JPH10227938A - ファイバグレーティング接続方法及びその内蔵コネクタ - Google Patents
ファイバグレーティング接続方法及びその内蔵コネクタInfo
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- JPH10227938A JPH10227938A JP9032194A JP3219497A JPH10227938A JP H10227938 A JPH10227938 A JP H10227938A JP 9032194 A JP9032194 A JP 9032194A JP 3219497 A JP3219497 A JP 3219497A JP H10227938 A JPH10227938 A JP H10227938A
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- fiber
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ファイバグレーティングが書込まれた光ファイ
バと通常の光ファイバとを接続する場合に接続損失を抑
制する。 【解決手段】光ファイバ1とファイバグレーティング2
を書込んだ光ファイバ3とを接続するにあたり、ファイ
バグレーティング2が書込まれた部分4と光ファイバ1
との接続面5との間にファイバグレーティング2が書込
まれていない部分6を介在させる。この接続はファイバ
グレーティング2が書込まれた光ファイバを内蔵したコ
ネクタ7を使用して行なう。
バと通常の光ファイバとを接続する場合に接続損失を抑
制する。 【解決手段】光ファイバ1とファイバグレーティング2
を書込んだ光ファイバ3とを接続するにあたり、ファイ
バグレーティング2が書込まれた部分4と光ファイバ1
との接続面5との間にファイバグレーティング2が書込
まれていない部分6を介在させる。この接続はファイバ
グレーティング2が書込まれた光ファイバを内蔵したコ
ネクタ7を使用して行なう。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はファイバグレーティ
ング接続方法及びその内蔵コネクタに関し、特に、ファ
イバグレーティングが書き込まれた光ファイバと通常の
光ファイバとを接続する場合に接続損失を抑制できるフ
ァイバグレーティング接続方法及びその内蔵コネクタに
係わる。
ング接続方法及びその内蔵コネクタに関し、特に、ファ
イバグレーティングが書き込まれた光ファイバと通常の
光ファイバとを接続する場合に接続損失を抑制できるフ
ァイバグレーティング接続方法及びその内蔵コネクタに
係わる。
【0002】
【従来の技術】従来から、光照射により光ファイバのコ
ア内に周期的屈折率変化を起こし、回折格子を形成した
ファイバグレーティングが知られている。ファイバグレ
ーティングは、或る任意の波長のみを反射するフイルタ
として用いることができ、また波長多重通信における光
分岐結合器の波長制御素子や、例えば歪センサのような
センサ素子として応用される。
ア内に周期的屈折率変化を起こし、回折格子を形成した
ファイバグレーティングが知られている。ファイバグレ
ーティングは、或る任意の波長のみを反射するフイルタ
として用いることができ、また波長多重通信における光
分岐結合器の波長制御素子や、例えば歪センサのような
センサ素子として応用される。
【0003】このファイバグレーティングの製法の例と
しては、光誘起屈折率変化を利用し、Geドープされた
コアを有する光ファイバ中に周期的な屈折率変化を生起
させてファイバグレーティングを作成する技法が米国特
許第4,474,427号によって知られている。この技術にお
いては、光ファイバ中を前方に伝搬する光と後方に伝搬
する光との干渉を利用して、書き込み光とほぼ等しい波
長の光を反射するファイバグレーティングを作製する。
しては、光誘起屈折率変化を利用し、Geドープされた
コアを有する光ファイバ中に周期的な屈折率変化を生起
させてファイバグレーティングを作成する技法が米国特
許第4,474,427号によって知られている。この技術にお
いては、光ファイバ中を前方に伝搬する光と後方に伝搬
する光との干渉を利用して、書き込み光とほぼ等しい波
長の光を反射するファイバグレーティングを作製する。
【0004】その後、この技術の改良が米国特許第4,80
7,950号によって開示されている。この改良技術におい
ては、可干渉な2つの紫外光ビームの干渉を利用し、こ
の2つのビームの間の角度を変えることによって任意の
周期を持つファイバグレーティングを作製することがで
きる。また、位相マスクを介して紫外光を照射してファ
イバグレーティングを製造する技術が米国特許第5,367,
588号によって開示されている。
