JPH10229282A - 電子構成部品の相互接続デバイス - Google Patents
電子構成部品の相互接続デバイスInfo
- Publication number
- JPH10229282A JPH10229282A JP9212299A JP21229997A JPH10229282A JP H10229282 A JPH10229282 A JP H10229282A JP 9212299 A JP9212299 A JP 9212299A JP 21229997 A JP21229997 A JP 21229997A JP H10229282 A JPH10229282 A JP H10229282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- layers
- substrate
- conductor
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/01—Selective coating, e.g. pattern coating, without pre-treatment of the material to be coated
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/467—Adding a circuit layer by thin film methods
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的安価かつ簡単に製造できる多層相互電
気接続デバイスを提供し、比較的多量の電流を導通し得
るモノリシック多層デバイスが得られるようにする。 【解決手段】 基板２０と、溶射により第１パターンで
基板２０上に付着された第１導体層２２と、第１導体層
２２の複数の選択された区域を含まない第２パターンで
溶射により第１導体層２２上に付着された第１絶縁層２
３と、複数の選択された前記区域の少なくとも１つを含
む第３パターンで溶射により第１絶縁層２３および第１
導体層２２上に付着された第２導体層２６とが備えら
れ、複数の選択された前記区域が、直接の冶金学的接合
による導体層間の相互接続を生じさせている。
気接続デバイスを提供し、比較的多量の電流を導通し得
るモノリシック多層デバイスが得られるようにする。 【解決手段】 基板２０と、溶射により第１パターンで
基板２０上に付着された第１導体層２２と、第１導体層
２２の複数の選択された区域を含まない第２パターンで
溶射により第１導体層２２上に付着された第１絶縁層２
３と、複数の選択された前記区域の少なくとも１つを含
む第３パターンで溶射により第１絶縁層２３および第１
導体層２２上に付着された第２導体層２６とが備えら
れ、複数の選択された前記区域が、直接の冶金学的接合
による導体層間の相互接続を生じさせている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層の相互電気接続
デバイスに関するものである。本明細書は、溶射技術を
用いて前記デバイスを製造する方法をも開示する。製造
された多層相互接続デバイスは、特に、高品質で安価な
自動車用配電システム構成部品（ＡＥＤｓ）や高い電流
容量を有する自動車用電子モジュール（ＡＥＭｓ）の設
計及び製造に使用するのに適している。
デバイスに関するものである。本明細書は、溶射技術を
用いて前記デバイスを製造する方法をも開示する。製造
された多層相互接続デバイスは、特に、高品質で安価な
自動車用配電システム構成部品（ＡＥＤｓ）や高い電流
容量を有する自動車用電子モジュール（ＡＥＭｓ）の設
計及び製造に使用するのに適している。
【０００２】
【従来の技術】電子装置の製造に回路板を使用すると、
寸法および重量の最小化、高い信頼性、自動化された生
産に対する適応性等の多くの利点が得られる。回路板
は、導電性金属トレース（traces) および電気構成部品
用の接合箇所を含む絶縁層を有している。電子工学の進
展、特に集積回路のミニアチュア化の進展とともに、回
路板の単位表面積当たりに多数の相互接続回路を収容す
るために、多層回路板が必要となってきた。
寸法および重量の最小化、高い信頼性、自動化された生
産に対する適応性等の多くの利点が得られる。回路板
は、導電性金属トレース（traces) および電気構成部品
用の接合箇所を含む絶縁層を有している。電子工学の進
展、特に集積回路のミニアチュア化の進展とともに、回
路板の単位表面積当たりに多数の相互接続回路を収容す
るために、多層回路板が必要となってきた。
【０００３】多層回路板においては、複数の層上に３次
元で別個のトレースパターンが設けられ、層対層の相互
接続部（バイアまたはめっきスルーホール）があり、小
スペース内で複雑な相互接続を可能にする。多層回路板
は、別個の板を一体に成層若しくは積層し、モノリシッ
ク・プレートアップ技法(monolithic, plated-up te-ch
nique) によって製造される。しかし、先行技術による
製造は、高価で難しいため、その実用性には限界があ
る。
元で別個のトレースパターンが設けられ、層対層の相互
接続部（バイアまたはめっきスルーホール）があり、小
スペース内で複雑な相互接続を可能にする。多層回路板
は、別個の板を一体に成層若しくは積層し、モノリシッ
ク・プレートアップ技法(monolithic, plated-up te-ch
nique) によって製造される。しかし、先行技術による
製造は、高価で難しいため、その実用性には限界があ
る。
【０００４】安全に導通可能な電流の強さは、金属トレ
ースの寸法と厚さで決まる。したがって、多層構造体内
の導体の寸法および厚さを任意に調整して、任意量の電
流を通し得るようにすることが望ましい。
ースの寸法と厚さで決まる。したがって、多層構造体内
の導体の寸法および厚さを任意に調整して、任意量の電
流を通し得るようにすることが望ましい。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、比較的安価か
つ簡単な製造方法により多層相互電気接続デバイスを提
供し、その結果、比較的多量の電流を導通し得るモノリ
シック多層デバイスが得られる利点を有している。
つ簡単な製造方法により多層相互電気接続デバイスを提
供し、その結果、比較的多量の電流を導通し得るモノリ
シック多層デバイスが得られる利点を有している。
【０００６】本発明は、多層相互電気接続デバイスを提
供する。そのデバイスは、例えば次のようにして製造す
る。すなわち、それぞれポジティブマスクとネガティブ
マスクを介して溶射材料を被着若しくは付着させること
により導電性区域およびバイアと、絶縁層とを形成し、
その結果、導体層間で層間の直接的な冶金学的結合を内
因的に(intrinsically）生じるようにして、前記デバイ
スを製造する。
供する。そのデバイスは、例えば次のようにして製造す
る。すなわち、それぞれポジティブマスクとネガティブ
マスクを介して溶射材料を被着若しくは付着させること
により導電性区域およびバイアと、絶縁層とを形成し、
その結果、導体層間で層間の直接的な冶金学的結合を内
因的に(intrinsically）生じるようにして、前記デバイ
スを製造する。
【０００７】デバイスの製造方法は、始めに基板を用意
する段階を含んでいる。その後、溶射用のマスク内に相
応に設けられた開口を介して、それぞれ絶縁性材料と導
電性材料を溶射することで、複数の絶縁層と導体層とを
交互に、基板上および互いの上に付着若しくは形成す
る。層間の相互電気接続は、上側にある層の導電性材料
とその前に溶射された層の導電性材料との直接的な冶金
学的結合によって、内在的に形成（intrinsically form
ed）される。マスク内に相応に設けられる開口は、ポジ
ティブとネガティブのマスキングシステムを用いて形成
される。
する段階を含んでいる。その後、溶射用のマスク内に相
応に設けられた開口を介して、それぞれ絶縁性材料と導
電性材料を溶射することで、複数の絶縁層と導体層とを
交互に、基板上および互いの上に付着若しくは形成す
る。層間の相互電気接続は、上側にある層の導電性材料
とその前に溶射された層の導電性材料との直接的な冶金
学的結合によって、内在的に形成（intrinsically form
ed）される。マスク内に相応に設けられる開口は、ポジ
ティブとネガティブのマスキングシステムを用いて形成
される。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、溶射噴霧を発生させて、
絶縁性材料と導電性材料とを選択的に付着若しくは堆積
(deposit) させ、相互接続デバイスを製造する溶射装置
を示した図である。キャリアガスと選択された材料粒子
とから成る溶射噴霧は、熱源として、電気アークまたは
化学的な燃焼を用いて粒状物を加熱することで生成され
る。溶射噴霧は、例えばプラズマスプレー、高速酸素燃
料（ＨＶＯＦ）、２線式アーク（ＴＷＡ）、単線式アー
ク、フレーム(flame) スプレーのいずれかによるスプレ
ーにすることができる。成層構造体は、所定パターンで
交互に絶縁性粒子と導電性粒子とをスプレーすることに
よって形成される。
絶縁性材料と導電性材料とを選択的に付着若しくは堆積
(deposit) させ、相互接続デバイスを製造する溶射装置
を示した図である。キャリアガスと選択された材料粒子
とから成る溶射噴霧は、熱源として、電気アークまたは
化学的な燃焼を用いて粒状物を加熱することで生成され
る。溶射噴霧は、例えばプラズマスプレー、高速酸素燃
料（ＨＶＯＦ）、２線式アーク（ＴＷＡ）、単線式アー
ク、フレーム(flame) スプレーのいずれかによるスプレ
ーにすることができる。成層構造体は、所定パターンで
交互に絶縁性粒子と導電性粒子とをスプレーすることに
よって形成される。
【０００９】溶射ノズル１０は、付着若しくは堆積（又
は被着）すべき材料を供給ビン１１，１２から受取る。
ノズル１０への材料流は、供給弁１３，１４を用いて、
それぞれ選択的に制御される。一方の供給ビンには、導
電性材料（例えば銅）粒子を入れ、他方の供給ビンに
は、絶縁性材料（例えばアルミナ）粒子を入れておくと
よい。ここで説明する成層構造体は、各層が、それぞれ
１つの供給ビンからの材料を用いて形成されるが、１つ
の構造体の複数部分が、混合材料を用いて形成される段
階的な若しくは類別された(graded)構造体を形成するこ
とも可能である。
は被着）すべき材料を供給ビン１１，１２から受取る。
ノズル１０への材料流は、供給弁１３，１４を用いて、
それぞれ選択的に制御される。一方の供給ビンには、導
電性材料（例えば銅）粒子を入れ、他方の供給ビンに
は、絶縁性材料（例えばアルミナ）粒子を入れておくと
よい。ここで説明する成層構造体は、各層が、それぞれ
１つの供給ビンからの材料を用いて形成されるが、１つ
の構造体の複数部分が、混合材料を用いて形成される段
階的な若しくは類別された(graded)構造体を形成するこ
とも可能である。
【００１０】粒子は加熱され、キャリアガスによって推
進され、付着のための溶射噴霧としてノズル１０から噴
出する。溶射噴霧１５は基板１６に向けられ、基板１６
には、所期の相互接続デバイスが形成される。付着は、
溶射粒子流内に、それも基板１６の手前に配置された溶
射用のマスク１７によって、一定の目標区域に限定され
