JPH10230455A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置

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JPH10230455A
JPH10230455A JP3195197A JP3195197A JPH10230455A JP H10230455 A JPH10230455 A JP H10230455A JP 3195197 A JP3195197 A JP 3195197A JP 3195197 A JP3195197 A JP 3195197A JP H10230455 A JPH10230455 A JP H10230455A
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JP
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polishing
polished
buffer plate
cloth
polishing cloth
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JP3195197A
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Hisashi Ueno
久史 上野
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NEC Corp
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06Work supports, e.g. adjustable steadies
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P52/40Chemomechanical polishing [CMP]
    • H10P52/402Chemomechanical polishing [CMP] of semiconductor materials

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨装置において、ウェーハの端部における
研磨速度を安定化させることにより、半導体装置の有効
チップ数を増加させる。 【解決手段】 本発明の研磨装置は、回転研磨テーブル
106上に貼付された研磨布107、108と被研磨材
料101の研磨面を対面させ、被研磨材料101を保持
する研磨材料固定ブロック102に荷重を加えて研磨液
110を流しながら被研磨材料101を研磨する研磨装
置において、研磨材料固定ブロック102と被研磨材料
101との間に設けた弾力性を有する一定厚さの緩衝板
103の外周部をリテーナリング104で抱き込むよう
に覆うことにより達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置に関し、
特に半導体基板等の表面の凹凸を平坦化する研磨装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体の製造プロセスにおいて、
半導体基板の凹凸及び素子や配線の段差を平坦化するの
に研磨プロセスが使用されている。研磨プロセスは一般
的には凸部を選択的に研磨し消滅させ表面の完全平坦化
を達成させる方式である。
【0003】従来一般に用いられる研磨装置の構成は、
特開昭59−187456号、特開平7−221053
号および特開昭58−22657号公報などに開示され
ている。例えば、図4(a)に示すように、半導体ウェ
ーハ等の被研磨材料101を緩衝板303を介して保持
し回転を与える被研磨材料保持手段(以降、固定ブロッ
クと称する)302と回転研磨テーブル106とから構
成されている。上述の緩衝板303は、研磨中に被研磨
材料101に局所的にかかる荷重を緩和して研磨面の均
一性を向上させるために必要で、米国ロデール社製DF
200が一般的によく使用される。このDF200はポ
リウレタン発泡層、ポリエステルシート基材の積層構造
になっており、圧縮率(JIS L−1096に準拠)
は33%である。例えば、6インチウェーハ用では外径
は150mmで、厚さは0.6mmである。また、研磨
中に被研磨材料101が固定ブロック302から外れる
のを防ぐために内径151mm、厚さ7mmのリテーナ
リング304が固定ブロック302の外周に嵌め込まれ
ている。
【0004】一方、駆動回転軸105Aを有する回転研
