JPH10223929A - ＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板 - Google Patents
ＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板Info
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- JPH10223929A JPH10223929A JP7798097A JP7798097A JPH10223929A JP H10223929 A JPH10223929 A JP H10223929A JP 7798097 A JP7798097 A JP 7798097A JP 7798097 A JP7798097 A JP 7798097A JP H10223929 A JPH10223929 A JP H10223929A
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- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤにおいて、劣化寿命が
長くかつ高輝度なＬＥＤを提供する。 【解決手段】 ｐ型ＧａＡｓ基板を使用し、ＡｌＧａＩ
ｎＰダブルヘテロ構造の上に電子移動速度の速いｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ電流拡散層を、厚さ０．５μｍ以下に薄く配
置し、さらにＡｌ含有量の低いＡｌＧａＩｎＰやＧａＰ
層を保護層として載置する。ダブルヘテロ構造部は高温
の成長温度で格子整合したものとする。
長くかつ高輝度なＬＥＤを提供する。 【解決手段】 ｐ型ＧａＡｓ基板を使用し、ＡｌＧａＩ
ｎＰダブルヘテロ構造の上に電子移動速度の速いｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ電流拡散層を、厚さ０．５μｍ以下に薄く配
置し、さらにＡｌ含有量の低いＡｌＧａＩｎＰやＧａＰ
層を保護層として載置する。ダブルヘテロ構造部は高温
の成長温度で格子整合したものとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は輝度の高い化合物半
導体発光装置、特にＡｌＧａＩｎＰを活性層とするダブ
ルヘテロ（ＤＨ）構造の発光素子（ＬＥＤ）用基板に関
するものである。
導体発光装置、特にＡｌＧａＩｎＰを活性層とするダブ
ルヘテロ（ＤＨ）構造の発光素子（ＬＥＤ）用基板に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体基板上に形成したエピタキ
シャル成長層からなる構造のＬＥＤは、低消費電力、長
寿命、高発光効率、高信頼性が得られる特性を有してお
り、各種表示装置光源として広く利用されている。Ａｌ
ＧａＩｎＰ混晶は、窒化物を除くIII −Ｖ族混晶中で最
大のエネルギーギャップを有する直接遷移型半導体結晶
である。この混晶を使用したＬＥＤは従来のＬＰＥ法Ａ
ｌＧａＡｓＬＥＤより短波長の発光が可能である事か
ら、高輝度発光素子としての用途が拡大している。特
に、ＧａＡｓを基板に使用し、これに格子整合するＡｌ
ＧａＩｎＰを活性層としたダブルヘテロ（ＤＨ）構造の
ＬＥＤは、緑色から赤色まで高輝度の発光の可能性を有
しているので、最近特に注目されている。また従来のＬ
ＰＥ法ＡｌＧａＡｓ系ＬＥＤよりも構造全体の中でのＡ
ｌ組成が少ない為、耐湿性に優れているとの評価もされ
ている。
シャル成長層からなる構造のＬＥＤは、低消費電力、長
寿命、高発光効率、高信頼性が得られる特性を有してお
り、各種表示装置光源として広く利用されている。Ａｌ
ＧａＩｎＰ混晶は、窒化物を除くIII −Ｖ族混晶中で最
大のエネルギーギャップを有する直接遷移型半導体結晶
である。この混晶を使用したＬＥＤは従来のＬＰＥ法Ａ
ｌＧａＡｓＬＥＤより短波長の発光が可能である事か
ら、高輝度発光素子としての用途が拡大している。特
に、ＧａＡｓを基板に使用し、これに格子整合するＡｌ
ＧａＩｎＰを活性層としたダブルヘテロ（ＤＨ）構造の
ＬＥＤは、緑色から赤色まで高輝度の発光の可能性を有
しているので、最近特に注目されている。また従来のＬ
ＰＥ法ＡｌＧａＡｓ系ＬＥＤよりも構造全体の中でのＡ
ｌ組成が少ない為、耐湿性に優れているとの評価もされ
ている。
【０００３】一方ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤは、一般にＭＯ
ＣＶＤ法を用いて作製される薄膜構造であり、比抵抗も
０．０７８Ωｃｍと比較的高い為、電極から注入された
電流が広がりにくいという欠点を持つ。従って、特に短
波長領域での発光効率が必ずしも十分とは言えなかっ
た。この為の構造改良策として種々の試みがなされてい
る。図１に従来の厚膜ＡｌＧａＡｓからなる電流拡散層
を具備したＬＥＤの構造の一例を示す（特公平６−１０
３７５９参照）。図中１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−
ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層( 厚さ1 μｍ) 、３はＡ
ｌＧａＩｎＰ活性層( 厚さ０．５μｍ) 、４はｐ−Ａｌ
ＧａＩｎＰ上部クラッド層( 厚さ０．２μｍ) 、５はｐ
−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層( 厚さ３μｍ) 、６はｐ側電
極、７はｎ側電極である。
ＣＶＤ法を用いて作製される薄膜構造であり、比抵抗も
０．０７８Ωｃｍと比較的高い為、電極から注入された
電流が広がりにくいという欠点を持つ。従って、特に短
波長領域での発光効率が必ずしも十分とは言えなかっ
た。この為の構造改良策として種々の試みがなされてい
る。図１に従来の厚膜ＡｌＧａＡｓからなる電流拡散層
を具備したＬＥＤの構造の一例を示す（特公平６−１０
３７５９参照）。図中１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−
ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層( 厚さ1 μｍ) 、３はＡ
ｌＧａＩｎＰ活性層( 厚さ０．５μｍ) 、４はｐ−Ａｌ
ＧａＩｎＰ上部クラッド層( 厚さ０．２μｍ) 、５はｐ
−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層( 厚さ３μｍ) 、６はｐ側電
極、７はｎ側電極である。
【０００４】この構造において電流拡散層として必要な
要件の一つは、発光部からの光に対して透明であるとい
う事である。この要件を満たしたＡｌＧａＡｓ層を電流
拡散層として用いるには、ＡｌＧａＡｓ電流拡散層のバ
ンドギャップエネルギーが活性層のバンドギャップエネ
ルギーより大となるように、Ａｌ組成を一定の値より大
きくする必要がある。ところがＡｌＧａＡｓはＡｌ組成
が大きくなるほど酸化し易くなる性質を持っている。Ａ
ｌＧａＩｎＰＬＥＤの可視光領域の光に対して透明なＡ
ｌＧａＡｓのＡｌ組成は混晶比で０．７程度であり、前
述のＬＰＥ法ＡｌＧａＡｓＬＥＤのクラッド層に採用さ
れている組成と同程度である。従って従来のＬＰＥ法Ａ
ｌＧａＡｓ系ＬＥＤより高輝度が得られ、耐湿性に優れ
たＡｌＧａＩｎＰＬＥＤにおいても、電流拡散層として
ＡｌＧａＡｓ層を用いる構造では耐湿性の点で問題があ
る。
要件の一つは、発光部からの光に対して透明であるとい
う事である。この要件を満たしたＡｌＧａＡｓ層を電流
拡散層として用いるには、ＡｌＧａＡｓ電流拡散層のバ
ンドギャップエネルギーが活性層のバンドギャップエネ
ルギーより大となるように、Ａｌ組成を一定の値より大
きくする必要がある。ところがＡｌＧａＡｓはＡｌ組成
が大きくなるほど酸化し易くなる性質を持っている。Ａ
ｌＧａＩｎＰＬＥＤの可視光領域の光に対して透明なＡ
ｌＧａＡｓのＡｌ組成は混晶比で０．７程度であり、前
述のＬＰＥ法ＡｌＧａＡｓＬＥＤのクラッド層に採用さ
れている組成と同程度である。従って従来のＬＰＥ法Ａ
ｌＧａＡｓ系ＬＥＤより高輝度が得られ、耐湿性に優れ
たＡｌＧａＩｎＰＬＥＤにおいても、電流拡散層として
ＡｌＧａＡｓ層を用いる構造では耐湿性の点で問題があ
る。
【０００５】一方ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の厚みは、そ
の目的から厚いほど望ましい。例えば特開平４−２１２
４７９では５〜３０μｍが提唱され、USP5,008,718では
２〜３０μｍが適当で、５〜１５μｍがより望ましいさ
れている（第３欄、第１６行以下参照）。またＡｌＧａ
Ａｓ電流拡散層として７μｍを採用した例もある(Appl.
Phys.Lett ｓ.58(10),11March 1991参照）。
の目的から厚いほど望ましい。例えば特開平４−２１２
４７９では５〜３０μｍが提唱され、USP5,008,718では
２〜３０μｍが適当で、５〜１５μｍがより望ましいさ
れている（第３欄、第１６行以下参照）。またＡｌＧａ
Ａｓ電流拡散層として７μｍを採用した例もある(Appl.