7,950号によって開示されている。この改良技術におい
ては、可干渉な2つの紫外光ビームの干渉を利用し、こ
の2つのビームの間の角度を変えることによって任意の
周期を持つファイバグレーティングを作製することがで
きる。また、位相マスクを介して紫外光を照射してファ
イバグレーティングを製造する技術が米国特許第5,367,
588号によって開示されている。
【0005】このファイバグレーティングをコネクタに
内蔵した例としては、富山氏らの電子情報通信学会総合
大会、SB-11-8、1996に開示されている。この例では、
広帯域ファイバグレーティングを内蔵したコネクタを有
するケーブルを作製している。
内蔵した例としては、富山氏らの電子情報通信学会総合
大会、SB-11-8、1996に開示されている。この例では、
広帯域ファイバグレーティングを内蔵したコネクタを有
するケーブルを作製している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】これらのファイバグレ
ーティングは、紫外光による屈折率変化を利用して作製
されるために、ファイバグレーティング部でのモードフ
ィールド径が通常の光ファイバのそれより小さくなる。
このため、ファイバグレーティングをコネクタに内蔵す
る場合、コネクタ端面にファイバグレーティング部が顕
在するか、またはファイバグレーティング部がコネクタ
端面に極めて近接した状態で配置されたときは、ファイ
バグレーティング内蔵コネクタと通常のコネクタを接続
する際、モードフィールド径のミスマッチによる接続損
失が発生する。
ーティングは、紫外光による屈折率変化を利用して作製
されるために、ファイバグレーティング部でのモードフ
ィールド径が通常の光ファイバのそれより小さくなる。
このため、ファイバグレーティングをコネクタに内蔵す
る場合、コネクタ端面にファイバグレーティング部が顕
在するか、またはファイバグレーティング部がコネクタ
端面に極めて近接した状態で配置されたときは、ファイ
バグレーティング内蔵コネクタと通常のコネクタを接続
する際、モードフィールド径のミスマッチによる接続損
失が発生する。
【0007】このモードフィールド径のミスマッチを抑
制するためには、光ファイバのクラッド部分にもコアと
同量のGeを含ませる必要がある。また、そのクラッド
にはFのような屈折率を下げるドーパントが必要とな
る。このような方法は製造プロセスが複雑になって歩留
りの低下となり、コストアップの要因となってしまう。
したがって、本発明は、これらの課題を解決するためな
されたもので、モードフィールド径のミスマッチによる
接続損失を抑制するファイバグレーティング接続方法及
びその内蔵コネクタを提供することを目的とする。
制するためには、光ファイバのクラッド部分にもコアと
同量のGeを含ませる必要がある。また、そのクラッド
にはFのような屈折率を下げるドーパントが必要とな
る。このような方法は製造プロセスが複雑になって歩留
りの低下となり、コストアップの要因となってしまう。
したがって、本発明は、これらの課題を解決するためな
されたもので、モードフィールド径のミスマッチによる
接続損失を抑制するファイバグレーティング接続方法及
びその内蔵コネクタを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ため、本発明のファイバグレーティング内蔵コネクタ接
続方法は、光ファイバとファイバグレーティングを書き
込んだ光ファイバとを接続するにあたり、ファイバグレ
ーティングが書き込まれた部分と光ファイバとの接続面
との間にファイバグレーティングが書き込まれていない
部分を介在させることからなる。
ため、本発明のファイバグレーティング内蔵コネクタ接
続方法は、光ファイバとファイバグレーティングを書き
込んだ光ファイバとを接続するにあたり、ファイバグレ
ーティングが書き込まれた部分と光ファイバとの接続面
との間にファイバグレーティングが書き込まれていない
部分を介在させることからなる。
【0009】接続は、ファイバグレーティングを書き込
んだ光ファイバを内蔵したコネクタを使用して行なわれ
る。また接続は、ファイバグレーティング部分をプラグ
とアダプタの間に内蔵したコネクタを使用して行なって
もよい。接続は、ファイバグレーティング部分をプラグ
とプラグの間に内蔵したコネクタを使用して行なっても
よい。接続は、ファイバグレーティング部分をアダプタ
とアダプタの間に内蔵したコネクタを使用して行なうこ
とができる。接続は、メカニカルスプライスで行なうこ
ともできる。接続は、融着接続で行なうこともできる。
んだ光ファイバを内蔵したコネクタを使用して行なわれ
る。また接続は、ファイバグレーティング部分をプラグ
とアダプタの間に内蔵したコネクタを使用して行なって