る。マスク１７は、基板１６の上面上に位置するように
する（すなわち、溶射マスク１７の底面が、基板１６の
上面またはすぐ前に付着された層の上面と同一平面をな
すようにする）のが好ましい。マスク１７は、溶射材料
が付着された後、基板１６から除去される。通常、マス
クが基板に溶着するといった問題は生じない。なぜな
ら、通常のマスク材料は、溶射材料との接合には適さな
い表面を有しているからである。特に、マスク材料は、
滑らかな表面を有し、この表面には、溶射された材料が
付着しにくい（後述するように、溶射された層を付着さ
せるには、粗面が要求される）。
進され、付着のための溶射噴霧としてノズル１０から噴
出する。溶射噴霧１５は基板１６に向けられ、基板１６
には、所期の相互接続デバイスが形成される。付着は、
溶射粒子流内に、それも基板１６の手前に配置された溶
射用のマスク１７によって、一定の目標区域に限定され
る。マスク１７は、基板１６の上面上に位置するように
する（すなわち、溶射マスク１７の底面が、基板１６の
上面またはすぐ前に付着された層の上面と同一平面をな
すようにする）のが好ましい。マスク１７は、溶射材料
が付着された後、基板１６から除去される。通常、マス
クが基板に溶着するといった問題は生じない。なぜな
ら、通常のマスク材料は、溶射材料との接合には適さな
い表面を有しているからである。特に、マスク材料は、
滑らかな表面を有し、この表面には、溶射された材料が
付着しにくい（後述するように、溶射された層を付着さ
せるには、粗面が要求される）。
【００１１】あるいはまた、マスク１７は、そのときに
付着されている層の厚さと少なくとも等しい間隔か、ま
たはそれより広い間隔をおいた固定位置に、基板１６か
ら離して配置してもよい。このようにすると、デバイス
の付着形成部の寸法（featu-re size) は、マスク１７
の開口寸法とは異なることになる。基板へのマスクの付
着を防止するには、開口縁に沿ってマスクにアンダカッ
トを施すとよい。マスクと基板との間隔やアンダカット
の効果を含む付着形成部の寸法のモデリングは、図２１
の説明のところで後述する。
付着されている層の厚さと少なくとも等しい間隔か、ま
たはそれより広い間隔をおいた固定位置に、基板１６か
ら離して配置してもよい。このようにすると、デバイス
の付着形成部の寸法（featu-re size) は、マスク１７
の開口寸法とは異なることになる。基板へのマスクの付
着を防止するには、開口縁に沿ってマスクにアンダカッ
トを施すとよい。マスクと基板との間隔やアンダカット
の効果を含む付着形成部の寸法のモデリングは、図２１
の説明のところで後述する。
【００１２】種々のパターンを有する各マスクを介し
て、溶射噴霧１５を調整して吹付けることによって、絶
縁層と導体層とを交互に付着若しくは堆積させ、導電ト
レース（traces) と、層間の導電バイア（vias) と、ト
レース平面を分離する絶縁遮断層とを有する相互接続デ
バイスを形成する。
て、溶射噴霧１５を調整して吹付けることによって、絶
縁層と導体層とを交互に付着若しくは堆積させ、導電ト
レース（traces) と、層間の導電バイア（vias) と、ト
レース平面を分離する絶縁遮断層とを有する相互接続デ
バイスを形成する。
【００１３】本発明で使用する溶射用のマスクは、２つ
の種類に大別される。すなわち導体層を形成するために
用い、構造体内にポジティブイメージの導電トレースを
形成するためのポジティブマスクと、絶縁層を形成する
ために用い、導電性材料を露出したまま残す必要のある
選択区域、例えばバイア、ボンディングパッド、テスト
ポイントでだけ、事実上溶射を遮蔽するネガティブマス
クとである。溶射された材料が形成する複数の層は、相
互に直接接合され、モノリシックな固体構造体を形成す
る。隣接層は、互いに実質的に機械的接合（mechanical
bonding) によって付着し合う。機械的接合は、溶射の
結果生じる粗面によって容易になる。
の種類に大別される。すなわち導体層を形成するために
用い、構造体内にポジティブイメージの導電トレースを
形成するためのポジティブマスクと、絶縁層を形成する
ために用い、導電性材料を露出したまま残す必要のある
選択区域、例えばバイア、ボンディングパッド、テスト
ポイントでだけ、事実上溶射を遮蔽するネガティブマス
クとである。溶射された材料が形成する複数の層は、相
互に直接接合され、モノリシックな固体構造体を形成す
る。隣接層は、互いに実質的に機械的接合（mechanical
bonding) によって付着し合う。機械的接合は、溶射の
結果生じる粗面によって容易になる。
【００１４】図２は、本発明の、多層を有するデバイス
の横断面を示したものである。この多層デバイスは、異
なる導体層の形成時に溶射された導電性材料間の（すな
わちバイア箇所での）直接の冶金学的接合によって形成
される層間電気接続部を有している。
の横断面を示したものである。この多層デバイスは、異
なる導体層の形成時に溶射された導電性材料間の（すな
わちバイア箇所での）直接の冶金学的接合によって形成
される層間電気接続部を有している。
【００１５】外部のデバイスに頼ることなしに冶金学的
接合を内在的に形成することには、費用および信頼性の
面での大きな利点がある。同様に、ＰＷＢめっきスルー
ホール、可撓性の回路層間接続、ろう付け若しくははん
だによる層間接続などによる信頼性上の問題が回避され
る。
接合を内在的に形成することには、費用および信頼性の
面での大きな利点がある。同様に、ＰＷＢめっきスルー
ホール、可撓性の回路層間接続、ろう付け若しくははん
だによる層間接続などによる信頼性上の問題が回避され
る。
【００１６】図２の構造体は、基板２０に対する溶射に
よって形成されるものである。基板としては、鍛練用(w
rought) またはダイカスト・アルミニウム板が好まし
く、電子モジュール用ケースの壁部を有するようにする
ことができる。基板２０上には、平らな絶縁基層２１が
付着され、続いて付着されるトレースが基板２０と短絡
するのが防止される。絶縁性の基板を用いた場合には、
絶縁基層２１は不要である。
よって形成されるものである。基板としては、鍛練用(w
rought) またはダイカスト・アルミニウム板が好まし
く、電子モジュール用ケースの壁部を有するようにする
ことができる。基板２０上には、平らな絶縁基層２１が
付着され、続いて付着されるトレースが基板２０と短絡
するのが防止される。絶縁性の基板を用いた場合には、
絶縁基層２１は不要である。
【００１７】基板としてアルミニウムを用いる場合に
は、先ずアルミニウムの表面を、材料の溶射付着のため
に清浄にせねばならない。なぜなら、アルミニウムの表
面は、当然、滑らかな酸化アルミニウムの薄層で被覆さ
れているからである。滑らかな酸化アルミニウムは、グ
リット・ブラスト、エッチング、噴射水の吹付けのいず
れかにより洗浄できる。基底の基板だけが、そのような
洗浄または粗面化を必要とする。なぜなら、続く各溶射
層は、固有粗さを有しており、それによって、上に重ね
られる層の付着が容易になるからである。
は、先ずアルミニウムの表面を、材料の溶射付着のため
に清浄にせねばならない。なぜなら、アルミニウムの表
面は、当然、滑らかな酸化アルミニウムの薄層で被覆さ
れているからである。滑らかな酸化アルミニウムは、グ
リット・ブラスト、エッチング、噴射水の吹付けのいず
れかにより洗浄できる。基底の基板だけが、そのような
洗浄または粗面化を必要とする。なぜなら、続く各溶射
層は、固有粗さを有しており、それによって、上に重ね
られる層の付着が容易になるからである。
【００１８】第１の導体層２２は、分離された回路トレ
ースの間に開放空間を有するパターンで絶縁基層２１上
に付着(deposit) される。第１パターンの絶縁層２３
は、次のようなパターンで第１の導体層２２上に付着さ
れる。すなわち、導体層２２の選択区域が露出したまま
残される結果、そのトレースの少なくとも１つを、後
に、他の導体層または外部の構成部品に接続できるよう
にするパターンである。
ースの間に開放空間を有するパターンで絶縁基層２１上
に付着(deposit) される。第１パターンの絶縁層２３
は、次のようなパターンで第１の導体層２２上に付着さ
れる。すなわち、導体層２２の選択区域が露出したまま
残される結果、そのトレースの少なくとも１つを、後
に、他の導体層または外部の構成部品に接続できるよう
にするパターンである。
【００１９】交互に構成されるデバイスの場合、導体層
２４は、回路トレースのそれぞれのパターンで絶縁層２
３上に付着される。絶縁層２５は、下の層の一部をカバ
ーしている。最終導体層２６は、マスク２８のパターン
によって制御されている溶射噴霧１５内の導電性粒子２
７による付着中の状態で示されている。導体層２６は、
選択区域に付着され、導体層２２，２４間のバイア(vi
a) を形成している。マスクのパターンは、さらに、導
電性材料のボンディングパッドを形成するように選択さ
れ、外部との接続が容易にされる。これについては後述
する。露出しているトレースには、保護用に最終絶縁層
または他のコンフォーマルコーティングが施される（ボ
ンディングパッドは露出したままにしておく）。技術上
周知のコンフォーマルコーティングを採用することに加
えて、熱硬化性エポキシ樹脂をコンフォーマルコーティ
ングとして溶射することも可能である。
２４は、回路トレースのそれぞれのパターンで絶縁層２
３上に付着される。絶縁層２５は、下の層の一部をカバ
ーしている。最終導体層２６は、マスク２８のパターン
によって制御されている溶射噴霧１５内の導電性粒子２
７による付着中の状態で示されている。導体層２６は、
選択区域に付着され、導体層２２，２４間のバイア(vi
a) を形成している。マスクのパターンは、さらに、導
電性材料のボンディングパッドを形成するように選択さ
れ、外部との接続が容易にされる。これについては後述
する。露出しているトレースには、保護用に最終絶縁層
または他のコンフォーマルコーティングが施される（ボ
ンディングパッドは露出したままにしておく）。技術上
周知のコンフォーマルコーティングを採用することに加
えて、熱硬化性エポキシ樹脂をコンフォーマルコーティ
ングとして溶射することも可能である。
【００２０】図３は、ノズル１０と、ポジティブマスク
１７と、基板１６との立体的関係を示したものである。
この立体的関係によって、導体層３０の目標パターン
が、マスク１７の対応パターン３１によって形成され
る。同様に、図４には、ノズル１０と、ネガティブマス
ク３２と、基板１６との立体的関係が示してある。この
立体的関係によって、次の絶縁層３３の目標パターン
が、マスク３２の対応パターン３４により形成される。
１７と、基板１６との立体的関係を示したものである。
この立体的関係によって、導体層３０の目標パターン
が、マスク１７の対応パターン３１によって形成され
る。同様に、図４には、ノズル１０と、ネガティブマス
ク３２と、基板１６との立体的関係が示してある。この
立体的関係によって、次の絶縁層３３の目標パターン
が、マスク３２の対応パターン３４により形成される。
【００２１】溶射噴霧へのエネルギー入力（すなわち温
度）、マスクと基板との間隔、粒度、粒子流密度等のプ
ロセスパラメータは、目標最終構造体および選択材料に
応じて調整する。特に粒子流密度は、これを最適化する
ことによって、付着されて形成される造作物若しくは形
成体（features）に鋭いエッジを設けることができる。
