JPH1022571A

JPH1022571A - Ｔｅモード損失選択制御偏波変調半導体レーザ

Info

Publication number: JPH1022571A
Application number: JP19140396A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Sekiguchi; 芳信関口
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-07-02
Filing date: 1996-07-02
Publication date: 1998-01-23

Abstract

(57)【要約】【課題】ＴＥモードの損失を選択的に制御することによ
り、損失制御部のＴＥ損失が大きい状態では確実にＴＭ
モード発振が起こり、ＴＥ損失が小さい状態では確実に
ＴＥモード発振が起こる様にする作製容易で歩留まりの
良い偏波変調レーザ装置である。【解決手段】導波路１３の端面１４におけるＴＥ偏波と
ＴＭ偏波の端面反射率が異なることを利用する。端面１
４近傍に電気的に絶縁された電極１０を設け、注入電流
または電圧印加で導波光のＴＥモード損失を選択的に制
御する。この導波光の損失制御により、端面１４で反射
されるＴＥ偏波の光量を変化させ、レーザ発振光の偏波
をスイッチングさせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信において使
用される高速変調時でも波長チャーピングの小さい半導
体レーザ等の半導体装置に関しており、特に、注入電流
或は電界印加によりレーザ発振のＴＥ偏波とＴＭ偏波が
スイッチングする偏波変調レーザ、それを用いた通信シ
ステム等に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザ発振の偏光状態をＴＥ偏波
とＴＭ偏波の間で切り換え可能な半導体レーザとして、
特開昭６２−４２５９３号明細書及び特開平２−１５９
７８１号明細書等に記載されているものがある。

【０００３】特開平２−１５９７８１号明細書に記載さ
れている半導体レーザの構成を図７に示す。同図の半導
体レーザは、λ／４シフトを有する分布帰還型半導体レ
ーザであり、λ／４シフトがある部分とそれ以外の部分
とに別々に電流注入を行える電極構造となっている。

【０００４】図７において、１１１０はｎ−ＩｎＰ基
板、１１１２は１次の回折格子、１１１４は光導波路
層、１１１６はアンドープＩｎＧａＡｓ活性層（バンド
ギャップ波長１．５５μｍ、厚さ０．１μｍ）、１１１
８はｐ−ＧａＩｎＡｓＰアンチメルトバック層、１１１
９はｐ−ＩｎＰクラッド層、１１２０はｐ⁺−ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層、１１２２はｐ−ＩｎＰ層、１１２３
はｎ−ＩｎＰ層、１１２４はアンドープＧａＩｎＡｓＰ
キャップ層、１１２６、１１２８は電極、１１２７はλ
／４シフト部分を含む領域へ電流を注入するための電
極、１１２９は反射防止膜である。

【０００５】図８を用いて、図７に示した分布帰還型半
導体レーザの動作を説明する。図８（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）はαＬ（モードゲインαと共振器長Ｌとの積）と
波長（ブラッグ波長からのずれ）との関係をＴＥモード
とＴＭモードについて示してある。図８（ａ）では、共
振器中央部へ電極１１２７を用いて電流を注入し、ＴＭ
モードで３λ／４条件であるが、ＴＥモードでは３λ／
４条件から離れた量となるように調整してある（各モー
ドは○印で示してある）。この状態では、ＴＭモードに
対する必要なゲインが小さくなるためＴＭ光が発振す
る。この状態から電極１１２７へ注入する電流量を変化
させ上記シフト量を変化させると、ＴＭモードのしきい
値は増加し、ＴＥモードのしきい値は減少する。よっ
て、図８（ｂ）のように、両モードでほぼしきい値が一
致した状態を経て、図８（ｃ）のようにＴＥモードのし
きい値の方が小さくなる状態となり、ＴＥ光が発振す
る。