磨テーブル106の上面には、研磨布が接着され、この
研磨布は研磨布107(上層)と研磨布108(下層)
とを重ねて使用するのが一般的である。研磨布107は
米国ロデール社製IC1000が良く使われ、これはポ
リウレタン樹脂を発泡硬化したものでAskerC硬度
計で硬度95を示し、硬質である。一方、研磨布108
はロデール・ニッタ社製Suba400が良く使用さ
れ、これはポリエステル繊維不織布にポリウレタン樹脂
を含浸させたものでAskerC硬度計で硬度61を示
し軟質である。研磨布107、108の役割は、研磨布
107が平坦性を高めるため、研磨布108が被研磨材
料101の反りまたは表面のうねりを吸収して研磨面の
均一性を向上させるためである。また、研磨布107上
の中央部には研磨液供給ノズル109が設けられてい
る。
【0005】次に上述の研磨装置の一般的な研磨条件に
おける動作を説明する。30rpmで回転する研磨布1
07上に研磨液供給ノズル109からシリコン酸化物な
どの固形成分を含有する研磨液110が200cc/m
inの割合で供給されると、研磨液110は遠心力によ
り回転研磨テーブル106の中央部から端部へと研磨布
107の上面を伝わって拡散する。この状態で、固定ブ
ロック302に保持された被研磨材料101を、研磨布
107に圧着し、固定ブロック302に荷重7psi
(不図示)をかけ研磨を行う。その際、被研磨材料10
1の面内の研磨速度の均一性を確保するために固定ブロ
ック302も30rpmで自転させる。
【0006】図4(c)は、図4(a)の装置によって
研磨した被研磨材料101の中心を通る直径を含み研磨
面に直角の方向の研磨速度の線図である。このプロファ
イルは、被研磨材料101の中心を原点とするどの直径
方向のプロファイルについても同じである。図4(c)
は原点につき左右対称のプロファイルなので、プラス方
向のエッジから原点までの被研磨材料101の研磨速度
について説明する。
【0007】被研磨材料101のエッジ部(+73〜+
75mmの領域)では研磨速度は極端に速いが、逆に+
60〜+73mmの領域では研磨速度は遅く、+71〜
+73mmの領域で極小点をもつ。そして、0〜+60
mm領域では研磨速度は均一である。このような被研磨
材料101の端部での研磨速度の傾向は、被研磨材料1
01が研磨布107から受ける圧力の違いに起因してい
る。上層の研磨布107は硬質であるが、下層の研磨布
108は軟質であるため、図5(a)の拡大断面図に示
すように、被研磨材料101のエッジ部にかかる研磨布
107、108は局所的に変形する。図5(b)は、圧
力センサーを用いて被研磨材料101のエッジ部にかか
る圧力を測定した結果を示している。+73〜+75m
mの領域では研磨布107、108の変形が大きいため
に局所的に過度に圧力がかかるが、逆に+60〜+73
mmの領域では圧力は徐々に緩和されて低下する。そし
て0〜+60mmの領域では圧力が均一にかかる。これ
ら各領域における圧力の分布は研磨速度の分布に対応し
ている。
【0008】上記の研磨速度の不均一性を改善するため
に、下層の研磨布108にSuba400と材質は同じ
であるがSuba400より硬質のロデール・ニッタ社
製Suba800を使用する方法がある。Suba80
0はAskerC硬度計で硬度82を示す。図6(a)
は、図4(a)の装置において、研磨布108にSub
a800を使用した場合のエッジ部の拡大断面図を示し
ている。Suba400を使用する場合でも同様である
が、緩衝板303を使用しているので、固定ブロック3
02の緩衝板貼り付け面と緩衝板303との間にずれが
発生し、緩衝板303の端部とリテーナリング304と
の間に隙間部分316が生じる。図6(a)に示す拡大
断面図は緩衝板303がプラス側にずれた例であり、被
研磨材料101のプラス側エッジ部分は完全に緩衝板3
03上にある場合を示す。
【0009】図6(b)を用いてプラス側エッジ部の圧
力分布及び研磨速度を説明すると、下層の研磨布108
aは硬質であるため、被研磨材料101を研磨布10
7、108aに押しつけても被研磨材料101のエッジ
部における研磨布107、108aの局所的な変形量は
少ない。その為、図6(b)の+73〜+75mmの領
域では研磨中に被研磨材料101が移動することによっ
て過度に圧力がかかるので研磨布107から受ける圧力
はSuba400を使用した場合と同程度であるが、+
60〜+73mm領域では局所的な変形量が少ないので
被研磨材料101にかかる圧力は均一となる。従って、
図7に示すように、+60〜+73mmの領域における
研磨速度は均一になるので、Suba400を使用する