乱流、後方散乱、その他の相互作用によって、若干の粒
子が目標パターンを外れることがある。このため、使用
する特定のプロセスパラメータに応じた電気漏れや表面
破壊を防止するためには、隣接導電トレースを最小間隔
にすることが要求される。
度）、マスクと基板との間隔、粒度、粒子流密度等のプ
ロセスパラメータは、目標最終構造体および選択材料に
応じて調整する。特に粒子流密度は、これを最適化する
ことによって、付着されて形成される造作物若しくは形
成体（features）に鋭いエッジを設けることができる。
乱流、後方散乱、その他の相互作用によって、若干の粒
子が目標パターンを外れることがある。このため、使用
する特定のプロセスパラメータに応じた電気漏れや表面
破壊を防止するためには、隣接導電トレースを最小間隔
にすることが要求される。
【００２２】ポジティブマスク４０の第１実施形態を、
図５によって説明する。フレーム４２と中央シート４３
とを有するマスクのブランク若しくは素材に、開口４１
が形成されている。このマスクのブランクは、例えばス
テンレス鋼またはベリリウム銅合金から成り、開口４１
は、光化学エッチングにより形成するのが好ましいが、
電気放電式機械加工また機械式機械加工によって形成し
てもよい。光化学エッチング技術が好ましいのは、残り
のマスク構造物の強度が、他の機械加工技術を用いた場
合より大であり、従って、マスクは、反復する生産サイ
クルに耐えることができ、付着形成物の寸法の一貫した
制御を妨げるような曲げ、変形、歪み、その他の劣化を
生じることがないからである。
図５によって説明する。フレーム４２と中央シート４３
とを有するマスクのブランク若しくは素材に、開口４１
が形成されている。このマスクのブランクは、例えばス
テンレス鋼またはベリリウム銅合金から成り、開口４１
は、光化学エッチングにより形成するのが好ましいが、
電気放電式機械加工また機械式機械加工によって形成し
てもよい。光化学エッチング技術が好ましいのは、残り
のマスク構造物の強度が、他の機械加工技術を用いた場
合より大であり、従って、マスクは、反復する生産サイ
クルに耐えることができ、付着形成物の寸法の一貫した
制御を妨げるような曲げ、変形、歪み、その他の劣化を
生じることがないからである。
【００２３】図６に示したネガティブマスクは、光化学
エッチングにより形成されたもので、フレーム４６と、
エッチングされた中央シート４７を有している。ブロッ
ク若しくは遮蔽用の主体部４８は、ブリッジ４９に支え
られている。ブリッジ４９は、意図せぬ破断または絶縁
層厚の著しい減少が生じない程度の細さに形成する。付
着された層には現われるべきでないブリッジ４９等の支
持体は、材料がこれら支持体の下に付着若しくは堆積さ
れる必要があるので、付着作業中、基板に接触しないよ
うに配置される。したがって、ブリッジ４９は、マスク
の底面までは延びないようにするか、または、溶射中
に、マスク自体を基板に接触させず、基板から上方へ一
定高さに維持するようにする。
エッチングにより形成されたもので、フレーム４６と、
エッチングされた中央シート４７を有している。ブロッ
ク若しくは遮蔽用の主体部４８は、ブリッジ４９に支え
られている。ブリッジ４９は、意図せぬ破断または絶縁
層厚の著しい減少が生じない程度の細さに形成する。付
着された層には現われるべきでないブリッジ４９等の支
持体は、材料がこれら支持体の下に付着若しくは堆積さ
れる必要があるので、付着作業中、基板に接触しないよ
うに配置される。したがって、ブリッジ４９は、マスク
の底面までは延びないようにするか、または、溶射中
に、マスク自体を基板に接触させず、基板から上方へ一
定高さに維持するようにする。
【００２４】図７は、別のネガティブマスクを示したも
のである。このネガティブマスクには、溶射噴霧を事実
上ブロックすることなしに、剛性支持を得るために、ス
クリーン５０が用いられている。マスクを構成するに
は、ネガティブマスクの所望のブロック（若しくは遮
蔽）区域に対応する開口を有する上下のブランク５１，
５２が、スクリーン５０を挟み付けるようにする。予め
寸法を定められたブロック片を、スクリーン５０の上下
の側で開口と結合させ、ブロック用主体部が正確に位置
決めされるようにする。結合は、例えば銀ろう付け、溶
接、相互のねじ止め、接合のいずれかで行うとよい。ブ
ロック用主体部５３を有するスクリーン５０は、次い
で、上下のフレーム５５，５４を有するフレームに嵌め
込まれ、ネガティブマスク５６が完成する。
のである。このネガティブマスクには、溶射噴霧を事実
上ブロックすることなしに、剛性支持を得るために、ス
クリーン５０が用いられている。マスクを構成するに
は、ネガティブマスクの所望のブロック（若しくは遮
蔽）区域に対応する開口を有する上下のブランク５１，
５２が、スクリーン５０を挟み付けるようにする。予め
寸法を定められたブロック片を、スクリーン５０の上下
の側で開口と結合させ、ブロック用主体部が正確に位置
決めされるようにする。結合は、例えば銀ろう付け、溶
接、相互のねじ止め、接合のいずれかで行うとよい。ブ
ロック用主体部５３を有するスクリーン５０は、次い
で、上下のフレーム５５，５４を有するフレームに嵌め
込まれ、ネガティブマスク５６が完成する。
【００２５】図８は、図７の技術で形成されたポジティ
ブマスクを示したもので、この場合は、スクリーンが蜂
の巣状のメッシュで形成されている。蜂の巣構造物によ
って、支持体区域に高率の開放区域が得られ、この開放
区域は、パッキングファクタまたは開放度ファクタ(ope
nness factor）と呼ばれる。
ブマスクを示したもので、この場合は、スクリーンが蜂
の巣状のメッシュで形成されている。蜂の巣構造物によ
って、支持体区域に高率の開放区域が得られ、この開放
区域は、パッキングファクタまたは開放度ファクタ(ope
nness factor）と呼ばれる。
【００２６】図７および図８の技術を用いることによ
り、マスク材料の厚さを、スクリーンの厚さよりはるか
に厚くすることができる。これによって、スクリーンの
相対的ブロック効率が低減され、したがって、相互接続
デバイス上に付着物がより良く形成される。スクリーン
を相対的に薄くすることによっても、種々の溶射角度で
マスクを介して行う溶射が容易になり、スクリーン区域
の下に均等な被覆を施すことが可能になる。
り、マスク材料の厚さを、スクリーンの厚さよりはるか
に厚くすることができる。これによって、スクリーンの
相対的ブロック効率が低減され、したがって、相互接続
デバイス上に付着物がより良く形成される。スクリーン
を相対的に薄くすることによっても、種々の溶射角度で
マスクを介して行う溶射が容易になり、スクリーン区域
の下に均等な被覆を施すことが可能になる。
【００２７】図９は、蜂の巣状のメッシュを使用して形
成したネガティブマスクを示したものである。図１０
は、ネガティブマスク６０を製造する別の方法を示した
ものである。このマスク６０は、懸架された遮蔽用開口
(shadow aperture）６１を有している。この場合には、
ワイヤマトリックス６２を利用することで、遮蔽用開口
若しくはシャドウ開口が、積極位置決め式で自己整合式
に懸架される。例えば、フレーム案内６５によって保持
された互いに直角に延びるワイヤ６３、６４が、シャド
ウ開口６１の、ワイヤ６３，６４を受容する溝を介し
て、シャドウ開口６１を所定位置に固定する。ワイヤマ
トリックス６２は、シャドウ開口の寸法に比して細い寸
法を有しているので、粒子流は、事実上妨げられること
なしに、ワイヤマトリックスのところを通過して基板に
達する。この方法の重要な利点は、シャドウ開口の位置
の精密調整ができ、比較的簡単にマスク製造が可能な点
である。しかし、多数のシャドウ開口を有するマスクの
場合は、この技術は、あまり有効ではない。なぜなら、
交差するワイヤが多くなれば、ワイヤ案内との結合に実
行困難な機械加工を強いられるからである。
成したネガティブマスクを示したものである。図１０
は、ネガティブマスク６０を製造する別の方法を示した
ものである。このマスク６０は、懸架された遮蔽用開口
(shadow aperture）６１を有している。この場合には、
ワイヤマトリックス６２を利用することで、遮蔽用開口
若しくはシャドウ開口が、積極位置決め式で自己整合式
に懸架される。例えば、フレーム案内６５によって保持
された互いに直角に延びるワイヤ６３、６４が、シャド
ウ開口６１の、ワイヤ６３，６４を受容する溝を介し
て、シャドウ開口６１を所定位置に固定する。ワイヤマ
トリックス６２は、シャドウ開口の寸法に比して細い寸
法を有しているので、粒子流は、事実上妨げられること
なしに、ワイヤマトリックスのところを通過して基板に
達する。この方法の重要な利点は、シャドウ開口の位置
の精密調整ができ、比較的簡単にマスク製造が可能な点
である。しかし、多数のシャドウ開口を有するマスクの
場合は、この技術は、あまり有効ではない。なぜなら、
交差するワイヤが多くなれば、ワイヤ案内との結合に実
行困難な機械加工を強いられるからである。
【００２８】ネガティブマスクを用いて付着体を形成す
る場合に必要なことは、ネガティブマスク支持体の陰影
（若しくはその支持体による遮蔽）を生じないようにす
ることである。なぜなら、絶縁材料の付着の失敗は、導
体層間の、意図しない短絡を惹起することがあるからで
ある。できるだけ狭幅（すなわち、マスク平面での支持
体の最小寸法）のネガティブマスク支持体を造ることに
よって、絶縁性材料の、意図しない遮蔽発生が避けられ
る。しかし、マスクの耐久性および再使用性能を得るた
めには、少なくとも最小支持体幅を必要とする。遮蔽発
生を防止するためには、傾斜溶射（angle spraying）ま
たはプレーナ・トランスレーション（planar translati
on）を利用するのも好ましい。
る場合に必要なことは、ネガティブマスク支持体の陰影
（若しくはその支持体による遮蔽）を生じないようにす
ることである。なぜなら、絶縁材料の付着の失敗は、導
体層間の、意図しない短絡を惹起することがあるからで
ある。できるだけ狭幅（すなわち、マスク平面での支持
体の最小寸法）のネガティブマスク支持体を造ることに
よって、絶縁性材料の、意図しない遮蔽発生が避けられ
る。しかし、マスクの耐久性および再使用性能を得るた
めには、少なくとも最小支持体幅を必要とする。遮蔽発
生を防止するためには、傾斜溶射（angle spraying）ま
たはプレーナ・トランスレーション（planar translati
on）を利用するのも好ましい。
【００２９】傾斜溶射の場合、溶射ノズルは、基板表面
と直角の方向に対し小さな角度で掃射する。例えば、ノ
ズルは、図１１に示したように、溶射中、円錐形の経路
６７に沿って移動する。小さな角度でノズルがすりこぎ
運動する（precessing) ことによって、溶射材料は、ネ
ガティブマスクの開口支持体の“下をくぐる（crossund
er)”ことになる。たとえば、０．１００平方インチ
（０．６４５ｃｍ2 ）のシャドウ開口と、０．０１０イ
ンチ（０．０２５４ｃｍ）幅の支持体とを有するネガテ
ィブマスクの場合は、すりこぎ運動角度、および基板と
ネガティブマスクとの間隔は、基板上に約０．０８０イ
ンチ（０．２０３２ｃｍ）の実際のシャドウ区域が生じ
るように選択する一方、支持体下の全区域を絶縁性材料
で被覆するように選択することができる。
と直角の方向に対し小さな角度で掃射する。例えば、ノ
