JPH10237156A - 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト - Google Patents
半導体用ダイアタッチ樹脂ペーストInfo
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- JPH10237156A JPH10237156A JP3950697A JP3950697A JPH10237156A JP H10237156 A JPH10237156 A JP H10237156A JP 3950697 A JP3950697 A JP 3950697A JP 3950697 A JP3950697 A JP 3950697A JP H10237156 A JPH10237156 A JP H10237156A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低汚染性及び耐半田クラック性に優れたダイ
ボンディング用樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】(A)式(1)又は式(2)で示されるシ
リコーンエポキシ樹脂、(B)脂環式エポキシ樹脂、
(C)カチオン重合系触媒および(D)無機フィラーを
必須成分とし、式(1)又は式(2)で示されるシリコ
ーンエポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中少なくとも5重量
%以上であり、脂環式エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中
少なくとも5重量%以上であることを特徴とする半導体
用ダイアタッチ樹脂ペースト。 【化1】 【化2】
ボンディング用樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】(A)式(1)又は式(2)で示されるシ
リコーンエポキシ樹脂、(B)脂環式エポキシ樹脂、
(C)カチオン重合系触媒および(D)無機フィラーを
必須成分とし、式(1)又は式(2)で示されるシリコ
ーンエポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中少なくとも5重量
%以上であり、脂環式エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中
少なくとも5重量%以上であることを特徴とする半導体
用ダイアタッチ樹脂ペースト。 【化1】 【化2】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC、LSI等の
半導体素子を基板等に接着する樹脂ペーストに関するも
のである。
半導体素子を基板等に接着する樹脂ペーストに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年のエレクトロニクス産業の著しい発
展に伴い、トランジスタ、IC、LSI、超LSIと半
導体素子における回路の集積度は急激に増大している。
このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数mm程
度だったものが10数mmと飛躍的に増大している。
又、リードフレームは従来の42アロイから、熱伝導性
も良く安価である銅材が主流となりつつある。一方、半
導体製品の実装は表面実装法になり、しかも高密度実装
化のため半導体製品自体の大きさは小さく、且つ薄くな
ってきている。このような半導体製品の動向に従い、半
導体製品の構成材料に対する要求性能も変化してきてお
り、半導体素子と金属フレームを接合するダイボンディ
ング用樹脂ペーストに対しても、従来要求されていた接
合の信頼性のみならず、大型チップと銅フレームの熱膨
張率の差に基づく熱応力を吸収緩和する応力緩和特性、
更に薄型パッケージでの表面実装に基づく耐半田クラッ
ク特性が要求され始めている。
展に伴い、トランジスタ、IC、LSI、超LSIと半
導体素子における回路の集積度は急激に増大している。
このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数mm程
度だったものが10数mmと飛躍的に増大している。
又、リードフレームは従来の42アロイから、熱伝導性
も良く安価である銅材が主流となりつつある。一方、半
導体製品の実装は表面実装法になり、しかも高密度実装
化のため半導体製品自体の大きさは小さく、且つ薄くな
ってきている。このような半導体製品の動向に従い、半
導体製品の構成材料に対する要求性能も変化してきてお
り、半導体素子と金属フレームを接合するダイボンディ
ング用樹脂ペーストに対しても、従来要求されていた接
合の信頼性のみならず、大型チップと銅フレームの熱膨
張率の差に基づく熱応力を吸収緩和する応力緩和特性、