Phys.Lett ｓ.58(10),11March 1991参照）。
【０００６】ＬＥＤ構造でＡｌ含有量が多く、酸化し易
い層の厚みが厚いほど耐湿性が劣る事は当然であって、
この点でＡｌＧａＡｓ電流拡散層は電流拡散効果を強め
る為にその層厚を厚くすると、ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ
の特徴の一つである耐湿性を弱めるという矛盾した性質
を持つことになる。
い層の厚みが厚いほど耐湿性が劣る事は当然であって、
この点でＡｌＧａＡｓ電流拡散層は電流拡散効果を強め
る為にその層厚を厚くすると、ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ
の特徴の一つである耐湿性を弱めるという矛盾した性質
を持つことになる。
【０００７】また、従来のＬＥＤでは屋外での使用等の
高輝度を要求される用途に対して、十分満足のいく輝度
は達成されていない。ここで輝度とは発光強度に比例
し、視覚による影響を加味した値である。また、ヘテロ
接合面の増加により素子抵抗が高くなり、高い作動電圧
が要求される等の問題点を抱えている。高輝度が得られ
ない原因は、ダブルヘテロ接合発光構造部分の格子整合
が得られておらず、しかも多くのヘテロ接合面を抱えて
いるため良質のエピタキシャル成長層が得られていない
為であると推察される。従来から（Ａｌx Ｇａ1-x ）y
Ｉｎ1-y Ｐ４元混晶は、ｙ＝０．５の時ＧａＡｓ基板と
格子整合するとされてきたが、これは常温でのことであ
り、エピタキシャル成長温度ではこの組成では格子整合
していない。即ち、基板として使用するＧａＡｓ結晶の
室温での格子定数は０．５６５３３ｎｍであり、エピタ
キシャル成長温度である例えば７８０℃では０．５６８
０４ｎｍであり、０．４８％も変化している。一方クラ
ッド層として使用される（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐの室温での格子定数は０．５６６４０ｎｍで、７
８０℃では０．５６８３７ｎｍとなり０．３４８％増加
する。従って基板とクラッド層との格子不整合度は、室
温では０．１９％、７８０℃では０．０５８％となる。
このように一見格子整合しているように見える（Ａｌx
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐエピタキシャル成長層でも、な
おかなりの格子不整合度を有している。従来からどのよ
うにして格子整合させるかについては何ら提案されてい
ない。本発明者の詳細な検討の結果、常温での格子整合
もさることながら、エピタキシャル成長温度で格子整合
させることがより重要であることが判明した。エピタキ
シャル成長時に構成整合していれば良質の成長結晶が得
られ、たとえ常温まで降温して結晶格子に歪が発生した
としても輝度に影響を与えるほどではなく、結果として
高輝度が達成されることとなる。
高輝度を要求される用途に対して、十分満足のいく輝度
は達成されていない。ここで輝度とは発光強度に比例
し、視覚による影響を加味した値である。また、ヘテロ
接合面の増加により素子抵抗が高くなり、高い作動電圧
が要求される等の問題点を抱えている。高輝度が得られ
ない原因は、ダブルヘテロ接合発光構造部分の格子整合
が得られておらず、しかも多くのヘテロ接合面を抱えて
いるため良質のエピタキシャル成長層が得られていない
為であると推察される。従来から（Ａｌx Ｇａ1-x ）y
Ｉｎ1-y Ｐ４元混晶は、ｙ＝０．５の時ＧａＡｓ基板と
格子整合するとされてきたが、これは常温でのことであ
り、エピタキシャル成長温度ではこの組成では格子整合
していない。即ち、基板として使用するＧａＡｓ結晶の
室温での格子定数は０．５６５３３ｎｍであり、エピタ
キシャル成長温度である例えば７８０℃では０．５６８
０４ｎｍであり、０．４８％も変化している。一方クラ
ッド層として使用される（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐの室温での格子定数は０．５６６４０ｎｍで、７
８０℃では０．５６８３７ｎｍとなり０．３４８％増加
する。従って基板とクラッド層との格子不整合度は、室
温では０．１９％、７８０℃では０．０５８％となる。
このように一見格子整合しているように見える（Ａｌx
Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐエピタキシャル成長層でも、な
おかなりの格子不整合度を有している。従来からどのよ
うにして格子整合させるかについては何ら提案されてい
ない。本発明者の詳細な検討の結果、常温での格子整合
もさることながら、エピタキシャル成長温度で格子整合
させることがより重要であることが判明した。エピタキ
シャル成長時に構成整合していれば良質の成長結晶が得
られ、たとえ常温まで降温して結晶格子に歪が発生した
としても輝度に影響を与えるほどではなく、結果として
高輝度が達成されることとなる。
【０００８】さらに、良質のエピタキシャル成長層が得
られれば、上クラッド層中での電流拡散が良好となり、
敢えて厚い電流拡散層なる特別な層を設けなくても良く
なり、素子抵抗が低くなり、作動電圧（ＶＦ特性）も低
くて良いこととなる。また、Ａｌ濃度の高いエピタキシ
ャル成長層を厚くして使用しなければ素子の劣化の問題
も解消し、信頼性の高い素子が得られることとなる。
られれば、上クラッド層中での電流拡散が良好となり、
敢えて厚い電流拡散層なる特別な層を設けなくても良く
なり、素子抵抗が低くなり、作動電圧（ＶＦ特性）も低
くて良いこととなる。また、Ａｌ濃度の高いエピタキシ
ャル成長層を厚くして使用しなければ素子の劣化の問題
も解消し、信頼性の高い素子が得られることとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの矛盾
を解消し、耐湿性を保ちかつ十分な電流拡散効果を有す
るＡｌＧａＡｓ電流拡散層を用いた、長寿命のＬＥＤを
提供しようとするものである。さらに、高温での格子整
合を取ることにより、高輝度のＬＥＤを得ようとするも
のである。
を解消し、耐湿性を保ちかつ十分な電流拡散効果を有す
るＡｌＧａＡｓ電流拡散層を用いた、長寿命のＬＥＤを
提供しようとするものである。さらに、高温での格子整
合を取ることにより、高輝度のＬＥＤを得ようとするも
のである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明はＡｌＧａＩｎＰ
ＬＥＤにおいて採用するＡｌＧａＡｓ電流拡散層の層厚
を、従来に比べて大幅に薄くして1 μｍ以下とし、酸化
し易い層を減少し耐湿性を向上させる手段を採用した事
が最大の特徴である。さらに従来ｐ型が一般的であった
ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の導電型をｎ型とする事で、上
記の薄いＡｌＧａＡｓ層でも十分な電流拡散効果を発揮
させる構造とした事を特徴とする。もう一つの特徴は、
薄膜のＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上部に、酸化しにくい
ＡｌＧａＩｎＰあるいはＧａＰ層を積層して、これによ
って耐湿性を向上させたことである。また、本発明では
基板としてｐ型ＧａＡｓ単結晶を使用し、この基板の上
に（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐからなるダブルヘテ
ロ接合発光構造の発光部を有し、該ダブルヘテロ接合発
光構造の各層がエピタキシャル成長温度で格子整合させ
ることとした。この構造とすることにより、波長５５０
〜６５０ｎｍの領域で高輝度低作動電圧で、寿命が長く
高信頼性の発光素子を得ることができる。
ＬＥＤにおいて採用するＡｌＧａＡｓ電流拡散層の層厚
を、従来に比べて大幅に薄くして1 μｍ以下とし、酸化
し易い層を減少し耐湿性を向上させる手段を採用した事
が最大の特徴である。さらに従来ｐ型が一般的であった
ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の導電型をｎ型とする事で、上
記の薄いＡｌＧａＡｓ層でも十分な電流拡散効果を発揮
させる構造とした事を特徴とする。もう一つの特徴は、
薄膜のＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上部に、酸化しにくい
ＡｌＧａＩｎＰあるいはＧａＰ層を積層して、これによ
って耐湿性を向上させたことである。また、本発明では
基板としてｐ型ＧａＡｓ単結晶を使用し、この基板の上
に（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐからなるダブルヘテ
ロ接合発光構造の発光部を有し、該ダブルヘテロ接合発
光構造の各層がエピタキシャル成長温度で格子整合させ
ることとした。この構造とすることにより、波長５５０
〜６５０ｎｍの領域で高輝度低作動電圧で、寿命が長く
高信頼性の発光素子を得ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】一般に同一組成の半導体において
ｎ型の方がｐ型より比抵抗が小さい。これはｎ型半導体
のキャリアである電子の移動度（移動速度）がｐ型半導
体のキャリアである正孔の移動度より大きいからであ