ズルは、図１１に示したように、溶射中、円錐形の経路
６７に沿って移動する。小さな角度でノズルがすりこぎ
運動する（precessing) ことによって、溶射材料は、ネ
ガティブマスクの開口支持体の“下をくぐる（crossund
er)”ことになる。たとえば、０．１００平方インチ
（０．６４５ｃｍ2 ）のシャドウ開口と、０．０１０イ
ンチ（０．０２５４ｃｍ）幅の支持体とを有するネガテ
ィブマスクの場合は、すりこぎ運動角度、および基板と
ネガティブマスクとの間隔は、基板上に約０．０８０イ
ンチ（０．２０３２ｃｍ）の実際のシャドウ区域が生じ
るように選択する一方、支持体下の全区域を絶縁性材料
で被覆するように選択することができる。
【００３０】プレーナ・トランスレーション（若しくは
平面上での相対移動）の場合は、ネガティブマスクおよ
び／または基板が、固定ノズルによる溶射の間に相対移
動する。この相対移動量は、支持体幅より大であるのが
好ましいが、最も好ましいのは、支持体幅の２倍であ
る。支持体幅が０．０１０インチ（０．０２５４ｃｍ）
の既述の例の場合には、０．０２０インチ（０．０５０
８ｃｍ）の相対並進により、既述の場合と等しい寸法の
０．０８０インチ（０．２０３２ｃｍ）の目標シャドウ
区域が生じる。並進運動は、各支持体幅を横切って行な
う。したがって、互いに直角方向に延びる支持体が存在
する場合には、適当量の並進運動を、各方向に行なう。
平面上での相対移動）の場合は、ネガティブマスクおよ
び／または基板が、固定ノズルによる溶射の間に相対移
動する。この相対移動量は、支持体幅より大であるのが
好ましいが、最も好ましいのは、支持体幅の２倍であ
る。支持体幅が０．０１０インチ（０．０２５４ｃｍ）
の既述の例の場合には、０．０２０インチ（０．０５０
８ｃｍ）の相対並進により、既述の場合と等しい寸法の
０．０８０インチ（０．２０３２ｃｍ）の目標シャドウ
区域が生じる。並進運動は、各支持体幅を横切って行な
う。したがって、互いに直角方向に延びる支持体が存在
する場合には、適当量の並進運動を、各方向に行なう。
【００３１】支持体は、ネガティブマスクの必要部分で
あるが、ポジティブマスクの場合にも、強度と耐久性を
付加するために使用することがある。傾斜溶射とプレー
ナ・トランスレーションとは、その種のポジティブマス
クの支持体の場合にも利用できる。
あるが、ポジティブマスクの場合にも、強度と耐久性を
付加するために使用することがある。傾斜溶射とプレー
ナ・トランスレーションとは、その種のポジティブマス
クの支持体の場合にも利用できる。
【００３２】図１２は、多層の溶射、電気／電子相互接
続デバイスを製造するための自動製造装置の図である。
自動装置７０は、一連の溶射ステーション列７１〜７５
を有している。各溶射ステーションは、１つの絶縁層ま
たは導体層を付着する。この自動装置は、モジュール構
成であり、マスクのプログラミングが可能で、多くの原
料を利用可能であるため、従来の電気／電子技術に比し
て、いくつかの利点を有している。例えば、単一の自動
装置が、単にマスクを変更するだけで、また所望とあれ
ば原料も変更することで、別の電気／電子製品の製造に
使用できる。自動装置は、ソフトウエアで制御できるの
で、必要な戦略をアップロード（upload) することによ
って、各製品に合うように、プロセス制御を変更するこ
とができる。
続デバイスを製造するための自動製造装置の図である。
自動装置７０は、一連の溶射ステーション列７１〜７５
を有している。各溶射ステーションは、１つの絶縁層ま
たは導体層を付着する。この自動装置は、モジュール構
成であり、マスクのプログラミングが可能で、多くの原
料を利用可能であるため、従来の電気／電子技術に比し
て、いくつかの利点を有している。例えば、単一の自動
装置が、単にマスクを変更するだけで、また所望とあれ
ば原料も変更することで、別の電気／電子製品の製造に
使用できる。自動装置は、ソフトウエアで制御できるの
で、必要な戦略をアップロード（upload) することによ
って、各製品に合うように、プロセス制御を変更するこ
とができる。
【００３３】この装置により、新製品を迅速に開発する
ことも可能である。なぜなら、ＣＡＥ法およびＣＡＭ法
を用いて溶射マスクを迅速に設計、製造できるからであ
る。これらの方法により、コンピュータによるマスクの
図面が、直接、数値制御装置の指令へと変換される。
ことも可能である。なぜなら、ＣＡＥ法およびＣＡＭ法
を用いて溶射マスクを迅速に設計、製造できるからであ
る。これらの方法により、コンピュータによるマスクの
図面が、直接、数値制御装置の指令へと変換される。
【００３４】溶射による製造を自動式に行うこの装置
は、プロセスパラメータ、特に原料、プラズマガス流、
溶射粉体を担持するガス流、溶射材料流、溶射噴霧の組
成、基板冷却率、基板温度、層の厚さ等の変更に対し、
融通性を有している。
は、プロセスパラメータ、特に原料、プラズマガス流、
溶射粉体を担持するガス流、溶射材料流、溶射噴霧の組
成、基板冷却率、基板温度、層の厚さ等の変更に対し、
融通性を有している。
【００３５】本発明を用いてデバイスを製造することに
よって、ＰＷＢや厚膜技術等の先行技術に比して、廃棄
物が低減される。マスクを少量生産すればよいことに加
え、溶剤（水以外の）、酸類、食刻液、インキ、揮発性
有機炭化水素、フォトレジスト、接合剤、メッキ溶液等
が不要となる。
よって、ＰＷＢや厚膜技術等の先行技術に比して、廃棄
物が低減される。マスクを少量生産すればよいことに加
え、溶剤（水以外の）、酸類、食刻液、インキ、揮発性
有機炭化水素、フォトレジスト、接合剤、メッキ溶液等
が不要となる。
【００３６】例えばレーザ直接記録（direct-write) 化
学蒸着法（ＬＣＶＤ）等の従来の半導体製造技術や、Ｐ
ＷＭまたは厚膜技術等のボードレベルの電子モジュール
製造技術に比して、既述の本発明による溶射方法は、２
５０平方インチ（１６１２．９ｃｍ2 ）までの表面積に
対し、約０．００１インチ／秒（０．００２５４ｃｍ／
ｓｅｃ）の極めて高い材料付着率を示す。比較すると、
典型的なＬＣＶＤ付着若しくは蒸着率は、０．００１６
平方インチ（０．０１０３２２５ｃｍ2 ）の表面積に対
し、０．００００２５４インチ／秒（０．００００６４
５ｃｍ／ｓｅｃ）である。この結果、単位面積当たり溶
射付着率は、ＬＣＶＤの場合に比して、約６００万倍高
い値である。したがって、本発明の溶射技術は、電子モ
ジュールおよび電気機器部品の大量低コスト生産が可能
という競争面での大きな利点を有している。
学蒸着法（ＬＣＶＤ）等の従来の半導体製造技術や、Ｐ
ＷＭまたは厚膜技術等のボードレベルの電子モジュール
製造技術に比して、既述の本発明による溶射方法は、２
５０平方インチ（１６１２．９ｃｍ2 ）までの表面積に
対し、約０．００１インチ／秒（０．００２５４ｃｍ／
ｓｅｃ）の極めて高い材料付着率を示す。比較すると、
典型的なＬＣＶＤ付着若しくは蒸着率は、０．００１６
平方インチ（０．０１０３２２５ｃｍ2 ）の表面積に対
し、０．００００２５４インチ／秒（０．００００６４
５ｃｍ／ｓｅｃ）である。この結果、単位面積当たり溶
射付着率は、ＬＣＶＤの場合に比して、約６００万倍高
い値である。したがって、本発明の溶射技術は、電子モ
ジュールおよび電気機器部品の大量低コスト生産が可能
という競争面での大きな利点を有している。
【００３７】さらに、従来の厚膜技術やＰＷＢ技術に比
して、本発明による溶射の場合は、費用や製造サイクル
時間の点で大きな利点がある。なぜなら、一般のＡＥＤ
システムの構成部品やＡＥＭｓの電力処理及び電流搬送
上の要求を満す必要のある比較的厚い絶縁層又は導体層
を、より容易に製造できるからである。先行技術の厚膜
製造に用いられるような多色導電性インキの付着および
焼付けサイクルや、ＰＷＢ製造に用いられる厚手の（約
２オンス即ち５６．７ｇ以上の銅）導電トレースを作る
のに用いられる高価な方法は、不要となる。溶射は、
０．００１インチ（０．００２５４ｃｍ）弱〜１．０イ
ンチ（２．５４ｃｍ）強の厚さの層を作るのに使用でき
る。好ましい層厚は、約０．００７インチ（０．０１７
７８ｃｍ）であり、この層厚は、通常の自動車用デバイ
スの層厚である。噴霧中の熱発生によって、単一のパス
で付着される材料量が、約０．０００５インチ（０．０
０１２７ｃｍ）〜０．００１インチ（０．００２５４ｃ
ｍ）に制限される。
して、本発明による溶射の場合は、費用や製造サイクル
時間の点で大きな利点がある。なぜなら、一般のＡＥＤ
システムの構成部品やＡＥＭｓの電力処理及び電流搬送
上の要求を満す必要のある比較的厚い絶縁層又は導体層
を、より容易に製造できるからである。先行技術の厚膜
製造に用いられるような多色導電性インキの付着および
焼付けサイクルや、ＰＷＢ製造に用いられる厚手の（約
２オンス即ち５６．７ｇ以上の銅）導電トレースを作る
のに用いられる高価な方法は、不要となる。溶射は、
０．００１インチ（０．００２５４ｃｍ）弱〜１．０イ
ンチ（２．５４ｃｍ）強の厚さの層を作るのに使用でき
る。好ましい層厚は、約０．００７インチ（０．０１７
７８ｃｍ）であり、この層厚は、通常の自動車用デバイ
スの層厚である。噴霧中の熱発生によって、単一のパス
で付着される材料量が、約０．０００５インチ（０．０
０１２７ｃｍ）〜０．００１インチ（０．００２５４ｃ
ｍ）に制限される。
【００３８】溶射の可変費用は、厚膜、ＰＷＢ、バスバ
ー(bus bar) 等を製造する従来技術に比して安価であ
る。溶射技術はまた、ＰＷＢやバスバー等の技術に比し
て、パッケージング上の大きな利点を有している。なぜ
なら、“現場で形成される”(formed-in-place）電気相
互接続システムを製造するのに使用できるからである。
言い換えると、溶射材料を、基板および放熱子（若しく
はヒートシンク）として機能する基礎パッケージ材料
（例えばアルミニウム製のモジュールケース）に直接に
施すことができる。これによって、コストや実装密度(p
ackaging density）の点で大きな利点が得られる。なぜ
なら、別個の機械式アダプタ、スペーサ、取付けハード
ウエア、これらが占める実装容積等が、不要となるから
である。
ー(bus bar) 等を製造する従来技術に比して安価であ
る。溶射技術はまた、ＰＷＢやバスバー等の技術に比し
て、パッケージング上の大きな利点を有している。なぜ
なら、“現場で形成される”(formed-in-place）電気相
互接続システムを製造するのに使用できるからである。
言い換えると、溶射材料を、基板および放熱子（若しく
はヒートシンク）として機能する基礎パッケージ材料
（例えばアルミニウム製のモジュールケース）に直接に
施すことができる。これによって、コストや実装密度(p
ackaging density）の点で大きな利点が得られる。なぜ
なら、別個の機械式アダプタ、スペーサ、取付けハード
ウエア、これらが占める実装容積等が、不要となるから
である。
【００３９】図１３には、現場で形成される相互接続デ
バイス８０が示してある。ケース壁８１は、交互に絶縁
層と導体層とを付着させるための基板として機能する。
バイア８２、トレース８３、ボンディングパッド８４
が、種々の導体層に含まれている。バルクヘッドコネク
タ８６のコネクタ端子８５は、各ボンディングパッド８
４にろう付け（若しくははんだ付け）されている。ボン
ディングパッド８４は、また、端子接続用の種々のアダ