更に薄型パッケージでの表面実装に基づく耐半田クラッ
ク特性が要求され始めている。
【0003】この様な耐半田クラック性のダイボンディ
ング用樹脂ペーストの条件としては、低応力性、低吸水
性、低汚染性の様な項目があげられる。これらの項目の
うち、低応力性、低吸水性に関しては樹脂、硬化剤、添
加剤等広汎にわたる研究開発がなされており実用化され
ている。一方、汚染性に関しては、一般にダイボンディ
ング用樹脂ペーストは、樹脂と無機充填材から構成され
ているが、塗布作業性を考慮するためにペーストの粘度
が限定される。樹脂は元来粘稠な液体、又は固形である
ため、ペースト化するには希釈剤を加え低粘度化する必
要がある。その希釈剤としては、例えば、モノエポキ
シ、脂肪族ポリエポキシ等の反応性希釈剤、又は溶剤で
代表される非反応性希釈剤がある。反応性希釈剤の場合
においては、ペーストの硬化中にアウトガスとして一部
が揮散し、基板、チップ表面等を汚染し易く、更に封止
樹脂組成物で封止したときの封止樹脂と基板やチップ表
面との密着性が悪くなり、封止樹脂組成物やペーストに
採用されている低応力性が生かされず、ストレスがかか
った時の界面剥離やパッケージクラックが起きやすくな
るという欠点があった。又、半田クラック性とは関係な
いが、反応性希釈剤は、揮発し易く一般に作業環境に難
点がある。このため硬化時に排気を十分にしなければな
らない等の問題があり、環境面で好ましくない。一方、
非反応性希釈剤を用いる場合は、基板、チップへの汚染
は殆どないが、ペースト層にボイドが発生し易い、ペー
スト厚みが一定しない等の問題があった。又、液状エポ
キシ樹脂、液状の硬化剤、銀粉及びその他の成分の組み
合わせがあるが、一般にリードフレームにペーストを塗
布する時に糸引き不良が発生し易く、実際の作業に適用
するには問題があった。従って希釈剤、又は溶剤を添加
しない低汚染性で、且つ耐半田クラック性に優れたペー
ストの開発が望まれていた。
ング用樹脂ペーストの条件としては、低応力性、低吸水
性、低汚染性の様な項目があげられる。これらの項目の
うち、低応力性、低吸水性に関しては樹脂、硬化剤、添
加剤等広汎にわたる研究開発がなされており実用化され
ている。一方、汚染性に関しては、一般にダイボンディ
ング用樹脂ペーストは、樹脂と無機充填材から構成され
ているが、塗布作業性を考慮するためにペーストの粘度
が限定される。樹脂は元来粘稠な液体、又は固形である
ため、ペースト化するには希釈剤を加え低粘度化する必
要がある。その希釈剤としては、例えば、モノエポキ
シ、脂肪族ポリエポキシ等の反応性希釈剤、又は溶剤で
代表される非反応性希釈剤がある。反応性希釈剤の場合
においては、ペーストの硬化中にアウトガスとして一部
が揮散し、基板、チップ表面等を汚染し易く、更に封止
樹脂組成物で封止したときの封止樹脂と基板やチップ表
面との密着性が悪くなり、封止樹脂組成物やペーストに
採用されている低応力性が生かされず、ストレスがかか
った時の界面剥離やパッケージクラックが起きやすくな
るという欠点があった。又、半田クラック性とは関係な
いが、反応性希釈剤は、揮発し易く一般に作業環境に難
点がある。このため硬化時に排気を十分にしなければな
らない等の問題があり、環境面で好ましくない。一方、
非反応性希釈剤を用いる場合は、基板、チップへの汚染
は殆どないが、ペースト層にボイドが発生し易い、ペー
スト厚みが一定しない等の問題があった。又、液状エポ
キシ樹脂、液状の硬化剤、銀粉及びその他の成分の組み
合わせがあるが、一般にリードフレームにペーストを塗
布する時に糸引き不良が発生し易く、実際の作業に適用
するには問題があった。従って希釈剤、又は溶剤を添加
しない低汚染性で、且つ耐半田クラック性に優れたペー
ストの開発が望まれていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、低汚染性及
び耐半田クラック性に優れたダイボンディング用樹脂ペ
ーストを提供するものである。
び耐半田クラック性に優れたダイボンディング用樹脂ペ
ーストを提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)式
(1)又は式(2)で示されるシリコーンエポキシ樹
脂、(B)脂環式エポキシ樹脂、(C)カチオン重合系
触媒および(D)無機フィラーを必須成分とし、式
(1)又は式(2)で示されるシリコーンエポキシ樹脂
が全エポキシ樹脂中少なくとも5重量%以上であり、脂
環式エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中少なくとも5重量
%以上であることを特徴とする半導体用ダイアタッチ樹
脂ペーストである。
(1)又は式(2)で示されるシリコーンエポキシ樹
脂、(B)脂環式エポキシ樹脂、(C)カチオン重合系
触媒および(D)無機フィラーを必須成分とし、式
(1)又は式(2)で示されるシリコーンエポキシ樹脂