【０００６】以上のように電極１１２７へ注入する電流
量を変化させることにより、出力光の偏光方向をＴＥと
ＴＭの間で切り換えることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では位相シフト量を調整して発振光の偏光をＴＥと
ＴＭの間で選択するために、各偏光状態に対する波長と
αＬの関係（図８の破線）が、位相シフト量を調整して
偏光を切り換えられる範囲内でなければならず、素子作
製上、導波路の幅や厚さと回折格子のブラッグ波長を精
度よく合わせなければならなかった。

【０００８】よって、本発明の目的は、上記課題に鑑
み、ＴＥモードの損失を選択的に制御することにより、
損失制御部のＴＥ損失が大きい状態では確実にＴＭモー
ドで発振し、ＴＥ損失が小さい状態では確実にＴＥモー
ドで発振し、しかも、素子作製が容易で歩留まりの良い
偏波変調レーザ、それを用いた通信システム等を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為の
本発明の構成を、各請求項に対応して以下に述べる。

【００１０】本発明の第１の構成（請求項１に対応）で
は、導波路端面におけるＴＥ偏波とＴＭ偏波の端面反射
率が異なることを利用して、端面近傍に電気的に絶縁さ
れた電極を設け、注入電流または電圧印加で導波光のＴ
Ｅモード損失を選択的に制御する。この導波光の損失制
御により、端面で反射されるＴＥ偏波の光量を変化さ
せ、レーザ発振光の偏波をスイッチングさせるものであ
る。即ち、半導体レーザ構造の共振器方向の端面近傍に
電気的に分離されている電極が設けられ、該電極への電
流注入又は電界印加により、導波光のＴＥモードの損失
を選択的に制御する損失制御部が設けられ、該損失制御
部を制御することにより、レーザ発振光の偏光状態をＴ
Ｅ、ＴＭ間でスイッチングさせることを特徴とする偏波
変調半導体レーザである。

【００１１】本発明の第２の構成（請求項２に対応）で
は、損失制御部の導波路を、無歪の多重量子井戸、また
は圧縮歪が導入された多重量子井戸で構成することによ
り、導波光のＴＥモード損失を選択的に制御するもので
ある。

【００１２】本発明の第３の構成（請求項３に対応）で
は、ＤＢＲ領域（またはＤＦＢ領域）の端面近傍に設け
られた電気的に絶縁された電極への電流注入または電圧
印加で導波光のＴＥモード損失を制御する。この導波光
の損失制御により、端面で反射されるＴＥ偏波の光量を
増加させることで、回折格子によるブラッグ反射光（ま
たは帰還光）と合わせた反射光のＴＥ偏波の割合が増加
し、ＤＢＲ（ＤＦＢ）モードのレーザ発振をＴＭからＴ
Ｅヘスイッチングさせる。即ち、前記半導体レーザ構造
が、分布帰還又は分布ブラッグ反射型半導体レーザであ
り、前記損失制御部の導波損失を制御するための電極
が、分布帰還部又は分布ブラッグ反射部の端面近傍に形
成されていることを特徴とする偏波変調半導体レーザで
ある。

【００１３】本発明の第４の構成（請求項４に対応）で
は、端面に誘電体多層膜で高反射面を形成しＴＥモード
の反射光量を増大させるものである。即ち、前記損失制
御部の端面に高反射コーティングを施し、端面反射率を
増大させたことを特徴とする偏波変調半導体レーザであ
る。

【００１４】本発明の第５の構成（請求項５に対応）で
は、端面反射の寄与がない状態で、ＴＭ発振を確実に生
じさせるためのものである。即ち、半導体レーザ構造の
活性層に引つ張り歪を導入することにより、利得のＴＥ
成分とＴＭ成分がほぼ等しいか、ＴＭ成分がＴＥ成分よ
り大きい様に設定されていることを特徴とする偏波変調
半導体レーザである。