プター端子等の外部デバイスへの接続や、面装架デバイ
ス（surface mount device- ＳＭＤｓ）への直接ろう付
け接続用にも使用できる。
バイス８０が示してある。ケース壁８１は、交互に絶縁
層と導体層とを付着させるための基板として機能する。
バイア８２、トレース８３、ボンディングパッド８４
が、種々の導体層に含まれている。バルクヘッドコネク
タ８６のコネクタ端子８５は、各ボンディングパッド８
４にろう付け（若しくははんだ付け）されている。ボン
ディングパッド８４は、また、端子接続用の種々のアダ
プター端子等の外部デバイスへの接続や、面装架デバイ
ス（surface mount device- ＳＭＤｓ）への直接ろう付
け接続用にも使用できる。
【００４０】溶射されたボンディングパッドを複数列に
形成して、１列が付着された各導体層に対応するように
し、ボンディングパッドが、ケース兼基板に対する異な
る高さの多段列を形成するようにするとよい。この段列
形式によって、多層電気相互接続構造体に対する複雑な
多端子コネクタの取付けが容易になる。この段列形式に
よって、さらに、始めに形成された電気相互接続層が、
次に形成されるボンディングパッドの下を（層間の電気
接続または短絡を生じさせることなしに）通るようにす
ることができ、それによって、実装密度若しくはユニッ
ト密度(packingdensity）が容易に高められ、ケース寸
法を最小化できる。
形成して、１列が付着された各導体層に対応するように
し、ボンディングパッドが、ケース兼基板に対する異な
る高さの多段列を形成するようにするとよい。この段列
形式によって、多層電気相互接続構造体に対する複雑な
多端子コネクタの取付けが容易になる。この段列形式に
よって、さらに、始めに形成された電気相互接続層が、
次に形成されるボンディングパッドの下を（層間の電気
接続または短絡を生じさせることなしに）通るようにす
ることができ、それによって、実装密度若しくはユニッ
ト密度(packingdensity）が容易に高められ、ケース寸
法を最小化できる。
【００４１】図１４は、ボンディングパッドへのろう付
け用ソルダ端部９０と、電気構成部品の端子ブレードま
たは電線への接続用端子端部９１とを有する片寄り型
（若しくはオフセット）ボンディングパッド・アダプタ
を示したものである。端子端部９１は、各ボンディング
パッドの側方へ片寄らせてある。図１５は、中心型ボン
ディングパッド・アダプタを示したもので、端子端部９
２が、各ボンディングパッドの中心上方に向けられてい
る。図１６は、電気回路内で各ボンディングパッドにろ
う付けするための端部９３，９４を有する面実装（若し
くは面装架）デバイスを示したものである。
け用ソルダ端部９０と、電気構成部品の端子ブレードま
たは電線への接続用端子端部９１とを有する片寄り型
（若しくはオフセット）ボンディングパッド・アダプタ
を示したものである。端子端部９１は、各ボンディング
パッドの側方へ片寄らせてある。図１５は、中心型ボン
ディングパッド・アダプタを示したもので、端子端部９
２が、各ボンディングパッドの中心上方に向けられてい
る。図１６は、電気回路内で各ボンディングパッドにろ
う付けするための端部９３，９４を有する面実装（若し
くは面装架）デバイスを示したものである。
【００４２】図１７は、デバイス内に構成部品を取付け
る前に所定位置にろう付けされたコネクタ端子とボンデ
ィングパッド・アダプタとを有する相互接続デバイスを
示した図である。図１８は、ボンディングパッド・アダ
プタにリレーとヒューズとを取付けた図１７のデバイス
を示した図である。
る前に所定位置にろう付けされたコネクタ端子とボンデ
ィングパッド・アダプタとを有する相互接続デバイスを
示した図である。図１８は、ボンディングパッド・アダ
プタにリレーとヒューズとを取付けた図１７のデバイス
を示した図である。
【００４３】図１９は、本発明の製造方法を全般的に示
した図である。段階９５では、溶射噴霧される基板を用
意する。例えば、アルミニウム基板を使用するのであれ
ば、表面を粗面化し、滑らかな酸化アルミニウム層を除
去して、溶射材料の被着が妨げられないようにする。基
板が絶縁材料製でない場合には、段階９６で、溶射噴霧
により絶縁性アンダコートを被着する。
した図である。段階９５では、溶射噴霧される基板を用
意する。例えば、アルミニウム基板を使用するのであれ
ば、表面を粗面化し、滑らかな酸化アルミニウム層を除
去して、溶射材料の被着が妨げられないようにする。基
板が絶縁材料製でない場合には、段階９６で、溶射噴霧
により絶縁性アンダコートを被着する。
【００４４】段階９７では、第１導体層が、第１パター
ンを有するマスクを介して溶射により付着若しくは被着
される。段階９８では、第１絶縁層が、第２パターンを
有するマスクを介して第１導体層上に付着される。この
際に、選択区域（“シャドウ区域”）には、第１絶縁層
が被覆されない。
ンを有するマスクを介して溶射により付着若しくは被着
される。段階９８では、第１絶縁層が、第２パターンを
有するマスクを介して第１導体層上に付着される。この
際に、選択区域（“シャドウ区域”）には、第１絶縁層
が被覆されない。
【００４５】段階９９では、交互に導体層と絶縁層とを
付加的に溶射付着し、ボンディングパッド間が相互接続
される。４層までの導体層を有するデバイスが製造さ
れ、優れた結果をもたらした。５個以上の導体層を設け
ることも可能だが、層数は、トレースの幾何形状と、層
間にバイアを形成するのに利用できるスペースとにより
制限される。
付加的に溶射付着し、ボンディングパッド間が相互接続
される。４層までの導体層を有するデバイスが製造さ
れ、優れた結果をもたらした。５個以上の導体層を設け
ることも可能だが、層数は、トレースの幾何形状と、層
間にバイアを形成するのに利用できるスペースとにより
制限される。
【００４６】段階１００では、電子構成部品、例えばコ
ネクタ端子、ボンディングパッド・アダプタ、面実装デ
バイスが、ボンディングパッドにろう付けされる。本発
明の場合、既述の銅やアルミナのほかに、溶射に適した
数多くの材料を利用できる。材料としては、半導体のパ
ッケージまたはチップの直接接合に適した表面を形成し
得る材料を選ぶ。ボンディングには、直接の銅接合（co
pper bond）、共融ダイ・アタッチ(eutectic die attac
h) 、導電性エポキシ接合等の方法を利用する。直接接
合性能の結果、極めて高い放熱能が得られ、それによっ
て、パッケージ寸法や費用の低減の点での大きな利点が
得られる。
ネクタ端子、ボンディングパッド・アダプタ、面実装デ
バイスが、ボンディングパッドにろう付けされる。本発
明の場合、既述の銅やアルミナのほかに、溶射に適した
数多くの材料を利用できる。材料としては、半導体のパ
ッケージまたはチップの直接接合に適した表面を形成し
得る材料を選ぶ。ボンディングには、直接の銅接合（co
pper bond）、共融ダイ・アタッチ(eutectic die attac
h) 、導電性エポキシ接合等の方法を利用する。直接接
合性能の結果、極めて高い放熱能が得られ、それによっ
て、パッケージ寸法や費用の低減の点での大きな利点が
得られる。
【００４７】図２０は、相互接続デバイス用の成層構造
体の別の実施形態を示した図である。この場合は、導電
性の基板が、他の導体層との相互接続を介して、接地板
若しくは接地面として利用されている。導電性の基板１
０１上には、アンダコートの絶縁層１０２が付着されて
いる。しかし、絶縁層１０２のボイド１０３により、導
電性基板１０１の一部が、露出したまま残され、この結
果、導体層１０４には、基板１０１との接触部が形成さ
れる。ボイド区域は、次の絶縁層１０５の析出時にも維
持されるので、次の導体層１０６も、基板１０１と接地
接触することができる。
体の別の実施形態を示した図である。この場合は、導電
性の基板が、他の導体層との相互接続を介して、接地板
若しくは接地面として利用されている。導電性の基板１
０１上には、アンダコートの絶縁層１０２が付着されて
いる。しかし、絶縁層１０２のボイド１０３により、導
電性基板１０１の一部が、露出したまま残され、この結
果、導体層１０４には、基板１０１との接触部が形成さ
れる。ボイド区域は、次の絶縁層１０５の析出時にも維
持されるので、次の導体層１０６も、基板１０１と接地
接触することができる。
【００４８】この別の実施形態によって、特別な接地へ
の帰還トレースが不要となるため、レイアウトの簡単化
が助成される（この結果、他の構成の場合よりも導体層
１個分だけ少ない構造体を得ることさえもできる）。接
地板としてモジュールのベースプレートを利用すること
により、良好なＥＭＩ／ＥＭＣ性能が助長される。
の帰還トレースが不要となるため、レイアウトの簡単化
が助成される（この結果、他の構成の場合よりも導体層
１個分だけ少ない構造体を得ることさえもできる）。接
地板としてモジュールのベースプレートを利用すること
により、良好なＥＭＩ／ＥＭＣ性能が助長される。
【００４９】先に述べたように、種々の付着体若しくは
被着体（features）の形成の際には、基板に接触するこ
となしに、マスクを懸架することが望ましいか、もしく
は必要である。一好適実施例の場合、すりこぎ運動する
ノズルからの傾斜溶射を利用する。その場合、溶射され
た材料は、マスクおよび基板に対し垂直でない軌道を描
くので、マスク開口を通過する材料流によって形成され
る付着体若しくは形成体は、マスク開口より大きくなる
（この拡大効果は噴霧の分散によっても生じるが、その
程度は僅かである）。形成体若しくは付着体の寸法を設
計するに際して望ましいことは、製造プロセスおよびマ
スクを、形成体間に十分なスペースが設けるように設計
し得るようにすることである。
被着体（features）の形成の際には、基板に接触するこ
となしに、マスクを懸架することが望ましいか、もしく
は必要である。一好適実施例の場合、すりこぎ運動する
ノズルからの傾斜溶射を利用する。その場合、溶射され
た材料は、マスクおよび基板に対し垂直でない軌道を描
くので、マスク開口を通過する材料流によって形成され
る付着体若しくは形成体は、マスク開口より大きくなる
（この拡大効果は噴霧の分散によっても生じるが、その
程度は僅かである）。形成体若しくは付着体の寸法を設
計するに際して望ましいことは、製造プロセスおよびマ
スクを、形成体間に十分なスペースが設けるように設計
し得るようにすることである。
【００５０】図２１に示したように、マスク１１０は、
寸法ｄA の開口を有している。開口は、さらにアンダカ
ット角βを有するアンダカット１１１を備えている。す
りこぎ運動するノズルからは、溶射角度αで噴霧され
る。基板１１２には、形成体寸法ｄF を有する層１１３
が付着されている。基板１１２とマスク開口の最も狭い
部分との間隔は、符号ｄMSで示してある。マスクの開口
寸法と形成体寸法との関係は、次式で示される：
寸法ｄA の開口を有している。開口は、さらにアンダカ
ット角βを有するアンダカット１１１を備えている。す
りこぎ運動するノズルからは、溶射角度αで噴霧され
る。基板１１２には、形成体寸法ｄF を有する層１１３
が付着されている。基板１１２とマスク開口の最も狭い
部分との間隔は、符号ｄMSで示してある。マスクの開口
寸法と形成体寸法との関係は、次式で示される：
【数１】ｄF ＝ｄA ＋２ｄMSｔａｎ（α）． アンダカット角βは、通常、溶射角度αより大きくされ