が全エポキシ樹脂中少なくとも5重量%以上であり、脂
環式エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中少なくとも5重量
%以上であることを特徴とする半導体用ダイアタッチ樹
脂ペーストである。
【0006】
【化1】
【0007】
【化2】
【0008】本発明に用いる式(1)又は式(2)で示
されるシリコーンエポキシ樹脂は、低弾性率、低吸水率
の特徴を有してかつ構造中にジシロキサンユニットを有
するため接着性も優れている。式(1)又は式(2)中
のR1、R2の2価の脂肪族基は炭素数6以上のものは工
業化されていない。これらの中で式(1)ではR1、R2
としてはプロピレンが、式(2)ではR1、R2はエチレ
ンが好ましい。全エポキシ樹脂中に含まれる式(1)又
は式(2)のエポキシ樹脂は5重量%以上が好ましい。
5重量%未満では接着後のチップの反りが急激に大きく
なり、低応力性の特徴がなくなる。
されるシリコーンエポキシ樹脂は、低弾性率、低吸水率
の特徴を有してかつ構造中にジシロキサンユニットを有
するため接着性も優れている。式(1)又は式(2)中
のR1、R2の2価の脂肪族基は炭素数6以上のものは工
業化されていない。これらの中で式(1)ではR1、R2
としてはプロピレンが、式(2)ではR1、R2はエチレ
ンが好ましい。全エポキシ樹脂中に含まれる式(1)又
は式(2)のエポキシ樹脂は5重量%以上が好ましい。
5重量%未満では接着後のチップの反りが急激に大きく
なり、低応力性の特徴がなくなる。
【0009】本発明に用いる式(1)又は式(2)以外
のエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールA、ビ
スフェノールFやフェノールノボラックとエピクロルヒ
ドリンとの反応で得られるジグリシジルエーテルで常温
で液状のものが挙げられ、単独又は混合して用いても良
い。本発明に用いる脂環式エポキシ樹脂としては、エポ
キシシクロヘキシルメチル−エポキシシクロヘキサンカ
ルボン酸エステル、ジエポキシリモネンビス(エポキシ
シクロヘキシルメチル)のコハク酸、アジピン酸、セバ
チン酸など脂肪族2塩基酸のジエステル類、ビニルシク
ロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキ
サイド及びこれらの低級アルキル誘導体などが例として
挙げられるが全エポキシ中5重量%以上であることが好
ましい。5重量%未満であると粘度低下効果が乏しく作
業性が低下するので好ましくない。
のエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールA、ビ
スフェノールFやフェノールノボラックとエピクロルヒ
ドリンとの反応で得られるジグリシジルエーテルで常温
で液状のものが挙げられ、単独又は混合して用いても良
い。本発明に用いる脂環式エポキシ樹脂としては、エポ
キシシクロヘキシルメチル−エポキシシクロヘキサンカ
ルボン酸エステル、ジエポキシリモネンビス(エポキシ
シクロヘキシルメチル)のコハク酸、アジピン酸、セバ
チン酸など脂肪族2塩基酸のジエステル類、ビニルシク
ロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキ
サイド及びこれらの低級アルキル誘導体などが例として
挙げられるが全エポキシ中5重量%以上であることが好
ましい。5重量%未満であると粘度低下効果が乏しく作
業性が低下するので好ましくない。
【0010】本発明の目的のためにはエポキシシクロヘ
キシルメチル−エポキシシクロヘキサンカルボン酸エス
テルタイプのものが高沸点で揮発することがなくしかも
低粘度であり特に好ましい。本発明で用いるカチオン重
合触媒は、BF3,SbF6,PF6,ZnCl2,SnC
l4,FeCl3,AlCl3などとアミンの錯体を作っ
ているものがある。ここでは式(3)で示されるフッ化
アンチモンを有する芳香族スルホニウム塩をγ−ブチル
ラクトン等の溶剤に溶解した後使用する。これの触媒量
はエポキシ樹脂100部に対して0.01〜20重量%
で配合することが好ましい。0.01重量部未満である
と硬化するためには多量の時間を費やす必要があり、ま
た20重量%を越えると接着力が著しく低下するので好
ましくない。
キシルメチル−エポキシシクロヘキサンカルボン酸エス
テルタイプのものが高沸点で揮発することがなくしかも
低粘度であり特に好ましい。本発明で用いるカチオン重
合触媒は、BF3,SbF6,PF6,ZnCl2,SnC
l4,FeCl3,AlCl3などとアミンの錯体を作っ
ているものがある。ここでは式(3)で示されるフッ化
アンチモンを有する芳香族スルホニウム塩をγ−ブチル
ラクトン等の溶剤に溶解した後使用する。これの触媒量
はエポキシ樹脂100部に対して0.01〜20重量%