る。「アドバンストエレクトロニクスＩ−１ III−Ｖ
族化合物半導体 1994年 培風館発行」Ｐ．１５１にあ
るデータから求めたキャリア移動度のｎ型とｐ型の比は
ＧａＡｓでは２０、ＩｎＰでは４３、ＧａＰでは１．６
である。しかしキャリアの移動度は、結晶の完全性、不
純物濃度等で変動する為この移動度比は物質によって大
きく異なり前記ＧａＰの様に大きな差が見られないケー
スもある。また成長方法によっても変動する事が知られ
ている。成長方法によって結果的に結晶の完全性等に差
があるためであると考えられる。発明者がＭＯＣＶＤを
用いて半絶縁性ＧａＡｓ基板上に成長させた層のホール
効果を測定した結果によれば、ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの
発光波長に対して透明なＡｌＧａＡｓ組成（Ａｌ混晶比
＝０．７）で、不純物濃度が１０18ｃｍ-3程度のｎ型と
ｐ型との比較では、移動速度比は１０．３という値が得
られた。従って、電流拡散層としてｎ型ＡｌＧａＡｓを
使用した方が、従来のｐ型ＡｌＧａＡｓを使用よりも大
きな電流拡散効果が期待できる。本発明者は、主として
この事実を応用する事で本発明に到達した。
ｎ型の方がｐ型より比抵抗が小さい。これはｎ型半導体
のキャリアである電子の移動度（移動速度）がｐ型半導
体のキャリアである正孔の移動度より大きいからであ
る。「アドバンストエレクトロニクスＩ−１ III−Ｖ
族化合物半導体 1994年 培風館発行」Ｐ．１５１にあ
るデータから求めたキャリア移動度のｎ型とｐ型の比は
ＧａＡｓでは２０、ＩｎＰでは４３、ＧａＰでは１．６
である。しかしキャリアの移動度は、結晶の完全性、不
純物濃度等で変動する為この移動度比は物質によって大
きく異なり前記ＧａＰの様に大きな差が見られないケー
スもある。また成長方法によっても変動する事が知られ
ている。成長方法によって結果的に結晶の完全性等に差
があるためであると考えられる。発明者がＭＯＣＶＤを
用いて半絶縁性ＧａＡｓ基板上に成長させた層のホール
効果を測定した結果によれば、ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの
発光波長に対して透明なＡｌＧａＡｓ組成（Ａｌ混晶比
＝０．７）で、不純物濃度が１０18ｃｍ-3程度のｎ型と
ｐ型との比較では、移動速度比は１０．３という値が得
られた。従って、電流拡散層としてｎ型ＡｌＧａＡｓを
使用した方が、従来のｐ型ＡｌＧａＡｓを使用よりも大
きな電流拡散効果が期待できる。本発明者は、主として
この事実を応用する事で本発明に到達した。
【００１２】次に、前記ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤに於ける
ｎ型−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の、層厚と通電劣化の関
係を調査した結果を図２に示す。横軸はｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層の層厚、縦軸は輝度残存率を示す。測定条件は順方
向電流：１０ｍＡ、温度：８５℃、湿度：８５％、通電
時間：1000時間で通電した後の輝度を通電前の輝度で除
して輝度残存率を求めた。破線で示したのはＡｌＧａＡ
ｓ電流拡散層のみの構造の場合、実線で示したのはＡｌ
ＧａＡｓ電流拡散層上部にＡｌＧａＩｎＰ層を０．３μ
ｍ積層した場合である。図からＡｌＧａＡｓ電流拡散層
の層厚と輝度残存率には相関があり、電流拡散層の層厚
が1 μｍを越えると輝度残存率が大きく低下している事
が判かる。この傾向はｎ型−ＡｌＧａＡｓ層上に保護層
としてＡｌＧａＩｎＰ層を積層した場合も積層しない場
合も同一である。しかし同一ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の
層厚での輝度残存率は保護層としてＡｌＧａＩｎＰ層を
積層した場合の方が大きい。この２つの傾向は、ＡｌＧ
ａＡｓ電流拡散層上部に保護層としてＧａＰ層を積層し
た場合も同一であった。従って、ＡｌＧａＡｓ電流拡散
層の厚さは1 μｍ以下とする。
ｎ型−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の、層厚と通電劣化の関
係を調査した結果を図２に示す。横軸はｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層の層厚、縦軸は輝度残存率を示す。測定条件は順方
向電流：１０ｍＡ、温度：８５℃、湿度：８５％、通電
時間：1000時間で通電した後の輝度を通電前の輝度で除
して輝度残存率を求めた。破線で示したのはＡｌＧａＡ
ｓ電流拡散層のみの構造の場合、実線で示したのはＡｌ
ＧａＡｓ電流拡散層上部にＡｌＧａＩｎＰ層を０．３μ
ｍ積層した場合である。図からＡｌＧａＡｓ電流拡散層
の層厚と輝度残存率には相関があり、電流拡散層の層厚
が1 μｍを越えると輝度残存率が大きく低下している事
が判かる。この傾向はｎ型−ＡｌＧａＡｓ層上に保護層
としてＡｌＧａＩｎＰ層を積層した場合も積層しない場
合も同一である。しかし同一ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の
層厚での輝度残存率は保護層としてＡｌＧａＩｎＰ層を
積層した場合の方が大きい。この２つの傾向は、ＡｌＧ
ａＡｓ電流拡散層上部に保護層としてＧａＰ層を積層し
た場合も同一であった。従って、ＡｌＧａＡｓ電流拡散
層の厚さは1 μｍ以下とする。
【００１３】前記ｎ型−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層のキャ
リア濃度の値は、１０17ｃｍ-3より小さいと電流拡散層
として十分な効果が得られず、５×１０19ｃｍ-3を超え
ると光の吸収が起きてしまう為、この範囲が適当である
が、より望ましい範囲は５×１０17ｃｍ-3から５×１０
18ｃｍ-3である。ＡｌＧａＡｓのＡｌ混晶比は、０．７
以上であれば、発光に対して透明性が維持できる。
リア濃度の値は、１０17ｃｍ-3より小さいと電流拡散層
として十分な効果が得られず、５×１０19ｃｍ-3を超え
ると光の吸収が起きてしまう為、この範囲が適当である
が、より望ましい範囲は５×１０17ｃｍ-3から５×１０
18ｃｍ-3である。ＡｌＧａＡｓのＡｌ混晶比は、０．７
以上であれば、発光に対して透明性が維持できる。
【００１４】次に発光の中心であるＡｌＧａＩｎＰ活性
層を挟むＤＨ構造について説明する。発光部となるＡｌ
ＧａＩｎＰ活性層のバンドギャップエネルギー、すなわ
ち発光波長は主にＡｌの混晶比によって決まり、発光波
長が５９０〜６３０ｎｍではＡｌ混晶比は０．３０〜
０．１２程度である。この時バンドギャプエネルギーＥ
ｇは２．１〜１．９７（ｅＶ）となる。Ｉｎ混晶比は主
に格子定数に影響する。このためＧａＡｓの（１００）
面基板を使用する場合には、エピタキシャル成長層の格
子定数を基板の格子定数に近づけるため、ＤＨ構造部の
Ｉｎ混晶比を０．５程度とする必要がある。
層を挟むＤＨ構造について説明する。発光部となるＡｌ
ＧａＩｎＰ活性層のバンドギャップエネルギー、すなわ
ち発光波長は主にＡｌの混晶比によって決まり、発光波
長が５９０〜６３０ｎｍではＡｌ混晶比は０．３０〜
０．１２程度である。この時バンドギャプエネルギーＥ
ｇは２．１〜１．９７（ｅＶ）となる。Ｉｎ混晶比は主
に格子定数に影響する。このためＧａＡｓの（１００）
面基板を使用する場合には、エピタキシャル成長層の格
子定数を基板の格子定数に近づけるため、ＤＨ構造部の
Ｉｎ混晶比を０．５程度とする必要がある。
【００１５】ＤＨ構造では活性層を上下のクラッド層で
挟んだ構造とする。クラッド層は活性層よりもバンドギ
ャプエネルギーを大きくし、活性層に注入された電子が
閉じ込められるようにして再結合の機会を増やし、かつ
発光に対して透明性を保ち、もって外部発光効率を高め
る役割を果たすものである。このような機能を持つクラ
ッド層はバンドギャプエネルギーを、活性層のそれより
も少なくとも０. １ｅＶ以上大きくし、注入電子の閉じ
込め効果を発揮させる。上述の活性層のＡｌ混晶比が
０．３０〜０．１２程度である場合、クラッド層のＡｌ
混晶比は０．５５〜０．３０以上にするのが効果的であ
る。この時バンドギャップエネルギーＥｇは２．２５〜
２．１０ｅＶ程度となる。導電型は基板側をｐ型、基板
に対向する側をｎ型とする。キャリア濃度はいずれも１
×１０16ｃｍ-3以上２×１０18ｃｍ-3以下とする。
挟んだ構造とする。クラッド層は活性層よりもバンドギ
ャプエネルギーを大きくし、活性層に注入された電子が
閉じ込められるようにして再結合の機会を増やし、かつ
発光に対して透明性を保ち、もって外部発光効率を高め
る役割を果たすものである。このような機能を持つクラ
ッド層はバンドギャプエネルギーを、活性層のそれより
も少なくとも０. １ｅＶ以上大きくし、注入電子の閉じ
込め効果を発揮させる。上述の活性層のＡｌ混晶比が
０．３０〜０．１２程度である場合、クラッド層のＡｌ
混晶比は０．５５〜０．３０以上にするのが効果的であ
る。この時バンドギャップエネルギーＥｇは２．２５〜
２．１０ｅＶ程度となる。導電型は基板側をｐ型、基板
に対向する側をｎ型とする。キャリア濃度はいずれも１