もよい。接続は、ファイバグレーティング部分をプラグ
とプラグの間に内蔵したコネクタを使用して行なっても
よい。接続は、ファイバグレーティング部分をアダプタ
とアダプタの間に内蔵したコネクタを使用して行なうこ
とができる。接続は、メカニカルスプライスで行なうこ
ともできる。接続は、融着接続で行なうこともできる。
【0010】ファイバグレーティングが書き込まれた部
分と光ファイバとの接続面との間にファイバグレーティ
ングが書き込まれていない部分を1mm以上介在させる
ことが好ましい。なお、ファイバグレーティングが書き
込まれた光ファイバは、シングルモードである。光ファ
イバは、コアに感光性の材料を使用し、コアとクラッド
の感光性による屈折率変化量が異なるものである。
分と光ファイバとの接続面との間にファイバグレーティ
ングが書き込まれていない部分を1mm以上介在させる
ことが好ましい。なお、ファイバグレーティングが書き
込まれた光ファイバは、シングルモードである。光ファ
イバは、コアに感光性の材料を使用し、コアとクラッド
の感光性による屈折率変化量が異なるものである。
【0011】また、本発明のファイバグレーティング内
蔵コネクタは、光ファイバとファイバグレーティングを
書き込んだ光ファイバとを接続するコネクタであって、
ファイバグレーティングが書き込まれた部分と光ファイ
バとの接続面との間にファイバグレーティングが書き込
まれていない部分を介在したものである。コネクタは、
光ファイバケーブルの終端に位置することができる。
蔵コネクタは、光ファイバとファイバグレーティングを
書き込んだ光ファイバとを接続するコネクタであって、
ファイバグレーティングが書き込まれた部分と光ファイ
バとの接続面との間にファイバグレーティングが書き込
まれていない部分を介在したものである。コネクタは、
光ファイバケーブルの終端に位置することができる。
【0012】
【作用】このように構成される本発明のファイバグレー
ティング接続方法及びその内蔵コネクタによれば、ファ
イバグレーティングが書き込まれた部分と通常の光ファ
イバとを接続する場合に接続損失を抑制できる。
ティング接続方法及びその内蔵コネクタによれば、ファ
イバグレーティングが書き込まれた部分と通常の光ファ
イバとを接続する場合に接続損失を抑制できる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるファイバグレ
ーティング接続方法及びその内蔵コネクタの好ましい実
施の形態例を図面に基づき説明する。図1において、本
発明のファイバグレーティング接続方法及びその内蔵コ
ネクタは、コア1aとクラッド1bを有する通常の光フ
ァイバ1とファイバグレーティング2を書き込んだコア
3aとクラッド3bを有する光ファイバ3とを接続する
にあたり、ファイバグレーティング2が書き込まれた部
分4と光ファイバ1との接続面5との間にファイバグレ
ーティングが書き込まれていない部分6を介在させるこ
とからなる。
ーティング接続方法及びその内蔵コネクタの好ましい実
施の形態例を図面に基づき説明する。図1において、本
発明のファイバグレーティング接続方法及びその内蔵コ
ネクタは、コア1aとクラッド1bを有する通常の光フ
ァイバ1とファイバグレーティング2を書き込んだコア
3aとクラッド3bを有する光ファイバ3とを接続する
にあたり、ファイバグレーティング2が書き込まれた部
分4と光ファイバ1との接続面5との間にファイバグレ
ーティングが書き込まれていない部分6を介在させるこ
とからなる。
【0014】通常の光ファイバ1とファイバグレーティ
ング2が書き込まれていない部分6の接続は、ファイバ
グレーティング2を書き込んだ光ファイバ3を内蔵した
コネクタ7を使用して行なわれる。このファイバグレー
ティング内蔵コネクタ7は、光ファイバ1とファイバグ
レーティング2を書き込んだ光ファイバ3とを接続する
ものであって、ファイバグレーティング2が書き込まれ
た部分4と光ファイバ1との接続面5との間にファイバ
グレーティング2が書き込まれていない部分6を介在し
たものである。
ング2が書き込まれていない部分6の接続は、ファイバ
グレーティング2を書き込んだ光ファイバ3を内蔵した
コネクタ7を使用して行なわれる。このファイバグレー
ティング内蔵コネクタ7は、光ファイバ1とファイバグ
レーティング2を書き込んだ光ファイバ3とを接続する
ものであって、ファイバグレーティング2が書き込まれ
た部分4と光ファイバ1との接続面5との間にファイバ
グレーティング2が書き込まれていない部分6を介在し
たものである。
【0015】図示の例において、ファイバグレーティン
グ2を書き込んだ光ファイバ3とファイバグレーティン
グが書き込まれていない部分6はコネクタ7のフェルー