て、開口のアンダカット側面に溶射材料が付着しないよ
うにする。アンダカット角βが溶射角度αより小さい場
合は、間隔ｄMSを、マスク１１０の底縁、または開口
の、溶射噴霧を最も局限する（若しくは閉じこめる）他
の部分から測定するようにする。
て、開口のアンダカット側面に溶射材料が付着しないよ
うにする。アンダカット角βが溶射角度αより小さい場
合は、間隔ｄMSを、マスク１１０の底縁、または開口
の、溶射噴霧を最も局限する（若しくは閉じこめる）他
の部分から測定するようにする。
【００５１】一例を挙げれば、幅０．１００インチ
（０．２５４ｃｍ）、厚さ０．０１００インチ（０．０
２５４ｃｍ）の銅導電トレースを、アルミナ（Ａｌ2 ０
3 ）絶縁層で均等に被覆されたアルミニウムからなるア
イソプレーナ(isoplanar) 基板上に溶射する。通常の溶
射角度は３０°で、溶射付着率は０．０００５インチ／
秒（０．００２６２ｃｍ／ｓｅｃ）、マスクと基板との
間隔は０．０５０インチ（０．１２７ｃｍ）とする。前
記式を目標形成体寸法を得るためのマスク開口寸法を決
めるのに使用する。その結果、次式を得る：
（０．２５４ｃｍ）、厚さ０．０１００インチ（０．０
２５４ｃｍ）の銅導電トレースを、アルミナ（Ａｌ2 ０
3 ）絶縁層で均等に被覆されたアルミニウムからなるア
イソプレーナ(isoplanar) 基板上に溶射する。通常の溶
射角度は３０°で、溶射付着率は０．０００５インチ／
秒（０．００２６２ｃｍ／ｓｅｃ）、マスクと基板との
間隔は０．０５０インチ（０．１２７ｃｍ）とする。前
記式を目標形成体寸法を得るためのマスク開口寸法を決
めるのに使用する。その結果、次式を得る：
【数２】 ｄA ＝ｄF −（２ｄMSｔａｎ（α）） ＝（０．２５４）−２（０．１２７）ｔａｎ（３０°） ＝０．１８５９ｃｍ（０．０７３２インチ） 意図しない空隙がマスク支持体下に発生するのを確実に
防止するには、ノズルのすりこぎ運動の角速度を、付着
工程中に完全に２サイクルを完了する速度にすれば十分
である。
防止するには、ノズルのすりこぎ運動の角速度を、付着
工程中に完全に２サイクルを完了する速度にすれば十分
である。
【００５２】溶射される後続の層のために、前に溶射さ
れた層の厚さが、デバイスの差し渡し方向で変化するこ
とがある。したがって、単一のマスク内の種々区域での
種々マスク寸法を得るために、前記式を用いる場合に
は、マスクと基板との間隔ｄMSは異なる値になる。
れた層の厚さが、デバイスの差し渡し方向で変化するこ
とがある。したがって、単一のマスク内の種々区域での
種々マスク寸法を得るために、前記式を用いる場合に
は、マスクと基板との間隔ｄMSは異なる値になる。
【図１】本発明により用いられる溶射製造技術を示す略
示全体図。
示全体図。
【図２】本発明により形成された電気相互接続デバイス
の横断面図。
の横断面図。
【図３】本発明の構造体内の導体層を形成するためのポ
ジティブマスクの構成を示した図。
ジティブマスクの構成を示した図。
【図４】本発明の構造体内の絶縁層を形成するためのネ
ガティブマスクの構成を示した図で、絶縁層によりバイ
アが得られるか、または導体層間の相互接続がなされる
ことを示した図。
ガティブマスクの構成を示した図で、絶縁層によりバイ
アが得られるか、または導体層間の相互接続がなされる
ことを示した図。
【図５】ポジティブマスクの拡大詳細図。
【図６】ネガティブマスクの拡大詳細図。
【図７】ネガティブマスクの構成の別の実施形態を示し
た図。
た図。
【図８】ポジティブマスクの構成の別の実施形態を示し
た図。
た図。
【図９】ネガティブマスクの構成の別の実施形態を示し
た図。
た図。
【１０】ネガティブマスクの構成の別の実施形態を示し
た図。
た図。
【図１１】加工中、材料の被覆面積を増すための、溶射
ノズルの移動を示した略示図。
ノズルの移動を示した略示図。
【図１２】多層電気／電子デバイスの製造に用いられる
自動製造装置の略示図。
自動製造装置の略示図。
【図１３】本発明の完成した相互接続デバイスの斜視
図。
図。
【図１４】片寄り型ボンディングパッド・アダプタの斜
視図。
視図。
【図１５】中心型ボンディングパッド・アダプタの斜視
図。
図。
【図１６】本発明による相互接続デバイスにろう付けさ
れる種類の面実装デバイスの斜視図。
れる種類の面実装デバイスの斜視図。
【図１７】コネクタとコネクタにろう接されたボンディ
ングパッド・アダプタとを有する相互接続デバイスの斜
視図。
ングパッド・アダプタとを有する相互接続デバイスの斜
視図。
【図１８】ボンディングパッド・アダプタに構成部品を
取付けた後の、図１７のデバイスを示した斜視図。
取付けた後の、図１７のデバイスを示した斜視図。
【図１９】本発明のデバイスを製造するための好ましい
一つの方法を示した工程図。
一つの方法を示した工程図。
【図２０】導電性の基板を用いて接地接続される相互接
続デバイスの横断面図。
続デバイスの横断面図。
１０ 溶射ノズル １１，１２ 供給ビン １３，１４ 供給弁 １５ 溶射噴霧 １６，２０ 基板 １７，４０ ポジティブマスク ２１ 基層 ２２ 第１導体層 ２３ 第１絶縁層 ２４，３０ 導体層 ２５，３３ 絶縁層 ２６ 最終導体層 ２７ 導電性粒子 ３２，５６，６０ ネガティブマスク ４１ 開口 ４２，４６ フレーム ４３，４７ 中央シート ４９ ブリッジ ５０ スクリーン ５１，５２ ブランク ６１ シャドウ開口 ６３，６４ ワイヤ ６５ フレーム案内 ７０ 自動製造装置 ７１〜７５ 溶射ステーション ８０ 相互接続デバイス ８３ バイア ８４ ボンディングパッド ８５ コネクタ端子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１１月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】追加
【補正内容】
【図２１】ノズルからの溶射角度とマスク開口と基板に
形成される付着体の寸法との関係を示す図。
形成される付着体の寸法との関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トマス ランドール ピーターマン アメリカ合衆国ミシガン州ベルビル，デン トン ロード 48761，ナンバー 34 (72)発明者 ポール アール パーガンド アメリカ合衆国ミシガン州ビバリー ヒル ズ，スモールウッド コート 20750 (72)発明者 デビッド ロバート コリンズ アメリカ合衆国ミシガン州ブラウンズタウ ン，シダー リッジ 23841
Claims (1)
- 【請求項１】 電子構成部品の相互接続デバイスにおい
て、 基板と、 溶射により第１パターンで前記基板上に形成された導電
トレースを含む第１導体層と、 前記第１導体層の複数の選択された区域を含まない第２
パターンで溶射により前記第１導体層上に形成された第
１絶縁層と、 複数の選択された前記区域の少なくとも１つを含む第３
パターンで溶射により前記第１絶縁層および前記第１導
体層上に形成された第２導体層とを有し、 複数の選択された前記区域が、直接的な冶金学的結合に
よる導体層間の相互接続を生じさせていることを特徴と
する、電子構成部品の相互接続デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/689,164 US6331680B1 (en) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Multilayer electrical interconnection device and method of making same |
| US689164 | 1996-08-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229282A true JPH10229282A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=24767298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9212299A Pending JPH10229282A (ja) | 1996-08-07 | 1997-08-06 | 電子構成部品の相互接続デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6331680B1 (ja) |
| EP (1) | EP0823832B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10229282A (ja) |
| DE (1) | DE69701716T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004504140A (ja) * | 2000-07-25 | 2004-02-12 | ザ・リサーチ・ファウンデーション・オブ・ステイト・ユニヴァーシティ・オブ・ニューヨーク | 微細特性物を噴射堆積するための方法および装置 |
| JP2013254803A (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 回路基板の製造方法、回路基板および電力用半導体装置 |
| JP2017018468A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社エムダップ | 医療器具の製造装置及び医療器具の製造方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10052247A1 (de) * | 2000-10-21 | 2002-04-25 | Hella Kg Hueck & Co | Schaltungsstrukturen auf thermisch gespritzten Schichten |
| DE10130257A1 (de) * | 2001-06-12 | 2002-12-19 | Hella Kg Hueck & Co | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung auf einem Trägerkörper |
| US6506062B1 (en) | 2001-08-01 | 2003-01-14 | Visteon Global Technologies, Inc. | Circuit board having an integrated circuit board connector and method of making the same |
| DE10153482A1 (de) * | 2001-10-30 | 2003-05-22 | Leoni Ag | Verfahren zum Behandeln eines elektrischen Leiters |
| WO2004013900A2 (en) * | 2002-08-05 | 2004-02-12 | Research Foundation Of The State University Of New York | System and method for manufacturing embedded conformal electronics |