場合より均一な領域は拡がる。
【0010】尚、上述のような固定ブロック302の緩
衝板貼り付け面と緩衝板303との間のずれの発生は、
上記固定ブロック302の構造に起因しているため、そ
の組み立て方法を図4(a)(b)を用いて説明する。
例えば、6インチウェーハ用の固定ブロック302にお
いて、内径151mmの緩衝板貼り付け面に貼り付け面
より1mm程度小さい外径150mmの緩衝板303を
貼り付ける。次いで、固定ブロック302にリテーナリ
ング304を填め込みネジで固定する。緩衝板303を
1mm程度小さくする理由は、貼り付ける際に緩衝板3
03がずれると、リテーナリング304が嵌らなくなる
からである。緩衝板303を貼り付け面より大きいもの
を貼り付けた後、貼り付け面より出た部分を切り取るこ
とも考えられるが、切り取る際の切り口が不揃いにな
り、被研磨材料101のエッジ部の研磨速度が均一とな
らない。従って、この固定ブロック302の構造におい
ては、1mm程度の寸法差は必要である。このように、
緩衝板303の外径が固定ブロック302の緩衝板貼り
付け面より1mm程度小さいと、貼り方によっては最大
1mmの隙間部分316ができる。その結果、図6
(b)の−75〜−71mmの領域の圧力プロファイル
に示すように、隙間部分316上にある被研磨材料10
1は、エッジから1mmのみならずその近傍の1〜4m
mの領域においても、緩衝板303が隙間部分316の
方向に変形することによって、研磨布から受ける圧力が
低下する。その結果、図7の−75〜−71mmの領域
に示すように、エッジから4mm以内の被研磨材料10
1の研磨速度は他の領域より低く不均一になる。尚、下
層の研磨布108にSuba400を使用する方法で
も、緩衝板303がずれることによって−75〜−71
mmの領域で研磨速度は低いが、被研磨材料101のエ
ッジ部が緩衝板303上にある領域においても研磨速度
は低いために、不均一性に対するずれの影響度はSub
a800に比べて少ない。
【0011】更に、エッジ部の研磨速度の不均一性を解
消する方法として、VMIC会議資料 1995年6月
27〜29日 P525〜527に示されているよう
に、広巾のリテーナリングを研磨布に接触させて加圧す
る方法がある。これは図8(a)に示すように、ベース
プレート415とリテーナリング404をエアーで加圧
して制御する方式である。図8(a)を用いて一般的な
研磨条件における研磨方法を説明する。30rpmで回
転する研磨布107上に研磨液供給ノズル(不図示)か
ら研磨液が200cc/minの割合で供給される。こ
の状態で、緩衝板403を介してベースプレート415
に保持された被研磨材料101と、リテーナリング40
4とを研磨布107に圧着し、リテーナリング用エアー
バック412と、ベースプレート用エアーバック413
とへ固定ブロック402側からエアーを送り込んでリテ
ーナリング404及びベースプレート415に荷重7p
siをかけ、固定ブロック402を30rpmで自転さ
せて研磨を行う。
【0012】この方式では、被研磨材料101のエッジ
部における研磨布107、108の局所的な変形を、リ
テーナリング404の下面外周部で受けるので、図8
(b)の+60〜+75mmの領域においては圧力は一
定となり、その結果、図9におけるプラス側のエッジ部
の研磨速度は、プロファイルに示すように面内と同一に
なる。
【0013】しかしながら、上述のリテーナリング40
4接触方式も、Suba800を用いる方法と同様に緩
衝板403を使用するので、ベースプレート415の緩
衝板貼り付け面と被研磨材料101の上面との間にズレ
を生じ、図8((a))におけるマイナス側のエッジ拡
大断面図に示すように、1mm程度の隙間部分416が
発生する。その結果、図8(b)の−75〜−72mm
の領域の圧力プロファイルに示すように、隙間部分41
6があるために、エッジ及びその近傍の圧力は低下す
る。ところが、リテーナリング404が研磨布107、
108の変形を抑えているので、エッジ部にかかる研磨
布107の変形量はSuba800を使用する場合より
少ない。その為、圧力の低下する領域はエッジから3m
mの範囲であって、Suba800を使用する方法の4
mmより狭くなる。従って、図9の−75〜−72mm
の領域に示すように、エッジから3mm以内の被研磨材
料101の研磨速度は、その他の領域より低く不均一に
なる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の方法に
よる固定ブロックの構成では、図6(a)に示すように