ル8に内蔵されている。この接続は、ファイバグレーテ
ィング2の部分をプラグ10とアダプタ9の間に内蔵し
たコネクタ11を使用して行なってもよい(図2)。こ
の接続は、ファイバグレーティング2の部分をプラグ1
0とプラグ10の間に内蔵したコネクタ12を使用して
行なってもよい(図3)。この接続は、ファイバグレー
ティング2の部分をアダプタ9とアダプタ9の間に内蔵
したコネクタ13を使用して行なうこともできる(図
4)。この接続は、メカニカルスプライスで行なうこと
もできる。この接続は、融着接続で行なうこともでき
る。
グ2を書き込んだ光ファイバ3とファイバグレーティン
グが書き込まれていない部分6はコネクタ7のフェルー
ル8に内蔵されている。この接続は、ファイバグレーテ
ィング2の部分をプラグ10とアダプタ9の間に内蔵し
たコネクタ11を使用して行なってもよい(図2)。こ
の接続は、ファイバグレーティング2の部分をプラグ1
0とプラグ10の間に内蔵したコネクタ12を使用して
行なってもよい(図3)。この接続は、ファイバグレー
ティング2の部分をアダプタ9とアダプタ9の間に内蔵
したコネクタ13を使用して行なうこともできる(図
4)。この接続は、メカニカルスプライスで行なうこと
もできる。この接続は、融着接続で行なうこともでき
る。
【0016】ファイバグレーティング2が書き込まれた
部分と光ファイバとの接続面5との間にファイバグレー
ティング2が書き込まれていない部分6の距離Lを1m
m以上介在させることが好ましい。なお、ファイバグレ
ーティング2が書き込まれた光ファイバは、シングルモ
ードである。光ファイバは、コア3aに感光性の材料を
使用し、コア3aとクラッド3bの感光性による屈折率
変化量が異なるものである。
部分と光ファイバとの接続面5との間にファイバグレー
ティング2が書き込まれていない部分6の距離Lを1m
m以上介在させることが好ましい。なお、ファイバグレ
ーティング2が書き込まれた光ファイバは、シングルモ
ードである。光ファイバは、コア3aに感光性の材料を
使用し、コア3aとクラッド3bの感光性による屈折率
変化量が異なるものである。
【0017】このようなコネクタは、光ファイバケーブ
ルの終端に位置することができる。ケーブルの終端に位
置することで、アダプタ等に内蔵する場合に比べて部品
数を減らせるので、コストダウンが図られる。また、接
続点数が減少するので、接続ロスが減る。 〈実施例1〉高圧水素処理を施したシングルモードファ
イバ(SMF)に位相マスク(図示せず)を介して紫外
光を照射して作製されたファイバグレーティングを用い
てファイバグレーティングが書き込まれた部分(FG
部)と、ファイバグレーティングが書き込まれた部分か
ら接続面までの距離Lが1mm離れた部分および通常の
シングルモードファイバ(SMF)のモードフィールド
径(MFD)を測定した。その測定結果を表1および図
5に示す。
ルの終端に位置することができる。ケーブルの終端に位
置することで、アダプタ等に内蔵する場合に比べて部品
数を減らせるので、コストダウンが図られる。また、接
続点数が減少するので、接続ロスが減る。 〈実施例1〉高圧水素処理を施したシングルモードファ
イバ(SMF)に位相マスク(図示せず)を介して紫外
光を照射して作製されたファイバグレーティングを用い
てファイバグレーティングが書き込まれた部分(FG
部)と、ファイバグレーティングが書き込まれた部分か
ら接続面までの距離Lが1mm離れた部分および通常の
シングルモードファイバ(SMF)のモードフィールド
径(MFD)を測定した。その測定結果を表1および図
5に示す。
【0018】
【表1】
【0019】この測定結果によれば、ファイバグレーテ
ィングが書き込まれた部分から距離Lが1mm離れれば
モードフィールド径は回復することがわかる。
ィングが書き込まれた部分から距離Lが1mm離れれば
モードフィールド径は回復することがわかる。
【0020】また、モードフィールド径ω1とモードフ
ィールド径ω2の光ファイバを接続する場合のモードフ
ィールド径のミスマッチによる損失αMFDは次式によっ
て与えられる。 αMFD=20log(2ω1ω2)/(ω1 2+ω2 2) この式を用いてモードフィールド径のミスマッチによる
損失を計算すると、表2のようになる。
ィールド径ω2の光ファイバを接続する場合のモードフ
ィールド径のミスマッチによる損失αMFDは次式によっ
て与えられる。 αMFD=20log(2ω1ω2)/(ω1 2+ω2 2) この式を用いてモードフィールド径のミスマッチによる
損失を計算すると、表2のようになる。
【0021】
【表2】
【0022】したがって、ファイバグレーティングが書
き込まれた部分から距離Lが1mm離れれば損失は非常
に小さくなることが理解できる。