×１０16ｃｍ-3以上２×１０18ｃｍ-3以下とする。
【００１６】ここで、本発明では輝度をより向上させる
ために、ダブルヘテロ（ＤＨ）接合発光構造部分を成長
温度で格子整合させると効果的であることが判明した。
基板であるＧａＡｓ結晶の物性は広く知られているが、
ダブルヘテロ接合をする（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y
Ｐ４元混晶の物性は明らかにされていない。ＡｌＧａＩ
ｎＰはＡｌＰ、ＧａＰ、ＩｎＰの混晶であるから、これ
らの物性から４元混晶の物性を推計することができる。
既知の結晶の物性値は表１に示すとおりである。
ために、ダブルヘテロ（ＤＨ）接合発光構造部分を成長
温度で格子整合させると効果的であることが判明した。
基板であるＧａＡｓ結晶の物性は広く知られているが、
ダブルヘテロ接合をする（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y
Ｐ４元混晶の物性は明らかにされていない。ＡｌＧａＩ
ｎＰはＡｌＰ、ＧａＰ、ＩｎＰの混晶であるから、これ
らの物性から４元混晶の物性を推計することができる。
既知の結晶の物性値は表１に示すとおりである。
【００１７】
【表１】
【００１８】これらのデータを基に（Ａｌx Ｇａ1-x ）
y Ｉｎ1-y Ｐ４元混晶の格子定数と線膨張係数を推計す
る。（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐの組成式を変形す
ることにより （Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ＝ＡｌxyＧａ(1-x)yＩｎ(1-y) Ｐ‥‥（１） となり、この混晶はＡｌＰ、ＧａＰ、ＩｎＰをそれぞれ
ｘｙ、（１−ｘ）ｙ、（１−ｙ）ずつ含むことになるか
ら、常温における格子定数ａroomはそれぞれの結晶の格
子定数を加重平均して、 ａroom＝0.54625 ｘｙ＋ 0.54512（１−ｘ）ｙ＋ 0.58688（１−ｙ） ［ｎｍ］‥‥‥‥‥‥‥‥（２） 線膨張係数βepi はそれぞれの線膨張係数を加重平均し
て βepi ＝4.20ｘｙ＋5.91（１−ｘ）ｙ＋4.56（１−ｙ） ［×１０-6／Ｋ］‥‥‥‥‥‥‥‥（３） となる。このようにして混晶比ｘ，ｙが定まれば、（Ａ
ｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ４元混晶の常温における格
子定数ａroomと０〜７００Ｋにおける線膨張係数βepi
を推計することができる。
y Ｉｎ1-y Ｐ４元混晶の格子定数と線膨張係数を推計す
る。（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐの組成式を変形す
ることにより （Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ＝ＡｌxyＧａ(1-x)yＩｎ(1-y) Ｐ‥‥（１） となり、この混晶はＡｌＰ、ＧａＰ、ＩｎＰをそれぞれ
ｘｙ、（１−ｘ）ｙ、（１−ｙ）ずつ含むことになるか
ら、常温における格子定数ａroomはそれぞれの結晶の格
子定数を加重平均して、 ａroom＝0.54625 ｘｙ＋ 0.54512（１−ｘ）ｙ＋ 0.58688（１−ｙ） ［ｎｍ］‥‥‥‥‥‥‥‥（２） 線膨張係数βepi はそれぞれの線膨張係数を加重平均し
て βepi ＝4.20ｘｙ＋5.91（１−ｘ）ｙ＋4.56（１−ｙ） ［×１０-6／Ｋ］‥‥‥‥‥‥‥‥（３） となる。このようにして混晶比ｘ，ｙが定まれば、（Ａ
ｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ４元混晶の常温における格
子定数ａroomと０〜７００Ｋにおける線膨張係数βepi
を推計することができる。
【００１９】次にエピタキシャル成長温度をＴ℃とした
とき、成長温度と室温とにおける温度差はΔＴとなり、
エピタキシャル成長温度における４元混晶の格子定数ａ
T と基板の格子定数ｓT はそれぞれ ａT ＝ａroom（１＋βepi ・ΔＴ） ‥‥‥‥‥‥‥（４） ｓT ＝ｓroom（１＋βsub ・ΔＴ） ‥‥‥‥‥‥‥（５） となる。ここでβepi は前出の（３）式によるエピタキ
シャル成長層の線膨張係数、βsub は基板（例えばＧａ
Ａｓ）の線膨張係数である。
とき、成長温度と室温とにおける温度差はΔＴとなり、
エピタキシャル成長温度における４元混晶の格子定数ａ
T と基板の格子定数ｓT はそれぞれ ａT ＝ａroom（１＋βepi ・ΔＴ） ‥‥‥‥‥‥‥（４） ｓT ＝ｓroom（１＋βsub ・ΔＴ） ‥‥‥‥‥‥‥（５） となる。ここでβepi は前出の（３）式によるエピタキ
シャル成長層の線膨張係数、βsub は基板（例えばＧａ
Ａｓ）の線膨張係数である。
【００２０】上記の（２）式ないし（５）式を使用すれ
ば、混晶比ｘ，ｙを有する４元混晶のエピタキシャル成
長温度Ｔ℃における格子定数ａT を推計することができ
る。Ｔ℃における格子定数ａT が定まればＴ℃における
格子不整合度Δａを推計することができる。ここである
温度での基板の格子定数をｓ、４元混晶の格子定数をａ
とすれば、格子不整合度Δａは次式（６）で定義する。 Δａ＝（ｓ−ａ）／ｓ×１００（％） ‥‥‥‥‥‥（６） 今、基板としてＧａＡｓ結晶、（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉ
ｎ1-y Ｐ４元混晶のエピタキシャル成長温度を７８０℃
とした時、公知の４元混晶の室温とエピタキシャル成長
温度における格子不整合度Δａroom、Δａepi は以下の
表２のとおりになる。
ば、混晶比ｘ，ｙを有する４元混晶のエピタキシャル成
長温度Ｔ℃における格子定数ａT を推計することができ
る。Ｔ℃における格子定数ａT が定まればＴ℃における
格子不整合度Δａを推計することができる。ここである
温度での基板の格子定数をｓ、４元混晶の格子定数をａ
とすれば、格子不整合度Δａは次式（６）で定義する。 Δａ＝（ｓ−ａ）／ｓ×１００（％） ‥‥‥‥‥‥（６） 今、基板としてＧａＡｓ結晶、（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉ
ｎ1-y Ｐ４元混晶のエピタキシャル成長温度を７８０℃
とした時、公知の４元混晶の室温とエピタキシャル成長
温度における格子不整合度Δａroom、Δａepi は以下の
表２のとおりになる。
【００２１】
【表２】
【００２２】表２に示すとおり、公知のＡｌＧａＩｎＰ
４元混晶は、室温では０．１４〜０．１９％の格子不整
合度を有し、エピタキシャル成長時にもなお０．０３９
〜０．０５８％の格子不整合度を有している。例えば、
電流拡散層として使用されているＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｐや
Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐでは、格子不整合度は一層拡大した
ものとなっている。このようにエピタキシャル成長温度
で格子不整合度の大きな結晶のヘテロ接合面を多数用い
ている公知のＡｌＧａＩｎＰ４元混晶ＬＥＤでは、ヘテ
ロスパイクが大きくなるため、高輝度が達成されない原
因になっていると考えられる。エピタキシャル成長時に
おける格子不整合は極力避けねばならない。
４元混晶は、室温では０．１４〜０．１９％の格子不整
合度を有し、エピタキシャル成長時にもなお０．０３９
〜０．０５８％の格子不整合度を有している。例えば、
電流拡散層として使用されているＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｐや
Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐでは、格子不整合度は一層拡大した
ものとなっている。このようにエピタキシャル成長温度
で格子不整合度の大きな結晶のヘテロ接合面を多数用い
ている公知のＡｌＧａＩｎＰ４元混晶ＬＥＤでは、ヘテ
ロスパイクが大きくなるため、高輝度が達成されない原
因になっていると考えられる。エピタキシャル成長時に
おける格子不整合は極力避けねばならない。
【００２３】次に、エピタキシャル成長温度で格子整合
させる方法について説明する。まず、Ａｌの混晶比はＡ
ｌＧａＩｎＰ４元混晶のバンドギャップエネルギーを決
めるので、作成した結晶のフォトルミネッセンス（Ｐ
Ｌ）による発光波長測定から、目的のバンドギャップエ
ネルギーを与える混晶比に調整することができる。Ｇａ
Ａｓ（１００）基板を用いた場合について、目標とする
発光波長に対する活性層のＡｌ混晶比ｘとバンドギャッ
プエネルギーＥg を表３に示す。
させる方法について説明する。まず、Ａｌの混晶比はＡ
ｌＧａＩｎＰ４元混晶のバンドギャップエネルギーを決
めるので、作成した結晶のフォトルミネッセンス（Ｐ
Ｌ）による発光波長測定から、目的のバンドギャップエ
ネルギーを与える混晶比に調整することができる。Ｇａ
Ａｓ（１００）基板を用いた場合について、目標とする
発光波長に対する活性層のＡｌ混晶比ｘとバンドギャッ
プエネルギーＥg を表３に示す。
【００２４】
【表３】
【００２５】上記に従って目標とする発光波長に対応す
る活性層のＡｌ混晶比ｘを選定する。ＡｌＧａＩｎＰ４