緩衝板303の外径が固定ブロック302の緩衝板貼り
付け面の直径より1mm程度小さくなるため、緩衝板3
03の貼り方によっては最大1mmの隙間部分316が
できる。この隙間の影響で、研磨布108aにSuba
800を使用する方法では、図7の−75〜−71mm
の領域に示すように、エッジから4mm以内の被研磨材
料101の研磨速度が他の領域より低く不均一になる。
また、図8に示すようなリテーナリング404を研磨布
107に接触させる方法においても、図9の−75〜−
72mmの領域に示すように、エッジから3mm以内の
被研磨材料101の研磨速度が他の領域より低く不均一
になるという欠点がある。
【0015】従って、従来の研磨工程において、被研磨
材料に発生する半導体装置の製造に不適当な領域は、S
uba800を使用する方法ではエッジから4mm、リ
テーナリング404接触方式ではエッジから3mmの範
囲である。ところが、現状の研磨以外の製造工程におけ
る半導体装置の製造可能な領域は、エッジから2mmの
範囲を除いた全面であるので、エッジから2〜4mm範
囲のチップは平坦化不足になり、品質不良の原因となる
という欠点がある。
【0016】本発明の目的は、上面に研磨布を備えた回
転研磨テーブル上において、保持手段により保持された
被研磨材料を研磨するに際し、研磨速度が研磨面の全面
にわたり一定となって、被研磨材料の歩留りを向上させ
ることのできる研磨装置を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の研磨装置は、上
面に研磨布を備えた回転研磨テーブルと、テーブル上に
研磨液を供給する手段と、研磨布に対面する被研磨材料
を、弾性を有する円板状の緩衝板を介して保持し、かつ
被研磨材料の周縁の外側に着脱可能なリング状のホルダ
ーを具備し、被研磨材料を研磨布に接触押圧しながら回
転を与える被研磨材料保持手段とを有する研磨装置にお
いて、被研磨材料保持手段に設けられたリング状のホル
ダーが、緩衝板の周辺端部を抱き込んで覆うように設け
られる。
【0018】本発明による第2の研磨装置は、上面に研
磨布を備えた回転研磨テーブルと、テーブル上に研磨液
を供給する手段と、研磨布に対面する被研磨材料を、弾
性を有する円板状の緩衝板を介して保持し、かつ被研磨
材料の周縁の外側に着脱可能なリング状のホルダーを具
備し、さらに被研磨材料およびリング状のホルダーの下
面を研磨布に接触押圧するための空気圧による加圧装置
を含む、被研磨材料に回転を与える被研磨材料保持手段
とを有する研磨装置において、被研磨材料保持手段に設
けられたリング状のホルダーが、緩衝板の周辺端部を抱
き込むように覆うように設けられる。
【0019】したがって本発明の研磨装置においては、
被研磨材料の外径よりも大きい外径を有する緩衝板が用
いられるので、被研磨材料の端部の背面において、緩衝
板と当接しない部分、いわゆる隙間が生じないから、隙
間が原因となって生じる研磨面の端部における研磨布か
らの圧力の不均一が無くなって、研磨速度の不均一を少
なくすることが可能となる。
【0020】さらに所定の空気圧により被研磨材料及び
リテーナリングを研磨テーブルの研磨布の上に押圧する
形式のものは、研磨面の研磨速度が全面に亘り均一とな
る。
【0021】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1(a)は、本発明の請
求項1の研磨装置の一実施の形態の主要構成を示す断面
略図、図1(b)は、被研磨材料固定ブロックの平面図
である。図2(a)は図1(a)の部分拡大断面図であ
り、図2(b)は図2(a)の装置における研磨速度の
ウェーハ中心からの距離に対応する断面における線図で
ある。
【0022】図1(a)において、薄い円板状の被研磨
材料101を保持するための被研磨材料固定ブロック1
02は、中心に回転軸105Bを備える回転可能な円板
状をなし、下面には外径d2 の緩衝板103を密着させ
て保持するための直径d3 の平坦な緩衝板貼り付け面1
02aを有している(d2 <d3 )。断面がL字形をな
す環状のリテーナリング104が、固定ブロック102
の外周部下側に回転軸105Bと同心に設けられ、L字
形断面の垂直部分(内径d3 )において、固定ブロック
102の直径d3 の円筒部分と脱着可能に嵌合し、さら
に固定することができる。L字形の水平部分の内側端面
は、内径d1 の円筒状をなし、外径d2の緩衝板103
の周辺部を抱き込んで覆うように(d1 <d2 )、中心
に向かって水平に張り出し、その中に直径d0 の被研磨
材料101を収容している。図1(b)は固定ブロック