で配合することが好ましい。0.01重量部未満である
と硬化するためには多量の時間を費やす必要があり、ま
た20重量%を越えると接着力が著しく低下するので好
ましくない。
【0011】
【化3】
【0012】本発明で用いる無機フィラーとしては炭酸
カルシウム、シリカ、アルミナ等の絶縁フィラー、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラーが挙げ
られるが用途によりこれらを複数混合しても良い。更に
ニードル詰りを防止するため、これらの粒径は50μm
以下が好ましい。本発明における樹脂ペーストは必要に
より消泡剤、カップリング剤、界面活性剤等の添加剤を
用いることができる。本発明のペーストの製造方法とし
ては、例えば予備混合して三本ロール等を用いてペース
トを得て真空下脱泡する等がある。
カルシウム、シリカ、アルミナ等の絶縁フィラー、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラーが挙げ
られるが用途によりこれらを複数混合しても良い。更に
ニードル詰りを防止するため、これらの粒径は50μm
以下が好ましい。本発明における樹脂ペーストは必要に
より消泡剤、カップリング剤、界面活性剤等の添加剤を
用いることができる。本発明のペーストの製造方法とし
ては、例えば予備混合して三本ロール等を用いてペース
トを得て真空下脱泡する等がある。
【0013】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明
する。なお配合割合は、重量部である。 実施例1〜6 ・式(1)に示すR1,R2:プロピル基を有するシリコ
ーンエポキシ樹脂(A成分) ・式(1)に示すR1,R2:エチレン基を有するシリコ
ーンエポキシ樹脂(B成分) ・ビスフェノールFグリシジルエーテル
(C成分) ・3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’
−エポキシシクロヘキサンカルボン酸エステル(D成
分) ・式(3)に示すR1,R2,R3:メチル基を有するフ
ッ化スルホニウム塩(E成分) ・ターシャリブチルフェニルグリシジルエーテル(反応
性希釈剤)(F成分) ・平均粒径3μmのフレーク状銀粉(G成分) ・平均粒径6μmの球状シリカフィラー(H成分) を表1に示す割合で配合し、三本ロールで充分に混練、
脱泡後、樹脂ペーストを得て、各種性能を評価した。評
価結果を表1に示す。
する。なお配合割合は、重量部である。 実施例1〜6 ・式(1)に示すR1,R2:プロピル基を有するシリコ
ーンエポキシ樹脂(A成分) ・式(1)に示すR1,R2:エチレン基を有するシリコ
ーンエポキシ樹脂(B成分) ・ビスフェノールFグリシジルエーテル
(C成分) ・3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’
−エポキシシクロヘキサンカルボン酸エステル(D成
分) ・式(3)に示すR1,R2,R3:メチル基を有するフ
ッ化スルホニウム塩(E成分) ・ターシャリブチルフェニルグリシジルエーテル(反応
性希釈剤)(F成分) ・平均粒径3μmのフレーク状銀粉(G成分) ・平均粒径6μmの球状シリカフィラー(H成分) を表1に示す割合で配合し、三本ロールで充分に混練、
脱泡後、樹脂ペーストを得て、各種性能を評価した。評
価結果を表1に示す。
【0014】比較例1〜3 表2に示す割合で配合し、実施例と同様にして導電性樹
脂ペーストを得て、実施例と同様にして各種性能を評価
した。評価結果を表2に示す。
脂ペーストを得て、実施例と同様にして各種性能を評価
した。評価結果を表2に示す。
【0015】評価方法 粘 度 :25℃でE型粘度計を用いて回転数2.5
rpmでの粘度を測定した。 体積抵抗率:スライドガラス上にペーストを幅4mm、
厚さ30μmに塗布し、160℃のオーブン中で120
分間硬化した後硬化物の体積抵抗率を測定した。 接着強度 :ペーストを用いて、2×2mmのシリコン
チップを銅フレームにマウントし、160℃のオーブン
中で120分間硬化した。硬化後プッシュプルゲージを
用い250℃での熱時ダイシェア強度(吸水前)を測定
した。又硬化後のサンプルを85℃、相対湿度85%、
72時間吸水処理し240℃での熱時ダイシェア強度
(吸水後)を測定した。 吸 水 率:テフロンシート上にペーストを50×50
×0.1mmになるように塗布し200℃のオーブン中
で60分間硬化した後、85℃、相対湿度85%、72
時間吸水処理を行ない、処理前後の重量変化より吸水率
を算出した。 ボ イ ド:リードフレームに10mm×10mmのガ
ラスチップをマウントし硬化後、外観でボイドをチェッ
クした。被着面積の15%以下のボイドならば良好、1
5%を越えるものを不良とした。 耐パッケージクラック性:スミコンEME−7320
(住友ベークライト(株)・製)の封止材料を用い、下