き込まれた部分から距離Lが1mm離れれば損失は非常
に小さくなることが理解できる。
【0023】〈実施例2〉高圧水素処理を施したシング
ルモードファイバ(SMF)に位相マスク(図示せず)
を介して紫外光を照射して作製されたファイバグレーテ
ィングをコネクタに内蔵した。ファイバグレーティング
部はコネクタ(フェルール)端面に出るようにした。完
成したコネクタの接続損失を測定したところ、1310/15
50nmでの接続損失はそれぞれ0.28/0.31dBであ
った。
ルモードファイバ(SMF)に位相マスク(図示せず)
を介して紫外光を照射して作製されたファイバグレーテ
ィングをコネクタに内蔵した。ファイバグレーティング
部はコネクタ(フェルール)端面に出るようにした。完
成したコネクタの接続損失を測定したところ、1310/15
50nmでの接続損失はそれぞれ0.28/0.31dBであ
った。
【0024】〈実施例3〉高圧水素処理を施したシング
ルモードファイバ(SMF)に位相マスク(図示せず)
を介して紫外光を照射して作製されたファイバグレーテ
ィングをコネクタに内蔵した。ファイバグレーティング
部はコネクタ(フェルール)端面から1mm離した。完
成したコネクタの接続損失を測定したところ、1310/15
50nmでの接続損失は0.1dB以下であった。
ルモードファイバ(SMF)に位相マスク(図示せず)
を介して紫外光を照射して作製されたファイバグレーテ
ィングをコネクタに内蔵した。ファイバグレーティング
部はコネクタ(フェルール)端面から1mm離した。完
成したコネクタの接続損失を測定したところ、1310/15
50nmでの接続損失は0.1dB以下であった。
【0025】〈実施例4〉高圧水素処理を施したシング
ルモードファイバ(SMF)に位相マスク(図示せず)
を介して紫外光を照射して作製されたファイバグレーテ
ィングをコネクタに内蔵した。ファイバグレーティング
部はコネクタ(フェルール)端面から3mm離した。完
成したコネクタの接続損失を測定したところ、1310/15
50nmでの接続損失は0.1dB以下であった。
ルモードファイバ(SMF)に位相マスク(図示せず)
を介して紫外光を照射して作製されたファイバグレーテ
ィングをコネクタに内蔵した。ファイバグレーティング
部はコネクタ(フェルール)端面から3mm離した。完
成したコネクタの接続損失を測定したところ、1310/15
50nmでの接続損失は0.1dB以下であった。
【0026】これらの測定結果を図6に示す。
【0027】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように本発明
のファイバグレーティング接続方法及びその内蔵コネク
タによれば、ファイバグレーティングが書き込まれた光
ファイバと通常の光ファイバとを接続する場合に接続損
失を抑制できる。
のファイバグレーティング接続方法及びその内蔵コネク
タによれば、ファイバグレーティングが書き込まれた光
ファイバと通常の光ファイバとを接続する場合に接続損
失を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によるファイバグレーティング
が書き込まれた光ファイバと通常の光ファイバとを接続
するにあたり、ファイバグレーティングを書き込んだ光
ファイバを内蔵したコネクタを使用して行なう説明図で
あり、ファイバグレーティングを書き込んだ光ファイバ
を内蔵したコネクタを引出し拡大して示す。
が書き込まれた光ファイバと通常の光ファイバとを接続
するにあたり、ファイバグレーティングを書き込んだ光
ファイバを内蔵したコネクタを使用して行なう説明図で
あり、ファイバグレーティングを書き込んだ光ファイバ
を内蔵したコネクタを引出し拡大して示す。
【図2】本発明の実施例によるファイバグレーティング
が書き込まれた光ファイバと通常の光ファイバとを接続
するにあたり、ファイバグレーティング部分をプラグと
アダプタの間に内蔵したコネクタを使用して行なう説明
図。
が書き込まれた光ファイバと通常の光ファイバとを接続
するにあたり、ファイバグレーティング部分をプラグと
アダプタの間に内蔵したコネクタを使用して行なう説明
図。
【図3】本発明の実施例によるファイバグレーティング
が書き込まれた光ファイバと通常の光ファイバとを接続
するにあたり、ファイバグレーティング部分をプラグと
プラグの間に内蔵したコネクタを使用して行なう説明
図。
が書き込まれた光ファイバと通常の光ファイバとを接続
するにあたり、ファイバグレーティング部分をプラグと
プラグの間に内蔵したコネクタを使用して行なう説明
図。
【図4】本発明の実施例によるファイバグレーティング
が書き込まれた光ファイバと通常の光ファイバとを接続
するにあたり、ファイバグレーティング部分をアダプタ