102の下面の平面図で、リテーナリング104が緩衝
板を覆う部分111を示している。
【0023】回転研磨テーブル106は、中心に回転軸
105Aを備えた水平な円板状をなし、上面には2層の
研磨布が貼り付けられ、その上で被研磨材料101の下
面を研磨する。上層の研磨布107には、従来の技術に
おいて述べたポリウレタン樹脂を発泡硬化させたIC1
000を用い、下層の研磨布108には、同じくポリエ
ステル繊維不織布にポリウレタン樹脂を含浸させたSu
ba800(硬質)を用いることが好適である。
【0024】研磨液供給ノズル109は、研磨布の上に
研磨液110を供給するように設けられている。
【0025】6インチ径半導体ウェーハ(d0 =150
mm)用の研磨装置においては、上述の各寸法は、リテ
ーナリング104の内径d1 =151mm、緩衝板10
3の外径d2 =156mm、緩衝板貼り付け面102a
の外径d3 =160mmとする。
【0026】図2(a)は、上述の図1(a)の装置の
被研磨材料固定ブロック102の部分拡大断面略図であ
り、図2(b)は、ウェーハ中心からの距離に対応する
ウェーハ断面における研磨速度を示す線図である。図2
(a)において、被研磨材料101(ウェーハ)のエッ
ジ部は完全に緩衝板103の端縁より内側にあるため、
被研磨材料101にかかる研磨布107からの圧力は均
一となるので、図2(b)に示すように、被研磨材料1
01のエッジから2mmの範囲を除く領域では研磨速度
が均一となる。
【0027】図3(a)は、本発明の請求項2の研磨装
置の一実施の形態の主要構成部分の拡大部分断面図、図
3(b)はウェーハ中心からの距離に対応するウェーハ
断面における研磨速度を示す線図である。図3(a)に
おいて、被研磨材料固定ブロック202は、中心に不図
示の回転軸を備える回転可能な円板状をなし、下面に
は、被研磨材料101とリテーナリング204とに空気
圧によって荷重を掛けるためのエアバック213、21
2が取り付けられている。エアバック213の下面に
は、外径d3 の円板状のベースプレート215が設けら
れ、ベースプレート215の下面は、外径d2 (d2
3 )の緩衝板203の貼り付け面を形成している。
【0028】リテーナリング204は、断面がL字形の
環状をなし、リテーナ用エアバック212から与えられ
る下向きの荷重によってL字形の底面が、図1(a)に
述べたものと同一の回転研磨テーブル106の上面に貼
られた2層の研磨布107、108を押圧するようにな
っている。外径d0 の被研磨材料101は、外径d
2(d2 >d0 )の緩衝板203の下面中央部に配設さ
れ、エアバック213内の空気圧によりベースプレート
215を介して上方より荷重が与えられて研磨布107
の上面に押圧される。被研磨材料101はさらに、リテ
ーナリング204のL字形の水平部分の内側端面(内径
1 )によって回転軸中心に保持される。L字形の水平
部分は、外径d2 の緩衝板203の周辺部を抱き込んで
覆うように(d1 <d2 )、中心に向かって水平に張り
出している。リテーナリング204は、L字形の垂直部
分の内径がベースプレート215の外径d3 に対して僅
かに大きく形成されているので、ベースプレート215
に対し軸方向で遊合している。
【0029】図3(a)のように形成された6インチ径
半導体ウェーハ(d0 =150mm)用の研磨装置にお
いては、上述の各寸法はリテーナリング204の内径d
1 =151mm、緩衝板203の外径d2 =156m
m、ベースプレート215の外径d3 =160mmと
し、さらにリテーナリング204は外径d4 =180m
mとすることが好適である。
【0030】このように構成された図3(a)に示す研
磨装置において、エア圧力を調整して所定の圧力をエア
バック212、213に供給しながら被研磨材料101
およびリテーナリング204を回転研磨テーブル106
上の研磨布107、108に押圧して研磨を行なった結
果、図3(b)に示すような、ウェーハ中心からの距離
に対応する断面における研磨速度の線図が得られた。
【0031】すなわち、被研磨材料101のエッジ部が
完全に緩衝板203の上に在り、かつ被研磨材料101
のエッジ部における研磨布107、108の局所的な変
形を、被研磨材料101のエッジ部でなくリテーナリン
グ204の下面外周部で受けることになるから、被研磨
材料101の下面に掛る圧力は均一となり、その結果、
被研磨材料101の研磨速度は研磨面のすべての場所に
ついて均一になる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、緩衝板の