元混晶のバンドギャップエネルギーはＡｌの混晶比ｘと
共に増加し、ｘ＝０．７以上では間接遷移領域に入るの
で、ｘ＝０．７が上限となる。ｘ＝０はＧａＩｎＰ混晶
であり、発光波長は６５０ｎｍ（赤）となる。ｘ＝０．
７では発光波長は５５０ｎｍ（緑）となる。
る活性層のＡｌ混晶比ｘを選定する。ＡｌＧａＩｎＰ４
元混晶のバンドギャップエネルギーはＡｌの混晶比ｘと
共に増加し、ｘ＝０．７以上では間接遷移領域に入るの
で、ｘ＝０．７が上限となる。ｘ＝０はＧａＩｎＰ混晶
であり、発光波長は６５０ｎｍ（赤）となる。ｘ＝０．
７では発光波長は５５０ｎｍ（緑）となる。
【００２６】クラッド層のバンドギャップエネルギーは
活性層よりも大きくする必要がある。なぜならば、クラ
ッド層のバンドギャップエネルギーが活性層のバンドギ
ャップエネルギーよりも小さいと、キャリアのバンド間
の遷移により発光に対して吸収体として作用するように
なるからである。クラッド層によるキャリアの閉じ込め
効果を考えると、クラッド層のバンドギャップエネルギ
ーは、室温でのＬＥＤの使用を前提とすると、活性層の
バンドギャップエネルギーよりも少なくとも０．１ｅＶ
以上大きくする必要がある。このようにして選定したク
ラッド層のバンドギャップエネルギーを表３に併記す
る。
活性層よりも大きくする必要がある。なぜならば、クラ
ッド層のバンドギャップエネルギーが活性層のバンドギ
ャップエネルギーよりも小さいと、キャリアのバンド間
の遷移により発光に対して吸収体として作用するように
なるからである。クラッド層によるキャリアの閉じ込め
効果を考えると、クラッド層のバンドギャップエネルギ
ーは、室温でのＬＥＤの使用を前提とすると、活性層の
バンドギャップエネルギーよりも少なくとも０．１ｅＶ
以上大きくする必要がある。このようにして選定したク
ラッド層のバンドギャップエネルギーを表３に併記す
る。
【００２７】次に、Ｉｎの量により格子定数が決まるの
で、以下の手順に従ってＩｎの混晶比（１−ｙ）を決定
する。一般に０．１μｍ以上の厚さを有するエピタキシ
ャル成長層に対しては、２結晶Ｘ線回折法等で室温にお
けるエピタキシャル成長結晶の格子定数を精密に測定す
ることができる。従って、各種のｘ，ｙに対するエピタ
キシャル成長結晶の格子定数を測定し、これらの値を基
にエピタキシャル成長温度（Ｔ℃）における格子定数を
式（４）に従って推計する。さらに、式（６）からＴ℃
における格子不整合度を求めることができる。このよう
にして求めた値からエピタキシャル成長温度における格
子不整合度が零（完全格子整合）となるような混晶比
ｘ，ｙを選択すれば良い。このようにして室温における
所定の格子不整合度を得るようにＩｎ混晶比（１−ｙ）
を調整するのである。具体的にはエピタキシャル成長温
度における格子整合条件は式（４）及び式（５）から ａT −ｓT ＝ａroom（１＋βepi ・ΔＴ）−ｓroom（１＋βsub ・ΔＴ） ＝０ ‥‥‥‥‥‥‥（７） となる。式（７）において右辺は成長温度、従ってΔＴ
が決まれば既知である。一方ａroom、ｓroomはそれぞれ
式（４）、（５）で与えられ、共にｘ，ｙの関数であ
る。ただしｘは目的のバンドギャプエネルギーからも制
約されるため、結局式（７）はｙについての２次方程式
となる。ｙについての条件式０＜ｙ≦１を満たす解を求
め、再度ｘ，ｙを式（２）に代入すると室温での格子定
数ａroomが得られ、つづいて室温での格子不整合度が得
られる。表４はこの手順によって得られたエピタキシャ
ル成長温度７８０℃で厳密に格子整合するＡｌＧａＩｎ
Ｐ４元混晶の室温での格子不整合度を示したものであ
る。
で、以下の手順に従ってＩｎの混晶比（１−ｙ）を決定
する。一般に０．１μｍ以上の厚さを有するエピタキシ
ャル成長層に対しては、２結晶Ｘ線回折法等で室温にお
けるエピタキシャル成長結晶の格子定数を精密に測定す
ることができる。従って、各種のｘ，ｙに対するエピタ
キシャル成長結晶の格子定数を測定し、これらの値を基
にエピタキシャル成長温度（Ｔ℃）における格子定数を
式（４）に従って推計する。さらに、式（６）からＴ℃
における格子不整合度を求めることができる。このよう
にして求めた値からエピタキシャル成長温度における格
子不整合度が零（完全格子整合）となるような混晶比
ｘ，ｙを選択すれば良い。このようにして室温における
所定の格子不整合度を得るようにＩｎ混晶比（１−ｙ）
を調整するのである。具体的にはエピタキシャル成長温
度における格子整合条件は式（４）及び式（５）から ａT −ｓT ＝ａroom（１＋βepi ・ΔＴ）−ｓroom（１＋βsub ・ΔＴ） ＝０ ‥‥‥‥‥‥‥（７） となる。式（７）において右辺は成長温度、従ってΔＴ
が決まれば既知である。一方ａroom、ｓroomはそれぞれ
式（４）、（５）で与えられ、共にｘ，ｙの関数であ
る。ただしｘは目的のバンドギャプエネルギーからも制
約されるため、結局式（７）はｙについての２次方程式
となる。ｙについての条件式０＜ｙ≦１を満たす解を求
め、再度ｘ，ｙを式（２）に代入すると室温での格子定
数ａroomが得られ、つづいて室温での格子不整合度が得
られる。表４はこの手順によって得られたエピタキシャ
ル成長温度７８０℃で厳密に格子整合するＡｌＧａＩｎ
Ｐ４元混晶の室温での格子不整合度を示したものであ
る。
【００２８】
【表４】
【００２９】表４に示した混晶比ｘ，ｙを有する（Ａｌ
x Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ４元混晶を使用してダブルヘ
テロ接合発光構造を作れば、ＧａＡｓ基板とエピタキシ
ャル成長温度で格子整合した良質のエピタキシャル成長
結晶が得られ、高輝度で信頼性の高いＬＥＤとすること
ができる。表４ではエピタキシャル成長温度を７８０℃
とした場合を示したが、エピタキシャル成長温度を変え
た場合にも同様にしてエピタキシャル成長温度で格子整
合する４元混晶の結晶組成を選定することが可能であ
る。４元混晶の良質な結晶を得るにはエピタキシャル成
長温度は７３０〜８３０℃が適当である。この温度範囲
では格子不整合度も僅かに変化するが許容できる範囲で
ある。従ってＩｎ混晶比（１−ｙ）の範囲は０．５０４
５≦（１−ｙ）≦０．５０９５とする。
x Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ４元混晶を使用してダブルヘ
テロ接合発光構造を作れば、ＧａＡｓ基板とエピタキシ
ャル成長温度で格子整合した良質のエピタキシャル成長
結晶が得られ、高輝度で信頼性の高いＬＥＤとすること
ができる。表４ではエピタキシャル成長温度を７８０℃
とした場合を示したが、エピタキシャル成長温度を変え
た場合にも同様にしてエピタキシャル成長温度で格子整
合する４元混晶の結晶組成を選定することが可能であ
る。４元混晶の良質な結晶を得るにはエピタキシャル成
長温度は７３０〜８３０℃が適当である。この温度範囲
では格子不整合度も僅かに変化するが許容できる範囲で
ある。従ってＩｎ混晶比（１−ｙ）の範囲は０．５０４
５≦（１−ｙ）≦０．５０９５とする。
【００３０】本発明では、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層
の表面にさらにｎ型ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ型ＧａＰの
保護層を載置しても良い。これはＬＥＤの空気と接触す
る面をＡｌ含有量の少ない結晶、あるいはＡｌを全く含
まない空気中の湿分に対して安定な結晶で覆い、耐湿性
を高めるためである。ＧａＰのバンドギャップは２．３
４ｅＶであり、Ａｌ混晶比が０．３５のＡｌＧａＩｎＰ
のバンドギャップは２．２８ｅＶであり、共に発光に対
して透明である。キャリア濃度は１×１０17ｃｍ-3以上
１×１０19ｃｍ-3以下であれば電流拡散効果に支障はな
い。厚さは酸化を防ぐ為なので０．５μｍ以下で十分で
ある。電流拡散層と合わせて１μｍ以下とする。
の表面にさらにｎ型ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ型ＧａＰの
保護層を載置しても良い。これはＬＥＤの空気と接触す
る面をＡｌ含有量の少ない結晶、あるいはＡｌを全く含
まない空気中の湿分に対して安定な結晶で覆い、耐湿性
を高めるためである。ＧａＰのバンドギャップは２．３
４ｅＶであり、Ａｌ混晶比が０．３５のＡｌＧａＩｎＰ
のバンドギャップは２．２８ｅＶであり、共に発光に対
して透明である。キャリア濃度は１×１０17ｃｍ-3以上
１×１０19ｃｍ-3以下であれば電流拡散効果に支障はな
い。厚さは酸化を防ぐ為なので０．５μｍ以下で十分で
ある。電流拡散層と合わせて１μｍ以下とする。
【００３１】本発明の場合、輝度をより高めるために、
多層エピタキシャル成長層から成る反射層を使用すると
良い。反射層は互いに屈折率の異なるエピタキシャル成
長層を交互に積層した、いわゆるＤＢＲと称するものが
利用できる。高い反射率を得るための条件としては、対
象波長に対して光吸収が少ないような材料を選択するこ
とと、それらの屈折率差をなるべく大きくとることであ
る。各エピタキシャル成長層の厚さは、発光波長の１／
４の光学長（対象とする層の屈折率をｎ、目標発光波長
をλとすると、層の厚さはλ／４ｎ）として、１０〜２
５組程度積層する。例えばＡｌ組成が０．４及び０．９
５のＡｌＧａＡｓ層を、それぞれの厚さを４１．９ｎｍ