| AU2003301935A1 (en) * | 2002-08-05 | 2004-06-03 | Research Foundation Of The State University Of New York | System and method for manufacturing wireless devices |
| US7477050B2 (en) * | 2003-08-05 | 2009-01-13 | Research Foundation Of The State University Of New York | Magnetic sensor having a coil around a permeable magnetic core |
| US7407738B2 (en) * | 2004-04-02 | 2008-08-05 | Pavel Kornilovich | Fabrication and use of superlattice |
| DE102004054063B3 (de) * | 2004-11-05 | 2006-06-08 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer rissarmen Verbindung und rissarme Verbindung |
| JP2006179856A (ja) | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 絶縁基板および半導体装置 |
| US7375012B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-05-20 | Pavel Kornilovich | Method of forming multilayer film |
| US7511228B2 (en) * | 2005-09-14 | 2009-03-31 | Schmartboard, Inc. | Printed circuit board |
| JP5173160B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2013-03-27 | 新光電気工業株式会社 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| FI20085053A0 (fi) * | 2008-01-22 | 2008-01-22 | Valtion Teknillinen | Menetelmä termisen ruiskutuksen suorittamiseksi ja menetelmän mukaiset sovellukset |
| US20090260862A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Andrew Yaung | Circuit modification device for printed circuit boards |
| US20100260940A1 (en) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Mccown James Charles | System and method for depositing metallic coatings on substrates using removable masking materials |
| DE102011084303A1 (de) * | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Continental Automotive Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine leistungselektronische Baugruppe und Träger für eine solche Baugruppe |
| DE102012223904A1 (de) | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Continental Automotive Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Hochstrom-Schaltkreises mittels Gasspritz-Technologie und Abdichten mit isolierendem Polymer |
| KR102427675B1 (ko) * | 2015-04-20 | 2022-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3872419A (en) | 1972-06-15 | 1975-03-18 | Alexander J Groves | Electrical elements operable as thermisters, varisters, smoke and moisture detectors, and methods for making the same |
| FR2350697A1 (fr) | 1976-05-06 | 1977-12-02 | Cii | Structure perfectionnee de circuits multicouches |
| US4101731A (en) | 1976-08-20 | 1978-07-18 | Airco, Inc. | Composite multifilament superconductors |
| US4166880A (en) | 1978-01-18 | 1979-09-04 | Solamat Incorporated | Solar energy device |
| US4176029A (en) | 1978-03-02 | 1979-11-27 | Sperry Rand Corporation | Subminiature bore and conductor formation |
| US4263341A (en) | 1978-12-19 | 1981-04-21 | Western Electric Company, Inc. | Processes of making two-sided printed circuit boards, with through-hole connections |
| JPS55130198A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Hitachi Ltd | Hybrid integrated circuit board for tuner |
| US4421785A (en) | 1980-08-18 | 1983-12-20 | Sperry Corporation | Superconductive tunnel junction device and method of manufacture |
| DE3103615A1 (de) | 1981-02-03 | 1982-09-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur erzeugung von extremen feinstrukturen |
| EP0074605B1 (en) | 1981-09-11 | 1990-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing multilayer circuit substrate |
| EP0082216B1 (de) | 1981-12-23 | 1985-10-09 | Ibm Deutschland Gmbh | Mehrschichtiges, keramisches Substrat für integrierte Halbleiterschaltungen mit mehreren Metallisierungsebenen |
| US4532152A (en) | 1982-03-05 | 1985-07-30 | Elarde Vito D | Fabrication of a printed circuit board with metal-filled channels |
| US4511599A (en) | 1983-03-01 | 1985-04-16 | Sigmatron Associates | Mask for vacuum depositing back metal electrodes on EL panel |
| US4464701A (en) | 1983-08-29 | 1984-08-07 | International Business Machines Corporation | Process for making high dielectric constant nitride based materials and devices using the same |
| JPS61207044A (ja) | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Showa Denko Kk | 溶射基板の回路形成方法 |
| US4670297A (en) | 1985-06-21 | 1987-06-02 | Raytheon Company | Evaporated thick metal and airbridge interconnects and method of manufacture |
| JPS6276653A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
| US4685197A (en) | 1986-01-07 | 1987-08-11 | Texas Instruments Incorporated | Fabricating a stacked capacitor |
| US5324536A (en) | 1986-04-28 | 1994-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming a multilayered structure |
| US5401716A (en) | 1987-04-15 | 1995-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing superconducting patterns |
| NL8703039A (nl) | 1987-12-16 | 1989-07-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het patroonmatig vervaardigen van een dunne laag uit een oxidisch supergeleidend materiaal. |
| US5162298A (en) | 1988-02-16 | 1992-11-10 | International Business Machines Corporation | Grain boundary junction devices using high tc superconductors |