【００１５】本発明の第６、７の構成（請求項６、７に
対応）では、注入電流による位相及び利得の制御を端面
付近の損失制御と同期させることにより、ＴＥ／ＴＭス
イッチングを確実に行なわせるものである。即ち、半導
体レーザ構造の他の少なくとも１つの電極への変調電流
と損失制御部への変調電流注入または電圧印加を同期さ
せて偏波スイッチングを行なう様に構成されていること
を特徴とする偏波変調半導体レーザである。また、ＴＭ
利得が優勢な活性領域とＴＥ利得が優勢な活性領域が夫
々独立な電極を有しており、ＴＥ利得活性領域への変調
電流注入と損失制御部への変調電流注入または電圧印加
を同期させて偏波スイッチングを行なう様に構成されて
いることを特徴とする偏波変調半導体レーザである。

【００１６】更に、本発明の第８の構成（請求項８に対
応）は、上記の偏波変調半導体レーザと、半導体レーザ
から出射する光の内、前記２つの偏波モードの一方の発
振による光のみを取り出す偏光子などの偏光選択手段と
から成ることを特徴とする光源装置である。これによ
り、高速変調時でもチャーピングの少ない強度変調信号
が得られる。

【００１７】本発明の第９の構成（請求項９に対応）
は、上記の偏波変調半導体レーザと、半導体レーザから
出射する光の内、前記２つの偏波モードの一方の発振に
よる光のみを取り出す偏光子などの偏光選択手段とから
成る光源装置を備えた光送信機、前記偏光選択手段によ
って取り出された光を伝送する伝送手段、及び伝送手段
によって伝送された光を受信する光受信機から成ること
を特徴とする光通信システムである。

【００１８】本発明の第１０の構成（請求項１０に対
応）は、上記の偏波変調半導体レーザと、半導体レーザ
から出射する光の内、前記２つの偏波モードの一方の発
振による光のみを取り出す偏光子などの偏光選択手段と
から成る光源装置を用い、所定のバイアス電流に送信信
号に応じて変調された電流または所定のバイアス電圧に
送信信号に応じて変調された電圧を重畳して半導体レー
ザに供給することによって、偏光選択手段から送信信号
に応じて強度変調された信号光を取り出し、この信号光
を光受信機に向けて送信することを特徴とする光通信方
法である。

【００１９】

【発明の実施の形態】

第１実施例図１は、本発明によるチューナブルＤＢＲ構造を用いた
偏波変調レーザの第１実施例の部分断面を含む斜視図で
ある。同図において、１は下部共通電極、２はｎ−Ｉｎ
Ｐ基板及びｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、３は高抵抗Ｉｎ
Ｐ埋込み層、４は活性層となるバンド端波長略１．５５
μｍのＩｎＧａＡｓＰ層、５はｐ−ＩｎＰ上部クラッド
層、６はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、７は活性領域
（最も左側の領域）に電流を注入するための電極、８は
位相調整領域の電極、９はＤＢＲ領域の電極、１０は本
発明の特徴である吸収領城（最も右側の領域）の電極、
１１は光導波層となるバンド端波長略１．４５μｍのＩ
ｎＧａＡｓＰ層、１２は光導波層に形成されたピッチ略
２４０ｎｍの回折格子、１３は導波光のＴＥモード選択
吸収層となる圧縮歪ＩｎＧａＡｓと無歪ＩｎＧａＡｓＰ
で構成されるバンド端波長略１．６０μｍの多重量子井
戸層、１４は端面に誘電体多層膜で形成された高反射膜
である。また、電極９のＤＢＲ領域は、ブラッグ反射器
として有効な長さ（有効ＤＢＲ長）より短く設定されて
いる。

【００２０】上記構成において、電極１０の吸収領域へ
の電流注入量を、吸収層１３の吸収損失が大きい状態に
設定し、電極７の活性領域および電極８の位相調整領域
へしきい電流値以上の電流を注入すると、吸収層１３で
ＴＥモードが選択的に吸収されることにより、回折格子
１２のブラッグ波長付近でＴＭモードのレーザ発振を生
じる。