及び４９．３ｎｍとして２５組積層する事により、波長
が６００〜６４０ｎｍの光を９０％以上の効率で反射す
る。
多層エピタキシャル成長層から成る反射層を使用すると
良い。反射層は互いに屈折率の異なるエピタキシャル成
長層を交互に積層した、いわゆるＤＢＲと称するものが
利用できる。高い反射率を得るための条件としては、対
象波長に対して光吸収が少ないような材料を選択するこ
とと、それらの屈折率差をなるべく大きくとることであ
る。各エピタキシャル成長層の厚さは、発光波長の１／
４の光学長（対象とする層の屈折率をｎ、目標発光波長
をλとすると、層の厚さはλ／４ｎ）として、１０〜２
５組程度積層する。例えばＡｌ組成が０．４及び０．９
５のＡｌＧａＡｓ層を、それぞれの厚さを４１．９ｎｍ
及び４９．３ｎｍとして２５組積層する事により、波長
が６００〜６４０ｎｍの光を９０％以上の効率で反射す
る。
【００３２】以上のようにして載置した電流拡散層又は
保護層の上にコンタクト層を介してｎ型オーミック電極
を形成する。また、ＧａＡｓ基板の表面にはｐ型オーミ
ック電極を形成してＬＥＤ素子とする。コンタクト層に
ついてはその上の金属電極とオーム性接触を取り易いこ
とを目安に選ぶ。本発明の構造では最適な物質はＧａＡ
ｓであり、厚さは０．１〜１μｍあれば良い。キャリア
濃度は１×１０18ｃｍ-3以上が必要である。金属電極は
ｎ型ではＡｕ／Ａｕ−Ｇｅ、ｐ型ではＡｕ／Ａｕ−Ｂｅ
を用いることができる。このようにＬＥＤ用ウエーハを
構成することにより、上部電極からの注入電流を充分に
拡散させ、効果的に高い出力、即ち高い輝度の発光素子
を得ることができる。
保護層の上にコンタクト層を介してｎ型オーミック電極
を形成する。また、ＧａＡｓ基板の表面にはｐ型オーミ
ック電極を形成してＬＥＤ素子とする。コンタクト層に
ついてはその上の金属電極とオーム性接触を取り易いこ
とを目安に選ぶ。本発明の構造では最適な物質はＧａＡ
ｓであり、厚さは０．１〜１μｍあれば良い。キャリア
濃度は１×１０18ｃｍ-3以上が必要である。金属電極は
ｎ型ではＡｕ／Ａｕ−Ｇｅ、ｐ型ではＡｕ／Ａｕ−Ｂｅ
を用いることができる。このようにＬＥＤ用ウエーハを
構成することにより、上部電極からの注入電流を充分に
拡散させ、効果的に高い出力、即ち高い輝度の発光素子
を得ることができる。
【００３３】
【作用】本発明では、酸化しやすいＡｌリッチ層を薄く
して耐湿性を向上させ、代わりにキャリア移動速度の大
きなｎ型ＡｌＧａＡｓを採用することにより、十分な電
流拡散効果を補償して、高輝度と耐候性を兼ね備えたＬ
ＥＤとしたものである。さらに発光構造部分を高温で格
子整合させることにより、より良好なエピタキシャル成
長結晶を得て、もって一層の高輝度を達成したものであ
る。
して耐湿性を向上させ、代わりにキャリア移動速度の大
きなｎ型ＡｌＧａＡｓを採用することにより、十分な電
流拡散効果を補償して、高輝度と耐候性を兼ね備えたＬ
ＥＤとしたものである。さらに発光構造部分を高温で格
子整合させることにより、より良好なエピタキシャル成
長結晶を得て、もって一層の高輝度を達成したものであ
る。
【００３４】
【実施例】以下実施例を用いて本発明を具体的に説明す
る。 （実施例１）Ｚｎドープのキャリア濃度が２×１０18ｃ
ｍ-3、面方位が(100) のｐ型ＧａＡｓ単結晶基板上に、
Ｚｎドープで厚さが４１．９ｎｍのＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａ
ｓ層と４９．３ｎｍのＡｌ0.95Ｇａ0.05Ａｓ層とを２５
組交互に積層させて構成した反射膜を介して、活性層組
成が（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐでクラッド層
組成が（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 ＰであるＡｌ
ＧａＩｎＰＤＨ構造を積層し、該ＤＨ構造上部に厚さ
０．５μｍ、キャリア濃度が１．５×１０18ｃｍ-3、Ａ
ｌ混晶比が０．７のｎ型のＡｌＧａＡｓ電流拡散層を積
層し、さらにこの上部にｎ型ＧａＡｓコンタクト層を積
層し、通常のフォトリソグラフとエッチング技術及び合
金化技術により図３に示す断面構造のＬＥＤを作成し
た。各層の成長は全てＭＯＣＶＤ法で行った。なお、耐
湿性は順方向電流：１０ｍＡ、温度：８５℃、湿度：８
５％、通電時間：1,000 時間後の輝度を測定し、通電前
の輝度と比較することで評価した。この結果得られたＬ
ＥＤの特性は表５の通り良好な耐湿性を示した。
る。 （実施例１）Ｚｎドープのキャリア濃度が２×１０18ｃ
ｍ-3、面方位が(100) のｐ型ＧａＡｓ単結晶基板上に、
Ｚｎドープで厚さが４１．９ｎｍのＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａ
ｓ層と４９．３ｎｍのＡｌ0.95Ｇａ0.05Ａｓ層とを２５
組交互に積層させて構成した反射膜を介して、活性層組
成が（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐでクラッド層
組成が（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 ＰであるＡｌ
ＧａＩｎＰＤＨ構造を積層し、該ＤＨ構造上部に厚さ
０．５μｍ、キャリア濃度が１．５×１０18ｃｍ-3、Ａ
ｌ混晶比が０．７のｎ型のＡｌＧａＡｓ電流拡散層を積
層し、さらにこの上部にｎ型ＧａＡｓコンタクト層を積
層し、通常のフォトリソグラフとエッチング技術及び合
金化技術により図３に示す断面構造のＬＥＤを作成し
た。各層の成長は全てＭＯＣＶＤ法で行った。なお、耐
湿性は順方向電流：１０ｍＡ、温度：８５℃、湿度：８
５％、通電時間：1,000 時間後の輝度を測定し、通電前
の輝度と比較することで評価した。この結果得られたＬ
ＥＤの特性は表５の通り良好な耐湿性を示した。
【００３５】
【表５】
【００３６】（実施例２）実施例１に於いてｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ電流拡散層の上にさらに厚さ０．５μｍのＳｅド
ープｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層を載置した。Ａｌ混晶比は
０．１５、キャリア濃度は１×１０18ｃｍ-3であった。
次いで、実施例１と同様にしてｎ型ＧａＡｓコンタクト
層を積層し、通常のフォトリソグラフとエッチング技術
及び合金化技術により図４に示す断面構造のＬＥＤを作
成した。実施例１と同様に特性評価した結果は表５に示
す通りであった。
ａＡｓ電流拡散層の上にさらに厚さ０．５μｍのＳｅド
ープｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層を載置した。Ａｌ混晶比は
０．１５、キャリア濃度は１×１０18ｃｍ-3であった。
次いで、実施例１と同様にしてｎ型ＧａＡｓコンタクト
層を積層し、通常のフォトリソグラフとエッチング技術
及び合金化技術により図４に示す断面構造のＬＥＤを作
成した。実施例１と同様に特性評価した結果は表５に示
す通りであった。
【００３７】（実施例３）実施例２に於いて、ｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ層の代わりにＳｅドープｎ型ＧａＰを用いた
以外は全て同じにして、図５に示す断面構造のＬＥＤを
作成した。実施例１と同様に特性評価した結果は表５に
示す通りであった。
ＧａＩｎＰ層の代わりにＳｅドープｎ型ＧａＰを用いた
以外は全て同じにして、図５に示す断面構造のＬＥＤを
作成した。実施例１と同様に特性評価した結果は表５に
示す通りであった。
【００３８】（比較例）Ｓｉドープのキャリア濃度が１
×１０18ｃｍ-3、面方位が(100) のｎ型ＧａＡｓ単結晶
基板上に、Ｓｅドープのｎ型で厚さが４１．９ｎｍのＡ
ｌ0.4 Ｇａ0.6Ａｓ層と４９．３ｎｍのＡｌ0.95Ｇａ
0.05Ａｓ層とを２５組交互に積層させて構成した反射膜
を介して、その上に活性層組成が（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）
0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐでクラッド層組成が（Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 ＰであるＡｌＧａＩｎＰＤＨ構造
を積層し、該ＤＨ構造上部に厚さ５μｍ、キャリア濃度
が１．５×１０18ｃｍ-3、Ａｌ混晶比が０．７のｐ型の
ＡｌＧａＡｓ層を積層し、さらにこの上部にｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層を積層し、通常のフォトリソグラフとエ
ッチング技術及び合金化技術によりＬＥＤを作成した。
この結果得られたＬＥＤの特性は表５の通りであった。
×１０18ｃｍ-3、面方位が(100) のｎ型ＧａＡｓ単結晶
基板上に、Ｓｅドープのｎ型で厚さが４１．９ｎｍのＡ
ｌ0.4 Ｇａ0.6Ａｓ層と４９．３ｎｍのＡｌ0.95Ｇａ
0.05Ａｓ層とを２５組交互に積層させて構成した反射膜
を介して、その上に活性層組成が（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）