とアダプタの間に内蔵したコネクタを使用して行なう説
明図。
が書き込まれた光ファイバと通常の光ファイバとを接続
するにあたり、ファイバグレーティング部分をアダプタ
とアダプタの間に内蔵したコネクタを使用して行なう説
明図。
【図5】本発明の実施例によるファイバグレーティング
部からの距離とモードフィールド径(MFD)の特性
図。
部からの距離とモードフィールド径(MFD)の特性
図。
【図6】本発明の実施例によるファイバグレーティング
部からの距離と接続損失の特性図。
部からの距離と接続損失の特性図。
1・・・・・光ファイバ 2・・・・・ファイバグレーティング 3・・・・・ファイバグレーティングを書き込んだ光ファイ
バ 4・・・・・ファイバグレーティングが書き込まれた部分 5・・・・・接続面 6・・・・・ファイバグレーティングが書き込まれていない
部分 7・・・・・ファイバグレーティング部分を書き込んだ光フ
ァイバを内蔵したコネクタ 9・・・・・アダプタ 10・・・・・プラグ 11・・・・・ファイバグレーティング部分をプラグとアダ
プタの間に内蔵したコネクタ 12・・・・・ファイバグレーティング部分をプラグとプラ
グの間に内蔵したコネクタ 13・・・・・ファイバグレーティング部分をアダプタとア
ダプタの間に内蔵したコネクタ
バ 4・・・・・ファイバグレーティングが書き込まれた部分 5・・・・・接続面 6・・・・・ファイバグレーティングが書き込まれていない
部分 7・・・・・ファイバグレーティング部分を書き込んだ光フ
ァイバを内蔵したコネクタ 9・・・・・アダプタ 10・・・・・プラグ 11・・・・・ファイバグレーティング部分をプラグとアダ
プタの間に内蔵したコネクタ 12・・・・・ファイバグレーティング部分をプラグとプラ
グの間に内蔵したコネクタ 13・・・・・ファイバグレーティング部分をアダプタとア
ダプタの間に内蔵したコネクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 保苅和男 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 鈴木茂 神奈川県川崎市川崎区小田栄2丁目1番1 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 森下裕一 神奈川県川崎市川崎区小田栄2丁目1番1 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 堀裕紀子 神奈川県川崎市川崎区小田栄2丁目1番1 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 高橋儀浩 神奈川県川崎市川崎区小田栄2丁目1番1 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 杉一成 神奈川県川崎市川崎区小田栄2丁目1番1 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 牟田健一 神奈川県川崎市川崎区小田栄2丁目1番1 号 昭和電線電纜株式会社内
Claims (12)
- 【請求項1】光ファイバとファイバグレーティングを書
き込んだ光ファイバとを接続するにあたり、前記ファイ
バグレーティングが書き込まれた部分と前記光ファイバ
との接続面との間に前記ファイバグレーティングが書き
込まれていない部分を介在させることを特徴とするファ
イバグレーティング接続方法。 - 【請求項2】前記接続は、前記ファイバグレーティング
を書き込んだ光ファイバを内蔵したコネクタを使用して
行なうことを特徴とする請求項1記載のファイバグレー
ティング接続方法。 - 【請求項3】前記接続は、前記ファイバグレーティング
部分をプラグとアダプタの間に内蔵したコネクタを使用
して行なうことを特徴とする請求項1記載のファイバグ
レーティング接続方法。 - 【請求項4】前記接続は、前記ファイバグレーティング
部分をプラグとプラグの間に内蔵したコネクタを使用し
て行なうことを特徴とする請求項1記載のファイバグレ
ーティング接続方法。 - 【請求項5】前記接続は、前記ファイバグレーティング
部分をアダプタとアダプタの間に内蔵したコネクタを使
用して行なうことを特徴とする請求項1記載のファイバ
グレーティング接続方法。 - 【請求項6】前記接続は、メカニカルスプライスで行な
うことを特徴とする請求項1記載のファイバグレーティ
ング接続方法。 - 【請求項7】前記接続は、融着接続で行なうことを特徴
とする請求項1記載のファイバグレーティング接続方
法。 - 【請求項8】前記ファイバグレーティングが書き込まれ
た部分と前記光ファイバとの接続面との間に前記ファイ
バグレーティングが書き込まれていない部分を1mm以
上介在させることを特徴とする請求項1記載のファイバ