【００２１】次に、吸収領域の電極１０に電流を注入す
ると、吸収層１３の吸収が減少し、導波光は反射膜１４
が形成された高反射端面まで到達するので、活性層４へ
のブラッグ波長の反射率は、電極９のＤＢＲ領域の反射
率に高反射端面の反射率を加えた値となる。この時、Ｄ
ＢＲ領域のＴＥ、ＴＭモードの反射率はほは同じである
が、高反射端面の反射率は、吸収層１３の厚さが略０．
５μｍ、幅が略２μｍであるため、ＴＥモードの反射率
が高くなる。したがって、全体として活性層４へ反射さ
れる光量はＴＥモードの割合が高くなるので、レーザ発
振はＴＭモードがらＴＥモードヘ偏波がスイッチングす
る。

【００２２】この際、電極１０のＴＥ／ＴＭの吸収制御
部への電流注入に同期して、電極８の位相調整領域への
電流注入によって調整される位相条件を、ＴＭ発振の最
適条件からＴＥ発振の最適条件へ変化させることによ
り、単一モード性に優れた偏波スイッチングが可能であ
る。

【００２３】また、ＤＢＲ領域の電極９への電流注入量
を制御することで、発振波長をチューニングすることが
できる。

【００２４】本実施例では、活性層４としてバンド端波
長略１．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰを使用することによ
り、ＴＥとＴＭの利得をほぼ等しくして、電極１０の吸
収制御部に損失を持たせた状態で、ＴＭ発振を実現し
た。しかし、活性層４として引っ張り歪みを導入した量
子井戸構造を使用することにより、ＴＭの利得をＴＥの
利得より大きくし、前記吸収損失を持たせた状態でＴＭ
モード発振を確実に生じさせることができる。

【００２５】更に、吸収層１３のバンド端波長を略１．
５０μｍとして、電界印加による吸収端シフト（Ｑｕａ
ｎｔｕｍＣｏｎｆｉｎｅｄＳｔａｒｋＥｆｆｅｃ
ｔ）を利用すれば（電界を印加した時、吸収層１３のバ
ンド端波長が長くなりＴＥモード光が吸収されるのでＴ
Ｍモードで発振し、電界を印加しない時にはＴＥモード
で発振する）、高速の偏波スイッチングが可能となる。

【００２６】第２実施例図２は、本発明によるチューナブルＤＦＢ構造を用いた
偏波変調レーザの第２実施例の共振器方向の断面図であ
る。図２において、図１と同じ機能部は同一番号を付し
た。図２において、１は下部共通電極、２はｎ−ＩｎＰ
基板及びｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、４は活性層となる
バンド端波長略１．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰ層、５は
ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層、６はｐ−ＩｎＧａＡｓコン
タクト層、２０１、２０３は電流を注入するための電
極、２０２はλ／４位相シフト２１２を含む領域へ電流
を注入するための電極、１０は本発明の特徴である吸収
領城の電極、１１は光導波層となるバンド端波長略１．
１５μｍのＩｎＧａＡｓＰ層、１２は光導波層に形成さ
れたビッチ略２４０ｎｍの回折格子、２１２は回折格子
２１のλ／４位相シフト部、１３は導波光のＴＥモード
選択吸収層となる圧縮歪ＩｎＧａＡｓと無歪ＩｎＧａＡ
ｓＰで構成されるバンド端波長略１．６０μｍの多重量
子井戸層、１４は誘電体多層膜で形成された高反射膜、
２１５は誘電体多層膜で形成された低反射膜である。

【００２７】動作は第１実施例と実質的に同じで、吸収
層１３の吸収損失が大きい状態で、電極２０１、２０３
および２０２にしきい電流値以上の電流を注入し、回折
格子１２のブラッグ波長付近でＴＭモードのレーザ発振
を生じさせる。