0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐでクラッド層組成が（Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 ＰであるＡｌＧａＩｎＰＤＨ構造
を積層し、該ＤＨ構造上部に厚さ５μｍ、キャリア濃度
が１．５×１０18ｃｍ-3、Ａｌ混晶比が０．７のｐ型の
ＡｌＧａＡｓ層を積層し、さらにこの上部にｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層を積層し、通常のフォトリソグラフとエ
ッチング技術及び合金化技術によりＬＥＤを作成した。
この結果得られたＬＥＤの特性は表５の通りであった。
【００３９】（実施例４）実施例１において、ダブルヘ
テロ発光構造部をエピタキシャル成長温度で格子整合さ
せた以外は全く同様にしてＬＥＤを作成した。ダブルヘ
テロ発光構造部のエピタキシャル成長は以下のようにし
て行なった。発光波長を６２０ｎｍとするため、活性層
３のバンドギャップエネルギーをＥg ＝２．００ｅＶに
設定した。また、下クラッド層２１及び上クラッド層４
１ではキャリアの閉じ込め効果と発光に対する透明性を
確保するためバンドギャップエネルギーは活性層３より
も０．２９ｅＶ大きなＥg ＝２．２９ｅＶに設定した。
この結果、各層のＡｌ混晶比ｘは活性層３ではｘ＝約
０．１７、下クラッド層２１及び上クラッド層４１では
ｘ＝約０．７となる。
テロ発光構造部をエピタキシャル成長温度で格子整合さ
せた以外は全く同様にしてＬＥＤを作成した。ダブルヘ
テロ発光構造部のエピタキシャル成長は以下のようにし
て行なった。発光波長を６２０ｎｍとするため、活性層
３のバンドギャップエネルギーをＥg ＝２．００ｅＶに
設定した。また、下クラッド層２１及び上クラッド層４
１ではキャリアの閉じ込め効果と発光に対する透明性を
確保するためバンドギャップエネルギーは活性層３より
も０．２９ｅＶ大きなＥg ＝２．２９ｅＶに設定した。
この結果、各層のＡｌ混晶比ｘは活性層３ではｘ＝約
０．１７、下クラッド層２１及び上クラッド層４１では
ｘ＝約０．７となる。
【００４０】次に、ダブルヘテロ接合発光構造部のエピ
タキシャル成長を７８０℃で行なうこととし、この成長
温度で格子定数がＧａＡｓ基板と完全に整合するように
した。即ち、７８０℃におけるＧａＡｓの格子定数は
５．６８０４Åであるから、ダブルヘテロ接合部の４元
混晶各層の格子定数も５．６８０４Åとなるように、前
述の計算式を用いてｘ、ｙを定めた。前述のバンドギャ
ップエネルギーと上記格子定数の条件を満たすｘ、ｙを
本発明の主旨に従って計算した結果、活性層３の組成は
（Ａｌ0.1700Ｇａ0.8300)0.4946 Ｉｎ0.5054Ｐ、下クラ
ッド層２１及び上クラッド層４１の結晶組成は（Ａｌ
0.7000Ｇａ0.3000）0.4920Ｉｎo.5080Ｐとなった。
タキシャル成長を７８０℃で行なうこととし、この成長
温度で格子定数がＧａＡｓ基板と完全に整合するように
した。即ち、７８０℃におけるＧａＡｓの格子定数は
５．６８０４Åであるから、ダブルヘテロ接合部の４元
混晶各層の格子定数も５．６８０４Åとなるように、前
述の計算式を用いてｘ、ｙを定めた。前述のバンドギャ
ップエネルギーと上記格子定数の条件を満たすｘ、ｙを
本発明の主旨に従って計算した結果、活性層３の組成は
（Ａｌ0.1700Ｇａ0.8300)0.4946 Ｉｎ0.5054Ｐ、下クラ
ッド層２１及び上クラッド層４１の結晶組成は（Ａｌ
0.7000Ｇａ0.3000）0.4920Ｉｎo.5080Ｐとなった。
【００４１】このようにして得られたダブルヘテロ接合
構造各層のキャリア濃度を測定した。キャリア濃度は下
クラッド層２１は１×１０17ｃｍ-3、活性層３は１×１
０16ｃｍ-3、上クラッド層４１は３×１０17ｃｍ-3であ
った。
構造各層のキャリア濃度を測定した。キャリア濃度は下
クラッド層２１は１×１０17ｃｍ-3、活性層３は１×１
０16ｃｍ-3、上クラッド層４１は３×１０17ｃｍ-3であ
った。
【００４２】さらにダブルヘテロ接合構造の各層の格子
定数を測定し、前述の式（６）に従って格子不整合度を
測定した。その結果、下クラッド層２１ではΔａ＝０．
１２％、活性層３ではΔａ＝０．０９％、上クラッド層
４１ではΔａ＝０．１０％であり、各層とも従来のもの
と比較して格子整合度は格段に向上していた。
定数を測定し、前述の式（６）に従って格子不整合度を
測定した。その結果、下クラッド層２１ではΔａ＝０．
１２％、活性層３ではΔａ＝０．０９％、上クラッド層
４１ではΔａ＝０．１０％であり、各層とも従来のもの
と比較して格子整合度は格段に向上していた。
【００４３】このようにして得たＬＥＤの特性を評価し
たところ、波長６２０ｎｍ、電流２０ｍＡでの初期輝度
は５１ｍｃｄであり、順方向電圧（ＶＦ）＝１．８３
Ｖ、１０００時間通電後の劣化試験結果では、通電後の
輝度は４０ｍｃｄであり、残存輝度は７８％と良好な値
を示した。結果をまとめて表５に示す。
たところ、波長６２０ｎｍ、電流２０ｍＡでの初期輝度
は５１ｍｃｄであり、順方向電圧（ＶＦ）＝１．８３
Ｖ、１０００時間通電後の劣化試験結果では、通電後の
輝度は４０ｍｃｄであり、残存輝度は７８％と良好な値
を示した。結果をまとめて表５に示す。
【００４４】（実施例５）実施例４で得られたエピタキ
シャルウエーハのｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の表面
に、実施例２と同様に厚さ０．５μｍのＳｅドープのｎ
型ＡｌＧａＩｎＰ層を載置した。Ａｌ混晶比は０．１５
であり、キャリア濃度は１×１０18ｃｍ-3であった。実
施例１と同様に、コンタクト層、電極を形成してＬＥＤ
となし、特性を評価した結果を表５に示す。
シャルウエーハのｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の表面
に、実施例２と同様に厚さ０．５μｍのＳｅドープのｎ
型ＡｌＧａＩｎＰ層を載置した。Ａｌ混晶比は０．１５
であり、キャリア濃度は１×１０18ｃｍ-3であった。実
施例１と同様に、コンタクト層、電極を形成してＬＥＤ
となし、特性を評価した結果を表５に示す。
【００４５】（実施例６）実施例５で得られたエピタキ
シャルウエーハの、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層の代りにＳｅ
ドープのｎ型ＧａＰ層を用いた以外は実施例５と全く同
様にしてＬＥＤを作成した。実施例１と同様に、コンタ
クト層、電極を形成してＬＥＤとなし、特性を評価した
結果を表５に示す。
シャルウエーハの、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層の代りにＳｅ
ドープのｎ型ＧａＰ層を用いた以外は実施例５と全く同
様にしてＬＥＤを作成した。実施例１と同様に、コンタ
クト層、電極を形成してＬＥＤとなし、特性を評価した
結果を表５に示す。
【００４６】
【発明の効果】ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の層厚を１μｍ
以下と大幅に薄くする事で、ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤの
耐湿性を改善できる。また通常半導体基板上のエピタキ
シャル成長膜の結晶性を向上させる目的でバッファー層
として設けられる、基板組成と同一組成のエピタキシャ
ル層、電極とのオーミック接触抵抗を低下させる目的で
用いられるＧａＡｓコンタクト層等の適用はなんら本発
明の効果を妨げるものではない。また化合物半導体基板
の面方位として(100) ジャスト面を使用したが、(100)
に対して傾きを持ったいわゆるオフ基板の使用も、なん
ら本発明の効果を妨げるものではない。
以下と大幅に薄くする事で、ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤの
耐湿性を改善できる。また通常半導体基板上のエピタキ
シャル成長膜の結晶性を向上させる目的でバッファー層
として設けられる、基板組成と同一組成のエピタキシャ
ル層、電極とのオーミック接触抵抗を低下させる目的で
用いられるＧａＡｓコンタクト層等の適用はなんら本発
明の効果を妨げるものではない。また化合物半導体基板
の面方位として(100) ジャスト面を使用したが、(100)
に対して傾きを持ったいわゆるオフ基板の使用も、なん
ら本発明の効果を妨げるものではない。
【図１】厚膜のｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層を具備し
た、従来のＬＥＤの断面構造を示す図。
た、従来のＬＥＤの断面構造を示す図。
【図２】ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の厚さと通電劣化の関
係を示す図。
係を示す図。
【図３】本発明の実施例１及び実施例４に係わるＬＥＤ
の断面構造を示す図。
の断面構造を示す図。
【図４】本発明の実施例２及び実施例５に係わるＬＥＤ
の断面構造を示す図。
の断面構造を示す図。
【図５】本発明の実施例３及び実施例６に係わるＬＥＤ
の断面構造を示す図。