グレーティング接続方法。 - 【請求項9】前記ファイバグレーティングが書き込まれ
た光ファイバは、シングルモードであることを特徴とす
る請求項1記載のファイバグレーティング接続方法。 - 【請求項10】前記光ファイバは、コアに感光性の材料
を使用し、コアとクラッドの感光性による屈折率変化量
が異なることを特徴とする請求項9記載のファイバグレ
ーティング接続方法。 - 【請求項11】光ファイバとファイバグレーティングを
書き込んだ光ファイバとを接続するコネクタであって、
前記ファイバグレーティングが書き込まれた部分と前記
光ファイバとの接続面との間に前記ファイバグレーティ
ングが書き込まれていない部分を介在したことを特徴と
するファイバグレーティング内蔵コネクタ。 - 【請求項12】前記コネクタは、光ファイバケーブルの
終端に位置することを特徴とする請求項11記載のファ
イバグレーティング内蔵コネクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9032194A JPH10227938A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | ファイバグレーティング接続方法及びその内蔵コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9032194A JPH10227938A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | ファイバグレーティング接続方法及びその内蔵コネクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10227938A true JPH10227938A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12352104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9032194A Pending JPH10227938A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | ファイバグレーティング接続方法及びその内蔵コネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10227938A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2003098292A1 (ja) * | 2002-05-22 | 2005-09-15 | 昭和電線電纜株式会社 | 信号遮断デバイス、光コネクタおよび光ファイバ型カプラ |
| WO2021215232A1 (ja) * | 2020-04-20 | 2021-10-28 | 住友電気工業株式会社 | 利得等化フィルタ及び利得等化フィルタの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH095561A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバケーブル及びその製造方法 |
| JPH09113729A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Fujikura Ltd | 光ファイバフィルタ |
| JPH09269435A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-10-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光コネクタ |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP9032194A patent/JPH10227938A/ja active Pending
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| JPWO2021215232A1 (ja) * | 2020-04-20 | 2021-10-28 | ||
| US12204140B2 (en) | 2020-04-20 | 2025-01-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Gain flattening filter, and method for manufacturing gain flattening filter |
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