【００２８】次に、吸収領域の電極１０に電流注入また
は電界印加により、吸収層１３の吸収を減少させ、ＤＦ
Ｂの帰還光に、端面からの反射率の高いＴＥ成分が上乗
せされ、ＴＥモードが優位となってレーザ発振がＴＭモ
ードからＴＥモードにスイッチングする。

【００２９】第３実施例図３は、チューナブルＤＢＲ構造を用いた偏波変調レー
ザの第３の実施例の共振器方向の断面図である。図３に
おいて、図１と同じ機能部は同一番号を付した。第１実
施例との違いは、活性領域が独立な２電極７１、７２で
構成されており、電流注入によって活性層４１はＴＭ利
得がＴＥ利得より大きく、活性層４２はＴＥ利得がＴＭ
利得より大きくなるように形成されている。

【００３０】このような状態は、活性層４１、４２の積
層方向に引っ張り歪と圧縮歪を導入し、注入電流でＴＥ
とＴＭの利得の大小関係が逆転する構成や、活性層４１
のウェル層に引っ張り歪、活性層４２のウェル層に圧縮
歪を導入する構成で実現できる。

【００３１】動作は、吸収層１３に吸収損失が存在する
ように吸収領域の電極１０に電流注入または電界印加し
た状態で、電極７１、７２、８および９に電流を注入
し、回折格子１２のブラッグ波長付近でＴＭモードのレ
ーザ発振を生じさせる。本構造では、ＴＭ利得領城とＴ
Ｅ利得領域が独立の電極７１、７２を有しているので、
それぞれの電極への電流を調整することにより、ＴＭモ
ードの発振を確実に達成できる。

【００３２】次に、吸収領域の電極１０のバイアスを変
化させて吸収層１３の吸収損失を減少させると同時に、
電極７２のＴＥ利得領域への注入電流を増加させるか、
または、電極７１のＴＭ利得領域への注入電流を減少さ
せることにより、ＴＥモードの反射光（電極９のＤＢＲ
領域のブラッグ反射と誘電体多層膜１４の端面反射の
和）の増大とＴＥ利得の増大により、レーザ発振がＴＭ
モードからＴＥモードにスイッチングする。この際、Ｔ
ＭモードとＴＥモードの位相の違いを調整するために、
位相調整領域の電極８のバイアス条件を同時に変化させ
ることは、安定なＴＭ／ＴＥスイッチングに有効であ
る。

【００３３】第４実施例図４に、本発明による半導体レーザを波長多重光ＬＡＮ
システムに応用する場合の各端末に接続される光−電気
変換部（ノード）の構成例を示し、図５、図６にそのノ
ード５０１を用いた光ＬＡＮシステムの構成例を示す。

【００３４】外部に接続された光ファイバ５００を媒体
として光信号がノード５０１に取り込まれ、分岐部５０
２によりその一部が波長可変光フィルタ等を備えた受信
装置５０３に入射する。この受信装置５０３により所望
の波長の光信号だけ取り出して信号検波を行う。一方、
ノード５０１から光信号を送信する場合には、上記実施
例の半導体レーザ装置５０４を信号に従って制御回路で
適当な方法で駆動し、偏波変調して、偏光板５０７（こ
れにより偏波変調信号が振幅強度変調信号に変換され
る）を通して（更にアイソレータを入れてもよい）出力
光を合流部５０６を介して光伝送路５００に入射せしめ
る。また、半導体レーザ及び波長可変光フィルタを２つ
以上の複数設けて、波長可変範囲を広げることもでき
る。

【００３５】光ＬＡＮシステムのネットワークとして、
図５に示すものはバス型であり、ＡおよびＢの方向にノ
ード８０１〜８０５を接続しネットワーク化された多数
の端末及びセンタ８１１〜８１５を設置することができ
る。ただし、多数のノードを接続するためには、光の減
衰を補償するために光増幅器を伝送路８００上に直列に
配することが必要となる。また、各端末８１１〜８１５
にノード８０１〜８０５を２つ接続し伝送路を２本にす
ることでＤＱＤＢ方式による双方向の伝送が可能とな
る。また、ネットワークの方式として、図５のＡとＢを
つなげたループ型（図６に示す）やスター型あるいはそ
れらを複合した形態等のものでも良い。