の断面構造を示す図。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層 ３ ＡｌＧａＩｎＰ活性層 ４ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層 ５ ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層 ６ ｐ側電極 ７ ｎ側電極 ８ ｐ−反射層 ９ ｎ−ＧａＡｓコンタクト層 １１ ｐ−ＧａＡｓ基板 ２１ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層 ４１ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層 ５１ ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層 １０１ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ保護層 １０２ ｎ−ＧａＰ保護層
Claims (4)
- 【請求項１】 ｐ型ＧａＡｓ基板上に、半導体多層膜よ
りなる反射膜を介して、ＡｌＧａＩｎＰ活性層を挟むダ
ブルヘテロ構造を有し、基板に対向する該ダブルヘテロ
構造の上部に、導電型がｎ型であって、キャリア濃度が
１０17ｃｍ-3以上２×１０19ｃｍ-3以下で、かつその厚
さが１μｍ以下である発光に対し透明なＡｌＧａＡｓ電
流拡散層を具備した事を特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発光
素子用基板。 - 【請求項２】 ｐ型ＧａＡｓ基板上に、半導体多層膜よ
りなる反射膜を介して、ＡｌＧａＩｎＰ活性層を挟むダ
ブルヘテロ構造を有し、基板に対向する該ダブルヘテロ
構造の上部に、導電型がｎ型であって、キャリア濃度が
１０17ｃｍ-3以上２×１０19ｃｍ-3以下で、かつその厚
さが１μｍ以下である発光に対し透明なＡｌＧａＡｓ電
流拡散層を具備し、さらに該ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散
層の上に発光部からの発光波長に対し透明なＡｌＧａＩ
ｎＰ保護層を具備した事を特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発
光素子用基板。 - 【請求項３】 ｐ型ＧａＡｓ基板上に、半導体多層膜よ
りなる反射膜を介して、ＡｌＧａＩｎＰ活性層を挟むダ
ブルヘテロ構造を有し、基板に対向する該ダブルヘテロ
構造の上部に、導電型がｎ型であって、キャリア濃度が
１０17ｃｍ-3以上２×１０19ｃｍ-3以下で、かつその厚
さが１μｍ以下である発光に対し透明なＡｌＧａＡｓ電
流拡散層を具備し、さらに該ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散
層の上に発光部からの発光波長に対し透明なＧａＰ保護
層を具備した事を特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発光素子用
基板。 - 【請求項４】 ダブルヘテロ接合を構成する各層の、常
温におけるＧａＡｓ基板に対する格子不整合度が０．０
８５％以上０．１４０％未満であることを特徴とする請
求項１から請求項３に記載のＡｌＧａＩｎＰ発光素子用
基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7798097A JPH10223929A (ja) | 1996-12-05 | 1997-03-28 | ＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板 |
| US08/985,199 US5981976A (en) | 1996-12-05 | 1997-12-04 | Epitaxial wafer for AlGaInP light-emitting diode |
| DE19754042A DE19754042A1 (de) | 1996-12-05 | 1997-12-05 | Epitaxialwafer für lichtemittierende Diode aus AlGaInP und lichtemittierende Diode |
| GB9725892A GB2320136A (en) | 1996-12-05 | 1997-12-05 | Semiconductor light emitting devices |
| TW086118368A TW383509B (en) | 1996-12-05 | 1997-12-05 | Light-emitting diodes and epitaxial wafer applied to AlGaInP light-emitting diodes |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-325644 | 1996-12-05 | ||
| JP32564496 | 1996-12-05 | ||
| JP7798097A JPH10223929A (ja) | 1996-12-05 | 1997-03-28 | ＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223929A true JPH10223929A (ja) | 1998-08-21 |
| JPH10223929A5 JPH10223929A5 (ja) | 2004-11-25 |
Family
ID=26419037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7798097A Pending JPH10223929A (ja) | 1996-12-05 | 1997-03-28 | ＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5981976A (ja) |
| JP (1) | JPH10223929A (ja) |
| DE (1) | DE19754042A1 (ja) |
| GB (1) | GB2320136A (ja) |
| TW (1) | TW383509B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004288729A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| US7488989B2 (en) | 2003-06-10 | 2009-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element, its manufacturing method and semiconductor light emitting device |
| JP2014027310A (ja) * | 2013-11-01 | 2014-02-06 | Toshiba Corp | 発光素子 |
| KR20230026643A (ko) * | 2021-08-18 | 2023-02-27 | 한국과학기술원 | 효율 향상을 위한 측벽 패시베이션층을 갖는 마이크로 발광 다이오드 소자와 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 디스플레이 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3881470B2 (ja) * | 1999-01-05 | 2007-02-14 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
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| WO2002009187A2 (en) | 2000-07-24 | 2002-01-31 | Motorola, Inc. | Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same |
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| US6916717B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5981976A (en) | 1999-11-09 |
| GB9725892D0 (en) | 1998-02-04 |
| GB2320136A (en) | 1998-06-10 |
| DE19754042A1 (de) | 1998-06-10 |
| TW383509B (en) | 2000-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060525 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060613 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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