー２５のループの
高さ以下（２〜３００μｍ）になるようなるべく薄く形
成するのが好ましい。
【００１３】つぎに、本発明の半導体装置の製造方法に
おける一実施例について、図３〜図６の工程断面図を参
照して説明する。
おける一実施例について、図３〜図６の工程断面図を参
照して説明する。
【００１４】図３に示すように、まず、半導体チップ２
１とリードフレームのダイパッド２２とを、銀ペースト
もしくは半田接着剤等で接着する。そして、図４に示す
ように、半導体チップ２１のボンディングパッド２３と
リードフレームのインナーリード２４とを、ボンディン
グワイヤー２５で接続する。
１とリードフレームのダイパッド２２とを、銀ペースト
もしくは半田接着剤等で接着する。そして、図４に示す
ように、半導体チップ２１のボンディングパッド２３と
リードフレームのインナーリード２４とを、ボンディン
グワイヤー２５で接続する。
【００１５】それから、図５に示すように、エアー圧力
を用いたディスペンサーと１本の塗布用ノズル２９を用
いて非感光性ポリイミド前駆体３０を所定の量、半導体
チップ２１のほぼ中央にポッティング塗布する。ここで
用いる非感光性ポリイミド前駆体３０は、５０〜９７％
の有機溶剤と、ポリイミドとシリコーンの変性体と、接
着助剤等とを混ぜ合わせたもの、または、部分的にイミ
ド化させたポリイミド前駆体と有機溶剤等とを混合させ
たものを総称する。
を用いたディスペンサーと１本の塗布用ノズル２９を用
いて非感光性ポリイミド前駆体３０を所定の量、半導体
チップ２１のほぼ中央にポッティング塗布する。ここで
用いる非感光性ポリイミド前駆体３０は、５０〜９７％
の有機溶剤と、ポリイミドとシリコーンの変性体と、接
着助剤等とを混ぜ合わせたもの、または、部分的にイミ
ド化させたポリイミド前駆体と有機溶剤等とを混合させ
たものを総称する。
【００１６】ポッティングされた非感光性ポリイミド前
駆体３０は、その自重と上面からの大気圧３１、半導体
チップ２１の上面の表面張力の相互作用によって、半導
体チップ２１のエッジ３２方向へ向かって広がる。それ
がエッジ３２に到達すると、半導体チップ２１の上面と
側面３３に発生する表面張力によって広がりが止まる。
このようにポッティングした非感光性ポリイミド前駆体
３０は、半導体チップ２１の上面に凸形状の膜を形成す
る。
駆体３０は、その自重と上面からの大気圧３１、半導体
チップ２１の上面の表面張力の相互作用によって、半導
体チップ２１のエッジ３２方向へ向かって広がる。それ
がエッジ３２に到達すると、半導体チップ２１の上面と
側面３３に発生する表面張力によって広がりが止まる。
このようにポッティングした非感光性ポリイミド前駆体
３０は、半導体チップ２１の上面に凸形状の膜を形成す
る。
【００１７】その後、図６に示すように、非感光性ポリ
イミド前駆体３０のイミド化、溶剤の乾燥を行なう際
に、減圧硬化炉を用いて炉内を減圧雰囲気にして硬化さ
せる。これは、非感光性ポリイミド前駆体３０の上面を
押して膜を変形させようとする大気圧３１を減圧雰囲気
にすることによって除くためである。このときの大気圧
に対する減圧量は約５０ｍｍＨｇ以下、ロータリーポン
プを使用して実現できる減圧状態までであるが、今回の
実施例では約０.０１ｍｍＨｇで行ない、図２の段差計
測定データに示す平坦なポリイミド膜２７を得た。
イミド前駆体３０のイミド化、溶剤の乾燥を行なう際
に、減圧硬化炉を用いて炉内を減圧雰囲気にして硬化さ
せる。これは、非感光性ポリイミド前駆体３０の上面を
押して膜を変形させようとする大気圧３１を減圧雰囲気
にすることによって除くためである。このときの大気圧
に対する減圧量は約５０ｍｍＨｇ以下、ロータリーポン
プを使用して実現できる減圧状態までであるが、今回の
実施例では約０.０１ｍｍＨｇで行ない、図２の段差計
測定データに示す平坦なポリイミド膜２７を得た。
【００１８】
【発明の効果】本発明のポッティング法による平坦なポ
リイミド膜を用いることにより、環境保全性に優れ、製
造工程が簡略となり、製造コストの安価な高信頼性の半
導体装置を得ることができる。また、本発明の減圧硬化
方法によりポッティング塗布後の硬化工程で平坦なポリ
イミド膜が得られ、さらに、銅系フレームの酸化が防止
できる。
リイミド膜を用いることにより、環境保全性に優れ、製
造工程が簡略となり、製造コストの安価な高信頼性の半
導体装置を得ることができる。また、本発明の減圧硬化
方法によりポッティング塗布後の硬化工程で平坦なポリ
イミド膜が得られ、さらに、銅系フレームの酸化が防止
できる。
【図１】本発明の半導体装置における一実施例の断面図
【図２】図１に示した実施例についての凸形状のポリイ
ミド膜の段差計による測定データを示す図
ミド膜の段差計による測定データを示す図
【図３】本発明の半導体装置の製造方法における一実施
例の工程断面図
例の工程断面図
【図４】本発明の半導体装置の製造方法における一実施
例の工程断面図
例の工程断面図
【図５】本発明の半導体装置の製造方法における一実施
例の工程断面図
例の工程断面図
【図６】本発明の半導体装置の製造方法における一実施
例の工程断面図
例の工程断面図
【図７】従来の凹凸のあるポリイミド膜を有する半導体
装置の断面図
装置の断面図
【図８】従来の凹凸のあるポリイミド膜の段差計による
測定データを示す図
測定データを示す図
２１ 半導体チップ ２２ ダイパッド ２３ ボンディングパッド ２４ インナーリード ２５ ボンディングワイヤー ２６ 封止樹脂 ２７ ポリイミド膜 ２８ シリカ充填剤 ２９ 塗布用ノズル ３０ 非感光性ポリイミド前駆体 ３１ 大気圧 ３２ 半導体チップ２１のエッジ ３３ 半導体チップ２１の側面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップと、前記半導体チップの上
面にポッティング法によって形成した平坦なポリイミド
膜と、前記半導体チップのボンディングパッドとリード
フレームのインナーリードを接続するボンディングワイ
ヤーとを樹脂で一体的に封止した半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップのボンディングパッドと前
記リードフレームのインナーリードとをボンディングワ
イヤーで接続する工程と、前記半導体チップの上面にポ
リイミド前駆体をポッティング塗布する工程と、前記ポ
リイミド前駆体を減圧で硬化しポリイミド膜を形成する
工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6175470A JPH0846094A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6175470A JPH0846094A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846094A true JPH0846094A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=15996626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6175470A Pending JPH0846094A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846094A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614101B2 (en) | 1999-11-25 | 2003-09-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame with raised leads and plastic packaged semiconductor device using the same |
| JP2021132170A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-09 | エイブリック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN117637636A (zh) * | 2024-01-26 | 2024-03-01 | 华羿微电子股份有限公司 | 一种保护芯片的功率半导体封装结构及其制备方法 |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP6175470A patent/JPH0846094A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614101B2 (en) | 1999-11-25 | 2003-09-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame with raised leads and plastic packaged semiconductor device using the same |
| JP2021132170A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-09 | エイブリック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN117637636A (zh) * | 2024-01-26 | 2024-03-01 | 华羿微电子股份有限公司 | 一种保护芯片的功率半导体封装结构及其制备方法 |
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