【００３６】図６において、９００は光伝送路、９０１
〜９０６は光ノード、９１１〜９１４は端末である。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の各構成に
より以下の様な効果が奏される。

【００３８】請求項１の構成では、端面近傍に電気的に
絶縁された電極を設け、注入電流或は電圧印加で導波光
のＴＥモード損失を選択的に制御することにより、レー
ザ発振光の偏波スイッチングを安定的に可能にしてい
る。

【００３９】請求項２の構成では、損失制御部の導波路
を、無歪の多重量子井戸又は圧縮歪が導入された多重量
子井戸で構成することにより、導波光のＴＥモード損失
を選択的に確実に制御可能にしている。

【００４０】請求項３の構成では、ＤＢＲ領域（または
ＤＦＢ領域）の端面近傍の損失制御部により導波光のＴ
Ｅ損失制御を行い、回折格子によるブラッグ反射光（ま
たは帰還光）と合わせた反射光のＴＥ偏波の割合を増加
させ、ＤＢＲ（ＤＦＢ）モードのレーザ発振の偏波をＴ
ＭからＴＥモードに確実にスイッチング可能にしてい
る。

【００４１】請求項４の構成では、端面に誘電体多層膜
で高反射面を形成しＴＥモードの反射光量を増大させ、
ＴＥモードヘのスイッチングを容易にした。

【００４２】請求項５の構成では、端面反射の寄与がな
い状態で、ＴＭモード発振を確実に生じさせることを可
能にしている。

【００４３】請求項６、７の構成では、注入電流による
位相及び利得の制御を端面付近の損失制御と同期させる
ことにより、ＴＥ／ＴＭスイッチングを確実に実現する
ものである。

【００４４】また、請求項８の構成により、上記の偏波
変調半導体レーザと偏光選択手段を用いて、強度変調信
号を扱う通信システムに適したチャーピングの小さい光
源装置を容易に実現できる。

【００４５】また、請求項９の構成により、上記の光源
装置を備えた光送信機、伝送手段、及び伝送手段によっ
て伝送された光を受信する光受信機から成る強度変調信
号を扱う高性能の光通信システムを実現できる。

【００４６】また、請求項１０の構成により、上記の光
源装置を用い、送信信号に応じて前記半導体レーザを制
御することによって、前記偏光選択手段から送信信号に
応じて強度変調された信号光を取り出し、この信号光を
光受信機に向けて送信する光通信方法が確実に達成され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の第１実施例の部分断面を含む
斜視図である。

【図２】図２は、本発明の第２実施例の断面図である。

【図３】図３は、本発明の第３実施例の断面図である。

【図４】図４は図５、図６のシステムにおけるノードの
構成例を示す模式図である。

【図５】図５は本発明の半導体レーザを用いたバス型光
ＬＡＮシステムの構成例を示す模式図である。

【図６】図６は本発明の半導体レーザを用いたループ型
光ＬＡＮシステムの構成例を示す模式図である。

【図７】図７は、従来例の断面図である。

【図８】図８は、従来例の位相制御によるＴＭ／ＴＥ変
調動作を説明するための模式図である。

【符号の説明】１下部共通電極２ＩｎＰ基板及びＩｎＰ下部クラッド層３高抵抗ＩｎＰ埋込み層４ＴＥ／ＴＭ両者に利得を有する活性層５ＩｎＰ上部クラッド層６ＩｎＧａＡｓコンタクト層７活性領域用電極８，２０２位相調整領域用電極９ＤＢＲ領域用電極１０吸収領域用電極１１導波層１２一次回折格子１３吸収層１４誘電体多層膜の高反射層４１ＴＭ利得が優位な活性層４２ＴＥ利得が優位な活性層７１ＴＭ利得が優位な活性層への電流注入用電極７２ＴＥ利得が優位な活性層への電流注入用電極２０１，２０３ＤＦＢ領域用電極２１５誘電体多層膜の低反射層２１２ λ／４シフト部５００，８００，９００光伝送路５０１，８０１〜８０５，９０１〜９０６ノード５０２光分岐部５０３受信装置５０４本発明の半導体レーザ５０６合流部５０７偏光子８１１〜８１５，９１１〜９１６端末