| US4977105A (en) * | 1988-03-15 | 1990-12-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing interconnection structure in semiconductor device |
| JPH0234984A (ja) | 1988-04-13 | 1990-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | プリント回路基板の製造方法 |
| JPH0222888A (ja) | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Shinichiro Koga | 金属溶射工法によるプリント配線基板の製造方法 |
| US5084323A (en) * | 1989-04-07 | 1992-01-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Ceramic multi-layer wiring substrate and process for preparation thereof |
| JPH04242088A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-28 | Nec Corp | Ｉｃソケット |
| US5200580A (en) * | 1991-08-26 | 1993-04-06 | E-Systems, Inc. | Configurable multi-chip module interconnect |
| EP0540261B1 (en) | 1991-10-31 | 1997-05-28 | STMicroelectronics, Inc. | Process of removing polymers in semiconductor vias |
| US5380564A (en) | 1992-04-28 | 1995-01-10 | Progressive Blasting Systems, Inc. | High pressure water jet method of blasting low density metallic surfaces |
| US5321211A (en) | 1992-04-30 | 1994-06-14 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit via structure |
| JPH065715A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Sony Corp | 配線層の形成方法 |
| US5432149A (en) | 1992-06-22 | 1995-07-11 | Regents Of The University Of California | In-situ tunable Josephson weak links |
| WO1994007611A1 (en) | 1992-10-01 | 1994-04-14 | Motorola, Inc. | Method for forming circuitry by a spraying process with stencil |
| US5391841A (en) | 1992-12-08 | 1995-02-21 | Quick; Nathaniel R. | Laser processed coatings on electronic circuit substrates |
| DE69403104T2 (de) | 1993-02-15 | 1997-10-30 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten oxydsupraleitenden Dünnschicht |
| US5601672A (en) * | 1994-11-01 | 1997-02-11 | International Business Machines Corporation | Method for making ceramic substrates from thin and thick ceramic greensheets |
-
1996
- 1996-08-07 US US08/689,164 patent/US6331680B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-06 DE DE69701716T patent/DE69701716T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-06 JP JP9212299A patent/JPH10229282A/ja active Pending
- 1997-08-06 EP EP97305991A patent/EP0823832B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004504140A (ja) * | 2000-07-25 | 2004-02-12 | ザ・リサーチ・ファウンデーション・オブ・ステイト・ユニヴァーシティ・オブ・ニューヨーク | 微細特性物を噴射堆積するための方法および装置 |
| JP2013254803A (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 回路基板の製造方法、回路基板および電力用半導体装置 |
| JP2017018468A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社エムダップ | 医療器具の製造装置及び医療器具の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0823832B1 (en) | 2000-04-19 |
| EP0823832A1 (en) | 1998-02-11 |
| US6331680B1 (en) | 2001-12-18 |
| DE69701716D1 (de) | 2000-05-25 |
| DE69701716T2 (de) | 2000-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6331680B1 (en) | Multilayer electrical interconnection device and method of making same | |
| US6504105B1 (en) | Solder ball connections and assembly process | |
| EP0632685B1 (en) | Flexible circuit board assembly with common heat spreader and method of manufacture | |
| US6085413A (en) | Multilayer electrical interconnection device and method of making same | |
| US6219253B1 (en) | Molded electronic package, method of preparation using build up technology and method of shielding | |
| US6329605B1 (en) | Components with conductive solder mask layers | |
| US5786270A (en) | Method of forming raised metallic contacts on electrical circuits for permanent bonding | |
| US5615477A (en) | Method for interconnecting a flip chip to a printed circuit substrate | |
| US5985760A (en) | Method for manufacturing a high density electronic circuit assembly | |
| US20010024839A1 (en) | Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating | |
| US6475833B2 (en) | Bumpless flip chip assembly with strips and via-fill | |
| EP0615290A2 (en) | Electronic structures having a joining geometry providing reduced capacitive loading | |
| US5574629A (en) | Solderless printed wiring devices | |
| JP3721139B2 (ja) | プリント配線基板構造及びこれの製造方法 | |
| KR20010075727A (ko) | 국부적으로 향상된 배선밀도를 가진 인쇄회로어셈블리 | |
| US20120112345A1 (en) | High bandwidth semiconductor ball grid array package | |
| US6485999B1 (en) | Wiring arrangements having electrically conductive cross connections and method for producing same | |
| US7910156B2 (en) | Method of making circuitized substrate with selected conductors having solder thereon | |
| US20060099727A1 (en) | Method of making a circuitized substrate having a plurality of solder connection sites thereon | |
| JP3289858B2 (ja) | マルチチップモジュールの製造方法およびプリント配線板への実装方法 | |
| US6165596A (en) | Multi-layer insulated metal substrate printed wiring board having improved thermal coupling of components | |
| JPH0217948B2 (ja) | ||
| US20070139977A1 (en) | Method of improving electrical connections in circuitized substrates | |
| JPH07505015A (ja) | 回路板に設定自在の接続片を形成する方法および設定自在の接続片を有する回路板 | |
| Boyko et al. | Film redistribution layer technology |