記の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度85
%、168時間吸水処理した後、IRリフロー(240
℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラックの数
を測定し耐パッケージクラック性の指標とした。 パッケージ :80pQFP(14×20×2mm厚さ) チップサイズ :7.5×7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム :42アロイ 成 形 :175℃、2分間 ポストモールドキュア :175℃、4時間 全パッケージ数 :12
rpmでの粘度を測定した。 体積抵抗率:スライドガラス上にペーストを幅4mm、
厚さ30μmに塗布し、160℃のオーブン中で120
分間硬化した後硬化物の体積抵抗率を測定した。 接着強度 :ペーストを用いて、2×2mmのシリコン
チップを銅フレームにマウントし、160℃のオーブン
中で120分間硬化した。硬化後プッシュプルゲージを
用い250℃での熱時ダイシェア強度(吸水前)を測定
した。又硬化後のサンプルを85℃、相対湿度85%、
72時間吸水処理し240℃での熱時ダイシェア強度
(吸水後)を測定した。 吸 水 率:テフロンシート上にペーストを50×50
×0.1mmになるように塗布し200℃のオーブン中
で60分間硬化した後、85℃、相対湿度85%、72
時間吸水処理を行ない、処理前後の重量変化より吸水率
を算出した。 ボ イ ド:リードフレームに10mm×10mmのガ
ラスチップをマウントし硬化後、外観でボイドをチェッ
クした。被着面積の15%以下のボイドならば良好、1
5%を越えるものを不良とした。 耐パッケージクラック性:スミコンEME−7320
(住友ベークライト(株)・製)の封止材料を用い、下
記の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度85
%、168時間吸水処理した後、IRリフロー(240
℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラックの数
を測定し耐パッケージクラック性の指標とした。 パッケージ :80pQFP(14×20×2mm厚さ) チップサイズ :7.5×7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム :42アロイ 成 形 :175℃、2分間 ポストモールドキュア :175℃、4時間 全パッケージ数 :12
【0016】
【表1】
【0017】
【表2】
【0018】
【発明の効果】本発明は、反応性希釈剤、溶剤の含有な
いため、硬化時のアウトガスによる基材の汚染が殆どな
く、且つ硬化物層にボイドの発生もなく、耐半田クラッ
ク性及び半田耐湿性に優れるものである。
いため、硬化時のアウトガスによる基材の汚染が殆どな
く、且つ硬化物層にボイドの発生もなく、耐半田クラッ
ク性及び半田耐湿性に優れるものである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成9年3月14日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】本発明に用いる式(1)又は式(2)以外
のエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールA、ビ
スフェノールFやフェノールノボラックとエピクロルヒ
ドリンとの反応で得られるジグリシジルエーテルで常温
で液状のものが挙げられ、単独又は混合して用いても良
い。本発明に用いる脂環式エポキシ樹脂としては、エポ
キシシクロヘキシルメチル−エポキシシクロヘキサンカ
ルボン酸エステル、ジエポキシリモネン、ビス(エポキ
シシクロヘキシルメチル)のコハク酸、アジピン酸、セ
バチン酸など脂肪族2塩基酸のジエステル類、ビニルシ
クロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオ
キサイド及びこれらの低級アルキル誘導体などが例とし
て挙げられるが全エポキシ中5重量%以上であることが
好ましい。5重量%未満であると粘度低下効果が乏しく
作業性が低下するので好ましくない。
のエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールA、ビ
スフェノールFやフェノールノボラックとエピクロルヒ
ドリンとの反応で得られるジグリシジルエーテルで常温
で液状のものが挙げられ、単独又は混合して用いても良
い。本発明に用いる脂環式エポキシ樹脂としては、エポ
キシシクロヘキシルメチル−エポキシシクロヘキサンカ
ルボン酸エステル、ジエポキシリモネン、ビス(エポキ
シシクロヘキシルメチル)のコハク酸、アジピン酸、セ