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザ構造の共振器方向の端面近傍
に電気的に分離されている電極が設けられ、該電極への
電流注入又は電界印加により、導波光のＴＥモードの損
失を選択的に制御する損失制御部が設けられ、該損失制
御部を制御することにより、レーザ発振光の偏光状態を
ＴＥ、ＴＭ間でスイッチングさせることを特徴とする偏
波変調半導体レーザ。
【請求項２】前記ＴＥモードの損失制御部の導波路が、
無歪の多重量子井戸又は圧縮歪が導入された多重量子井
戸で構成されていることを特徴とする請求項１記載の偏
波変調半導体レーザ。
【請求項３】前記半導体レーザ構造が、分布帰還又は分
布ブラッグ反射型半導体レーザであり、前記損失制御部
の導波損失を制御するための電極が、分布帰還部又は分
布ブラッグ反射部の端面近傍に形成されていることを特
徴とする請求項１または２記載の偏波変調半導体レー
ザ。
【請求項４】前記損失制御部の端面に高反射コーティン
グを施し、端面反射率を増大させたことを特徴とする請
求項１、２または３記載の偏波変調半導体レーザ。
【請求項５】半導体レーザ構造の活性層に引つ張り歪を
導入することにより、利得のＴＥ成分とＴＭ成分がほぼ
等しいか、ＴＭ成分がＴＥ成分より大きい様に設定され
ていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載
の偏波変調半導体レーザ。
【請求項６】半導体レーザ構造の他の少なくとも１つの
電極への変調電流と損失制御部への変調電流注入または
電圧印加を同期させて偏波スイッチングを行なう様に構
成されていることを特徴とする請求項請求項１乃至５の
何れかに記載の偏波変調半導体レーザ。
【請求項７】ＴＭ利得が優勢な活性領域とＴＥ利得が優
勢な活性領域が夫々独立な電極を有しており、ＴＥ利得
活性領域への変調電流注入と損失制御部への変調電流注
入または電圧印加を同期させて偏波スイッチングを行な
う様に構成されていることを特徴とする請求項１乃至４
の何れかに記載の偏波変調半導体レーザ。
【請求項８】請求項１乃至７の何れかに記載の偏波変調
半導体レーザと、該半導体レーザから出射する光の内、
前記２つの偏波モードの一方の発振による光のみを取り
出す偏光子などの偏光選択手段とから成ることを特徴と
する光源装置。
【請求項９】請求項１乃至７の何れかに記載の偏波変調
半導体レーザと、該半導体レーザから出射する光の内、
前記２つの偏波モードの一方の発振による光のみを取り
出す偏光子などの偏光選択手段とから成る光源装置を備
えた光送信機、前記偏光選択手段によって取り出された
光を伝送する伝送手段、及び前記伝送手段によって伝送
された光を受信する光受信機から成ることを特徴とする
光通信システム。
【請求項１０】請求項１乃至７の何れかに記載の偏波変
調半導体レーザと、該半導体レーザから出射する光の
内、前記２つの偏波モードの一方の発振による光のみを
取り出す偏光子などの偏光選択手段とから成る光源装置
を用い、所定のバイアス電流に送信信号に応じて変調さ
れた電流または所定のバイアス電圧に送信信号に応じて
変調された電圧を重畳して前記半導体レーザに供給する
ことによって、前記偏光選択手段から送信信号に応じて
強度変調された信号光を取り出し、この信号光を光受信
機に向けて送信することを特徴とする光通信方法。