端部がリテーナリングのL字形断面の水平部分により完
全に覆われることによって、研磨中に被研磨材料の端部
にかかる研磨布からの圧力が均一となるため、被研磨材
料の端部での研磨速度が均一になるという効果を有す
る。その結果、下層の研磨布にSuba800のような
硬質ものを用いる方法では、研磨工程において生じる半
導体装置を製造できない外側の領域巾が、4mmから2
mmへと減少するため、半導体装置用のウェーハにおけ
る有効なチップ数は増加する。また、リテーナリングを
研磨布に接触押圧させる方式においても、ウェーハ全面
で研磨速度は均一になるので、有効なチップ数がさらに
増加するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の請求項1に示す研磨装置の一
実施の形態の主要構成を示す断面図、(b)は(a)の
被研磨材料固定ブロックの平面図である。
【図2】(a)は図1(a)に示す研磨装置の固定ブロ
ックの部分拡大断面図、(b)はウェーハ中心からの距
離に対応するウェーハ断面における研磨速度の線図であ
る。
【図3】(a)は本発明の請求項2に示す研磨装置の固
定ブロックの部分拡大断面図、(b)はウェーハ中心か
らの距離に対応するウェーハ断面における研磨速度の線
図である。
【図4】(a)は従来の技術による研磨装置の主要構成
を示す部分断面図、(b)は(a)の線B−Bに沿った
横断面図、(c)は、ウェーハの直径方向の研磨速度分
布の線図である。
【図5】(a)は図4(a)の研磨装置の部分拡大断面
図、(b)はウェーハの中心からの距離に対応する研磨
布から受ける圧力の線図である。
【図6】(a)は従来の技術による別の研磨装置の部分
拡大断面図、(b)は、ウェーハの中心からの距離に対
応する研磨布から受ける圧力の線図である。
【図7】図6における研磨速度の線図である。
【図8】(a)は従来の技術によるさらに別の研磨装置
の部分拡大断面図、(b)は、ウェーハの中心からの距
離に対応する研磨布から受ける圧力の線図である。
【図9】図8における研磨速度の線図である。
【符号の説明】
101 被研磨材料 102、202、302、402 被研磨材料固定ブ
ロック 102a 緩衝板貼り付け面 103、203、303、403 緩衝板 104、204、304、404 リテーナリング 105(A)、105(B)、305(B) 回転軸 106 回転研磨テーブル 107 研磨布(上層) 108、108a 研磨布(下層) 109 研磨液供給ノズル 110 研磨液 111 リテーナリングの緩衝板を覆っている部分 116、316 隙間部分 212、412 リテーナ用エアーバック 213、413 ベースプレート用エアーバック 214、414 エアー加圧孔 215、415 ベースプレート d0 ウェーハ外径 d1 リテーナリングL字形内側端面の内径 d2 緩衝板外径 d3 緩衝板貼り付け面の直径/リテーナリング垂直
部分内径 d4 リテーナリング外径

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面に研磨布を備えた回転研磨テーブル
    と、該テーブル上に研磨液を供給する手段と、 前記研磨布に対面する被研磨材料を、弾性を有する円板
    状の緩衝板を介して保持し、かつ前記被研磨材料の周縁
    の外側に着脱可能なリング状のリテーナを具備し、前記
    被研磨材料を前記研磨布に接触押圧しながら回転を与え
    る被研磨材料保持手段とを有する研磨装置において、 前記被研磨材料保持手段に設けられた前記リング状のリ
    テーナが、前記緩衝板の周辺端部を抱き込むように覆う
    ことを特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項2】 上面に研磨布を備えた回転研磨テーブル
    と、該テーブル上に研磨液を供給する手段と、 前記研磨布に対面する被研磨材料を、弾性を有する円板
    状の緩衝板を介して保持し、かつ前記被研磨材料の周縁
    の外側に着脱可能なリング状のリテーナを具備し、さら
    に前記被研磨材料および前記リング状のリテーナの下面
    を前記研磨布に接触押圧するための空気圧による加圧装
    置を含む、前記被研磨材料に回転を与える被研磨材料保
    持手段とを有する研磨装置において、 前記被研磨材料保持手段に設けられた前記リング状のリ
    テーナが、前記緩衝板の周辺端部を抱き込むように覆う
    ことを特徴とする研磨装置。
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