バチン酸など脂肪族2塩基酸のジエステル類、ビニルシ
クロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオ
キサイド及びこれらの低級アルキル誘導体などが例とし
て挙げられるが全エポキシ中5重量%以上であることが
好ましい。5重量%未満であると粘度低下効果が乏しく
作業性が低下するので好ましくない。
Claims (1)
- 【請求項1】 (A)式(1)又は式(2)で示される
シリコーンエポキシ樹脂、(B)脂環式エポキシ樹脂、
(C)カチオン重合系触媒および(D)無機フィラーを
必須成分とし、式(1)又は式(2)で示されるシリコ
ーンエポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中少なくとも5重量
%以上であり、脂環式エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中
少なくとも5重量%以上であることを特徴とする半導体
用ダイアタッチ樹脂ペースト。 【化1】 【化2】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3950697A JPH10237156A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3950697A JPH10237156A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10237156A true JPH10237156A (ja) | 1998-09-08 |
Family
ID=12554940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3950697A Pending JPH10237156A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10237156A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000044807A1 (de) * | 1999-01-28 | 2000-08-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Einkomponenten-klebstoff mit anpassbarer fügeoffenzeit |
| JP2006241320A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Kyocera Chemical Corp | エポキシ樹脂組成物および光半導体装置 |
| JP2008031272A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物及び液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP2008063410A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP2009013294A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物および半導体装置 |
-
1997
- 1997-02-24 JP JP3950697A patent/JPH10237156A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000044807A1 (de) * | 1999-01-28 | 2000-08-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Einkomponenten-klebstoff mit anpassbarer fügeoffenzeit |
| JP2006241320A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Kyocera Chemical Corp | エポキシ樹脂組成物および光半導体装置 |
| JP2008031272A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物及び液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP2008063410A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP2009013294A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物および半導体装置 |
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